JPS60164720A - Temperature controlling method of optical modulation element - Google Patents

Temperature controlling method of optical modulation element

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JPS60164720A
JPS60164720A JP2058984A JP2058984A JPS60164720A JP S60164720 A JPS60164720 A JP S60164720A JP 2058984 A JP2058984 A JP 2058984A JP 2058984 A JP2058984 A JP 2058984A JP S60164720 A JPS60164720 A JP S60164720A
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JP
Japan
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phase
liquid crystal
temperature
optical modulation
modulation element
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Application number
JP2058984A
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Japanese (ja)
Inventor
Shinjiro Okada
伸二郎 岡田
Kazuharu Katagiri
片桐 一春
Kazuo Yoshinaga
和夫 吉永
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/132Thermal activation of liquid crystals exhibiting a thermo-optic effect

Abstract

PURPOSE:To form a mono-domain of a liquid crystal arranged in one direction by forming an interface of a uniaxial anisotropic phase of the liquid crystal and other phase of a high temperature side, phase-varying other phase to the uniaxial anisotropic phase of the liquid crystal arranged in a parallel direction under a high temperature, and generating it continuously toward the vertical direction. CONSTITUTION:When a liquid crystal 401 of an electrooptic modulating substance in a liquid crystal cell is operating, it is brought to temperature control to SmC*. The electric conduction quantity of a heating resistor 402 is increased, it is set to an isotropic phase by heating of a heater of the first stage, and thereafter, cooled slowly under a temperature gradient. This slow cooling reduces the electric conduction quantity to the heating resistor 402, forms SmA by heating of a heater of the second stage, and thereafter, the temperature gradient is released, and also the liquid crystal 401 is phase-transferred to SmC* by heating of a heater of the third stage of a low heating value. This control is executed by using on multi-stepwise way the heating resistor 402 by a heat sensible element 403 functioning as a temperature sensor.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、光学変調素子の温度制御法に関し。[Detailed description of the invention] The present invention relates to a temperature control method for an optical modulation element.

詳しくはディスプレイ装置や画像形成装置などに適した
光学変調素子の温度制御法に関するものである。
Specifically, the present invention relates to a method of controlling the temperature of an optical modulation element suitable for display devices, image forming devices, and the like.

最近の情報処理技術の進歩は目ざましいものかあし、そ
れに伴ない画像形成装置に対して高密度性及び高速性が
要求されてきている。さらに、印写品位に対する要求も
強く、これを満足する画像形成装置としては、これまで
電子写真装置、レーザービームプリンタ(LBP)ある
いハ光ファイバチューブ(OF’T )プリンタが既に
実用化されている。しかし、これらの画像形成装置は高
価であシ、又装置の構成も複雑になり。
2. Description of the Related Art Recent advances in information processing technology have been remarkable, and as a result, image forming apparatuses are required to have higher density and higher speed. Furthermore, there are strong demands for printing quality, and to date, electrophotographic devices, laser beam printers (LBPs), and optical fiber tube (OF'T) printers have already been put into practical use as image forming devices that satisfy these requirements. There is. However, these image forming apparatuses are expensive and have a complicated structure.

小型化にするのが困難となっている。そこで。It is difficult to miniaturize the device. Therefore.

低価格で小型化が可能になるということで、最近ではP
LZTや液晶等の光シヤツターを用いた画像形成装置あ
るいは発光ダイオードを用いたLEDプリンタ等の画像
形成装置が考えられている。中でも、液晶の電気光学効
果を利用した液晶シャッタ・プリンタが低価格で高密度
な画像形成装置として有望視されてきている。
Recently, P
Image forming apparatuses using optical shutters such as LZT or liquid crystal, or image forming apparatuses such as LED printers using light emitting diodes have been considered. Among these, liquid crystal shutter printers that utilize the electro-optic effect of liquid crystals are becoming promising as low-cost, high-density image forming devices.

この液晶シャッタ・プリンタのヘッドで用いている液晶
としては、ツィステッド・ネマチック液晶を2周波方式
により駆動する方法が、例えば特開昭56−94377
号公報に記載されている。
As the liquid crystal used in the head of this liquid crystal shutter printer, there is a method of driving twisted nematic liquid crystal using a two-frequency method, for example, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 56-94377.
It is stated in the No.

この方式のプリンタ・ヘッドでは、印加電圧の異る周波
数に応じて、正の誘電異方性と負の誘電異方性を示す液
晶組成物を用い、選択的に印加周波数を切換え、液晶を
電界方向に配向させる時と電界に対し垂直な方向に配向
させる時とで光学的に区別し得る原理に基いている。一
般に液晶は印加電圧を大きくする程応答速度は早くなる
。従って二つの配向方向の一方の配向で明状態を生じさ
せ、他方の配向で暗状態を作るならば、これ等の二状態
を切換えるために共に強制的な電圧印加で達成できるの
で、応答は許される限り大きな電圧を印加することによ
って高速応答が可能となるものであるが、その応答速度
はせいぜい1m5ec程度で、LEDプリンタヘッドの
場合での数10nsecに較べ非常に遅いことから、高
速応答性をもつプリンタ・ヘッドには適していないもの
であった。又、LEDプリンタ・ヘッドは均一な発光輝
度でLEDアレイを形成することが困難なために、この
発光輝度を受けて形成される静電潜像と反対極性のトナ
ーを有する現像剤で現像すると、各ドツト毎の光学濃度
が不均一なものになるなどの欠点を有している。
This type of printer head uses a liquid crystal composition that exhibits positive dielectric anisotropy and negative dielectric anisotropy according to the different frequencies of the applied voltage, and selectively switches the applied frequency to apply an electric field to the liquid crystal. It is based on the principle that it is possible to optically distinguish between orientation in the direction of the electric field and orientation in the direction perpendicular to the electric field. Generally, the response speed of a liquid crystal increases as the applied voltage increases. Therefore, if one of the two orientation directions produces a bright state and the other orientation produces a dark state, switching between these two states can be achieved by forcibly applying voltage to both, so the response is acceptable. High-speed response is possible by applying as large a voltage as possible, but the response speed is approximately 1m5ec at most, which is much slower than several tens of nanoseconds for LED printer heads. It was not suitable for printer heads with In addition, since it is difficult for LED printer heads to form an LED array with uniform luminance, if developed with a developer containing toner of opposite polarity to the electrostatic latent image formed in response to this luminance, This method has drawbacks such as the optical density of each dot being non-uniform.

ところで、最近自発分極を持つ強誘電性液晶が発見され
、その液晶分子の電気双極子が外部からの電場に対して
、約1μSeeで応答できるなど従来の液晶モードに対
してかなシ速い応答速度をもっていることが知られてい
る。この強誘電性液晶を1〜2μm厚のセル状にし、こ
れを光シヤツターとして動作させると1:20の明暗コ
ントラストがとれることから、従来の液晶モードを用い
たプリンタ・ヘッドに代わって、高速の液晶シャッター
プリンターの開発がなされている。
By the way, a ferroelectric liquid crystal with spontaneous polarization has recently been discovered, and the electric dipole of the liquid crystal molecule can respond to an external electric field with a response speed of about 1μSee, which is much faster than the conventional liquid crystal mode. It is known that there are When this ferroelectric liquid crystal is made into cells with a thickness of 1 to 2 μm and operated as a light shutter, a contrast of 1:20 can be achieved, so it can be used as a high-speed printer instead of a printer head using conventional liquid crystal mode. A liquid crystal shutter printer is being developed.

しかし、この強誘電性液晶が液晶シャッターとして動作
するのは、一般にカイラルスメクチックC相(SmC)
か、又はカイラルスメクチックH相(SmH*)におい
てであることが知られているが、このSmC*父はSm
H*は常温よ)もかなシ高温付近(例えば、約60℃〜
90”C)で現われるために、この種の液晶を用いたプ
リンタ・ヘッドによシ光信号を発生させ、この光信号を
例えば電子写真複写機の感光ドラムに照射するプロセス
を有する様な画像形成装置には適用し難い問題点がある
。すなわち、画像形成装置が常時作動するためには、プ
リンタ・ヘッドの光学変調部の液晶が常に60℃〜90
’C付近の温度でSmC”又はSmH’であることが必
要で、このために不要な電力を消費することとなる。さ
らに、8mC’又はS mH’が必要以上に加熱される
とスメクチック人相(SmA)が現われ、このために高
速応答性を示さなくなることがある。
However, the ferroelectric liquid crystal that operates as a liquid crystal shutter is generally in the chiral smectic C phase (SmC).
or in the chiral smectic H phase (SmH*), but this SmC* father is Sm
H* is room temperature) Mokana is near high temperature (for example, about 60℃~
90"C), image formation involves the process of generating a light signal in a printer head using this type of liquid crystal and irradiating this light signal onto, for example, a photosensitive drum of an electrophotographic copying machine. There is a problem that makes it difficult to apply the device.In other words, in order for the image forming device to operate constantly, the liquid crystal of the optical modulation section of the printer head must always be kept at a temperature of 60°C to 90°C.
SmC" or SmH" is required at a temperature around 'C', which consumes unnecessary power.Furthermore, if 8mC' or SmH' is heated more than necessary, smectic physiognomy occurs. (SmA) appears, which may result in a failure to exhibit high-speed response.

