JPS6049371B2 - low pass filter - Google Patents

low pass filter

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JPS6049371B2
JPS6049371B2 JP4162180A JP4162180A JPS6049371B2 JP S6049371 B2 JPS6049371 B2 JP S6049371B2 JP 4162180 A JP4162180 A JP 4162180A JP 4162180 A JP4162180 A JP 4162180A JP S6049371 B2 JPS6049371 B2 JP S6049371B2
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JP
Japan
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attenuation
inductance
coil
pass filter
drop
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一 岡村
逸子 岡本
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Publication date
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    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01Frequency selective two-port networks
    • H03H7/03Frequency selective two-port networks comprising means for compensation of loss
    • HELECTRICITY
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    • H03H7/00Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1741Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H03H7/1758Series LC in shunt or branch path
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    • H03H7/1783Combined LC in series path

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、簡単な構成で減衰特性を改善した低域濾波器
に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a low-pass filter with a simple configuration and improved attenuation characteristics.

従来の有極型LC低域濾波器は、例えば第1図に示すよ
うに、インダクタンスL1〜L4及びコンデンサC1〜
C9から構成され、直列腕としてはインダクタンスL1
〜L4とコンデンサC1〜C4との並列共振回路、並列
腕としてはコンデンサC5〜C9からなるものである。
A conventional polarized LC low-pass filter has, for example, inductances L1 to L4 and capacitors C1 to C1, as shown in FIG.
C9, and as a series arm, inductance L1
A parallel resonant circuit consisting of ~L4 and capacitors C1 to C4, and a parallel arm consisting of capacitors C5 to C9.

第2図はこの低域濾波器の減衰特性を示し、f1〜f4
は並列共振回路共振周波数であり、f1=1/(2πV
L1・ Cl)、f2=1/(2πVL2・ C2)、
f3=1/(2π、/L3・Cs)、f4=1/(2π
り/L4・ C4)で表わされる。このような低域濾波
器の伝送特性は、コイルのQによつて左右されるのが一
般的であるから、高Qのコイルの実現が要望されている
Figure 2 shows the attenuation characteristics of this low-pass filter, f1 to f4.
is the parallel resonant circuit resonant frequency, f1=1/(2πV
L1・Cl), f2=1/(2πVL2・C2),
f3=1/(2π, /L3・Cs), f4=1/(2π
It is expressed as /L4・C4). Since the transmission characteristics of such a low-pass filter are generally influenced by the Q of the coil, it is desired to realize a coil with a high Q.

一般に回路の信号周波数が高くなる程、所望のインダク
タンスの値は小さくても良いことになり、コイルはイン
ダクタンスの値が小さいもの程Qが低いものであるから
、信号周波数が高い帯域用の低域濾波器の伝送特性を向
上させることが容易でなかつた。そこで従来は、タップ
付きコイルを用いて高Qのコイルを実現することが考え
られ、第1図のインダクタンスL2にタップ付きコイル
を適用した場合を第3図に示すものであつて、この場合
のタップによる1次側と2次側とのコイルの巻数比をn
とすると、L2′ =d−L2・・・(1) c2・ =c2/n■ ・・・(2) となる。
In general, the higher the signal frequency of the circuit, the smaller the desired inductance value can be, and the smaller the inductance value of the coil, the lower the Q value. It has not been easy to improve the transmission characteristics of the filter. Conventionally, it has been considered to use a tapped coil to realize a high-Q coil. Figure 3 shows the case where a tapped coil is applied to the inductance L2 in Figure 1. The turns ratio of the coil between the primary side and the secondary side due to the tap is n
Then, L2' = d-L2 (1) c2. = c2/n (2).

又この並列共振回路の共振周波数f2′は、f2′=1
/(2π、/L2′・C2′) ・・・(3)となる。
Also, the resonant frequency f2' of this parallel resonant circuit is f2'=1
/(2π, /L2'·C2') ...(3).

