JPS6042763A - Device and method for alignment - Google Patents

Device and method for alignment

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JPS6042763A
JPS6042763A JP58151024A JP15102483A JPS6042763A JP S6042763 A JPS6042763 A JP S6042763A JP 58151024 A JP58151024 A JP 58151024A JP 15102483 A JP15102483 A JP 15102483A JP S6042763 A JPS6042763 A JP S6042763A
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綾田 直樹
Tadashi Konuki
小貫 忠
Masao Kosugi
小杉 雅夫
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Abstract

PURPOSE:To execute and alignment even in case a defect exists in an alignment mark by detecting an object provided with plural alignment marks, and executing a control by an alignment part mark which has been discriminated as correct. CONSTITUTION:When an automatic alignment is started, the number of pulses and a pulse interval of each part mark group are measured by a laser scanning. When the measurement is ended, the contents of pulse number counters 107-110 are brought to access, and whether the contents of all the pulse number counters have become ''6'' or not is checked. In case the pulse number counter is not ''6'', namely, when there is a part mark which cannot be detected, a part mark whose position shift can be calculated is selected from the detected part mark by referring to a prescribed table. Subsequently, the shift quantity is calculated by selecting interval memories 117-120 corresponding to this part mark, whether it is within an alloable range of a prescribed shift quantity or not is discriminated, and when it is within the range, the alignment is ended. In this way, even when a defects exists in an alignment mark, the alignment can be executed.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はアライメントマークを有する物体の位置合わせ
装置、例えばフォトマスク又はレチクル(以下、両者を
含めてマスクと称する)の集積回路パターンをウェハ上
に焼付ける半導体露光装置のアライメントマーク検出に
関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a device for positioning an object having alignment marks, such as a semiconductor exposure device that prints an integrated circuit pattern of a photomask or a reticle (hereinafter referred to as a mask) onto a wafer. Regarding alignment mark detection.

半導体露光装置は、半導体集積技術の発展に従って進歩
が著しく、またその機構も、密着あるいは極近接焼付を
行う装置、レンズあるいはミラー系で等倍焼付を行う装
置あるいは縮小投影像をウェハー上にス゛テップ的に焼
付ける装置、いわゆるステッパーと云う様にバラエティ
に富んでいる。
Semiconductor exposure equipment has made remarkable progress in line with the development of semiconductor integration technology, and its mechanisms include equipment that performs close-contact or extremely close-up printing, equipment that performs 1-magnification printing using a lens or mirror system, and equipment that processes a reduced projection image onto a wafer in a stepwise manner. There is a wide variety of printing devices, so-called steppers.

ステッパーにおけるマスクとウェハーのアライメント方
式の一つとして、投影レンズを介して各ショット毎にマ
スクとウェハーのアライメントを行うTTLダイ・パイ
・ダイ、アライメント方式がある。このアライメント方
式は各シ従来、この種の装置においては、マスクとウェ
ハーのX方向、Y方向及びθ(回転)方向の位置ズレを
検知するため、2箇所以上に設けられたアライメントマ
ークを光電検知することによシ位置合わせが行われてい
る。但し、後述の実施例では1箇のアライメントマーク
が2箇のアライメント部分マークから成る様な形状のも
のを使用しているが、他に、X方向、Y方向、θ方向の
検出のための、互いに離間した3箇のアライメントマー
クを設置する場合には1箇のアライメントマークが1箇
のアライメント部分マークから成る様な形状のものが使
用されることがちり、あるいは更なるバリエーションが
ある。
One method of aligning the mask and wafer in a stepper is a TTL die-by-die alignment method in which the mask and wafer are aligned for each shot through a projection lens. Conventionally, in this type of equipment, this alignment method uses photoelectric detection to detect alignment marks provided at two or more locations in order to detect misalignment between the mask and wafer in the X direction, Y direction, and θ (rotation) direction. Positioning is performed by doing this. However, in the embodiments described below, one alignment mark is shaped like two alignment partial marks, but in addition, there are In the case of installing three alignment marks spaced apart from each other, a shape in which one alignment mark consists of one alignment partial mark may be used, or there are further variations.

如上のマスクとウェハーの自動アライメントが終るとマ
スクが照明されてマスク像がウェハー上に焼付けられる
が、ウェハーにエツチングを施し、また回路形成処理を
施す操作を行う牛導体プロセスの間にアライメントマー
クのずれあるいは部分欠損が起き易く、アライメントマ
ークの一部にくずれや欠損等があると適正な信号が得ら
れないため、そのショットはアライメントが不可能とな
る。従ってそのショットの露光はあきらめて次のショッ
トに進むが、アライメントが困難であることを認定する
までの検出模索時間が無駄になり、また、特にウェハー
のその部分のチップが使えなくなる不都合があった。
After the above automatic alignment of the mask and wafer is completed, the mask is illuminated and the mask image is printed onto the wafer. However, during the process of etching the wafer and performing the circuit forming process, the alignment marks are Misalignment or partial loss is likely to occur, and if a portion of the alignment mark is distorted or missing, an appropriate signal cannot be obtained, making alignment impossible for that shot. Therefore, the exposure of that shot is given up and the process proceeds to the next shot, but the time spent searching for detection until it is determined that alignment is difficult is wasted, and there is also the inconvenience that the chips in that part of the wafer cannot be used. .

本発明は位置合わせすべき物体に設けたアライメントマ
ークに欠陥がある場合でもそれ以外のアライメントマー
ク又は欠陥のない部分を使用してアライメントを実現す
ることを目的とする。
An object of the present invention is to realize alignment even when an alignment mark provided on an object to be aligned has a defect, using other alignment marks or portions without defects.