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光学変調素子の
温度制御法を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a temperature control method for an optical modulation element that eliminates the above-mentioned drawbacks.

本発明の別の目的は、ディスプレイ装置や画像形成装置
に適した光学変調素子の温度制御法を提供することにあ
る。
Another object of the present invention is to provide a method for controlling the temperature of an optical modulation element suitable for display devices and image forming devices.

本発明のかかる目的は1強誘電性液晶相を示す温度の上
限温度よシ高い温度に加熱する第1のステップ、一方向
に配列した液晶の一軸異吉相(スメクテイツク相、ネマ
ティック相)と該州より高温側の別の相(ネマティック
相、コレスティック相、等吉相)との相界面を形成し。
The object of the present invention is to provide a first step of heating to a temperature higher than the upper limit of the temperature at which a ferroelectric liquid crystal phase is exhibited; It forms a phase interface with another phase on the higher temperature side (nematic phase, cholestic phase, tokiyoshi phase).

前記相界面付近の別の相を降温下で前記−軸異吉相の液
晶配列方向と平行方向に配列した液晶の一軸異吉相に相
転移させ、該相転移を前記相界面からその垂直方向に向
けて連続的に生じさぜることによシ、一方向に配列した
液晶のモノドメインを形成する第2のステップ、前記−
軸異吉相を徐冷下で強誘電性液晶相に相転移させる第3
のステップと強誘電性液晶相を示す下限温度に到達する
前に加熱する第4のステップを有する光学変調素子の温
度制御法によって達成される。
Another phase near the phase interface is phase-transformed to a uniaxial auspicious phase of liquid crystals arranged in a direction parallel to the liquid crystal alignment direction of the -axis auspicious phase under temperature reduction, and the phase transition is directed from the phase interface in a direction perpendicular to the liquid crystal alignment direction. a second step of forming monodomains of liquid crystal aligned in one direction by continuously generating the above-mentioned -
The third step involves phase transition of the axially auspicious phase to the ferroelectric liquid crystal phase under slow cooling.
This is achieved by a method of temperature control of the optical modulation element, which has the following steps: and a fourth step of heating before reaching the lower limit temperature exhibiting a ferroelectric liquid crystal phase.

本発明で用いる強誘電性液晶は、具体的にはカイラルス
メクチックC相(SmC’)又はH相(SmH’)を有
する液晶を用いることができる。この液晶は電界に対し
て第1の光学的安定状態と第2の光学安定状態からなる
双安定状態を有し、従って前述のTN型の液晶で用いら
れた光学変調素子とは異なシ、例えは一方の電界ベクト
ルに対し第1の光学的安定状態に液晶が配向し、他方の
電界ベクトルに対しては第2の光学的安定状態に液晶が
配向される。
As the ferroelectric liquid crystal used in the present invention, specifically, a liquid crystal having a chiral smectic C phase (SmC') or H phase (SmH') can be used. This liquid crystal has a bistable state consisting of a first optically stable state and a second optically stable state with respect to an electric field, and is therefore different from the optical modulation element used in the TN type liquid crystal described above. The liquid crystal is aligned in a first optically stable state with respect to one electric field vector, and the liquid crystal is aligned in a second optically stable state with respect to the other electric field vector.

強誘電性液晶については、“LE JOURNAL D
EPHYS IQ掛I正TT皿S136(L−69)1
975゜[Ferroelectric Liquid
 Crystals J ;“AI)plied Ph
ysics Letters ’″36(11)198
0 [Submicro 5econd B15tab
leE1ectrooptie Switching 
in LiquidCr)’5tals J i ’固
体物理″16(141)1981「液晶」等に記載され
てお)、本発明ではこれらに開示された強誘電性液晶を
用いることができる。
For information on ferroelectric liquid crystals, please refer to “LE JOURNAL D
EPHYS IQ hanging I regular TT plate S136 (L-69) 1
975° [Ferroelectric Liquid
Crystals J ; “AI) plied Ph
ysics Letters '″36(11)198
0 [Submicro 5econd B15tab
leE1electrooptie Switching
In the present invention, the ferroelectric liquid crystals disclosed therein can be used.

強誘電性液晶化合物の具体例としては、デシロキシベン
ジリデン−p′−アミノ−2−メチルブチルシンナメー
) (DOBAMBC) 、ヘキシルオキシベンジリデ
ン−p′−アミノ−2−クロ目プロピルシンナメート(
HOBACPC) 、 4− o −(2−メチル)−
ブチルレゾルシリテン−42−オクチルアニリン(MB
RA8)が挙げられる。
Specific examples of ferroelectric liquid crystal compounds include desyloxybenzylidene-p'-amino-2-methylbutylcinnamate (DOBAMBC), hexyloxybenzylidene-p'-amino-2-propylcinnamate (DOBAMBC), and hexyloxybenzylidene-p'-amino-2-methylbutylcinnamate (DOBAMBC).
HOBACPC), 4-o-(2-methyl)-
Butylresolsiliten-42-octylaniline (MB
RA8).

本発明による液晶の配向制御法は、一対の基板間で一方
向に配列した液晶の一軸異吉相と該相よシ高温側の別の
相との相界面を形成し、前記相界面付近の別の相を降温
下で前記−軸異吉相の液晶配列方向と平行方向に配列し
た液晶の一軸異吉相に相変化させ、該相変化を前記相界
面からその垂直方向に向けて連続的に生じさせることに
よシ、一方向に配列した液晶のモノドメインを形成する
液晶の配向制御法に特徴を有している。
The liquid crystal alignment control method according to the present invention forms a phase interface between a uniaxial auspicious phase of liquid crystal aligned in one direction between a pair of substrates and another phase on the high temperature side of the phase, and separates the liquid crystal near the phase interface. The phase is changed to a uniaxial auspicious phase of liquid crystals aligned in a direction parallel to the liquid crystal alignment direction of the -axis auspicious phase under a temperature decrease, and the phase change is caused continuously from the phase interface in a direction perpendicular to the liquid crystal alignment direction. In particular, it is characterized by a liquid crystal alignment control method that forms liquid crystal monodomains aligned in one direction.

以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明を更に詳
細に説明する。
Hereinafter, the present invention will be described in further detail with reference to the drawings as necessary.

本発明で用いる液晶材料として、とくに適したものは、
双安定性を有する液晶であって強誘電性を有するもので
あって、具体的にはカイラルスメクテイツクC相(Sm
C*)又はH相(SmH”)を有する液晶を用いること
ができる。
Particularly suitable liquid crystal materials for use in the present invention include:
It is a liquid crystal that has bistability and ferroelectricity, and specifically has a chiral smectic C phase (Sm
A liquid crystal having a C*) or H phase (SmH'') can be used.

これらの材料を用いて素子を構成する場合、液晶化合物
がSmC相又はSmH相となるような温度状態に保持す
る為、必要に応じて素子をヒーターが埋め込まれた銅ブ
ロック等により支持することができる。
When constructing an element using these materials, the element may be supported by a copper block with a heater embedded, etc., as necessary, in order to maintain the temperature at which the liquid crystal compound becomes the SmC phase or SmH phase. can.

第1図は1強誘電性液晶の動作説明のために、セルの例
を模式的に描いたものである。11と11′は、Int
Os I 5nat あるいはITO(Indium 
−Tin 0xide)等の薄膜からなる透明電極で被
覆された基板(ガラス板)であり、その間に液晶分子層
12がガラス面に垂直になるよう配向したSmC*相又
はSmH*相の液晶が封入されている。太線で示した線
13が液晶分子を表わしておし、この液晶分子13はそ
の分子に直交した方向に双極子モーメン) (Pl) 
14を有している。基板11と11′上の電極間に一定
の閾値以上の電圧を印加すると、液晶分子13のらせん
構造がほどけ、双極子モーメン) (Pl) 14がす
べて電界方向に向くよう、液晶分子13は配向方向を変
えるととができる。液晶分子13は。
FIG. 1 schematically depicts an example of a cell for explaining the operation of a ferroelectric liquid crystal. 11 and 11' are Int
Os I 5nat or ITO (Indium
- A substrate (glass plate) coated with a transparent electrode made of a thin film such as (Tin Oxide), between which SmC* phase or SmH* phase liquid crystal with liquid crystal molecular layer 12 oriented perpendicular to the glass surface is sealed. has been done. A thick line 13 represents a liquid crystal molecule, and this liquid crystal molecule 13 has a dipole moment (Pl) in the direction perpendicular to the molecule.
It has 14. When a voltage higher than a certain threshold is applied between the electrodes on the substrates 11 and 11', the helical structure of the liquid crystal molecules 13 is unraveled, and the liquid crystal molecules 13 are oriented so that the dipole moment (Pl) 14 is all oriented in the direction of the electric field. If you change the direction, you can make a dot. The liquid crystal molecules 13 are.

