JPS60229383A - Controller for semiconductor laser - Google Patents

Controller for semiconductor laser

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JPS60229383A
JPS60229383A JP59085517A JP8551784A JPS60229383A JP S60229383 A JPS60229383 A JP S60229383A JP 59085517 A JP59085517 A JP 59085517A JP 8551784 A JP8551784 A JP 8551784A JP S60229383 A JPS60229383 A JP S60229383A
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semiconductor laser
output
pulse
circuit
peak
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Kyosuke Yoshimoto
恭輔 吉本
Osamu Ito
修 伊藤
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    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/125—Optical beam sources therefor, e.g. laser control circuitry specially adapted for optical storage devices; Modulators, e.g. means for controlling the size or intensity of optical spots or optical traces
    • G11B7/126—Circuits, methods or arrangements for laser control or stabilisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
    • H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation

Abstract

PURPOSE:To prevent the change of a peak output entailing the temperature and change with time of quantization efficiency by detecting and holding the peak output at a time when a semiconductor laser is pulse-modulated on the starting of pulse modulation and positively feeding back and controlling subsequent modulated pulse amplitude by the detection and holding of the peak output. CONSTITUTION:An output from a semiconductor laser 1 is monitored by a photodetector 2. A bottom output from the laser 1 monitored by a peak detecting circuit 4 is compared with reference voltage by a comparison circuit 5, and fed back negatively to a semiconductor laser driving circuit 12 through an amplifier 6 and a clamping circuit 11. On the other hand, a peak output at a time when the semiconductor laser is pulse-modulated is holded by a sample holding circuit 7 only on the starting of pulse modulation. An amplitude control circuit 9 controls modulated pulse amplitude in response to a value obtained by subtracting bottom-output reference voltage from the holding value.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 この発明は半導体レーザの制御装置、とくに半導体レー
ザなパルス変調させた時のピーク出力の安定化に関する
ものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a control device for a semiconductor laser, and particularly to stabilization of peak output when pulse modulating a semiconductor laser.

〔従来技術〕[Prior art]

従来の半導体レーザの制御装置として、半導体レーザを
記録信号で直接変調し１回転する円盤状記録媒体に穴を
あけてゆくことにより、記録な行なう、追記型光ディス
ク装置における。半導体レーザの制御装置がある。A conventional write-once optical disk device is used as a control device for a semiconductor laser, which performs recording by directly modulating a semiconductor laser with a recording signal and drilling holes in a disk-shaped recording medium that rotates once. There is a control device for semiconductor lasers.

この代表的なもの同一出願人による出ｊｌＱ　（％軌昭
５７−３４９０３）がある。この従来例においては、半
導体レーザとともに、同一パッケージ中に装着された１
元検出器を使って、半導体レーザの出力を常時モニタし
、パルス変調しない時は、そのま＼の出力を、パルス変
調する時は、ボトム出力モニタ電圧をピーク検知回路ま
たはサンプルホールド回路を使って、取り出し規定のボ
トム出力に相当する基準電圧（ＶＢ）と比べて、半導体
レーザの駆動電流をフィードバック制御する構成となっ
ている。A representative example of this is published by the same applicant (%kisho 57-34903). In this conventional example, a semiconductor laser is mounted in the same package as the semiconductor laser.
The output of the semiconductor laser is constantly monitored using the original detector, and when pulse modulation is not performed, the output is as is, and when pulse modulation is performed, the bottom output monitor voltage is monitored using a peak detection circuit or sample hold circuit. The configuration is such that the drive current of the semiconductor laser is feedback-controlled by comparing it with a reference voltage (VB) corresponding to the bottom output specified for extraction.

しかしながら、上記構成では、パルス変調する時は、そ
のボトム出力側しか制御していないため。However, in the above configuration, only the bottom output side is controlled when performing pulse modulation.

