JPS6020441A - Detector for radioactive rays - Google Patents

Detector for radioactive rays

Info

Publication number
JPS6020441A
JPS6020441A JP12719083A JP12719083A JPS6020441A JP S6020441 A JPS6020441 A JP S6020441A JP 12719083 A JP12719083 A JP 12719083A JP 12719083 A JP12719083 A JP 12719083A JP S6020441 A JPS6020441 A JP S6020441A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photocathode
electrode
photoelectrons
photomultiplier tube
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP12719083A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH044692B2 (en
Inventor
Eiichi Tanaka
栄一 田中
Hideo Murayama
秀雄 村山
Tatsuro Hayashi
達郎 林
Junichi Takeuchi
純一 竹内
Takashi Watanabe
孝 渡辺
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hamamatsu Photonics KK
HOSHASEN IGAKU SOGO KENKYUSHO
Original Assignee
Hamamatsu Photonics KK
HOSHASEN IGAKU SOGO KENKYUSHO
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hamamatsu Photonics KK, HOSHASEN IGAKU SOGO KENKYUSHO filed Critical Hamamatsu Photonics KK
Priority to JP12719083A priority Critical patent/JPS6020441A/en
Publication of JPS6020441A publication Critical patent/JPS6020441A/en
Publication of JPH044692B2 publication Critical patent/JPH044692B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J43/00Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
    • H01J43/04Electron multipliers
    • H01J43/045Position sensitive electron multipliers

Landscapes

  • Measurement Of Radiation (AREA)

Abstract

PURPOSE:To make a photoelectron multiplier tube carrying a single photoelectric emission surface do a function commensurate to more than two photoelectron multiplier tubes, by installing a mesh electrode, while controlling the action of a photoelectron in a specified part of the photoelectron emission surface. CONSTITUTION:A mesh electrode 26 for gate use enters in space between a photoelectric emission surface 21 and a focusing electrode 22. An energy discriminator 41 generates a signal from that point of judgment that output of an amplifier 40 is cuased by an optical signal pulse. Usually a gate voltage generating circuit 43 feeds the mesh electrode 26 with voltage of a +5V but feeds a -12V instead by a signal out of a delay circuit 42 in this case. A quantity of electricity to be detected by a quantity detector 44 becomes reduced to some extent when the optical pulse is made to be incident on the specified photoelectric emission surface. A discriminator 45 discriminates that the incident optical pulse falls upon which part of the photoelectric emission surface.

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明は、微弱な放射線をシンチレータ等を介して光電
面に入射し、または微弱な放射線を光電面に直接入射し
、光電面に光電子を発生させ、2次電子増倍器により増
倍して放射線を検出する放射線検出装置に関する。
Detailed Description of the Invention (Technical Field) The present invention involves the generation of photoelectrons on the photocathode by making weak radiation enter the photocathode through a scintillator or the like, or by making the weak radiation enter the photocathode directly, The present invention relates to a radiation detection device that detects radiation by multiplying it by a secondary electron multiplier.

(従来技術) 光電子増倍管は、極めて微弱な放射線を検11トWる装
置として優れた特性を持っている。
(Prior Art) A photomultiplier tube has excellent characteristics as a device for detecting extremely weak radiation.

なお本発明において放射線とは少なくとも電磁放射を含
む広い意味で用いられるものとする。
Note that in the present invention, radiation is used in a broad sense including at least electromagnetic radiation.

このような光電子増倍管において、その単一の光電面に
入射したパルス性の光が前記光電面のどの領域に入射し
たかを知り、入射位置の分解精度を高めたいと言う要請
がある。
In such a photomultiplier tube, there is a desire to know which region of the photocathode the pulsed light incident on the single photocathode is incident on, and to improve the accuracy of resolving the incident position.

入射位置の分解精度を高めるために受光面の小さい多数
の光電子増倍管を多数密集して配置するということも考
えられる。しかしながら所定の性能を保って光電子増倍
管を小形にするのには限界がある。また光電面に対する
管の外形の比が大きくなり、光電面に到達できない光の
量が無視できなくなる。
It is also conceivable to arrange a large number of photomultiplier tubes with small light-receiving surfaces in a dense manner in order to improve the accuracy of resolving the incident position. However, there is a limit to making the photomultiplier tube smaller while maintaining a predetermined performance. Furthermore, the ratio of the outer shape of the tube to the photocathode becomes large, and the amount of light that cannot reach the photocathode cannot be ignored.

前記問題は単一の光電面に入射した光の位置を知ること
ができれば解決できるはずである。単一の光電面に入射
した光の位置を知ることができる装置として、第1図お
よび第2図に示すような光電子増倍管が知られている。
The above problem could be solved if the position of the light incident on a single photocathode could be known. A photomultiplier tube as shown in FIGS. 1 and 2 is known as a device capable of determining the position of light incident on a single photocathode.

筒状の真空気密容器1の入射窓2の内壁面に光電面3が
形成されている。
A photocathode 3 is formed on the inner wall surface of an entrance window 2 of a cylindrical vacuum-tight container 1 .

また前記入射窓2の内壁面内には、金属線8,9゜10
が埋め込まれている。この金属線に後述する適当な電圧
を印加することにより、前記光電面3を3つの仮想領域
に分けてどの領域に光の入射があったかを知ることがで
きる。
Further, within the inner wall surface of the entrance window 2, there are metal wires 8,9°10
is embedded. By applying an appropriate voltage, which will be described later, to this metal wire, it is possible to divide the photocathode 3 into three virtual regions and find out which region the light is incident on.

フォーカス電極4は光電面3から放出された光電子をダ
イノードに導く電界を形成するための電極である。前記
フォーカス電極4に隣接して光電子を増倍するダイノー
ド群5が設けられている。
The focus electrode 4 is an electrode for forming an electric field that guides photoelectrons emitted from the photocathode 3 to the dynode. A dynode group 5 for multiplying photoelectrons is provided adjacent to the focus electrode 4.

前記ダイノード群5によって増倍された電子は金属の網
からなるアノード6により捕収される。
The electrons multiplied by the dynode group 5 are collected by an anode 6 made of a metal net.

気密容器1の前記入射窓2に対向する壁面に、光電面3
.フォーカス電極4.ダイノード群5に適当な電圧を印
加し、アノ−F6から信号を取り出すためのリード線7
が設けられている。
A photocathode 3 is installed on the wall surface of the airtight container 1 facing the entrance window 2.
.. Focus electrode 4. A lead wire 7 for applying an appropriate voltage to the dynode group 5 and extracting a signal from the anode F6.
is provided.

光電面3に光1..が入射すると入射点から光電子が放
出される。この光電子はツメ−カス電極4によって誘導
され、第1段ダイノードに衝突する。
Light 1 is applied to the photocathode 3. .. When a photoelectron is incident, photoelectrons are emitted from the point of incidence. These photoelectrons are guided by the claw electrode 4 and collide with the first stage dynode.