細長い形状を有しており、その長軸方向と短軸方向で屈
折率異方性を示し、従って例えばガラス面の上下に互い
にクロスニフルの偏光子を置けば、電圧印加極性によっ
て光学特性が変わる液晶光学変調素子となることは、容
易に理解される。
It has an elongated shape and exhibits refractive index anisotropy in its long and short axis directions. Therefore, if a cross-niffle polarizer is placed above and below the glass surface, the optical properties change depending on the polarity of voltage application. It is easily understood that this serves as an optical modulation element.

本発明の液晶素子で好ましく用いられる液晶セルは、そ
の厚さを充分に薄く(例えば10μ以下)することがで
きる。このように液晶層が薄くなるにしたがい、第2図
に示すように電界を印加していない状態でも液晶分子の
らせん構造がほどけ、非らせん構造となシ、その双極子
モーメン)Pまたはyは上向き(24)又は下向き(2
4つのどちらかの状態をとる。このようなセルに、第2
図に示す如く一定の閾値以上の極性の異る電界E又はE
′を電圧印加手段21と21′によシ付毒すると、双極
子モーメント敵、電界E又は「の電界ベクトルに対応し
て上向き24又は下向き24′と・向きを変え、それに
応じて液晶分子は、第1の安定状態23かあるいは第2
の安定状態23′の何れか一方に配向する。
The liquid crystal cell preferably used in the liquid crystal element of the present invention can have a sufficiently thin thickness (for example, 10 μm or less). As the liquid crystal layer becomes thinner, the helical structure of the liquid crystal molecules unwinds and becomes a non-helical structure even when no electric field is applied, as shown in Figure 2.The dipole moment) P or y is Upward (24) or Downward (2
It can be in one of four states. In such a cell, the second
As shown in the figure, an electric field E or E with different polarity above a certain threshold value
When ' is applied to the voltage applying means 21 and 21', the dipole moment changes its direction to upward 24 or downward 24' in response to the electric field vector of E or ', and the liquid crystal molecules accordingly change direction. , the first stable state 23 or the second stable state 23
is oriented in one of the stable states 23'.

このような強誘電性を液晶素子として用いることの利点
は、先にも述べたが2つある。その第1は、応答速度が
極めて速いことであシ、第2は液晶分子の配向が双安定
性を有することである。第2の点を、例えば第2図によ
って更に説明すると、電界Eを印加すると液晶分子は第
1の安定状態23に配向するが、仁の状態は電界を切っ
ても安定である。又、逆向きの電界E′を印加すると、
液晶分子は第2の安定状態23′に配向してその分子の
向きを変えるが、やはシミ界を切ってもこの状態に留っ
ている。又、与える電界Eが一定の閾値を越えない限シ
、それぞれの配向状態にやは)維持されている。このよ
うな応答速度の速さと、双安定性が有効に実現されるK
はセルとしては出来るだけ薄い方が好ましい。
As mentioned earlier, there are two advantages to using such ferroelectricity as a liquid crystal element. The first is that the response speed is extremely fast, and the second is that the alignment of liquid crystal molecules has bistability. To further explain the second point, for example, with reference to FIG. 2, when the electric field E is applied, the liquid crystal molecules are oriented in the first stable state 23, but the solid state remains stable even when the electric field is turned off. Also, when applying an electric field E' in the opposite direction,
The liquid crystal molecules are oriented in a second stable state 23' and change their orientation, but they remain in this state even after cutting the stain boundary. Further, as long as the applied electric field E does not exceed a certain threshold value, each orientation state is maintained. K that effectively realizes such fast response speed and bistability
It is preferable for the cell to be as thin as possible.

この様な強誘電性を有する液晶で素子を形成基板面に対
して垂直に配列し且つ液晶分子が基板面に略平行に配向
した、モノドメイン性の高いセルを形成することが困難
なことであり、この点に解決を与えることが本発明の主
要な目的である。
Forming devices using liquid crystals with such ferroelectricity It is difficult to form cells with high monodomain properties, in which liquid crystal molecules are aligned perpendicular to the substrate surface and liquid crystal molecules are aligned approximately parallel to the substrate surface. The main purpose of the present invention is to provide a solution to this problem.

第3図(4)は、本発明の液晶配向制御法によって得た
液晶素子の一実施例に関する部分的な平面図であ夛、第
3図(B)は、そのA −A’断面図である。いずれも
セル構造をわかシ易くするため、正確な縮尺度の図とは
なっていない。本例では、プリンタ用シャッターアレー
の構成例が示されている。第3図で示す液晶セル100
は、ガラス板又はプラスチック板などからなる一対の基
板101と101′をスペーサ(図示せず)で所定の間
隔に保持され、この一対の基板を接着剤106で接着し
たセル構造を有しておシ、さらに基板101の上には複
数の透明電極102からなる電極群(例えば、マトリク
ス電極構造のうちの走査電圧印加用電極群)が例えば帯
状パターンなどの所定パターンで形成されている。基板
101′の上には前述の透明電極102と交差させた複
数の透明電極102′からなる電極群(例えば、マトリ
クス電極構造のうちの信号電圧印加用電極群)が例えば
図示する如くリード107′でチドリ状に接続されたセ
グメントパターンで形成されている。透明電極102は
リード107と、透明電極102′はリード107“に
それぞれ接続されて、外部回路からの信号がそれぞれの
リード107と107“の端子に入力される。
FIG. 3(4) is a partial plan view of an embodiment of a liquid crystal element obtained by the liquid crystal alignment control method of the present invention, and FIG. 3(B) is a cross-sectional view taken along line A-A' be. In order to make it easier to see the cell structure, the figures are not drawn to an exact scale. In this example, a configuration example of a shutter array for a printer is shown. Liquid crystal cell 100 shown in FIG.
has a cell structure in which a pair of substrates 101 and 101' made of glass plates, plastic plates, etc. are held at a predetermined distance by spacers (not shown), and the pair of substrates are bonded with an adhesive 106. Further, on the substrate 101, an electrode group (for example, a scanning voltage application electrode group in a matrix electrode structure) consisting of a plurality of transparent electrodes 102 is formed in a predetermined pattern such as a strip pattern. On the substrate 101', an electrode group (for example, a signal voltage application electrode group in a matrix electrode structure) consisting of a plurality of transparent electrodes 102' intersecting with the transparent electrode 102 described above is connected to a lead 107' as shown in the figure. It is formed of a pattern of segments connected in a zigzag pattern. The transparent electrode 102 is connected to a lead 107, and the transparent electrode 102' is connected to a lead 107'', and signals from an external circuit are input to the terminals of the leads 107 and 107'', respectively.

この様な基板101と101′には1例えば。For example, one of these substrates 101 and 101' is used.

−酸化硅素、二酸化硅素、酸化アルミニウム。-Silicon oxide, silicon dioxide, aluminum oxide.

ジルコニア、フッ化マグネシウム、酸化セリウム、フッ
化セリウム、シリコン窒化物、 シリ:rン炭化物、ホ
ウ素窒化物、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート
、ポリビニルアセタール。
Zirconia, magnesium fluoride, cerium oxide, cerium fluoride, silicon nitride, silicon carbide, boron nitride, polyvinyl alcohol, polycarbonate, polyvinyl acetal.

ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリスチレン。Polyvinyl chloride, polyamide, polystyrene.

セルロース樹脂、メラミン樹脂、ユリャ樹脂やアクリル
樹脂などを用いて被膜形成した絶縁膜(図示せず)を設
けることができる。この絶縁膜は、液晶層103に微量
に含有される不純物等のために生ずる電流の発生を防止
できる利点をも有しておシ、従って動作を繰シ返し行な
っても液晶化合物を劣化させることがない。
An insulating film (not shown) made of cellulose resin, melamine resin, urea resin, acrylic resin, or the like can be provided. This insulating film also has the advantage of being able to prevent the generation of current caused by trace amounts of impurities contained in the liquid crystal layer 103, and therefore does not deteriorate the liquid crystal compound even if the operation is repeated. There is no.

この具体例におけるセル構造は、前述した様な所定温度
で強誘電性を示す液晶層103と核発生部材104およ
びヒータなどの発熱体105を備えている。
The cell structure in this specific example includes a liquid crystal layer 103 that exhibits ferroelectricity at a predetermined temperature as described above, a nucleation member 104, and a heating element 105 such as a heater.

核発生部材104は、例えばポリビニルアルステル、ポ
リカーボネート、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ酢酸ビニル、ポリアミド、ポリスチレン、セル
ロース樹脂、メラ。
The nucleation member 104 is made of, for example, polyvinylalster, polycarbonate, polyvinyl acetal, polyvinyl chloride, polyvinyl acetate, polyamide, polystyrene, cellulose resin, or mela.

