JPS6016119Y2 - voltage selection circuit - Google Patents

voltage selection circuit

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JPS6016119Y2
JPS6016119Y2 JP8485380U JP8485380U JPS6016119Y2 JP S6016119 Y2 JPS6016119 Y2 JP S6016119Y2 JP 8485380 U JP8485380 U JP 8485380U JP 8485380 U JP8485380 U JP 8485380U JP S6016119 Y2 JPS6016119 Y2 JP S6016119Y2
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channel transistor
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transistor group
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将之 羽方
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カシオ計算機株式会社
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案はレベルの異なる電圧を選択して取出す電圧選択
回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a voltage selection circuit that selects and extracts voltages of different levels.

近年、例えば電子式卓上計算機、電子時計等においては
その表示部に液晶表示素子が使用され始めているが、複
数桁の液晶表示素子を交番ダイナミック駆動する場合に
は、複数レベル例えば4値レベルの電圧を表示データに
応じて選択して液晶表示素子をはさむ二電極間に供給す
る必要がある。
In recent years, for example, liquid crystal display elements have begun to be used in the display parts of electronic desk calculators, electronic watches, etc., but when driving multi-digit liquid crystal display elements alternately and dynamically, it is necessary to use voltages at multiple levels, for example, four-value levels. It is necessary to select the amount according to the display data and supply it between the two electrodes sandwiching the liquid crystal display element.

また、その他例えばインク噴射式印字装置等の電子式印
字装置等においても、文字信号発生回路からD−A変換
して印字文字に応じて複数レベルの電圧信号を順次偏向
電極へ出力する必要がある。
In addition, in other electronic printing devices such as ink jet printing devices, it is necessary to perform D-A conversion from a character signal generation circuit and sequentially output voltage signals of multiple levels to the deflection electrodes according to the printed characters. .

しかして、上記のようにレベルの異なる電圧を選択して
取出す従来の電圧選択回路は、第1図に示すように構成
されている。
The conventional voltage selection circuit that selects and extracts voltages of different levels as described above is constructed as shown in FIG.

第1図はV。〜V7の8種の電圧を選択する場合の回路
構成を示すものである。
Figure 1 shows V. This shows a circuit configuration when eight voltages from V7 to V7 are selected.

第1図において1はデコーダで、例えばインバータ2a
〜2c、ナンド回路3a〜3hからなり、各入力端には
、”N? A1.A2Jの電圧選択用制御コード信号が
与えられる。
In FIG. 1, 1 is a decoder, for example, an inverter 2a
2c and NAND circuits 3a to 3h, each input terminal is given a voltage selection control code signal of "N?A1.A2J".

デコーダ1は与えられたコード信号を解読してナンド回
路3a〜3hの何れか1つから信号を出力する。
The decoder 1 decodes the applied code signal and outputs a signal from any one of the NAND circuits 3a to 3h.

そして、デコード出力のうちナンド回路3a〜3dの出
力はPチャンネルMω型トランジスタ4a〜4dへ直接
送られ、ナンド回路3e〜3hの出力はインバータ5a
〜5dを介してNチャンネルMO3型トランジスタ4e
〜4hへ送られる。
Of the decoded outputs, the outputs of the NAND circuits 3a to 3d are directly sent to the P-channel Mω type transistors 4a to 4d, and the outputs of the NAND circuits 3e to 3h are sent to the inverter 5a.
N-channel MO3 type transistor 4e via ~5d
Sent to ~4h.

上記トランジスタ4a〜4hのソース電極には、それぞ
れレベルの異なる電圧■。
The source electrodes of the transistors 4a to 4h are supplied with voltages (2) of different levels.

〜V7が供給され、ドレイン電極は一括して出力端子6
へ接続される。
~V7 is supplied, and the drain electrodes are collectively connected to the output terminal 6.
connected to.

上記の構成において、コード信号” AOt A1 t
んヨが与えられると、デコーダ1は入力コードに従って
ナンド回路3a〜3hの一つから信号を出力し、対応す
るトランジスタ4a〜4hの1つをオンさせる。
In the above configuration, the code signal "AOt A1 t
When a signal is given, the decoder 1 outputs a signal from one of the NAND circuits 3a to 3h according to the input code, and turns on one of the corresponding transistors 4a to 4h.

トランジスタ4a〜4hの1つがオンすることによって
そのソース電極に与えられている電圧が出力端子6へ表
われる。
When one of transistors 4a to 4h is turned on, the voltage applied to its source electrode appears at output terminal 6.

