JPS60256920A - 磁気記録媒体 - Google Patents

磁気記録媒体

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JPS60256920A
JPS60256920A JP11246884A JP11246884A JPS60256920A JP S60256920 A JPS60256920 A JP S60256920A JP 11246884 A JP11246884 A JP 11246884A JP 11246884 A JP11246884 A JP 11246884A JP S60256920 A JPS60256920 A JP S60256920A
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JP
Japan
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recording medium
magnetic recording
magnetic layer
magnetic
top coat
Prior art date
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Pending
Application number
JP11246884A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshiaki Izumi
泉 俊明
Yasushi Takasugi
高杉 康史
Sachiyo Oka
岡 幸代
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 工 発明の背景 技術分野 本発明は、磁気記録媒体、特に連続薄膜型の磁性層を有
する磁気記録媒体のトップコート膜の改良に関する。
先行技術とその問題点 ビデオ用、オーディオ用等の磁気記録媒体として、テー
プ化して巻回したときのコンパクト性から、連続薄膜型
の磁性層を有するものの開発が活発に行われている。
このような連続薄膜型の媒体の磁性層としては、特性上
、基体法線に対し所定の傾斜角にて蒸着を行う、いわゆ
る斜め蒸着法によって形成したCo、Co−Ni、Co
−0,Co−Ni−〇系等の蒸着膜が最も好適である。
しかし、このような磁性層は、走行摩擦が大きく、膜強
度が低く、ヘッドタ・ンチも悪く、特に走行耐久性が低
く、くりかえし走行によって出力が低下してしまう。
また、ビデオ用の媒体では、スチルと称される静止画像
モードでの耐久時間が小さい。
さらに、いわゆるドロップアウトも多い。
このような実状から、従来、斜め蒸着膜磁性層のトップ
コート膜が種々提案されている。
例えば、直鎖の飽和脂肪酸ないしそのエステルの蒸着膜
や塗布膜(特開昭53−88704号公報、同55−9
3533号公報等)等である。
しかし、従来のトップコート膜はいずれも、走行耐久性
、スチル特性に劣り、長時間走行によって走行摩擦が増
大し、出力変動が大きい。
さらに、摩擦係数の温度特性が悪く、特に低温での走行
摩擦が大きく、かつスチル特性が低い。
II 発明の目的 本発明は、このような実状に鑑みなされたものであって
、その主たる目的は、走行摩擦が小さく、膜強度、潤滑
性、ヘフドタ・ンチ性にすぐれ、走行耐久性、スチル耐
久性が高く、特に低温での走行摩擦が小さく、スチル耐
久性が高い新規なトップコート膜を有する連続薄膜型の
磁性層をもつ磁気記録媒体を提供することにある。
このような目的は、下記の本発明によって達成される。
すなわち本発明は、 基体上に連続薄膜型の磁性層を有し、この磁性層上にト
ップコート膜を有する磁気記録媒体において、 I・ツブコート膜が、RCOOH(ここに、Rは、炭素
原子数9〜21のアルキル基を表わす)と、炭素原子数
lO〜22の不飽和鎖状炭化水素とを含むことを特徴と
する磁気記録媒体である。
■ 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
本発明の磁気記録媒体は、基体上に磁性層を有する。
磁性層は、連続薄膜型の種々のものであってよく、通常
、コバルト、ニッケルあるいはこれらの合金を主成分と
する。
この場合、本発明においては、Coを必須成分とし、C
o 、Co+Ni 、Co+O,またはCo+Ni+O
かもなることが好ましい。
すなわち、Co単独からなってもよく、C。
とNiとからなってもよい。
Co+Niである場合、Co / N iの重量比は、
1.5以上であることが好ましい。
さらに、CoまたはCo+Niに加え、0が含まれてい
てもよい。 0が含まれたときには、電磁変換特性や走
行耐久性の点で、より好ましい結果をうる。
このような場合、O/Co(Niが含まれない場合)あ
るいはo/(Co+Ni)の原子比は、0.5以下、特
に0.15〜0.45であることが好ましい。
一方、磁性層中には、Co、Co+Ni。
Co+OあるいはCo+Ni+0に加え、Crが含有さ
れると、より一層好ましい結果を得る。
これは、電磁変換特性が向−ヒし、出力およびS/N比
が向上し、さらに膜強度が向上するからである。
このよ、うな場合、Cr/Co(Niが含まれない場合
)あるいはCr/(Co+N1)(7)重量比は、0.