しかし、前述の如きコイルを用いた場合、りーケージイ
ンダクタンスが比較的大きくなり、それにより減衰特性
が劣化することになる。
However, when a coil as described above is used, the leakage inductance becomes relatively large, thereby deteriorating the damping characteristics.

このりーケージインダクタンスをLOとすると、第3図
の’等価回路は第4図に示すものとなる。この場合、イ
ンダクタンスL2とコンデンサC2とによる並列共振回
路の並列共振周波数と、リーケージインダクタンスLO
が直列に接続された構成となることによる直列共振周波
数等が存在するためある周門波数ちにおいて第5図に示
すように、減衰特性の減衰域に於いて減衰量が小さくな
る落ち込みが生じる。このようなリーケージインダクタ
ンスによる減衰量の落ち込みを補償する為に、従来は次
のような手段が考えられていた。
If this leakage inductance is LO, then the equivalent circuit of FIG. 3 is as shown in FIG. 4. In this case, the parallel resonant frequency of the parallel resonant circuit formed by the inductance L2 and the capacitor C2, and the leakage inductance LO
Because of the series-connected configuration, there is a series resonance frequency, etc., so at a certain frequency, as shown in FIG. 5, a drop occurs in which the amount of attenuation becomes smaller in the attenuation range of the attenuation characteristic. In order to compensate for such a drop in attenuation due to leakage inductance, the following measures have been considered in the past.

(1)減衰量の落ち込みを予測し、その分だけ予め減衰
量を大きく設計する。
(1) Predict the drop in the amount of attenuation and design the amount of attenuation to be larger in advance by that amount.

(2)減衰量の落ち込みを補償する減衰特性の戸波器を
縦続接続する。
(2) Cascade-connecting door transducers with attenuation characteristics that compensate for the drop in attenuation.

前記(1)の手段による場合は、例えば第6図の減衰特
性に於いて、りーケージインダクタンスによる減衰量の
落ち込みが点線に示すようにあつたとしても、所望の減
衰量が確保できるように、予め実線の特性のように減衰
量を大きく設計するものであるが、りーケージインダク
タンスによる減衰量の落ち込み量を正確に予測する必要
があり、又減衰量が落ち込む周波数以外の帯域において
は必要以上の減衰量が得られるように構成するから、回
路規模が大きくなる欠点があつた。
In the case of the method (1), for example, in the attenuation characteristics shown in FIG. 6, even if there is a drop in the attenuation due to leakage inductance as shown by the dotted line, the desired attenuation can be ensured. Although the amount of attenuation is designed in advance to be large as shown in the solid line, it is necessary to accurately predict the amount of drop in attenuation due to leakage inductance, and in frequencies other than those where the amount of attenuation falls, it is necessary to design Since the structure is configured to obtain a sufficient amount of attenuation, it has the drawback of increasing the circuit scale.

又前記(2)の手段による場合は、例えば第7図の減衰
特性に於いて、主沖波器の減衰特性が実線aで示すもの
である場合、減衰量の落ち込み量以上の減衰量が得られ
る戸波器、例えば点線bで示す減衰特性の淵波器を縦続
接続し、それによつて点線cの如き総合特性が得られる
ようにするものであるが、主■波器に補助のp波器を縦
続接続するものであるから、構成が大きくなると共に不
経済である欠点があつた。
In addition, in the case of the method (2) above, for example, in the attenuation characteristics shown in Fig. 7, if the attenuation characteristics of the main offshore wave device are as shown by the solid line a, an attenuation amount that is greater than the amount of drop in attenuation amount can be obtained. A door wave device, for example, a deep wave device with the attenuation characteristic shown by the dotted line b, is connected in cascade to obtain the overall characteristic as shown by the dotted line c, but an auxiliary p wave device is connected to the main wave device. Because they are connected in cascade, they have the disadvantage of being bulky and uneconomical.

本発明は、前述の如き従来の欠点を改善したもので、簡
単な構成によりリーケージインダクタンスによる減衰量
の落ち込みを補償することを目的とするものである。
The present invention improves the conventional drawbacks as described above, and aims to compensate for the drop in attenuation due to leakage inductance with a simple configuration.

