JPS60207279A - Infrared ray radiating device - Google Patents

Infrared ray radiating device

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Publication number
JPS60207279A
JPS60207279A JP6292984A JP6292984A JPS60207279A JP S60207279 A JPS60207279 A JP S60207279A JP 6292984 A JP6292984 A JP 6292984A JP 6292984 A JP6292984 A JP 6292984A JP S60207279 A JPS60207279 A JP S60207279A
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JP
Japan
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infrared
film
infrared ray
group
material selected
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Application number
JP6292984A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
清 瀬下
片上 四郎
中本 久
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NHK Spring Co Ltd
Original Assignee
NHK Spring Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS60207279A publication Critical patent/JPS60207279A/en
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は赤外線放射装置に関し、特に化学物質に対して
特に遠赤外線を効率的に照射し得る赤外線放射装置に関
する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an infrared radiation device, and more particularly to an infrared radiation device that can efficiently irradiate far-infrared rays to chemical substances.

従来から種々の化学物質に赤外線を照射づることにより
一定の効果が得られることが知られている。しかしなが
らほとんどの高分子物質、心機物質及び無機物質は赤外
線でも遠赤外線波長領域に吸収特性を有している。従っ
て、[物質によって吸収された光だけが光化学反応を起
す〔とができる」という光化学の第一法則(グロットウ
スードレイパ−(Grotthus−Draper)の
法則)ににれば、同じ光を照射するならば、可視光より
:b遠赤外線を多く照射した方が反応エネルギ源として
機能J−る上で効果的である。
It has been known that certain effects can be obtained by irradiating various chemical substances with infrared rays. However, most polymeric substances, organic substances, and inorganic substances have absorption characteristics in the far-infrared wavelength region even in the infrared rays. Therefore, according to the first law of photochemistry (Grotthus-Draper's law) that only light absorbed by a substance can cause a photochemical reaction, the same light can be irradiated. If so, it is more effective to irradiate more far infrared rays than visible light in order to function as a reaction energy source.

例えば、高分子組合反応の一例として、ウレタン樹脂製
造のためのイソシアネートとポリオールとの重合反応を
例にとって説明する。脂肪族及び芳香族イソシアネート
はいずれも大部分赤外線吸収スペクトル域2270α−
1付近に極めて強い逆対称伸縮振動による吸収がある。
For example, as an example of a polymer combination reaction, a polymerization reaction between an isocyanate and a polyol for producing a urethane resin will be explained. Both aliphatic and aromatic isocyanates have mostly infrared absorption in the 2270α-
There is absorption near 1 due to extremely strong antisymmetric stretching vibration.

更に1350cm−1付近に対称伸縮振動の吸収が見ら
れるが、弱いので利用することができない。
Furthermore, absorption of symmetrical stretching vibration is observed near 1350 cm-1, but it is too weak to be utilized.

一方ボリオールは赤外線吸収スペクトルとしては特有の
OH伸縮振動、OH変角振動の吸収があるが、これらは
すべて置換基の影響、特に水素結合に敏感であり、OH
変角振動隣接基とカップルして独立的な吸収形状を示さ
ない。以下にOH官能基の種々の状態に於ける赤外線吸
収スペクトル域を示す。
On the other hand, in the infrared absorption spectrum of boriol, there is absorption of unique OH stretching vibration and OH bending vibration, but these are all sensitive to the influence of substituents, especially hydrogen bonds, and OH
It does not exhibit an independent absorption shape coupled with bending vibration neighboring groups. The infrared absorption spectral ranges of the OH functional group in various states are shown below.