第1段ダイノード“から前記衝突によって2次電子が放
出され、この2次電子はより高い電位にある第2段ダイ
ノードへ衝突する。同様にして最終段ダイノート′まで
順次各段ダイノートに衝突を繰返し、その数を増倍し、
アノード6に捕収される。
Secondary electrons are emitted from the first stage dynode due to the collision, and these secondary electrons collide with the second stage dynode, which is at a higher potential. Similarly, they collide with each stage dynode in sequence up to the final stage dynode. Repeat and multiply the number,
It is captured by the anode 6.

図中Eは前記光電子および2次電子の軌道を示したもの
である。
In the figure, E indicates the trajectory of the photoelectrons and secondary electrons.

このような光電子増倍管を、シンチレータと組み合わせ
て、γ線検出器として用いることができる。
Such a photomultiplier tube can be used as a γ-ray detector in combination with a scintillator.

γ線検出器に利用した場合の構成と動作を第3図および
第4図を参照して説明する。
The configuration and operation when used in a γ-ray detector will be explained with reference to FIGS. 3 and 4.

γ線を可視光に変換する3個のシンチレータ11゜12
.13は、前述した光電面3の3つの仮想領域(金属線
8,9.10を中心にして形成される3つの領域)に対
応して配置されている。また隣接するシンチレータ間に
は遮蔽板18.18が配置されている。
Three scintillators 11°12 that convert gamma rays into visible light
.. 13 are arranged corresponding to the three virtual regions (three regions formed around the metal lines 8, 9, and 10) of the photocathode 3 described above. Furthermore, a shielding plate 18.18 is arranged between adjacent scintillators.

第3図、第4図に示すように中央のシンチレータ12が
発光した場合を考える。
Consider the case where the central scintillator 12 emits light as shown in FIGS. 3 and 4.

金属線9に電圧がかかっていない場合、電界の分布は第
3図の14のように表され、光電子は15に示すilt
道を通りすべてダイノード群5の第1ダイノードに収束
される。
When no voltage is applied to the metal wire 9, the electric field distribution is expressed as 14 in FIG.
All of them pass through the road and converge to the first dynode of dynode group 5.

次に金属線9に正の電圧(約80V)が印加されると、
光電面3とフォーカス電極4によって形成されていた電
界分布14は第4図の16に示すように大きく乱され、
大部分の光電子ば17に示す軌道を通りフォーカス電極
4に衝突する。したがって出力は急激に低下する。
Next, when a positive voltage (approximately 80V) is applied to the metal wire 9,
The electric field distribution 14 formed by the photocathode 3 and the focus electrode 4 is greatly disturbed as shown at 16 in FIG.
Most of the photoelectrons collide with the focus electrode 4 through the trajectory shown in 17. Therefore, the output decreases rapidly.

この特性を利用して3個のシンチレータのうち1つが発
光した場合、金属線11,12.13に適当な間隔で制
御用パルスを順次加え、出力の急激な低下はどの金属線
に加えた時かを判定することにより、3個のシンチレー
タのうちどのシンチレータが発光したかを検知すること
ができる。
Using this characteristic, when one of the three scintillators emits light, control pulses are sequentially applied to the metal wires 11, 12, and 13 at appropriate intervals, and the sudden drop in output occurs when the control pulse is applied to which metal wire. By determining this, it is possible to detect which scintillator among the three scintillators has emitted light.

前記装置は光電面3を複数に分割してどの領域ているが
製造上また動作上若干の問題が残されている。
Although the device divides the photocathode 3 into a plurality of regions, some problems remain in manufacturing and operation.

まず金属線11,12.13をガラスの中に溶かし込む
ため製造工程が非常に複5“1tであるという問題があ
る。
First, there is a problem in that the manufacturing process is extremely complex because the metal wires 11, 12, and 13 are melted into the glass.

前記入射位置を判別するために金属線11等に印加され
る電圧は光の入射に同期させられている必要がある。
In order to determine the incident position, the voltage applied to the metal wire 11 etc. needs to be synchronized with the incident light.

入射光パルス幅の短いものの位置を検出するためには、
その持続期間に高速パルス電圧を印加する必要があるが
、前記80V程度の高速パルスの発生は容易ではない。
To detect the position of an incident light pulse with a short width,
Although it is necessary to apply a high-speed pulse voltage for the duration, it is not easy to generate the high-speed pulse of about 80V.

また、金属線11,12.13と光電面3間には静電容
量が存在するので、この静電容量を介して結合が起こり
、出力回路にパルス状の誘導電圧が生じ、信号処理の妨
害となる可能性がある。
Furthermore, since there is capacitance between the metal wires 11, 12, 13 and the photocathode 3, coupling occurs via this capacitance, producing a pulse-like induced voltage in the output circuit, which interferes with signal processing. There is a possibility that

前記高速パルス電圧は光電面3の抵抗が低いときは、さ
らに低くする必要がある。
The high-speed pulse voltage needs to be lowered further when the resistance of the photocathode 3 is low.

(発明の目的) 本発明の目的は、前記問題を解決した放射線検出装置を
提供することにある。
(Object of the Invention) An object of the present invention is to provide a radiation detection device that solves the above problems.

(発明の構成および作用) 前記目的を達成するために、本発明による放射線検出装
置は、光電子増倍管の光電面と第1ダイノートの空間の
前記光電面の特定の部分からの光電子の経路にメソシュ
電極を設け、ゲート電圧発生回路により、前記メ・ノシ
ュ電極に前記光電面の特定の部分からの光電子の前記第
1ダイノードへの到達を妨げる電界分布を形成させる電
圧を供給し、入射位置判別装置により、前記ゲート電圧
と前記光電子増倍管の出力から前記光電子増倍管の光電
面の前記特定の部分に光の入射があったのか、その他の
部分にあったのかを判別するように構成されている。
(Structure and operation of the invention) In order to achieve the above object, the radiation detection device according to the present invention provides a radiation detecting device that includes a photoelectron path from a photocathode of a photomultiplier tube and a specific portion of the photocathode in a space of a first die note. A mesoche electrode is provided at the mesoche electrode, and a voltage is supplied to the mesoche electrode by a gate voltage generation circuit to form an electric field distribution that prevents photoelectrons from reaching the first dynode from a specific portion of the photocathode, and the incident position is A discriminating device determines from the gate voltage and the output of the photomultiplier tube whether the light is incident on the specific portion of the photocathode of the photomultiplier tube or on another portion. It is configured.

