JPS60220348A - Position detector of optical element - Google Patents

Position detector of optical element

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JPS60220348A
JPS60220348A JP59075843A JP7584384A JPS60220348A JP S60220348 A JPS60220348 A JP S60220348A JP 59075843 A JP59075843 A JP 59075843A JP 7584384 A JP7584384 A JP 7584384A JP S60220348 A JPS60220348 A JP S60220348A
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light
wafer
mask
mirror
detecting
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Yoichi Kuroki
黒木 洋一
Ryozo Hiraga
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Abstract

PURPOSE:To improve the positioning precision between a mask and a wafer by arranging a position detector on an optical path, where the optical signal from a matching mark is detected, to detect the extent of deviation of an optical element on the optical axis. CONSTITUTION:A photoelectric detector 19 has two light receiving faces 29 and 30 in the center part and has a circular light receiving face 28 in the peripheral part. If a mirror 5 is placed in a regular position, a light (h) reflected directly on a wafer 2 passes an aperture 20a and is made incident on two light receiving faces 29 and 30 equally. A mask 1 and the wafer 2 are positioned after positioning of the mirror 5 is terminated, and a matching mark M consisting of downward opening bar-shaped patterns 21-24 is formed on the wafer 2, and a matching mark M' consisting of similar patterns 25 and 26 is formed on the mask 2. Marks M and M' are scanned along a scan axis C by a laser beam to move a moving stage 12, thus matching the mask 1 and the wafer 2.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、マスクとウェハの相対的な位置合わせ装置に
使用される整合用マークの検出用または観察用の光学素
子の位置を検出するための装置に関する。
Detailed Description of the Invention [Technical Field] The present invention relates to a device for detecting the position of an optical element for detecting or observing alignment marks used in a device for relative alignment of a mask and a wafer. .

〔従来技術〕[Prior art]

第1図は、従来のマスク及びウェハの位置合わせ装置で
使用される、マスク及びウェハの観察用光学系の一例で
ある。同図で、マスクlとウエノ12を位置合わせしよ
うとする場合には、レーザ光源11から出たレーザビー
ムLを、スキャン用ポリゴンミラー10.ハーフミラ−
9,対物レンズ8、ミラー5を介してマスクlに入射す
る。この光は投影レンズ3を経てウニ/% j2上で反
射され、再びミラー5.対物レンズ8.ノへ−フミラー
9゜ストッパー17(第5図に示す)を経て光電検出器
16に入射する。ウェハ2及びマスクl上のレーザビー
ムの光路上には第3図に示すような整合用のマークM、
FWがある。このマークM 、 M’からの信号を光電
検出器16で検出し、プリアンプ15で増幅し、演算装
置14でウエノz lとマスク2のずれ量をめる。該ず
れ量に基づき、ドライツク−18を介して移動ステージ
■2を動かし、マスクlとウェハ2を整合させるわけで
ある。このようにしてウェハ1及びマスク2の位置が合
ったならば、次に露光用照明装置4のシャッター(不図
示)を開き、露光するのである。
FIG. 1 is an example of an optical system for observing masks and wafers used in a conventional mask and wafer alignment apparatus. In the same figure, when attempting to align the mask l and the wafer 12, the laser beam L emitted from the laser light source 11 is directed to the scanning polygon mirror 10. half mirror
9, enters the mask l via the objective lens 8 and mirror 5. This light passes through the projection lens 3, is reflected on the sea urchin/% j2, and is again reflected on the mirror 5. Objective lens8. The light enters a photodetector 16 via a nozzle mirror 9° stopper 17 (shown in FIG. 5). On the optical path of the laser beam on the wafer 2 and the mask l, there are alignment marks M as shown in FIG.
There is a forward. Signals from the marks M and M' are detected by a photoelectric detector 16, amplified by a preamplifier 15, and the amount of deviation between the mask 2 and the mask 2 is calculated by an arithmetic unit 14. Based on the amount of deviation, the moving stage 2 is moved via the dry rack 18 to align the mask 1 and the wafer 2. Once the wafer 1 and the mask 2 are aligned in this manner, the shutter (not shown) of the exposure illumination device 4 is opened to perform exposure.