そしてこの目的を達成するため、1つ又は複数のアライ
メント部分マークから成るアライメントマークを複数設
けた物体を検出し、検出した検出信号に基づいて物体の
自動アライメントを行う装置であって、これら検出信号
のうち適正な信号と不適正な信号とを判別する手段と、
適正と判別された信号に対応するアライメント部分マー
クの検出信号に基づいてアライメント制御を行う手段を
設けている。
In order to achieve this purpose, there is provided a device that detects an object provided with a plurality of alignment marks consisting of one or more alignment partial marks, and automatically aligns the object based on the detected detection signals. means for discriminating between proper signals and improper signals;
Means is provided for performing alignment control based on the detection signal of the alignment partial mark corresponding to the signal determined to be appropriate.

以下、図面に従って本発明の詳細な説明するものとし、
第1図(3)はアライメントマーク検出系を具えたステ
ツノ(−の主要構成を示している0 図中、1は集積回路パターン及びアライメント・マーク
を具えたマスクでちゃ、図示されていないマスク・ステ
ージ24に保持されている。
Hereinafter, the present invention will be explained in detail according to the drawings,
Figure 1 (3) shows the main components of a computer (-) equipped with an alignment mark detection system. In the figure, 1 is a mask equipped with an integrated circuit pattern and alignment marks. It is held on a stage 24.

3は縮小投影レンズ、4は感光層を具えるウェハーでア
ライメント・マークを具えるものとする。5はウェハー
・ステージであり、’) :f−/N−4を保持するも
のである。マスク・ステージ24及びウェハー・ステー
ジ5は、平面内(X方向、Y方向)並びに回転方向(θ
方向)に移動可能なものである。
3 is a reduction projection lens, and 4 is a wafer having a photosensitive layer and an alignment mark. 5 is a wafer stage which holds '):f-/N-4. The mask stage 24 and the wafer stage 5 are arranged in the plane (X direction, Y direction) and in the rotational direction (θ
direction).

そして例えば、ウェハー・ステージ5をXY方向に送っ
てステップ・アンド・リピート運動を行い、マスク・ス
テージ24をXYθ方向に移動してマスク1を装置に対
して初期セットし、更にマスク・ステージ24をXY方
向に移動すると共にウェハー・ステージ5をθ方向に移
動してマスク1とウェハー4のアライメントを行う。但
し、XYoともマスク・ステージを動かしてアライメン
トしても良いし、逆にウエノ1−・ステージのみを動か
してアライメントしても良い。
Then, for example, the wafer stage 5 is sent in the XY directions to perform a step-and-repeat motion, the mask stage 24 is moved in the XYθ directions to initialize the mask 1 in the apparatus, and then the mask stage 24 is moved in the XYθ directions. The mask 1 and the wafer 4 are aligned by moving in the XY directions and also moving the wafer stage 5 in the θ direction. However, alignment may be performed by moving the mask stage for both XYo, or conversely, alignment may be performed by moving only the Ueno 1 stage.

また20と20’はマスク1のアライメントマーク、2
1と2fはウェハー4のアライメントマークである。図
ではウェハー4のアライメントマークを便宜上、1絵描
いているが、実際には露光されるショツト数と同じ数の
組が配されているものとする。
Also, 20 and 20' are alignment marks of mask 1, 2
1 and 2f are alignment marks on the wafer 4. In the figure, one picture of the alignment marks on the wafer 4 is shown for convenience, but in reality, it is assumed that the same number of sets as the number of exposed shots are arranged.

なお、マスク1上のアライメントマークとウェー・−上
のアライメントマークは、等倍投影系以外の系を介在さ
せた時には投影もしくは逆投影しても両方のアライメン
トマークの寸法が変わらない様に、アライメントマーク
の寸法を変えておくものとし、ここではマスクのアライ
メントマークの寸法でウェハーのアライメントマークの
寸法を除算すると縮小倍率になる様に設定する。
In addition, the alignment mark on mask 1 and the alignment mark on the way are aligned so that the dimensions of both alignment marks do not change even if projection or back projection is used when a system other than the same-magnification projection system is used. It is assumed that the dimensions of the marks are changed, and here the dimensions are set so that the reduction magnification is obtained by dividing the dimension of the alignment mark on the wafer by the dimension of the alignment mark on the mask.

28は回転軸29を中心として回転する回転多面鏡(ポ
リゴン・ミラー)である。レーザ光源22から射出した
レーザ光線はレンズ23により回転多面鏡28上の面の
一点31へ収束する0 レンズ32,33.34は光線中継用のレンズ、35は
三角柱プリズムであって、三角柱プリズム35の頂点は
光軸上に一致するからレーザー光線の一回の走査はその
前半と後半で左右に分けられる。39は、図面内方向の
レーザー光走査を図面に垂直方向の走査に変換するため
のプリズムブロックで、例えば第1図(B)の様な形状
に構成する。42は光電検出系(43,44゜45.4
6)を形成するハーフミラ−で、43はミ9−144は
レンズ、45は空間フィルタであり、46はコンデンサ
・レンズ、47は光検出器である。48,49,50,
51は全反射ミラー、52はプリズム、53はf−θ対
物レンズである。
28 is a rotating polygon mirror that rotates around a rotation axis 29. The laser beam emitted from the laser light source 22 is converged by the lens 23 to a point 31 on the surface of the rotating polygon mirror 28. Lenses 32, 33, and 34 are lenses for relaying the beam, and 35 is a triangular prism. Since the apex of the laser beam coincides with the optical axis, one scan of the laser beam is divided into the first half and the second half, left and right. Reference numeral 39 denotes a prism block for converting laser light scanning in a direction within the drawing to scanning in a direction perpendicular to the drawing, and is configured in a shape as shown in FIG. 1(B), for example. 42 is a photoelectric detection system (43,44°45.4
6), 43 is a lens, 45 is a spatial filter, 46 is a condenser lens, and 47 is a photodetector. 48, 49, 50,
51 is a total reflection mirror, 52 is a prism, and 53 is an f-θ objective lens.