ピーク出力が半導体レーザの特性の温度あるいは経年変
化の影響を受けて変動することになる。半導体レーザは
、この温度・経佐変化により１発振しきい値と、量子化
効率が大きく変化する。このうち発振しきい値の温度・
経年変化による半導体レーザの出力変化を最小限にする
ことが上記従来例の目的である。第１図は従来の半導体
レーザの制御装置の動作を説明するレーザ出力特性図で
あり、半導体レーザの駆動電流対半導体レーザ出力特性
を示したものである。図において矢印（Ｇ）は発振しき
い値の変化により半導体レーザ出力特性が曲線（Ａ）よ
り曲線（Ｂ）に変化したことを示す。また矢印０は量子
化効率の変化により上記特性が曲線（Ｂ）より破線で示
される曲線（Ｃ）Ｋ変化したことを示す。The peak output fluctuates due to the influence of temperature or secular changes in the characteristics of the semiconductor laser. In semiconductor lasers, the threshold value for one oscillation and the quantization efficiency change greatly due to changes in temperature and temperature. Of these, the oscillation threshold temperature and
The purpose of the above conventional example is to minimize changes in the output of the semiconductor laser due to aging. FIG. 1 is a laser output characteristic diagram illustrating the operation of a conventional semiconductor laser control device, and shows the semiconductor laser drive current versus semiconductor laser output characteristic. In the figure, an arrow (G) indicates that the semiconductor laser output characteristic has changed from curve (A) to curve (B) due to a change in the oscillation threshold. Further, arrow 0 indicates that the above characteristics have changed from curve (B) to curve (C) K shown by a broken line due to a change in quantization efficiency.

■　はボトム出力、ｖＰはパルス変調された時のピーク
出力ｗ　ＶＲは変調パルス振巾、ＲＬは半導体レーザの
負荷抵抗を示している。上記従来の半導体レーザの制御
装置では、半導体レーザ出力特性が曲線（Ａ）から曲線
（Ｂ）に変化した時に、半導体レーザの駆動電流を（、
）から（ｂ）に移動させることにより。(2) is the bottom output, vP is the peak output w when pulse modulated, VR is the modulation pulse amplitude, and RL is the load resistance of the semiconductor laser. In the conventional semiconductor laser control device described above, when the semiconductor laser output characteristic changes from curve (A) to curve (B), the drive current of the semiconductor laser is changed to (,
) by moving from (b).

ボトム出力を安定化し、かつ第１図に示されるように変
調パルス振幅（ｖＲ）が一定であっても量子化効率が変
化しない限り、ピーク出力の変化もまた最小限に押えら
れることを利用し１間接的にピーク出力の安定化もなさ
れていた。しかしながら量子化効率が変化すれば、変化
分に対応するだけピーク出力が変化することになる。By stabilizing the bottom output and taking advantage of the fact that as shown in Figure 1, even if the modulation pulse amplitude (vR) is constant, as long as the quantization efficiency does not change, the change in the peak output can also be suppressed to a minimum. 1) Peak output was also indirectly stabilized. However, if the quantization efficiency changes, the peak output will change by the amount corresponding to the change.

そこで、このような半導体レーザのピーク出力の制御を
フィードバック制御でやろうとすると。Therefore, if we try to control the peak output of such a semiconductor laser using feedback control.

