JPS6049608B2 - ７−置換クワドリシクレン類−シクロデキストリン包接化合物の製造方法 - Google Patents
７−置換クワドリシクレン類−シクロデキストリン包接化合物の製造方法Info
- Publication number
- JPS6049608B2 JPS6049608B2 JP58116729A JP11672983A JPS6049608B2 JP S6049608 B2 JPS6049608 B2 JP S6049608B2 JP 58116729 A JP58116729 A JP 58116729A JP 11672983 A JP11672983 A JP 11672983A JP S6049608 B2 JPS6049608 B2 JP S6049608B2
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- JP
- Japan
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- substituted
- clathrate compound
- cyclodextrin clathrate
- producing
- cyclodextrin
- Prior art date
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Polysaccharides And Polysaccharide Derivatives (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、７ー置換ノルボルナジエン類の光照射による
７ー置換クワドリシクレン類への光異性化反応を利用し
て、光エネルギーの熱エネルギーとして貯えることので
きる、いわゆる、光化学蓄熱剤の製造方法に関するもの
である。
７ー置換クワドリシクレン類への光異性化反応を利用し
て、光エネルギーの熱エネルギーとして貯えることので
きる、いわゆる、光化学蓄熱剤の製造方法に関するもの
である。
光化学蓄熱剤として、最も有用である、７一置換ノルボ
ルナジエン類は、一般式 （式中のＲは、水素原子、ヒドロキシル基、アシルオキ
シ基及びアルキルオキシ基を示す）で表わされるが、こ
れらの化合物に適当な光化学増感剤を配合して製したシ
クロデキストリン包接化合物を光照射すれば、さらに良
好な転化率で、相当する一般式 （式中のＲは、水素原子、ヒドロキシル基、アシルオキ
シ基及びアルキルオキシ基を示す）で表わされる７一置
換クワドリシクレン類−シクロデキストリン包接化合物
を得られることを見い出した。
ルナジエン類は、一般式 （式中のＲは、水素原子、ヒドロキシル基、アシルオキ
シ基及びアルキルオキシ基を示す）で表わされるが、こ
れらの化合物に適当な光化学増感剤を配合して製したシ
クロデキストリン包接化合物を光照射すれば、さらに良
好な転化率で、相当する一般式 （式中のＲは、水素原子、ヒドロキシル基、アシルオキ
シ基及びアルキルオキシ基を示す）で表わされる７一置
換クワドリシクレン類−シクロデキストリン包接化合物
を得られることを見い出した。
得られた７一置換クワドリシクレン類−シクロデキスト
リン包接化合物は、光エネルギーを熱エネルギーとして
貯えており、適当な触媒を用いて逆反応を行うと、たと
えば（１）式でＲ＝Ｈの場合２４０ｃａ１１ｇの熱量が
得られる。
リン包接化合物は、光エネルギーを熱エネルギーとして
貯えており、適当な触媒を用いて逆反応を行うと、たと
えば（１）式でＲ＝Ｈの場合２４０ｃａ１１ｇの熱量が
得られる。
このように、シクロデキストリン包接化合物を用いて、
光照射による蓄熱と逆反応による放熱とを交互に行うこ
とによつて、有効に熱サイクルを行うことができ、ソ．
ーラシステムとして応用できることを見い出した。本発
明に述べる、包接化合物は製造する際に光化学増感剤を
添加することは、７一置換ノルボルナジエン類−シクロ
デキストリン包接化合物の７一置換クワドリシクレン類
−シクロデキストリン包接化合物への転化率を向上する