ミン樹脂、ユリャ樹脂やアクリル樹脂などの樹脂類又は
SiO、5iOz又はTi1tなどの無機化合物などに
よって被膜形成した後、通常のフォトリングラフィ法に
より帯状の形状で形成される。
After forming a film using a resin such as Min resin, Yuria resin, or acrylic resin or an inorganic compound such as SiO, 5iOz, or Tilt, it is formed into a band shape by a normal photolithography method.

又、この核発生部材104は基板101又は101′と
同一の材料で形成することも可能である。
Further, the nucleation member 104 can also be made of the same material as the substrate 101 or 101'.

又1発熱体105としては例えば酸化インジウム、酸化
錫やI T O(Indium Tin 0xide)
などの薄膜抵抗体を用いることが適している。
The heating element 105 may be made of, for example, indium oxide, tin oxide, or ITO (Indium Tin Oxide).
It is suitable to use a thin film resistor such as

この様な液晶セル100は、基板101と1011の両
側にはクロスニコル状態又はパラレルニコル状態とした
偏光子108と108′がそれぞれ配置されて、電極1
02と102′の間に電圧を印加した時に光学変調を生
じることになる。
In such a liquid crystal cell 100, polarizers 108 and 108' in a crossed Nicol state or a parallel Nicol state are arranged on both sides of the substrates 101 and 1011, respectively.
Optical modulation will occur when a voltage is applied between 02 and 102'.

第3図に示す液晶セル100についての更に具体的な例
を示すと1例えば透明電極102は幅を62.5μ襠と
した帯状の走査電極群とし、一方透明電極102′は一
画素を形成し、62.5μmX62.5μmの信号電極
群とすることができる。
To give a more specific example of the liquid crystal cell 100 shown in FIG. 3, for example, the transparent electrode 102 is a strip-shaped scanning electrode group with a width of 62.5 μm, while the transparent electrode 102' forms one pixel. , 62.5 μm×62.5 μm signal electrode group.

又、発熱体105は平均幅0.6 van 、膜厚10
00λのITO薄膜とし、液晶層103は約2μ屏厚程
度で保持されていることが好ましい。
The heating element 105 has an average width of 0.6 van and a film thickness of 10
It is preferable that the liquid crystal layer 103 is made of an ITO thin film with a thickness of 00λ and maintained at a thickness of about 2 μm.

この様な液晶セル100は、加熱ケース(図示せず)に
収容し、上下に互いに直交する偏光子108.と108
Iを配置して、これを電子写真プリンタ用液晶シャッタ
ーアレーとして動作させることができる。仁の場合、第
3図(4)の矢印Bが電子写真感光ドラムの回転方向と
なる。
Such a liquid crystal cell 100 is housed in a heating case (not shown), and polarizers 108 . and 108
I can be arranged to operate as a liquid crystal shutter array for an electrophotographic printer. In the case of solidity, arrow B in FIG. 3(4) is the direction of rotation of the electrophotographic photosensitive drum.

核発生部材104は、例えば基板101の上にポリイミ
ド形成溶液(日立化成工業■製の「PIQJ ;不揮発
分濃度14.5wt%)を3.000 rPmで回転す
るスピナー塗布機で10秒間塗布し、120℃で30分
間加熱を行なって2μの被膜を形成した。次いで、ポジ
型レジスト溶液(Shipley社製の“AZ1350
” )をスピナー塗布し、プリベークした。このレジス
ト層上にマスク幅0.5闘の帯状マスクを用いて露光し
た。
The nucleation member 104 is produced by applying, for example, a polyimide forming solution (PIQJ manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd., non-volatile content 14.5 wt%) onto the substrate 101 for 10 seconds using a spinner coating machine rotating at 3.000 rPm. Heating was performed at 120°C for 30 minutes to form a 2μ film.Next, a positive resist solution (“AZ1350” manufactured by Shipley) was applied.
) was applied with a spinner and prebaked. This resist layer was exposed to light using a strip mask with a mask width of 0.5 mm.

次いでテトラメチルアンモニウムノ1イドロオキサイド
含有の現像液“MF312”で現像することによシ、露
光部分のレジスト膜とその下層のポリイミド膜のエツチ
ングを行ないスルーホールを形成させ、水洗、乾燥を行
なった後、メチルエチルケトンを用いて未霧光部のレジ
スト膜を除去した。しかる後、200℃で60分間。
Next, by developing with a developer containing tetramethylammonium hydroxide "MF312", the resist film in the exposed area and the underlying polyimide film were etched to form through holes, followed by washing with water and drying. Thereafter, the resist film in the non-fogged areas was removed using methyl ethyl ketone. After that, heat at 200℃ for 60 minutes.

350”Cで30分間の加熱によシ硬化を行ない。Curing was performed by heating at 350"C for 30 minutes.

PIQ(ポリイミド)の核発生部材を形成することがで
きる。
A nucleation member of PIQ (polyimide) can be formed.

以下、所定温度で強誘電特性を示す光学変調物質として
DOBAMBCの場合を例にとって、具体的に説明する
Hereinafter, a case of DOBAMBC as an optical modulation material exhibiting ferroelectric properties at a predetermined temperature will be specifically explained.

第4図は、本発明の光学変調素子に具備した光信号発生
器の光路開閉手段と温度制御手段を表わしておシ、この
光路開閉手段にはSmC’又はSmH’を示す温度範囲
に温度制御することができる温度制御手段が備えられて
いる。
FIG. 4 shows the optical path opening/closing means and temperature control means of the optical signal generator provided in the optical modulation element of the present invention. Temperature control means are provided which can control the temperature.

まず、DOBAMBCが封入されている第3図に示す液
晶セル100は、セル全体が均一に加熱されるような加
熱ケース(図示されていない)内にセットされる。次に
、セルの平均的温度が例えば90℃となるよう加熱ケー
スの温度をコントロールする。このときDOBAMBC
は、液晶相として、SmC’相もしくは、5rrLA相
状態となっている。ここで、発熱体(ヒータ)105に
電流を流し、次第に電流値を上げて行くと、まず発熱体
105のごく近傍のみがSmA→等方相の転移温度であ
る約118℃を越え、等吉相即ち、液相状態に相転移を
生じる−8さらに、電流を増大させて行くと、等吉相領
域が発熱体105とほぼ千行状態を保ち乍ら拡がって行
き、やがて全液晶層103が等吉相となる0 この状態では、液晶セル100の長手方向(第3図(4
)のC方向)での温度が均一であり、短手方向(第3図
(4)のB方向)で、核発生部材104から発熱体10
5の方向へ次第に温度が高くなるような温度勾配が形成
されている。例えば、核発生部材104の側壁面104
′の近傍を例えば120℃とし、それより約1.5■離
れた発熱体105の近傍を例えば約140℃とすること
によって温度勾配を形成する。
First, the liquid crystal cell 100 shown in FIG. 3 in which DOBAMBC is sealed is set in a heating case (not shown) that uniformly heats the entire cell. Next, the temperature of the heating case is controlled so that the average temperature of the cell is, for example, 90°C. At this time, DOBAMBC
The liquid crystal phase is SmC' phase or 5rrLA phase. Here, when a current is applied to the heating element (heater) 105 and the current value is gradually increased, only the area in the immediate vicinity of the heating element 105 exceeds approximately 118°C, which is the transition temperature of SmA → isotropic phase, and the isotropic phase is reached. In other words, a phase transition occurs in the liquid phase state.-8 Furthermore, as the current is increased, the isokitic phase region expands while maintaining a nearly thousand-line state with the heating element 105, and eventually the entire liquid crystal layer 103 changes to the isokitic phase. In this state, the longitudinal direction of the liquid crystal cell 100 (Fig. 3 (4)
) in the direction C), and the temperature is uniform in the short direction (direction B in FIG. 3 (4)) from the nucleation member 104 to the heating element 10.
A temperature gradient is formed such that the temperature gradually increases in the direction of 5. For example, the side wall surface 104 of the nucleation member 104
A temperature gradient is formed by setting the temperature in the vicinity of ' to 120° C., for example, and setting the temperature in the vicinity of the heating element 105, which is about 1.5 inches away from the temperature, to about 140° C., for example.