前記光電面により光電子を発生させることができない放
射線を検出するためには、前記光電面の特定の部分の前
面に前記光電面に光電子を放出させることができない放
射線を前記光電面が光電子を放出できる放射線に変換す
る第1のシンチレータを配置し、前記光電面の特定の部
分以外の部分の前面に前記光電面に光電子を放出させる
ことができない放射線を前記光電面が光電子を放出でき
る放射線に変換する第2のシンチレータを配置し、ゲー
ト電圧発生回路により、前記メツシュ電極に前記光電面
の特定の部分からの光電子の前記第1ダイノートへの到
達を妨げる電界分布を形成させる電圧を供給し、入射位
置判別装置により、前記ゲート電圧と前記光電子増倍管
の出力から前記光電子増倍管の光電面の前記特定の部分
に光の入射があったのか、その他の部分にあったのかを
判別することにより、どのシンチレータに放射線の入射
があったのかを判別するように構成されている。
In order to detect radiation that cannot cause photoelectrons to be generated by the photocathode, the photocathode can emit photoelectrons from radiation that cannot cause the photocathode to emit photoelectrons in front of a specific part of the photocathode. A first scintillator that converts into radiation is disposed on the front surface of a portion other than a specific portion of the photocathode, and converts radiation that cannot cause the photocathode to emit photoelectrons into radiation that can cause the photocathode to emit photoelectrons. A second scintillator is arranged, and a voltage is supplied to the mesh electrode by a gate voltage generation circuit to form an electric field distribution that prevents photoelectrons from reaching the first die note from a specific part of the photocathode. A position determination device determines from the gate voltage and the output of the photomultiplier tube whether light is incident on the specific portion of the photocathode of the photomultiplier tube or on another portion. The system is configured to determine which scintillator the radiation is incident on.

前記メソシュ電極を前記位置に設りることは極めて簡単
であり、前記メソシュ電極に印加した電圧と出力の関係
から光電面のどの領域に光が入射したかを容易に検出す
ることかできる。
It is extremely easy to provide the mesoche electrode at the position, and it is possible to easily detect which region of the photocathode the light has entered from the relationship between the voltage applied to the mesoche electrode and the output.

(実施例の説明) 以下、図面等を参照して本発明をさらに詳しく説明する
(Description of Examples) Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the drawings and the like.

第5図は本発明による放射線検出装置で使用する光電子
増倍管の実施例を示す管軸を含む断面図、第6図は管軸
に垂直な面で切断して示した断面図である。
FIG. 5 is a sectional view including the tube axis showing an embodiment of the photomultiplier tube used in the radiation detection apparatus according to the present invention, and FIG. 6 is a sectional view taken along a plane perpendicular to the tube axis.

真空ガラス気密容器190入射窓面20の内壁面には光
電面21が形成されている。
A photocathode 21 is formed on the inner wall surface of the entrance window surface 20 of the vacuum glass airtight container 190.

前記光電面21ば同種の光電子増倍管を密接して配置す
ることを予定して角形に形成しである。また入射方向か
ら見たときに隣接する光電子増倍管の光電管の隙間を少
なくするために、少なくとも光電面21を囲む真空ガラ
ス気密容器19の形状も角形にしである。フォーカス電
極22は光電面21から放出された光電子をダイノード
に導く電界を形成するためのフォーカス電極である。
The photocathode 21 is formed into a rectangular shape with the intention of arranging photomultiplier tubes of the same type closely together. Furthermore, in order to reduce the gap between the phototubes of adjacent photomultiplier tubes when viewed from the incident direction, the shape of the vacuum glass airtight container 19 surrounding at least the photocathode 21 is also square. The focus electrode 22 is a focus electrode for forming an electric field that guides photoelectrons emitted from the photocathode 21 to the dynode.

ダイノード群23は前記光電子を増倍し、増倍された電
子は金属性の網のアノ−1”244こより補数される。
The dynode group 23 multiplies the photoelectrons, and the multiplied electrons are complemented by the anode 1'' 244 of the metallic mesh.

前記入射窓面20に対向する面にはリード線25が設け
られており、このリード線25を介して、光電面21.
フォーカス電極22.ダイノード23に適当な電圧が印
加され、アノード24から信号が取り出される。
A lead wire 25 is provided on the surface facing the entrance window surface 20, and the photocathode 21.
Focus electrode 22. A suitable voltage is applied to the dynode 23 and a signal is extracted from the anode 24.

ゲート用メソシュ電極26は光電面21とフォーカス電
極22間の空間に臨まされている。
The gate mesh electrode 26 faces the space between the photocathode 21 and the focus electrode 22.

第7図にこのメソシュ電極2Gを拡大して示しである。FIG. 7 shows an enlarged view of this mesh electrode 2G.

この電極26は薄いステンレス板をエツチングにより加
工したもので、光電面21側に配置される部分に正六角
形の孔複数個を密接して設けである。
This electrode 26 is made by etching a thin stainless steel plate, and has a plurality of regular hexagonal holes closely spaced in the portion disposed on the photocathode 21 side.

ゲート用メソシュ電極26のメツシュ電極部(第7図に
拡大して示されている部分の部分の幅Wは約5.8m、
m、長さ■(は約3.5 m mの大きさである。
The mesh electrode part of the gate mesh electrode 26 (the width W of the part shown enlarged in FIG. 7 is approximately 5.8 m,
m, length ■ (is approximately 3.5 mm in size.

前記ゲート用メツシュ電極2Gのメソシュ電極部は、第
5図および第6図に示すように真空ガラス気密容器19
の側壁から離れ(約1mm)、光電面21から光電面2
1とダイノート群23の第1ダイノードの距離の約l/
10の距離に配置されている。
The mesh electrode portion of the gate mesh electrode 2G is placed in a vacuum glass airtight container 19 as shown in FIGS. 5 and 6.
(approximately 1 mm) from the side wall of the photocathode 21 to the photocathode 2.
1 and the first dynode of the dynode group 23, approximately l/
They are located at a distance of 10.

なおゲート用メツシュ電極26のメソシュ電極部は第6
図に示すように、この光電子増倍管が動作中に光電面2
1とフォーカス電極22によって形成される等電位面に
できるだけ沿うように張られている。
Note that the mesh electrode part of the gate mesh electrode 26 is the sixth mesh electrode part.
As shown in the figure, when this photomultiplier tube is in operation, the photocathode 2
1 and the focus electrode 22 as much as possible along the equipotential surface formed by the focus electrode 22.

次に前記構成の光電子増倍管の動作特性を第8図および
第9図を参照して説明する。
Next, the operating characteristics of the photomultiplier tube having the above configuration will be explained with reference to FIGS. 8 and 9.

第8図(A)はゲート特性を測定するための接続例を示
す回路である。
FIG. 8(A) is a circuit showing a connection example for measuring gate characteristics.

光電面21を接地し、アノード°24に100OVを印
加しその間の電圧を150にΩの多数の固定抵抗Rの直
列回路を分圧してフォーカス電極22およびダイノート
群23の各電極に電圧を供給する。メツシュ電極26に
は、−12Vと+5■を選択的に供給できるようにする
The photocathode 21 is grounded, 100 OV is applied to the anode 24, and the voltage therebetween is divided into 150 Ω using a series circuit of many fixed resistors R to supply voltage to the focus electrode 22 and each electrode of the die note group 23. do. The mesh electrode 26 can be selectively supplied with -12V and +5V.

