【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]
産業上の利用分５Ｆｒ
本発明は新規なＥＬＬ光素子に関する。訂しくは、ＥＬ
発光す１゛啼に加えられる電界の影響かＥＬ光先光素子
近接し九゛１し子部品で俗に加わらないようにして、当
該ＥＬＬ光素子か設けられた装置の動作安定性を高める
ようにしたｘ１１規なＥＬりこ光素子を提供しようとす
るものである。
Ｅ Ｌ ｙＡ光素子は他の電子部分と組み合わせて使用
されることか多い。例えば、第１ ＩＡに示した表；Ｊ
ζ装、買において、ＥＬ発光素子ａか１ｔｆｉ品表示パ
ネルしゃプリント回路基板ＣとＭｌみ合わせて使用され
る。即ち、！（ダ晶表示パネルｂか一番１１１１側に配
置され、その表側に接してＥＬ完光入子ａか配置される
。そして、これら液晶表ボパネルｂＯＥＬ光光素子ａを
制御するために、１）制御回路か形成されたプリン）・
回路基板Ｃが、スペース的な都合からＥＬ全光素子ａ０
′）ｖ法例に近接して配ＩＩ″イされることが多い。
ところか、ＥＬ光先光素子ＥＬＬ光層に電１１：を印加
することにより、ＥＬ光先光層内蛍光体を励起発光せし
めるものである。従って、前述の表示装置のように、Ｅ
ｒ−ｇ：、光素子ａにに４１Ａして他の電子部品が（ｌ
ｒグ晶表示パネルｂやプリント回路）ＪＩ ４ＩｙＣ上
の電子部品）か配置６されると、それら電子部品に電界
がかかり、誤動作をしたり、場合によっ発明の目的
そこで、本発明は、上記した問題点に鑑みて為されたも
ので、ＥＬＬ光層に加えられる電界の影響がＥＬＬ光素
子に近接した１し子部品等に加わらないようにして、当
該ＥＬＬ光素子が設けられた装置の動作安定性を高める
ようにした新規なＥＬＬ光素子を提供することを目的と
する。
発明の概要
本発明ＥＬＬ光素子は、上記した目的を達成するために
、ＥＬＬ光層を２つの主゛１１！、極によって挾んで成
るＥＬＬ光素子において、ｊ）Ｕ記２つの主ｊｌｌ極の
他に少なくとも１つの補助電極を設け、外側に配置前さ
れる２つの電極の間を互いに接続したことを特徴とする
。
実施例
以下に、本発明ＥＬ発光素子の訂細を図示した実施例に
従って説明する。
第１の実施例
第２図は本発明ＥＬ）Ａ光素子の第１の実施例１を示す
ものである。
ＥＬＬ光素子１は、ＥＬＬ層体２か透明フィルム３．４
によってサンドイッチ状に被覆されて成る。
ＥＬ稙層体２は、２つの主？ｌ！極５．６とＥＬＬ光層
７と２つの絶縁層８．９と、そして、補助電極ｌＯか積
層されて成る。
２つの主電極５．６のうちの一方５は透明な１［！。
極であり、例えば、透明フィルムに酸化インジウムなと
の導電物質を蒸着すること等により形成される。他力の
主電極６はアルミニウムＱＯ等の導’ｉ［ｉ；性金ＢＳ
箔あるいは導電性プラスチンクシ−１−等から成る背面
電極である。
ＥＬ発光層７は蛍光体粉末を例えばシアンエチルセルロ
ース系高誘電材１１中に分散１７て形成され、前記した
透明電極５と背面電極６との間に挟着状に配置される。
絶縁層８は透明電極５の表面側に積層され、また、絶縁
層９は背面電極６とＥＬＬ光層７との間に積層される。
補助′ＩＲ極ＩＯは透明な電極として形成され、絶縁層
８の表面側に積層され、かつ、この補助型４ヶｌＯと背
面電極６との間は接続部材１１によって接続されるど共
に１宴地レベルとされる。
１２．１３はリート端子であり、一方１２は透明電極５
と接薪され、他方１３は−、１テ面’ｌｌｉ：極６と接
続されている。
］二足したＥＬＬ層体２が２枚の透明フィルム３．４の
間に挟まれ、透明フィルム３．４のＥＬ植層体２側縁か
らはみ出した部分、即ち、シール代同士がヒートシール
等の適当なシール手段によって電着シールされ、これに
よって、ＥＬ積か；・体２は２枚の透明フィルム３．４
によって被′１ｉ密封される。
上記したＥＬ光先光素子１おいて、；？っの主型４鉤５
，６間に電圧が印加されると、ＥＬＬ光層７内の蛍光体
が励起発光し、その光が２枚の透明なＥＬ光先光素子１
おいては、外側に配置される２つの′ＬＩＬ極、即ち背
面電極６と補助′Ｉ−１÷１０とが接続され接地レベル
となるため、工電イシ５．６１１１＋にかかる電界がシ
ールドされ、従って、このＥＬＬ光素子１に近接して配
置された液晶表示パネルやプリント回路基板上の電子部
品などへ北、；；：ぢ響を与えることが防止される。
変形例
第３図は変形例を示すものであり、接続部材１１を用い
ずに、補助°ａ極１０からもリード端子１４を引き出し
、このリード端子１４を前記リード端子１３と接続し、