以下実施例について詳細に説明する。第8図は本発明の
実施例の回路図てあり、第3図に示す従来例の構成に対
応するものであるが、インダクタンスL5を接続したこ
とにより、各回路素子を補正し、インダクタンス値及び
キャパシタンス値が異なつたものとなるので、Lビ〜L
!4″及びCビ〜C9″の符号で示してある。
Examples will be described in detail below. FIG. 8 is a circuit diagram of an embodiment of the present invention, which corresponds to the configuration of the conventional example shown in FIG. Since the capacitance values are different, Lbi~L
! 4'' and Cbi-C9''.

従つて並列共振回路の共振周波数f1〜F4は、第3図
の回路との関係で次のように表わすことができる。1J
1− 〜′1 ノ
″′川
”l)又並列腕のコンデンサC8″とインダクタンスL
5との直列回路のインピーダンス4は、その内部抵抗を
R2とすると、Jであるから、L5を に選定することにより、FOの直列共振周波数に於いて
は、インピーダンス4はR2となる。
Therefore, the resonant frequencies f1 to F4 of the parallel resonant circuit can be expressed as follows in relation to the circuit of FIG. 1J
1- ~'1 ノ
``'River''l) Also, parallel arm capacitor C8'' and inductance L
Since the impedance 4 of the series circuit with FO is J when its internal resistance is R2, by selecting L5, the impedance 4 becomes R2 at the series resonant frequency of the FO.

7 通常は、特性インピーダンスで規準化された回路に
於いては、R2くく1であり、又R2くく(1/(2π
ち・C『))であるから、周波数FOに於いては微小抵
拍只2によりアースしたことになり、この周波数点にお
ける減衰量は、インダクタノンスL5挿入前に比べ増加
する。
7 Usually, in a circuit normalized by characteristic impedance, R2 times 1, and R2 times (1/(2π
Since C')), at the frequency FO, it is grounded by the minute resistance only 2, and the amount of attenuation at this frequency point increases compared to before the inductor nonce L5 is inserted.

従つてりーケージインダクタンスによる減衰量の落ち込
みが生じる周波数に前記直列共振周波数FOが一致する
ようにすることによつて、減衰量の落ち込みを補償する
ことができる。第9図は減衰特性及びインピーダンス特
性(不整合減衰量特性)を示すもので、点線A″の如く
りーケージインダクタンスによつて減衰量の落ち込みが
周波数■に於いて生じた場合、第8図の実施例の如く、
インダクタンスL5を接続したことにより、周波数F。
Therefore, by making the series resonant frequency FO coincide with the frequency at which a drop in attenuation due to the television inductance occurs, it is possible to compensate for the drop in attenuation. Figure 9 shows the attenuation characteristics and impedance characteristics (mismatched attenuation characteristics).If a drop in attenuation occurs at frequency ■ due to leakage inductance as shown by the dotted line A'', then As in the example,
By connecting the inductance L5, the frequency F.

に於ける減衰量が大きくなり、実線Aの減衰特性が得ら
れることになる。なおインダクタンスL5によつて、使
用帯域に於いて減衰量の落ち込みが生じるが、使用帯域
に影響を及ぼさない帯域であることが多く低域淵波器と
しては問題はない。又インダクタンスL5を接続するこ
とにより伝送帯域に於けるインピーダンス特性が劣化す
ることになるが、各回路素子について、インダクタンス
L5を接続したことによる定数変更を行なうことによつ
て、インピーダンス特性の劣化を阻止することができる
The amount of attenuation becomes large, and the attenuation characteristic shown by solid line A is obtained. Note that the inductance L5 causes a drop in the amount of attenuation in the used band, but this is often a band that does not affect the used band, so there is no problem as a low frequency filter. Also, by connecting the inductance L5, the impedance characteristics in the transmission band will deteriorate, but by changing the constants of each circuit element due to the connection of the inductance L5, the deterioration of the impedance characteristics can be prevented. can do.