この時、ミラー5が位置aにあると、ミラー5の影がマ
スク1上に出来、マスク1上に焼付られない部分又は照
度むらが発生する。このため、露光に先だって、ミラー
5を焼付光の当らない位置すへ移動する必要がある。そ
して、焼付が終ったなら、再び次の焼付のための位置合
わせな行なうべく、ミラー5を位置aへもどす。この位
置aの再現性は重要で、ミラー5のわずかの傾きの狂い
によってもレーザビームの入射経路が変わり、マスクl
とウェハ2のずれ量の測定に誤差を与える。
At this time, if the mirror 5 is at position a, a shadow of the mirror 5 will be formed on the mask 1, causing unprinted areas or uneven illuminance on the mask 1. Therefore, prior to exposure, it is necessary to move the mirror 5 to a position where it is not exposed to the printing light. When the printing is completed, the mirror 5 is returned to position a for alignment for the next printing. The reproducibility of this position a is important; even a slight deviation in the tilt of the mirror 5 will change the incident path of the laser beam, causing the mask l
This gives an error to the measurement of the amount of deviation of the wafer 2.

従来このようなミラー5等の光学素子の駆動は、フォト
スイッチ(不図示)による位置検出、又はパルスモータ
7等によるオープンループの制御によって行なわれてい
た。
Conventionally, such optical elements such as the mirror 5 have been driven by position detection using a photoswitch (not shown) or open loop control using a pulse motor 7 or the like.

しかし、このような制御では、振動、ガタ等に対する機
械的及び経時的な安定性に乏しいこと精度の高いフォト
スイッチを得るのが困難なこと、更には装置の組立て時
に非常に精密な調整を必要とすること等の問題点があっ
た。
However, this type of control suffers from poor mechanical and temporal stability against vibrations, backlash, etc., difficulty in obtaining highly accurate photoswitches, and the need for extremely precise adjustments when assembling the device. There were problems such as:

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、上記問題点を解消し、前記光学素子の
安定した位置再現性を得ることができ、マスクとウニへ
の位置合わせ精度を向上する゛ことを可能とする、前記
光学素子の位置検出装置を提供することにある。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, to obtain stable position reproducibility of the optical element, and to improve the accuracy of alignment between the mask and the sea urchin. An object of the present invention is to provide a position detection device.

上記目的を達成するために、本発明に係る位置検出装置
は、マスクとウェハの相対的な位置合わせを行なうため
に使用される整合用マークを検出または観察するための
光学系に使用されているミラー等の光学素子の位置を検
出する検出装置であって、前記整合用マークからの光信
号を検出するための光路中に配設されたことを特徴とす
るものであり、ひとつの検出装置で前記整合用マーク及
び前記光学素子の双方の位置検出を行なえるようにした
ものである。
In order to achieve the above object, a position detection device according to the present invention is used in an optical system for detecting or observing alignment marks used for relative alignment of a mask and a wafer. A detection device for detecting the position of an optical element such as a mirror, characterized in that it is disposed in an optical path for detecting an optical signal from the alignment mark, and is a single detection device. The position of both the alignment mark and the optical element can be detected.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第2図は、本発明の一実施例を適用したマスク及びウェ
ハの位置合わせ装置の概略構成図である。
FIG. 2 is a schematic diagram of a mask and wafer alignment apparatus to which an embodiment of the present invention is applied.

ここでは、第1図の光電検出器16の代わりに、本実施
例に係る光電検出器19を取付けである。
Here, a photoelectric detector 19 according to this embodiment is installed in place of the photoelectric detector 16 in FIG.

