JPS6017155B2 - input device - Google Patents

input device

Info

Publication number
JPS6017155B2
JPS6017155B2 JP54139570A JP13957079A JPS6017155B2 JP S6017155 B2 JPS6017155 B2 JP S6017155B2 JP 54139570 A JP54139570 A JP 54139570A JP 13957079 A JP13957079 A JP 13957079A JP S6017155 B2 JPS6017155 B2 JP S6017155B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
input pen
input
information
magnetic
information board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP54139570A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS5663638A (en
Inventor
博保 長谷川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SHOWA JOHO KIKI KK
Original Assignee
SHOWA JOHO KIKI KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SHOWA JOHO KIKI KK filed Critical SHOWA JOHO KIKI KK
Priority to JP54139570A priority Critical patent/JPS6017155B2/en
Publication of JPS5663638A publication Critical patent/JPS5663638A/en
Publication of JPS6017155B2 publication Critical patent/JPS6017155B2/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明はペンタッチ方式による入力装置に関するもので
ある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field] The present invention relates to an input device using a pen touch method.

近時、コンピュータが広く使用されるにともない、簡便
な情報入力装置に対する要求が強くなつている。
2. Description of the Related Art Recently, with the widespread use of computers, there has been a growing demand for simple information input devices.

この要求を満足するための一手法として、ベンタッチ方
式による情報入力装置が提案されている。ペンタッチ方
式による情報入力装置は、例えば第1の例では情報板に
発光ダイオード素子をマトリクス状に配置し、発光ダイ
オード素子を順次走査発光させ、これを入力ペン内部に
設けられた受光素子にて光結合により検出し、入力情報
を識別する方法がある。
As one method for satisfying this requirement, an information input device using a Bentouch method has been proposed. For example, in the first example of an information input device using a pen touch method, light emitting diode elements are arranged in a matrix on an information board, the light emitting diode elements are sequentially scanned to emit light, and the light is emitted by a light receiving element provided inside the input pen. There is a method of detecting and identifying input information by combining.

また他の第2の例では、やはりマトリクス状に配置した
電線に順次電圧を印加し、印加電圧を入力ペン先端に設
けた電極にて静電結合により検出し、入力情報を識別す
る方法がある。
Another second example is a method in which voltage is sequentially applied to electric wires arranged in a matrix, and the applied voltage is detected by capacitive coupling with an electrode provided at the tip of an input pen to identify input information. .

しかし、第1の例ではマトリクス状に多数の発光ダイオ
ードを配置せねばならず、発光輝度の均一な発光ダイオ
ード素子を選別する必要があるので歩止まりが悪くなる
ばかりでなく、発光ダイオード素子が先天的に有してい
る発光輝度の音度依存性は避け難く、また情報板あるい
は入力ペンの汚れによっても光結合の度合いが影響を受
けるので、正常な情報入力動作に支障をきたす場合があ
る。
However, in the first example, it is necessary to arrange a large number of light emitting diodes in a matrix, and it is necessary to select light emitting diode elements with uniform luminance, which not only reduces the yield, but also reduces the yield rate. It is difficult to avoid the dependence of the light emission brightness on the sound intensity, and the degree of optical coupling is also affected by dirt on the information board or input pen, which may impede normal information input operations.

第2の例では湿度の変化によって静電結合力に変化を生
じ、誤動作を招く事がある。
In the second example, changes in humidity may cause changes in the electrostatic bonding force, leading to malfunctions.

また第1、第2の例ともに情報の検出部が入力ペンに依
存しているので、入力ペン内部で発生する情報検出信号
を装置本体に帰還するための露線、及び入力ペン内部に
存在する情報検出部に電源を供給するための電線が入力
ペンと装置本体間に介在する必要がある。
In addition, in both the first and second examples, the information detection section depends on the input pen, so there is a dew line for returning the information detection signal generated inside the input pen to the main body of the device, and there is also a dew line inside the input pen. An electric wire for supplying power to the information detection section must be interposed between the input pen and the main body of the device.