叶(遊離) 3650〜3500cm−1叶伸縮振動0
11(分子間会合) 3550〜3200Cm−’ 叶
伸縮振動011(分子内会合) 3570〜3450C
m−’ 叶伸紺1振動叶(キレート型) 320062
500cm−’ 叶伸縮振動従ってイソシアネートとポ
リオールどの混合液またはウレタン反応が完全に終了し
ていない混合液に上記波長の赤外線を照射すると、その
波長に対応した分子中の特定原子或いは原子団が赤外線
エネルギを吸収して振動状態が基底状態から励起状態に
変化する。こうすることにより振動が茗しく活発化し分
子衝突がQ易くなるためにウレタン反応がより速くかつ
完全に進むようになる。
Leaf (free) 3650~3500cm-1 Leaf expansion/contraction vibration 0
11 (Intermolecular association) 3550-3200Cm-' Leaf stretching vibration 011 (Intra-molecular association) 3570-3450C
m-' Kano Shinkon 1 vibration Kano (chelate type) 320062
500cm-' Leaf stretching vibration Therefore, when a mixed liquid of isocyanate and polyol or a mixed liquid in which the urethane reaction has not completely completed is irradiated with infrared rays of the above wavelength, specific atoms or atomic groups in the molecules corresponding to that wavelength will receive infrared energy. The vibrational state changes from the ground state to the excited state. By doing so, vibrations become more active and molecular collisions become easier, so that the urethane reaction proceeds more quickly and completely.

赤外線は動植物の生態内反窓にも大さな影響を及ぼすこ
とができる。そのような反応としては、酸素分子を酸化
剤として光を用いる光酸素化反応や光と増感剤と酸素と
を組合せた所謂光増感酸素化反応等がある。例えば下記
1式のように三< Ki増感剤(3Sens※)が基底
状態の酸素・分子に励起エネルギを移動して励起−重項
酸素分子(1o2)が生成しこれが基質に付加する(光
増感酸素化反応)。
Infrared rays can also have a great effect on the ecology of plants and animals. Examples of such reactions include a photooxygenation reaction using light using oxygen molecules as an oxidizing agent, and a so-called photosensitized oxygenation reaction that combines light, a sensitizer, and oxygen. For example, as shown in equation 1 below, a 3<Ki sensitizer (3Sens*) transfers excitation energy to oxygen molecules in the ground state to generate excited-multitet oxygen molecules (1o2), which are added to the substrate (photo sensitized oxygenation reaction).

hν ※ ※ 1Sens −) 5ans −) 3Sens※ (
1) 3Sens + 02 → 5ens+ 023 1 
1 八 十 〇2 → A Oま ただし A:被酸化物質 hν:光量子のエネルギ ※:反結合性を表わす この反応は三重項エネルギ(Et)の低い(Et = 
30〜50kcal/mole )増感剤とオレフィン
類とを組合せた時に発生する。また増感剤として用いら
れるものとしてはローズベンガル、エオシン、メチレン
ブルーなどの合成色素の他にクロロフィルやリボフラビ
ンなどの天然色素がある。
hν ※ ※ 1Sens -) 5ans -) 3Sens※ (
1) 3sens + 02 → 5ens+ 023 1
1 80 02 → AO madashi A: Substance to be oxidized hν: Energy of photon *: This reaction, which expresses antibonding property, has a low triplet energy (Et) (Et =
30-50 kcal/mole) generated when a sensitizer and olefins are combined. In addition to synthetic dyes such as rose bengal, eosin, and methylene blue, natural dyes such as chlorophyll and riboflavin are used as sensitizers.

このような反応に於ても効果的な赤外線スペクトル域が
あり、そのような赤外線スペクトル域の赤外線を生体に
照射することにより、生物に危険を与えることなくその
生体反応を活発化させることができる。
There is an infrared spectral range that is effective for such reactions, and by irradiating living organisms with infrared rays in such infrared spectral ranges, it is possible to activate biological reactions without endangering living organisms. .

生物系に対する光の作用の中には、光増感酸素化反応に
よって構成物質が変化することからなる光力手作用があ
る。生態内に存在する色素或いは人為的に加えられた色
素が光増感剤となるもので、本質的には光増感酸素化反
応と同じである。光カ学作用によって生体に特有の物質
、特にデオキシリボ核酸(DNA)ではグアニン残塁、
タンパク質ではトリプトファン、チロシン、ヒスチジン
、ミスティン、メチオニン残塁が変化を受けることが知
られている。また長波長の光(〉320TrL/l)に
よっても3.4−ベンズピレンやフロクマリンなどの励
起状態が基底状態のシトシンやチミンと反応し核酸塩基
が他の系統の物質と光付加を起づことも知られている。
Among the effects of light on biological systems, there is a photodynamic effect that consists of changes in constituent substances due to photosensitized oxygenation reactions. A pigment existing in the organism or artificially added serves as a photosensitizer, and is essentially the same as a photosensitized oxygenation reaction. Substances unique to living organisms, especially deoxyribonucleic acid (DNA), have guanine residues,
It is known that tryptophan, tyrosine, histidine, mysteine, and methionine residues undergo changes in proteins. Furthermore, even with long wavelength light (>320 TrL/l), the excited states of 3,4-benzpyrene and furocoumarin react with cytosine and thymine in the ground state, causing photoaddition of nucleobases with other substances. Are known.

