JPS60235083A - Reflective type photoelectric sensor - Google Patents
Reflective type photoelectric sensorInfo
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- JPS60235083A JPS60235083A JP59091501A JP9150184A JPS60235083A JP S60235083 A JPS60235083 A JP S60235083A JP 59091501 A JP59091501 A JP 59091501A JP 9150184 A JP9150184 A JP 9150184A JP S60235083 A JPS60235083 A JP S60235083A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は反射形の光電センサ、さらに詳しくいえば、種
々の距離にある障害物の検出等に利用できる反射形の光
電センサに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a reflective photoelectric sensor, and more specifically, to a reflective photoelectric sensor that can be used to detect obstacles located at various distances.
(従来技術)
従来の反射形の光電センサを利用した障害物検出を第8
図を参照して簡単に説明する。(Prior technology) Obstacle detection using a conventional reflective photoelectric sensor
This will be briefly explained with reference to the drawings.
光源101からの光は到達距離を大きくするために投光
レンズ102により、平行光束に近い状態にし、障害物
103方向に投射される。In order to increase the reach distance, the light from the light source 101 is made into a nearly parallel beam by the projection lens 102, and is projected toward the obstacle 103.
障害物103からの反射光は受光レンズ104を介して
受光素子105で光電変換される。The reflected light from the obstacle 103 is photoelectrically converted by the light receiving element 105 via the light receiving lens 104.
この光電変換出力は増幅および信号成分抽出回路107
で処理され障害物検知判別回路108により、障害物の
存在が検知される。This photoelectric conversion output is an amplification and signal component extraction circuit 107
The obstacle detection and determination circuit 108 detects the presence of the obstacle.
すなわち、光源101からの光の反射光を受光素子10
5で受け、検出電流のあるなしで障害物103を検知す
る方式となっているので次のような問題がある。That is, the reflected light from the light source 101 is transmitted to the light receiving element 10.
5 and detects the obstacle 103 with or without a detection current, the following problems arise.
■当然のことではあるが、障害物103が光源101か
らの光束の当る位置になければ検知できない。(2) It goes without saying that the obstacle 103 cannot be detected unless it is in a position where the light beam from the light source 101 hits.
前述したように通常光源101からの光は到達距離を大
きくするために投光レンズ102により、平行光束に近
い状態にし障害物103方向に投射されるから、検出視
野は非常に狭い。As described above, the light from the normal light source 101 is turned into a nearly parallel beam by the projection lens 102 and projected toward the obstacle 103 in order to increase the reach distance, so the detection field of view is very narrow.
■障害物103の背後に反射率の高い壁や物体があると
、障害物103からの反射光と区別できず、誤動作して
しまう可能性がある。(2) If there is a wall or object with high reflectivity behind the obstacle 103, it may not be possible to distinguish the light reflected from the obstacle 103, resulting in a malfunction.
(発明の目的)
本発明の目的は前方の空間のどの部分からの反射光であ
るかを知ることができる反射形の光電センサを提供する
ことにある。(Object of the Invention) An object of the present invention is to provide a reflective photoelectric sensor that can determine from which part of the space in front the reflected light is coming from.
(発明の構成)
前記目的を達成するために本発明による反射形の光電セ
ンサは、前方の空間の一定の角度範囲を光束により走査
する光束走査装置付き光源と、前記光源を駆動する光源
駆動電源と、前記光源からの光束により走査された対象
からの反射光を光電変換する受光素子と、前記受光素子
の出力を前記光源駆動電源の駆動出力に同期し処理する
ことにより前方の空間のどの領域からの反射であるかを
判別する判別回路から構成されている。(Structure of the Invention) In order to achieve the above object, a reflective photoelectric sensor according to the present invention includes a light source with a beam scanning device that scans a predetermined angular range of a space in front with a beam of light, and a light source driving power source that drives the light source. a light-receiving element that photoelectrically converts the reflected light from the object scanned by the light beam from the light source; and the output of the light-receiving element is synchronized with the drive output of the light source driving power source and processed to determine which area in the space in front of the object. It consists of a discrimination circuit that discriminates whether it is a reflection from
(実施例) 以下図面等を参照して本発明をさらに詳しく説明する。(Example) The present invention will be described in more detail below with reference to the drawings and the like.
