JPS60177453A - 光熱磁気記録媒体 - Google Patents
光熱磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS60177453A JPS60177453A JP3145384A JP3145384A JPS60177453A JP S60177453 A JPS60177453 A JP S60177453A JP 3145384 A JP3145384 A JP 3145384A JP 3145384 A JP3145384 A JP 3145384A JP S60177453 A JPS60177453 A JP S60177453A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- recording medium
- epitaxial film
- garnet
- ions
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は光熱磁気記録媒体に係り、特に垂直異方性を有
する磁性ガーネットエピタキシャル薄膜からなる光熱磁
気記録媒体に関するものである。
する磁性ガーネットエピタキシャル薄膜からなる光熱磁
気記録媒体に関するものである。
背景技術
パゾル転送技術においては負の磁歪定数を有する磁性ガ
ーネットエピタキシャル膜にアルゴン。
ーネットエピタキシャル膜にアルゴン。
ネオン等のイオン金注入することによって体積膨張をひ
き起しその結果面内異方性を大きくする方法はよく知ら
れている。これは該磁性ガーネットエピタキシャル膜が
体積膨張を起した際に基板に平行なガーネットの格子面
は基板に束縛されておシ、その結果該磁性ガーネットエ
ビタキ７ヤル膜面に垂直な方向に膜が伸びるからである
。すなわち膜に圧縮応力が作用しこの圧縮応力が負の磁
歪と結びつくことによって面内に磁化が向きやすくなる
からである。
き起しその結果面内異方性を大きくする方法はよく知ら
れている。これは該磁性ガーネットエピタキシャル膜が
体積膨張を起した際に基板に平行なガーネットの格子面
は基板に束縛されておシ、その結果該磁性ガーネットエ
ビタキ７ヤル膜面に垂直な方向に膜が伸びるからである
。すなわち膜に圧縮応力が作用しこの圧縮応力が負の磁
歪と結びつくことによって面内に磁化が向きやすくなる
からである。
従来技術と問題点
ａｋ性ガーネットエピタキシャル膜の垂直異方性は成長
訪導磁気異方性あるいは歪誘導磁気異方性のいずれかに
起因する。成長鱈導磁気異方性は主に液相工１ビタキシ
ャル成長法（ＬＰＥ法）によって、歪誘導磁気異方性は
主に化学的気相成長法（ＣＶＤ法）によって実現される
。ＣＶＤ法の場合には約８００℃の温度で結晶成長させ
るため膜と基板との間の熱膨張係数の差に起因して膜に
引張シ応力が働５これと磁性ガーネットの負の磁歪が結
合して該磁性ガーネットエピタキシャル膜内に垂直異方
性が誘起される。
訪導磁気異方性あるいは歪誘導磁気異方性のいずれかに
起因する。成長鱈導磁気異方性は主に液相工１ビタキシ
ャル成長法（ＬＰＥ法）によって、歪誘導磁気異方性は
主に化学的気相成長法（ＣＶＤ法）によって実現される
。ＣＶＤ法の場合には約８００℃の温度で結晶成長させ
るため膜と基板との間の熱膨張係数の差に起因して膜に
引張シ応力が働５これと磁性ガーネットの負の磁歪が結
合して該磁性ガーネットエピタキシャル膜内に垂直異方
性が誘起される。
しかしながら、ａ性ガーネットの負の磁歪定数は１０−
６のオーダーと小さく、上記の如く垂直異方性を誘起さ
せるためには該磁註ガーネットエピタキシャル膜に大き
な引張シ応力を必要とする。
６のオーダーと小さく、上記の如く垂直異方性を誘起さ
せるためには該磁註ガーネットエピタキシャル膜に大き
な引張シ応力を必要とする。
このため該エピタキシャル膜にクラックが生じゃすくな
シ、また誘起される垂直異方性も小さい。
シ、また誘起される垂直異方性も小さい。
発明の目的
上記欠点に鑑み本発明は垂直異方性を増加せしめた光熱
磁気記録媒体を提供することを目的とする。
磁気記録媒体を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明は（１００）方向の磁歪定数が正である、一般式
Ｂ ｉ ＸＲ３−ｚＦ ｅ ５−ｙＡｙＯ＋ ｔ （’
Ｒｔｅｌ： Ｓｍ又はＥｕ。
Ｂ ｉ ＸＲ３−ｚＦ ｅ ５−ｙＡｙＯ＋ ｔ （’
Ｒｔｅｌ： Ｓｍ又はＥｕ。
ＡはＦｅと置換し得る九菓）で示される磁性ガーネット
エピタキシャル膜の体積を膨張させて垂直異方性を増加
せしめたことを特徴とする光熱磁気記録媒体によって達
成される。
エピタキシャル膜の体積を膨張させて垂直異方性を増加
せしめたことを特徴とする光熱磁気記録媒体によって達
成される。
上記磁性ガーネットエピタキシャル膜においてＡ ｉｔ
Ｆ ｅと置換し得る元素、例えばＧａ 、 Ａｅ、
Ｃｒ 。
Ｆ ｅと置換し得る元素、例えばＧａ 、 Ａｅ、
Ｃｒ 。
Ｃｏ等が好ましい。
また該磁性ガーネットエピタキシャル膜の体ｆＪを膨張
させるにはイオン注入、等が好ましい。
させるにはイオン注入、等が好ましい。
（１００）方向の磁歪定数（λ、。。）が正であるＳｍ
ＩＧ（サマリウム鉄ガーネット）やＥｕＩＧ（鉄ガーネ
ット）の値はいずれもλ１゜。＝２１Ｘ１０””であシ
、この値は磁性ガーネットの中で最も大きく有利である
。
ＩＧ（サマリウム鉄ガーネット）やＥｕＩＧ（鉄ガーネ
ット）の値はいずれもλ１゜。＝２１Ｘ１０””であシ
、この値は磁性ガーネットの中で最も大きく有利である
。
すなわち、本発明では膜面に垂直な方向がぐ００＞で８
るｓｍＩＱ、ＥｕＩＧ等のエピタキシャル膜に、例えば
イオン注入をすることによって該層の体積を膨張させて
垂直異方性を増加せしめるのである。
るｓｍＩＱ、ＥｕＩＧ等のエピタキシャル膜に、例えば
イオン注入をすることによって該層の体積を膨張させて
垂直異方性を増加せしめるのである。
実施例
以下本発明を実施例に基づいて詳細に説明する。
（１００）ネオジウムガリウムガーネット（ＮｄＧＧ）
を基板としてスパッタリング、次に約８００°Ｃの温度
で熱処理を行ない、化学式Ｂｉ６．５５ｍ２．５ Ｆｅ
４ Ｇａ０１ｔ を有し且つ垂直磁化を有するエピタキ
シャル膜を得た。このＢ１（１，ｙ、Ｓｍ２．５Ｆｅ４
