JPS6042665B2 - Video signal processing circuit - Google Patents

Video signal processing circuit

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JPS6042665B2
JPS6042665B2 JP52112458A JP11245877A JPS6042665B2 JP S6042665 B2 JPS6042665 B2 JP S6042665B2 JP 52112458 A JP52112458 A JP 52112458A JP 11245877 A JP11245877 A JP 11245877A JP S6042665 B2 JPS6042665 B2 JP S6042665B2
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transistor
resistor
collector
emitter
circuit
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忠義 三好
新太郎 中垣
稜雄 高梨
幸一郎 本山
澄夫 横川
健一 宮崎
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Victor Company of Japan Ltd
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Victor Company of Japan Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 カラーテレビジョンカメラ(以下、テレビジョンをTV
と略記する)においては、撮像管の出力信号を前置増幅
器において直線的に増幅した後にプロセス増幅器に供給
し、プロセス増幅器において、水平、垂直の帰線期間に
混入している雑音や偏向の過渡歪を除くためにブランキ
ング信号を混入したり、リニアクリツパによるクリップ
作用によつてセットアップレベルを確立したり、白りミ
ッタによつて映像信号の振幅制限を行つたり、ガンマ補
正回路によつて受像管のガンマ特性の補正が行なわれる
ようになされている。
[Detailed description of the invention] Color television camera (hereinafter referred to as television)
(abbreviated as ), the output signal of the image pickup tube is linearly amplified in a preamplifier and then supplied to a process amplifier. A blanking signal is mixed in to remove distortion, a setup level is established by the clipping effect of a linear clipper, the amplitude of the video signal is limited by a white emitter, and a gamma correction circuit is used to control the image reception. The gamma characteristics of the tube are corrected.

上記したプロセス増幅器における各種の信号処理が安定
に行なわれない場合には、カラーT■カメラの動作が不
安定なものとなるから、ブランキング信号の混入回路、
リニア・クリツパ、白りミッタ、及びガンマ補正回路な
どは、それぞれ個々のもの毎に充分に高性能でしかも温
度安定度の高いものとして構成されるのが普通であり、
そのために、多くの部品点数の必要な複雑な回路構成の
ものとなり、勢い消費電力も多い大型な装置とな.らざ
るを得なかつた。
If the various signal processing in the process amplifier described above is not performed stably, the operation of the color T camera will become unstable.
Linear clippers, white emitters, gamma correction circuits, etc. are each individually configured with sufficiently high performance and high temperature stability.
This results in a large device with a complex circuit configuration that requires a large number of parts, and a large amount of power consumption. I had no choice but to do so.

一方、小型化、軽量化が特に要望される簡易型のカラー
T■カメラにおいては、高性能で、しかも温度安定度が
高く、消費電力の少ない信号処理回路を用いることが必
要とされるが、従来のよう.に個々の信号処理のための
回路毎に温度補償を施こすような回路を用いたのでは、
到底、小型軽量化されたカラーTVカメラは構成できず
、さらに、個々の回路毎に複雑な温度補償回路が設けら
れて構成されている信号処理回路は、大量生産に・は適
しないために、構成が簡単で大量生産にも適し、信号処
理が良好に行なわれ、しかも高い安定度を有すると共に
、低い消費電力の映像信号処理回路を完成することが必
要とされた。
On the other hand, in the case of simple color T-cameras, which are particularly desired to be smaller and lighter, it is necessary to use signal processing circuits with high performance, high temperature stability, and low power consumption. Like before. If we use a circuit that performs temperature compensation for each individual signal processing circuit,
It was impossible to construct a color TV camera that was compact and lightweight, and furthermore, the signal processing circuit, which was constructed with a complicated temperature compensation circuit for each circuit, was not suitable for mass production. There was a need to complete a video signal processing circuit that has a simple configuration, is suitable for mass production, performs signal processing well, has high stability, and consumes low power.

本発明は、小型のカラーTVカメラにも良好に適合する
、小型で高性能な、しかも安定度が高く、消費電力も少
ない、大量生産にも適する映像信号処理回路を提供する
ことを目的としてなされたものであり、以下、その内容
を添付図面を参照して詳細に説明する。
The present invention has been made for the purpose of providing a small, high-performance video signal processing circuit that is well suited to small color TV cameras, has high stability, consumes little power, and is suitable for mass production. The contents thereof will be explained in detail below with reference to the accompanying drawings.

第1図は本発明の映像信号処理回路の一実施態様のもの
の回路図であり、第1図中の破線で囲んだ枠A1内の回
路が、映像信号に対してブランキ1ング信号の挿入とリ
ニアクリップ動作を行なう映像信号処理回路である。
FIG. 1 is a circuit diagram of one embodiment of the video signal processing circuit of the present invention, and the circuit in the frame A1 surrounded by the broken line in FIG. This is a video signal processing circuit that performs a linear clip operation.

映像信号処理回路A1は、ベースに直流分を含む映像信
号が加えられるトランジスタQ1と、このトランジスタ
Q1のコレクタにエミッタが接続されており、また、ベ
ースにリニア◆クリツパ用のバイアス電圧V。
The video signal processing circuit A1 has a transistor Q1 to which a video signal including a DC component is applied to the base, an emitter connected to the collector of this transistor Q1, and a bias voltage V for a linear clipper to the base.

が与られているトランジスタQ2と、ブランキング信号
を与えるためのダイオードD1と、トランジスタQ1の
コレクタと電淵■Ccとの間に接続された抵抗R2と、
トランジスタQ1のエミッタと接地との間に接続された
抵抗R1と、トランジスタQ2のコレクタと電源Vcc
との間に接続された抵拍只。などによつて構成されてい
る。第1図において、ブロックBは映像信号に直流分の
再挿入を行なうパルスクランプ回路であつて、映像信号
処理回路A1のトランジスタQ1のベースには、前記し
たパルスクランプ回路Bによつて直流分が再挿入された
映像信号が与えられている。
, a diode D1 for providing a blanking signal, a resistor R2 connected between the collector of the transistor Q1 and the electric current Cc,
A resistor R1 is connected between the emitter of the transistor Q1 and ground, the collector of the transistor Q2 and the power supply Vcc.
The resistor connected between. It is composed of etc. In FIG. 1, block B is a pulse clamp circuit that reinserts a DC component into the video signal, and the DC component is inserted into the base of the transistor Q1 of the video signal processing circuit A1 by the aforementioned pulse clamp circuit A reinserted video signal is provided.