第1図は、本発明による反射形光型センサの基本構成を
示す配置図であって、同図(A)は平面的配置図、同図
(B)は左側面配置図、同図(C)は回路のブロック図
である。FIG. 1 is a layout diagram showing the basic configuration of a reflective optical sensor according to the present invention, in which (A) is a planar layout diagram, (B) is a left side layout diagram, and (C ) is a block diagram of the circuit.
光束走査装置付き光源10は前方の空間の一定の角度範
囲(ω1)を光束により走査するように構成されている
。The light source 10 with a beam scanning device is configured to scan a predetermined angular range (ω1) in the space in front with a beam of light.
この光束走査装置付き光源10は光源駆動電源13から
のパルス列状の駆動電力に駆動され前方の空間を順次走
査する。This light source 10 with a beam scanning device is driven by a pulse train of driving power from a light source driving power source 13 and sequentially scans the space in front of it.
この前方空間に障害物11があれば、障害物11からの
反射光が受光素子12により検出され光電変換される。If there is an obstacle 11 in this forward space, the reflected light from the obstacle 11 is detected by the light receiving element 12 and photoelectrically converted.
受光素子12の光電変換出力は光電変換素子出力処理回
路14により増幅される。The photoelectric conversion output of the light receiving element 12 is amplified by a photoelectric conversion element output processing circuit 14.
検出対象判別回路15には前記光電変換素子出力処理回
路14からの出力と前記光源駆動電源13からのタイミ
ング信号が接続されており、前方空間のどの角度または
距離からの反射があったのかが判別される。The output from the photoelectric conversion element output processing circuit 14 and the timing signal from the light source driving power source 13 are connected to the detection target discrimination circuit 15, and it is possible to discriminate from which angle or distance in the space in front of the light the reflection occurred. be done.
今、障害物11が前方の空間の一定の角度範囲(ω1)
内の(ω2)の範囲内に存在したとすると、光束が前記
(ω2)の範囲内を走査しているときに限り第1図(A
)に示すような反射が発生し、受光素子12により検出
される。その期間だけ前記光電変換素子出力処理回路1
4から出力が現れる。Now, the obstacle 11 is within a certain angular range (ω1) of the space in front of it.
If the beam exists within the range (ω2) of
) occurs and is detected by the light receiving element 12. The photoelectric conversion element output processing circuit 1 only during that period.
Output appears from 4.
検出対象判別回路15は前記光電変換素子出力処理回路
14からの出力を前記光源駆動電源13からのタイミン
グ信号を参照して、前方空間(ω1)内の(ω2)に障
害物が存在すると判別することができる。The detection object determination circuit 15 refers to the output from the photoelectric conversion element output processing circuit 14 and the timing signal from the light source driving power source 13, and determines that an obstacle exists in (ω2) in the forward space (ω1). be able to.
第2図は本発明による反射形光型センサの第1の実施例
を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing a first embodiment of the reflective optical sensor according to the present invention.
この実施例では、光源として発光点が1つの赤外線発光
ダイオード17 (例えば浜松ホトニクス株式会社のL
i2O2)を用いている。In this embodiment, an infrared light emitting diode 17 (for example, Hamamatsu Photonics' L
i2O2) is used.
この赤外線発光ダイオード17は、発光ダイオード駆動
回路23により、パルス発光させられる。This infrared light emitting diode 17 is caused to emit pulsed light by a light emitting diode drive circuit 23.
このパルス発光は投光レンズ18により、平行光束に近
い状態にされる。This pulsed light emission is made into a state close to a parallel light beam by the projection lens 18.