次に、セル100に前述の温度勾配を付与した状態でセ
ル100がセットされているケースの温度を90℃より
、例えば10℃/hの割合で徐々に温度を下げるようコ
ントロールすると、第3図(B)に於て、まず核発生部
材104の側壁面104’の近傍における温度が等吉相
−8mA相転相転変温約116℃)より低くなり、この
領域においてSmA相の核が形成される。このとき、核
発生部材104の側壁面104′及び絨板101の面1
09は何れも液晶分子を水平方向に配向させる効果を有
しているため、側壁面104′の近傍でSmA相が形成
されるとき、液晶分子軸が基板101の面(109)内
で、かつ側壁面104′の長手方向に平行な配列を生ず
るような強制力を受け、従って形成されたSmA相の核
は、側壁面104′と基板101の面109に対して水
平方向配向したモノドメインとなっている。さらにケー
スの温度を下げて行くと、既に形成されている5rnA
と等吉相との相界面付近における等吉相がその相界面付
近のSmAの配列方向と平行方向になる様なSmAに相
転移を生じ、この結果温度勾配下で降温を続けると、S
mA相のモノドメイン領域が連続的に広かう七行く。こ
のとき、Sm人相のモノドメイン領域と等吉相領域との
相界面の成長速度は、液晶セル100の長手方向(第3
図Aの矢印C方向)に亘って同一速度になっていること
が望ましい。
Next, if the temperature of the case in which the cell 100 is set is controlled to be gradually lowered from 90°C at a rate of, for example, 10°C/h while applying the above-mentioned temperature gradient to the cell 100, as shown in Fig. 3. In (B), first, the temperature near the side wall surface 104' of the nucleation member 104 becomes lower than the Tokiyoshi phase - 8mA phase inversion temperature (about 116°C), and SmA phase nuclei are formed in this region. . At this time, the side wall surface 104' of the nucleation member 104 and the surface 1 of the carpet board 101
09 has the effect of aligning liquid crystal molecules in the horizontal direction, so when the SmA phase is formed near the side wall surface 104', the liquid crystal molecule axis is within the plane (109) of the substrate 101, and The nuclei of the SmA phase that are subjected to a forcing force that causes alignment parallel to the longitudinal direction of the sidewall surface 104' are monodomains that are oriented horizontally with respect to the sidewall surface 104' and the surface 109 of the substrate 101. It has become. When the temperature of the case is further lowered, the already formed 5rnA
A phase transition occurs in SmA such that the Toyoshi phase near the phase interface between the
The monodomain region of the mA phase is continuously widened. At this time, the growth rate of the phase interface between the monodomain region of the Sm human phase and the isokyoshi phase region is determined in the longitudinal direction of the liquid crystal cell 100 (third
It is desirable that the speed be the same throughout the direction (direction of arrow C in Figure A).

ケースの温度が例えば70℃程度となると、発熱体10
5の近傍を除いては、液晶は、はぼ全域がSmA相に相
転移する。
For example, when the temperature of the case reaches about 70°C, the heating element 10
Except for the vicinity of 5, almost the entire liquid crystal undergoes a phase transition to the SmA phase.

次いで、第4図に示す装置における液晶セル中の電気光
学的な変調物質(液晶)4o1が作動中SmC”又はS
mH’に温度制御される。
Next, the electro-optic modulating substance (liquid crystal) 4o1 in the liquid crystal cell in the device shown in FIG.
The temperature is controlled to mH'.

ところで、前述のDOBAMBCの如く現在知られてい
る強誘電性液晶の多くのものは、第5図に示したように
、液晶セル温度を上昇させていく場合と、下降させてい
く場合とで、smc”io安定温度領域が異なっておシ
、一般に温度下降の場合の方が上昇の場合に比べて、低
い温度領域(TI’ )まで安定な状態を示す場合が多
い。ここで、T識T、’がほぼ等しい場合には問題ない
が、Tt > T、’の場合では、液晶温度をT1に保
っよシもTI′に維持する場合の方がヒーターの消費電
力も少なくてすみ効果的である。そこで、本実施例では
第6図に示したように液晶を一度温度T8以上まで昇温
させて等吉相としたのち、前述の第3図に示す方法でモ
ノドメインのSmA (T*〜T3)を形成し、次いで
、発熱体105に流している電流を徐々に下げて、温度
勾配を解除すると、液晶セル100の温度は、全体が均
一に70℃(T1′〜T2)となり、液晶はSmC’相
に相転移する。
By the way, in many currently known ferroelectric liquid crystals such as the above-mentioned DOBAMBC, as shown in FIG. 5, the temperature of the liquid crystal cell is raised and lowered. smc"io stable temperature ranges are different, and in general, when the temperature decreases, a stable state is often shown down to the lower temperature range (TI') than when the temperature increases. , ' are almost equal, there is no problem, but if Tt > T, ', it is more effective to maintain the liquid crystal temperature at T1 or TI' because the power consumption of the heater is lower. Therefore, in this example, as shown in FIG. 6, the temperature of the liquid crystal is raised to a temperature of T8 or higher to make it into an isobic phase, and then monodomain SmA (T*~ T3) is formed, and then the current flowing through the heating element 105 is gradually lowered to release the temperature gradient. The temperature of the liquid crystal cell 100 becomes uniformly 70°C (T1' to T2) as a whole, and the liquid crystal undergoes a phase transition to the SmC' phase.

このとき、電極102と102′が形成されている領域
に於ては均一なモノドメインとなっているO 強誘電性液晶(SmC”)の温度範囲TをTI′十β<
 T < Tt−α α、β;定数(但し、Tt<T+
+β(Tt < Tt−α〈T2)で示される温度範囲
内に制御する。
At this time, the temperature range T of the O ferroelectric liquid crystal (SmC"), which is a uniform monodomain in the region where the electrodes 102 and 102' are formed, is defined as TI'+β<
T < Tt-α α, β; constant (however, Tt<T+
The temperature is controlled within the temperature range shown by +β (Tt<Tt−α<T2).

本発明の好ましい具体例では、昇温手段として第4図に
示す発熱抵抗体402を用いることができる。すなわち
、発熱抵抗体402の通電量を多くシ、高発熱量の加熱
(第1段のヒーター加熱)により等吉相とし、しかる後
に温度勾配下で徐冷する。この徐冷は、発熱抵抗体40
2への通電量を軽減し、低発熱量の加熱(第2段ヒータ
ー加熱)によりSmAを形成した後、温度勾配を解除し
、さらに低発熱量の加熱(第3段ヒーター加熱)により
液晶401はSmC’に相転移する。この制御は、温度
センサーとしての感熱素子403によって、発熱抵抗体
402を多段階的に使用することにより行なわれる。そ
のフローチャートを第7図に示す。このフローチャート
では第1段、第2段、第3段からなる3段階加熱方式の
場合を示している。
In a preferred embodiment of the present invention, a heating resistor 402 shown in FIG. 4 can be used as the temperature raising means. That is, the heating resistor 402 is energized in a large amount, heated to a high calorific value (first-stage heater heating), and brought to an equilactic phase, and then slowly cooled under a temperature gradient. This gradual cooling is carried out using the heating resistor 40.
After reducing the amount of current applied to 2 and forming SmA by heating with a low calorific value (second stage heater heating), the temperature gradient is canceled and the liquid crystal 401 is further heated with a low calorific value (third stage heater heating). undergoes a phase transition to SmC'. This control is performed by using the heating resistor 402 in multiple stages using a heat sensitive element 403 as a temperature sensor. The flowchart is shown in FIG. This flowchart shows the case of a three-stage heating system consisting of a first stage, a second stage, and a third stage.

この際の発熱量は第1段加熱ン第2段加熱〉第3段加熱
となっている。すなわち、第1段加熱は、等吉相、第2
段加熱はSmA 、第3段加熱はSmC’に対応した発
熱量となっている。
The amount of heat generated at this time is 1st stage heating, 2nd stage heating> 3rd stage heating. In other words, the first stage heating is the Tokichi phase, the second stage heating is
The stage heating has a calorific value corresponding to SmA, and the third stage heating has a calorific value corresponding to SmC'.

第7図に示すシーケンスは、例えば第4図に示す回路に
よって制御することができる。第7図における5tep
 1は、メイン電源417をオン状態とした時、セル中
の電気光学的な液晶401の温度を感熱素子403によ
って検知するステップを表わしている。5tep 2は
、液晶401の温度がT、>Tとなっている場合(Ye
s)には電源416が作動して第1段ヒーター加熱がO
NN状態なる。液晶401の温度がTt < Tの場合
(No)には、その温度がT>T、状態となっているか
を検知する。
The sequence shown in FIG. 7 can be controlled by the circuit shown in FIG. 4, for example. 5tep in Figure 7
1 represents a step in which the temperature of the electro-optical liquid crystal 401 in the cell is detected by the thermal element 403 when the main power source 417 is turned on. 5tep 2 is performed when the temperature of the liquid crystal 401 is T,>T (Ye
s), the power supply 416 is activated and the first stage heater heating is turned on.
It becomes NN state. If the temperature of the liquid crystal 401 is Tt<T (No), it is detected whether the temperature is T>T.

5tep 3は、第1段ヒータ・−加熱がON状態とな
って、マイクロプロセッサ406によって制御された温
度制御回路404と電流調整器405を介して調整され
た電流が発熱抵抗体402に □与えられて、液晶40
1がT > Ta (Yes)となるまで加熱される。
5tep 3, the first stage heater is turned on, and a current adjusted by the temperature control circuit 404 controlled by the microprocessor 406 and the current regulator 405 is applied to the heating resistor 402. , LCD 40
1 is heated until T > Ta (Yes).

