JPS6023987Y2 - Variable capacitance diode temperature compensation circuit - Google Patents

Variable capacitance diode temperature compensation circuit

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JPS6023987Y2
JPS6023987Y2 JP8018578U JP8018578U JPS6023987Y2 JP S6023987 Y2 JPS6023987 Y2 JP S6023987Y2 JP 8018578 U JP8018578 U JP 8018578U JP 8018578 U JP8018578 U JP 8018578U JP S6023987 Y2 JPS6023987 Y2 JP S6023987Y2
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JP
Japan
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variable capacitance
diode
capacitance diode
compensation circuit
temperature compensation
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JP8018578U
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Japanese (ja)
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JPS54180673U (en
Inventor
和信 朝比奈
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Publication date
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は可変容量ダイオードの温度補償回路に関するも
のである。
[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to a temperature compensation circuit for a variable capacitance diode.

可変容量ダイオードを利用した電子同調チューナにあっ
ては、温度変化に基く容量変化によって同調周波数の変
動を起すことになる。
In electronic tuning tuners using variable capacitance diodes, variations in the tuning frequency occur due to changes in capacitance due to temperature changes.

その為に温度補償回路が必要となる。Therefore, a temperature compensation circuit is required.

本考案は温度変化に応答してバイアス電圧を変化させ、
以って容量値の変動を抑えたものである。
The present invention changes the bias voltage in response to temperature changes,
Therefore, fluctuations in capacitance value are suppressed.

第1図は可変容量ダイオードのバイアス電圧V3をパラ
メータとした容量変化一温度特性図であり、第2図は容
量変化をバイアス電圧の変動で補償したときの温度−バ
イアス電圧変動値特性図である。
Figure 1 is a capacitance change-temperature characteristic diagram using the bias voltage V3 of the variable capacitance diode as a parameter, and Figure 2 is a temperature-bias voltage fluctuation value characteristic diagram when capacitance change is compensated for by bias voltage fluctuation. .

即ち、第2図の縦軸は温度変化にも拘らず容量を一定に
保つ為に必要なバイアス電圧の変動値を示している。
That is, the vertical axis in FIG. 2 shows the variation value of the bias voltage necessary to keep the capacitance constant despite temperature changes.

従って、各バイアス電圧に於いて第2図に示す温度特性
を有するバイアス回路が実現出来れば、温度による容量
変化は完全に補償されることになる。
Therefore, if a bias circuit having the temperature characteristics shown in FIG. 2 can be realized at each bias voltage, capacitance changes due to temperature will be completely compensated for.

第2図の特性図より高バイアス電圧の場合と、低バイア
ス電圧の場合とを比較すると、高バイアス電圧の場合に
は大きなバイアス変動を必要とすることが分る。
Comparing the case with a high bias voltage and the case with a low bias voltage from the characteristic diagram of FIG. 2, it is found that a large bias variation is required in the case of a high bias voltage.

本考案は斯かる点を考慮したものであり、その具体例は
第3図に示す通りである。
The present invention takes this point into consideration, and a specific example thereof is shown in FIG.

1は定電圧用ダイオード、2は一般のシリコンダイオー
ドであり、ダイオード1のブレイクダウン電圧は可変容
量ダイオードの使用電圧によって適当に選ぶ。
1 is a constant voltage diode, 2 is a general silicon diode, and the breakdown voltage of diode 1 is appropriately selected depending on the operating voltage of the variable capacitance diode.

ダイオード1の両端に印加される電圧は正の温度係数を
持ち、ダイオード2に印加される電圧は負の温度係数を
持っている。
The voltage applied across diode 1 has a positive temperature coefficient, and the voltage applied to diode 2 has a negative temperature coefficient.

ダイオード1,2を組合せ、全体として(Vl)に適当
な正の温度係数を持たせた電圧を可変抵抗器3とタング
ステンランプ4に印加する。
The diodes 1 and 2 are combined, and a voltage whose voltage (Vl) has an appropriate positive temperature coefficient is applied to the variable resistor 3 and the tungsten lamp 4 as a whole.

