JPS60187002A - Surge absorber - Google Patents

Surge absorber

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JPS60187002A
JPS60187002A JP4314984A JP4314984A JPS60187002A JP S60187002 A JPS60187002 A JP S60187002A JP 4314984 A JP4314984 A JP 4314984A JP 4314984 A JP4314984 A JP 4314984A JP S60187002 A JPS60187002 A JP S60187002A
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JP
Japan
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short
surge absorber
metal
container
electrode plates
Prior art date
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Pending
Application number
JP4314984A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
功 奥富
千葉 誠司
尚男 西川
正己 助原
石松 正規
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、サイリスタ等の半導体素子、あるいは他の電
気部品を過電圧から保護するために用いられるサージア
ブソーバに関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a surge absorber used to protect semiconductor devices such as thyristors or other electrical components from overvoltage.

〔発明の技術的背景〕[Technical background of the invention]

サイリスタを電力回路において多数直列接続したり直並
列接続したりしてサイリスタ変換装置を構成する場合、
サイリスタを雷サージ等の過電圧から保護するために直
流アレスタが用いられている。一方、最近、高性能の非
直線抵抗素子が開発され、従来のギャップ付アレスタに
代わって、非、直線抵抗素子を用いたギャップレス型の
サージアブソーバが提案されている。この種のサージア
ブソーバは複数個のサイリスタに一括して並列に接続す
るか、個々のサイリスタにそれぞれ並列接続するかして
用いられる。第1図は後者の例を示すものである。
When configuring a thyristor conversion device by connecting a large number of thyristors in series or series-parallel in a power circuit,
DC arresters are used to protect thyristors from overvoltages such as lightning surges. On the other hand, recently, high-performance non-linear resistance elements have been developed, and gapless type surge absorbers using non-linear resistance elements have been proposed in place of conventional gapped arresters. This type of surge absorber is used by connecting a plurality of thyristors all at once in parallel, or by connecting each thyristor in parallel. FIG. 1 shows an example of the latter.

第1図は送電線路での適用例を示すもので、線路端子A
と大地端子にとの間に複数個の直列接続されたサイリス
タ1が電力変換装置の一部または全部として設けられて
いる。図示の個々のサイリスタ1は1個または複数個の
サイリスタ素子からなっているものとする。各サイリス
タ1にはそれぞれコンデンt2および抵抗3の直列接続
体からなる分圧保膜回路とサージアブソーバ5とが並列
に接続されている。線路と天地間に存在するストレイキ
ャパシタンスは各サイリスタの接続点と端子にとの間に
分布して符号4で示されている。
Figure 1 shows an example of application to a power transmission line, where line terminal A
A plurality of thyristors 1 connected in series are provided between the power converter and the ground terminal as part or all of the power converter. It is assumed that each thyristor 1 shown in the figure consists of one or more thyristor elements. Each thyristor 1 is connected in parallel with a partial pressure membrane circuit consisting of a capacitor t2 and a resistor 3 connected in series, and a surge absorber 5. Stray capacitance existing between the line and the top and ground is distributed between the connection point and the terminal of each thyristor and is indicated by reference numeral 4.

〔背景技術の問題点〕[Problems with background technology]

第1図の回路に端子Aから雷サージ電圧または開閉サー
ジ電圧が侵入した時、何らかの原因でサージアブソーバ
5が異常を来たして破壊すると、サイリスクの場合とは
異なり、サージアブソーバ5はアーク電圧が高いため注
入エネルギーが増大し、その結果として容器を破壊し、
アークが外部に放出され、周辺機器に悪影響を及ぼし、
事故の拡大に至る危険があった。
When lightning surge voltage or switching surge voltage enters the circuit in Figure 1 from terminal A, if the surge absorber 5 malfunctions for some reason and breaks down, unlike in the case of Cyrisk, the surge absorber 5 will have a high arc voltage. Therefore, the injection energy increases, resulting in the destruction of the container,
Arc is emitted to the outside and has a negative impact on peripheral equipment.
There was a risk that the accident would escalate.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は前述の不都合を除去するためになされたもので
、爆発するおそれのないサージアブソーバを提供するこ
とを目的とするものである。
The present invention was made in order to eliminate the above-mentioned disadvantages, and it is an object of the present invention to provide a surge absorber that does not have the risk of exploding.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