メソシュ電極26のメツシュ電極部は光電面21とフォ
ーカス電極22によって形成される+5■の等電位面に
沿って配置されているから、メソシュ電極26に+5■
を印加したときの光電面21とフォーカス電極22間の
電界の形状は、メソシュ電極26が存在しない状態と変
わらない。
Since the mesh electrode part of the mesh electrode 26 is arranged along the +5 square equipotential plane formed by the photocathode 21 and the focus electrode 22, the mesh electrode part of the mesh electrode 26 is
The shape of the electric field between the photocathode 21 and the focus electrode 22 when is applied is the same as when the mesoche electrode 26 is not present.

メツシュ電極26に一12Vを印加すると、前記通常の
電界分布が乱され、メンシュ電極側の光電面からの光電
子はOt道が大きくずれ、第1ダイノードに収束されな
い。メツシュ電極26の存在しない側の電界分布は乱れ
ないので、メソシュ電極26の存在しない側の光電面か
らの光電子は第1段ダイノードに収束される。
When -12V is applied to the mesh electrode 26, the normal electric field distribution is disturbed, and the Ot path of photoelectrons from the photocathode on the mesh electrode side is greatly deviated, and the photoelectrons are not focused on the first dynode. Since the electric field distribution on the side where the mesh electrode 26 is not present is not disturbed, photoelectrons from the photocathode on the side where the mesh electrode 26 is not present are focused on the first stage dynode.

光源27としてピーク波長480 nano tnのL
IEDをパルス幅80μsec 、周期2 K Hzで
発光させ、約lrnmφのアパーチャをもつアパーチャ
1反27aを通して光電面に照射する。
L with peak wavelength 480 nano tn as light source 27
The IED emits light with a pulse width of 80 μsec and a period of 2 KHz, and the photocathode is irradiated through an aperture 27a having an aperture of about lrnmφ.

この光源27の前記アパーチャ板27aのアパーチャを
通して第9図右上の矢印が示すようにゲート用メンシュ
電極26と反対側の光電面端から他方の端までを照射す
るように移動させる。
The light source 27 is moved through the aperture of the aperture plate 27a so as to irradiate the area from the end of the photocathode opposite to the gate mensch electrode 26 to the other end, as indicated by the arrow in the upper right corner of FIG.

ダイノート群19により増倍されアノード24から取り
出された信号はコンデンサ28を介して増幅器29に接
続され増幅される。増幅器29の出力は検波回路30で
検波され検波出力がX・Yレコーダ31により、記録さ
れる。
The signal multiplied by the dynote group 19 and taken out from the anode 24 is connected to an amplifier 29 via a capacitor 28 and amplified. The output of the amplifier 29 is detected by a detection circuit 30, and the detected output is recorded by an X/Y recorder 31.

第9図に前記メツシュ電極26に一12Vを印加した場
合の特性と+5Vを印加した場合の特性を比較して示し
である。第9図においてX軸は光源27の移動方向をY
軸は検波回路30の検波出力を示す。
FIG. 9 shows a comparison of the characteristics when -12V is applied to the mesh electrode 26 and the characteristics when +5V is applied. In FIG. 9, the X axis represents the direction of movement of the light source 27.
The axis indicates the detection output of the detection circuit 30.

X軸の0は光電面の中心を示し、左側がメツシュ電極2
6に対応しない側の光電面上、右側がメツシュ電極26
に対応する側の光電面上の位置を示す。曲線32ば前記
メツシュ電極26に+5■を印加した場合の特性、曲線
33はメツシュ電極26に一12Vを印加した場合の特
性を示す。
0 on the X-axis indicates the center of the photocathode, and the left side is the mesh electrode 2.
On the photocathode on the side that does not correspond to 6, the right side is the mesh electrode 26
The position on the photocathode on the side corresponding to is shown. A curve 32 shows the characteristics when +5V is applied to the mesh electrode 26, and a curve 33 shows the characteristics when -12V is applied to the mesh electrode 26.

この図からメソシュ電極26に一12Vを印加した場合
には右側がメソシュ電極26に対応する側の光電面の放
出した光電子は抑圧されて、殆ど出力に寄与しない。ま
た前記メソシュ電極26に+5Vを印加した場合はメソ
シュ電極26の影響が現れていない。
As can be seen from this figure, when -12V is applied to the mesoche electrode 26, the photoelectrons emitted from the photocathode on the right side corresponding to the mesoche electrode 26 are suppressed and hardly contribute to the output. Further, when +5V is applied to the mesoche electrode 26, no influence of the mesoche electrode 26 appears.

前述のようにメソシュ電極26にある電圧を印加したと
きに第1段ダイノードへの到達が妨げられる光電子を放
出する光電面の領域を以下光電面の特定の部分というこ
とにする。
The region of the photocathode that emits photoelectrons that are prevented from reaching the first stage dynode when a certain voltage is applied to the mesoche electrode 26 as described above will hereinafter be referred to as a specific portion of the photocathode.

第10図は、発明による放射線検出装置の第1p実施例
を示すブロック図である。この実施例装置の検出の対象
は、比較的短い一定時間以」−持続する光信号パルスの
入射とその入射位置である。
FIG. 10 is a block diagram showing a first embodiment of the radiation detection device according to the invention. The object of detection in this embodiment of the apparatus is the incidence of an optical signal pulse that lasts for a relatively short fixed period of time and its incidence position.

光電管の出力は増幅器40により増幅される。その増幅
器40の出力は、エネルギーディスクリミネータ41と
電流検出回路44に接続されている。
The output of the phototube is amplified by an amplifier 40. The output of the amplifier 40 is connected to an energy discriminator 41 and a current detection circuit 44.

エネルギーディスクリミネータ41は増幅器40の出力
が光信号パルスに原因するものであると判断した時点か
ら信号を発生ずる。
Energy discriminator 41 generates a signal from the time it determines that the output of amplifier 40 is caused by an optical signal pulse.

遅延回路42は前記エネルギーディスクリミネータ41
の信号を前記光信号パルスの持続時間よりも充分に短い
一定時間遅延させゲート電圧発生回路43に供給する。
The delay circuit 42 is connected to the energy discriminator 41
The signal is delayed by a certain period of time sufficiently shorter than the duration of the optical signal pulse, and is then supplied to the gate voltage generation circuit 43.

ゲート電圧発生回路43は當時は、+5ホルトの電圧を
前記メソシュ電極26に供給しているが、遅延回路42
からの信号により、メソシュ電極26に一12ボルトの
電圧を供給する。
The gate voltage generation circuit 43 is currently supplying a voltage of +5 volts to the mesoche electrode 26, but the delay circuit 42
A voltage of 112 volts is supplied to the mesh electrode 26 by a signal from the .