入力ペンに付随する前記電線は操作上の邪魔になるばか
りでなく、入力ペンの移動による電線の屈伸が前記電線
を疲労させ、終局的には前記電線の断線事故等が発生し
てしまっていた。さらに入力ペン内部に微弱な光や電圧
変化を検出するための複雑な検出機構部を設けねばなら
ず、しかも入力ペンの操作性から手に持ち易いペンシル
型の容器内に前記検出機構部を納めねばならない制約が
ある。
The electric wire attached to the input pen not only obstructs the operation, but also bends and stretches the electric wire due to the movement of the input pen, causing fatigue of the electric wire, which ultimately causes an accident of disconnection of the electric wire. . Furthermore, a complex detection mechanism for detecting weak light and voltage changes must be installed inside the input pen, and the detection mechanism must be housed in a pencil-shaped container that is easy to hold in the hand due to the operability of the input pen. There are restrictions that must be met.

従って、一般に入力ペンは高価であり、しかも故障しや
すい欠点を有している。以上とは異なる方向からの入力
データを表示する表示装置に対するアプ。
Therefore, input pens are generally expensive and have the disadvantage of being prone to failure. An application for a display device that displays input data from a direction different from the above.

ーチとして、磁界発生手段と記憶素子(コアマトリクス
)の組合せについて言及している特開昭51一4733
1号があるが、この発明は記憶盤上でマグネットベンを
移動することによって、該記憶盤に配置された記憶素子
(コアマトリクス)の残留磁束を反転させ、記憶盤に過
去にマグネットベンで入力された文字パターンあるいは
入力された図形を記憶させると共に、その記憶した内容
を読み出して、記憶されているパタ−ンに対応するパタ
ーン情報として表示坂上に表示できるようにした手書き
文字などの表示装置に関するものであり、時系列に沿う
入力情報を処理しなければならない入力装置に適用しう
るものではない。〔発明の目的〕 本発明は、このような背景に鑑みて提案されるものであ
り、その目的は記憶滋心の磁化方向を周期的に反転させ
る反転手段と、該反転手段による前記記億磁心の磁化方
向の反転により発生する誘起電力を検知する検知手段と
を備えることにより時系列に沿う連続する入力情報を、
温度、湿度の変化や汚れに対して高い信頼性をもって処
理できる入力装置を提案することにある。
JP-A-51-4733 mentions a combination of a magnetic field generating means and a memory element (core matrix) as a method.
There is No. 1, but this invention reverses the residual magnetic flux of the memory element (core matrix) arranged on the memory board by moving the magnet Ben on the memory board, and the magnetic flux that was previously input to the memory board with the magnet Ben is reversed This invention relates to a display device for handwritten characters, etc., which is capable of storing character patterns or input figures, reading out the stored contents, and displaying them on a display slope as pattern information corresponding to the stored patterns. Therefore, it cannot be applied to input devices that must process input information in chronological order. [Object of the Invention] The present invention has been proposed in view of the above background, and its purpose is to provide a reversing means for periodically reversing the magnetization direction of a storage core, and a reversing means for reversing the magnetization direction of the storage core by the reversing means. Detecting means for detecting the induced power generated by the reversal of the magnetization direction of the
The purpose of this invention is to propose an input device that can handle changes in temperature, humidity, and dirt with high reliability.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の一実施例を図面にもとづいて説明する。 Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described based on the drawings.

第1図は情報板1内の基体構造を示しており、a,b,
c.d,e,f,g,h,i,j,k,1,m,n,o
,pは情報板上の各情報にそれぞれ対応した中空のフェ
ライト記憶滋心で、アドレス線であるX1,X2,X3
,X4及びY1,Y2,Y3,Y4の2群の導線にて直
交貫通されたマトリクスを形成する。同時に、各フェラ
イト記億磁心(a〜p)はくまなく情報線Sによっても
貫通されている。第2図は、第1図のフェライト記億磁
心f部の拡大図であり、実線矢印日及び破線矢印Lは前
記フェライト記億磁心fの磁化の方向を示している。
Figure 1 shows the base structure within the information board 1, with a, b,
c. d, e, f, g, h, i, j, k, 1, m, n, o
, p are hollow ferrite memory cells corresponding to each information on the information board, and address lines X1, X2, X3
, X4 and two groups of conducting wires Y1, Y2, Y3, and Y4 form a matrix that is orthogonally penetrated. At the same time, each ferrite memory core (a to p) is also completely penetrated by the information line S. FIG. 2 is an enlarged view of the ferrite magnetic core f section of FIG. 1, and the solid line arrow 1 and the broken line arrow L indicate the direction of magnetization of the ferrite magnetic core f.