すなわち、マスクl及びウェハ2上の整合用マークから
の反射光を検出するための光路P中に、光電検出器19
を配設したものである。
That is, in the optical path P for detecting the reflected light from the alignment marks on the mask l and the wafer 2, the photoelectric detector 19
is arranged.

光電検出器19は、第7図に示すように、中央部に2つ
の受光面29,80を有し、その周辺部に円状の受光面
28を有している。受光面28゜29.80は各々独立
した構成とする。更に光電検出器19は、受光面28.
29.30の各々の受光量に対応した電気信号を独立に
取出すための電極81.32.33と、バイアス用の電
極34とを有する。
As shown in FIG. 7, the photoelectric detector 19 has two light-receiving surfaces 29 and 80 at the center and a circular light-receiving surface 28 at the periphery thereof. The light receiving surfaces 28°29.80 are each constructed independently. Furthermore, the photoelectric detector 19 has a light receiving surface 28 .
It has electrodes 81, 32, 33 for independently extracting electric signals corresponding to the amount of received light of each of 29, 30, and a bias electrode 34.

また第2図では、第5図に示したストッパー17の代わ
りに、第8図に示すようなストッパー20を用いている
。ストッパー20は、中央部にひとつの開口20aを有
し、周辺部に複数の開口20bを有する。
Further, in FIG. 2, a stopper 20 as shown in FIG. 8 is used instead of the stopper 17 shown in FIG. 5. The stopper 20 has one opening 20a in the center and a plurality of openings 20b in the periphery.

上記光電検出器19の各電極31.32.33はプリア
ンプ18に接続される。プリアンプ18は、光電検出器
19の各受光面28.29.30の光電流を各々独立に
電流電圧変換し、受光面28゜29.30の受光量に対
応した電気信号8617゜38を、演算回路39に伝え
る。
Each electrode 31 , 32 , 33 of the photoelectric detector 19 is connected to a preamplifier 18 . The preamplifier 18 independently converts the photocurrents of the light receiving surfaces 28, 29, and 30 of the photoelectric detector 19 into currents and voltages, and calculates an electric signal 8617° 38 corresponding to the amount of light received by the light receiving surfaces 28° 29, 30. It is transmitted to circuit 39.

ここで、ミラー5の位置決め幾行なうための信号検出系
について説明する。第8図に示したように、ストッパー
20の中央部には開口20aが形成されている。従って
、ミラー5が正規の位置にある場合には、ウェハ2で直
接反射した光りは開口20aを通過し、第9図に示すよ
うに光電検出器19の中央の2つの受光面29.30に
均等に入射する。この状態では、光電検出器19の電極
32.33には、等しい光電流が発生している。
Here, a signal detection system for positioning the mirror 5 will be explained. As shown in FIG. 8, an opening 20a is formed in the center of the stopper 20. Therefore, when the mirror 5 is in the correct position, the light directly reflected by the wafer 2 passes through the aperture 20a and hits the two central light receiving surfaces 29 and 30 of the photoelectric detector 19 as shown in FIG. incident evenly. In this state, equal photocurrents are generated in the electrodes 32, 33 of the photodetector 19.

従ってプリアンプ18の出力37.88(第7図の受光
面29.80に対応)も等しい値となる。
Therefore, the output 37.88 of the preamplifier 18 (corresponding to the light receiving surface 29.80 in FIG. 7) also has the same value.

この場合には、演算回路89はドライバー40に対して
何の指示も与えないため、ミラー5は適正な位置を維持
する。
In this case, the arithmetic circuit 89 does not give any instructions to the driver 40, so the mirror 5 maintains its proper position.