回転プリズム19はモータ24により基線(投光レンズ
18と受光レンズ21を結ふ距離B)に平行な軸中心に
回転させられる。The rotating prism 19 is rotated by a motor 24 around an axis parallel to the base line (distance B connecting the light emitting lens 18 and the light receiving lens 21).
これにより赤外線発光ダイオード17からの光束は紙面
に対して垂直方向に偏向させられる。As a result, the light beam from the infrared light emitting diode 17 is deflected in a direction perpendicular to the plane of the paper.
この偏向周波数および同期をとるために、回転プリズム
16の同期検出用センサ25を用いる。In order to establish this deflection frequency and synchronization, a synchronization detection sensor 25 of the rotating prism 16 is used.
障害物20がこの光束の偏向角内に入って来ると障害物
20の表面で反射され、この反射光の一部は受光レンズ
21で1次元半導体装置検出装置22(例えば浜松ホト
ニクス株式会社の31743−01)の受光面に集光さ
せられる。When an obstacle 20 comes within the deflection angle of this light beam, it is reflected on the surface of the obstacle 20, and a part of this reflected light is transmitted to a one-dimensional semiconductor device detection device 22 (for example, 31743 manufactured by Hamamatsu Photonics Co., Ltd.) using a light receiving lens 21. -01) is focused on the light receiving surface.
今、障害物までの距離をし、基線長をB、受光レンズの
焦点距離をf、1次元半導体装置検出器22の電極22
a、22b間の距離をC1半導体装置検出器22の電気
的中心位置(通常前記電極間の等分点)から集光された
スポット光の重心位置までの距離をXとすると、次の(
1)式が成立する。Now, the distance to the obstacle is determined, the base line length is B, the focal length of the light receiving lens is f, and the electrode 22 of the one-dimensional semiconductor device detector 22 is
a, 22b is the distance from the electrical center position of the C1 semiconductor device detector 22 (normally the point equally divided between the electrodes) to the center of gravity of the focused spot light, then the following (
1) The formula holds true.
x= (B−f)/L ・・・(1)
また半導体装置検出器22の電極から得られる反射光検
出電流tl、+2とXの間には次の(2)式にに示す関
係が成立する。x= (B-f)/L (1) Furthermore, there is a relationship between the reflected light detection current tl, +2 obtained from the electrode of the semiconductor device detector 22 and X as shown in the following equation (2). To establish.
i2/1l=
(C/ 2 + x) / (C/ 2−x) =−1
21半導体装置検出器22からの反射光検出電流+1゜
12の比をめればtl、)、 (2’1式により、障害
物までの距離りを得ることができる。i2/1l= (C/ 2 + x) / (C/ 2-x) =-1
21 By calculating the ratio of the reflected light detection current from the semiconductor device detector 22 +1°12, tl, ), (2'1), the distance to the obstacle can be obtained.
半導体装置検出器22の出力電流は演算装置26に入力
されi2/ilがめられる。The output current of the semiconductor device detector 22 is input to the arithmetic unit 26 and i2/il is determined.
第3図は半導体装置検出器の出力を処理する演算装置の
実施例を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing an embodiment of an arithmetic unit that processes the output of a semiconductor device detector.
半導体装置検出器22の出力端子から得られる光電流に
は障害物から反射された光源からのパルス光の他に、外
部の光の成分が含まれている。The photocurrent obtained from the output terminal of the semiconductor device detector 22 includes an external light component in addition to the pulsed light from the light source reflected from the obstacle.
このため、信号成分の抽出・増幅回路33.34により
、信号成分のみを抜き取り、増幅する。Therefore, the signal component extraction/amplification circuits 33 and 34 extract and amplify only the signal component.
そして演算回路35で、l 2 / f 1の演算を実
行する。この演算値をサンプリングホールド回路36で
ホールドする。Then, the arithmetic circuit 35 executes the arithmetic operation of l 2 /f 1 . This calculated value is held in a sampling hold circuit 36.
判別回路27は前記i 2 / i 1から(1)式に
示すLと、12. 11の存在する期間から、どの空間
からの反射であるかを判別出力する。The discrimination circuit 27 calculates L shown in equation (1) from the i 2 /i 1, and 12. From the period in which 11 exists, it is determined and output which space the reflection is from.