001−0.1であるこ、とが好ましい。
この場合、Cr / CoあるいはCr/(C。
+N i)の重量比は、0.005〜0.05であると
、より一層好ましい結果を得る。
なお、このような磁性層中には、さらに他の微量成分、
特に遷移金属元素、例えば、F e 、 M n 、 
V 、 Z r 、 N b 、 T a 、 M o
 。
W 、 T i 、 Cu 、 Z n等が含まれてい
てもよい。
このような磁性層は、基体主面の法線に対して傾斜した
柱状結晶構造の粒子の集合体であることが好ましい。 
これにより、電磁変換特性が向上する。
このような場合、柱状結晶構造の粒子は、基体の主面の
法線に対して、20〜60″の範囲で傾斜していること
が好ましい。
また、各柱状結晶粒子は、通常、磁性層の厚さ方向全域
に亘る長さをもち、その短径は一般に、50〜500人
程度とされる。
そして、COと必要に応じ添加されるNi。
Cr等は、この柱状結晶自体を構成するものであり、0
が添加されたとき、Oは通常、各柱状結晶粒子の表面に
、主として酸化物の形で存在している。
このような磁性層は1通常、0.05〜0.57zmの
厚さに形成される。
この場合、磁性層は、基体上に直接設けられていてもよ
く、あるいは基体上に下地層を介して設けられていても
よい。
また、磁性層は通常、単一の層として形成されるが、場
合に°よっては中間層を介して、複数の層を積層して形
成されていてもよい。
このような磁性層は、通常、斜め蒸着法によって形成さ
れる。
用いる斜め蒸着法としては、公知の斜め蒸着法を用いれ
ばよく、基体法線に対する入射角の最小値は、30″以
上とすることが好ましい。
なお、蒸着条件および後処理法等は、公知の条件および
方法に従えばよい。 この場合、有効な後処理法として
は、磁性層中へのO導入のための公知の各種処理法等が
ある。
本発明のトップコート膜中には、RCOOHが含有され
る。 ここに、Rは炭素原子数9〜21のアルキル基で
ある。
Hの炭素原子数が9未満となると、摩擦係数が増大し、
低温でのスチル耐久性が低下する。
また2Jをこえると、蒸着効率が悪化し、膜厚、膜質の
均一性が低下する。 そして、摩擦係数の変動が大きく
なる。
トップコート膜にはRCOOHに加え、さらに不飽和鎖
状炭化水素が含有される。
そして、その炭素原子数は10〜22である。
10未満では、臨界的に走行耐久性が悪化し、しかも摩
擦係数の温度特性が悪化し、低温での走行摩擦が増大し
、スチル耐久性が低下する。
22をこえると、やはり低温での走行摩擦が増大し、成
膜効率が悪化する。 そして、摩擦係数の変動が大きく
なる。
このような場合、不飽和炭化水素は鎖状であることが好
ましい。
また、不飽和炭化水素としては、オレフィンであること
が好ましく、その2重結合は、通常、末端に位置する。
これら不飽和鎖状炭化水素の含有量は、全体の20モル
%以下、特に5〜15モル%であることが好ましい。
20モル%をこえると、低温でのスチル耐久性が低化す
る。
なお、これらトップコート膜には、R’ OH(ここに
、R′は、炭素原子数lO〜22の、特に直鎖のアルキ
ル基である)が50モル%以下含有されてもよい。
このようなトップコート膜は、単分子層以上、300Å
以下、より好ましくは、5〜ioo人の厚さとされる。
300人をこえると、いわゆるスペーシングロスにより
出力低下が生じる。
そして、このようなトップコート膜は、蒸着、スパッタ
リング、イオンブレーティング等の気相被着によって形
成することが好ましい。
蒸着、スパッタリング等によらず、塗布等によるときに
は、膜厚をうずくして、しかも均一な厚さで設層するこ
とがむずかしい。
気相被着に際しては、対応する脂肪酸および不飽和炭化
水素を蒸発源として用い、常法に従えばよい。
ただ、トップコート膜として、より特性上好ましいのは
、上記Rよりもlだけ炭素原子数の多いアルキル基を有
するリン酸エステル化合物を蒸発源として用いる場合で
ある。
この場合、用いるリン酸エステル化合物としては1 、 R’OOY。
\ / で示されるリン酸モノ、ジまたはトリエステルないしそ
の塩が好ましい。
この場合、R′は、前記Rよりも炭素原子数が1多いア
ルキル基である。 YlおよびY2は、互いに同一でも
異なっていてもよく、それぞれ、水素、前記R′、また
はオニウム塩(例えば、アンモニウム塩、金属イオン)
を表わす。
この場合、脂肪酸RCOOHおよび不飽和鎖状炭化水素
、ざらにR’ OHは、蒸発源の分解生成物に該当する
ものであり、RCOOHおよび不飽和鎖状炭化水素の生
成埋積は、基体温度、基体−ハース間隔、動作圧力等に
依存する。 そして、その条件は容易に実験的にめるこ
とができる。
なお1通常は、基体゛−ハース間隔は1cm〜20cm
程度、基体温度はθ℃〜30℃程度とする。
用い゛る基体には特に制限はないが、可とう性の基体、
特にポリエステル、ポリイミド、ポリプロピレン等の樹
脂製のものであることが好ましい。
また、その厚さは、種々のものであってよいが、特に5
〜20ILmであることが好ましい。
なお、基体裏面には、バックコート層を形成することが
できる。
■ 発明の具体的作用効果 本発明の磁気記録媒体は、ビデオ用、オーディオ用等の
磁気記録媒体として有用である。