例えば第9図の点線B″をインダクタンスL5の接続前
のインピーダンス特性であるとすると、インダクタンス
L5を接続して素子近似を行なうことにより実線Bで示
すインピーダンス特性が得られた。インダクタンスL5
は、コンデンサC8″に直列に接続する以外に任意の並
列腕のコンデンサC5″〜C9″に直列に接続すること
ができるものであり、その場合、コンデンサの容量値の
最も大きいコンデンサを選定してインダクタンスL5を
接続することが、インダクタンスの値を小さくできるの
で好適である。
For example, if the dotted line B'' in FIG. 9 is the impedance characteristic before connecting the inductance L5, then by connecting the inductance L5 and performing element approximation, the impedance characteristic shown by the solid line B was obtained.Inductance L5
In addition to being connected in series to capacitor C8'', it can also be connected in series to any parallel arm capacitors C5'' to C9''. In that case, select the capacitor with the largest capacitance value. It is preferable to connect the inductance L5 because the value of the inductance can be reduced.

又並列腕の複数のコンデンサにそれぞれインダクタンス
を接続することも可能である。以上説明したように、本
発明は、並列共振回路のコイルのタップを用いて縦続接
続し、高Qのコイルが得られるようにした低域p波器に
於いて、コイルのりーケージインダクタンスによる減衰
量の落ち込みを、並列腕のコンデンサに直列に1個の微
小インダクタンスのコイルを接続して補償するものであ
り、簡単且つ経済的な構成となり、良好な伝送特性の低
域枦波器を提供することができる利点がある。
It is also possible to connect inductances to each of the plurality of capacitors in parallel arms. As explained above, the present invention provides a low-frequency p-wave device in which coil taps in a parallel resonant circuit are connected in cascade to obtain a high-Q coil. This method compensates for the drop in the amount of power by connecting one micro-inductance coil in series with the capacitor in the parallel arm.It has a simple and economical configuration and provides a low-frequency wave generator with good transmission characteristics. There is an advantage that it can be done.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の基本的な低域?波器、第2図は第1図の
減衰特性曲線図、第3図は従来の低域?波器、第4図は
第3図の等価回路、第5図は第4図の減衰特性曲線図、
第6図及び第7図は従来の”りーケージインダクタンス
による減衰特性の劣化を補償する説明用特性曲線図、第
8図は本発明の実施例の低域?波器、第9図は第8図の
減衰特性及びインピーダンス特性曲線図である。 L1〜L5,Ll″〜L4″はインダクタンス、JCl
〜C9,Cビ〜C9″はコンデンサである。
Is Figure 1 the conventional basic low range? Wave device, Figure 2 is the attenuation characteristic curve diagram of Figure 1, Figure 3 is the conventional low frequency? Figure 4 is the equivalent circuit of Figure 3, Figure 5 is the attenuation characteristic curve diagram of Figure 4,
6 and 7 are explanatory characteristic curve diagrams for compensating for the deterioration of attenuation characteristics due to leakage inductance in the prior art, FIG. It is an attenuation characteristic and impedance characteristic curve diagram of the figure. L1 to L5, Ll'' to L4'' are inductances, JCl
~C9, Cbi~C9'' are capacitors.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 直列腕に並列共振回路、並列腕にコンデンサを有し
、且つ前記並列共振回路の少なくとも一つがコイルのタ
ップを用いて縦続接続された低域濾波器に於いて、前記
タップを有するコイルのリーケージインダクタンスによ
る減衰量の落ち込みを補償するコイルを前記並列腕のコ
ンデンサに直列に接続したことを特徴とする低域濾波器
1. In a low-pass filter having a parallel resonant circuit in the series arm and a capacitor in the parallel arm, and in which at least one of the parallel resonant circuits is cascade-connected using the taps of the coil, leakage of the coil having the taps. A low-pass filter characterized in that a coil for compensating for a drop in attenuation due to inductance is connected in series to the capacitor in the parallel arm.
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