一方ミラー5が、第2図の正規の位置aかられずかに矢
印iで示す方向にずれたとする。すると光電検出器19
の受光面29.80に当る先りは、第10図に示す様に
ずれる。この時、光電検出器19の受光面29及び80
で検出される光量は不均等となり、光電検出器19の電
極32.38に現われる光電流も該光量に対応して不均
等となる。
On the other hand, suppose that the mirror 5 slightly deviates from the normal position a in FIG. 2 in the direction indicated by the arrow i. Then the photoelectric detector 19
The tip of the light-receiving surface 29.80 is shifted as shown in FIG. At this time, the light receiving surfaces 29 and 80 of the photoelectric detector 19
The amount of light detected by the photodetector 19 becomes uneven, and the photocurrent appearing at the electrodes 32, 38 of the photoelectric detector 19 also becomes uneven corresponding to the amount of light.

従って、プリアンプ18で出力される電気信号37゜・
38も不均等となる。演算回路14はプリアンプの電気
信号3’7.38の大小を比較することにより、ミラー
5のずれている方向を知る。そして電気信号37.38
が等しくなるまで、ドライバー40を介してパルスモー
タ7を回転し、ミラー5の位置を修正する。
Therefore, the electrical signal output from the preamplifier 18 is 37°.
38 is also unequal. The arithmetic circuit 14 determines the direction in which the mirror 5 is displaced by comparing the magnitudes of the electric signals 3', 7, and 38 of the preamplifier. and electrical signal 37.38
The position of the mirror 5 is corrected by rotating the pulse motor 7 via the driver 40 until the values become equal.

次に、上記ミラー5の位置決めが終了後、マスクlとウ
ェハ2との位置合わせを行なうための信号検出系につい
て説明する。第2図の装置において、ウェハ2上には第
3図(1)に示す様なハの字形のパターン21.22.
28.24より成る整合用マークMが形成されている。
Next, a signal detection system for aligning the mask l and the wafer 2 after the mirror 5 has been positioned will be described. In the apparatus shown in FIG. 2, V-shaped patterns 21, 22, . . . are formed on the wafer 2 as shown in FIG.
An alignment mark M consisting of 28.24 is formed.

また、マスク2上には第8図(11)の様なハの字形の
パターン25.26より成る整合用マークM′が形成さ
れている。レーザビームでこれらのマーク(M、M’)
の」二を、スキャン軸Cにそってスキャンし1上記マ一
クM。
Also, on the mask 2, alignment marks M' consisting of V-shaped patterns 25 and 26 as shown in FIG. 8 (11) are formed. These marks (M, M') with laser beam
2 along the scan axis C and 1 the above-mentioned mark M.

M′が第8図曲)のような位置関係となるように移動ス
テージ12を動かし、マスクlとウエノh2の整合をと
るわけである。ここで、マスクl又はウェハ2上の各々
のマークM 、 M’に当ったレーザビームは、第4図
に示すように散乱され、散乱光d〜gとなる。この散乱
光d−gは、ストッパー20の周辺部の開口20bを通
過して、第9図に示すように、光電検出器16の受光面
28で暗視野検出される。(該暗視野検出に関しては、
第1図の従来の装置においても同様に行なわれ、散乱光
d〜gはストッパー17を介して、第6図に示すように
光電検出器16の受光面16aで暗視野検出される。)
検出された散乱光d−gはプリアンプ18で増幅され、
電気信号36として演算回路89に導かれる。演算回路
89は、電気信号86から、マスクlとウエノX2との
ずれ量をめる。ドライバー13が該ずれ量に基づき移動
ステージ12を動かし、マスクlとウエノ12とを整合
させる。
The movable stage 12 is moved so that M' is in the positional relationship as shown in Figure 8), thereby aligning the mask l and the wafer h2. Here, the laser beam hitting each mark M, M' on the mask l or the wafer 2 is scattered as shown in FIG. 4, and becomes scattered lights d to g. This scattered light dg passes through the opening 20b at the periphery of the stopper 20 and is detected in a dark field by the light receiving surface 28 of the photoelectric detector 16, as shown in FIG. (Regarding the dark field detection,
The conventional apparatus shown in FIG. 1 performs the same process, and the scattered lights d to g are detected in a dark field by the light receiving surface 16a of the photoelectric detector 16 via the stopper 17, as shown in FIG. )
The detected scattered light dg is amplified by a preamplifier 18,
The signal is guided to an arithmetic circuit 89 as an electrical signal 36. The arithmetic circuit 89 calculates the amount of deviation between the mask l and the wet cloth X2 from the electric signal 86. The driver 13 moves the moving stage 12 based on the amount of deviation to align the mask l and the wafer 12.