前記目的を達成するために本発明は、160〜350℃
の溶融温度を持つ金属材料からなる短絡金属を、溶融す
ることにより両電極板の相互間を短絡しうるように両電
極板の間に若干のギャップを介して配設したことを特徴
とするものである。この構成によれば、サージの侵入に
より容器内の非直線抵抗素子が破壊され、アークが発生
すると、短絡金属が溶融して両電極板の間に溶融金属に
よる橋絡路が出来、それによって電極板間のインピーダ
ンスを下げ、注入エネルギーを減少させ、サージアブソ
ーバの爆発・破壊を防止することができる。
In order to achieve the above object, the present invention provides
A short-circuiting metal made of a metal material having a melting temperature of . According to this configuration, when the non-linear resistance element in the container is destroyed by the intrusion of a surge and an arc is generated, the short circuit metal melts and a bridge path of molten metal is created between the two electrode plates. It is possible to lower the impedance of the surge absorber, reduce the injection energy, and prevent explosion and destruction of the surge absorber.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

本発明の一実施例を、第2図を参照して説明する。この
サージアブソーバは円筒状のセラミック製絶縁容器6と
、その両開口端を塞ぐ蓋材を兼ねる一対の金属製電極板
7,8とで密閉容器を形成している。両電極板7,80
間に挾持される形で酸化亜鉛(ZnO)などからなる非
直線抵抗素子9が配設されている。密閉容器内にはさら
に非直線抵抗素子9に対して若干のギャップ10 、1
3を介して並列分路を形成するように両電極板7,80
間に短絡金属11.12および14 、15が設けられ
ている。短絡金属は、詳細な成分構成については後述す
るが、温度特性的に160〜350℃程度の溶融温度を
持つ金属材料から成っている。図には2箇所のギャップ
10 、13が示されているが、場合によっては1箇所
でもよく、また、3箇所以上であってもよい。
An embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. This surge absorber forms a closed container with a cylindrical ceramic insulating container 6 and a pair of metal electrode plates 7 and 8 which also serve as lids that close both open ends of the container. Both electrode plates 7, 80
A nonlinear resistance element 9 made of zinc oxide (ZnO) or the like is disposed sandwiched therebetween. There is also a slight gap 10,1 in the sealed container with respect to the nonlinear resistance element 9.
Both electrode plates 7, 80 so as to form a parallel shunt through 3
Shorting metals 11, 12 and 14, 15 are provided in between. Although the detailed composition of the short-circuit metal will be described later, it is made of a metal material having a melting temperature of about 160 to 350°C in terms of temperature characteristics. Although the figure shows two gaps 10 and 13, there may be only one gap, or three or more gaps depending on the case.

このように構成されたサージアブソーバを電力系統に配
設した状態で大きなエネルギーのサージが侵入し、非直
線抵抗素子9が注入エネルギーに耐えられなくなると非
直線抵抗素子9は貫通状態になる。このような貫通状態
でのアーク電圧はサイリスタなどの場合と異なり比較的
高いため、注入エネルギーはかなり太きい。このとき短
絡金属が設けられていなげれば、アークによって電極板
7.8が焼損したり、内圧上昇により絶縁容器6が破壊
し、容器外にアークが飛出して容器沿面なはった状態で
アークが継続したりする。このような状態はサイリスタ
1(第1図)の運転が停止するまで継続し、サージアブ
ソーバの周辺機器に被害を及ぼすおそれがある訳である
When a surge of large energy enters the surge absorber configured in this manner and is installed in the power system, and the nonlinear resistance element 9 becomes unable to withstand the injected energy, the nonlinear resistance element 9 enters a penetrating state. The arc voltage in such a penetrating state is relatively high, unlike in the case of a thyristor, so the injection energy is quite large. If a short-circuiting metal is not provided at this time, the electrode plates 7 and 8 may be burnt out due to the arc, the insulating container 6 may be destroyed due to the increase in internal pressure, and the arc may jump out of the container and spread along the container. The arc continues. Such a state continues until the operation of the thyristor 1 (FIG. 1) is stopped, and there is a possibility that damage may be caused to peripheral devices of the surge absorber.