このようにしてレベルの異なる電圧V0〜V7がコード
信号ra、、、 A□、A2ヨによって選択され出力端
子6から出力される。
In this way, voltages V0 to V7 having different levels are selected by the code signals ra, .

しかして、上記のように構成された従来の電圧選択回路
では、デコーダ及びこのデコーダ出力によって動作する
ゲート回路が必要であり、構成が複雑となり、更に又、
回路素子数も多くなる。
However, the conventional voltage selection circuit configured as described above requires a decoder and a gate circuit operated by the decoder output, making the configuration complicated.
The number of circuit elements also increases.

また、ゲート回路のみがC−MOS(相補対称形MO3
)ランジスタ)で構成され、その他の回路にはC−MO
Sを使用していないので消費電力が大きいという欠点が
ある。
In addition, only the gate circuit is C-MOS (complementary symmetric MO3
) transistor), and other circuits include C-MO
Since it does not use S, it has the disadvantage of high power consumption.

本考案は上記の点に鑑みてなされたもので、回路構成の
簡易化並びに回路素子数の低減を計り得ると共に消費電
力を少なくできる電圧選択回路を提供することを目的と
する。
The present invention has been made in view of the above points, and it is an object of the present invention to provide a voltage selection circuit that can simplify the circuit configuration, reduce the number of circuit elements, and reduce power consumption.

以下図面を参照して本考案の実施例を説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第2図は電圧レベルの異なる4種の電圧■。〜V3を得
る場合の実施例を示すものである。
Figure 2 shows four types of voltage ■ with different voltage levels. This shows an example in which .about.V3 is obtained.

第2図において11は第1のゲート回路で、例えばPチ
ャンネルMOS型トランジスタlla、11bからなる
Pチャンネルトランジスタ群及びNチャンネルMO3型
トランジスタllc、lldからなるNチャンネルトラ
ンジスタ群の一端を直列接続して(:、−MO3回路構
戊上巳ている。
In FIG. 2, reference numeral 11 denotes a first gate circuit, in which one end of a P-channel transistor group consisting of, for example, P-channel MOS transistors lla and 11b and an N-channel transistor group consisting of N-channel MO3 type transistors llc and lld are connected in series. (:, -MO3 circuit structure is complete.

また、12は第2のゲート回路で例えばPチャンネルM
O3型トランジスタ12a、12bからなるPチャンネ
ルトランジスタ群及びNチャンネルMO3型トランジス
タト2C912dからなるNチャンネルトランジスタ群
の一端を直列接続してC−MO3回路構戊上巳ている。
Further, 12 is a second gate circuit, for example, a P channel M
One end of a P-channel transistor group consisting of O3 type transistors 12a and 12b and an N-channel transistor group consisting of N-channel MO3 type transistor 2C912d are connected in series to form a C-MO3 circuit structure.

そして、第1のゲート回路11の前記Pチャンネルトラ
ンジスタ群、及びNチャンネルトランジスタ群のそれぞ
れの他端、つまりトランジスタlla、lldのソース
電極にはそれぞれ被選択電圧V。
A selected voltage V is applied to the other ends of the P-channel transistor group and the N-channel transistor group of the first gate circuit 11, that is, the source electrodes of the transistors lla and lld, respectively.

、■3が供給され、第2ゲート回路12の前記チャンネ
ルトランジスタ群及びNチャンネルトランジスタ群のそ
れぞれの他端つまりトランジスタ12a、12dのソー
ス電極にはそれぞれ被選択電圧V、、V2が供給される
, 3 are supplied, and the selected voltages V, , V2 are supplied to the other ends of the channel transistor group and the N-channel transistor group of the second gate circuit 12, that is, the source electrodes of the transistors 12a and 12d, respectively.

また21a、21bは制御信号ン、A□が供給される信
号入力端子で、入力端子21aに印加される制御信号A
Further, 21a and 21b are signal input terminals to which a control signal A□ is supplied, and a control signal A□ is applied to the input terminal 21a.
.

は第1ゲート回路11のトランジスタllb、lieの
ゲート電極に与えられると共に、インバータ22を介し
て第2ゲート回路12のトランジスタ12b、12Cの
ゲート電極に与えられる。
is applied to the gate electrodes of transistors llb and lie of the first gate circuit 11, and is applied via the inverter 22 to the gate electrodes of transistors 12b and 12C of the second gate circuit 12.

一方、入力端子21bに印加される制御信号A1は、第
1、第2のゲート回路11.12のトランジスタ11a
、11d、12a、12dのゲート電極に共通に与えら
れる。
On the other hand, the control signal A1 applied to the input terminal 21b is applied to the transistor 11a of the first and second gate circuits 11.12.
, 11d, 12a, and 12d.