上述したようにして、ミラー5の位置決めならびにマス
クlとウェハ2との位置合わせが完了した後、ミラー5
を位置aから位置bK戻して、露光用照明装置4のシャ
ッター(不図示)を開き、露光を開始することになる。
After the positioning of the mirror 5 and the alignment between the mask l and the wafer 2 are completed as described above, the mirror 5 is
is returned from position a to position bK, the shutter (not shown) of the exposure illumination device 4 is opened, and exposure is started.

なお前記実施例で、光電検出器19の中央の受光面29
.30は2分割に限ったことではない。
In the above embodiment, the central light receiving surface 29 of the photoelectric detector 19
.. 30 is not limited to dividing into two.

第11図に他の実施例を示す。これは、受光面を更に2
分割して4つの受光面50.51.52゜53を形成し
たものである。このようにすれば、更にも5−軸方向に
ついて、ミラー5のずれ量を測定出来る。更に、受光面
29.80等はフォトダイオードの様な光電検出素子の
みでなく、光電型のポジションセンサーのような、少な
くとも1次元方向の光の入射位置を検出する素子であっ
てもかまわない。
FIG. 11 shows another embodiment. This further increases the light receiving surface by 2
It is divided into four light-receiving surfaces 50, 51, 52, and 53. In this way, it is possible to measure the amount of deviation of the mirror 5 in the 5-axis direction. Further, the light receiving surfaces 29, 80, etc. may be not only photoelectric detection elements such as photodiodes, but also elements that detect the incident position of light in at least one dimension, such as a photoelectric position sensor.

第12図に更に他の実施例を示す。これは、中央部に直
接反射光を検知するための受光面を特に設けていない。
FIG. 12 shows still another embodiment. This does not have a light-receiving surface in the center for directly detecting reflected light.

その代わりに、前述したような整合用マークからの散乱
光を暗視野検出するための受光面を4分割して、4つの
受光面60.61゜62.63を形成したものである。
Instead, the light-receiving surface for dark-field detection of the scattered light from the alignment mark as described above is divided into four to form four light-receiving surfaces 60.61° and 62.63°.

各受光面60〜63の受光量に対応した信号が独立に取
出せるように不図示の電極が設けてあ、る。またここで
は、第5図に示したような、周辺部にのみ開口を持つス
トッパーを使用する。従って本実施例では、各受光面6
0〜63の光量バランスをめることによって、前記実施
例と同様にして、第2図のミラー5の位置検出を行なう
ことかできる。ただしこの場合、受光面60〜68に入
射する光は全て整合用マークからの散乱光であるので、
ミラー5の位置を制御しようとする時に、この散乱光が
受光面内に完全に入っていること、すなわち第2図の対
物レンズ8の視野内に上記整合用マークが入っている状
態であることが必要である。
Electrodes (not shown) are provided so that signals corresponding to the amount of light received by each of the light receiving surfaces 60 to 63 can be independently extracted. Further, here, a stopper having an opening only at the periphery as shown in FIG. 5 is used. Therefore, in this embodiment, each light receiving surface 6
By adjusting the light quantity balance between 0 and 63, the position of the mirror 5 shown in FIG. 2 can be detected in the same manner as in the previous embodiment. However, in this case, all the light incident on the light receiving surfaces 60 to 68 is scattered light from the alignment marks, so
When trying to control the position of the mirror 5, this scattered light must be completely within the light-receiving surface, that is, the alignment mark must be within the field of view of the objective lens 8 in FIG. is necessary.