また57はコンデンサーレンズ、58は同期信号検出用
の光検出器で、半透鏡42へ入射したレーザー光の一部
はコンデンサーレンズ57で集光されて光検出器58へ
入射する。従って光検出器58はレーザー光の走査始点
と終点を検出するのに役立つ。
Further, 57 is a condenser lens, and 58 is a photodetector for detecting a synchronization signal. A part of the laser light incident on the semi-transparent mirror 42 is condensed by the condenser lens 57 and enters the photodetector 58. The photodetector 58 thus serves to detect the start and end points of the laser beam scan.

尚、図かられかる様に、信号検出系は全く対称な左右の
系から成っておシ、オペレータ側を紙面の手前側とする
とダッシュで示した系は右、ダッシュなしの系は左の信
号検出系と呼ぶことにし、同じ部材には同一番号にダッ
シュを付けている。
As you can see from the figure, the signal detection system consists of completely symmetrical left and right systems.If the operator side is the front side of the paper, the system shown with a dash is the signal on the right, and the system without a dash is the signal on the left. We will call it the detection system, and the same parts are given the same numbers with a dash.

中継レンズ32,33,34は回転多面鏡28からの振
れ原点を対物レンズ53の絞シ位置55の甲の鐘56に
形成する。従ってシート状又はスボツ14のレーザー光
は回転多面鏡28の回転によりマスク及びウェハー上を
走査する。
The relay lenses 32, 33, and 34 form the origin of the deflection from the rotating polygon mirror 28 at the bell 56 at the aperture position 55 of the objective lens 53. Therefore, the laser beam from the sheet or slot 14 is scanned over the mask and wafer by the rotation of the rotating polygon mirror 28.

また対物レンズ系において、対物レンズ53、絞955
、ミラー51及びプリズム52はXY方向に図示しない
移動手段により移動可能であり、マスク1及びウェハー
4の測定位置は任意に変えることができる。例えば、X
方向の移動はミラー51が図中矢印Aで示した方向に移
動すると対物レンズ53及び絞夛55も同時に入方向に
移動すると共に光路長を常に一定に保つためプリズム5
2も入方向にミラー51の移動量の1/2の賀移動する
In addition, in the objective lens system, the objective lens 53, the aperture 955
, the mirror 51 and the prism 52 are movable in the XY directions by a moving means (not shown), and the measurement positions of the mask 1 and the wafer 4 can be changed arbitrarily. For example,
When the mirror 51 moves in the direction indicated by the arrow A in the figure, the objective lens 53 and the diaphragm 55 simultaneously move in the incoming direction, and the prism 5 moves in the direction shown by the arrow A in order to keep the optical path length constant.
2 also moves in the incoming direction by 1/2 the amount of movement of the mirror 51.

一方、Y方向の移動は位置検出用の光学系全体がY方向
(紙面に垂直な方向)に移動する。
On the other hand, when moving in the Y direction, the entire optical system for position detection moves in the Y direction (direction perpendicular to the plane of the paper).

そして対物レンズ系の移動が可能であることカラ、マス
クによってアライメントマークの位置が異なる場合ある
いはアライメントマークとは別にマスクセツティングマ
ークを設けた場合のマーク検出に対処できる。
Since the objective lens system is movable, it is possible to detect marks in cases where the position of the alignment mark differs depending on the mask, or in cases where a mask setting mark is provided separately from the alignment mark.

M2図(A)はマスク面上での7ライメントマークを示
す図である。マスク1上のマーク20(第1図)は直交
するバー75と76から成り、同様にマーク20′はバ
ー75′と76′から成る。
FIG. M2 (A) is a diagram showing 7 alignment marks on the mask surface. Mark 20 (FIG. 1) on mask 1 consists of orthogonal bars 75 and 76, and similarly mark 20' consists of bars 75' and 76'.

またウェハー上のマーク21と21′をマスク1上へ投
影レンズを介して逆投影したとき、マーク21は直交関
係の平行バー71,72,73゜74から成シ、マーク
21′は71′、72′、73′。
Furthermore, when the marks 21 and 21' on the wafer are back-projected onto the mask 1 through the projection lens, the mark 21 consists of parallel bars 71, 72, 73° 74 that are perpendicular to each other; 72', 73'.

74′から成る。このアライメントマークの詳細は特開
昭53−90872に述べられている。
Consisting of 74'. Details of this alignment mark are described in Japanese Patent Laid-Open No. 53-90872.

ここでアライメントマークを対称軸で2分し、以下の通
りに呼ぶことにする。
Here, the alignment mark is divided into two by the axis of symmetry and is called as follows.

バー71.72.75を第1の部分マークバー73.7
4.76を第2の部分マークパー72’ 、 73’ 
、 76’を第3の部分マークパー71′、72′、7
5′を第4の部分マークレーザ光は第2図囚60 、6
0’に示す様に、左検出系においては装置手前(紙面下
方)がらY方向へ、右検出系においては装置奥(紙面上
方)からマイナスY一方向ヘアライメント・マークを走
査する、第2図(B)は第2図(Alにおける左検出系
のマークを拡大したものである。
Bar 71.72.75 marks the first part bar 73.7
4.76 second part mark par 72', 73'
, 76' to the third partial mark par 71', 72', 7
5' marks the fourth part of the laser beam as shown in Figure 2.
As shown in Figure 0', the left detection system scans the hair alignment mark in the Y direction from the front of the device (bottom of the page), and the right detection system scans the minus Y one-way hair alignment mark from the back of the device (top of the page). (B) is an enlarged view of the left detection system mark in FIG. 2 (Al).