パルス変調を開始する度に、引き込み動作が必要となり
、その整定時間はパルス変調する期間に比べて無視でき
ない大きさになる。また、整定時間を短かくしようとす
ると変調開始時にピーク出力が大きく変動するため１例
えば２元ディスク装置に用いた場合、良好な記録・再生
ができない等の問題が生じるため、上記整定時間を短か
くすることができなかった。Every time pulse modulation is started, a pull-in operation is required, and the settling time is not negligible compared to the pulse modulation period. In addition, if an attempt is made to shorten the settling time, the peak output will fluctuate greatly at the start of modulation.1For example, when used in a binary disk device, problems such as poor recording and playback will occur. I couldn't hide it.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、半導体レーザの出力を検出する光
検出手段、この光検出手段より上記半導体レーザのボト
ム出力を検知し、上記半導体レーザの駆動電流を制御す
る第１の手段、上記半導体レーザをパルス変調させた時
のピーク出力をパルス変調開始時に検知し、ホールドす
る検知ホールド回路、及びこの検知ホールド回路の出力
に従って、パルス変調開始時以後の上記半導体レーザの
変調パルス振幅をフィードフォワード制御する第２の手
段で、半導体レーザの制御装置を構成することＫより、
半導体レーザの量子化効率の温度・経年変化に伴うピー
ク出力の変化をも最小限にし、しかも短かい時間でピー
ク出力を安定化できるものを提供しようとするものであ
る。The present invention was made in order to eliminate the drawbacks of the conventional ones as described above, and includes a photodetecting means for detecting the output of the semiconductor laser, a bottom output of the semiconductor laser is detected by the photodetecting means, and the bottom output of the semiconductor laser is detected by the photodetecting means. A first means for controlling the drive current of the semiconductor laser, a detection and hold circuit that detects and holds the peak output when the semiconductor laser is pulse modulated at the start of pulse modulation, and a detection and hold circuit that detects and holds the peak output at the start of pulse modulation according to the output of this detection and hold circuit; From K, a semiconductor laser control device is constituted by a second means for feed-forward controlling the modulation pulse amplitude of the semiconductor laser.
The present invention aims to provide a semiconductor laser that can minimize changes in peak output due to changes in temperature and aging in the quantization efficiency of a semiconductor laser, and can stabilize the peak output in a short period of time.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第２
図はこの発明の一実施例による半導体レーザの制御装置
を示すブロック図であり１図において、（１１は半導体
レーザ、（２）は例えば半導体レーザＩｌｌと同一パッ
ケージに納められた光検知器、（３）は光検知器の出力
を所定の電圧レベ／Ｉ／に変換するプリアンプで、　＋
２１　、　＋３１により半導体レーザの出力を検知する
光検出手段を構成する。（４）はプリアンプ（３）の出
力のボトム出力側をピーク検知するビーク検知回路、（
５）はピーク検知した出力を規定のボトム出力基準電圧
（ＶＢ）と比較する比較回路、（６１は比較回路（５）
の出力を増幅する増幅回路、（７）は半導体レーザなパ
ルス変調させた時のプリアンプ（３）の出力のピーク出
力側を、パルス変調開始時にのみ、たとえば、２パルス
分、サンプルホールド検知するサンプルホールド回路、
（８）はサンプルホールド回路の出力から、規定のボト
ム出力基準電圧（Ｖ　）を引く差動回路、（９）はサン
プルホールド検知された出力に応じて、上記ノくルス変
調開始時以後の変調パルス振幅を変化させる振幅制御回
路。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. Second
The figure is a block diagram showing a semiconductor laser control device according to an embodiment of the present invention. In figure 1, (11 is a semiconductor laser, (2) is a photodetector housed in the same package as the semiconductor laser Ill, for example, 3) is a preamplifier that converts the output of the photodetector to a predetermined voltage level /I/, +
21 and +31 constitute a photodetecting means for detecting the output of the semiconductor laser. (4) is a peak detection circuit that detects the peak of the bottom output side of the output of the preamplifier (3);
5) is a comparison circuit that compares the peak detected output with a specified bottom output reference voltage (VB), (61 is a comparison circuit (5)
(7) is a sample that samples and holds the peak output side of the output of the preamplifier (3) when the semiconductor laser is pulse modulated, only at the start of pulse modulation, for example, for two pulses. hold circuit,
(8) is a differential circuit that subtracts a specified bottom output reference voltage (V) from the output of the sample and hold circuit, and (9) is a differential circuit that subtracts a specified bottom output reference voltage (V) from the output of the sample and hold circuit. Amplitude control circuit that changes pulse amplitude.

ＱＧは、パルス変調開始時を検出し、ノ＜ルス変調開始
時のみ、たとえば、２パルス分、サンプルするだめのサ
ンプルパルスを出すとともに、その間。The QG detects the start of pulse modulation, and outputs a sample pulse for two pulses only at the start of pulse modulation, and also outputs a sample pulse for two pulses during that time.

振幅制御回路（９）をリセットするタイミング回路。A timing circuit that resets the amplitude control circuit (9).

