JPS60159747A - Production of reticule mask - Google Patents
Production of reticule maskInfo
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- JPS60159747A JPS60159747A JP59014941A JP1494184A JPS60159747A JP S60159747 A JPS60159747 A JP S60159747A JP 59014941 A JP59014941 A JP 59014941A JP 1494184 A JP1494184 A JP 1494184A JP S60159747 A JPS60159747 A JP S60159747A
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- reticle mask
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明は、半導体集積回路や固体撮像素子のようなミク
ロンオーダーもしくはサブミクロンオーダーの高精度パ
ターン物品を作成する際に用いるレチクルマスクに関ス
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Technical Field of the Invention) The present invention relates to a reticle mask used when creating high-precision pattern articles on the micron order or submicron order, such as semiconductor integrated circuits and solid-state image sensors. .
（発明の技術的背景とその問題点）
近年、半導体集積回路等の高精度パターン物品を作成す
る技術においては、縮小投影露光装置（以下ステッパー
と称する）にｌ’ Ｃテンプサイズの１０倍もしくは５
倍のレチクルマスクを装着し、フォトマスクを介さずに
、直接ウェハー上にテップサイズに縮小したパターン像
を焼付ける方式が、行なわれている。例えば、ダイナミ
ックランダムアクセスメモ’Ｉ−（Ｄ−ＲＡＭ）の場合
、６４キロビット以上の記憶容量をもつ超ＬＳＩの製造
では、このプロセスが主流となっている。(Technical background of the invention and its problems) In recent years, in the technology of creating high-precision patterned articles such as semiconductor integrated circuits, reduction projection exposure devices (hereinafter referred to as steppers) are equipped with a
A method is used in which a reticle mask of twice the size is attached and a pattern image reduced to the step size is printed directly onto the wafer without using a photomask. For example, in the case of dynamic random access memory (D-RAM), this process is the mainstream in manufacturing VLSIs with a storage capacity of 64 kilobits or more.
ここに用いられるレチクルマスクは、光学式のパターン
ジェネレーター（以下１３ Ｇと称する）や電子ビーム
描画装置等の作画装置により描画されるものであるが、
チップサイズとして５ ｒｕ＋角の大きさを想定してみ
ると、１０倍のレチクルマスクではパターン部が５０ｍ
ｍ角となってしまい、大面積であるので、これを例えば
４個〜１６個程度多面（−１けしようとすれば、レチク
ルマスク自体が相当大きなものとならざるを得す、半導
体集積回路の既製の製造ラインに適合し゛ないものであ
る。The reticle mask used here is drawn by a drawing device such as an optical pattern generator (hereinafter referred to as 13G) or an electron beam drawing device.
Assuming a chip size of 5 ru + square, a 10x reticle mask has a pattern area of 50 m.
m square, which is a large area, so if you try to make it multifaceted, for example, from 4 to 16, the reticle mask itself will have to be quite large. It is not compatible with ready-made production lines.
これに比較して、例えば５倍レチクルマスクであればチ
ップサイズ５朋角の場合、レチクルマスク上のパターン
部は２５ｍ＋ｎ角であり、一枚の基板に相当数のパター
ンを多面利けできる。図面の第１図はこのような、レチ
クルマスク（１）の−例を示す。図において、パターン
部（２）は９個の個別パターン（３）が形成され、この
個別パターン（３）の大きさが、チップサイズの５倍パ
ターンであるから、このレチクルマスク（１）は、５分
の１の縮小率ヲ有スるステッパーにより、ウエノ・−上
に一挙に９個のパターンを投影露光できるものである。In comparison, for example, if a 5x reticle mask has a chip size of 5 x 5, the pattern portion on the reticle mask is 25 m+n x, and a considerable number of patterns can be printed on one substrate. FIG. 1 of the drawings shows an example of such a reticle mask (1). In the figure, nine individual patterns (3) are formed in the pattern section (2), and the size of these individual patterns (3) is five times the chip size, so this reticle mask (1) is Using a stepper with a reduction ratio of 1/5, it is possible to project and expose nine patterns onto the wafer at once.
しかしながら、第１図に示すような多面利けされた５倍
パターンのレチクルマスク（１）を従来法に従って、Ｐ
Ｇや電子ビーム露光装置によって描画するとなると、Ｐ
Ｇは周知の如く、半導体集積口−路パターンを矩形パ
ターンに分割して元を照射するものであり、第１図のレ
チクルマスクを描画“膓るとなると、個別パターンに３
１のひとつを描画する所要時間（これはひとつのパター
ンからなる１０倍レチクルマスクをひとつ描画する時間
に等しい）に個別パターンの１９．（この場合は９個）
を刺しただけの時間を要し、このような長時間のＩ）
Ｇの操作は実際上は不可能である。また、電子ビーム描
画装置について言うと、近年の電子ビーム描画装置にお
いては、描画所要時間が描画面積の大きさに比例する傾
向がある。第１図に示すような９面例ケのし千クルマス
ク（１）にあっては、パターン部（２１の占有面積が大
きくなるので、電子ビーム描画装置も失言したＰＧはど
極端ではないが、同様の事情があり、描画に要する時間
が長くなる。However, according to the conventional method, a reticle mask (1) with a multifaceted 5x pattern as shown in FIG.
When drawing with G or electron beam exposure equipment, P
As is well known, G is for dividing the semiconductor integrated port-path pattern into rectangular patterns and irradiating the source.When it comes to drawing the reticle mask shown in Fig.