第2図fB)のマークをレーザー光60が走査すると、
光検出器47,4τには第2図fc)に示す様な、87
1〜S76の信号が得られる。S71゜S72.S73
・・・はマークのバー71,72゜73・・・に夫々対
応した信号である。
When the laser beam 60 scans the mark in Fig. 2 fB),
The photodetector 47, 4τ has 87 as shown in Fig. 2 fc).
Signals 1 to S76 are obtained. S71°S72. S73
. . are signals corresponding to marks bars 71, 72, 73, . . . , respectively.

従って、検出信号S71.S75.S72.S73゜8
76.874の間隔Wl 、W2 、W3 、W4を計
測すれば、マスクとウェハーのズレ量が検出できる。
Therefore, the detection signal S71. S75. S72. S73゜8
By measuring the intervals Wl, W2, W3, and W4 of 76.874, the amount of misalignment between the mask and the wafer can be detected.

左信号系の第1の部分マーク及び第2の部分マークのX
方向及びY方向のズレ量△XL、△YLは ΔXL=(Wl−W2−W3+W4)/4 ・・・式(
1)ΔYL= (−W1+W2+W3−W4 )/4 
・・・式(2)であられすことができる。
X of the first partial mark and second partial mark of the left signal system
The amount of deviation △XL, △YL in the direction and Y direction is ΔXL=(Wl-W2-W3+W4)/4...Formula (
1) ΔYL= (-W1+W2+W3-W4)/4
... can be expressed by formula (2).

また右信号系の第3の部分マーク及び第4の部分マーク
のズレ量、ΔXR、△YRは△XR=(−W1’+W2
’+W3’−W4’)/4 −131△YR=(−W1
’+W2’−W3’+W4’)/4 =・〕式(4)従
って回転方向のズレ量 △θは △θ=(△YR−△YL)/(XR−XL) ・・・式
(5)但し、XL及びXRはマスクの中心からの左マー
ク及び右マークの位置であり、(XR−XL)は左右両
マーク間の間隔となる。
Also, the amount of deviation of the third partial mark and fourth partial mark of the right signal system, ΔXR, ΔYR, is ΔXR=(-W1'+W2
'+W3'-W4')/4 -131△YR=(-W1
'+W2'-W3'+W4')/4 = Equation (4) Therefore, the amount of deviation in the rotational direction △θ is △θ=(△YR-△YL)/(XR-XL)...Equation (5) However, XL and XR are the positions of the left mark and right mark from the center of the mask, and (XR-XL) is the distance between the left and right marks.

第3図は、ウェハー上のショット配列例を示した図であ
る。
FIG. 3 is a diagram showing an example of shot arrangement on a wafer.

図中、Pで示した領域は1シヨツトで露光される露光パ
ターン領域で、1回の露光ショットあたシテップTを4
個同時に露光するものである。この時アライメント・マ
ークは露光ショット間のスクライプライン中L L’で
示した位置に設けられているものである0即ち、スクラ
イブライン中のLで示した位置に第1及び第2のアライ
メント部分マーク、L′で示した位置に第3及び第4の
アライメント部分マークが設けられている。
In the figure, the area indicated by P is the exposure pattern area exposed in one shot, and the number of steps T per exposure shot is 4.
It exposes each individual at the same time. At this time, the alignment mark is provided at the position indicated by L L' in the scribe line between the exposure shots. In other words, the first and second alignment partial marks are provided at the position indicated by L in the scribe line. , L' are provided with third and fourth alignment portion marks.

本実施例は前記4箇のアライメント部分マークの1つ又
は2つの部分マークが適正に検出できない場合でも、少
なくとも2つの部分マークを検出できれば、その検出信
号を基に自動アライメントを行うものである。
In this embodiment, even if one or two of the four alignment partial marks cannot be detected properly, if at least two partial marks can be detected, automatic alignment is performed based on the detection signal.

表1に部分マークの組合せを示す。表中、○印は検出で
きた部分マーク、X印は欠陥のために検出できなかった
部分マークである。
Table 1 shows combinations of partial marks. In the table, ○ marks are partial marks that could be detected, and X marks are partial marks that could not be detected due to defects.

表1 これらをまとめると次の通シである。Table 1 These can be summarized as follows.

1.4つの部分マークのうち、3つの部分マークが検出
できればアライメントは可能。
1. Alignment is possible if three of the four partial marks can be detected.

2.4つの部分マークのうち、次の2つの部分マークが
検出できればアライメントは可能。
2. Alignment is possible if the following two partial marks among the four partial marks can be detected.

3、但し、次の2つの部分マークしか検出できない場合
はアライメントは不可。従ってウェハーを次のショット
ヘステップさせる02つの部分マークのみでアライメン
トする場合は、後述の式を使用して算出した位置ずれ量
△Xと△Yを補正する様にマスクとウエノ・−をXY方
向へ相対的に移動させるが、回転(θ)方向の補正は行
わない。回転方向の補正を行わないのは、現在では移動
ステージの送り機構の信頼度が高く、1〜2ステップ程
度の直進移動では回転方向の誤差が入り込むことがほと
んどなく、従って、以前にXYθ方向の補正を行ったシ
ョットからステップ移動させた場合、XY方向を補正す
ればθ方向は許容範囲に十分包含されることによる。
3. However, alignment is not possible if only the following two partial marks can be detected. Therefore, when alignment is performed using only two partial marks that step the wafer to the next shot, the mask and wafer should be aligned in the X and Y directions so as to correct the positional deviations △ , but no correction in the rotational (θ) direction is performed. The reason why the rotational direction is not corrected is that the reliability of the moving stage feeding mechanism is high at present, and there is almost no error in the rotational direction during linear movement of about 1 to 2 steps. This is because when a step movement is performed from a corrected shot, if the X and Y directions are corrected, the θ direction is sufficiently included in the allowable range.