このような場合に61特定の波長の光エネルギを照射す
−るーこ−と−により反応速度と反応率を向上させるこ
とができる。
In such cases, the reaction rate and reaction rate can be improved by irradiating light energy with a specific wavelength.

更に、赤外線を生物細胞に照射する1ことにより、細胞
の活動に必要な分子を励起状態にして活発化し、代謝の
バランスを改善することができることも知られてい鼻。
Furthermore, it is known that by irradiating biological cells with infrared rays, molecules necessary for cell activity can be excited and activated, improving metabolic balance.

細胞分裂はホルモンの信号にJ:って司られ、ミトコン
ドリアの運動(振動)が活発化し、染色糸が太ることに
より進行するものであるが、赤外線照射を行なうことに
よりミトコンドリアの運動も活発化することができ、細
胞分裂を活性化することができる。従って豊富な養分を
伴えば、その生物を促成することも可能となる。
Cell division is controlled by hormonal signals and progresses by activating mitochondrial movement (vibration) and thickening of dyed threads, but infrared irradiation also activates mitochondrial movement. and can activate cell division. Therefore, if it is accompanied by abundant nutrients, it will be possible to promote the growth of those organisms.

更に、0.72〜0.75μmの赤外線は発芽を阻害す
る作用がかることがヂシャ、ホトケザなどの種子で研究
されている(ジョーンズ、ベイリー1956とブラック
等1954)。従って貯蔵t+、’rの発芽防止にも適
用できる。
Furthermore, it has been studied that infrared rays of 0.72 to 0.75 .mu.m have an effect of inhibiting germination on seeds such as Jasmine and Hotokeza (Jones and Bailey 1956 and Black et al. 1954). Therefore, it can also be applied to the prevention of germination of stored t+ and 'r.

また細胞内にある物質の運動が低下りると生物は種々の
障害を受けることが知られている。この場合も弱ってい
る物質に外部から特定の波長の赤外線を照射することに
よって運動を活性化することができるので、病気の治療
にも活用できる。
It is also known that living organisms suffer from various disorders when the movement of intracellular substances decreases. In this case as well, movement can be activated by irradiating weakened substances with infrared rays of a specific wavelength from the outside, which can also be used to treat diseases.

従来分子などの反応を促進する目的で、温度を外部から
与える熱誘尋方式、即ち高温炉、恒温槽、高温反応炉等
を利用する方法が一般的に用いられてきた。そしてこれ
らは熱風による対流また1よ熱伝導で対象物を昇温させ
るために、大変熱効率が悪く、しかも所望の波長の赤外
線を選択的に照射することができなかった。
Conventionally, for the purpose of accelerating the reaction of molecules, etc., a thermal induction method in which temperature is applied externally, ie, a method using a high-temperature furnace, a constant temperature bath, a high-temperature reactor, etc., has been generally used. Since these methods raise the temperature of the object through convection or heat conduction caused by hot air, their thermal efficiency is very poor, and furthermore, it is not possible to selectively irradiate infrared rays of a desired wavelength.

しかも高温反応炉の場合熱源としてガス燃焼熱或いは電
気熱を用いるものであった。従ってガスの場合には燃焼
ガスの処理や爆発の危険性の問題があり、一方電気熱の
場合はエクセルギ効率及び消費電力などの点で問題があ
った。
Moreover, in the case of high-temperature reactors, gas combustion heat or electric heat was used as the heat source. Therefore, in the case of gas, there are problems in the treatment of combustion gas and the risk of explosion, while in the case of electric heat, there are problems in terms of exergy efficiency and power consumption.