ｔ１υはボトム出力の制御バイヤスに変８１４ノ（ルス
を重畳するクランプ回路、ｆｉ邊は半導体レーザを駆動
する半導体レーザ駆動回路であり、　ｆ４ｔ　ｆ５）　
ｆｅ）　Ｑ＋）　Ｏｓ５により、半導体レーザのボトム
出力を検知し、半導体レーザのｙ＋：１動電流を制御す
る第１の手段を、（７１ｆｌｌＫより半導体レーザをパ
ルス変調させた時のピーク出力を変調開始時に検知し、
これをホールドする検知ホールド回路を、　（８１ｆ９
）　ｉｌｌ　ａυＱりにより、上記検知ホールド回路の
出力に従ってパルス変調開始時以後の半導体レーザの変
調パルス振幅をフィードフォワード制御する第２の手段
を構成する。t1υ changes to the control bias of the bottom output by 814 degrees (clamp circuit that superimposes the pulse, fi side is the semiconductor laser drive circuit that drives the semiconductor laser, f4t f5)
fe) Q+) Os5 detects the bottom output of the semiconductor laser, and the first means of controlling the y+:1 dynamic current of the semiconductor laser is started by modulating the peak output when pulse modulating the semiconductor laser from 71flK. sometimes detected,
The detection hold circuit that holds this is (81f9
) ill aυQ constitutes a second means for feedforward controlling the modulation pulse amplitude of the semiconductor laser after the start of pulse modulation according to the output of the detection hold circuit.

次に、動作について図に基づいて説明する。Next, the operation will be explained based on the drawings.

半導体レーザ１１１の出力は、常に１元検知器（２）で
モニタされ、プリアンプ（３）によって、所定のレベル
の電圧に変換される。このプリアンプの出力の半導体レ
ーザのボトム出力側を、ピーク検知回路＋４１　Ｋより
、常にピーク検知してモニターし、基準のボトム出力に
相当する基準電圧（ＶＢ）と比較回路（５）で比べて、
その是を増幅回路（６）で増幅して。The output of the semiconductor laser 111 is constantly monitored by a one-source detector (2) and converted to a voltage at a predetermined level by a preamplifier (3). The bottom output side of the semiconductor laser output from this preamplifier is constantly detected and monitored by the peak detection circuit +41K, and compared with the reference voltage (VB) corresponding to the standard bottom output using the comparison circuit (5).
Amplify this with the amplifier circuit (6).

クランプ回路ｆｌ１１を通して、半導体レーザ駆動回路
α２に、ネガティブフィードバックする。これにより、
半導体レーザのボトム出力モニタ電圧は常に。Negative feedback is provided to the semiconductor laser drive circuit α2 through the clamp circuit fl11. This results in
The bottom output monitor voltage of the semiconductor laser is always the same.

基準のボトム出力（ＶＢ）に維持され、半導体レーザの
ボトム出力が規定のボトム出力となる。変調のない場合
は、基準のボトム出力に等しい再生出力に維持される。The standard bottom output (VB) is maintained, and the bottom output of the semiconductor laser becomes the specified bottom output. In the absence of modulation, the playback output is maintained equal to the reference bottom output.

この時クランプ回路αＤは、このループには寄与してい
ない。ここまでは、従来の半導体レーザの制御装置に相
当する。第３図はこの発明の一実施例による半導体レー
ザの制御装置の動作を説明する波形図であり、この発明
では。At this time, the clamp circuit αD does not contribute to this loop. The configuration up to this point corresponds to a conventional semiconductor laser control device. FIG. 3 is a waveform diagram illustrating the operation of a semiconductor laser control device according to an embodiment of the present invention.

上記従来例に加えて、半導体レーザをパルス変調させた
時のプリアンプ（３）の出力のピーク出力側を。In addition to the conventional example above, here is the peak output side of the output of the preamplifier (3) when pulse modulating the semiconductor laser.