しかし、本発明による第2図のサージアブソーバにおい
ては、アークが短絡金属11.12 、14 、15に
直接触れるか、またはアーク熱が及ぶと、短絡金属は溶
融し、両電極板7,8間がその溶融した短絡金属によっ
て橋絡される。この結果、アークは消滅し、容器の外に
飛出すことはない。また、アーク消滅により容器内圧の
上昇も抑制されることになる。
However, in the surge absorber of FIG. 2 according to the present invention, when the arc directly touches the short-circuited metals 11, 12, 14, and 15, or when the arc heat reaches them, the short-circuited metals melt, and the gap between the two electrode plates 7 and 8 is are bridged by the molten shorting metal. As a result, the arc is extinguished and does not fly out of the container. Moreover, the rise in the internal pressure of the container is also suppressed due to the extinction of the arc.

このようなサージアブソーバにおいては所定レベル値以
上の注入エネルギーがあったときは短絡金属がミリ秒オ
ーダーの短い時間内で速やかに溶融して電極板間を短絡
することが必須条件である。
In such a surge absorber, it is essential that when the injection energy exceeds a predetermined level value, the short-circuiting metal should melt quickly within a short time on the order of milliseconds to short-circuit the electrode plates.

この条件を満たすためには溶融温度が所定の範囲内にあ
ることが必要である。ここで溶融温度150℃未満では
定格電流通電時の温度上昇や周囲の熱の影響によって、
異常エネルギー人力が与えられなくても溶融してしまう
おそれがある。また溶融温度360℃以上では、溶融ま
での時間が長くなってしまい、その間に容器内に蓄えら
れた異常に大きなエネルギーによって非直線抵抗素子9
を破壊するおそれがある。そこで本発明においでは前述
のごとく短絡金属の溶融温度を160〜350°Cに設
定することによって、そのような不都合を回避している
訳である。この溶融温度は材料の比熱、熱伝導率、融解
熱、蒸発潜熱、および使用量などを勘案して所望の値に
容易に設定することができる。
In order to satisfy this condition, the melting temperature must be within a predetermined range. If the melting temperature is less than 150℃, due to the temperature rise when the rated current is applied and the influence of the surrounding heat,
There is a risk that it will melt even if abnormal energy is not applied. In addition, if the melting temperature is 360°C or higher, the time until melting becomes long, and during that time, the non-linear resistance element 9 is affected by the abnormally large energy stored in the container.
There is a risk of destroying it. Therefore, in the present invention, such inconvenience is avoided by setting the melting temperature of the short-circuiting metal to 160 to 350°C as described above. This melting temperature can be easily set to a desired value by taking into consideration the specific heat, thermal conductivity, heat of fusion, latent heat of vaporization, amount used, etc. of the material.

次に、短絡金属として種々の材料組成のものを用いて行
なったテストの結果について述べる。このテストにおい
ては、第2図の構成のサージアブソーバにおいて、絶縁
容器7としてプラスチックからなる直径135i+gの
ものを用い、その中に直径約60朋、厚さ約20龍のZ
nO素子を非直線抵抗素子9として収納するとともに、
第1表に示す短絡金属を収納して銅製の電極板7.8で
密閉したものを供試品として用意した。このサージアブ
ソーバに50)Iz、約3〜4 kAの交流電流を与え
てその性能評価を行なった。
Next, we will discuss the results of tests conducted using various material compositions as short-circuiting metals. In this test, in the surge absorber having the configuration shown in Fig. 2, a plastic insulating container 7 with a diameter of 135i+g was used, and a
While storing the nO element as a non-linear resistance element 9,
Samples were prepared in which the short-circuiting metals shown in Table 1 were housed and hermetically sealed with copper electrode plates 7 and 8. The performance of this surge absorber was evaluated by applying an alternating current of 50) Iz and approximately 3 to 4 kA.

第1表に示すように、溶融温度350℃以上の短絡金属
ではそれが溶融せず、アーク移行、短絡状態への移行は
なく、プラスチック製の容器は破壊するか、または破壊
には至らなかったものの異常昇温で電極板まで溶融して
しまうなどの好ましくない状態となった。一方、溶融点
が141℃である比較例−3では試験目標電流として設
定した3〜4 kAに達する前に短絡金属がメルトダウ
ンして短絡した。以上のことから、短絡金属の溶融温度
は160〜350℃の範囲内にあることが好ましいもの
と結論した。この結論は、短絡金属の合金系が実施例1
〜6のようにAg In系、Ag TB系、Zn−8n
系などと変化しても不変的であるとともに、実施例6の
ように純金属であっても、また実施例1〜5のように合
金系であっても、それらに関係な(妥当するものである
As shown in Table 1, short-circuited metals with melting temperatures of 350°C or higher did not melt, did not undergo arc migration or transition to short-circuited conditions, and plastic containers were either destroyed or did not result in destruction. The abnormal temperature rise caused the electrode plates to melt, resulting in an unfavorable situation. On the other hand, in Comparative Example 3 where the melting point was 141° C., the short circuit metal melted down and short circuited before reaching the test target current of 3 to 4 kA. From the above, it was concluded that the melting temperature of the short-circuit metal is preferably within the range of 160 to 350°C. This conclusion is based on the fact that the alloy system of the short-circuit metal was used in Example 1.
As shown in ~6, Ag In series, Ag TB series, Zn-8n
It remains unchanged even if it changes with the system, and even if it is a pure metal as in Example 6 or an alloy system as in Examples 1 to 5, It is.