第3図は本発明において使用する入力ペン2の一例を示
す断面図であり、磁気シールド可能なパーマロィ等の材
質から成るケース10内に永久磁石1 1が収納されて
いる。
FIG. 3 is a sectional view showing an example of the input pen 2 used in the present invention, in which a permanent magnet 11 is housed in a case 10 made of a magnetically shieldable material such as permalloy.

永久磁石1 1は非磁性体のコイルスプリング12で一
定の空間を介してペン先部の収納空間14で上下動自在
のペン先13に接続されている。ペン先13の材質は磁
石11と接触している間のみ外部に磁界を出す残留磁気
の少ない例えばフェライトが好適である。以上の構成に
より、オペレータがペン先13を情報板1に押しつけた
とき、その力によりコイルスプリング12が収縮しペン
先13が磁石11と接し外部に磁界日を出す。ペン先1
3が情報板1から離れたときにペン先13と磁石11と
は離反し、磁路が実質的に断たれるため、外部への磁界
の発生も停止する。第4図は、情報板1内にマトリクス
状に配置された前記フェライト記億磁心cが、入力ペン
2内部に設けられた磁界発生部4の発生する磁界日によ
って選択された状態を示している。
The permanent magnet 11 is connected to a vertically movable pen tip 13 in a storage space 14 for the pen tip through a certain space by a coil spring 12 made of a non-magnetic material. A suitable material for the pen tip 13 is, for example, ferrite, which has little residual magnetism and emits a magnetic field to the outside only while in contact with the magnet 11. With the above configuration, when the operator presses the pen tip 13 against the information board 1, the force causes the coil spring 12 to contract, causing the pen tip 13 to come into contact with the magnet 11, thereby emitting a magnetic field to the outside. Pen nib 1
3 separates from the information board 1, the pen tip 13 and the magnet 11 separate, and the magnetic path is substantially cut off, so that the generation of an external magnetic field also stops. FIG. 4 shows a state in which the ferrite magnetic cores c arranged in a matrix in the information board 1 are selected according to the magnetic field generated by the magnetic field generator 4 provided inside the input pen 2. .

次に、上記実施例における動作・作用について説明する
Next, the operation and effect in the above embodiment will be explained.

アドレス線×1,X2,X3,X4及びY1,Y2,Y
3,Y4の各線からそれぞれ−本ずつの導線を侍定して
、図には示されないl1 lなる大きさのパルス電流を
流す。
Address lines x1, X2, X3, X4 and Y1, Y2, Y
Three conductive wires are provided from each of the wires 3 and Y4, and a pulse current of a magnitude l1 l (not shown in the figure) is passed through them.

例えば、第1図においてアドレス線X2.Y2にそれぞ
れ矢印で示されている方向に前記1なるパルス電流を流
すと、アドレス線X2とY2との交点にあるフェライト
記億磁心fは該アドレス線X2及びY2を同時に流れる
パルス電流1により、第2図に示される実線矢印日方向
に磁化記憶される(以下この状態を日の状態と呼ぶ)。
この時、前記フェライト記億磁心f以外でアドレス線X
2が貫通するフェライト記億磁心e,g,hとアドレス
線Y2が貫通するフェライト記億磁心b,j,nは、X
2あるいはY2のアドレス線に前記パルス電流1が流れ
るのみであり、X2あるいはY2のアドレス線と直交す
る他のアドレス線X1,X3,X4及びY1,Y3,Y
4には電流が流れない事を利用して、日の状態への磁化
記憶作用が生じないようになっている。
For example, in FIG. 1, address line X2. When the pulse current 1 is applied to Y2 in the direction shown by the arrow, the ferrite magnetic core f at the intersection of the address lines X2 and Y2 is caused by the pulse current 1 flowing simultaneously through the address lines X2 and Y2 The magnetization is stored in the direction of the day indicated by the solid line arrow shown in FIG. 2 (hereinafter this state will be referred to as the day state).
At this time, address line
The ferrite memory magnetic cores e, g, h through which the address line Y2 passes and the ferrite memory magnetic cores b, j, n through which the address line Y2 passes are
The pulse current 1 only flows through the address line X2 or Y2, and the other address lines X1, X3, X4 and Y1, Y3, Y which are orthogonal to the address line X2 or Y2
By taking advantage of the fact that no current flows through 4, magnetization memory effect on the state of the day does not occur.