そして、第1、第2のゲート回路11゜12のPチャン
ネルMO3型トランジスタ11b、12bとNチャンネ
ルMO3型トランジスタ11C912Cとの接続点が一
括して出力端子23に接続れる。
The connection points between the P-channel MO3 type transistors 11b and 12b and the N-channel MO3 type transistor 11C912C of the first and second gate circuits 11 and 12 are collectively connected to the output terminal 23.

なお、制御信号Ao、Atは正論理の“0”信号(Lo
wレベル)の時Pチャンネルトランジスタがオンし、正
論理の1“信号 (Highレベル)の時Nチャンネルのトランジスタが
オンするように電位レベルが設定される。
Note that the control signals Ao and At are positive logic “0” signals (Lo
The potential level is set so that the P-channel transistor is turned on when the signal is a positive logic 1'' signal (high level), and the N-channel transistor is turned on when the signal is a positive logic 1'' signal (high level).

上記の構成において、制御信号A。In the above configuration, the control signal A.

、A1が共に44099の場合、第1のゲート回路11
の電IEVoに対するPチャンネルMO3型トランジス
タ11a、11bが共にオンし、その他の電圧V1〜V
3に対してそれぞれ設けられたP及びNチャンネルトラ
ンジスタ群のる対をなすトランジスタ11Ct 11
dw 12 at 12 b及び12c、12d
の少なくとも一方がオフ状態となる。
, A1 are both 44099, the first gate circuit 11
Both P-channel MO3 type transistors 11a and 11b are turned on for the voltage IEVo, and the other voltages V1 to V
A pair of transistors 11Ct 11 consisting of a group of P and N channel transistors respectively provided for Ct 11
dw 12 at 12 b and 12c, 12d
At least one of them is turned off.

このため電圧V。Therefore, the voltage V.

がPチャンネルMO3型トランジスタ群11a、llb
を介して出力端子23に表われる。
are P-channel MO3 type transistor group 11a, llb
appears at the output terminal 23 via.

また、制御信号A。Also, the control signal A.

が°l゛でA1が“O゛の場合は、第2ゲート回路12
の電圧V1に対するPチャンネルMO3型トランジスタ
12a、12bがオンし、その他の電[EEV。
is °l" and A1 is "O", the second gate circuit 12
The P-channel MO3 type transistors 12a and 12b are turned on for the voltage V1 of V1, and the other voltages [EEV.

、V2.V3に対してれぞれ設けられたP及びNチャン
ネルトランジスタ群の対をなすトランジスタlla、l
lb、11c、lld及び12c、12dの少なくとも
一方がオフ状態となり、出力端子23には電圧v1が表
われる。
, V2. Transistors lla, l forming a pair of P and N channel transistor groups respectively provided for V3
At least one of lb, 11c, lld and 12c, 12d is turned off, and voltage v1 appears at output terminal 23.

以下同様にして制御信号A。が“0゛、A1が1°゛の
場合には電圧V2が出力され、Ao及びA□が共に゛1
パの場合は電圧V3が出力される。
Control signal A is generated in the same manner. When is “0” and A1 is 1°, voltage V2 is output, and both Ao and A□ are “1”.
In the case of power, voltage V3 is output.

次表1は第2図の回路における制御信号Ao−Atと選
択される電圧V。
Table 1 below shows the control signals Ao-At and selected voltages V in the circuit of FIG.

〜V3との関係を示す表である。It is a table showing the relationship with ~V3.

第3図は電圧レベルの異なる8種の電圧■。Figure 3 shows eight types of voltage ■ with different voltage levels.

〜■7を得る場合の実施例を示すもので、第1〜第4の
ゲート回路11〜14を備え、各ゲート回路11〜14
はそれぞれ3個のPチャンネルMOS型トランジスタ3
1a〜31c、32a〜32c、33a〜33c、34
a〜34cから成る4つのPチャンネルトランジスタ一
群と3個のNチャンネルMO3型トランジスタ31d〜
31f、32d〜32f、33d〜33f、34d〜3
4fから威る4つのNチャンネルトランジスタ一群のそ
れぞれの一端を直列に接続してC−MO3型回路構威構
成ている。
~ ■ 7 is shown, and includes first to fourth gate circuits 11 to 14, and each gate circuit 11 to 14
are each three P-channel MOS type transistors 3
1a-31c, 32a-32c, 33a-33c, 34
A group of four P-channel transistors consisting of a to 34c and three N-channel MO3 type transistors 31d to
31f, 32d~32f, 33d~33f, 34d~3
One end of each group of four N-channel transistors starting from 4f is connected in series to form a C-MO3 type circuit structure.