以上、実施例1〜6で示したように、本発明の短絡金属
を設けることにより、短絡金属が短絡作用を呈したとき
の通電電圧(第1表における「短絡時の電圧」)が極め
て低く、好ましいものであることかわかる。一方、比較
例1〜7では、一部に容器の破壊が見られるように、短
絡金属の溶融点が高い場合(比較例1,2,4.5)は
アーク移行に時間を要するため好ましくない。
As shown in Examples 1 to 6, by providing the short-circuit metal of the present invention, the energizing voltage when the short-circuit metal exhibits a short-circuit effect ("voltage at the time of short circuit" in Table 1) is extremely low. , it can be seen that it is preferable. On the other hand, in Comparative Examples 1 to 7, destruction of the container was observed in some cases, and cases where the melting point of the short-circuit metal was high (Comparative Examples 1, 2, and 4.5) were undesirable because arc transition took time. .

第2表は、第1表とは異なる合金系の短絡金属を用いた
場合の同様の試験結果を示すものである。
Table 2 shows similar test results when using short-circuiting metals of different alloys from those in Table 1.

この場合も非直線抵抗素子9を良好に保護できることが
わかる。
It can be seen that the nonlinear resistance element 9 can be well protected in this case as well.

なお、以上の説明においては非直線抵抗素子9としてZ
nOからなるものを例示したが、SiCなどからなる素
子であっても本発明は同様に適用することができる。
In addition, in the above explanation, Z is used as the nonlinear resistance element 9.
Although a device made of nO is shown as an example, the present invention can be similarly applied to a device made of SiC or the like.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上述べたように本発明によれば、サージ到来によりサ
ージアブソーバに異常を来たした場合、短絡金属の作用
によって容器の爆発を防止し、それにより爆発による事
故拡大を未然に防止し、送配電装置や開閉装置の信頼性
を向上させることができる。
As described above, according to the present invention, when a surge absorber malfunctions due to the arrival of a surge, the explosion of the container is prevented by the action of the shorting metal, thereby preventing the spread of an accident due to an explosion, and preventing power transmission and distribution. The reliability of devices and switchgears can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図はサージアブソーバを設けたサイリスタ変換装置
を示す接続図、 第2図は本発明の一実施例を示す縦断面図である。 6・・・絶縁容器、7,8・・・電極板、9・・・非直
線抵抗素子、10 、13・・・ギャップ、11.12
 、14 、15・・・短絡金属。 出願人代理人 猪 股 清
FIG. 1 is a connection diagram showing a thyristor conversion device provided with a surge absorber, and FIG. 2 is a longitudinal sectional view showing an embodiment of the present invention. 6... Insulating container, 7, 8... Electrode plate, 9... Non-linear resistance element, 10, 13... Gap, 11.12
, 14, 15... Short circuit metal. Applicant's agent Kiyoshi Inomata

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 筒状の絶縁容器と、この絶縁容器の両開口端に配設され
た電極板と、前記絶縁容器内において前記両電極板の間
に介挿された非直線抵抗素子と、160〜350℃の溶
融温度を持つ金属材料からなり、溶融することにより前
記両電極板の相互間を短絡しうるように前記両極板の間
に若干のギャップを介して配設された短絡金属とを備え
てなるサージアブソーバ。
A cylindrical insulating container, an electrode plate disposed at both open ends of the insulating container, a non-linear resistance element inserted between the two electrode plates in the insulating container, and a melting temperature of 160 to 350 ° C. and a short-circuit metal disposed with a slight gap between the two electrode plates so that the two electrode plates can be short-circuited by melting.
JP4314984A 1984-03-07 1984-03-07 Surge absorber Pending JPS60187002A (en)