また、アドレス線X2及びY2によって貫通されていな
いフェライト記憶滋Da,c,d,e,g,h,i,k
,1,m,n,o,pは、そのアドレス線X1,X3,
X4,Y1,Y3,Y4に共に電流が流れないので何ら
の作用も受けない。
In addition, the ferrite memory cells Da, c, d, e, g, h, i, k that are not penetrated by the address lines X2 and Y2 are
, 1, m, n, o, p are the address lines X1, X3,
Since no current flows through any of X4, Y1, Y3, and Y4, no effect is exerted on them.

次にアドレス線×2,Y2にそれぞれ記とは電流の向き
が反対で大きさの等しい−1なるパルス電流を流すと、
前記フェライト記憶滋心fは第2図に示される破線矢印
L方向に磁化反転記憶される(以下この状態をLの状態
と呼ぶ)。同様にしてアドレス線×1,X2,X3,X
4及びY1,Y2,Y3,Y4の2群のうちのそれぞれ
一本ずつを一組として適当に選択し、その一組に1及び
−1のパルス電流を交互に流すことにより任意のフェラ
イト記憶滋心(a〜p)に磁化反転現象を発生させるこ
とができる。
Next, when a pulse current of -1 is applied to the address lines x2 and Y2, the direction of the current is opposite to that described above and the magnitude is the same.
The ferrite storage center f is stored with magnetization reversal in the direction of the dashed arrow L shown in FIG. 2 (hereinafter this state will be referred to as the L state). Similarly, address lines x1, X2, X3,
4, Y1, Y2, Y3, and Y4 as a set, and by alternately passing pulse currents of 1 and -1 through the set, any ferrite memory can be created. A magnetization reversal phenomenon can be caused in the core (a to p).

日の状態からLの状態(あるいはLの状態から日の状態
)に移行する際に生ずる磁化反転は、前記フェライト記
億磁心(a〜p)をくまなく貫通している情報線Sに誘
導電圧を発生するので、情報線Sに現われた該誘導電圧
を検知する事によって特定のフェライト記憶磁」○の磁
化反転を判別できる。
The magnetization reversal that occurs when transitioning from the day state to the L state (or from the L state to the day state) causes an induced voltage in the information line S that passes through the ferrite magnetic core (a to p). Therefore, by detecting the induced voltage appearing on the information line S, it is possible to determine the magnetization reversal of a specific ferrite storage magnet "○".

すなわち、本発明はアドレス線X,Yに交互に電流の流
れる向きが逆方向のパルス電流1,一1を流すことによ
り、情報線Sがフェライト記億磁心の磁化反転による譲
導電圧を検知する現象に着目し、外部よりフェライト記
億磁心の磁化反転を阻止し、この阻止されたフェライト
記億磁心の位置のもつ情報を利用しようとするものであ
る。
That is, in the present invention, the information line S detects the transfer voltage due to the magnetization reversal of the ferrite magnetic core by alternately passing pulse currents 1 and 1 in opposite directions to the address lines X and Y. Focusing on this phenomenon, we attempt to prevent the magnetization reversal of the ferrite magnetic core from the outside and utilize the information contained in the position of this blocked ferrite magnetic core.

第4図に示すように、情報板1内部のマトリクス状に配
置されたフェライト記億磁心の一部a,b,c,dのう
ち、特定のフェライト記憶滋Dcが入力ペン2内部に設
けられた磁界発生部4(例えば永久磁石)から生ずる磁
界日内に置かれた場合、磁界日によりフェライト記億磁
心cは磁石I1のS極に近い側にN極、遠い側にS極が
生じて磁気飽和の状態になる。フェライト記億磁心cを
特定するアドレス線×1,Y3に前記パルス電流1,一
1を交互に流した場合、前記磁界日によって、すでに磁
気飽和状態にあるフェライト記億磁心cには磁化反転現
象が起きないので、情報線Sおいて磁化反転による譲導
電圧が検出されない事になる。つまり、特定のフェライ
ト記億磁心に磁化反転現象を起こさせるべく、アドレス
線に駆動パルス電流を流しても、情報線Sに磁化反転現
象にともなう誘導電圧が生じない場合は、当該特定のフ
ェライト記億磁心が入力ペンによって選択されている事
を示している。一方、磁界発生部4から生じる磁界の磁
束の広がりによって、選択されていない外のフェライト
記憶滋心も磁界の影響を受けるおそれがある。
As shown in FIG. 4, among the parts a, b, c, and d of the ferrite memory cores arranged in a matrix inside the information board 1, a specific ferrite memory core Dc is provided inside the input pen 2. When placed in the magnetic field generated by the magnetic field generator 4 (e.g., a permanent magnet), the ferrite magnetic core c has an N pole on the side closer to the S pole of the magnet I1 and an S pole on the far side, and becomes magnetic. reach a state of saturation. When the pulse currents 1 and 1 are alternately passed through the address lines x1 and Y3 that specify the ferrite magnetic core c, a magnetization reversal phenomenon occurs in the ferrite magnetic core c, which is already in a magnetic saturation state, due to the magnetic field. Since this does not occur, no transfer voltage due to magnetization reversal is detected on the information line S. In other words, even if a driving pulse current is applied to the address line to cause a magnetization reversal phenomenon in a specific ferrite memory core, if no induced voltage is generated in the information line S due to the magnetization reversal phenomenon, the specific ferrite memory core It shows that 100 million magnetic cores have been selected by the input pen. On the other hand, due to the spread of the magnetic flux of the magnetic field generated from the magnetic field generating section 4, there is a possibility that the unselected ferrite memory cells may also be affected by the magnetic field.