前述したように、光電面からの光電子が光電面の特定の
部分からのものであれば、以後その光電子は第1段ダイ
ノードに到達できないので光電子増倍管の出力は急激に
低下する。
As mentioned above, if the photoelectrons from the photocathode are from a specific part of the photocathode, the photoelectrons cannot reach the first stage dynode after that, so the output of the photomultiplier tube sharply decreases.

光電面からの光電子がメツシュ電極26側からでないと
き、すなわち特定の光電面からでないときは光電子は前
記メソシュ電極26の電圧変化の影響を受けないので、
光電子増倍管の出力は低下しない。
When the photoelectrons from the photocathode are not from the mesh electrode 26 side, that is, when they are not from a specific photocathode, the photoelectrons are not affected by the voltage change of the mesh electrode 26.
The output of the photomultiplier tube is not reduced.

判別器45には、前記増幅器40の出力と電気量検出器
44の出力が接続されている。
The output of the amplifier 40 and the output of the electric quantity detector 44 are connected to the discriminator 45 .

電気量検出器44により検出される電気量は、光パルス
が特定の光電面に入射したときは光パルスが前記特定の
光電面でない光電面に入射したときに比較して少なくな
る。
The quantity of electricity detected by the quantity of electricity detector 44 is smaller when the optical pulse is incident on a specific photocathode than when the optical pulse is incident on a photocathode other than the specific photocathode.

判別器45はエネルギーディスクリミネータ41からの
信号と前記電気量検出器44の出力から光電面21のど
の部分に光パルスの入射があったかを判別する。
The discriminator 45 discriminates from the signal from the energy discriminator 41 and the output of the electric quantity detector 44 which part of the photocathode 21 the optical pulse is incident on.

次に、γ線検出用の第2の実施例について説明する。Next, a second embodiment for gamma ray detection will be described.

第11図は第2の実施例における光電子増倍管とシンチ
レータの位置関係を示す図、第13図は本発明による放
射線検出装置の第2の実施例を示すブロック図、第14
図は前記第2の実施例装置の動作を説明するための波形
図である。
FIG. 11 is a diagram showing the positional relationship between the photomultiplier tube and the scintillator in the second embodiment, FIG. 13 is a block diagram showing the second embodiment of the radiation detection device according to the present invention, and FIG.
The figure is a waveform diagram for explaining the operation of the second embodiment device.

光電子増倍管19の前面に、γ線検出器として2個のゲ
ルマニウム酸ビスマスレンチレータ (以下BGO)3
4.35と遮蔽板36が配置されている。
In front of the photomultiplier tube 19, two bismuth germanate lentilators (hereinafter referred to as BGO) 3 are installed as gamma ray detectors.
4.35 and a shielding plate 36 are arranged.

BGO34はメソシュ電極26に対応しない側の光電面
、ずなわら光電面の特定の部分でない光電面に対応させ
られている。
The BGO 34 is made to correspond to the photocathode on the side that does not correspond to the mesoche electrode 26, that is, to the photocathode that is not a specific part of the photocathode.

BGO35はメソシュ電極26に対応する側の光電面す
なわち光電面12の特定の部分の前面に位置させられて
いる。
The BGO 35 is located on the side of the photocathode corresponding to the mesh electrode 26, that is, in front of a specific portion of the photocathode 12.

第12図にBGOの発光波形を示す。FIG. 12 shows the light emission waveform of BGO.

BGOの発光波形の時定数(ピークの1/eになる時間
、eは自然対数の底)が300 nano secであ
る。
The time constant (time to reach 1/e of the peak, e is the base of the natural logarithm) of the BGO emission waveform is 300 nano sec.

この第2の実施例は、BGOの発光によるパルスの波形
であると充分判断できる時間、つまりパルスがピークに
達してから約150 nano sec 経過した後に
メツシュ電極に一12V印加するように構成されている
This second embodiment is configured to apply -12V to the mesh electrode after a sufficient period of time to determine that the pulse waveform is due to light emission from BGO, that is, approximately 150 nano seconds after the pulse reaches its peak. There is.

第13図に示すブロック図中の回路部分の基本的な構成
は先に、第10図を参照して説明した所と変わらない。
The basic configuration of the circuit portion in the block diagram shown in FIG. 13 is the same as that described above with reference to FIG. 10.

光電管の出力は増幅器40により増幅される。この増幅
器40の出力波形を第14図(40)に示す。この増幅
器40の出力は、エネルギーディスクリミネータ41−
と電流検出回路44に接続されている。エネルギーディ
スクリミネータ41は増幅器40の出力がBGOの発光
に原因するものであるか雑音であるかを判別しBGOの
発光に原因するものであると判断したときはBGoの発
光のピーク近辺で信号を発生ずる。
The output of the phototube is amplified by an amplifier 40. The output waveform of this amplifier 40 is shown in FIG. 14 (40). The output of this amplifier 40 is an energy discriminator 41-
and a current detection circuit 44. The energy discriminator 41 determines whether the output of the amplifier 40 is caused by the BGO light emission or is noise, and when it is determined that the output is caused by the BGO light emission, it outputs a signal near the peak of the BGO light emission. will occur.

エネルギーディスクリミネータ41の出力を第14図の
(41)に示す。
The output of the energy discriminator 41 is shown in (41) in FIG.

遅延回路42は前記エネルギーディスクリミネータ41
の信号を前記BGOの発光に原因するパルスの持続時間
よりも充分に短い150 nano 5ec(=τ)だ
け遅延させゲート電圧発生回路43に供給する。遅延回
路42の出力を第14図の(42)に途ず。
The delay circuit 42 is connected to the energy discriminator 41
The signal is delayed by 150 nano 5 ec (=τ), which is sufficiently shorter than the duration of the pulse caused by the light emission of the BGO, and is supplied to the gate voltage generation circuit 43. The output of the delay circuit 42 is routed to (42) in FIG.

ゲート電圧発生回路43は第14図の(43)に示すよ
うに雷時は、→−5ポルI−の電圧を前記メ・ノシュ電
極2Gに供給しているが、遅延回路42からの信号によ
り、メソシュ電極26に一12ポルl・の電圧を供給す
る。
As shown in (43) in FIG. 14, the gate voltage generation circuit 43 supplies a voltage of →-5polI- to the me-noche electrode 2G during lightning, but due to the signal from the delay circuit 42, , a voltage of -12 pol l· is supplied to the mesh electrode 26.

第14図のtlの時点でγ線かBGO34に入射し光電
面21の特定の部分が光電子を放出する。
At time tl in FIG. 14, gamma rays enter the BGO 34, and a specific portion of the photocathode 21 emits photoelectrons.