5tep4は、第1段ヒーター加熱がOFF状態状態っ
て、これと同時に第2段ヒーター加熱と温度勾配加熱が
ONN状態なる。すなわち、5tep4ではマイクロプ
ロセッサ406によって制御された電流調整器405を
介して発熱抵抗体402に与えられる通電量が低下し、
発熱量が軽減され、第2段ヒーター加熱が温度勾配下で
ON状態となって降温される。5tep5でTt<’r
<T、の温度に制御されて均一モノドメインのSmAが
形成される。
At 5tep4, the first stage heater heating is turned off, and at the same time, the second stage heater heating and temperature gradient heating are turned on. That is, at 5tep4, the amount of current applied to the heating resistor 402 via the current regulator 405 controlled by the microprocessor 406 decreases,
The amount of heat generated is reduced, the second stage heater heating is turned on under the temperature gradient, and the temperature is lowered. Tt<'r at 5step5
<T, uniform monodomain SmA is formed.

5teP6は、温度勾配加熱と第2段ヒーター加熱が解
除(OFF)され同時に第3段ヒーター加熱がオン状態
となって、さらに降温される。この時SmC来が形成さ
れる。
In 5teP6, the temperature gradient heating and the second stage heater heating are canceled (OFF), and at the same time, the third stage heater heating is turned on, and the temperature is further lowered. At this time, SmC is formed.

5tep7でT > Ttの液晶401をT<Tt a
となる(Yes)まで徐冷するステップを表わしている
。この5tep7は液晶401が強誘電性液晶・を示す
範囲の上限温度を保障するステップを表わしており、次
の5tep 8では液晶401が強誘電性液晶を示す温
度範囲の下限温度(T1′+β<T)を保障するステッ
プを表わしている。従って、T>Tt aの場合(5t
ep7のNo )では冷却が行なわれ、又Tl’+β〉
Tの場合(5tep8のNo)では5tep6に戻され
て再び第3段ヒーター加熱がオン状態となる。
At step 5, set the liquid crystal 401 of T>Tt to T<Tt a
This represents the step of slowly cooling until (Yes). This step 7 represents the step of ensuring the upper limit temperature of the range in which the liquid crystal 401 exhibits a ferroelectric liquid crystal.In the next step 8, the lower limit temperature of the temperature range in which the liquid crystal 401 exhibits a ferroelectric liquid crystal (T1'+β< This represents a step to ensure T). Therefore, if T>Tt a (5t
Cooling is performed in No. of ep7, and Tl'+β〉
In the case of T (No in 5tep8), the process returns to 5tep6 and the third stage heater heating is turned on again.

5tep 9は、液晶401が強誘電性液晶を示す温度
範囲(T1′+β< T < Tt a )の時(Ye
 s )に、画像形成装置(例えば、電子写真複写機)
が何時でも作動できるCopy Read3’ fk態
となる。
5tep 9 is when (Ye
s), an image forming device (e.g., an electrophotographic copying machine)
is in the Copy Read3' fk state, which can be activated at any time.

このシーケンスによって、セル中の液晶401は、第6
図に示す温度曲線に制御されることができる。
With this sequence, the liquid crystal 401 in the cell
The temperature curve shown in the figure can be controlled.

第4図に示す光路開閉手段は、液晶駆動回路407によ
って、セル中に設けた電極408と409に選択的な信
号が印加され、このために電気光学的な液晶401の配
向状態が選択的に制御されて光路の開閉を行なうことが
できる。
In the optical path opening/closing means shown in FIG. 4, a liquid crystal driving circuit 407 applies selective signals to electrodes 408 and 409 provided in the cell, so that the alignment state of the electro-optical liquid crystal 401 is selectively changed. The optical path can be opened and closed under control.

この配向状態の変調は、両側に配置した偏光子410と
411によって検知される。又、第4図において414
と415は、例えばガラスやプラスチックシートなどの
活版を、412と413はSiO、Sin、あるいはポ
リイミド、ポリカーボネート、ポリアミドなどの絶縁膜
を表わしている。
This alignment state modulation is detected by polarizers 410 and 411 placed on both sides. Also, in Figure 4, 414
and 415 represent letterpress plates such as glass or plastic sheets, and 412 and 413 represent insulating films such as SiO, Sin, polyimide, polycarbonate, and polyamide.

第8図は、本発明で用いる光学変調素子の別の具体例を
表わしている。この具体例においては、発熱抵抗体8o
1を配線した発熱体803が液晶セル802の側面に配
置されている。この発熱抵抗体8o1に電流を前述の如
きシーケンスによって制御することができる。
FIG. 8 shows another specific example of the optical modulation element used in the present invention. In this specific example, the heating resistor 8o
A heating element 803 having wires 1 and 3 is arranged on the side surface of the liquid crystal cell 802 . The current flowing through the heating resistor 8o1 can be controlled according to the sequence described above.

第9図〜第11図は、本発明の光学変調素子の駆動例を
示している。
9 to 11 show examples of driving the optical modulation element of the present invention.

第9図は、中間に強誘電性液晶化合物が挾まれだマトリ
クス電極構造を有するセル91の模式図である。92は
走査電極(共通電極)群であり、93は信号電極群であ
る。第10図(a)と(b)はそれぞれ選択された走査
電極92(s)に与えられる電気信号とそれ以外の走査
電極(選択されない走査電極) 92 (n)に与えら
れる電気信号を示し、第1O図(c)と(d)はそれぞ
れ選択された信号電極93(s)に与えられる電気信号
と選択されない信号電極93 (n)に与えられる電気
信号を表わす。第10図(a)〜(d)それ卆れ横軸が
時間を、縦軸が電圧を表わす。例えば、動画を表示する
ような場合には、走査電極群92は逐次、周期的に選択
される。今、双安定性を有する液晶セルの第1の安定状
態を与えるだめの閾値電圧をvth、とし、第2の安定
状態を与えるための閾値電圧を−Vthtとすると、選
択された走査電極92 (s)に与えられる電気信号は
第9図(a)に示される如く位相(時間)1+では、■
を、位相(時間) 11では一■となるような交番する
電圧である。又、それ以外の走査電極92 (n)は、
第10図(b)に示す如くアース状態となっており、電
気信号0である。一方、選択された信号電極93(8)
に与えられる電気信号は第10図(e)に示される如く
Vであシ、又1選択されない信号電極93(n)に与え
られる電気信号は第10図(d)に示される如(−Vで
ある。以上に於て、電圧値VはV< Vtb+ < 2
 Vと−V> Vtht> 2Vを満足する所望の値に
設定される。このような電気信号が与えられたときの各
画素に印加される電圧波形を第11図に示す。第11図
(a)〜(d)はそれ□ぞれ第9図中の画素A、’B、
CとDは対応している。すなわち、第11図によシ明ら
かな如く。
FIG. 9 is a schematic diagram of a cell 91 having a matrix electrode structure in which a ferroelectric liquid crystal compound is sandwiched in the middle. 92 is a scanning electrode (common electrode) group, and 93 is a signal electrode group. FIGS. 10(a) and 10(b) respectively show the electrical signals given to the selected scanning electrode 92(s) and the electrical signals given to the other scanning electrodes (unselected scanning electrodes) 92(n), FIGS. 10(c) and 10(d) represent the electrical signal applied to the selected signal electrode 93(s) and the electrical signal applied to the unselected signal electrode 93(n), respectively. In FIGS. 10(a) to 10(d), the horizontal axis represents time and the vertical axis represents voltage. For example, when displaying a moving image, the scanning electrode groups 92 are sequentially and periodically selected. Now, if the threshold voltage for providing the first stable state of a liquid crystal cell having bistable property is vth, and the threshold voltage for providing the second stable state is -Vtht, then the selected scan electrode 92 ( As shown in FIG. 9(a), the electric signal given to s) is at phase (time) 1+,
is an alternating voltage such that phase (time) 11 is 1. In addition, the other scanning electrodes 92 (n) are
As shown in FIG. 10(b), it is in a grounded state and the electrical signal is 0. On the other hand, the selected signal electrode 93(8)
The electric signal applied to the signal electrode 93(n) which is not selected is V as shown in FIG. 10(e), and the electric signal applied to the unselected signal electrode 93(n) is −V as shown in FIG. 10(d). In the above, the voltage value V is V< Vtb+ < 2
It is set to a desired value that satisfies V and -V>Vtht>2V. FIG. 11 shows the voltage waveform applied to each pixel when such an electric signal is applied. Figures 11(a) to (d) represent pixels A, 'B, and □ in Figure 9, respectively.
C and D correspond. That is, as is clear from FIG.

選択された走査線上にある画素人では位相t、に於て閾
値Vthsを越える電圧2vが印加される。
A voltage of 2V exceeding the threshold value Vths is applied to the pixels on the selected scanning line at phase t.

又、同−走査線1に存在する画素Bでは位相t1で閾値
−Vthtを越える電圧−2■が印加される。
Further, to the pixel B existing in the same scanning line 1, a voltage -2■ exceeding the threshold value -Vtht is applied at phase t1.