上記各ゲート回路11〜14におけるPチャンネルある
いはNチャンネルMO3型トランジスタの数は制御信号
のビット数に対応して設定されるものでその数nは、電
圧選択数をNとして場合、2n=Hの関係に設定される
The number of P-channel or N-channel MO3 type transistors in each of the gate circuits 11 to 14 is set corresponding to the number of bits of the control signal, and when the number of voltage selections is N, the number n is 2n=H. Set to relationship.

従って8種の電圧を選択する場合にはn=3となる。Therefore, when selecting eight types of voltages, n=3.

しかして、各ゲート回路11〜14の前記Pチャンネル
トランジスタ一群及びNチャンネルトランジスタ一群の
それぞれの他端には、Vo〜V7の被選択電圧がそれぞ
れ供給される。
Thus, the selected voltages Vo to V7 are supplied to the other ends of the group of P-channel transistors and the group of N-channel transistors of each gate circuit 11 to 14, respectively.

そして、各ゲート回路11〜14のPチャンネルトラン
ジスタ一群とNチャンネルトランジスタ一群との接続点
は、一括して出力端子23へ接続される。
The connection points between the group of P-channel transistors and the group of N-channel transistors of each gate circuit 11 to 14 are collectively connected to the output terminal 23.

また、各ゲート回路11〜14は出力端子23への接続
点を中心として対称の位置にあるPチャンネルトランジ
スタとNチャンネルトランジスタのゲート間が接続され
、さらにその接続点がそれぞれ入出力端子21a〜21
cへ第3図に示すように直接あるいはインバータ22a
、22bを介して接続される。
Further, in each gate circuit 11 to 14, the gates of a P channel transistor and an N channel transistor located at symmetrical positions with respect to the connection point to the output terminal 23 are connected, and furthermore, the connection point is connected to the input/output terminals 21a to 21, respectively.
c directly or through the inverter 22a as shown in FIG.
, 22b.

上記の構成において、制御信号AO9AI−A2が全て
0°゛の場合、第1のゲート回路11の電圧Voに対す
るトランジスタ31a〜31cが全てオンし、その他の
電圧V□〜v7に対してそれぞれ3個ずつ設けられてい
るトランジスタはそのうちの少なくとも1つがオフとな
る。
In the above configuration, when the control signals AO9AI-A2 are all 0°, all the transistors 31a to 31c are turned on for the voltage Vo of the first gate circuit 11, and three transistors are turned on for each of the other voltages V□ to v7. At least one of the transistors provided in each case is turned off.

この結果出力端子23には、電圧■。As a result, the output terminal 23 has a voltage ■.

がトランジスタ31a〜31cを介して表われる。appears via transistors 31a to 31c.

また、制御信号A。が“1°゛、A1.A2が“°O“
°の場合、電圧V1に対して設けられているトランジス
タ33a〜33eがオンし、その他の電圧V。
Also, the control signal A. is “1°゛”, A1.A2 is “°O”
In the case of °, the transistors 33a to 33e provided for the voltage V1 are turned on, and the other voltages V are turned on.

、、■2〜V7に対して設けられている各トランジスタ
群はそのうちの少なくとも1つのトランジスタがオフと
なる。
, 2) At least one transistor of each transistor group provided for V2 to V7 is turned off.

この結果出力端子23には、電圧V1がトランジスタ3
2a〜32cを介して表われる。
As a result, the voltage V1 is applied to the output terminal 23 of the transistor 3.
2a to 32c.

以下同様にして制御信号A。Control signal A is generated in the same manner.

、A□、A2に応じて電圧V2〜V7が選択される。, A□, and A2, voltages V2 to V7 are selected.

次表2は第3図の回路における制御信号AO−A4.A
2と選択される電圧V。
The following Table 2 shows the control signals AO-A4 in the circuit of FIG. A
2 and the selected voltage V.

〜V7との関係を示す表である。It is a table showing the relationship with ~V7.

尚上記実施例では各ゲート回路を全てPチャンネルトラ
ンジスタ群とNチャンネルトランジスタ群を対応させて
設けたが、任意ゲート回路において1方チヤンネルのト
ランジスタ群を除いてもよく、このようにすると加の数
に限定されず任意数の電圧選択を行わせることができる
In the above embodiment, each gate circuit is provided with a P-channel transistor group and an N-channel transistor group in correspondence, but it is also possible to exclude the transistor group of one channel in any gate circuit. Any number of voltages can be selected without being limited to.