トランジスタQ1のコレクタとトランジスタQ2のエミ
ッタとの接続線には、ダイオードD1を介してブランキ
ング信号が与えられる。
A blanking signal is applied to a connection line between the collector of the transistor Q1 and the emitter of the transistor Q2 via a diode D1.

トランジスタQ1は、そのベースに供給された入力映像
信号を定電流動作で増幅して、そのコレクタ側には入力
映像信号を略々R2lRl倍した信号レベルの出力信号
が現われる。
The transistor Q1 amplifies the input video signal supplied to its base by constant current operation, and an output signal having a signal level approximately R2lRl times the input video signal appears on its collector side.

第2図中の点線図示の波形Scは、トランジスタQ1の
ベースへの入力映像信号が三角波であるとし、かつ、ト
ランジスタQ1のコレクタにトランジスタQ2のエミッ
タが接続されていない状態の時にトランジスタQ1のコ
レクタに現われる出力信号楔の波形例を示すものである
The waveform Sc shown by the dotted line in FIG. 2 is the waveform Sc shown by the collector of the transistor Q1 when the input video signal to the base of the transistor Q1 is a triangular wave and the emitter of the transistor Q2 is not connected to the collector of the transistor Q1. 3 shows an example of the waveform of the output signal wedge appearing in the figure.

トランジスタQ1のコレクタにエミッタが接続されてい
るトランジスタQ2のベースに、リニア●クリツパ用の
バイアス電圧VClVc=レ+■BE(ただし、■BE
はトランジスタQ2のベース・エミッタ間電圧)が与え
られていた場合に、トランジスタQ2が導通状態となさ
れている状態におけるトランジスタQ2のエミッタの電
位はL1に固定され、この時トランジスタQ1のコレク
タの電位もレに固定される。
A bias voltage VClVc for linear clipper is applied to the base of transistor Q2 whose emitter is connected to the collector of transistor Q1.
is the base-emitter voltage of transistor Q2), the potential of the emitter of transistor Q2 is fixed to L1 when transistor Q2 is in a conductive state, and at this time, the potential of the collector of transistor Q1 is also It is fixed in the position.

すなわち、トランジスタQ2が導通状態となされている
状態においては、トランジスタQ2のエミッタは定電圧
動作領域での動作を行なうから、この時にトランジスタ
Q1のコレクタに現われていた定電流交流成分は、すべ
て、トランジスタQ2のコレクタ負荷抵抗R3に流れ、
この時のトランジスタQ2からの出力信号の信号レベル
は、入力信号のR3lRl倍となる。
That is, when the transistor Q2 is in a conductive state, the emitter of the transistor Q2 operates in the constant voltage operation region, so all of the constant current AC component appearing at the collector of the transistor Q1 at this time is transferred to the transistor Q2. Flows into the collector load resistance R3 of Q2,
The signal level of the output signal from transistor Q2 at this time is R3lRl times the input signal.

第2図中のSaで示す信号波形が、トランジスタQ2が
導通状態となされている時のトランジスタQ2の出力信
号波形であり、この波形Saを見れば判るように、トラ
ンジスタQ1のコレクタに現われた信号Scは、トラン
ジスタQ2が導通状態となされている時に、信号Saと
してトランジスタQ2のコレクタから出力されるのであ
り、このトランジスタQ2のコレクタから出力された信
号Saは、トランジスタQ2のエミッタの電位Lにおい
て良好にリニア・クリップされた状態のものとされてい
る。上記のように、トランジスタQ2が導通状態となさ
れている状態においては、トランジスタQ2のエミッタ
が定電圧動作領域での動作態様となされるから、トラン
ジスタQ2のベース電圧源としては定電圧駆動回路を用
いる必要がなく、簡単な.抵抗回路網による分圧回路に
よつてベースバイアス電圧を与えるようにしても充分で
ある。
The signal waveform indicated by Sa in FIG. 2 is the output signal waveform of transistor Q2 when transistor Q2 is in a conductive state, and as can be seen from this waveform Sa, the signal appearing at the collector of transistor Q1 Sc is output as a signal Sa from the collector of the transistor Q2 when the transistor Q2 is in a conductive state, and the signal Sa output from the collector of the transistor Q2 is good at the potential L of the emitter of the transistor Q2. It is said to be linearly clipped to the As mentioned above, when the transistor Q2 is in a conductive state, the emitter of the transistor Q2 operates in the constant voltage operation region, so a constant voltage drive circuit is used as the base voltage source of the transistor Q2. No need and easy. It is also sufficient to provide the base bias voltage by means of a voltage divider circuit consisting of a resistor network.

次に、上記した第1図示の映像信号処理回路におけるリ
ニア●クリップ動作が、トランジスタQ2のベース・エ
ミッタ間電圧VBEの温度特性に.よつて、どのように
影響されるものかについて考えてみる。
Next, the linear clipping operation in the video signal processing circuit shown in the first diagram described above depends on the temperature characteristics of the base-emitter voltage VBE of the transistor Q2. So, let's think about how things are affected.

今、トランジスタQ2のベース●エミッタ間電圧VBE
が温度の変化に応じて変化して、トランジスタQ2の導
通時におけるエミッタ電位が、第一2図中のL1からL
2へと変化したとすると、トランジスタQ2は、トラン
ジスタQ1のコレクタに現われた信号Scの電圧がL2
に達した時から導通し始めるようになるから、この時の
トランジスタQ2のコレクタ側に現われる出力信号波形
は、第2図中の波形Sbに示されるようなものとなる。
Now, the base-emitter voltage VBE of transistor Q2
changes in accordance with temperature changes, and the emitter potential when transistor Q2 is conductive changes from L1 to L in Figure 12.
2, the voltage of the signal Sc appearing at the collector of the transistor Q1 becomes L2.
Since conduction begins when the transistor Q2 reaches , the output signal waveform appearing on the collector side of the transistor Q2 at this time becomes as shown by the waveform Sb in FIG.