メソシュ電極26は当初は+5ボルトに保たれているか
ら、前記光電子の第1段ダイノードへの進行を妨げない
ので、増幅器40から、第12図に示したBGOの発光
に対応する波湿が現れる。
Since the mesoche electrode 26 is initially maintained at +5 volts, it does not prevent the photoelectrons from proceeding to the first stage dynode, so a wave wave corresponding to the light emission of the BGO shown in FIG. 12 appears from the amplifier 40. .

エネルギーディスクリミネータ41が増幅器40の出力
がBGOの発光に原因するものであると判断し第4図(
41)に示す波形を出力してから150 nano s
ec遅れてメソシュ電極26に一12ボルトの電圧が印
加されると、光電面21の特定の部分からの光電子は第
1段ダイノードへ到達することができなくなる。
The energy discriminator 41 determines that the output of the amplifier 40 is the cause of the light emission of the BGO, and as shown in FIG.
150 nano s after outputting the waveform shown in 41)
When a voltage of 112 volts is applied to the mesh electrode 26 after a delay of ec, photoelectrons from a specific portion of the photocathode 21 cannot reach the first stage dynode.

その結果光電子増倍管の出力は急激に低下して、第4図
(40)に示すように増幅器40の出力も低下する。
As a result, the output of the photomultiplier tube decreases rapidly, and the output of the amplifier 40 also decreases, as shown in FIG. 4 (40).

電気量検出器44はこの出力は一つの発光に対応する電
気量より少なくなる。
The output of the electric quantity detector 44 is less than the electric quantity corresponding to one light emission.

判別器45は、エネルギーディスクリミネータ41から
のBGOの発光に原因する信号があったという情報と、
電気量検出器44の出力が一つの発光に対応する電気量
より少ないという情報から光電面21の特定の部分に光
の入射があったこと、つまりBGO34にγ線の入射が
あったことを判別した出力を発生する。
The discriminator 45 receives information from the energy discriminator 41 that there is a signal that causes the BGO to emit light, and
Based on the information that the output of the electric quantity detector 44 is less than the electric quantity corresponding to one light emission, it is determined that light was incident on a specific part of the photocathode 21, that is, that γ rays were incident on the BGO 34. output.

第14図のtlの時点にγ線がBGO35に入射すると
し光電面21の特定の部分以外の部分から光電子が放出
される。前述したようにエネルギーディスクリミネータ
41は増幅器40の出力がBGoの発光に原因するもの
であると判断し、第4図(41)に示す波形を出力して
から150 nan。
Assuming that γ rays are incident on the BGO 35 at time tl in FIG. 14, photoelectrons are emitted from a portion of the photocathode 21 other than a specific portion. As mentioned above, the energy discriminator 41 determines that the output of the amplifier 40 is caused by the light emission of BGo, and outputs the waveform shown in FIG. 4 (41) for 150 nan.

sec遅れてメツシュ電極26に一12ボルトの電圧を
印加する。
After a sec delay, a voltage of 112 volts is applied to the mesh electrode 26.

光電面21の特定の部分以外の領域からの光電子は前記
メソシュ電極26の影響を受けず、総て第1段グイノー
トへ到達する。
Photoelectrons from areas other than a specific portion of the photocathode 21 are not affected by the mesoche electrode 26 and all reach the first stage Geuinault.

その結果、光電子増倍管の出力の急激な低下G、L発生
しないので、電気量検出器44は一つの発1こ対応する
電気量を検出することができる。
As a result, a sudden drop G and L in the output of the photomultiplier tube does not occur, so the quantity of electricity detector 44 can detect the quantity of electricity corresponding to one emitted light.

判別器45は、エネルギーディスクリミネータ41から
のBGOの発光に原因する信何があったという情報と、
電気量検出器44が一つの発光Gこ対応する電気量を検
出したという情報から光電面21の特定の部分以外に光
の入射があったこと、つまりBQO35にγ線の入射が
あったことを判別した出力を発生ずる。
The discriminator 45 receives information from the energy discriminator 41 indicating that there is a belief that the emission of BGO is caused, and
From the information that the electric quantity detector 44 detected the electric quantity corresponding to one light emission G, it is determined that light was incident on a part other than the specific part of the photocathode 21, that is, that γ rays were incident on the BQO 35. Generate the determined output.

以上、メツシュ電極1個を真空容器内心こ配置して、光
電面を特定の部分と他の部分に分ける実施例について詳
細に説明したが、これらの実施例Gこつき本発明の範囲
内で種々の変形を施すことができる。
The embodiments above have been described in detail in which one mesh electrode is placed in the center of the vacuum vessel to divide the photocathode into a specific part and other parts. can be modified.

メソシュ電極を21[1i1以上設けて光電面の特定の
部分を2以上にすることも可能である。
It is also possible to provide 21[1i1 or more mesoche electrodes, thereby making the specific portion of the photocathode 2 or more.

この場合3個以上のシンチレータを対応する部分に配置
することにより、一つの光電子増倍管で3個以上のシン
チレータの発光を区別できる。
In this case, by arranging three or more scintillators in corresponding portions, one photomultiplier tube can distinguish the light emissions of three or more scintillators.

前記第2の実施例においてγ線の検出の例を示したが、
適当なシンチレータを用いることにより電磁波以外の放
射線の入射位置を一つの光電子増倍管で複数領域に分け
て検出できる。
Although an example of gamma ray detection was shown in the second embodiment,
By using an appropriate scintillator, the incident position of radiation other than electromagnetic waves can be divided into multiple regions and detected using a single photomultiplier tube.

(発明の効果) 以上説明したように、本発明による放射線検出装置では
、メツシュ電極を設け、光電面の特定の部分の光電子の
振る舞いを制御することにより、単一の光電面を持つ光
電子増倍管を、実質式に2以上の光電子増倍管に相当す
る働きをさセることができる。
(Effects of the Invention) As explained above, in the radiation detection device according to the present invention, by providing a mesh electrode and controlling the behavior of photoelectrons in a specific part of the photocathode, photoelectron multiplication with a single photocathode is possible. The tube can essentially function as two or more photomultiplier tubes.

メソシュ電極を光電面と第1段ダイノードの間に設ける
ことは極めて簡単であり、かつ制御も簡単である。
Providing the mesoche electrode between the photocathode and the first stage dynode is extremely simple and controllable.

このゲート用メソシュ電極26を組立てるのは、前述し
た先行技術として示した光電子増倍管で、金属線11,
12.13を真空気密容器の底面に熔かし込むという工
程に比べれば非電に簡単である。
This gate mesh electrode 26 is assembled using the photomultiplier tube shown as the prior art described above, and the metal wire 11,
Compared to the process of melting 12.13 into the bottom of a vacuum-tight container, it is non-electrically simple.