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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007165912A (en) * 2005-12-15 2007-06-28 Raycap Corp Overvoltage protection equipment equipped with wafer of varistor material
US8743525B2 (en) 2012-06-19 2014-06-03 Raycap Intellectual Property, Ltd Overvoltage protection devices including wafer of varistor material
US9906017B2 (en) 2014-06-03 2018-02-27 Ripd Research And Ip Development Ltd. Modular overvoltage protection units
US10319545B2 (en) 2016-11-30 2019-06-11 Iskra Za{hacek over (s)}{hacek over (c)}ite d.o.o. Surge protective device modules and DIN rail device systems including same
US10340110B2 (en) 2017-05-12 2019-07-02 Raycap IP Development Ltd Surge protective device modules including integral thermal disconnect mechanisms and methods including same
US10447026B2 (en) 2016-12-23 2019-10-15 Ripd Ip Development Ltd Devices for active overvoltage protection
US10685767B2 (en) 2017-09-14 2020-06-16 Raycap IP Development Ltd Surge protective device modules and systems including same
US10707678B2 (en) 2016-12-23 2020-07-07 Ripd Research And Ip Development Ltd. Overvoltage protection device including multiple varistor wafers
US11223200B2 (en) 2018-07-26 2022-01-11 Ripd Ip Development Ltd Surge protective devices, circuits, modules and systems including same
US11723145B2 (en) 2021-09-20 2023-08-08 Raycap IP Development Ltd PCB-mountable surge protective device modules and SPD circuit systems and methods including same
US11862967B2 (en) 2021-09-13 2024-01-02 Raycap, S.A. Surge protective device assembly modules

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101313228B1 (en) * 2005-12-15 2013-09-30 레이캡 코포레이션 Overvoltage protection devices including wafer of varistor material
JP2007165912A (en) * 2005-12-15 2007-06-28 Raycap Corp Overvoltage protection equipment equipped with wafer of varistor material
US8743525B2 (en) 2012-06-19 2014-06-03 Raycap Intellectual Property, Ltd Overvoltage protection devices including wafer of varistor material
US9906017B2 (en) 2014-06-03 2018-02-27 Ripd Research And Ip Development Ltd. Modular overvoltage protection units
US10340688B2 (en) 2014-06-03 2019-07-02 Ripd Ip Assets Ltd Modular overvoltage protection units
US10734176B2 (en) 2016-11-30 2020-08-04 Raycap, Surge Protective Devices, Ltd. Surge protective device modules and DIN rail device systems including same
US10319545B2 (en) 2016-11-30 2019-06-11 Iskra Za{hacek over (s)}{hacek over (c)}ite d.o.o. Surge protective device modules and DIN rail device systems including same
US11165246B2 (en) 2016-12-23 2021-11-02 Ripd Research And Ip Development Ltd. Overvoltage protection device including multiple varistor wafers
US10707678B2 (en) 2016-12-23 2020-07-07 Ripd Research And Ip Development Ltd. Overvoltage protection device including multiple varistor wafers
US10447026B2 (en) 2016-12-23 2019-10-15 Ripd Ip Development Ltd Devices for active overvoltage protection
US11374396B2 (en) 2016-12-23 2022-06-28 Ripd Research And Ip Development Ltd. Devices for active overvoltage protection
US11881704B2 (en) 2016-12-23 2024-01-23 Ripd Research And Ip Development Ltd. Devices for active overvoltage protection including varistors and thyristors
US10679814B2 (en) 2017-05-12 2020-06-09 Raycap IP Development Ltd Surge protective device modules including integral thermal disconnect mechanisms and methods including same
US10340110B2 (en) 2017-05-12 2019-07-02 Raycap IP Development Ltd Surge protective device modules including integral thermal disconnect mechanisms and methods including same
US10685767B2 (en) 2017-09-14 2020-06-16 Raycap IP Development Ltd Surge protective device modules and systems including same
US11223200B2 (en) 2018-07-26 2022-01-11 Ripd Ip Development Ltd Surge protective devices, circuits, modules and systems including same
US11862967B2 (en) 2021-09-13 2024-01-02 Raycap, S.A. Surge protective device assembly modules
US11723145B2 (en) 2021-09-20 2023-08-08 Raycap IP Development Ltd PCB-mountable surge protective device modules and SPD circuit systems and methods including same

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