ことができ、さらに、高い熱効率がサイクル中で期待で
きる。
光照射による蓄熱と逆反応による放熱とを交互に行うこ
とによつて、有効に熱サイクルを行うことができ、ソ．
ーラシステムとして応用できることを見い出した。本発
明に述べる、包接化合物は製造する際に光化学増感剤を
添加することは、７一置換ノルボルナジエン類−シクロ
デキストリン包接化合物の７一置換クワドリシクレン類
−シクロデキストリン包接化合物への転化率を向上する
ことができ、さらに、高い熱効率がサイクル中で期待で
きる。
また、包接化合物を用いることによつて、原料化合物の
臭気を大巾に減少させることができるとともに、粉体で
あるため、貯蔵、取り扱いが容易な利点がある。７一置
換ノルボルナジエン類−シクロデキストリン包接化合物
のみを光照射した場合、転化率に上限があるが、包接化
合物を造る際に、光増感剤を添加することによつて転化
率を高めることができることを見い出した。
臭気を大巾に減少させることができるとともに、粉体で
あるため、貯蔵、取り扱いが容易な利点がある。７一置
換ノルボルナジエン類−シクロデキストリン包接化合物
のみを光照射した場合、転化率に上限があるが、包接化
合物を造る際に、光増感剤を添加することによつて転化
率を高めることができることを見い出した。
本発明に用いられる７一置換ノルボルナジエンノ類は、
前記一般式（１）で表わされる化合物てあつて式中のＲ
は、水素原子、ヒドロキシル基、アシルオキシ基及びア
ルキルオキシ基てある。
前記一般式（１）で表わされる化合物てあつて式中のＲ
は、水素原子、ヒドロキシル基、アシルオキシ基及びア
ルキルオキシ基てある。
価格の面から言えば、Ｒ＝Ｈの場合が最も好ましく、ま
た、（１）式で示すＲ中のアルキル基は、化合物が、・
固体を示さない、炭素数１〜４が好ましい。本発明にお
いて用いられるシクロデキストリンは、α−、β一及び
γ一タイプのいずれでも使用することができる。通常単
独で用いられるが、２種または３種の混用をしてもよい
。好ましいのは１β一タイプのシクロデキストリンであ
る。本発明に用いられる光増感剤は、アセトン、アセト
フェノン、ベンゾフェノン、トルエン、２−ナフトアル
デヒド、トリフェニレン、ベンジル、２◆３−ペンタジ
エン、フェナントレン、２−アセトナフトン、アセチル
ビフェニル、ベンゼン、ナフチルフェニルケトン、アン
トラキノン、ナフタレン、アントラセン及びそれらの化
合物の誘導体あるいは塩化銅（１）の金属塩の１種又は
２種以上を使用するもので、７一置換ノルボルナジエン
類を増感てきる化合物であればいずれでもよく、単独ま
たは混合して用いられる。７一置換ノルボルナジエン類
に対する光増感剤の添加量は、１０％までが適当である
が１００％まで添加できる。
た、（１）式で示すＲ中のアルキル基は、化合物が、・
固体を示さない、炭素数１〜４が好ましい。本発明にお
いて用いられるシクロデキストリンは、α−、β一及び
γ一タイプのいずれでも使用することができる。通常単
独で用いられるが、２種または３種の混用をしてもよい
。好ましいのは１β一タイプのシクロデキストリンであ
る。本発明に用いられる光増感剤は、アセトン、アセト
フェノン、ベンゾフェノン、トルエン、２−ナフトアル
デヒド、トリフェニレン、ベンジル、２◆３−ペンタジ
エン、フェナントレン、２−アセトナフトン、アセチル
ビフェニル、ベンゼン、ナフチルフェニルケトン、アン
トラキノン、ナフタレン、アントラセン及びそれらの化
合物の誘導体あるいは塩化銅（１）の金属塩の１種又は
２種以上を使用するもので、７一置換ノルボルナジエン
類を増感てきる化合物であればいずれでもよく、単独ま
たは混合して用いられる。７一置換ノルボルナジエン類
に対する光増感剤の添加量は、１０％までが適当である
が１００％まで添加できる。
本発明における包接化合物は、粉体であるため、不活性
ガス（たとえば窒素ガス）中で浮遊せしめるか、または
、広い面積に散布するかして光を照射するものである。
この際に、包接化合物を均一に混合するとともに、均一
に光をあてる必要がある。光源としては、太陽光、高圧