アライメント可能な部分マークを組合せた場合の位置ず
れ量ΔXとΔYは次式からめられる0 1、 第1部分マークと第2部分マーク・・・前述の式
(1)と(2) 2、第2部分マークと第4部分マーク・・・前述の式(
1)と(2) 3、第1部分マークと第1部分マーク △X=(Wl−W2+W3’−W4’)/4 ・・・式
(6)△Y=(−Wl+W2−W3’+W4’)/4 
・・・式(7)4、第2部分マークと第1部分マーク ΔX=(−Wr+W2’−W3+W4 )/4 ・・・
式(8)△Y=(−W1’+W2’+W3−W4 )/
4 、・・・式(9)第4図は4つの部分マークの検出
信号の適、不適を判別し、情報を記憶する回路のブロッ
ク図、第5図は第4図の回路の各部の動作を説明するた
めの波形を示す図である。
The amount of positional deviation ΔX and ΔY when alignable partial marks are combined can be determined from the following formula 0 1. First partial mark and second partial mark...the above equations (1) and (2) Partial mark and fourth part mark...The above formula (
1) and (2) 3. First partial mark and first partial mark △X=(Wl-W2+W3'-W4')/4...Formula (6) △Y=(-Wl+W2-W3'+W4') /4
...Formula (7) 4, second partial mark and first partial mark ΔX=(-Wr+W2'-W3+W4)/4...
Formula (8) △Y=(-W1'+W2'+W3-W4)/
4, ...Equation (9) Figure 4 is a block diagram of a circuit that determines whether the detection signals of the four partial marks are appropriate or not and stores information, and Figure 5 shows the operation of each part of the circuit in Figure 4. FIG. 2 is a diagram showing waveforms for explaining.

第4図47 、47’は第1図中、同一の番号で示した
アライメントマーク検出用光検知器で、光検知器47か
らは、第5図(5)で示すアライメント部分マークの信
号波形、光検知器47′からは、第5図f8)で示すア
ライメント部分マークで信号波形が出力される。尚、第
5図(A)(Blにおいて、Gl、G2.G3.G4で
示した波形は、夫々第1.第2.第3.第4の部分マー
クに対応する波形である。
47 and 47' are alignment mark detection photodetectors indicated by the same numbers in FIG. 1, and the signal waveform of the alignment mark shown in FIG. A signal waveform is outputted from the photodetector 47' in the form of an alignment partial mark shown at f8) in FIG. Note that in FIG. 5A (Bl), the waveforms indicated by Gl, G2, G3, and G4 correspond to the first, second, third, and fourth partial marks, respectively.

一方、第4図58 、58’は、第1図中、同一番号で
示した同期信号検出用の光検知器で、これらの出力は第
5図(F)(G)で示した波形になる。
On the other hand, 58 and 58' in Fig. 4 are photodetectors for detecting synchronization signals indicated by the same numbers in Fig. 1, and their outputs have the waveforms shown in Fig. 5 (F) and (G). .

左検出系の同期信号(F)及び右検出系の同期信号((
Wu、コントロール・タイミング発生回路101に入力
される。コントロール・タイミング発生回路は後述する
様にマイクロプロセッサ(不図示)の制御下に第4図の
検出回路全体をコントロールするものであり、コントロ
ール・タイミング発生回路101は制御線102を介し
てアナログ・スイッチ103をコントロールする。
The left detection system synchronization signal (F) and the right detection system synchronization signal ((
Wu is input to the control timing generation circuit 101. As described later, the control timing generation circuit controls the entire detection circuit shown in FIG. 4 under the control of a microprocessor (not shown), and the control timing generation circuit 101 connects the analog switch via a control line 102. Control 103.

制御線102は例えば、左同期信号(F)の信号であり
、アナログ・スイッチ103はこの信号により左検出系
及び右検出系の信号を選択し、第5図(C)で示す合成
波形を出力する。
The control line 102 is, for example, a left synchronization signal (F), and the analog switch 103 selects the left detection system and right detection system signals based on this signal, and outputs the composite waveform shown in FIG. 5(C). do.

この合成波形fC)は、ビデオアンプ104で増巾され
二値化回路105にて、適当なスライス・レベルにより
、第5図(D)で示すデジタル波形S71 、S75.
872・・・・・・に変換される。従って、前述したバ
ー間隔Wl、W2・・・は871とS75゜S75と8
72・・・の間隔である。
This synthesized waveform fC) is amplified by a video amplifier 104, and then processed by a binarization circuit 105 at an appropriate slice level to form digital waveforms S71, S75 .
It is converted to 872... Therefore, the above-mentioned bar intervals Wl, W2... are 871 and S75°S75 and 8
The interval is 72...

次に、デジタル波形(D)はエツジ検出回路106にて
、波形のエツジが検出され、第5図(E)で示す波形が
生成される。
Next, the edges of the digital waveform (D) are detected by the edge detection circuit 106, and the waveform shown in FIG. 5(E) is generated.

即ち、S71の立上りは571Rの立上9にS71の立
下シは571Fの立上シに変換される。従って、例えば
、バー間隔W1をめるためには、パルス間隔 (S75R+875F)/2− (871R+871F
)/2を計測すればよい。
That is, the rising edge of S71 is converted into the rising edge 9 of 571R, and the falling edge of S71 is converted into the rising edge of 571F. Therefore, for example, in order to increase the bar interval W1, the pulse interval (S75R+875F)/2- (871R+871F
)/2 should be measured.