これを防止するため、本実施例では情報板1のフェライ
ト記億磁心に近接させた状態で透過率の高いフェライト
等の磁性体板5を配位した。従って、選択したフェライ
ト記億磁心を通過した磁力線は磁性体板6により遮蔽さ
れ、他えの影響は最小限に防止される。以上要するに各
情報に対応するようにマトリクス状に配置したフェライ
ト記億磁心(a〜p)を周期的に順次くまなく磁化反転
すると同時に、前記磁化反転にともなう誘導電圧を情報
線Sにて検出できるよにした情報板1上を、磁界発生部
4を容する入力ペン2にて押せば、情報線Sにおいて該
近接支持部にあるフェライト記億磁心の磁化反転による
誘導電圧が検出されなくなる事を利用して、前記入力ペ
ン2によって近接指示した情報を判別するものである。
In order to prevent this, in this embodiment, a magnetic plate 5 made of ferrite or the like having high transmittance is arranged in close proximity to the ferrite magnetic core of the information board 1. Therefore, the lines of magnetic force that have passed through the selected ferrite magnetic core are shielded by the magnetic plate 6, and other influences are minimized. In short, the magnetization of the ferrite memory magnetic cores (a to p) arranged in a matrix corresponding to each piece of information is periodically and sequentially reversed, and at the same time, the induced voltage accompanying the magnetization reversal can be detected by the information line S. By pressing the information board 1 with the input pen 2 containing the magnetic field generating part 4, it is possible to confirm that the induced voltage due to the magnetization reversal of the ferrite memory core in the proximal support part is no longer detected in the information line S. This is used to determine the information indicated by the input pen 2 in proximity.

前記実施例では合計1針固のフェライト記億磁心(a〜
p)をマトリクス状に配置した場合について説明したが
、原理的に使用できるフェライト記億磁心の数には制限
がない事は明らかである。
In the above embodiment, a total of one needle ferrite magnetic core (a~
Although the case where the magnetic cores p) are arranged in a matrix has been described, it is clear that there is no limit to the number of ferrite memory cores that can be used in principle.

また入力ペンによって一度に選択できるフェライト記億
磁○の数にも制限がないのは勿論である。さらにマトリ
クス状に配置したフェライト記憶滋心の総線方式は、コ
ンピュータのコアメモリで一般に使用されている全ての
方式においても同様の効果が得られるのは勿論である。
さらにまた、入力ペン内部の磁界発生部は所要のフェラ
イト記憶滋心を磁気飽和状態にできるものであれば、前
述の実施例と同様の効果を得られるのは勿論であり、例
えば永久磁石や電磁石が考えられる。
Also, of course, there is no limit to the number of ferrite memory magnets that can be selected at once using the input pen. Furthermore, it goes without saying that the all-line system of ferrite memory arranged in a matrix can produce similar effects in all systems commonly used in core memories of computers.
Furthermore, as long as the magnetic field generating section inside the input pen can bring the required ferrite memory energy into a magnetically saturated state, it is of course possible to obtain the same effect as the above-mentioned embodiment. is possible.