すなわち、第1図示の回路において、トランジスタQ2
がオフの状態(トランジスタQ2が常時オフとなるよう
にトランジスタQ2にベースバイアスを与えた状態)に
おけるトランジスタQ1のコレクタ波形は第2図中の点
線図示の波形Scとなる。この状態において、トランジ
スタQ2のエミッタ電位がL1となるようにトランジス
タQ2のベースバイアスを設定(トランジスタQ2のエ
ミッタ電位十トランジスタQ2工ベース・エミッタ間電
圧)すると、トランジスタQ2のエミッタは定電圧のた
めに、トランジスタQ1のコレクタの電位は、前記の一
定なトランジスタQ2のエミッタの電位レと同じになる
That is, in the circuit shown in the first diagram, the transistor Q2
The collector waveform of the transistor Q1 in the off state (a state in which a base bias is applied to the transistor Q2 so that the transistor Q2 is always off) is a waveform Sc shown by a dotted line in FIG. In this state, if the base bias of transistor Q2 is set so that the emitter potential of transistor Q2 becomes L1 (the emitter potential of transistor Q2 + the voltage between the base and emitter of transistor Q2), the emitter of transistor Q2 will be at a constant voltage. , the collector potential of transistor Q1 becomes the same as the constant emitter potential of transistor Q2.

一方、トランジスタQ1のコレクタ電流の変化分、すな
わち、信号電流はオン状態のトランジスタQ2のコレク
タ電流として出力されるが、それは第2図中の信号Sa
に示されている。
On the other hand, the change in the collector current of the transistor Q1, that is, the signal current, is output as the collector current of the transistor Q2 in the on state.
is shown.

次に、トランジスタQ2のエミッタ電位が第2図中のし
に変化した場合を考えると、このときのトランジスタQ
1のコレクタ電流の変化分、すなわち、信号電流として
出力されるトランジスタQ2のコレクタ電流の波形Sc
は、第2図中のL2より上の部分は点線図示の状態のま
までそれ以下の部分はしのレベルー定になる。
Next, considering the case where the emitter potential of transistor Q2 changes as shown in FIG.
1, that is, the waveform Sc of the collector current of the transistor Q2 output as a signal current.
The part above L2 in FIG. 2 remains in the state shown by the dotted line, and the part below it becomes fixed at the level.

そして、第2図中のL2より下の部分でトランジスタQ
2はオンの状態になるから、トランジスタQ2のコレク
タ電流が抵抗R2に流れて、第2図中の信号Sbで示さ
れるような波形の信号が出力される。
Then, in the part below L2 in FIG.
2 is turned on, the collector current of the transistor Q2 flows through the resistor R2, and a signal having a waveform as shown by the signal Sb in FIG. 2 is output.

ここで、注目すべきことは、前記した信号SaのP−P
値よりも大きな電位の変動(L1と!との差よりも信号
Sa(7)P−P値の方が小)をトランジスタQ2のエ
ミッタに与えたのにも拘わらずに、トランジスタQ2の
エミツク電位が!に変化したときにも信号Sbが得られ
るということである。
What should be noted here is that the P-P of the signal Sa mentioned above
Even though a change in potential larger than the value (signal Sa(7) P-P value is smaller than the difference between L1 and !) was applied to the emitter of transistor Q2, the emitter potential of transistor Q2 but! This means that the signal Sb can be obtained even when the value changes to .

すなわち、本発明の映像信号処理回路においては、トラ
ンジスタQ2のエミッタ電位の変化がトランジスタQ2
の出力信号に軽減された状態で現われるということであ
り、既述して従来の回路ではトランジスタのエミッタ電
位の変化がトランジスタの出力信号中の1対1の状態で
現われるのとは全く異つているのであり、本発明の映像
信号処理回路においては第2図より明らかなように、ト
ランジスタQ2のエミッタ電位!が信号Saの最低電位
よりも下がつても出力が得られるのである。
That is, in the video signal processing circuit of the present invention, a change in the emitter potential of transistor Q2
This means that the change in the emitter potential of the transistor appears in a reduced state in the output signal of the transistor, which is completely different from the conventional circuit described above, in which a change in the emitter potential of the transistor appears in a one-to-one state in the output signal of the transistor. In the video signal processing circuit of the present invention, as is clear from FIG. 2, the emitter potential of transistor Q2 is ! Even if the voltage drops below the lowest potential of the signal Sa, an output can be obtained.

トランジスタQ2のエミッタ電位がレからしへと変化し
たときに、そのクリップレベルが前記の変化分と1対1
に対応してレから!に変化するのは第2図中の信号Sc
で示されているトランジスタQ1のコレクタ波形なので
あり、トランジスタQ2のエミッタ電位がレからL2へ
と変化しても必要とされる出力信号は第2図中の信号S
aから信号SY)にと変化するだけであり、その変化は
従来例の回路における前記の変化分よりも軽減されたも
のになつているのである。第11図は、トランジスタQ
2のエミッタの電位がL1からL2へ変化したときにト
ランジスタQ2のコレクタ側で最終的に得られる信号S
a″,Sb″と、既述した第2図に示されている信号S
a,Sbとを対比させて図示説明するための波形図であ
り、第11図中に示されている信号Sa,Sb,Scは
第2図に示されている信号Sa,Sb,Scと同じもの
てある。
When the emitter potential of transistor Q2 changes from low to low, the clip level is 1:1 with the above change.
From les in response to! The signal Sc in Fig. 2 changes to
Even if the emitter potential of transistor Q2 changes from L to L2, the required output signal is the signal S shown in FIG.
The signal only changes from signal a to signal SY), and the change is smaller than the above-mentioned change in the conventional circuit. Figure 11 shows the transistor Q
The signal S that is finally obtained on the collector side of transistor Q2 when the emitter potential of Q2 changes from L1 to L2.
a″, Sb″, and the signal S shown in FIG.
This is a waveform diagram for comparing and explaining the signals Sa, Sb, and Sc in FIG. 11, and the signals Sa, Sb, and Sc shown in FIG. There are things.