パルス変調開始時にのみ、たとえばはじめの２パルスの
間、サンプルホールド回路（７）でサンプルホールド検
知し、以後、このホールド値から、規定のボトム出力基
準電圧（ＶＢ）を引いた値に応じて。Only at the start of pulse modulation, for example during the first two pulses, the sample and hold circuit (7) performs sample and hold detection, and thereafter according to the value obtained by subtracting the prescribed bottom output reference voltage (VB) from this hold value.

振幅制御回路（９）により変調パルス椙幅を変化させる
。この時、パルス変調開始時を検知し、所定のパルス数
、たとえば２パルス間は、第３１ａ（Ｃ）のようなリセ
ット信号で振幅制御回路（９）をリセットするとともに
、第３図（ｂ）のようなその２パルスのピーク出力側を
サンプルするサンプルパルスを出すのが、タイミング回
路００である。また上記振幅制御回路（９）は、　ＩＩ
　３　（ｄ）のようにリセット時には半導体レーザのピ
ーク出力モニタ電圧が常温調彰時において規定のピーク
出力（ＶＰ）になるような変調パルス振幅（ｖＲ）を出
力するように調整されているものとする。制御された変
調パルスはクランプ回路ａυで、ボトム出力の制御バイ
ヤスに重畳される。The amplitude control circuit (9) changes the width of the modulated pulse. At this time, the start of pulse modulation is detected, and for a predetermined number of pulses, for example, between two pulses, the amplitude control circuit (9) is reset with a reset signal such as No. 31a (C), and the amplitude control circuit (9) is reset as shown in FIG. 3(b). The timing circuit 00 outputs a sample pulse that samples the peak output side of the two pulses. Further, the amplitude control circuit (9) is configured as follows: II
As shown in 3(d), when resetting, the peak output monitor voltage of the semiconductor laser is adjusted to output a modulated pulse amplitude (vR) such that it becomes the specified peak output (VP) at normal temperature control. do. The controlled modulation pulse is superimposed on the bottom output control bias in the clamp circuit aυ.

第４図はこの発明の一実施例による半導体レーザの制御
装置の動作を説明するレーザ出力特性図である。FIG. 4 is a laser output characteristic diagram illustrating the operation of a semiconductor laser control device according to an embodiment of the present invention.

上記のような構成の半導体レーザの制御装置を用いるこ
とにより、半導体レーザのピーク出力がどのよう釦制御
されるかを第３図及び第４図！により説明する。Figures 3 and 4 show how the peak output of the semiconductor laser is controlled with the button by using the semiconductor laser control device configured as described above! This is explained by:

今、第４図において、常温凋整時の半導体レーザの秘動
覚流対半導体レーザ出力特性が曲線（Ａ）のような特性
でおったとする。半導体レーザの駆動電流対レーザ出力
特性が曲線（Ａ）から変化しない限り、パルス変調開始
時、振幅制御回路がリセットされた状態において、半導
体レーザのピーク出力モニタ電圧はｚ　Ｖｐとなり、半
導体レーザのピーク出力は規定のピーク出力となる。し
かし、半導体レーザの特性の温度経年変化により、特性
が曲ｆｉｌ　（Ａ）から曲線（Ｂ）に変化したとすると
、半導体レーザのピークモニタ電圧はｒ　Ｖｐ　となり
、半導体レーザのピーク出力は、規定のピーク出力より
小さくなってしまう。Now, in FIG. 4, it is assumed that the hidden current of the semiconductor laser versus the semiconductor laser output characteristic when the semiconductor laser cools down to room temperature has a characteristic as shown by a curve (A). As long as the driving current vs. laser output characteristic of the semiconductor laser does not change from the curve (A), the peak output monitor voltage of the semiconductor laser will be z Vp when the amplitude control circuit is reset at the start of pulse modulation, and the peak output of the semiconductor laser will be z Vp. The output will be the specified peak output. However, if the characteristics of the semiconductor laser change from curve fil (A) to curve (B) due to changes in temperature over time, the peak monitor voltage of the semiconductor laser becomes r Vp, and the peak output of the semiconductor laser becomes equal to the specified value. The output will be smaller than the peak output.