また、上記実施例で示した被選択電圧とは接地レベルの
ものも含むものである。
Furthermore, the selected voltages shown in the above embodiments include those at the ground level.

更に、上記実施例では、Pチャンネル及びNチャンネル
トランジスタ群を構成するトランジスタの数を両チャン
ネルとも同数設けたが、被選択電圧がかの数ではないと
きには必ずしも同数でなくてもよいことばもちろんであ
る。
Furthermore, in the above embodiment, the number of transistors constituting the P-channel and N-channel transistor groups is the same for both channels, but it goes without saying that the number does not necessarily have to be the same when the selected voltage is not this number. .

以上述べたように本考案によれば、ゲート回路のみによ
って複数の電圧を選択し得る電圧選択回路を構成できる
ので構成を簡易化できる。
As described above, according to the present invention, a voltage selection circuit capable of selecting a plurality of voltages can be configured using only a gate circuit, so that the configuration can be simplified.

しかも各ゲート回路はC−MO3型回路構成とすること
ができるので電力消費を著しく減少し得るものである。
Furthermore, since each gate circuit can have a C-MO3 type circuit configuration, power consumption can be significantly reduced.

払・ − Payment・−

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の電圧選択回路を示す構成国、第2図は本
考案の一実施例を示す構成国、第3図は本考案の他の実
施例を示す構成国である。 2・・・・・・デコーダ、11〜14・・・・・・ゲー
ト回路、21a〜21c・・・・・・入力端子、23・
・・・・・出力端子。
FIG. 1 shows the configuration of a conventional voltage selection circuit, FIG. 2 shows the configuration of one embodiment of the present invention, and FIG. 3 shows the configuration of another embodiment of the present invention. 2... Decoder, 11-14... Gate circuit, 21a-21c... Input terminal, 23.
...Output terminal.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 複数個のPチャンネルMO3型トランジスタを直列接続
し、両端にオープンソース電極とオープンドレイン電極
を有する複数のPチャンネルトランジスタ群と、上記P
チャンネルMOs型トランジスタと同数のNチャンネル
MO3型トランジスタを直列接続し、両端にオープンド
レイン電極とオープンソース電極を有する複数のNチャ
ンネルトランジスタ群と、上記Pチャンネルトランジス
タ群のオープンドレイン電極と上記Nチャンネルトラン
ジスタ群のオープンドレイン電極とを直接接続すると共
に、各トランジスタのゲート電極をPチャンネルとNチ
ャンネルで対となるように相補型に接続してなる複数の
相補型MO3)ランジスタ群と、この複数の相補型MO
Sトランジスタ群の上記Pチャンネルトランジスタ群と
Nチャンネルトランジスタ群の両オープンドレイン電極
の接続点を共通接続してなる電圧出力端子と、上記Pチ
ャンネルトランジスタ群とNチャンネルトランジスタ群
のオープンソー又電極に各々異なった電圧を供給する被
選択電圧供給端子と、上記相補型に接続されたゲート電
極に制御信号を供給するゲート制御端子と、1つの相補
型MOsトランジスタ群内のゲート制御端子の組と他の
相補型MOSトランジスタ群内のゲート制御端子の組に
異なった制御信号を供給する論理回路とより成る電圧選
択回路。
A plurality of P-channel transistor groups in which a plurality of P-channel MO3 type transistors are connected in series and have an open source electrode and an open drain electrode at both ends;
A plurality of N-channel transistor groups in which the same number of N-channel MO3 type transistors as channel MOs type transistors are connected in series, each having an open drain electrode and an open source electrode at both ends, an open drain electrode of the P-channel transistor group and the above N-channel transistor. A plurality of complementary MO3) transistor groups, in which the open drain electrodes of the transistor groups are directly connected, and the gate electrodes of each transistor are connected in a complementary manner so as to form a pair of P channel and N channel; Type MO
A voltage output terminal formed by commonly connecting the connection points of both the open drain electrodes of the P channel transistor group and the N channel transistor group of the S transistor group, and the open drain electrodes of the P channel transistor group and the N channel transistor group, respectively. A selected voltage supply terminal that supplies different voltages, a gate control terminal that supplies a control signal to the complementary connected gate electrodes, a set of gate control terminals in one complementary MOS transistor group, and a set of gate control terminals in one complementary MOS transistor group and another A voltage selection circuit comprising a logic circuit that provides different control signals to sets of gate control terminals within a group of complementary MOS transistors.
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