従って、選択された走査電極線上に於て信号電極が選択
されたか否かに応じて、選択された場合には、液晶分子
は第1の安定状態に配向を揃え、選択されない場合には
第2の安定因態に配向を揃える。いずれにしても各画素
の前歴には関係することはない。
Therefore, depending on whether or not a signal electrode is selected on the selected scanning electrode line, if the signal electrode is selected, the liquid crystal molecules are aligned in the first stable state, and if not selected, the liquid crystal molecules are aligned in the second stable state. Align the orientation to the stable factor of. In any case, it has nothing to do with the previous history of each pixel.

一方、画素C,!:Dに示される如く選択されない走査
線上では、すべての画素CとDに印加される電圧は+V
又は−■であって、いずれも閾値電圧を越えない。従っ
て、各画素CとDにおける液晶分子は、配向状態を変え
ることなく前回走査されたときの信号状態に対応した配
向をそのまま保持している。即ち、走査電極が選択され
たときにその一ライン分の信号の書き込みが行われ、−
フレームが終了して次回選択されるまでの間は、その信
号状態を保持し得るわけである。従って、走査電極数が
増えても、実質的なデユーティ比はかわらず、コントラ
ストの低下とクロストーク等は全く生じない。この際電
圧値Vの値及び位相(t+ + tt > = Tの値
としては、用いられる液晶材料やセルの厚さにも依存す
るが、通常3ボルト〜70ボルトで0.1μsec〜2
 m secの範囲で用いられる。従って、この場合で
は選択された走査電極に与えられる電気信号が第1の安
定状態(光信号に変換されたとき「明」状態であるとす
る)から第2の安定状態(光信号に変換されたとき「暗
」状態であるとする)へ、又はその逆のいずれの変化を
も起すことができる。
On the other hand, pixel C,! : On the unselected scan line as shown in D, the voltage applied to all pixels C and D is +V.
or -■, neither of which exceeds the threshold voltage. Therefore, the liquid crystal molecules in each pixel C and D maintain the orientation corresponding to the signal state when scanned last time without changing the orientation state. That is, when a scanning electrode is selected, a signal for that one line is written, and -
The signal state can be maintained until the next selection after the end of the frame. Therefore, even if the number of scanning electrodes increases, the actual duty ratio does not change, and contrast reduction and crosstalk do not occur at all. At this time, the value of the voltage value V and the phase (t+ + tt > = T value depend on the liquid crystal material used and the thickness of the cell, but it is usually 3 volts to 70 volts and 0.1 μsec to 2
It is used in the range of m sec. Therefore, in this case, the electrical signal applied to the selected scanning electrode changes from the first stable state (assumed to be in the "bright" state when converted to an optical signal) to the second stable state (assumed to be a "bright" state when converted to an optical signal). It is possible to cause either a change to a "dark" state) or vice versa.

第12図は、前述の光学変調素子を光路開閉子R120
4として備えている画像形成装置の1例(電子写真プリ
ンタ)を示すもので、感光ドラム1201を矢印120
2の方向に回転駆動させ、まず帯電器1203により感
光ドラム1201を一様に帯電させ、光路開閉手段12
04を駆動させて、背後に配置したランプ1205よシ
の光線を選択的に開閉制御して光信号を発生させ、この
光信号を帯電された感光ドラム12o1に照射して静電
潜像が形成される。
FIG. 12 shows the above-mentioned optical modulation element connected to the optical path switch R120.
4 shows an example of an image forming apparatus (electrophotographic printer) equipped with a photosensitive drum 1201 as indicated by an arrow 120.
First, the photosensitive drum 1201 is uniformly charged by the charger 1203, and the optical path opening/closing means 12
04 to selectively control the opening and closing of the light beam from the lamp 1205 placed behind to generate an optical signal, and irradiate this optical signal onto the charged photosensitive drum 12o1 to form an electrostatic latent image. be done.

第12図は、前述の光路開閉手段1204を具備させた
画像形成装置の一例(電子写真プリンター装置)を示す
もので、感光ドラム1201を矢印1202の方向に回
転駆動させ、捷ず帯電器1203により感光ドラム12
01を一様に帯電させ、光路開閉手段1204を駆動さ
せて、背後に配置した露光光源1205によりの光線を
開閉制御して光像露光を受けることにより感光ドラム上
に静電潜像が形成される。この静電潜像は、現像器12
06のトナーによシ現像され、このトナー像は転写ガイ
ド1207を通ってきた複写用紙P上に転写帯電器12
08により転写される。
FIG. 12 shows an example of an image forming apparatus (electrophotographic printer apparatus) equipped with the above-described optical path opening/closing means 1204, in which a photosensitive drum 1201 is rotationally driven in the direction of an arrow 1202, and a charger 1203 is used to rotate the photosensitive drum 1201. Photosensitive drum 12
An electrostatic latent image is formed on the photosensitive drum by uniformly charging 01, driving the optical path opening/closing means 1204, controlling the opening/closing of the light beam from the exposure light source 1205 disposed behind the drum, and exposing the drum to a light image. Ru. This electrostatic latent image is transferred to the developing device 12.
06 toner, and this toner image is transferred onto the copy paper P that has passed through the transfer guide 1207 by the transfer charger 12.
Transcribed by 08.

画像の転写を受けた複写用紙Pは分離ベルト装量120
9により感光ドラム1201から順次に分離され、次い
で定着装置1210で画像が定着されるようになってい
る。また、転写後感光ドラム12010表面上に残留し
たトナーはクリーニング装置1211によシ除去され、
前露光装置1212によシ感光ドラム1201が除電さ
れ、再び次の複写サイクルが可能になるようにしである
0ところで、第12図に於る光路開閉手段1204には
前述の強誘電性液晶セルを採用している。つまり、露光
光源1205からの光線を強誘電性液晶セルを備えた光
路開閉手段1204、レンズアレー1213を介して感
光体1201の上に結像する際に、図示していない原稿
情報読み取り装置によって得られた画像情報を含んだデ
ィジタル信号により液晶駆動回路1214を動作させて
強誘電性液晶シャッターをON −OFFさせることに
より、画像情報のパターンを有する光信号を感光体12
01の上に露光するようになっている。この実施例に於
ては露光光源1205が液晶セルの加熱の機能も果して
お9、感熱素子1220に接続された液晶温度制御回路
1216で液晶冷却用ファン1217を動作させること
により、液晶セルの過熱を防止し、液晶セルを一定温度
に維持するようにすることができる。図中1218は反
射笠s 1219はレンズアレー1213を液晶シャッ
タ装置へ装着するための部材である0
The copy paper P on which the image has been transferred has a separation belt load of 120
9, the images are sequentially separated from the photosensitive drum 1201, and then the images are fixed in a fixing device 1210. Further, toner remaining on the surface of the photosensitive drum 12010 after transfer is removed by a cleaning device 1211,
The photosensitive drum 1201 is neutralized by the pre-exposure device 1212 and the next copying cycle is made possible again.Meanwhile, the optical path opening/closing means 1204 in FIG. 12 is equipped with the aforementioned ferroelectric liquid crystal cell. We are hiring. That is, when the light beam from the exposure light source 1205 is imaged on the photoreceptor 1201 via the optical path opening/closing means 1204 including a ferroelectric liquid crystal cell and the lens array 1213, the image is obtained by an original information reading device (not shown). By operating the liquid crystal drive circuit 1214 using a digital signal containing the image information, and turning on and off the ferroelectric liquid crystal shutter, an optical signal having a pattern of image information is transmitted to the photoreceptor 12.
01 is exposed. In this embodiment, the exposure light source 1205 also functions to heat the liquid crystal cell9, and by operating the liquid crystal cooling fan 1217 with the liquid crystal temperature control circuit 1216 connected to the thermal element 1220, overheating of the liquid crystal cell can be prevented. It is possible to prevent this and maintain the liquid crystal cell at a constant temperature. In the figure, 1218 is a reflective shade s, and 1219 is a member for attaching the lens array 1213 to the liquid crystal shutter device.