このような従来技術の欠点に鑑み、本発明の主な目的は
電気エネルギ及び電気エクセルギを効率的に利用し、所
望の波長域の赤外線を選択的に対象物に照射することの
できる赤外線放射装置を提供することにある。
In view of these shortcomings of the prior art, the main object of the present invention is to provide an infrared radiation device that can efficiently utilize electrical energy and electrical exergy and selectively irradiate an object with infrared rays in a desired wavelength range. Our goal is to provide the following.

本発明のこのような目的は基盤と、該基盤に]−ティン
グされた赤外線反射膜と、該赤外線反射膜に重合された
赤外線発生用抵抗体と、該抵抗体にコーティングされた
赤外線数9AfJとζ該放射膜にコーティングされたオ
ーバトップコート膜とを具備することを特徴とする赤外
線放射装置及び内面に赤外線反射膜がコーティングされ
た基盤がらなりかっオーバトップ膜により内部が二つの
部分に郭定された容器と、前記容器の第一の部分に設け
られた赤外線照射対象物のための照射台と、前記容器の
第二の部分に設けられた赤外線発生体とを具備し、前記
赤外線発生体が、赤外線発生用抵抗体と、その外面にコ
ーティングされた赤外線放射膜とを有するものであるこ
とを特徴とJる赤外線放射装置を提供することにより達
成される。
The object of the present invention is to provide a base, an infrared reflective film coated on the base, an infrared generating resistor polymerized on the infrared reflective film, and an infrared ray 9AfJ coated on the resistor. ζ An infrared emitting device characterized by comprising an overtop coat film coated on the emitting film, and a substrate whose inner surface is coated with an infrared reflective film.The inside is divided into two parts by the overtop film. an irradiation stand for an object to be irradiated with an infrared ray provided in a first part of the container, and an infrared ray generator provided in a second part of the container, the infrared ray emitter This is achieved by providing an infrared ray emitting device characterized by having an infrared ray emitting resistor and an infrared ray emitting film coated on its outer surface.

本発明のこのような構成をもってすれば、反応装置が小
規模になり設備費を低減することができ、しかも消費エ
ネルギが小さくて済み、しがも放射された赤外線エネル
ギの多くが有効に吸収されるため、反応率が高く反応時
間を短縮することができる。また燃焼ガスが発生するこ
とがないために、作業者が快適に作業でき、公害を発生
ずることもない。
With such a configuration of the present invention, the reactor can be made small-scale and the equipment cost can be reduced, and the energy consumption is also small, and most of the emitted infrared energy is effectively absorbed. Therefore, the reaction rate is high and the reaction time can be shortened. Furthermore, since no combustion gas is generated, workers can work comfortably and no pollution is caused.

以下本発明の好適実施例を添付の図面について詳しく説
明する。
Preferred embodiments of the invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

第1図は本発明に基づく赤外線放射装置の第一の実施例
を示している。この赤外線放射装置1の基512は、ア
ルミニウム板或いはAQ、AU或いはRhなどの材質か
らなる光沢面を有する金属板からなり、はとんどの赤外
線を反則すると同時に赤外線放射装置の補強板をなして
いる。この基盤2には更に赤外線反射膜3がコーティン
グされている。この赤外線反射膜3は、ステンレス微粉
末、S i 02 、T i 03或いはMgOなどを
主成分とする粉体を水で溶き、前記基盤2の上に約30
μ程度の厚さに塗布し常温で3時間硬化させたものであ
る。この反射膜3jよ、基盤表面のステンレス化が目的
であり、分光反射率は全波長域に頁って77%以上とな
っている。
FIG. 1 shows a first embodiment of an infrared radiation device according to the invention. The base 512 of this infrared ray emitting device 1 is made of an aluminum plate or a metal plate with a glossy surface made of materials such as AQ, AU, or Rh, and at the same time it deflects most infrared rays and serves as a reinforcing plate for the infrared ray emitting device. There is. This substrate 2 is further coated with an infrared reflective film 3. This infrared reflective film 3 is made by dissolving powder mainly composed of fine stainless steel powder, S i 02 , Ti 03 or MgO in water, and depositing it on the base 2 for about 30 minutes.
It was coated to a thickness of about μ and cured at room temperature for 3 hours. The purpose of this reflective film 3j is to make the surface of the substrate stainless steel, and its spectral reflectance is 77% or more over the entire wavelength range.