第4図は、本発明による反射形光型センサの第2の実施
例の光源部と受光部を取り出して示した斜視図である。FIG. 4 is a perspective view showing a light source section and a light receiving section of a second embodiment of the reflective optical sensor according to the present invention.
前記第1の実施例では発光点が1つの赤外線発光ダイオ
ード17を用い回転プリズム19およびその駆動用モー
タ24を使用して、光束を紙面に垂直方向に振らしてい
る。In the first embodiment, an infrared light emitting diode 17 with one light emitting point is used, and a rotating prism 19 and its driving motor 24 are used to swing a luminous flux in a direction perpendicular to the plane of the paper.
この第2の実施例ではそのような機械的な可動部は不必
要である。In this second embodiment, no such mechanically moving parts are necessary.
LEDチ・7プβ1.”2〜βnを基線Bに直角方向に
配置した多点発光光源28を設け、このLEDチップe
1〜enを時分割で発光させる。LED Chip 7 β1. A multi-point light source 28 with 2 to βn arranged perpendicular to the base line B is provided, and this LED chip e
1 to en are emitted in a time-division manner.
そして投光レンズ29により前方に投射すれば、光束に
よる前方空間の走査が可能になる。If the light is projected forward by the projection lens 29, the space in front can be scanned by the light flux.
この多点発光光源28から基線長Bだけ離れた位置に半
導体装置検出器31が配置されている。A semiconductor device detector 31 is placed at a position separated from the multi-point light source 28 by a base line length B.
レンズ30は集光レンズである。Lens 30 is a condenser lens.
第5図は前記多点発光光源とこの多点発光光源を時分割
で点燈するためのドライバ回路の実施例を示す回路図で
ある。FIG. 5 is a circuit diagram showing an embodiment of the multi-point light emitting light source and a driver circuit for lighting the multi-point light emitting light source in a time-division manner.
第6図はドライバ回路のタイミングチャートである。FIG. 6 is a timing chart of the driver circuit.
ドライバ回路37にn個のクロックが入力するとリセッ
ト(REsET)が掛り、出力端子01から順に、On
まで時分割でHIGHの出力状態になる。この順番でト
ランジスタTr1〜Trnがオンになり、LEI)チッ
プρ1〜ρnが時分割で発光させられる。 。When n clocks are input to the driver circuit 37, a reset (REsET) is applied, and output terminals turn on in order from output terminal 01.
The output state becomes HIGH in a time-division manner. In this order, the transistors Tr1 to Trn are turned on, and the LEI) chips ρ1 to ρn are caused to emit light in a time-division manner. .
第4図に示すように光源の発光点は基線長Bに対して、
直角方向に並べられている。As shown in Figure 4, the light emitting point of the light source is relative to the base line length B.
arranged at right angles.
この発光点の配列の全長を4とする。The total length of this array of light emitting points is assumed to be 4.
これに対して半導体装置検出器31の一対の電極31a
、31bの配列方向は基線長方向であり、電極間隔をC
1電極の長さをWとする。On the other hand, a pair of electrodes 31a of the semiconductor device detector 31
, 31b is arranged in the base line length direction, and the electrode spacing is C.
Let W be the length of one electrode.
発光点の配列の全長lと電極の長さWの間には次の(3
)式の関係を与えておく。The following (3
) equation is given.
W>l ・・・(3)
これにより、総てのLEDチップの発光に原因する反射
は、総て半導体装置検出器31の有効受光面に到達する
。W>l (3) As a result, all the reflections caused by the light emission of all the LED chips reach the effective light receiving surface of the semiconductor device detector 31.