その外、本発明の要旨を変えない範囲で様々な変形実施
が可能なことは勿論である。
In addition, it goes without saying that various modifications can be made without departing from the gist of the present invention.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明は以上説明したように、本願発明を「磁界発生部
を備えた入力ペンと、磁気コアなどの記億磁心を多数配
置した情報板と、該情報板の前記記億磁心の磁化方向を
周期的に反転させる反転手段と、該反転手段による前記
記億磁心の磁化方向の反転により発生する譲起電力を検
知する検知手段とを備え、前入力ペンを前記情報板に近
接させ該入力ペンの磁界発生部よりの発生磁界により前
記情報板の前記入力ペン近接位置の前記記憶滋心前記反
転手段による磁化方向の反転を阻止し、前記検知手段に
よる前記議起電力の検知がないことをもって前記情報板
の前記入力ペン近接位置と判別し、時系列に従う位置情
報を判別することを特徴とする入力装置」に構成したの
で、入力位置情報を時系列に従って処理できる。
As explained above, the present invention provides an input pen equipped with a magnetic field generating section, an information board on which a large number of magnetic cores such as magnetic cores are arranged, and a magnetization direction of the magnetic cores of the information board. A reversing means for periodically reversing the magnetization direction, and a detecting means for detecting a transfer electromotive force generated by the reversal of the magnetization direction of the storage core by the reversing means, and a front input pen is brought close to the information board and the input pen is moved. The magnetic field generated by the magnetic field generator prevents the reversal of the magnetization direction by the reversing means of the storage center near the input pen of the information board, and the electromotive force is not detected by the detecting means. Since the present invention is configured as an input device characterized in that the position information is determined in chronological order by determining the proximity position of the input pen on the information board, the input position information can be processed in chronological order.

また次回の入力位置判別時までに、記億磁心の破壊読み
出いこ対する再書き込み処理等の特別の処理を何ら必要
とせず単に磁化反転を行うのみで次の入力位置を判別で
きる。
Further, by the time of next input position determination, the next input position can be determined by simply performing magnetization reversal without any special processing such as rewriting processing for destructive readout of the storage magnetic core.

しかも、コンピュータで広く使用されているコアメモリ
の技術を大幅に変更する事なく利用できるので、温度、
湿度の変化や汚れに対して高信頼性の装置になるなどの
効果を奏する。
In addition, the core memory technology widely used in computers can be used without major changes, making it possible to
This has the effect of making the device highly reliable against changes in humidity and dirt.

また、選択されたフェライト記億磁心以外に磁界が及ぶ
ことを防止してあるため、信頼性を向上できる他、情報
密度を大とすることも可能である。
Furthermore, since the magnetic field is prevented from reaching areas other than the selected ferrite storage core, reliability can be improved and information density can also be increased.

本発明の用途は多様であり、第1図の如く、フェライト
記億磁心上に漢字を表示しておけば、漢字入力装置とし
て使用できるほか、位置符号化入力装置等の各種の符号
化入力装置に本発明を適用できるものである。
The applications of the present invention are diverse, and as shown in Figure 1, if kanji are displayed on a ferrite recording magnetic core, it can be used as a kanji input device, as well as various encoding input devices such as a position encoding input device. The present invention can be applied to.

漢字入力装置に本発明を利用するときは、各々のフェラ
イト記億磁心に対応する漢字・記号等をプラスチック等
の絶縁板上に表示しておけばよい。
When the present invention is used in a kanji input device, kanji characters, symbols, etc. corresponding to each ferrite memory core may be displayed on an insulating board made of plastic or the like.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

図面は本発明の−実施例を示すもので、第1図は情報板
内部の概略的な基本構成図、第2図は第1図の要部拡大
動作説明図、第3図は入力ペンの縦断面図、第4図は情
報板断面と入力ペンの作用説明図である。 ここで、1・・・・・・情報板、2・・・・・・入力ペ
ン、11・・・・・・磁石、a〜p・・・・・・フェラ
イト記億磁心、X1,X2,×3,X4,Y1,Y2,
Y3,Y4・・・・・・アドレス線、M・・・・・・磁
界発生部、S・・・・・・情報線である。 第2図 努3図 豹4図 多1図
The drawings show an embodiment of the present invention; Fig. 1 is a schematic basic configuration diagram inside the information board, Fig. 2 is an enlarged explanatory diagram of the main part of Fig. 1, and Fig. 3 is an illustration of the input pen. The vertical cross-sectional view, FIG. 4, is a cross-sectional view of the information board and an explanatory view of the operation of the input pen. Here, 1... Information board, 2... Input pen, 11... Magnet, a to p... Ferrite memory core, X1, X2, ×3, X4, Y1, Y2,
Y3, Y4: address line, M: magnetic field generating section, S: information line. Figure 2 Tsutomu Figure 3 Leopard Figure 4 Figure 1