η１つ、この２つのり−ｊ・端子１３、ｉ ４を接地レ
ベルとしたものである。
第２の実施例
第４図は本発明ＥＬＬ光素子の第２の実施例１ａを）Ｊ
＜すものである。
この第２の実施例１ａにおいて、前記第１の実はなく背
面電極６側に形成された点である。即ち、補助電極１５
は背面電極６の背面側に積層された絶縁層１６の更に背
面側に積層される。そして、この補助電極１５と透明’
ｉｉｉ：極５との間が接続ａ＋＋材１１ａによって接わ
ｄされかつ接地し／ヘルとされる。
しかして、この第２の実施例に係るＥＬＬ光素子１ａに
おいても、外側に位置する２つの電極、即ち、透明電極
５と補助電極１５との間が接続され接地レベルとなるた
め主電極５．６間にかかる電界が外部からシールドされ
、このＥＬＬ光素子１・ａに近接して配置された電子部
品、ｌ：９ｉに悪い影響をうえることか防止される。
変形例
第５図は変形例を示すものであり、接続部材１１ａを用
いずに、補助電極１５からもリード端子１７を引き出し
、このリード端子１７を前記り−ト端子１２と接続し、
かつ、この２つのリード端子１２．１７を接地レベルと
したものである。
第３の実施例
第６図は本発明ＥＬＬ光素子の第３の実施例１ｂを示す
ものである。
この実施例によるＥＬ！５７１ｉ光素子ｉｂか前記２つ
の実施例によるもの１及び１ａと異なる点は補助電極が
２つ形成されている点である。
即ち、このＥＬＬ光素子１ｂにおいては、ｉＭ明１Ｌ極
５の表側に積層された絶縁層８の更に表側に透明な補助
電極１０ｂが積層され、そして、背面電極６の背面側に
積層された絶縁層１６の更に一背面側に補助電極１７ｂ
が積層され、かつ、これら２つの補助電極ＬＯｂと１７
ｂとか接続部材１１ｂによって接続されかつ接地レベル
となるようにしである。
従って、この第３の実施例にょるＥＬ光先光索子１ｂお
いては、ＥＬ／Ａ光層７に電界を加える２つの主電極５
．６の外側に配置される２つの補助電極１０ｂ、ｉ−／
ｂを互いに接続すると共に接ＪINDUSTRIAL APPLICATION 5Fr The present invention relates to a novel ELL optical device. To be more precise, EL
In order to improve the operational stability of the device in which the ELL optical element is installed, the influence of the electric field applied to the light emitting element should be avoided by using shield parts that are located close to the EL optical element. The present invention is intended to provide an EL photonic device of x11 standard. E L yA optical devices are often used in combination with other electronic parts. For example, the table shown in Part 1 IA;
In the ζ system, the EL light emitting element A or 1TFI product display panel is used in combination with the printed circuit board C and Ml. That is,! (The LCD display panel b is placed on the 1111 side, and the EL complete light insert a is placed in contact with the front side of the LCD panel b. In order to control these liquid crystal display panels b and OEL optical element a, 1) Control circuit or formed pudding)・
The circuit board C is an EL all-optical element a0 due to space considerations.