エツジパルス(E)は(夫々本数カウンタ107゜10
8.109,110のクロックψパルスとして入力され
る。
Edge pulse (E) is (respectively number counter 107°10
8. Input as clock ψ pulses of 109 and 110.

一力、コントロール/タイミング発生回路101は同期
信号(F)(Glをもとに、第5図に示す部分マーク選
択信号(■η(I)U)(K)を発生する。
First, the control/timing generation circuit 101 generates a partial mark selection signal (.eta.(I)U) (K) shown in FIG. 5 based on the synchronization signal (F) (Gl).

これらの信号fH)fl) (J)(8))は、夫々、
第1.第2゜第3.第4部分マークを選択する信号であ
り、本数カウンタ107,108,109,110は、
信号(団(1) (J )(10によりコントロールさ
れる。
These signals fH) fl) (J) (8)) are, respectively,
1st. 2nd゜3rd. This is a signal for selecting the fourth partial mark, and the number counters 107, 108, 109, 110 are
Controlled by the signal (Group (1) (J) (10).

つ捷り、本数カウンタ107は第1の部分マーク、本数
カウンタ108は第2の、本数カウンタ109は第3の
、本数カウンタ110は第4のマーク群のパルス本数を
計数するものである。
The number counter 107 counts the number of pulses of the first partial mark group, the number counter 108 counts the number of pulses of the second mark group, the number counter 109 counts the number of pulses of the third mark group, and the number counter 110 counts the number of pulses of the fourth mark group.

パルス間隔5751(、,575F、571R,571
F・・・・・・を計測する方法は、これらのパルス間隔
に比べて十分短いサンプリングパルスを用いて計数する
Pulse interval 5751 (,,575F,571R,571
The method of measuring F is performed by using sampling pulses that are sufficiently shorter than these pulse intervals.

このサンプリング・パルスはコントロール・タイミング
発生回路101によって作られ、信号線111により、
間隔カウンタ112.113114.115のクロック
入力となる。この間隔カウンタ112.113、−11
4.115は夫々、前述した部分マーク選択信号(11
(1)U)fK)の区間のみ、その選択信号の立上シか
らサンプリング・パルスを計数する。
This sampling pulse is generated by the control timing generation circuit 101, and is generated by the signal line 111.
It serves as a clock input for interval counters 112.113114.115. This interval counter 112.113, -11
4.115 are the partial mark selection signals (11
(1) Sampling pulses are counted from the rising edge of the selection signal only in the interval U)fK).

一方、エツジパルス(E)はライト・タイミング回路1
16に入力される。ライト・タイミング回路116はエ
ツジパルス(E)をもとに、間隔メモリ117.118
.119.120のライト信号を発生する。
On the other hand, edge pulse (E) is write timing circuit 1
16. The write timing circuit 116 uses the interval memory 117 and 118 based on the edge pulse (E).
.. 119.120 write signals are generated.

ライト・タイミング回路101はコントロール・タイミ
ング発生回路101によって制御され、計測中はライト
信号を発生するが計測終了後はリード信号を発生する。
The write timing circuit 101 is controlled by the control timing generation circuit 101, and generates a write signal during measurement, but generates a read signal after the measurement is completed.

間隔メモ+J1i7゜118.119,120は、デー
タの入出力が七ノ(レートタイプの16ピツト×6のラ
ンダム・アクセスメモリであり、そのリード・ライトの
制御は前述したライト・タイミング回路116がら、チ
ップセレクト信号はコントロール・タイミング発生回路
101から、アドレス信号は、計測時は本数カウンタ1
07,108,109゜110の出力データにより、計
測終了後はマイクロ・コンピュータのアドレス・バス1
35により制御される。
Interval Memo+J1i7゜118, 119, 120 is a 16-pit x 6 random access memory with data input/output of the rate type, and its read/write control is performed by the write timing circuit 116 described above. The chip select signal is sent from the control/timing generation circuit 101, and the address signal is sent from the number counter 1 during measurement.
By the output data of 07, 108, 109° 110, after the measurement is completed, the address bus 1 of the microcomputer is
35.

従って、計測終了後各間隔メモリには表2で示すパルス
データが格納される 計測峠了後、マイクロプロセッサ(不図示)ハ、アドレ
ス・バス135がらバッファ130.131゜132.
133を介して間隔メモリ117゜118.119,1
20をアクセスし、そのデータはバッファ126,12
7,128,129、データ・バス134紅由でマイク
ロプロセッサに、取り込まれる。
Therefore, after the measurement is completed, the pulse data shown in Table 2 is stored in each interval memory.
Interval memory 117°118.119,1 via 133
20 and the data is stored in buffers 126 and 12.
7,128,129, and are taken into the microprocessor via data bus 134.

一方、本数カウンタ107,108,109゜110に
格納されている各部分マークのパルス本数も、バッファ
122.123,124,125を介して、マイクロプ
ロセッサに取シ込まれる。
On the other hand, the number of pulses of each partial mark stored in the number counters 107, 108, 109, 110 is also input to the microprocessor via buffers 122, 123, 124, 125.

このパルス本数が6本の場合、部分マークが検知された
(表1の○印)とし、他の本数の場合は部分マークが検
知されない(表1の×印)とする。
When the number of pulses is 6, it is assumed that a partial mark is detected (○ mark in Table 1), and when the number of pulses is other than 6, it is assumed that a partial mark is not detected (x mark in Table 1).

次に、第6図で本発明のオートアライメント方式の動作
を説明するフロー図を示す。
Next, FIG. 6 shows a flow diagram illustrating the operation of the auto-alignment method of the present invention.