更に前記赤外線反射膜3の上に赤外線発生用抵抗体4が
重合されている。この抵抗1本はガラスクロスに導電性
のカーボンブラックまたは黒鉛を含浸させたもので、カ
ップリング剤としてはエポキシ系或いはアクリル系樹脂
が用いられている。またこの赤外線発生用抵抗体4の両
端には機ひも編、または銅箔が赤外線発生用抵抗体4に
重合されてなる電極4aが形成されている。
Furthermore, an infrared ray generating resistor 4 is superposed on the infrared reflecting film 3. This single resistor is made of glass cloth impregnated with conductive carbon black or graphite, and epoxy or acrylic resin is used as the coupling agent. Further, electrodes 4a are formed at both ends of the infrared ray generating resistor 4, and are made of machine string or copper foil superposed on the infrared ray generating resistor 4.

このように本発明に基づく赤外線放射装置の赤外線発生
用抵抗体に於ては、強磁性体が使用されでいないため、
電流が供給された時に発生Jる磁場によって強く磁化さ
れることがない。このことは、ニクロム線など強磁性体
を含む抵抗体を用いた場合には、それにより形成される
磁場によって照射対象の物質に磁気共鳴を起こし易く悪
影響を及ぼすことがあり、赤外線が十分有効に作用しな
いことがある点から見て有意義なことである。
As described above, since a ferromagnetic material is not used in the infrared ray generating resistor of the infrared ray emitting device based on the present invention,
It is not strongly magnetized by the magnetic field generated when current is supplied. This means that when a resistor containing a ferromagnetic material such as a nichrome wire is used, the magnetic field formed by the resistor may easily cause magnetic resonance in the irradiated material, which may have an adverse effect, and infrared rays may not be sufficiently effective. This is significant in that there are things that do not work.

更に赤外線発生用抵抗体4の上面には、反応体の反応分
子或いは原子が吸収する波長の光のみを効率よく放DJ
 1−る目的で、Cr2O3、MnO2、S10 、M
901ZrO2、AI!203、或いはNa2SiO3
などの無機材料、有機材料、或いはそれらの混合物の中
から選択し、被照射物の反応に必要な赤外線吸収スペク
トル領域の波長を釜石に効率よく照射し得るようにした
物質がコーティングされている。具体的には、これら列
挙した物質の種々の波長に於ける分光放射率をめておき
、被照射物の反応に必要な波長帯域と1ネルギ聞とに基
づぎこれらの放射物質の配合割合を選択し、所望のスペ
クトル分布を右する赤外線を放射することができる。
Further, on the upper surface of the infrared ray generating resistor 4, there is provided a DJ that efficiently emits only light of a wavelength that is absorbed by the reaction molecules or atoms of the reactant.
For the purpose of 1-1, Cr2O3, MnO2, S10, M
901ZrO2, AI! 203, or Na2SiO3
Kamaishi is coated with a material selected from among inorganic materials, organic materials, or mixtures thereof, such as, for example, which enables efficient irradiation of Kamaishi with wavelengths in the infrared absorption spectrum region necessary for reaction of the irradiated object. Specifically, the spectral emissivity of these listed substances at various wavelengths is calculated, and the proportion of these emissive substances is determined based on the wavelength band and energy range required for the reaction of the irradiated object. You can choose the right spectral distribution of your desired infrared radiation.

更に赤外線放射装置1の最も外側の面には、ポリエステ
ル、ポリエチレン、アセテ−1−、エポキシ、ナイロン
、ポリアミド、ポリイミド、ポリプロピレン或いはポリ
スチレンなどのラミネー1−月がコーティングされてお
り、必要な波長領域以外のエネルギをこの膜で吸収づ”
ることにより、一種のフィルタ効果をもだ匂でいる。同
時に、赤外線放射装置1に防湿性、耐水性、耐候性或い
は電気絶縁性などを与えている。
Further, the outermost surface of the infrared radiating device 1 is coated with a laminate made of polyester, polyethylene, acetate, epoxy, nylon, polyamide, polyimide, polypropylene, or polystyrene, and is coated with a laminate made of polyester, polyethylene, acetate, epoxy, nylon, polyamide, polyimide, polypropylene, or polystyrene. This membrane absorbs the energy of
This creates a kind of filter effect. At the same time, the infrared radiation device 1 is provided with moisture resistance, water resistance, weather resistance, electrical insulation, and the like.