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 磁界発生部を備えた入力ペンと、磁気コアなどの記
憶磁心を多数配置した情報板と、該情報板の前記記憶磁
心の磁化方向を周期的に反転させる反転手段と、該反転
手段による前記記憶磁心の磁化方向の反転により発生す
る誘起電力を検知する検知手段とを備え、前記入力ペン
を前記情報板に近接させ該入力ペンの磁界発生部よりの
発生磁界により前記情報板の前記入力ペン近接位置の前
記記憶磁心の前記反転手段にる磁化方向の反転を阻止し
、前記検知手段による前記誘起電力の検知がないこをも
つて前記情報板の前記入力ペン近接位置と判別し、時系
列に従う位置情報を判別することを特徴とする入力装置
。 2 入力ペンの磁界発生部は磁石であり、該入力ペンは
独立筐体であり他との接続部を有しないことを特徴とす
る特許請求の範囲第1項記載の入力装置。 3 情報板の記憶磁心下部に該記憶磁心に近接させて磁
性体板を配位したことを更に特徴とする特許請求の範囲
第1項又は第2項記載の入力装置
[Scope of Claims] 1. An input pen equipped with a magnetic field generator, an information board in which a large number of storage cores such as magnetic cores are arranged, and reversing means for periodically reversing the magnetization direction of the storage cores of the information board. , a detection means for detecting the induced power generated by the reversal of the magnetization direction of the storage magnetic core by the reversing means, the input pen is brought close to the information board, and the magnetic field generated by the magnetic field generation part of the input pen is used to By preventing the reversal of the magnetization direction by the reversing means of the storage magnetic core at a position near the input pen of the information board, and by not detecting the induced force by the detection means, the position near the input pen of the information board is prevented. An input device characterized in that the input device determines location information according to time series. 2. The input device according to claim 1, wherein the magnetic field generating part of the input pen is a magnet, and the input pen is an independent housing and does not have a connecting part with other parts. 3. The input device according to claim 1 or 2, further characterized in that a magnetic plate is arranged below the storage magnetic core of the information board in close proximity to the storage magnetic core.
JP54139570A 1979-10-29 1979-10-29 input device Expired JPS6017155B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP54139570A JPS6017155B2 (en) 1979-10-29 1979-10-29 input device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP54139570A JPS6017155B2 (en) 1979-10-29 1979-10-29 input device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5663638A JPS5663638A (en) 1981-05-30
JPS6017155B2 true JPS6017155B2 (en) 1985-05-01

Family

ID=15248339

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP54139570A Expired JPS6017155B2 (en) 1979-10-29 1979-10-29 input device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6017155B2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5663638A (en) 1981-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4205199A (en) Tablet input device
WO2021014701A1 (en) Electronic pen and handwriting input apparatus
EP1337994A1 (en) Tactile display system
KR100918376B1 (en) Digitizing system and displaying mehtod thereof
TW563127B (en) MRAM device including offset conductors
JP2006518511A (en) Digitizer pen for writing on reusable paper
US20040012574A1 (en) Multi-styli input device and method of implementation
US3469242A (en) Manual data entry device
US3069665A (en) Magnetic memory circuits
US6781578B2 (en) Stylus based input devices utilizing a magnetic random access momory array
JPS6017155B2 (en) input device
JP2005149486A (en) Soft-reference magnetic memory digitizing device and operation method
JP4154455B2 (en) Integrated digitizing tablet and display
US3513452A (en) Single domain wall propagation in magnetic sheets
JPS6259329B2 (en)
US3182296A (en) Magnetic information storage circuits
CN104094349B (en) Write head, magnetic storage device and the method in magnetic storage device record data
JPS5939769B2 (en) input device
ES2280839T3 (en) STORAGE SYSTEM USING AN ELECTROMAGNETIC PROVISION.
US3532817A (en) Magnetic "pen" for a graphic tablet
KR20210052190A (en) Magnetic Memory Device
JPS642176Y2 (en)
US3293623A (en) Magnetic memory matrix assembly
JP2002297089A (en) Display device and input system
US3428956A (en) Rotational mode memory circuit having flux closure paths