障害物までの最至近距離をLminとすると、(1)式
より、反射スポット光の最大移動距離x maxは(4
)式になる。If the closest distance to the obstacle is Lmin, then from equation (1), the maximum moving distance x max of the reflected spot light is (4
) becomes the formula.
xmax = (B−f ) /Lmin ・・・(4
)受光レンズ30によって、半導体装置検出器31の上
に集光された反射スポット光の径をdとする時、反射ス
ポット光が半導体装置検出器31の電極31a、31b
内からはずれないためには(5)式の条件を満たす必要
がある。xmax=(B-f)/Lmin...(4
) When the diameter of the reflected spot light focused on the semiconductor device detector 31 by the light receiving lens 30 is d, the reflected spot light is focused on the electrodes 31a and 31b of the semiconductor device detector 31.
In order to stay within the range, it is necessary to satisfy the condition of equation (5).
C≧2 x max + d −・151半導体装置検
出器31の出力電流は先に第2図と第3図に示した演算
装置と判別装置により処理される。C≧2 x max + d − ·151 The output current of the semiconductor device detector 31 is processed by the arithmetic device and discrimination device shown in FIGS. 2 and 3 above.
次にこの実施例センサの動作例を説明する。Next, an example of the operation of this embodiment sensor will be explained.
第5図に示すドライバ回路37にクロック信号が入力す
ると、光源28の発光点が時分割で順に点燈する。When a clock signal is input to the driver circuit 37 shown in FIG. 5, the light emitting points of the light source 28 are sequentially turned on in a time-division manner.
第7図に演算装置26の出力波形を示す。FIG. 7 shows the output waveform of the arithmetic unit 26.
クロック信号■および■が入力した時点では反射光電流
がゼロ状態であることを示している。言いかえれば、障
害物までの距離は無限遠である。次にクロック■、■、
■が入力した時、光源からのパルス光束が障害物に当り
、半導体装置検出器31から反射光電流が得られる。This indicates that the reflected photocurrent is in a zero state at the time when the clock signals (■) and (2) are input. In other words, the distance to the obstacle is infinite. Next, the clock ■, ■,
When (2) is input, the pulsed light flux from the light source hits the obstacle, and a reflected photocurrent is obtained from the semiconductor device detector 31.
クロック信号■、■、・・・、■が入力した時、反射光
電流は再びゼロ状態になる。When the clock signals ■, ■, . . . , ■ are input, the reflected photocurrent becomes zero again.
この出力波形Voutより次の3つの情報を得ることが
できる。The following three pieces of information can be obtained from this output waveform Vout.
■)クロック信号は検出視野をn分割していることにな
り、クロック信号の何番目からVout(i2/ i
1に相当する電圧)が立上がり、何番目で立下がるかで
、障害物の存在する方向を知ることができる。■) The clock signal divides the detection field of view into n, and from which position of the clock signal Vout(i2/i
The direction in which the obstacle exists can be determined by the number of times the voltage (corresponding to 1) rises and falls.
2)1)と同様の理由で、障害物の幅OWを知ることが
できる。2) For the same reason as 1), the width OW of the obstacle can be known.
3)出力演算値の振幅Voutの大きさにより、障害物
までの距離を知ることができる。3) The distance to the obstacle can be known from the magnitude of the amplitude Vout of the output calculation value.
すなわち(11,(21式より、出力演算値Voutは
障害物までの距離りによって決まる。That is, (11, (From equation 21, the output calculation value Vout is determined by the distance to the obstacle.
(発明の効果)
本発明による反射形の光電センサは、前方空間を光束で
走査するように構成しであるから、前方物体の距離、位
置、大きさ等の情報を得ることができる。(Effects of the Invention) Since the reflective photoelectric sensor according to the present invention is configured to scan the space in front with a light beam, it is possible to obtain information such as the distance, position, and size of the object in front.