') V method is often arranged in close proximity to the EL light source element.By applying an electric current to the ELL light layer of the EL light source element, the phosphor in the EL light source layer is excited and emitted light. Therefore, like the display device mentioned above, E
r-g: 41A to optical element a and other electronic components (l
Object of the Invention Therefore, the present invention aims to solve the above-mentioned problem. This was done in view of the above problems, and it is designed to prevent the influence of the electric field applied to the ELL optical layer from being applied to isolated parts, etc. in the vicinity of the ELL optical element, and to prevent the effects of the electric field applied to the ELL optical layer on devices equipped with the ELL optical element. It is an object of the present invention to provide a novel ELL optical device with improved operational stability. Summary of the Invention In order to achieve the above-mentioned object, the ELL optical device of the present invention has two main layers: 11! j) In addition to the two main poles, at least one auxiliary electrode is provided, and the two outer electrodes are connected to each other. do. EXAMPLES Below, details of the EL light emitting device of the present invention will be explained according to illustrated examples. First Embodiment FIG. 2 shows a first embodiment 1 of the EL)A optical element of the present invention. ELL optical element 1 includes ELL layer 2 or transparent film 3.4
covered in a sandwich-like manner. EL stratum layer 2 has two main bodies? l! A pole 5.6, an ELL optical layer 7, two insulating layers 8.9, and an auxiliary electrode 10 are laminated. One of the two main electrodes 5.6 is a transparent 1[! . The electrode is formed by, for example, depositing a conductive material such as indium oxide on a transparent film. The main electrode 6 of external force is a conductive material such as aluminum QO [i;
The back electrode is made of foil or conductive plastic sheet. The EL light emitting layer 7 is formed by dispersing 17 phosphor powder in, for example, a cyanethylcellulose-based high dielectric material 11, and is sandwiched between the transparent electrode 5 and the back electrode 6 described above. The insulating layer 8 is laminated on the front side of the transparent electrode 5, and the insulating layer 9 is laminated between the back electrode 6 and the ELL optical layer 7. The auxiliary IR electrode IO is formed as a transparent electrode, and is laminated on the surface side of the insulating layer 8, and the four auxiliary IR electrodes IO and the back electrode 6 are connected by a connecting member 11, so that both of them are connected to each other at one time. considered to be at ground level. 12 and 13 are lead terminals, while 12 is a transparent electrode 5
and the other 13 is connected to the -, 1 te surface 'lli: pole 6. ] The added ELL layer 2 is sandwiched between two transparent films 3.4, and the portion of the transparent film 3.4 that protrudes from the side edge of the EL planting layer 2, that is, the sealing margin, is heat-sealed, etc. The body 2 is electrodeposited and sealed by a suitable sealing means, thereby forming an EL product; Body 2 is made of two transparent films 3.4
It is sealed by '1i. In the above-mentioned EL optical element 1, ;? main type 4 hook 5
, 6, the phosphor in the ELL light layer 7 is excited and emits light, and the light is transmitted to the two transparent EL optical elements 1.
In this case, the two 'LIL poles placed on the outside, that is, the back electrode 6 and the auxiliary 'I-1÷10, are connected to the ground level, so the electric field applied to the electrical power pole 5.6111+ is shielded. Therefore, it is possible to prevent the ELL optical element 1 from being affected by external noise to the liquid crystal display panel, electronic components on the printed circuit board, etc. disposed in the vicinity of the ELL optical element 1. Modified Example FIG. 3 shows a modified example in which a lead terminal 14 is also drawn out from the auxiliary pole 10 without using the connecting member 11, and this lead terminal 14 is connected to the lead terminal 13.
η1, and these two terminals 13 and i4 are set at ground level. Second Embodiment FIG. 4 shows the second embodiment 1a of the ELL optical device of the present invention)
<It's something. In this second embodiment 1a, the first fruit is not formed but is formed on the back electrode 6 side. That is, the auxiliary electrode 15
is further laminated on the back side of the insulating layer 16 laminated on the back side of the back electrode 6. Then, this auxiliary electrode 15 and transparent
iii: The connection a++ material 11a connects with the pole 5 and is grounded/helled. In the ELL optical device 1a according to the second embodiment as well, the two outer electrodes, that is, the transparent electrode 5 and the auxiliary electrode 15, are connected to each other and are at the ground level, so that the main electrode 5. The electric field applied between 6 and 6 is shielded from the outside, and is prevented from adversely affecting the electronic components 1:9i arranged close to this ELL optical element 1.a. Modified Example FIG. 5 shows a modified example in which a lead terminal 17 is also drawn out from the auxiliary electrode 15 without using the connecting member 11a, and this lead terminal 17 is connected to the above-mentioned lead terminal 12.