水銀灯、低圧水銀灯及びキセノンランプなどが用いられ
る。
ガス（たとえば窒素ガス）中で浮遊せしめるか、または
、広い面積に散布するかして光を照射するものである。
この際に、包接化合物を均一に混合するとともに、均一
に光をあてる必要がある。光源としては、太陽光、高圧
水銀灯、低圧水銀灯及びキセノンランプなどが用いられ
る。
光異性化反応は、粉体のまま行うことができるが、また
、適当な溶媒、たとえば、水、ｎ−ヘキサン、ベンゼン
、トルエン及びエチレングリコールなどの中に浮遊させ
ることによつても行うことができる。
、適当な溶媒、たとえば、水、ｎ−ヘキサン、ベンゼン
、トルエン及びエチレングリコールなどの中に浮遊させ
ることによつても行うことができる。
７一置換ノルボルナジエン類−シクロデキストリン包接
化合物の光照射によつて得られる、７−置換クワドリシ
クレン類−シクロデキストリン包接化合物は、たとえば
、次のような方法で包接化合物であることを確認できる
。
化合物の光照射によつて得られる、７−置換クワドリシ
クレン類−シクロデキストリン包接化合物は、たとえば
、次のような方法で包接化合物であることを確認できる
。
本発明の７一置換クワドリシクレン類−シクロデキスト
リン包接化合物に約１皓容のベンゼンを加えて良くかき
混ぜる。
リン包接化合物に約１皓容のベンゼンを加えて良くかき
混ぜる。
シクロデキストリンよりベンゼン層を分離したのち、ベ
ンゼンを回収して残油を得る。この残油を蒸留して７一
置換クワドリシクレン類が得られる。さらに、添加され
た光増感剤もガスクロマトグラフ法により確認される。
（１）式中のＲ＝Ｈの場合のクワドリシクレンを例にと
ると、留分のＮｒｌ／１Ｒスペクトルは、１．４１ｐｐ
ｍにシクロピロビルプロトンの吸収を、１．９９ｐｐｍ
に７一位のメチレンのプロトンの吸収を示し、この留分
がクワドリシクレンであることが確認される。
ンゼンを回収して残油を得る。この残油を蒸留して７一
置換クワドリシクレン類が得られる。さらに、添加され
た光増感剤もガスクロマトグラフ法により確認される。
（１）式中のＲ＝Ｈの場合のクワドリシクレンを例にと
ると、留分のＮｒｌ／１Ｒスペクトルは、１．４１ｐｐ
ｍにシクロピロビルプロトンの吸収を、１．９９ｐｐｍ
に７一位のメチレンのプロトンの吸収を示し、この留分
がクワドリシクレンであることが確認される。
本発明の光増感剤を添加したシクロデキストリン包接化
合物を用いる光異性化反応の原理は、７−置換ノルボル
ナジエン類の光異性化反応による７一置換クワドリシク
レン類の生成と、このものの触媒による逆反応で、もと
の７一置換ノルボルナジエン類にもどすことにより得ら
れる熱エネルギーを目的とした、ソーラーシステムに応
用ができる。
合物を用いる光異性化反応の原理は、７−置換ノルボル
ナジエン類の光異性化反応による７一置換クワドリシク
レン類の生成と、このものの触媒による逆反応で、もと
の７一置換ノルボルナジエン類にもどすことにより得ら
れる熱エネルギーを目的とした、ソーラーシステムに応
用ができる。
しかも、その際に、副反応がなく、サイクルを長期間に
わたつて行うことが可能な有用なものである。次に、実
施例により、本発明をさらに詳細に説明する。
わたつて行うことが可能な有用なものである。次に、実
施例により、本発明をさらに詳細に説明する。
実施例１β−シクロデキストリンの飽和水溶液３５０ｍ
ｔ中に、ノルボルナジエン０．５２ｑとアセトフェノン
０．０５ｙの混合液を投入してかき混せ、生成した沈殿
を乾燥して１．５６ｙ（収率２２％）のシクロデキスト
リン包接化合物を得た。
ｔ中に、ノルボルナジエン０．５２ｑとアセトフェノン
０．０５ｙの混合液を投入してかき混せ、生成した沈殿
を乾燥して１．５６ｙ（収率２２％）のシクロデキスト
リン包接化合物を得た。
この粉末０．５０ｙを外径６０ＴＷＬの硬質ガラス製シ
ヤーレに均一に拡げ、同質のふたをしたのち、外気温で
７時間太陽光を照射した。照射後、内容物は０．５１ｙ
となる。生成したクワドリシクレンは、次のようにして
、ガスクロマトグラフ法で分析し、原料に対する転化率