第11図中に示されているトランジスタQ2のコレクタ
側で得られる信号Sa″,Sb″と、信号Sa,Sbと
の対応関係からも明らかなように、トランジスタQ2の
エミッタの電位がL1の場合でも、あるいはL2の場合
でも、そのエミッタの電位Ll,L2と対応してトラン
ジスタQ2のコレクタ側に現われる電位は電源電圧■C
cとなつている。
As is clear from the correspondence between the signals Sa'' and Sb'' obtained on the collector side of the transistor Q2 and the signals Sa and Sb shown in FIG. 11, when the potential of the emitter of the transistor Q2 is L1, However, even in the case of L2, the potential appearing on the collector side of transistor Q2 corresponding to the emitter potentials Ll and L2 is the power supply voltage ■C
c.

第11図に示されている信号波形図からも容易に理解で
きるように、本発明の映像信号処理回路では、トランジ
スタQ2のエミッタの電位が大巾に変化しても、トラン
ジスタQ2のコレクタ側で最終的に得られる信号にはそ
れの影響が極めて小さくしか現れないのである。
As can be easily understood from the signal waveform diagram shown in FIG. 11, in the video signal processing circuit of the present invention, even if the potential of the emitter of transistor Q2 changes widely, the The effect of this on the final signal is extremely small.

本発明の映像信号処理回路におけるリニア●クリップ動
作は、トランジスタQ2のベースバイアス電圧が変動し
ても、信号に対するクリップレベルの変動の小さいもの
であり、この点において、第3図に示されているような
従来の映像信号処理回路におけるリニア・クリッパの動
作、すなわち、第3図におけるリニア◆クリップ用ダイ
オードDbのアノード・カソード間電圧が温度変化に応
じて変化した時における動作とは全く異なるのである。
この点を含めて第3図示の従来例回路について説明する
と、第3図示の回路においては、ダイオードDbのアノ
ード・カソード間電圧が温度変化に伴つて変化すると、
クリップレベルがそのまま変動してしまうため、従来例
回路においては、ダイオードDbの温度特性補償用のダ
イオードDaを別に設けることが必要とされているので
あり、ま”た、ダイオードDbがリニア・クリップ動作
を行なうためには、ダイオードDbに対してて低い出力
インピーダンスを有する電圧源からバイアス電圧を供給
することが必要とされるために、第3図示の例のように
、トランジスタTrl,Tr2による定電圧回路を設け
たりしなければならないのであり、さらに、第3図示の
回路中のリニア・クνツパの小信号部分の再現性は専ら
ダイオードDbの特性に依存しているために、良好な小
信号再現性を得ることは困難なのである。
In the linear clipping operation in the video signal processing circuit of the present invention, even if the base bias voltage of the transistor Q2 changes, the clipping level with respect to the signal varies little, and in this respect, it is shown in FIG. The operation of a linear clipper in a conventional video signal processing circuit is completely different from the operation when the anode-cathode voltage of the linear clipping diode Db in Fig. 3 changes in response to temperature changes. .
To explain the conventional example circuit shown in the third figure including this point, in the circuit shown in the third figure, when the voltage between the anode and cathode of the diode Db changes with temperature change,
Since the clip level changes as it is, in the conventional circuit, it is necessary to separately provide a diode Da for compensating the temperature characteristics of the diode Db. In order to perform this, it is necessary to supply a bias voltage to the diode Db from a voltage source having a low output impedance. Furthermore, since the reproducibility of the small signal portion of the linear coupler in the circuit shown in FIG. It is difficult to obtain signal reproducibility.

(周知のように、“映像信号のリニアクリップ回路は一
般に黒レベルの設定に用いられるが、クリップ動作を行
なう素子には非直線素子が用いられるために、クリップ
レベル近傍が非直線になつて、黒レベル近傍の信号の再
現性が不良となる。このことは、通常、1小信号時の階
調再現性.J.r小信号の再現性ョ、1暗部ガンマ特性
ョなどと称されているが、本願の明細書中における1小
信号の再現性ョとは上記のような通常の意味合いで使用
されている用語である)。これに対し、本発明の映像信
号処理回路におけるリニア・クリップ動作においては、
既述したようにトランジスタQ2のベースバイアス電圧
の変化がそのままの大きさでクリップレベルの変動とは
ならないことは勿論、極めて優れた小信号再現性を示す
のである。
(As is well known, "linear clipping circuits for video signals are generally used to set the black level, but since a non-linear element is used as the element that performs the clipping operation, the area near the clip level becomes non-linear. The reproducibility of signals near the black level becomes poor.This is usually referred to as gradation reproducibility at 1 small signal, J.r. small signal reproducibility, 1 dark gamma characteristic, etc. However, in the specification of the present application, the reproducibility of one small signal is a term used in the usual meaning as described above.In contrast, the linear clipping operation in the video signal processing circuit of the present invention In,
As mentioned above, the change in the base bias voltage of the transistor Q2 does not result in a change in the clip level as it is, and it also shows extremely excellent small signal reproducibility.

すなわち、第1図示の本発明の回路において、トランジ
スタQ2のエミッタに小信号が与えられた場合には、ト
ランジスタQ2の導通インピーダンスが増大し、それに
よりトランジスタQ2のエミッタにトランジスタQ1の
コレクタ側より与えられている交流信号が大振幅の状態
のものとなり、トランジスタQ2は直ちに導通状態へと
移行するから、本発明回路では小信号部分の再現性に優
れているのである。
That is, in the circuit of the present invention shown in Figure 1, when a small signal is applied to the emitter of transistor Q2, the conduction impedance of transistor Q2 increases, and as a result, a small signal is applied to the emitter of transistor Q2 from the collector side of transistor Q1. Since the AC signal being received has a large amplitude and the transistor Q2 immediately becomes conductive, the circuit of the present invention has excellent reproducibility of small signal portions.