前記メソシュ電極に印加する電圧は実施例に示したよう
に極めて低い電圧であり、高速動作に適している。
The voltage applied to the mesoche electrode is an extremely low voltage as shown in the embodiment, and is suitable for high-speed operation.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の光電子増倍管の構成例を示す図でって管
軸を含む平面で切断して示した断面図である。 第2図は前記光電子増倍管の入射窓の部分を管軸に直角
な平面で切断して示した断面図である。 第3図および第4図は前記光電子増倍管とシンチレータ
を組合せて使用する場合の動作を説明するだめの略図で
ある。 第5図は、本発明による放射線検出装置で使用する光電
子増倍管の実施例を示す図であって、管軸を含む平面で
切断して示した断面図である。 第6図は前記光電子増倍管を管軸に直角な平面で切断し
て示した断面図である。 第7図は、前記光電子増倍管のメソシュ電極の一部を拡
大して示した平面図である。 第8図は前記光電子増倍管の動作特性を測定する回路例
を示す回路図である。 第9図は測定結果を示すグラフである。 第10図は本発明による放射線検出装置の第1の実施例
を示すブロック図である。 第11図は本発明による放射線検出装置の第1の実施例
におけるシンチレータと光電子増倍管の関係を示す略図
である。 %12図はゲルマニウム酸ビスマスシンチレータの応答
特性を示すグラフである。 第13図は本発明による放射線検出装置の第2の実施例
を示すブロック図である。 第14図は前記第2の実施例装置の動作を説明するため
の波形図である。 1・・・真空ガラス気密容器 2・・・真空ガラス気密容器の入射窓 3・・・光電面 4・・・フォーカス電極 5・・・ダイノード群 6・・・アノード 7・・・リード線 8、 9. 10・・・ゲート用金属線11.12.1
3・・・シンチレータ 14・・・従来品の光電子増倍管にゲートをかけない時
の電界分布 15・・・14の電界分布の時の電子軌道16・・・従
来品の光電子増倍管にゲートをかけた時の電界分布 17・・・16の電界分布の時の電子軌道18・・・遮
蔽板 19・・・真空ガラス気密容器 20・・・真空ガラス気密容器の入射窓面21・・・光
電面 22・・・フォーカス電極 23・・・ダイノード群 24・・・アノード 25・・・リード線 26・・・ゲート用メソシュ電極 27・・・測定用光源 28・・・コンデンサ 29・・・増幅器 30・・・検波回路 31・・・X−Yレコーダ 34.35・・・シンチレータ 36・・・遮蔽板 39・・・光電子増倍管 40・・・増幅器 41・・・エネルギーディスクリミネータ42・・・遅
延回路 43・・・パルス発生器 44・・・電気量検出器 45・・・判別器 特許出願人 1)中 栄 − 浜松ボトニクス株式会社 代理人 弁理士 井 ノ ロ 壽 第1図 第2図 第11図 第12図
FIG. 1 is a diagram showing an example of the configuration of a conventional photomultiplier tube, and is a sectional view taken along a plane including the tube axis. FIG. 2 is a cross-sectional view of the entrance window of the photomultiplier tube taken along a plane perpendicular to the tube axis. FIGS. 3 and 4 are schematic diagrams for explaining the operation when the photomultiplier tube and scintillator are used in combination. FIG. 5 is a diagram showing an embodiment of a photomultiplier tube used in a radiation detection apparatus according to the present invention, and is a sectional view taken along a plane including the tube axis. FIG. 6 is a cross-sectional view of the photomultiplier tube taken along a plane perpendicular to the tube axis. FIG. 7 is an enlarged plan view of a part of the mesoche electrode of the photomultiplier tube. FIG. 8 is a circuit diagram showing an example of a circuit for measuring the operating characteristics of the photomultiplier tube. FIG. 9 is a graph showing the measurement results. FIG. 10 is a block diagram showing a first embodiment of the radiation detection apparatus according to the present invention. FIG. 11 is a schematic diagram showing the relationship between the scintillator and the photomultiplier tube in the first embodiment of the radiation detection device according to the present invention. The %12 diagram is a graph showing the response characteristics of a bismuth germanate scintillator. FIG. 13 is a block diagram showing a second embodiment of the radiation detection apparatus according to the present invention. FIG. 14 is a waveform diagram for explaining the operation of the second embodiment device. 1... Vacuum glass airtight container 2... Inlet window of vacuum glass airtight container 3... Photocathode 4... Focus electrode 5... Dynode group 6... Anode 7... Lead wire 8, 9. 10...Metal wire for gate 11.12.1
3... Scintillator 14... Electric field distribution when no gate is applied to a conventional photomultiplier tube 15... Electron trajectory when the electric field distribution of 14 is applied 16... To a conventional photomultiplier tube Electric field distribution when the gate is applied 17...Electron trajectory 18 when the electric field distribution is 16...Shielding plate 19...Vacuum glass airtight container 20...Incidence window surface 21 of the vacuum glass airtight container... - Photocathode 22... Focus electrode 23... Dynode group 24... Anode 25... Lead wire 26... Mesoche electrode for gate 27... Light source for measurement 28... Capacitor 29... Amplifier 30...Detection circuit 31...X-Y recorder 34.35...Scintillator 36...Shielding plate 39...Photomultiplier tube 40...Amplifier 41...Energy discriminator 42 ...Delay circuit 43...Pulse generator 44...Electrical quantity detector 45...Discriminator Patent applicant 1) Sakae Naka - Representative of Hamamatsu Botonics Co., Ltd. Patent attorney Hisashi Inoro Figure 1 Figure 2 Figure 11 Figure 12