第1図は、本発明による反射形光型センサの基本構成を
示す配置図であって、同図(A)は平面的配置図、同図
(B)は左側面配置図、同図(C)は回路のブロック図
である。
第2図は本発明による反射形光型センサの第1の実施例
を示すブロック図である。
第3図は本発明による反射形光型センサの半導体装置検
出器の演算装置の実施例を示すブロック図である。
第4図は本発明による反射形光型センサの第2の実施例
を示す斜視図である。
第5図は前記第2の実施例で使用する光源とそのドライ
バの実施例を示すブロック図である。
第6図は前記ドライバの動作を示すタイミングチャート
である。
第7図は出力信号波形の例を示す波形図である。
第8図は従来の反射形の光電センサを用いた障害物セン
サを示すブロック図である。
10・・・光束走査装置付き光源
11・・・検出対象物体
12・・・光電素子
13・・・光源駆動電源
14・・・光電変換素子出力処理回路
15・・・検出対象判別回路
17・・・発光ダイオード 18・・・投光レンズ19
・・・回転プリズム 20・・・障害物21・・・受光
レンズ
22・・・半導体装置検出器
23・・・LEDドライバ回路
24・・・駆動モータ
25・・・回転同期検出用センサ
26・・・演算装置
27・・・判別回路
28・・・光源
29・・・投光レンズ
30・・・受光レンズ
31・・・半導体装置検出器
33.34・・・信号成分抽出・増幅回路35・・・演
算回路
36・・・サンプルホールド回路
37・・・ドライバ回路
101・・・光源 102・・・投光レンズ103・・
・障害物 104・・・受光レンズ105・・・受光素
子 106・・・ドライバ回路特許出願人 浜松ホトニ
クス株式会社
代理人 弁理士 井 ノ ロ 壽
、+ 3 図FIG. 1 is a layout diagram showing the basic configuration of a reflective optical sensor according to the present invention, in which (A) is a planar layout diagram, (B) is a left side layout diagram, and (C ) is a block diagram of the circuit. FIG. 2 is a block diagram showing a first embodiment of the reflective optical sensor according to the present invention. FIG. 3 is a block diagram showing an embodiment of the arithmetic unit of the semiconductor device detector of the reflective optical sensor according to the present invention. FIG. 4 is a perspective view showing a second embodiment of the reflective optical sensor according to the present invention. FIG. 5 is a block diagram showing an embodiment of the light source and its driver used in the second embodiment. FIG. 6 is a timing chart showing the operation of the driver. FIG. 7 is a waveform diagram showing an example of an output signal waveform. FIG. 8 is a block diagram showing an obstacle sensor using a conventional reflective photoelectric sensor. 10... Light source with beam scanning device 11... Detection target object 12... Photoelectric element 13... Light source driving power supply 14... Photoelectric conversion element output processing circuit 15... Detection target discrimination circuit 17...・Light-emitting diode 18... Light emitting lens 19
... Rotating prism 20 ... Obstacle 21 ... Light receiving lens 22 ... Semiconductor device detector 23 ... LED driver circuit 24 ... Drive motor 25 ... Rotation synchronization detection sensor 26 ...・Arithmetic unit 27...Discrimination circuit 28...Light source 29...Light emitting lens 30...Light receiving lens 31...Semiconductor device detector 33.34...Signal component extraction/amplification circuit 35... - Arithmetic circuit 36...Sample hold circuit 37...Driver circuit 101...Light source 102...Light projection lens 103...