第1図示の回路による小信号部分の再現性の改善度は、
R3lRlとR2lRlとの比で決定されるため、改善
度は、改善度=(R2/R1)/(R3/R1)=R2
/R3の式からも判るように、抵抗R2と抵抗R3との
比R2/R3が、小信号部分の再現性の改善度、及び、
既述したクリップバイアス電圧安定度の改善度を示すこ
とになる。
The degree of improvement in the reproducibility of the small signal part by the circuit shown in Figure 1 is as follows:
Since it is determined by the ratio of R3lRl and R2lRl, the degree of improvement is as follows: degree of improvement = (R2/R1)/(R3/R1) = R2
As can be seen from the formula /R3, the ratio R2/R3 of the resistor R2 and the resistor R3 determines the degree of improvement in the reproducibility of the small signal portion, and
This shows the degree of improvement in the clip bias voltage stability described above.

上記した改善度の1例を挙げると、第1図中のトランジ
スタQ1のベースバイアス電圧が1ボルトの時に、抵拍
只,,R2.R3がそれぞれ、R1=560Ω、R2=
6.8kΩ、R3=560Ωとして、改善度は約22C
IBとなる。
To give an example of the degree of improvement described above, when the base bias voltage of transistor Q1 in FIG. R3 is R1=560Ω, R2=
Assuming 6.8kΩ and R3=560Ω, the improvement is about 22C
Becomes IB.

上記した本発明の映像信号処理回路は、第3図示のよう
な従来例回路と比較しても判かるように、少ない部品点
数による簡単な回路構成のものであるのに拘わらず、良
好な信号処理機能と良好な動作の安定度とを有している
のである。
As can be seen from the comparison with the conventional circuit shown in FIG. 3, the video signal processing circuit of the present invention described above has a simple circuit configuration with a small number of parts, but it can produce good signal. It has processing capabilities and good stability of operation.

第4図は、既述した第1図示の本発明の映像信号処理回
路に、白りミッタ回路を付加した本発明の映像信号処理
回路の一実施例回路であり、この第4図において、D2
はトランジスタQ1のコレクタとバイアス電源■ッとの
間に接続した白りミッタ用のダイオード、また、R4は
トランジスタQ1のコレクタとトランジスタQ2のエミ
ッタとの間に接続された抵抗である。
FIG. 4 shows an embodiment of the video signal processing circuit of the present invention in which a white limiter circuit is added to the video signal processing circuit of the present invention shown in FIG.
is a white emitter diode connected between the collector of the transistor Q1 and the bias power source 1, and R4 is a resistor connected between the collector of the transistor Q1 and the emitter of the transistor Q2.

第1図示の回路に白りミッタ用のダイオードD2を接続
するのに、ダイオードD2をトランジスタQ2のコレク
タ側に接続することが考えられるのであるが、既述した
ように、第1図示の回路における改善度はR2lR3で
示されるために、良好な.改善度を得るのには抵抗R3
を低い抵抗値のものとすることが必要とされる。
In order to connect the diode D2 for the white emitter to the circuit shown in the first diagram, it is conceivable to connect the diode D2 to the collector side of the transistor Q2, but as already mentioned, in the circuit shown in the first diagram, Since the degree of improvement is indicated by R2lR3, it is good. Resistance R3 to get improvement
is required to have a low resistance value.

そして、抵抗R3が低い抵抗値のものとなされた場合に
は、トランジスタQ2のコレクタ回路に白りミッタ用の
ダイオードD2を接続しても、ダイオードD2に良好な
白.りミッタ動作を行なわせることはできないことは事
業者ならば直ちに理解されるところであろう。そこで、
本発明においては、トランジスタQ1のコレクタとトラ
ンジスタQ2のエミッタとの間に抵抗R4を接続し、ト
ランジスタQ1のコレクタ・に対して白りミッタ用のダ
イオードD2を接続して白リミツタチ動作が良好に行な
われるようにした。第4図示の映像信号処理回路におい
て、トランジスタQ2が導通状態となされている場合に
は、トランジスタQ2のエミッタの電位がクリップバイ
アス電圧に固定されており、また、トランジスタQ1の
コレクタ電圧は白りミッタ用ダイオードD2によつてバ
イアス電圧■ッに固定されうるから、第4図示の回路は
トランジスタQ1のコレクタに現われる信号が白りミッ
タ用ダイオードD2を導通させうる電圧に達した場合に
はトランジスタQ1のコレクタに現われた交流信号電流
のすベノてが白りミッタ用ダイオードD2に流れて、良
好に白りミッタ動作を行なうことができるのである。
If the resistor R3 has a low resistance value, even if the diode D2 for a white emitter is connected to the collector circuit of the transistor Q2, the diode D2 will have a good white emitter. A business operator would immediately understand that it is not possible to perform limiter operation. Therefore,
In the present invention, a resistor R4 is connected between the collector of the transistor Q1 and the emitter of the transistor Q2, and a diode D2 for a white limiter is connected to the collector of the transistor Q1 to perform a good white limit operation. I made it possible to do so. In the video signal processing circuit shown in FIG. 4, when the transistor Q2 is in a conductive state, the emitter potential of the transistor Q2 is fixed to the clip bias voltage, and the collector voltage of the transistor Q1 is fixed to the white limiter voltage. Since the bias voltage can be fixed by the transmitter diode D2, the circuit shown in FIG. All of the alternating current signal current appearing at the collector flows to the white emitter diode D2, allowing a good white emitter operation to be performed.

第5図は、上記した第4図示の本発明の映像信号処理回
路におけるトランジスタQ2のコレクタ・回路に、ガン
マ補正回路を付加して構成した本発明の映像信号処理回
路である。
FIG. 5 shows a video signal processing circuit of the present invention in which a gamma correction circuit is added to the collector circuit of the transistor Q2 in the video signal processing circuit of the present invention shown in FIG.