この点、前記第9〜第11図に示した実施例では整合用
マークからの散乱光とウェハ又はマスクからの直接反射
光とを同一光軸上で検出出来る様にした光電検出器を用
いているので、ミラー5の位置を検出するにあたり、対
物レンズの視野内に前記整合用のマークが入っている必
要はなくなりウェハ又はマスク面上からの直接反射光さ
え検出出来れば、任意の時に前記ミラー5の精密位置制
御が出来る。
In this regard, in the embodiments shown in FIGS. 9 to 11 above, a photoelectric detector is used that can detect the scattered light from the alignment mark and the directly reflected light from the wafer or mask on the same optical axis. Therefore, when detecting the position of the mirror 5, there is no need for the alignment mark to be within the field of view of the objective lens, and as long as the direct reflected light from the wafer or mask surface can be detected, the mirror 5 can be detected at any time. 5 precision position control is possible.

なお、前述した各実施例では、位置検出すべき光学素子
として特にミラーを挙げたが、これに限定されることは
なく、レンズ等の位置検出にも本発明を適用し得るもの
である。
In each of the above-described embodiments, a mirror is particularly used as an optical element whose position should be detected, but the present invention is not limited to this, and the present invention can also be applied to detecting the position of a lens or the like.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明に係る位置検出装置は、整
合用マークからの光信号を検出するための光路上に配設
されることにより、該光軸上で光学素子のずれ量を検知
することを可能としたものである。そのため、光学素子
の位置を検出するための光路と、該位置検出に基づいた
上記光学素子の位置決め後に、実際に整合用マークを検
知するための光路との間に、全く誤差が生じない。従っ
て、上記光学素子の非常に安定した位置再現性を得るこ
とができると同時に、マスクとウェハの位置合わせ精度
を非常に高めることができる。更には、位置合わせ装置
の組立て調整あるいは保守等においても、従来要求され
たような極めて精密な調整は不要となり、また上記光学
素子の位置検出のための新たな光路及び光学素子等を特
に設ける必要のない、構成が簡単で安定した位置合わせ
装置を実現できるという非常に優れた効果を奏するもの
である。
As explained above, the position detection device according to the present invention detects the amount of deviation of an optical element on the optical axis by being disposed on the optical path for detecting the optical signal from the alignment mark. This made it possible. Therefore, no error occurs between the optical path for detecting the position of the optical element and the optical path for actually detecting the alignment mark after positioning the optical element based on the position detection. Therefore, it is possible to obtain extremely stable positional reproducibility of the optical element, and at the same time, it is possible to greatly improve the alignment accuracy between the mask and the wafer. Furthermore, when assembling and adjusting or maintaining the positioning device, extremely precise adjustments that were conventionally required are no longer necessary, and it is also necessary to specifically provide a new optical path and optical element for detecting the position of the optical element. This has the very excellent effect of realizing a stable positioning device with a simple structure and without any problems.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はマスクとウェハの従来の位置合わせ装置を示す
概略構成図、第2図は本発明の一実施例を適用した位置
合わせ装置を示す概略構成図、第3図(1)〜(曲はウ
ェハ及びマスク上の整合用マークの模式図、第4図は整
合用マークによるレーザ光の散乱を示す説明図、第5図
は従来のストッパーの平面図、第6図は従来の光電検出
器に散乱光が当った状態を示す模式図、第7図は本発明
に係る光電検出器の一実施例を示す斜視図、第8図は本
発明に係るストッパーの一実施例を示す平面図。 第9図及び第10図は第7図の光電検出器に散乱光及び
直接反射光が当った状態を示し、第9図は光学素子が適
正な位置にある場合の模式図、第10図は光学素子がず
れた位置にある場合の模式図。 第11図及び第12図は光電検出器の他の実施例に散乱
光及び直接反射光が当った状態を示す模式%式% 9 M 、 M’・・・・・・・・・・・・・・・整合用マ
ーク。 特許出願人 キャノン株式会社