ＧａＯ□のエピタキシャル膜表面にイオン打込みエネル
ギ１００ＫｅＶ、且つイオン打込ミドース量２ Ｘ １
０”／ｃｍ’のイオン打込み条件でネオンイオンを注入
した。
を基板としてスパッタリング、次に約８００°Ｃの温度
で熱処理を行ない、化学式Ｂｉ６．５５ｍ２．５ Ｆｅ
４ Ｇａ０１ｔ を有し且つ垂直磁化を有するエピタキ
シャル膜を得た。このＢ１（１，ｙ、Ｓｍ２．５Ｆｅ４
ＧａＯ□のエピタキシャル膜表面にイオン打込みエネル
ギ１００ＫｅＶ、且つイオン打込ミドース量２ Ｘ １
０”／ｃｍ’のイオン打込み条件でネオンイオンを注入
した。
得られた上記エピタキシャル膜をＦＭＲ（強磁性共鳴）
を用いて異方性定数を測定した。ネオンイオンを該エピ
タキシャル膜に注入する前は２Ｘ１０’ ｅｒｇ ７６
ｍ”であったのに対し、注入後は３×１０’ｅｒｇ ／
ｌｔｌ と１．５倍に異方性定数が増加した。
を用いて異方性定数を測定した。ネオンイオンを該エピ
タキシャル膜に注入する前は２Ｘ１０’ ｅｒｇ ７６
ｍ”であったのに対し、注入後は３×１０’ｅｒｇ ／
ｌｔｌ と１．５倍に異方性定数が増加した。
このようにネオンイオンを該エピタキシャル膜に注入し
たことによシ膜が垂直方向に伸びすなわち膜に圧縮応力
を働かせこの力と正の磁歪を結合させて垂直異方性を増
加せしめた光熱磁気記録媒体を得ることが出来た。
たことによシ膜が垂直方向に伸びすなわち膜に圧縮応力
を働かせこの力と正の磁歪を結合させて垂直異方性を増
加せしめた光熱磁気記録媒体を得ることが出来た。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば垂直磁気異方性が増
加した光熱磁気記録媒体を得ることができる。
加した光熱磁気記録媒体を得ることができる。
特許出航人
富士通株式会社
特許出願代理人
弁」」士 青水 朗
弁理士 西舘和之
弁理士 内田幸男
弁理士 山 口 昭 之
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＜１００＞方向の磁歪定数が正である。一般式Ｂｌ
ｚＲａ−）ｃＦｅｓ−ｙＡ３’ｏｔ＊（ＲはＳｍ又はＥ
ｕ 。 ＡはＦｅと置換し得る元素）で示される磁性ガーネット
エピタキシャル膜の体積を膨張させて垂直異方性を増加
せしめたことを特徴とする光熱磁気記録媒体。 ２ 前記磁性ガーネットエピタキシャル膜の体積膨張を
該磁性ガーネットエピタキシャル膜にイオン注入を行う
ことによって達成することを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の光熱磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3145384A JPS60177453A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 光熱磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3145384A JPS60177453A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 光熱磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60177453A true JPS60177453A (ja) | 1985-09-11 |
Family
ID=12331669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3145384A Pending JPS60177453A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 光熱磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60177453A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07255886A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-10-09 | Hiranishi Tekkosho:Kk | ボールゲージ付ガイドパター |
| US6949876B2 (en) | 2002-04-26 | 2005-09-27 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Glass member for cathode ray tube |
| WO2007012672A1 (de) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. | Verfahren zur herstellung eines schicht-substrat-verbundes und schicht-substrat-verbund |
-
1984
- 1984-02-23 JP JP3145384A patent/JPS60177453A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07255886A (ja) * | 1994-03-25 | 1995-10-09 | Hiranishi Tekkosho:Kk | ボールゲージ付ガイドパター |
| US6949876B2 (en) | 2002-04-26 | 2005-09-27 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Glass member for cathode ray tube |
| WO2007012672A1 (de) * | 2005-07-29 | 2007-02-01 | Leibniz-Institut Für Festkörper- Und Werkstoffforschung Dresden E.V. | Verfahren zur herstellung eines schicht-substrat-verbundes und schicht-substrat-verbund |
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