そこで、この振幅制御回路がリセットされた状態におけ
る半導体レーザのピーク出力モニタ電圧（ｖＰ）をサン
プルホールドし、規定のボトム出力基準電圧（ＶＢ）と
の差Ｖ、、−ＶＢをめ、たとえば３パルス目から、変調
パルス振幅ｖＲをに変化させてやれば、第３図からもわ
かるように。Therefore, the peak output monitor voltage (vP) of the semiconductor laser in a state where this amplitude control circuit is reset is sampled and held, and the difference V, -VB from the specified bottom output reference voltage (VB) is calculated, for example, by 3 pulses. As can be seen from Figure 3, if the modulation pulse amplitude vR is changed visually.

半導体レーザのピーク出力モニタ電圧は■２となり、半
導体レーザのピーク出力は、規定のピーク出力となる。The peak output monitor voltage of the semiconductor laser becomes 2, and the peak output of the semiconductor laser becomes the specified peak output.

即ち振幅制御回路（９）は、差動回路（８）カラｖＰ−
ＶＢの電圧を受けて、リセットが第３図（Ｃ）のように
解除されると、第３図（ｄ）のように変調パルス振幅を
、■　からｖＲ’　ｆＣ変化させて、半Ｒ 導体レーザのピーク出力が規定の出力になるようフィー
ドフォワード制御する。That is, the amplitude control circuit (9) is connected to the differential circuit (8) color vP-
When the reset is released as shown in Fig. 3(C) in response to the voltage VB, the modulation pulse amplitude is changed from ■ to vR' fC as shown in Fig. 3(d), and the semi-R conductor laser Feedforward control is performed so that the peak output of the output becomes the specified output.

上記実施例の振幅制御回路（９）として、たとえば第５
図、第６図のような回路が考えられる。第５図および第
６図は、この発明の一実施例に係る振幅制御回路を示す
ブロック図である。As the amplitude control circuit (9) of the above embodiment, for example, the fifth
A circuit as shown in FIG. 6 is conceivable. FIG. 5 and FIG. 6 are block diagrams showing an amplitude control circuit according to an embodiment of the present invention.

第５図において、（！３はゲイン型増幅器であり。In FIG. 5, (!3 is a gain type amplifier.

Ａは を示している。この場合、変調パルスを直接ゲイン可変
型増＠器住１に入力して、　ＶＰ−ＶＢでゲインを可変
（ｖＰ−ＶＢで割算）することＫより。A indicates. In this case, input the modulated pulse directly to the variable gain amplifier @Kizumi 1 and vary the gain by VP-VB (divide by vP-VB).

変調パルス振幅を制御する。これは、構造は簡単であ・
るが、パルス波形を歪ませない周波数特性の良いゲイン
可変型増幅器が必要となり、コスト面で問題がある。第
６図に示したのは、その改良型であり、　０３は同じく
ゲイン可変型増幅器、α４はクリップ回路である。一定
の電圧（ｖＲＥＦ）を、ゲイン可変型増幅器（１３に入
力し、ゲインをＶｐ　Ｖ　ｓで制御して。Control the modulation pulse amplitude. This has a simple structure.
However, this requires a variable gain amplifier with good frequency characteristics that does not distort the pulse waveform, which poses a problem in terms of cost. The one shown in FIG. 6 is an improved version of the same, in which 03 is also a variable gain amplifier and α4 is a clip circuit. A constant voltage (vREF) is input to a variable gain amplifier (13), and the gain is controlled by VpVs.

を得、クリップ回路ａ４によりこの電圧で、変調パルス
の振幅を制限してやる。この方法によれば。is obtained, and the amplitude of the modulation pulse is limited by this voltage using the clip circuit a4. According to this method.

ゲイン可変型増幅器も３の中をパルス信号が通らないた
め、たとえば２パルス目から３パルス目の間に、Ｖ　−
Ｖ　を受けて、直流電圧ｖＲを得るだＢ けの周波数特性があれば十分であり、パルス振幅を直接
制御する方は、安価で周波数特性の良いクリップ回路が
使えるという利点がある。周波数特性がゆるくなる分だ
け、安価で精度の高いゲイン可変型増幅器を採用できる
という利点もある。Since the pulse signal does not pass through variable gain amplifier 3, for example, between the second and third pulses, V -
It is sufficient to have the frequency characteristic B to receive the DC voltage vR in response to V, and directly controlling the pulse amplitude has the advantage that a clip circuit with good frequency characteristics can be used at low cost. There is also the advantage that an inexpensive and highly accurate variable gain amplifier can be used to compensate for the looser frequency characteristics.