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a conventional alignment device for masks and wafers, FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing an alignment device to which an embodiment of the present invention is applied, and FIGS. is a schematic diagram of the alignment marks on the wafer and mask, Figure 4 is an explanatory diagram showing the scattering of laser light by the alignment marks, Figure 5 is a plan view of a conventional stopper, and Figure 6 is a conventional photodetector. FIG. 7 is a perspective view showing an embodiment of a photoelectric detector according to the present invention, and FIG. 8 is a plan view showing an embodiment of a stopper according to the present invention. Figures 9 and 10 show the photoelectric detector in Figure 7 being hit by scattered light and directly reflected light, Figure 9 is a schematic diagram when the optical element is in the proper position, and Figure 10 is a schematic diagram of the photoelectric detector in Figure 7. A schematic diagram when the optical element is in a shifted position. Figures 11 and 12 are schematic diagrams showing states in which scattered light and directly reflected light are applied to other embodiments of the photoelectric detector. '・・・・・・・・・・・・Conformity mark. Patent applicant: Canon Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 ill マスクとウェハの相対的な位置合わせを行うた
めに使用される整合用マークを検出または観察するため
の光学系に使用されている光学素子の位置を検出する検
出装置であって、前記整合用マークからの光信号を検出
するための光路上に配設されたことを特徴とする位置検
出装置。 (2) 前記位置検出装置は少なくとも一次元方向の光
の入射位置を読取れる特許請求の範囲第1項に記載の位
置検出装置。 (3) 前記位置検出装置は、中央部に少なくとも2つ
、及び周辺部に少なくとも1つの各々独立した受光面を
有し、該各々の受光面の光電流を各々独立に取出せるよ
うに構成されており、前記整合用マークからの散乱光の
暗視野検出には前記周辺部の受光面を用い、前記ウェハ
またはマスクからの直接反射光の検出には前記中央部の
受光面を用いることを特徴とする特許請求の範囲第1項
または第2項に記載の位置検出装置。 (4) 前記位置検出装置は、前記整合用マークからの
散乱光を通過させるための周辺部の開口と、前記ウェハ
またはマスクからの直接反射光を通過させるための中心
部の開口とを持つストッパーに有することを特徴とする
特許請求の範囲第3項に記載の位置検出装置。 (5)前記光学素子はミラーであることを特徴とする特
許請求の範囲第1項乃至第4項のいずれがひとつに記載
の位置検出装置。
[Claims] ill A detection device for detecting the position of an optical element used in an optical system for detecting or observing alignment marks used to perform relative alignment between a mask and a wafer. A position detection device, characterized in that it is disposed on an optical path for detecting an optical signal from the alignment mark. (2) The position detecting device according to claim 1, wherein the position detecting device can read the incident position of light in at least one dimension. (3) The position detection device has at least two independent light-receiving surfaces in the center and at least one in the periphery, and is configured to be able to independently extract photocurrent from each of the light-receiving surfaces. The light-receiving surface at the periphery is used for dark-field detection of scattered light from the alignment mark, and the light-receiving surface at the center is used for detecting light directly reflected from the wafer or mask. A position detection device according to claim 1 or 2. (4) The position detection device includes a stopper having a peripheral opening for passing the scattered light from the alignment mark and a central opening for passing the direct reflected light from the wafer or mask. The position detection device according to claim 3, characterized in that it has: (5) The position detection device according to any one of claims 1 to 4, wherein the optical element is a mirror.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS636840A (en) * 1986-06-26 1988-01-12 Nikon Corp Alignment device
JP2007043199A (en) * 1994-08-17 2007-02-15 Asml Us Inc Off axis alignment system for scanning photolithography and photolithography tool

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