即ち、V□=V1+αT・・・・・・・・・■ なる式が成立する。That is, V□=V1+αT・・・・・・・・・■ The following formula holds true.

一方、タングステンランプ4の抵抗値Rは温度に略比例
して増加する。
On the other hand, the resistance value R of the tungsten lamp 4 increases approximately in proportion to the temperature.

R=曳十βT・・・・・・・・・■ 従って、可変抵抗器3の可動端子より取出される電圧(
Vout)は、 Vout V、+crT −R7R+R8+β1(Ro十βT 十RVR・k)・
・・・・・・・・■ となる。
R=Hikiju βT・・・・・・・・・■ Therefore, the voltage taken out from the movable terminal of the variable resistor 3 (
Vout) is Vout V, +crT -R7R+R8+β1 (Ro +βT +RVR・k)・
......■.

ここで(k)は可変抵抗器3の回転に対応した係数であ
る。
Here, (k) is a coefficient corresponding to the rotation of the variable resistor 3.

ここでβT<Ro十RVRとして■式を整理すると、 Vout= 1 、RVR−Ro〔■1(Ro十RVR−k)+(βv1
+α(Ro十RvR−k))T〕となる。
Here, if we rearrange the formula as βT<Ro×RVR, Vout=1, RVR−Ro[■1(Ro×RVR−k)+(βv1
+α(Ro+RvR−k))T].

この式に依れば、(T)の係数はバイアス電圧が大きく
なる程、大きくなることが分る。
According to this equation, it can be seen that the coefficient of (T) increases as the bias voltage increases.

実際には(RVR)をIOKΩ程度、(R)を500Ω
程度とし、α、βの値を適当に選ぶことにより、第2図
に近に特性を有するものが得られる。
In reality, (RVR) is about IOKΩ, and (R) is 500Ω.
By appropriately selecting the values of α and β, a device having characteristics close to those shown in FIG. 2 can be obtained.

以上述べた本考案に依れば、温度変化に基(バイアス電
圧の変動がバイアス電圧値に比例するものであるから、
正確な温度補償が出来るものである。
According to the present invention described above, based on temperature changes (because the variation in bias voltage is proportional to the bias voltage value,
Accurate temperature compensation is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は可変容量ダイオードの容量変化一温度特性図、
第2図は容量変化をバイアス電圧の変動で補償したとき
の温度−バイアス電圧値特性図、第3図は本考案に係る
可変容量ダイオードの温度補償回路図である。 1.2はダイオード、3は可変抵抗器、4はランプ。
Figure 1 is a capacitance change-temperature characteristic diagram of a variable capacitance diode.
FIG. 2 is a temperature-bias voltage characteristic diagram when capacitance changes are compensated for by variations in bias voltage, and FIG. 3 is a temperature compensation circuit diagram of a variable capacitance diode according to the present invention. 1.2 is a diode, 3 is a variable resistor, and 4 is a lamp.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 正の温度特性を有する逆方向接続されたダイオードと負
の温度特性を有する順方向接続されたダイオードの直列
回路に対して可変抵抗器とランプの直列回路を並列接続
すると共にこの並列回路に電源電圧を印加し、前記可変
抵抗器の可動端子とランプの一端間より可変容量ダイオ
ードに印加する為の正の温度特性を有するバイアス電圧
を導出する構成とした可変容量ダイオードの温度補償回
路。
A series circuit of a variable resistor and a lamp is connected in parallel to a series circuit of a backward-connected diode with positive temperature characteristics and a forward-connected diode with negative temperature characteristics, and the power supply voltage is applied to this parallel circuit. A variable capacitance diode temperature compensation circuit configured to derive a bias voltage having positive temperature characteristics to be applied to the variable capacitance diode from between the movable terminal of the variable resistor and one end of the lamp.
JP8018578U 1978-06-09 1978-06-09 Variable capacitance diode temperature compensation circuit Expired JPS6023987Y2 (en)

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JPS54180673U JPS54180673U (en) 1979-12-20
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