前記赤外線発生用抵抗体4の電極4aは導線8を介して
コントローラ9に接続されている。コントローラ9は更
に電源10に接続されており、コントローラ9には図示
されていない線によりオーバトップコート膜6に埋設さ
れた温瓜1センサ6aからの信号が供給されるようにな
っている。コン1〜ローラ9は、温度センサ6aに検出
された温度に基づき、赤外線発生用抵抗体4に供給され
る電流を制御し、所望の波長分布を有する赤外線を照射
対象7に照射すると共に、赤外線放射膜5の表面温度を
表示することができる。また、手動にて赤外線発生用抵
抗体4に供給される電力を変えることのできる電力調整
器も設けられている。
The electrode 4a of the infrared ray generating resistor 4 is connected to a controller 9 via a conductive wire 8. The controller 9 is further connected to a power source 10, and a signal from the warm melon 1 sensor 6a embedded in the overtop coat film 6 is supplied to the controller 9 through a line (not shown). The controller 1 to the roller 9 control the current supplied to the infrared ray generating resistor 4 based on the temperature detected by the temperature sensor 6a, and irradiate the irradiation target 7 with infrared rays having a desired wavelength distribution. The surface temperature of the radiation film 5 can be displayed. Further, a power regulator is also provided that can manually change the power supplied to the infrared ray generating resistor 4.

第2図は本発明に基づく赤外線放射装置の別の実施例を
示している。前記基盤2ど同様の月利からなる基盤12
が概ね箱体をなしており、その内面に前記赤外線反射膜
3と同様な赤外線反射膜13がコーティングされている
。この箱体の内部は、前記オーバトップコートy6と同
様の材Y′31から4「る隔壁16により二つの部分に
区画されている。
FIG. 2 shows another embodiment of an infrared radiation device according to the invention. Base 12 consists of the same monthly interest rate as the base 2 above.
is generally box-shaped, and its inner surface is coated with an infrared reflective film 13 similar to the infrared reflective film 3 described above. The inside of this box is divided into two parts by a partition wall 16 extending 4 inches from Y'31, which is the same material as the overtop coat Y6.

二つの区画の一方には赤外線照射対象物17が置かれて
おり、もう一つの部分の内部には、前記と同様の赤外線
発生用抵抗体14に赤外線放射膜15をコーティングし
てなる赤外線発生装置が設けられている。
An infrared ray irradiation object 17 is placed in one of the two compartments, and an infrared ray generating device formed by coating an infrared ray emitting film 15 on an infrared ray generating resistor 14 similar to that described above is placed inside the other part. is provided.

前記と同様に隔壁16または赤外線放射膜15に隣接し
て温度センサ16aが段ジノられており、コントローラ
19に検出温度信号を供給する。コントローラ19は、
電源20から電力を供給され、該検出温度信号に基づき
導線18を介して赤外線発生用抵抗体14に供給される
電流を調節する。
Similarly to the above, a temperature sensor 16a is arranged adjacent to the partition wall 16 or the infrared emitting film 15, and supplies a detected temperature signal to the controller 19. The controller 19 is
Power is supplied from a power source 20, and the current supplied to the infrared ray generating resistor 14 via the conductive wire 18 is adjusted based on the detected temperature signal.

また、前記実施例と同様に、手動にて赤外線発生用抵抗
体14に供給されるミノjを変えることのできる電力調
整器も設置ブられている。
Further, as in the previous embodiment, a power regulator is also installed which allows the amount of electricity supplied to the infrared ray generating resistor 14 to be changed manually.

この実施例によれば、全体が密閉された構造をなし、そ
の内面に赤外線反射膜がコーティングされているために
、赤外線照射対象物17に対して直接照射されなかった
木外線は、該反11膜によって反射され赤外線照射対象
物に達することがでさるために、発生した赤外線の多く
が尻外線照射対象物に吸収されることとなり、効率的な
赤外線照射が可能となる。
According to this embodiment, since the entire structure is sealed and the inner surface is coated with an infrared reflective film, the wooden wire that is not directly irradiated to the infrared irradiation object 17 is Since it is reflected by the film and reaches the object to be irradiated with infrared rays, most of the generated infrared rays are absorbed by the object to be irradiated with external rays, making it possible to irradiate infrared rays efficiently.