この第5図において、トランジスタQ2のコレクタと接
地間には高い抵抗値の抵抗R8が接続されており、また
、トランジスタQ2のコレクタと電源Vccとの間には
、”ダイオードD,と抵抗R5との直列接続回路と、抵
抗R6とダイオードD4との直列接続回路とが接続され
ており、さらに、前記した抵抗R5とダイオードD3と
の接続点と、抵抗R6とダイオードD4との接続点との
間には抵抗R7が接続されており、前記した抵抗R7の
任意の点より出力信号が取り出せるように構成されてい
る。第6図乃至第9図は、従来のガンマ補償回路の問題
点を説明するための回路図や特性曲線図であつて、まず
、第6図はダイオードと抵抗とのブリッジ回路よりなる
ガンマ補償回路の基本回路ぜある。
In FIG. 5, a high resistance resistor R8 is connected between the collector of the transistor Q2 and the ground, and a diode D and a resistor R5 are connected between the collector of the transistor Q2 and the power supply Vcc. and a series connection circuit of resistor R6 and diode D4 are connected, and further between the connection point of resistor R5 and diode D3 and the connection point of resistor R6 and diode D4. A resistor R7 is connected to the resistor R7, and the configuration is such that an output signal can be taken out from any point of the resistor R7.Figures 6 to 9 explain the problems of the conventional gamma compensation circuit. First, FIG. 6 shows the basic circuit of a gamma compensation circuit consisting of a bridge circuit of a diode and a resistor.

3管式のカラーT■カメラにように、赤、青、緑の3つ
の系統のそれぞれにガンマ値が比較的に揃つているよう
な場合には、ガンマ補償回路において3つの系統に対し
てそれぞれ施こすべきガンマ補償の量が一定であるため
に、回路のガンマ値や信号レベルが変動してもそれが白
バランス変動を招来することはない。
If the gamma values for each of the three systems (red, blue, and green) are relatively uniform, such as in a three-tube color T camera, the gamma compensation circuit will adjust the gamma values for each of the three systems. Since the amount of gamma compensation to be applied is constant, even if the gamma value or signal level of the circuit changes, this will not cause white balance fluctuations.

ところが、三硫化アンチモン系のビジコンを使用したカ
ラーTVカメラや、色多重化された信号を出力信号とし
て得るようになされた単管式のカラーTVカメラなどに
おいては、それから得られる赤、青、緑の3信号のガン
マ値が異なるために、回路系におけるガンマ値の設定値
がまちまちとなり、したがつて、この場合にはガンマ補
正回路の安定度を向上させておかないとガンマ値の変動
によつて白バランスが崩れてしまうことになる。
However, in color TV cameras that use antimony trisulfide-based vidicon and single-tube color TV cameras that obtain color multiplexed signals as output signals, the red, blue, and green signals obtained from them are Since the gamma values of the three signals are different, the gamma value settings in the circuit system will be different. Therefore, in this case, unless the stability of the gamma correction circuit is improved, the gamma value fluctuations will occur. This will cause the white balance to collapse.

この点を第6図示の従来例回路について説明すると、抵
抗R5,R6、ダイオードD3,D4からなるブリッジ
回路は、信号電流1なる定電流回路として動作するトラ
ンジスタTr5のコレクタに接続されており、抵抗R5
とダイオードD3との回路と、抵抗R6とダイオードD
4との回路とには、それぞれ常に11わ゛つの一定電流
が流れる。
To explain this point with respect to the conventional example circuit shown in FIG. R5
and diode D3, resistor R6 and diode D
11 constant currents always flow in each of the circuits 4 and 4.

出力電流はブリッジ回路に影響を及ぼさないようにそれ
ぞれトランジスタTr3,Tr4からなるエミツタホロ
ア段を介して取出されるようになされ、トランジスタT
r3とTr4との各エミッタ間に接続した可変抵抗VR
によつて任意のガンマ値が得られるようになされている
The output current is taken out through an emitter follower stage consisting of transistors Tr3 and Tr4, respectively, so as not to affect the bridge circuit.
Variable resistor VR connected between each emitter of r3 and Tr4
An arbitrary gamma value can be obtained by

上記した第6図示の従来回路において、トランジスタT
r4には常にガンマが1で信号レベルの変動しない信号
が得られるが、トランジスタTr3には、第7図に示す
ようなダイオードの電圧■対電流1特性の温度変化に伴
つて出力が変動する信号が現われる。
In the conventional circuit shown in FIG. 6 described above, the transistor T
A signal whose gamma is 1 and whose signal level does not fluctuate is always obtained from r4, but a signal whose output fluctuates as the temperature of the diode voltage vs. current 1 characteristic changes as shown in Figure 7 is obtained from transistor Tr3. appears.

第7図において、■1は温度T1における出力電圧、V
2は温度T2における出力電圧であつて、このように、
温度に応じて出力電圧が変動することにより、ガンマ値
の設定値が変化して白バランスが温度の変化によつて変
動することになる。第8図は、上記した第6図示の従来
例回路における欠点を軽減させるために従来提案された
ガンマ補償回路の一例のものであり、この第8図示のガ
ンマ補償回路ては、抵抗R6と接地との間に抵抗R8を
接続して、ダイオードブリッジ回路にバイアス電流を流
すようにすることにより、ガンマ補償回路の特性の変化
による白バランスの変動が軽減されるようにしたもので
ある。
In Fig. 7, ■1 is the output voltage at temperature T1, V
2 is the output voltage at temperature T2, and thus,
As the output voltage changes depending on the temperature, the set value of the gamma value changes, and the white balance changes depending on the temperature change. FIG. 8 shows an example of a gamma compensation circuit that has been proposed in the past to alleviate the drawbacks of the conventional circuit shown in FIG. 6. The gamma compensation circuit shown in FIG. By connecting a resistor R8 between the two and allowing a bias current to flow through the diode bridge circuit, fluctuations in white balance due to changes in the characteristics of the gamma compensation circuit are reduced.

すなわち、この第8図示のガンマ補償回路の動作を第9
図示の特性曲線を参照して説明すると、まず、回路中に
抵抗R8が存在しない場合には、温度がT1でV″1の
出力、温度がT2でV″2の出力が得られるから、V″
1−■″2=ΔV″が最悪白バランス変動となる。
That is, the operation of the gamma compensation circuit shown in FIG.
To explain with reference to the characteristic curve shown in the figure, first, if the resistor R8 does not exist in the circuit, an output of V''1 is obtained at temperature T1, and an output of V''2 is obtained at temperature T2. ″
1-■''2=ΔV'' is the worst white balance fluctuation.