自動アライメントが601にてスタートすると、まずス
テップ602で、レーザ・スキャンによる部分マークの
計測が行われる。
When automatic alignment starts at 601, first, at step 602, partial marks are measured by laser scanning.

この計測は、第4図、第5図で説明した様に、各マーク
群のパルス本数及びパルス間隔を計測するものである。
This measurement is to measure the number of pulses and the pulse interval of each mark group, as explained in FIGS. 4 and 5.

計測が終了すると、ステップ603にて、第4図107
〜110で示した本数カウンタの内容をアクセスし、す
べての本数カウンタの内容が6になっているか調べる。
When the measurement is completed, in step 603, the
The contents of the book number counters indicated by 110 are accessed, and it is checked whether the contents of all the book number counters are 6.

すべての本数カウンタの内容が6の場合には4つの部分
マークがすべて検出されたものとし、ステップ604に
て間隔メモリ117,118゜119.120の内容を
読み取シ、次にステップ605にて前述した式(11〜
式(5)でズレ量を計算する。この場合、X方向、Y方
向のズレ量は左右マークの平均値をとり とする。
When the contents of all the number counters are 6, it is assumed that all four partial marks have been detected, and the contents of the interval memories 117, 118, 119, and 120 are read in step 604, and then in step 605, the above-mentioned The formula (11~
The amount of deviation is calculated using equation (5). In this case, the amount of deviation in the X direction and the Y direction is taken as the average value of the left and right marks.

一方、ステップ603にて本数カウンタが6でない場合
即ち、検知できない部分マークがあった場合には、ステ
ップ610へ分岐し、表1に基づくテーブルを参照し、
検知できた部分マークの情報から、位置ズレを計算でき
る部分マークを選択する。次にステップ611にてこれ
らの部分マークに対応する間隔メモリを選択しそのデー
タを読み取9、前述した式(6) (71(8) (9
)を用い、ステップ612にて周知の手法でずれ量を計
算する。
On the other hand, if the number counter is not 6 in step 603, that is, if there is a partial mark that cannot be detected, the process branches to step 610, and the table based on Table 1 is referred to.
From the information on the detected partial marks, a partial mark whose positional shift can be calculated is selected. Next, in step 611, the interval memory corresponding to these partial marks is selected, its data is read 9, and the above-mentioned equation (6) (71 (8) (9
), and in step 612, the amount of deviation is calculated using a well-known method.

部分マークの検知如何にかかわらず、分岐604→60
5或は分岐610→612でめられたズレ量△X、△Y
はあらかじめ決められたずれ量の許容範囲(トレランス
)内にあるか否かステップ606にて判別する。
Branch 604 → 60 regardless of whether a partial mark is detected or not.
5 or the amount of deviation △X, △Y found at branch 610 → 612
It is determined in step 606 whether or not the amount of deviation is within a predetermined tolerance range for the amount of deviation.

もし許容範囲内にあれば、ステップ613へ分岐し、ア
ライメントは終了する。
If it is within the allowable range, the process branches to step 613 and the alignment ends.

許容範囲外の場合には位置合せを行うが、この時4つの
部分マークが検知された場合には、X方向、Y方向及び
θ方向の駆動を、4つの部分マークが検知されなかった
場合には、X方向、Y方向の駆動のみを行う。
If it is outside the allowable range, alignment is performed, but if four partial marks are detected at this time, driving in the X direction, Y direction, and θ direction is performed, and if four partial marks are not detected, the positioning is performed. performs driving only in the X and Y directions.

従って、ステップ607にて、θ駆動があるか否かの判
別を行い、ある場合には、ステップ608にてθ駆動を
、ない場合には、ステップ609へ分岐する。いずれの
場合でもステップ609においてX方向及びY方向のず
れ量を補正するため、マスクとウェハーを相対的に移動
させる。このX方向、Y方向及びθ方向の移動はマスク
ステージ及びウェハーステージのいずれで行っても構わ
ない。ステージ駆動終了後は、再びステップ602へ戻
り、マーク間隔計測を行い許容範囲に入るまで、ステッ
プ602→609のループをくシ返す。
Therefore, in step 607, it is determined whether or not there is θ drive. If there is, θ drive is performed in step 608, and if not, the process branches to step 609. In either case, in step 609, the mask and wafer are moved relative to each other in order to correct the amount of deviation in the X and Y directions. This movement in the X direction, Y direction, and θ direction may be performed by either the mask stage or the wafer stage. After the stage drive is completed, the process returns to step 602 again, the mark interval is measured, and the loop from steps 602 to 609 is repeated until the mark interval is within the allowable range.

尚、以上の実施例では検出したバ一本数をカウントする
と共にバー間隔を記憶していたが、バ一本数をカウント
するモードと、適正な部分マークについてバー間隔情報
を取り入れるモードとに分けても良い。またスポット光
でアライメントマークを走査し、そこからの散乱光を拾
う替りに、アライメントマーク像を結像させ、これをス
リットで走査あるいは撮像素子で走査しても良い。更に
マスクとウェハーを相対位置合わせする他に、回路検査
機器等でウェハーを機器本体に対して位置合わせる場合
にも適用できる。
In addition, in the above embodiment, the number of bars detected was counted and the bar spacing was memorized, but it is also possible to divide the mode into a mode in which the number of bars is counted and a mode in which bar spacing information is taken in for appropriate partial marks. good. Furthermore, instead of scanning the alignment mark with a spot light and picking up the scattered light therefrom, an alignment mark image may be formed and scanned with a slit or with an image sensor. Furthermore, in addition to relatively aligning a mask and a wafer, the present invention can also be applied to aligning a wafer with respect to a device body in circuit testing equipment or the like.