・Obstacle 104... Light-receiving lens 105... Light-receiving element 106... Driver circuit Patent applicant Hamamatsu Photonics Co., Ltd. Representative Patent attorney Hisashi Inoro + 3 Figure
Claims (1)
する光束走査装置付き光源と、前記光源を駆動する光源
駆動電源と、前記光源からの光束により走査された対象
からの反射光を光電変換する受光素子と、前記受光素子
の出力を前記光源駆動電源の駆動出力に同期し処理する
ことにより前方の空間のどの領域からの反射であるかを
判別する判別回路から構成した反射形光型センサ。 (2)前記光束走査装置付き光源は発光ダイオードと、
前記発光ダイオードの光束を平行光線に変換するレンズ
と、前記レンズの前方に配置され、前記光束を振動させ
る光学装置である特許請求の範囲第1項記載の反射形光
型センサ。 (3)前記受光素子は前記光束走査装置付き光源から一
定基線長離れた位置に基線方向に配置された1次元半導
体装置検出器である特許請求の範囲第2項記載の反射形
光型センサ。 (4)前記光束走査装置例き光源は線状に配置された多
数の発光素子と、前記発光素子の前方に配置された一つ
の平行光形成用のレンズがらなり、前記光源駆動電源に
より各発光素子が時分割的に点燈させられることにより
、前方の空間の一定の角度範囲を光束により走査する特
許請求の範囲第1項記載の反射形光型センサ。 (5)前記受光素子は前記光束走査装置付き光源の光学
走査面から一定基線長離れた位置に基線方向に配置され
た1次元半導体装置検出器であり位置検出方向に直角方
向の幅Wは前記多数の発光素子の両端間の距離4よりも
大きい特許請求の範囲第4項記載の反射形光型センサ。[Scope of Claims] [1] A light source with a beam scanning device that scans a predetermined angular range of space in front with a beam of light, a light source driving power source that drives the light source, and an object scanned by the beam of light from the light source. A light receiving element that photoelectrically converts reflected light from the light source, and a discrimination circuit that processes the output of the light receiving element in synchronization with the drive output of the light source driving power source to determine from which area in the space in front the light is reflected. Reflective optical sensor. (2) The light source with the beam scanning device includes a light emitting diode;
2. The reflective optical sensor according to claim 1, further comprising: a lens that converts the light flux of the light emitting diode into a parallel light beam; and an optical device disposed in front of the lens to vibrate the light flux. (3) The reflective optical sensor according to claim 2, wherein the light receiving element is a one-dimensional semiconductor device detector arranged in the baseline direction at a position a certain baseline length away from the light source with the beam scanning device. (4) The light source such as the light beam scanning device is composed of a large number of light emitting elements arranged in a line and one lens for forming parallel light arranged in front of the light emitting elements, and each light emitted by the light source driving power source is 2. The reflective optical sensor according to claim 1, wherein the light beam scans a predetermined angular range in the space in front of the device by lighting the elements in a time-divisional manner. (5) The light receiving element is a one-dimensional semiconductor device detector arranged in the baseline direction at a position a certain baseline length away from the optical scanning surface of the light source with the beam scanning device, and the width W in the direction perpendicular to the position detection direction is as described above. 5. The reflective optical sensor according to claim 4, wherein the distance between both ends of the plurality of light emitting elements is greater than 4.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59091501A JPH0627810B2 (en) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | Reflective photoelectric sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP59091501A JPH0627810B2 (en) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | Reflective photoelectric sensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPS60235083A true JPS60235083A (en) | 1985-11-21 |
JPH0627810B2 JPH0627810B2 (en) | 1994-04-13 |
Family
ID=14028154
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP59091501A Expired - Lifetime JPH0627810B2 (en) | 1984-05-08 | 1984-05-08 | Reflective photoelectric sensor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0627810B2 (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3709907A1 (en) * | 1986-03-26 | 1987-10-08 | Chinon Ind Inc | Rangefinder |
JPS63150372A (en) * | 1986-12-01 | 1988-06-23 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | Cathode ray tube |
JP2017003785A (en) * | 2015-06-11 | 2017-01-05 | 株式会社リコー | Optical scanner, object detector, and sensing device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS515052A (en) * | 1974-06-29 | 1976-01-16 | Omron Tateisi Electronics Co | |
JPS5596475A (en) * | 1979-01-19 | 1980-07-22 | Nissan Motor Co Ltd | Obstacle detector for vehicle |
JPS57172269A (en) * | 1981-04-17 | 1982-10-23 | Omron Tateisi Electronics Co | Limited reflection type photoelectric detector |
-
1984
- 1984-05-08 JP JP59091501A patent/JPH0627810B2/en not_active Expired - Lifetime
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JP2017003785A (en) * | 2015-06-11 | 2017-01-05 | 株式会社リコー | Optical scanner, object detector, and sensing device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0627810B2 (en) | 1994-04-13 |
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