ところが、回路中に抵抗R8を接続して、回路にバイア
ス電流1を流した場合には、トランジスタTr5のコレ
クタ電流をIとすると、ブリッジ回路の各分枝に流れる
電流は、最小時に112となり、また最大時には雫とな
るから、T1の温度では■1の出力が得られ、また、T
2の温度ではV2の出力が得られる。そして、この時の
最悪白バランス変動はV1−V2=ΔV1−Δ■2とな
るが、これは既述したΔV1の白バランンス変動に比べ
てかなり軽減されたものとなつている。しかし、一般に
、ダイオードの電圧対電流の温度特性は、小電流では変
動が大きく、大電流では変動が小さいから、上記したΔ
V1とΔ■2とは等しいものとはならないのであり、し
たがつて、第8図示の既提案回路のように抵抗R8によ
つてダイオードブリッジ回路へバイアス電流を流すよう
にしても充分に満足すべき結果は得られない。第10図
は、上記した第8図示のガンマ補償回路をさらに改良し
て、本発明の映像信号処理回路中で使用するようにした
白バランスの変動対策を施こしたガンマ補償回路であつ
て、この第10図示のガンマ補償回路では、ダイオード
D4のカソ”−ド側に得られた温度に対して信号レベル
の変動を生じた信号に合わせて抵抗R,とダイオードD
3との接続点に現われる信号の信号レベルを調整しうる
ように、ダイオードD4と抵抗R6との接続点と、ダイ
オードD3と抵抗R5との接続点との間に抵拍只,を接
続して、この抵抗R7に温度の変化によつて変化する信
号電流を分流させ、抵抗R5に流れる信号電流を変化さ
せるようにしたものである。第10図示の回路中の前記
した抵抗R7を可変・抵抗器とすれば、ガンマ値を設定
するための可変回路と、白バランス安定用回路とを兼ね
た回路を構成することができる。
However, when the resistor R8 is connected in the circuit and a bias current of 1 is passed through the circuit, and if the collector current of the transistor Tr5 is I, the current flowing through each branch of the bridge circuit is 112 at the minimum, Also, since it becomes a drop at the maximum temperature, an output of ■1 can be obtained at a temperature of T1, and
At a temperature of 2, an output of V2 is obtained. The worst white balance fluctuation at this time is V1-V2=ΔV1-Δ■2, which is considerably reduced compared to the white balance fluctuation of ΔV1 described above. However, in general, the temperature characteristics of the voltage versus current of a diode have large fluctuations for small currents and small fluctuations for large currents, so the above-mentioned Δ
V1 and Δ■2 are not equal, so even if the bias current is made to flow through the diode bridge circuit through the resistor R8 as in the proposed circuit shown in Fig. 8, the result is sufficiently satisfied. You won't get the desired results. FIG. 10 shows a gamma compensation circuit which is a further improvement of the gamma compensation circuit shown in FIG. In the gamma compensation circuit shown in Figure 10, the resistor R and the diode D
In order to adjust the signal level of the signal appearing at the connection point with 3, a resistor is connected between the connection point of diode D4 and resistor R6 and the connection point of diode D3 and resistor R5. , the signal current that changes depending on the temperature change is shunted through this resistor R7, and the signal current flowing through the resistor R5 is changed. If the above-mentioned resistor R7 in the circuit shown in FIG. 10 is made into a variable resistor, it is possible to configure a circuit that serves both as a variable circuit for setting the gamma value and as a circuit for stabilizing white balance.

この第10図示のガンマ補償回路においては、第9図を
参照して説明した最大白バランス変動−(ΔV1−ΔV
2)に相当する信号分を抵抗R7に分流させればよいの
であり、常温時には2つの分枝がバランスしていて抵抗
R7に分流する電流が零となり、また、ダイオードの温
度特性が略々2.3mv/COであるということから、
ΔTOの温1度変動に対して分流させるべき電流Δiは
、1SiJ\■$2.3n1V×ΔTR7となる。
In the gamma compensation circuit shown in FIG. 10, the maximum white balance variation −(ΔV1−ΔV
All that is required is to shunt the signal corresponding to 2) through the resistor R7.At room temperature, the two branches are balanced and the current shunted through the resistor R7 becomes zero, and the temperature characteristics of the diode are approximately 2. Since it is .3mv/CO,
The current Δi to be shunted for a temperature change of ΔTO of 1 degree is 1SiJ\■$2.3n1V×ΔTR7.

そして、上式を満足させるような抵抗R7を使用すれば
、ガンマ補償回路において設定されたガンマ値に対する
対温度白バランス変動は良好に補償されるのである。
If a resistor R7 that satisfies the above equation is used, variations in the white balance with respect to temperature with respect to the gamma value set in the gamma compensation circuit can be well compensated for.

上記した第10図示のガンマ補償回路を第4図示の映像
信号処理回路に接続した構成となされた第5図示の本発
明の映像信号処理回路は、ブランキング信号の混入機能
、白りミッタ機能、リニアクリップ機能、ガンマ補償機
能などを備えていて、高い安定度で映像信号に対して良
好に信号処理を施こすことができる。
The video signal processing circuit of the present invention shown in FIG. 5, which has a configuration in which the gamma compensation circuit shown in FIG. 10 described above is connected to the video signal processing circuit shown in FIG. Equipped with a linear clip function, gamma compensation function, etc., it is possible to perform good signal processing on video signals with high stability.