以上述べた様に本発明によれば、アライメントマークに
くずれや欠損があり、適正なマーク検出ができない場合
でも、他のアライメントマークあるいはその部分情報と
を選択的に組合わせて補正量を演算し、修正駆動するも
ので、従来、アライメントをあきられていた部所の自動
アライメントが実現される効果があり、あるいは完全な
検出情報を得るために模索的に検出操作を行い、その結
果アライメントをあきらめると云った無駄時間を除去で
きる効果がある。
As described above, according to the present invention, even if the alignment mark is distorted or missing and cannot be detected properly, the correction amount can be calculated by selectively combining other alignment marks or their partial information. , which is a correction drive, has the effect of realizing automatic alignment of parts where alignment has traditionally been delayed, or performs exploratory detection operations in order to obtain complete detection information, resulting in giving up on alignment. This has the effect of eliminating wasted time.

時にアライメントの成功率が飛躍的に向上するので、ス
テッパーに適用した場合、収得チッフ数ヲ著しく増加さ
せ、スループットを改善できるなど効果は非常に大であ
る。
At times, the success rate of alignment can be dramatically improved, so when applied to a stepper, the number of acquired chips can be significantly increased and throughput can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図(Nは本発明の実施例に係る正面図で、(B)は
構成部材の斜視図。第2図(5)はマスク面におけるマ
スクとウエノ・−のアライメントマークの平面図で、(
B)は・アライメントマークの拡大図、(C)はアライ
メントマークを光走査した時の出力信号図。第3図はシ
ョット配列例を示す平面図。 第4図は実施例に係る回路ブロック図。第5図(4)〜
(6)は信号波形図。第6図は実施例に係るアライメン
ト過程を示すフロー図。 図中、1はマスク、3は縮小投影レンズ、4はウェハー
、5はウェハー・ステージ、20・20’ @21・2
rはアライメントマーク、22はマスク・ステージ、4
7・47′は光検出器、58・58′は同期信号検出用
光検出器、71〜76・7f〜76′はアライメントマ
ークを構成するバー、71と’12.75は第1部分マ
ーク、73と74.76は第2部分マーク、72′と7
3′。 76′は第3部分マーク、71′と72’ 、 75’
は第4部分マーク、107〜110は本数カウンタ、1
12〜115は間隔カウンタ、116はライトタイミン
グ回路、117〜120は間隔メモリ、122〜133
はバッファである。
FIG. 1 (N is a front view of the embodiment of the present invention, (B) is a perspective view of the constituent members. FIG. 2 (5) is a plan view of the mask and Ueno alignment marks on the mask surface, (
B) is an enlarged view of the alignment mark, and (C) is an output signal diagram when the alignment mark is optically scanned. FIG. 3 is a plan view showing an example of shot arrangement. FIG. 4 is a circuit block diagram according to the embodiment. Figure 5 (4) ~
(6) is a signal waveform diagram. FIG. 6 is a flow diagram showing the alignment process according to the embodiment. In the figure, 1 is a mask, 3 is a reduction projection lens, 4 is a wafer, 5 is a wafer stage, 20.20' @21.2
r is alignment mark, 22 is mask stage, 4
7 and 47' are photodetectors, 58 and 58' are photodetectors for synchronizing signal detection, 71 to 76 and 7f to 76' are bars forming alignment marks, 71 and '12.75 are first partial marks, 73 and 74.76 are second part marks, 72' and 7
3′. 76' is the third part mark, 71', 72', 75'
is the fourth part mark, 107 to 110 are the number counters, 1
12-115 are interval counters, 116 are write timing circuits, 117-120 are interval memories, 122-133
is a buffer.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 +1) アライメント部分マークを有する複数のア−ラ
イメントマークを検出し、検出した検出信号に基づいて
物体の自動アライメントを行うアライメント装置に於い
て、前記検出信号のうち、適正な信号と不適正な信号と
を判別する手段と、適正と判別された信号に対応するア
ライメント部分マークの検出信号に基づいてアライメン
ト制御を行う手段とを設けたことを%徴とするアライメ
ント装置。 (2) 前〜記アライメント装置は、フォトマスクの像
をウェハー上にステップ的に焼付ける半導体露光装置で
ある特許請求の範囲第(1)項記載のアライメント装置
0 (3) 前記アライメントマークは2箇のアライメント
部分マークが複合されて成る特許請求の範囲第(1)項
記載のアライメント装置。 (4)被検出物体に設けられた、アライメント部分マー
クを有する複数のアライメントマークを検出する段階と
、前記アライメントマークの内、規定の検出が行われる
アライメント部分マークを特定する段階と、特定された
アライメント部分マークの検出信号に基づいて前記物体
の7ライメントを行う段階を特徴とするアライメント方
法。
[Claims] +1) In an alignment device that detects a plurality of alignment marks having alignment partial marks and automatically aligns an object based on the detected detection signals, an appropriate one of the detection signals is detected. An alignment device characterized by comprising means for discriminating between a signal and an inappropriate signal, and a means for performing alignment control based on a detection signal of an alignment partial mark corresponding to a signal determined to be proper. (2) The alignment apparatus according to claim 1, wherein the alignment apparatus is a semiconductor exposure apparatus that prints an image of a photomask on a wafer stepwise. (3) The alignment mark is 2. The alignment device according to claim 1, wherein the alignment partial marks are combined. (4) a step of detecting a plurality of alignment marks provided on the object to be detected, each having an alignment partial mark; and a step of identifying an alignment partial mark, among the alignment marks, on which prescribed detection is to be performed; An alignment method characterized by performing seven alignments of the object based on detection signals of alignment partial marks.
JP58151024A 1983-08-01 1983-08-18 Device and method for alignment Granted JPS6042763A (en)

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