本発明によれば、炭素原子数10〜22のアルキルカル
ボン酸および不飽和鎖状炭化水素からなるトップコート
膜を用いるので、走行摩擦が臨界的に減少する。
また、その膜強度、潤滑性、ヘッドタッチ性もきわめて
高い。
このため、走行耐久性、スチル耐久性が臨界的に向上す
る。
さらに、低温での摩擦係数および走行摩擦がきわめて小
さく、スチル耐久性もきわめて良好である。
■ 発明の具体的実施例 以下に、本発明の具体的実施例について詳細に説明する
実施例 Co / N iの重量比4/1のCo−Ni合金、お
よびCo / N i / Crの重量比75/20 
/ 5 (7) Co −N i −Cr合金を用い、
10ILm厚のポリエチレンテレフタレー) (PET
)フィルム上に、それぞれ、斜め蒸着法により、磁性層
をO’、27zm厚にて形成し、サンプルA、およびB
、を作製した。
斜め蒸着における入射角は45″とし、蒸着雰囲気は、 FA、=2XlO−2Pa、 P =lX10−2Pa 2 とした。
得られた磁性層は、ともに対応する合金の組成をもち、
ともに0/ (Co+N1)=0.2(原子比)であり
、基体主面法線に対し、約40°傾斜した、短径0 、
91 gmの厚さ方向全域に亘って成長した柱状結晶粒
子の集合体であった。
また、イオンミリングを行いながらオージェ分光分析を
行ったところ、COは表面近くで少なく、また0は化学
シフトしており、しかも表面近くに多いプロファイルを
もち、Oが柱状粒子の表面に金属と結合した状態で存′
在していることが確認された。
次いで、上記A、およびBOの磁性層上に、各種リン酸
モノアルキルエステルを蒸発源として、 P p、 、 =4 X 10−” P aの雰囲気に
て、基体温度および基体−ハース間隔をかえ、0.01
11.m厚の表1に示されるトップコート膜を形成して
、サンプルA1〜A9およびB1−B2を得た。
この場合、モデル実験により同条件で蒸着を行い、これ
を溶媒抽出し、ガスクロマトグラムを用いて組成を算出
したところ、各膜とも、オレフィン量は約10%であっ
た。
また、アルコールを含むサンプルのアルコール含有量は
約20%であった。
これら各サンプルにつき、以下の測定を行った。
l) 走行摩擦 サンプルの動摩擦係数終を、40℃、相対湿度80%で
、初期と50パス後に測定した。
測定用のピンとしては、ステンレス製の面粗さO、Ol
 pLm以下、2■φのものを用い、テープのピンへの
抱き角180°、テープ入目のテンション20g/12
.5層腸巾とした。
2) スチル耐久性 市販のVTR装置で、0℃にて、スチルモードにて画像
が消失するに至る時間(分)を測定した。
これらの結果を表1に示す。
表1に示される結果から1本発明による臨界的効果かあ
、きらか、である。
すなわち、本発明のサンプルは、初期、50パス後とも
、実用」−支障のない0.4以下のkを示し、低温での
スチル耐久性もきわめて高い。

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. (1) 基体上に連続薄膜型の磁性層を有し、この磁性
    層上にトップコート膜を有する磁気記録媒体において、 トップコート膜が、RCOOH(ここに、Rは、炭素原
    子数9〜21のアルキル基を表わす)と、炭素原子数1
    0〜22の不飽和鎖状炭化水素とを含むことを特徴とす
    る磁気記録媒体。
  2. (2) Rで表わされるアルキル基が直鎖である特許請
    求の範囲第1項に記載の磁気記録媒体。
  3. (3)、不飽和鎖状炭化水素が直鎖のオレフィンである
    特許請求の範囲第1項または第2項に記載の磁気記録媒
    体。
  4. (4) トップコート膜が、気相被着によって″形成さ
    れた膜である特許請求の範囲第1項ないし第3項のいず
    れかにに記載の磁気記録媒体。
  5. (5) トップコート膜の厚さが、300Å以下である
    特許請求の範囲第1項ないし第4項のいずれかに記載の
    磁気記録媒体。
  6. (6) 磁性層が、COlまたはCOとNi。 Crおよび0のうちの1〜3種とを含む特許請求の範囲
    第1項ないし第5項のいずれかに記載の磁気記録媒体。
  7. (7) 磁性層が、Niを含み、Co/Niの重量比が
    1.5以上である特許請求の範囲第6項に記載の磁気記
    録媒体。
  8. (8) 磁性層が、Crを含み、Cr/(C。 丈たはco+Ni)の重量比が0.001〜0.1であ
    る特許請求の範囲第6項または第7項に記載の磁気記録
    媒体。
  9. (9) 磁性層が、0を含み、0/(GoまたはCo+
    Ni)の原子比が0.5以下である特許請求の範囲第6
    項ないし第8項のいずれかに記載の磁気記録媒体。
  10. (10) 磁性層が、基体法線に対して傾斜した柱状結
    晶構造粒子の集合体である特許請求の範囲第1項ないし
    第9項のいずれかに記載の磁気記録媒体。
  11. (11) ai磁性層厚すカ、0.05〜0.5pmで
    ある特許請求の範囲第1項ないし第1゜項のいずれかに
    記載の磁気記録媒体。
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