しかも、回路中で使用される電流はガンマ補償回路にお
けるブリッジ回路とトランジスタQ2,Qlなどを直列
的に流れて、トランジスタQ1のエミッタ電流が全消費
電流となるので、極めて低消費電力の映像信号処理回路
を実現てきるのである。以上、詳細に説明したところか
ら明らかなように、本発明の映像信号処理回路は、少な
い部品点数で簡単な回路として構成されており、低消費
電力と高い安定度を有し、基本性能を向上させ得た回路
を実現することができたのであつて、この本発明の映像
信号処理回路によれば小型、軽量な簡易型のカラーTV
カメラを、低消費電力化、無調整化されたものとし、か
つ、低価格で提供できるようにすることに対して大きく
寄与することができる。
Moreover, the current used in the circuit flows in series through the bridge circuit in the gamma compensation circuit and transistors Q2, Ql, etc., and the emitter current of transistor Q1 becomes the total current consumption, so video signal processing with extremely low power consumption is possible. The circuit can be realized. As is clear from the detailed explanation above, the video signal processing circuit of the present invention is configured as a simple circuit with a small number of parts, has low power consumption and high stability, and has improved basic performance. According to the video signal processing circuit of the present invention, a compact, lightweight and simple color TV can be realized.
The present invention can greatly contribute to making cameras with low power consumption, no adjustment required, and available at a low price.

図面の簡単な説明第1図及び第3図乃至第5図は本発明
の映像信号処理回路の各異なる実施態様のものの回路図
、第2図及び第11図は動作説明用の波形図、第6図及
び第8図はガンマ補償回路の従来例回路図、第7図及び
第9図は特性曲線例図、第10図はガンマ補償回路の回
路図である。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIGS. 1 and 3 to 5 are circuit diagrams of different embodiments of the video signal processing circuit of the present invention, FIGS. 2 and 11 are waveform diagrams for explaining the operation, and FIGS. 6 and 8 are conventional circuit diagrams of gamma compensation circuits, FIGS. 7 and 9 are characteristic curve examples, and FIG. 10 is a circuit diagram of the gamma compensation circuit.

B・・・・・・パルスクランプ回路、Ql,Q2,Tr
l〜Tr5・・・・・トランジスタ、R1〜R8・・・
・・・抵抗、D1〜D4,Da,Db・・・・・・ダイ
オード。
B...Pulse clamp circuit, Ql, Q2, Tr
l~Tr5...transistor, R1~R8...
...Resistance, D1 to D4, Da, Db...Diode.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 直流分を含む映像信号がベースに加えられる第1の
トランジスタにおけるコレクタとエミッタとにそれぞれ
抵抗を接続し、また、前記した第1のトランジスタのコ
レクタにブランキング信号混入用の半導体素子を介して
ブランキング信号を与えると共に、前記した第1のトラ
ンジスタのコレクタを第2のトランジスタのエミッタに
接続し、さらに、前記した第2のトランジスタのベース
には、リニア・クリッパ用のバイアス電圧を与え、さら
にまた、第2のトランジスタのコレクタには負荷抵抗を
接続してなる映像信号処理回路。 2 直流分を含む映像信号がベースに加えられる第1の
トランジスタにおけるコレクタとエミッタとにそれぞれ
抵抗を接続し、また、前記した第1のトランジスタのコ
レクタにブランキング信号混入用の半導体素子と白リミ
ッタ用の半導体素子とを接続すると共に、前記した第1
のトランジスタのコレクタを抵抗を介して第2のトラン
ジスタのエミッタに接続し、さらに、前記した第2のト
ランジスタのベースにはリニア・クリッパ用のバイアス
電圧を与え、さらにまた、第2のトランジスタのコレク
タには負荷抵抗を接続してなる映像信号処理回路。 3 直流分を含む映像信号がベースに加えられる第1の
トランジスタにおけるコレクタとエミッタとにそれぞれ
抵抗を接続し、また、前記した第1のトランジスタのコ
レクタにブランキング信号混入用の半導体素子を白リミ
ッタ用の半導体素子とを接続すると共に、前記した第1
のトランジスタのコレクタを抵抗を介して第2のトラン
ジスタのエミッタに接続し、さらに、前記した第2のト
ランジスタのベースにはリニア・クリッパ用のバイアス
電圧を与え、さらにまた、前記第2のトランジスタのコ
レクタと接地間に高抵抗値を有する抵抗を接続すると共
に、前記した第2のトランジスタのコレクタと電源との
間に、コレクタ側に抵抗が接続された抵抗とダイオード
との直列接続回路と、コレクタ側にダイオードが接続さ
れたダイオードと抵抗との直列接続回路とを接続し、ま
た、前記したダイオードと抵抗とからなる2つの直列接
続回路におけるダイオードと抵抗との接続点間に抵抗を
接続し、前記した接続点間に接続した抵抗における任意
の点から出力を取り出すようにした映像信号処理回路。
[Scope of Claims] 1. A resistor is connected to the collector and emitter of the first transistor to which a video signal including a DC component is applied to the base, and a blanking signal for mixing is connected to the collector of the first transistor. A blanking signal is applied through the semiconductor element, and the collector of the first transistor is connected to the emitter of the second transistor, and the base of the second transistor is connected to a linear clipper. A video signal processing circuit which applies a bias voltage and further includes a load resistor connected to the collector of the second transistor. 2. A resistor is connected to the collector and emitter of the first transistor to which a video signal including a DC component is applied to the base, and a semiconductor element for mixing a blanking signal and a white limiter are connected to the collector of the first transistor. and the first semiconductor element described above.
The collector of the transistor is connected to the emitter of the second transistor via a resistor, and a bias voltage for a linear clipper is applied to the base of the second transistor, and the collector of the second transistor is connected to the emitter of the second transistor. is a video signal processing circuit that is connected to a load resistor. 3. A resistor is connected to the collector and emitter of the first transistor to which a video signal including a DC component is applied to the base, and a semiconductor element for mixing a blanking signal is connected to the collector of the first transistor as a white limiter. In addition to connecting the semiconductor element for the first
The collector of the transistor is connected to the emitter of the second transistor via a resistor, and a bias voltage for a linear clipper is applied to the base of the second transistor. A resistor having a high resistance value is connected between the collector and ground, and a series connection circuit of a resistor and a diode is connected between the collector of the second transistor and the power supply, and the resistor is connected to the collector side. Connecting a series connection circuit of a diode and a resistor with a diode connected to the side, and connecting a resistor between the connection points of the diode and the resistor in the two series connection circuits consisting of the diode and the resistor, A video signal processing circuit configured to take out an output from any point in the resistor connected between the connection points described above.
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