を求めた。照射した包接化合物の０．１０ｑを正確にと
り、ベンゼン０．３０ｍ１を加えてよくかき混ぜて抽出
すると、生成したクワドリシクレンがベンゼン層に移行
する。一定量のベンゼン溶液をとり、ガスクロマトグラ
フ法により面積を求める。次に、同様の方法で未照射の
試料の分析を行つて、ベンゼンを基準とした両者の面積
比から転化率を求めたところ、１３．７％を得た。実施
例２ β−シクロデキストリンの飽和水溶液３５０ｍ１中に７
−ｔ−ブトキシノルボルナジエンの０．９３ｙとアセト
フェノン０．０５ｑの混合液を投入してかき混ぜ、生成
した沈殿を乾燥して３．７６ｙ（収率５０％）のシクロ
デキストリン包接化合物を得た。
ヤーレに均一に拡げ、同質のふたをしたのち、外気温で
７時間太陽光を照射した。照射後、内容物は０．５１ｙ
となる。生成したクワドリシクレンは、次のようにして
、ガスクロマトグラフ法で分析し、原料に対する転化率
を求めた。照射した包接化合物の０．１０ｑを正確にと
り、ベンゼン０．３０ｍ１を加えてよくかき混ぜて抽出
すると、生成したクワドリシクレンがベンゼン層に移行
する。一定量のベンゼン溶液をとり、ガスクロマトグラ
フ法により面積を求める。次に、同様の方法で未照射の
試料の分析を行つて、ベンゼンを基準とした両者の面積
比から転化率を求めたところ、１３．７％を得た。実施
例２ β−シクロデキストリンの飽和水溶液３５０ｍ１中に７
−ｔ−ブトキシノルボルナジエンの０．９３ｙとアセト
フェノン０．０５ｑの混合液を投入してかき混ぜ、生成
した沈殿を乾燥して３．７６ｙ（収率５０％）のシクロ
デキストリン包接化合物を得た。
この粉末０．５０ｑを外径６０−１Ｔｒｍの硬質ガラス
製シヤーレに均一に拡げ、同質のふたをしたのち、外気
温で６時間太陽光を照射した。照射後、内容物は０．５
１ｙとなつた。実施例１と同様な方法で、生成した７−
ｔ−ブトキシクワドリシクレンをガスクロマトグラフ法
で分析し、転化率４．０％を得た。実施例３ β−シクロデキストリン飽和水溶液３５０ｍ１中に、７
−アセトキシノルボルナジエン０．８６ｙとアセトフェ
ノン０．０５ｑの混合液を投入してかき混せ、生成した
沈殿を乾燥して１．３１ｙ（収率１８％）のシクロデキ
ストリン包接化合物を得た。
製シヤーレに均一に拡げ、同質のふたをしたのち、外気
温で６時間太陽光を照射した。照射後、内容物は０．５
１ｙとなつた。実施例１と同様な方法で、生成した７−
ｔ−ブトキシクワドリシクレンをガスクロマトグラフ法
で分析し、転化率４．０％を得た。実施例３ β−シクロデキストリン飽和水溶液３５０ｍ１中に、７
−アセトキシノルボルナジエン０．８６ｙとアセトフェ
ノン０．０５ｑの混合液を投入してかき混せ、生成した
沈殿を乾燥して１．３１ｙ（収率１８％）のシクロデキ
ストリン包接化合物を得た。
この粉末０．５０ｇを外径（４）喘の硬質ガラス製シヤ
ーレに均一に拡げ、同質のふたをしたのち、外気温で６
時間太陽光を照射した。照射後、内容物は０．５１ｇと
なる。実施例１と同様な方法で、生成した７−アセトキ
シクワドリシクレンをガスクロマトグラフ法て分析し、
転化率１７．２％を得た。実施例４β−シクロデキスト
リン飽和水溶液３５０ｍＬ中に、７−ノルボルナジエノ
ール０．６１ｙとアセトフェノン０．０５ｆの混合液を
投入してかき混ぜ、生成した沈殿を乾燥し，て１．１６
ｙ（収率１６．４％）のシクロデキストリン包接化合物
を得た。
ーレに均一に拡げ、同質のふたをしたのち、外気温で６
時間太陽光を照射した。照射後、内容物は０．５１ｇと
なる。実施例１と同様な方法で、生成した７−アセトキ
シクワドリシクレンをガスクロマトグラフ法て分析し、
転化率１７．２％を得た。実施例４β−シクロデキスト
リン飽和水溶液３５０ｍＬ中に、７−ノルボルナジエノ
ール０．６１ｙとアセトフェノン０．０５ｆの混合液を
投入してかき混ぜ、生成した沈殿を乾燥し，て１．１６
ｙ（収率１６．４％）のシクロデキストリン包接化合物
を得た。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中のＲは、水素原子、ヒドロキシル基、アシルオキ