Moreover, these two lead terminals 12 and 17 are set at ground level. Third Embodiment FIG. 6 shows a third embodiment 1b of the ELL optical device of the present invention. EL according to this example! The difference between the 571i optical device ib and those of the above two embodiments 1 and 1a is that two auxiliary electrodes are formed. That is, in this ELL optical device 1b, a transparent auxiliary electrode 10b is further laminated on the front side of the insulating layer 8 laminated on the front side of the iM bright 1L pole 5, and an insulating layer laminated on the back side of the back electrode 6. An auxiliary electrode 17b is further provided on the back side of the layer 16.
are stacked, and these two auxiliary electrodes LOb and 17
b and is connected by a connecting member 11b and at ground level. Therefore, in the EL light tip optical fiber 1b according to the third embodiment, two main electrodes 5 which apply an electric field to the EL/A light layer 7 are used.
．． Two auxiliary electrodes 10b, i-/
b to each other and contact J
【１２レベルとしである
ため、１電Ｑｉ５．６間にかかる？ｆｉ界か外部からシ
ールドされ、従って、このＥＬ発光素子ｉｂに近接して
配置される電子部品等に悪い影響を与えることが防止さ
れる。
変形例
第７図は変形例を示すものであり、接続部材１１ｂを用
いずに、補助電極１０ｂからはリード端子１４ｂを、補
助ＴＵＬ＆１５ｂからはリード端子１７ｂを、それぞれ
引き出し、これらリード端子１４ｂと１７ｂとを接続す
るとノＪ、に接地レベルとしたものである。
第４の実施例
第８図は本発明ＥＬＬ光素子の第４の実施例ＩＣを示す
ものである。
この実施例によるＥＬ光先光素子１ｃ＋ｉｆ前記した各
実施例によるもの１、ｌａ及びｌｂ、！−異なる点は補
助電極が透明フィルム３．４で囲まれた部分の外側に形
成されている点である。
１ｉ１１ち、背面電極６側に被覆される透明フィルム４
の外側面に補助電極１８が形成されている。そして、こ
の補助電極１８は、ＥＬ’３？ｙ（、入子ＩＣか使用に
供されるときに、透明電極５とバに接地レベルとされる
。
このように、補助電極は、それが対を為す相手力の電極
と常時接続されている必要はなく、使用に供されるとき
に共に接地レベルとなれば（回路的には接続されたこと
になる。）良いものである。
通用例
第９図は前記第４の失ｈ１１！例に係るＥＬ全発光ｒ−
ＩＣを表示装置に適用した例を示すものである。
】９はケースであり、該ケースの＋１ｉｊｎ開１１を覆
うように液晶表示パネル２０か配置されている。
そして、その液晶表示パネル２０の背面側にＥＬ光先光
素子ＩＣ配置され、更に、その背面側に、静晶表示パネ
ル２０やＥＬＬ光素子１ｃを制御する回路が形成された
プリント回路板２１が配置されている。２２は導電ゴム
から成る抑圧体であり、プリント回路板２１に取り伺け
られており、ＥＬＬ光素子１ｃの背面を弾発的に押圧し
てＥＬ光先光素子１ｃケース１９内でのガタつきを防止
している。また、この抑圧体２２はプリント回路ＡＭ
２１にＪ１ジ成されたアース回路（１Δｉ４＜ Ｌ／て
いない。）に接続されている。
しかして、リード端子１２はアース回路に、リート端子
１３は交流電源に、また、補助電極１８はアース回路に
それぞれ接続されることになり、（尚、これら接続はプ
リント回路板２１に形成された回路を介して為されるが
、図面にはそれを概念的に示した。）、従って、ＥＬ発
光層７にかかる電界が電極５．１８によってシールドさ
れる。
発明の効果
以上に記載したところから明らかなとおり、本発明ＥＬ
発光素子は、ＥＬ発光層を２つの主電極によって挾んで
成るＥＬＬ光素子において、前記２つの主電極の他に少
なくとも１つの補助電極を設け、外側に配置される２つ
の電極の間をカーいにｍ ＨＱしたことを４．Ｖ ｉ２
にとする。
従って、本発明によれば、ＥＬＬ光層にかかる電界は外
部からシールドされ、そのために、他の電子ｊ両市か近
接して配；（１されても、ＥＬ発光層にかかる電界がこ
れら電子部品に悪い影響を与えることか防止される。[Since it is level 12, it takes 1 electric Qi 5.6? The fi field is shielded from the outside, so that it is prevented from having a bad influence on electronic components and the like disposed in the vicinity of this EL light emitting element ib. Modified Example FIG. 7 shows a modified example in which the lead terminal 14b is pulled out from the auxiliary electrode 10b and the lead terminal 17b is pulled out from the auxiliary TUL & 15b without using the connecting member 11b. When connected to , it is set to the ground level. Fourth Embodiment FIG. 8 shows a fourth embodiment IC of the ELL optical device of the present invention. EL light forward light element 1c+if according to this embodiment 1, la and lb according to each of the above-mentioned embodiments! - The difference is that the auxiliary electrode is formed outside the area surrounded by the transparent film 3.4. 1i11, transparent film 4 coated on the back electrode 6 side
An auxiliary electrode 18 is formed on the outer surface of the. And this auxiliary electrode 18 is EL'3? y (, when the nested IC is put into use, the transparent electrode 5 and bar are connected to the ground level. In this way, the auxiliary electrode is always connected to the other electrode with which it is paired. It is not necessary, and it is good if both are at the ground level (circuit-wise, they are connected) when they are put into use. Such EL total light emission r-