本発明に基づく赤外線放射装置は、上記したように様々
な形状のものとして構成することが可能である。特に第
一の実施例で示されているように比較的偏平な構成を有
しているために、基盤に、例えば凹面鏡状の曲率を与え
ることにより、狭い領域に対して集中的に赤外線を照射
ターることし可能である。
The infrared radiation device according to the invention can be configured in various shapes as described above. In particular, since it has a relatively flat configuration as shown in the first embodiment, by giving the base a concave mirror-like curvature, for example, infrared rays can be irradiated intensively to a narrow area. This is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明に基づく赤外線放射装置の第一の実施例
を示す図式的II断面図である。 第2図は本発明に基づく赤外線放射装置の第二の実施例
を示す図式的縦断面図である。 1.11・・・赤外線放射装置 2.12・・・基盤 3.13・・・赤外線反射膜4.
14・・・赤外線発生用抵抗体 4a、14a・・・電極 5.15・・・赤外線数QJ
膜6・・・オーバ1−ツブコート膜 16・・・隔壁 6a、16a・・・温度レンリ7.1
7・・・赤外線照射対象 8.18・・・導線 9.19・・・]ントローシ10
.20・・・電源 第1図 第2図
FIG. 1 is a schematic sectional view II showing a first embodiment of an infrared radiation device according to the present invention. FIG. 2 is a schematic longitudinal sectional view showing a second embodiment of the infrared radiation device according to the present invention. 1.11... Infrared emitting device 2.12... Base 3.13... Infrared reflective film 4.
14... Resistor for infrared generation 4a, 14a... Electrode 5.15... Infrared number QJ
Membrane 6...Over 1-tube coating film 16...Partition wall 6a, 16a...Temperature level 7.1
7...Infrared irradiation target 8.18...Conducting wire 9.19...] Troshi 10
.. 20...Power supply Figure 1 Figure 2

Claims (1)