シ基及びアルキルオキシ基を示す）で表わされる７−置
換ノルボルナジエン類と光増感剤とよりなるシクロデキ
ストリン包接化合物の光照射による、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中のＲは、水素原子、ヒドロキシル基、アシルオキ
シ基及びアルキルオキシ基を示す）で表わされる７−置
換クワドリシクレン類−シクロデキストリン包接化合物
の製造方法。 ２ 光増感剤としてアセトン、アセトフェノン、ベンゾ
フェノン、トルエン、２−ナフトアルデヒド、トリフェ
ニレン、ベンジル、２・３−ペンタジエン、フェナント
レン、２−アセトナフトン、アセチルビフェニル、ベン
ゼン、ナフチルフェニルケトン、アントラキノン、ナフ
タレン、アントラセン及びそれらの化合物の誘導体ある
いは金属塩の１種又は２種以上を使用する特許請求の範
囲第１項記載の７−置換クワドリシクレン類−シクロデ
キストリン包接化合物の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58116729A JPS6049608B2 (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | ７−置換クワドリシクレン類−シクロデキストリン包接化合物の製造方法 |
| US06/584,739 US4502930A (en) | 1983-06-27 | 1984-02-29 | Method for manufacture of 7-substituted quadricyclene-cyclodextrin inclusion compound |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58116729A JPS6049608B2 (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | ７−置換クワドリシクレン類−シクロデキストリン包接化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS608232A JPS608232A (ja) | 1985-01-17 |
| JPS6049608B2 true JPS6049608B2 (ja) | 1985-11-02 |
Family
ID=14694347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58116729A Expired JPS6049608B2 (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | ７−置換クワドリシクレン類−シクロデキストリン包接化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6049608B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4976834A (en) * | 1987-04-03 | 1990-12-11 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Asymmetric photochemical reaction process |
| JPH01122438A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-15 | B J Trading Kk | シリンダ洗浄装置 |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP58116729A patent/JPS6049608B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS608232A (ja) | 1985-01-17 |
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