これまでの説明では、２パルスを使ってサンプルホール
ド電圧を得てきたが、サンプルホールド回路（７）の周
波数特性が良ければ、１パルスのみでも充分であり、ま
た、半導体レーザなパルス変調することによる温度上昇
の安定化するまでの間サンプルパルスを出しつづけても
よい。In the explanation so far, we have used two pulses to obtain the sample-and-hold voltage, but if the frequency characteristics of the sample-and-hold circuit (7) are good, one pulse is sufficient, and it is also possible to use pulse modulation with a semiconductor laser. Sample pulses may be continued until the temperature rise stabilizes.

また上記実施例では、サンプルホールド回路（７）とタ
イミング回路ＱＩＫよりピーク出力をパルス変調開始時
にサンプルホールドしていたが、単にピーク出力をパル
ス変調開始時に検知し、ホールドするようにしてもよい
。Further, in the above embodiment, the peak output is sampled and held by the sample and hold circuit (7) and the timing circuit QIK at the start of pulse modulation, but the peak output may be simply detected and held at the start of pulse modulation.

また、上記半導体レーザの制御装置は前述の元ディスク
装置に用いる他１元レーザカード等に用いても信頼性の
高いものが実現できる。Further, the semiconductor laser control device described above can be used not only in the above-mentioned original disk device but also in a one-source laser card or the like, and can be realized with high reliability.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上のように、この発明によれば半導体レーザの出力を
検出する光検出手段、この光検出手段より上記半導体レ
ーザのボトム出力を検知し、上記半導体レーザの駆動電
流を制御する第１の手段。As described above, according to the present invention, there is provided a photodetecting means for detecting the output of a semiconductor laser, and a first means for controlling the drive current of the semiconductor laser by detecting the bottom output of the semiconductor laser from the photodetecting means.

上記半導体レーザをパルス変調させた時のピーク出力を
パルス変調開始時に検知し、ホールドする検知ホールド
回路、及びこの検知ホールド回路の出力に従って、パル
ス変調開始時以後の上記半導体レーザの変調パルス振幅
をフィードフォワード制御する第２の手段で半導体レー
ザの制御装置を構成したので、半導体レーザをパルス変
調させた時のピーク出力を短時間（たとえば２パルスの
間）で制御し安定化できる。A detection and hold circuit detects and holds the peak output when the semiconductor laser is pulse modulated at the start of pulse modulation, and feeds the modulation pulse amplitude of the semiconductor laser after the start of pulse modulation according to the output of this detection and hold circuit. Since the semiconductor laser control device is configured with the second forward control means, the peak output when pulse modulating the semiconductor laser can be controlled and stabilized in a short period of time (for example, between two pulses).