This shows an example in which an IC is applied to a display device. 9 is a case, and a liquid crystal display panel 20 is arranged so as to cover the +1ijn opening 11 of the case. An EL optical device IC is arranged on the back side of the liquid crystal display panel 20, and a printed circuit board 21 on which a circuit for controlling the static crystal display panel 20 and the ELL optical device 1c is formed is further provided on the back side. It is located. Reference numeral 22 denotes a suppressor made of conductive rubber, which is attached to the printed circuit board 21, and elastically presses the back of the ELL optical element 1c to prevent the EL optical element 1c from rattling within the case 19. is prevented. Moreover, this suppressor 22 is a printed circuit AM
21 is connected to the ground circuit (1Δi4<L/not) formed by J1. Thus, the lead terminal 12 is connected to the ground circuit, the lead terminal 13 is connected to the AC power supply, and the auxiliary electrode 18 is connected to the ground circuit (note that these connections are made on the printed circuit board 21). (Although this is done through a circuit, it is shown conceptually in the drawings.) Therefore, the electric field applied to the EL light emitting layer 7 is shielded by the electrode 5.18. Effects of the invention As is clear from the above description, the EL of the invention
The light-emitting element is an ELL light-emitting element in which an EL light-emitting layer is sandwiched between two main electrodes, and in addition to the two main electrodes, at least one auxiliary electrode is provided, and a car runs between the two outer electrodes. 4. Vi2
Totosu. Therefore, according to the present invention, the electric field applied to the EL light-emitting layer is shielded from the outside, and therefore even if other electronic components are placed in close proximity, the electric field applied to the EL light-emitting layer is shielded from the outside. be prevented from having a negative impact on
【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]
第１図は従来のＥＬＬ光素子か使用された表７１＜装ｙ
）の−例を示す断面図、第２図は本発明ＥＬうこ光素子
の第１の実施例を示す断面ＩＡ、 ’＞′Ｉ ３図はそ
の変形例を示す断面図、第４１２は本発明Ｅ Ｌ発光素
子の第２の実施例を示す断面し１、第５図はその変形例
を示す断面図、第６図は本発明ＥＬうご光Ｊ、子の第３
の実施例を示す断面図、Ｅ＋’ｋ ７図はその変形例を
示す断面図、第８図は本発明ＥＬ４１’５Ｌ素イの第４
の実施例そ示す断面図、第９図はその適用例を示す断ｕ
’＋ｉ図である。
符号の説明
１．１ａ、１ｂ、１ＣＩＩ・・ＥＬＬ光素子、５．６・
・・主電極、７・・・ＥＬＬ光層、１０．１０ｂ、１５
．１５ｂ、１８・−・補助電極
出 願 人 株式会社 小糸製作所
代理人弁理士 小 松 祐 冶
第１０
ム
富５面
ｎ
第６図 、。
第７図
ｂ
１６ 第８図
−ａ９図Figure 1 shows Table 71, which uses a conventional ELL optical element.
), FIG. 2 is a cross-section IA showing the first embodiment of the EL photoluminescent device of the present invention, and FIG. 3 is a cross-sectional view showing a modification thereof, and FIG. 1 is a cross-sectional view showing a second embodiment of the EL light emitting device, FIG. 5 is a cross-sectional view showing a modification thereof, and FIG.
7 is a sectional view showing a modification thereof, and FIG.
FIG. 9 is a sectional view showing an example of its application.
'+i diagram. Explanation of symbols 1.1a, 1b, 1CII...ELL optical element, 5.6.
...Main electrode, 7...ELL optical layer, 10.10b, 15
．． 15b, 18... Auxiliary electrode Applicant: Koito Seisakusho Co., Ltd. Representative Patent Attorney Yuji Komatsu 10 Mutomi page 5 n Figure 6. Figure 7b 16 Figure 8-a9