【特許請求の範囲】 (1)基盤と、該基盤にコーティングされた赤外線反射
膜と、該赤外線反射膜に重合された赤外線発生用抵抗体
と、該抵抗体にコーティングされた赤外線放射膜と、該
放射膜にコーティングされたオーバトップコート膜とを
具備することを特徴とする赤外線放射装置。 (2)前記基盤がAJ、AQ、AU及びRhの群から選
ばれた材質の光沢面を有するものであることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項に記載の装置。 く3)前記赤外線反射膜が、ステンレス、SiO2、T
iO3及びMCl0からなる群から選ばれた材料を主成
分とする粉体からなることを特徴とする特許請求の範囲
第1項若しくは第2項に記載の装置。 (4)前記赤外線発生用抵抗体が、ガラスフ[jスに導
電性のカーボンブラックまたは黒鉛を含浸させてなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第3項のいず
れかに2載の装置。 (5)前記赤外線/+5[割膜が、Cr2O3、MnO
2、SiOS’Mo01ZrO2、Al1203、N 
a 2 S i O3及び有機材料からなる群から選ば
れた材料またはそれらの混合物からなることを特徴とす
る特許請求の範囲第1項乃至第4項のいずれかに記載の
装置。 (6)前記オーバトップコート膜が、ポリニスデル、ポ
リエチレン、アセテート、エボギシ、ナイロン、ポリア
ミド、ポリイミド、ポリプロピレン及びポリスチレンか
らなる群から選ばれた材料からなることを特徴とする特
許請求の範囲第1項乃至第5項のいずれかに記載の装置
。 (7)内面に赤外線反射膜がコーティングされた基盤か
らなりかつオーバトップ膜により内部が二つの部分に郭
定された容器と、前記容器の第一の部分に設けられた赤
外線照射対象物の1=めの照射台と、前記容器の第二の
部分に設りら1れた赤外線発゛生体とを具備し、前記赤
外線発生体が、赤外線発生用抵抗体と、その外面にコー
ティングされた赤外線放射膜とを有するものであること
を特徴とする赤外線放射装置。 。 (8)前記基盤がAl4.Ag、Au及びRhの群から
選ばれた材質の光沢面を有するものであることを特徴と
する特許請求の範囲第7項に記載−の装置。 (9)前記′赤外線反射膜が、ステンレス、SiO2、
TiO3及びMgOからなる群から選ばれた材料を主成
分とする粉体からなることを特徴とする特許請求の範囲
第7項若しくは第8項に記載の装置。 (10)前記赤外線発生用抵抗体が、ガラスクロスに導
電性のカーボンブラックまたは黒鉛を含浸させてなるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第7項乃至第9項のいず
れかに記載の装置。 (11)前記赤外線放射膜が、Cr 203 、M n
o2、SiO2、MQo1Zro2、A12o3、N 
a 2 S i O3及び有機材料からなる群から選ば
れた材料またはそれらの混合物からなることを特徴とす
る特許請求の範囲第7項乃至第10項のいずれかに記載
の装置。 (12)前記オーバトップコート膜が、ポリエステル、
ポリエチレン、アセテート、エポキシ、ブイロン、ポリ
アミド、ポリイミド、ポリプロピレン及びポリスチレン
からなる群から選ばれた材料からなることを特徴とする
特許請求の範囲第7項乃至第11項のいずれかに記載の
装置。
[Scope of Claims] (1) A base, an infrared reflective film coated on the base, an infrared emitting resistor polymerized on the infrared reflective film, and an infrared emitting film coated on the resistor; An infrared radiation device comprising: an overtop coat film coated on the radiation film. (2) The device according to claim 1, wherein the substrate has a glossy surface made of a material selected from the group of AJ, AQ, AU, and Rh. 3) The infrared reflective film is made of stainless steel, SiO2, T
The device according to claim 1 or 2, characterized in that the device is made of powder whose main component is a material selected from the group consisting of iO3 and MCl0. (4) The infrared ray generating resistor is formed by impregnating a glass film with conductive carbon black or graphite. equipment. (5) The infrared rays/+5 [split membrane is Cr2O3, MnO
2, SiOS'Mo01ZrO2, Al1203, N
5. A device according to any one of claims 1 to 4, characterized in that it consists of a material selected from the group consisting of a 2 S i O 3 and an organic material, or a mixture thereof. (6) The overtop coat film is made of a material selected from the group consisting of polynisder, polyethylene, acetate, epoxy, nylon, polyamide, polyimide, polypropylene, and polystyrene. Apparatus according to any of clause 5. (7) A container consisting of a base whose inner surface is coated with an infrared reflective film and whose interior is divided into two parts by an overtop film, and an object to be irradiated with infrared rays provided in the first part of the container. = a second irradiation table, and an infrared ray emitter installed in the second part of the container, and the infrared ray emitter includes an infrared ray generating resistor and an infrared ray emitter coated on the outer surface of the infrared ray emitter. An infrared radiation device characterized in that it has a film. . (8) The substrate is Al4. 8. The device according to claim 7, characterized in that the device has a glossy surface made of a material selected from the group of Ag, Au and Rh. (9) The 'infrared reflective film is made of stainless steel, SiO2,
9. The device according to claim 7 or 8, characterized in that the device is made of powder whose main component is a material selected from the group consisting of TiO3 and MgO. (10) The device according to any one of claims 7 to 9, wherein the infrared ray generating resistor is formed by impregnating glass cloth with conductive carbon black or graphite. (11) The infrared emitting film is made of Cr 203 , M n
o2, SiO2, MQo1Zro2, A12o3, N
11. A device according to any one of claims 7 to 10, characterized in that it consists of a material selected from the group consisting of a2SiO3 and organic materials, or a mixture thereof. (12) The overtop coat film is made of polyester,
12. A device according to any one of claims 7 to 11, characterized in that it is made of a material selected from the group consisting of polyethylene, acetate, epoxy, buylon, polyamide, polyimide, polypropylene and polystyrene.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018008425A (en) * 2016-07-13 2018-01-18 日本碍子株式会社 Radiation device, and processing unit using radiation device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5925193B2 (en) * 1980-03-05 1984-06-15 建設省土木研究所長 Snowfall measuring device

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