【図面の簡単な説明】 第1図および第2図は、本発明で用いる液晶セルを表わ
す斜視図である0第3図(A)は、本発明で用いる液晶
素子の平面図で、第3図03>はそのA−A断面図であ
る。第4図は、本発明の光学変調素子を用いた装置を示
す断面図である。第5図は、温度による相変化の態様を
示す説明図である。第6図は、本発明で用いる光学変調
素子の温度依存性を表わす説明図である。 第7図は、本発明の光学変調素子で用いる温度制御のフ
ローチャートを表わす説明図である。 第8図は、本発明の別の光学変調素子を表わす斜視図で
ある。第9図は、本発明の光路開閉手段で用いたマトリ
クス電極構造を示す平面図である。第10図(a)〜(
d)は、マトリクス電極構造に印加する電気信号を表わ
す波形図である。第11図(a) 〜(d)は、SmC
来又はSmH米に印加される電圧の波形図である。第1
2図は、本発明の画像形成装置を模式的に表わす断面図
である。 100;液晶セル 101.101;基板 102.102i電極 103;液晶層 104;核発生部材 104’;核発生部材の側壁面 105;発熱体 106;接着剤 107.107’、107;リード線 108.108’i偏光子 401;液晶 4027発熱抵抗体 403;温度検知用感熱素子 404;温度制御回路 405;電流調整器 406;マイクロプロセッサ 407;液晶駆動回路 408.409 ;電極 41O,411;偏光板 412.413;絶縁膜 4t4,41s;a[j 4165電源 417:メイン電源 幅−@徊
[BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS] FIGS. 1 and 2 are perspective views showing a liquid crystal cell used in the present invention. FIG. 3A is a plan view of a liquid crystal element used in the present invention. FIG. 3> is a sectional view taken along the line AA. FIG. 4 is a sectional view showing a device using the optical modulation element of the present invention. FIG. 5 is an explanatory diagram showing the mode of phase change due to temperature. FIG. 6 is an explanatory diagram showing the temperature dependence of the optical modulation element used in the present invention. FIG. 7 is an explanatory diagram showing a flowchart of temperature control used in the optical modulation element of the present invention. FIG. 8 is a perspective view showing another optical modulation element of the present invention. FIG. 9 is a plan view showing a matrix electrode structure used in the optical path opening/closing means of the present invention. Figure 10(a)-(
d) is a waveform diagram representing the electrical signal applied to the matrix electrode structure. FIG. 11(a) to (d) are SmC
1 is a waveform diagram of a voltage applied to a conventional or SmH rice. 1st
FIG. 2 is a sectional view schematically showing the image forming apparatus of the present invention. 100; liquid crystal cell 101.101; substrate 102.102i electrode 103; liquid crystal layer 104; nucleation member 104'; side wall surface 105 of nucleation member; heating element 106; adhesive 107.107', 107; lead wire 108. 108'i polarizer 401; liquid crystal 4027 heating resistor 403; temperature sensing thermosensitive element 404; temperature control circuit 405; current regulator 406; microprocessor 407; liquid crystal drive circuit 408, 409; electrodes 41O, 411; polarizing plate 412 .413; Insulating film 4t4, 41s; a[j 4165 Power supply 417: Main power supply width - @ Wandering

Claims (1)

【特許請求の範囲】 (1) 強誘電性液晶相を示す温度の上限温度より高い
温度に加熱する第1のステップ、一方向に配列した液晶
の一軸異方相と該相より高温側の別の相との相界面を形
成し、前記相界面付近の別の相を降温下で前記−軸異方
相の液晶配列方向と平行方向に配列した液晶の一軸異方
相に相転移させ、該相転移を前記相界面からその垂直方
向に向けて連続的に生じさせることによシ、一方向に配
列した液晶のモノドメインを形成する第2のステップ、
前記−軸異方相を冷却下で強誘電性液晶相に相転移させ
る第3のステップと強誘電性液晶相を示す下限温度に到
達する前に加熱する第4のステップを有することを特徴
とする光学変調素子の温度制御法。 (2) 前記相界面が直線性を有している特許請求の範
囲第1項記載の光学変調素子の温度制御法。 (3)最初に形成される一軸異方相が液晶核の発生を促
す部材(以下、前記「液晶核の発生を促す部材」を「核
発生部材」という)との界面付近である特許請求の範囲
第1項記載光学変調素子の温度制御法。 (4)前記相転移が、核発生部材との界面付近よ)その
垂直方向の側を高温にした温度勾配を有する前記側の相
を、かかる温度勾配下で降温することKよって生じる相
転移である特許請求の範囲第1項記載の光学変調素子の
温度制御法。 (5) 前記一方向に配列した液晶がスメクテイツク人
相である特許請求の範囲第1項記載の光学・ 変調素子
の温度制御法。 (6)前記強誘電液晶相がカイラルスメクテイツクC相
又はH相である特許請求の範囲第1項記載の光学変調素
子の温度制御法。 (7) 前記カイラルスメクテイツクC相又はH相が非
らせん構造となって配列している特許請求の範囲第6項
記載の光学変調素子の温度制御法。 (8) 前記−軸異方相よ如高温側の別の相がネマティ
ック相、コレステリック相又は等吉相である特許請求の
範囲第1項記載の光学変調素子の温度制御法。 (9) 前記核発生部材および基板が液晶を水平方向に
配列させる効果を有する特許請求の範囲第3項記載の光
学変調素子の温度制御法。 (II@記核発核発生部材状の形状を有する部材である
特許請求の範囲第3項記載の光学変調素子の温度制御法
。 aυ 前記帯状の形状を有する核発生部材が複数個で配
置されている特許請求の範囲第10項記載の光学変調素
子の温度制御法。 αり 前記核発生部材が側壁面を有する部材である特許
請求の範囲第3項記載の光学変調素子の温度制御法。 (+31 前記核発生部材が樹脂又は無機物質で形成さ
れている特許請求の範囲第3項記載の光学変調素子の温
度制御法。 (14) 前記樹脂がポリビニルアルコール、ポリイミ
ド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド。 ポリパラキシリレン、ポリエステル、ポリカーボネート
、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢酸ビ
ニル、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メ
ラミン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂およびフォトレ
ジストiIt脂からなる樹脂群から少なくとも1種を選
択した樹脂である特許請求の範囲第13項記載の光学変
調素子の温度制御法。 a9 前記第4のステップの後に強誘電性液晶相を示す
温度の上限温度に到達する前に前記強誘電性液晶を冷却
する第5ステツプを有する特許請求の範囲第1項記載の
光学変調素子の温度制御法。
[Claims] (1) A first step of heating to a temperature higher than the upper limit temperature of the temperature exhibiting a ferroelectric liquid crystal phase, which separates the uniaxially anisotropic phase of the liquid crystal aligned in one direction and the phase on the higher temperature side forming a phase interface with the phase, and causing a phase transition of another phase near the phase interface to a uniaxially anisotropic phase of liquid crystals aligned in a direction parallel to the liquid crystal alignment direction of the -axis anisotropic phase under decreasing temperature; a second step of forming unidirectionally aligned liquid crystal monodomains by causing phase transitions to occur continuously from the phase interface in a direction perpendicular to the phase interface;
It is characterized by comprising a third step of causing a phase transition of the -axis anisotropic phase to a ferroelectric liquid crystal phase under cooling, and a fourth step of heating before reaching a lower limit temperature indicating a ferroelectric liquid crystal phase. Temperature control method for optical modulation elements. (2) The temperature control method for an optical modulation element according to claim 1, wherein the phase interface has linearity. (3) A patent claim in which the uniaxially anisotropic phase that is initially formed is near the interface with a member that promotes the generation of liquid crystal nuclei (hereinafter, the "member that promotes the generation of liquid crystal nuclei" is referred to as the "nucleation member"). A method for controlling the temperature of the optical modulation element described in Scope 1. (4) The phase transition is caused by lowering the temperature of the phase on the vertical side (near the interface with the nucleation member), which has a temperature gradient where the side in the vertical direction is at a high temperature, under such a temperature gradient. A temperature control method for an optical modulation element according to claim 1. (5) The temperature control method for an optical/modulating element according to claim 1, wherein the liquid crystal arranged in one direction has a smectic human face. (6) The temperature control method for an optical modulation element according to claim 1, wherein the ferroelectric liquid crystal phase is a chiral smect C phase or H phase. (7) The temperature control method for an optical modulation element according to claim 6, wherein the chiral smect C phase or H phase is arranged in a non-helical structure. (8) The temperature control method for an optical modulation element according to claim 1, wherein the other phase on the higher temperature side than the -axis anisotropic phase is a nematic phase, a cholesteric phase, or an isotonic phase. (9) A temperature control method for an optical modulation element according to claim 3, wherein the nucleation member and the substrate have the effect of arranging liquid crystals in a horizontal direction. (II@) A temperature control method for an optical modulation element according to claim 3, which is a member having a shape of a nucleation member. A temperature control method for an optical modulation element according to claim 10, wherein the nucleation member is a member having a side wall surface.A temperature control method for an optical modulation element according to claim 3, wherein the nucleation member has a side wall surface. (+31) The temperature control method for an optical modulation element according to claim 3, wherein the nucleation member is made of a resin or an inorganic substance. (14) The resin is polyvinyl alcohol, polyimide, polyamideimide, or polyesterimide. Select at least one type from the resin group consisting of polyparaxylylene, polyester, polycarbonate, polyvinyl acetal, polyvinyl chloride, polyvinyl acetate, polyamide, polystyrene, cellulose resin, melamine resin, Yurya resin, acrylic resin, and photoresist iIt resin. A method for controlling the temperature of an optical modulation element according to claim 13, wherein the optical modulation element is made of a resin that is made of a ferroelectric liquid crystal. A method for controlling the temperature of an optical modulation element according to claim 1, further comprising a fifth step of cooling the optical modulation element.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0244770A2 (en) * 1986-05-05 1987-11-11 Polaroid Corporation Thermally controllable optical devices and system

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0244770A2 (en) * 1986-05-05 1987-11-11 Polaroid Corporation Thermally controllable optical devices and system

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