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)光電子増倍管の光電面と第1ダイノードの空間の
前記光電面の特定の部分からの光電子の経路にメソシュ
電極を設け、ゲート電圧発生回路により前記メソシュ電
極に前記光電面の特定の部分からの光電子の前記第1ダ
イノードへの到達を妨げる電界分布を形成させる電圧を
供給し、判別装置により、前記ゲート電圧と前記光電子
増倍管の出力から前記光電子増倍管の光電面の前記特定
の部分に光の入射があったのか、その他の部分にあった
のかを判別するように構成した放射線検出装置。
(1) A mesoche electrode is provided on the path of photoelectrons from a specific part of the photocathode in the space between the photocathode of the photomultiplier tube and the first dynode, and a gate voltage generation circuit is used to connect the mesoche electrode to a specific part of the photocathode. A voltage is supplied to form an electric field distribution that prevents photoelectrons from reaching the first dynode, and a discriminating device determines whether the photoelectrons on the photocathode of the photomultiplier tube are A radiation detection device configured to determine whether light is incident on a specific part or another part.
(2)前記メソシュ電極のメツシュ部は、前記光電子増
倍管の光電面と第1グイノートの空間の前記光電面の特
定の部分からの光電子の経路中の等電位面に沿って配置
されている特許請求の範囲第1項記載の放射線検出装置
(2) The mesh portion of the mesh electrode is arranged along an equipotential surface in the path of photoelectrons from a specific portion of the photocathode in the space between the photocathode of the photomultiplier tube and the first guinaut. A radiation detection device according to claim 1.
(3) 前記ゲート電圧発生回路は、通常は前記メツシ
ュ電極に前記メソシュ電極が配置されている空間の電圧
と等しい電圧を印加し、必要時に前記メソシュ電極が配
置されている空間の電圧よりも低い電圧を印加する特許
請求の範囲第2項記載の放射線検出装置。
(3) The gate voltage generation circuit normally applies a voltage equal to the voltage of the space where the mesh electrode is arranged, and when necessary, applies a voltage lower than the voltage of the space where the mesh electrode is arranged. The radiation detection device according to claim 2, which applies a voltage.
(4)前記判別装置は、前記光電子増倍管の出力から光
信号の入射を検出し、光信号の入射がありかつ前記ゲー
ト電圧発生回路により前記メ・ノシュ電極に前記光電面
の特定の部分からの光電子の前記第1ダイノードへの到
達を妨げる電界分布を形成させる電圧を供給したときに
出力の減少があったときに前記光電面の特定の部分に光
の入射があったと判定する特許請求の範囲第1項記載の
放射線検出装置。
(4) The discrimination device detects the incidence of an optical signal from the output of the photomultiplier tube, and when the optical signal is incident, the gate voltage generation circuit causes the me-noche electrode to detect a specific portion of the photocathode. A patent claim that determines that light is incident on a specific portion of the photocathode when there is a decrease in output when a voltage is supplied to form an electric field distribution that prevents photoelectrons from reaching the first dynode. The radiation detection device according to item 1.
(5)光電子増倍管の光電面と第1グイノートの空間の
前記光電面の特定の部分からの光電子の経路にメソシュ
電極を設け、前記光電面の特定の部分の前面に前記光電
面に光電子を放出させることができない放射線を前記光
電面が光電子を放出できる放射線に変換する第1のシン
チレータを配置し、前記光電面の特定の部分以外の部分
の前面に前記光電面に光電子を放出させることができな
い放射線を前記光電面が光電子を放出できる放射線に変
換する第2のシンチレータを配置し、ゲート電圧発生回
路により、前記メソシュ電極に前記光電面の特定の部分
からの光電子の前記第1グイノートへの到達を妨げる電
界分布を形成させる電圧を供給し、判別装置により、前
記ゲート電圧と前記光電子増倍管の出力から前記光電子
増倍管の光電面の前記特定の部分に光の入射があったの
か、その他の部分にあったのかを判別することにより、
どのシンチレータに放射線の入射があったのかを判別す
るように構成した放射線検出装置。
(5) A mesoche electrode is provided in the path of photoelectrons from a specific part of the photocathode in the space between the photocathode of the photomultiplier tube and the first guinaut, and a mesoche electrode is provided on the path of photoelectrons from a specific part of the photocathode in front of the specific part of the photocathode. disposing a first scintillator that converts radiation that cannot be caused to emit into radiation that allows the photocathode to emit photoelectrons, and causing the photocathode to emit photoelectrons in front of a portion other than a specific portion of the photocathode; A second scintillator is disposed that converts radiation that cannot be emitted by the photocathode into radiation that allows the photocathode to emit photoelectrons, and a gate voltage generation circuit causes the mesoche electrode to transfer photoelectrons from a specific portion of the photocathode to the first scintillator. A determination device determines whether light is incident on the specific portion of the photocathode of the photomultiplier tube from the gate voltage and the output of the photomultiplier tube. By determining whether the
A radiation detection device configured to determine which scintillator has received radiation.
(6)前記各シンチレータは、γ線を可視光に変換する
ゲルマニウム酸ビスマスシンチレータである特許請求の
範囲第5項記載の放射線検出装置。
(6) The radiation detection device according to claim 5, wherein each of the scintillators is a bismuth germanate scintillator that converts gamma rays into visible light.
JP12719083A 1983-07-13 1983-07-13 Detector for radioactive rays Granted JPS6020441A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12719083A JPS6020441A (en) 1983-07-13 1983-07-13 Detector for radioactive rays

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12719083A JPS6020441A (en) 1983-07-13 1983-07-13 Detector for radioactive rays

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6020441A true JPS6020441A (en) 1985-02-01
JPH044692B2 JPH044692B2 (en) 1992-01-29

Family

ID=14953910

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12719083A Granted JPS6020441A (en) 1983-07-13 1983-07-13 Detector for radioactive rays

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6020441A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5471051A (en) * 1993-06-02 1995-11-28 Hamamatsu Photonics K.K. Photocathode capable of detecting position of incident light in one or two dimensions, phototube, and photodetecting apparatus containing same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5471051A (en) * 1993-06-02 1995-11-28 Hamamatsu Photonics K.K. Photocathode capable of detecting position of incident light in one or two dimensions, phototube, and photodetecting apparatus containing same

Also Published As

Publication number Publication date
JPH044692B2 (en) 1992-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8993970B2 (en) Photomultiplier and detection systems
EP1029427B1 (en) A method and a device for planar beam radiography and a radiation detector
JP4791935B2 (en) Neutron / gamma ray discrimination method of scintillation neutron detector using ZnS phosphor
CN108983281B (en) Detection system and method for measuring electronic relative light yield of scintillator to be detected
US7619199B2 (en) Time-resolved measurement apparatus and position-sensitive election multiplier tube
US5155366A (en) Method and apparatus for detecting and discriminating between particles and rays
CN109975858A (en) A kind of imaging photoelectron beam sweep type time domain gating photoelectric detecting system
JP4570132B2 (en) Center point apparatus and method for sub-pixel resolution of X-ray images
US5367168A (en) Method for discrimination and simultaneous or separate measurement of single or multiple electronic events in an opto-electronic detector
JPS6020441A (en) Detector for radioactive rays
US7242008B2 (en) Bipolar ion detector
US3435207A (en) Apparatus for measuring velocity of low energy electrons
US4912315A (en) Long photomultiplier with translucent photocathode and reflector
US4882480A (en) Apparatus for detecting the position of incidence of particle beams including a microchannel plate having a strip conductor with combed teeth
JPS6371680A (en) Ion detector
JPS62174679A (en) Neutron detector
AU720281B2 (en) Device and method for detection of particles
CN107505647A (en) The improved structure of scintillation detector under a kind of neutron activation environment
Harrison et al. Sensitive Detector for Metastable He+ (2 S) Ions
Fernandez-Figueroa et al. New diagnostic devices to monitor extraction from LEAR
CN107703712B (en) Hard X-ray stripe camera and method for detecting hard X-ray energy section thereof
Enkelmann et al. An optical readout for a fiber tracker
JPS6245423Y2 (en)
CN115863137A (en) High-time-resolution photomultiplier and implementation method
JPH08201342A (en) Four-pole piece mass spectrometer