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図は従来の半導体レーザの制御装置の動作を説明す
るレーザ出力特性図、第２図はこの発明の一実施例によ
る半導体レーザの制御装置を示すブロック図、第３図お
よび第４図は各々この発明の一実施例による半導体レー
ザの制御装置の動作を説明する波形図およびレーザ出力
特性図、第５図および第６図はそれぞれこの発明の一実
施例に係る振幅制御回路を示すブロック図である。 図において、（ｌ）は光導体レーザ、（２）は光検知？
）。 （３）はプリアンプ、（４）はピーク検知回路、（５）
は比較回路、（６）は増幅回路、（７）はサンプルホー
ルド回路。 （８）は差動回路、（９）は振幅制御回路、閥はタイミ
ング回路、αＤはクランプ回路、ａδは半導体レーザ駆
動回路であり、　＋２１　＋３）により光検出手段を、
　＋４１　ｆｉｌ　＋６１ａｎ　ａｅにより第１の手段
を、＋７）ｆｉｌにより検知ホールド回路を、　＋８１
　＋９）　ｆｌｌ　Ｔｉυ０２により第２の手段を構成
する。 なお９図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 べ 順ε ヘリさ 手続補正書（自発） ｂ９　ｊ：　１３ 昭和　年　月　日 持許庁長宮殿 １、事件の表示　特願昭５９−０８５５１７号３、補正
をする者 代表者片山仁へ部 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 〜゛＼ （）・− ６、補正の内容 （１１明細書第６頁第１７行及び第９頁第５行にそれぞ
れ「バイヤス」とちるのを「バイアス」Ｋ訂正する。 （２）同第】０頁第４行の「ピークモニタ電圧Ｊを「ピ
ーク出力モニタ電圧ＪＫ訂正する。 （３）同第１０頁Ｍ１３行の「第３図Ｊを「第４図ＪＫ
訂正する。 （４）同第１１頁第８行の「ゲイン型増幅器」を「ゲイ
ン可変型増幅器Ｊに訂正する。 （５）同第１３頁第６行の「検知し」を「ピーク検知し
」に訂正する。 以上FIG. 1 is a laser output characteristic diagram explaining the operation of a conventional semiconductor laser control device, FIG. 2 is a block diagram showing a semiconductor laser control device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 3 and 4 are A waveform diagram and a laser output characteristic diagram each explaining the operation of a semiconductor laser control device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 5 and 6 are block diagrams showing an amplitude control circuit according to an embodiment of the present invention, respectively. It is. In the figure, (l) is a light guide laser, and (2) is a photodetector?
). (3) is a preamplifier, (4) is a peak detection circuit, (5)
is a comparison circuit, (6) is an amplifier circuit, and (7) is a sample and hold circuit. (8) is a differential circuit, (9) is an amplitude control circuit, terminal is a timing circuit, αD is a clamp circuit, and aδ is a semiconductor laser drive circuit.
+41 fil +61an ae for the first means, +7) fil for the detection hold circuit, +81
+9) fll Tiυ02 constitutes the second means. In addition, in FIG. 9, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts. Be order ε Written amendment to the helical procedure (voluntary) b9 j: 13 Showa year, month, day of the Office of the Director-General's Palace 1, Indication of the case: Patent Application No. 59-085517 3, To Hitoshi Katayama, representative of the person making the amendment, Part 5; Column for detailed explanation of the invention in the specification subject to amendment ~゛\ ()・- 6. Contents of the amendment (11 The word "bias" should be written in the 11th specification, page 6, line 17, and page 9, line 5, respectively) "Bias" K is corrected. (2) "Peak monitor voltage J" on page 0, line 4 of the same page is corrected to "peak output monitor voltage JK." (3) "Figure 3 "Figure 4 JK
correct. (4) Correct “gain type amplifier” in line 8 of page 11 to “variable gain amplifier J.” (5) Correct “detect” in line 6 of page 13 to “peak detect”. do. that's all

Claims (1)

【特許請求の範囲】 半導体レーザの出力を検出する光検出手段、この光検出
手段より上記半導体レーザのボトム出力を検知し、上記
半導体レーザの駆動電流を制御する第１の手段、上記半
導体レーザをパルス変調させた時のピーク出力をパルス
変調開始時に検知し。 ホールドする検知ホールド回路、及びこの検知ホールド
回路の出力に従って、上記パルス変調開始時以後の上記
半導体レーザの変調パルス振幅をフィードフォワード制
御する第２の手段を備えた半導体レーザの制御装置。[Scope of Claims] A photodetecting means for detecting the output of the semiconductor laser, a first means for detecting the bottom output of the semiconductor laser from the photodetecting means and controlling a drive current of the semiconductor laser, a first means for controlling the drive current of the semiconductor laser; The peak output during pulse modulation is detected at the start of pulse modulation. A semiconductor laser control device comprising: a detection hold circuit for holding; and second means for feedforward controlling the amplitude of the modulated pulse of the semiconductor laser after the start of the pulse modulation according to the output of the detection hold circuit.
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