The time required to draw one of the 19. (9 pieces in this case)
It takes the same amount of time to stab the
G operation is practically impossible. Regarding electron beam lithography apparatuses, in recent electron beam lithography apparatuses, the time required for lithography tends to be proportional to the size of the lithography area. In the case of the nine-sided mask (1) shown in FIG. 1, the area occupied by the pattern portion (21) becomes large, so the PG, which the electron beam lithography system also made a mistake with, is not extreme, but There is a similar situation, and the time required for drawing becomes longer.
加えて、第１図に示す多面・付のレチクルマスク１１１
では、個別パターン（３）のそれぞれが全て同一パター
ンであるということは少なく、例えば、メインパターン
（３ａ）が一番多いとしても、その他に、テストエレメ
ントパターン（３ｂ） ヤプロセス評価パターン（３ｃ
）など、種類の異なる個別パターンが同居することがあ
り、これら種類の異なるパターン部が同居するパターン
部（２１を一括して電子ビーム描画装置で描画しようと
すれば、できないことはナイカ、データ量が膨大となり
、電子ビーム描画装置を駆動する前のデータ処理に多大
の時間を要し、効率的な電子ビーム描画装置の使い方と
は言えない、すなわち実際的でないということがあった
。In addition, a multifaceted reticle mask 111 shown in FIG.
In this case, it is rare that all of the individual patterns (3) are the same pattern. For example, even if the main pattern (3a) is the most common, there are other patterns such as the test element pattern (3b), the process evaluation pattern (3c), etc.
) etc., different types of individual patterns may coexist, and if you try to write the pattern parts (21) in which these different types coexist together with an electron beam lithography system, there is nothing that cannot be done, and the amount of data will be too large. The amount of data becomes enormous, and it takes a lot of time to process the data before driving the electron beam lithography system, which is not an efficient way to use the electron beam lithography system, that is, it is impractical.
（発明の目的）
本発明は、以上述べたような５倍程度のパターンサイズ
を有する多面利はレチクルマスクの新規な製造方法に係
わり、上記１〜たよりな問題点の生じない効率的な多面
例はレチクルマスクの製造方法を提出するものである。(Object of the Invention) The present invention relates to a novel method for manufacturing a multifaceted reticle mask having a pattern size about five times as large as described above, and an efficient multifaceted example that does not cause the above-mentioned problems 1 to 1. presents a method for manufacturing a reticle mask.
（発明の概要）
すなわち、本発明は、パターンジェネレータや電子ビー
ム露光装置などの作画装置により描画し−ンにして一枚
の基板上に多面けすることを特徴とするレチクルマスク
の製造方法である。(Summary of the Invention) That is, the present invention is a method for manufacturing a reticle mask, which is characterized in that drawing is performed using a drawing device such as a pattern generator or an electron beam exposure device, and the reticle mask is printed on multiple surfaces on a single substrate. .
（発明の詳細な
説明のレチクルマスクの製造方法の流れを示す第２図に
基いて、本発明の詳細な説明する。レチクルマスクのも
とになるパターンデータは、磁気テープ（４）のような
形で入稿してくる。このデータが、そのまま作画装置で
あるＰＧや電子ビーム描画装置に適合するものであれば
、問題ないが、適合しない場合には、データ変換等のデ
ータ処理（５１の工程が入いる。本発明では、まず１０
倍レチクルを作成するのであり、データ自身が１０倍パ
ターン用のデータであることが各いがら、リサイズ（倍
率変換）、シーリンク（パターンの縮少）、マージ（個
別パターンの多面性は配置）のような高度なデータ変換
は必要ないことが多い。上記したりサイズ、シーリンク
、マージ等は、例えば１０倍パターン用のデータから５
倍パターンの多直利はレチクルマスクを直接作画する時
に必要な操作であるが、本発明では、このような繁煩な
データ変換はほとんど省略できる。続いて、ＰＧや電子
ビーム描画装置等の作画装置（６）を用いて、１０倍パ
ターンのレチクル（７）を作成する。第３図に示すよう
に、この段階で造られるレチクル（７）は、テップサイ
ズの１０倍のパターン（１０）を１個有するか、せいぜ
い長方形のパターン（１０ａ）を２個持つ程度のもので
ある。(The present invention will be explained in detail based on FIG. 2 showing the flow of the reticle mask manufacturing method in the detailed explanation of the invention. The pattern data that is the basis of the reticle mask is If this data is compatible with the drawing device PG or electron beam lithography device, there is no problem, but if it is not compatible, data processing such as data conversion (see 51. In the present invention, first 10 steps are involved.
The purpose is to create a magnification reticle, and while the data itself is for a 10x pattern, it requires resizing (magnification conversion), sealinking (pattern reduction), and merging (positioning the multifaceted individual patterns). Often, advanced data transformations such as For example, the size, sea link, merge, etc. mentioned above can be changed from the data for the 10x pattern to 5.
Multi-direction conversion of a double pattern is a necessary operation when directly drawing a reticle mask, but in the present invention, such complicated data conversion can almost be omitted. Subsequently, a 10x pattern reticle (7) is created using a drawing device (6) such as a PG or an electron beam drawing device. As shown in Figure 3, the reticle (7) made at this stage has one pattern (10) that is 10 times the step size, or at most two rectangular patterns (10a). be.
次いで、レチクル（７１を２分の１〜３分の１の範囲の
縮少投影露光機（８）にかける。縮少倍率２分の１では
５倍のレチクルマスクが得られるし、５分の２では４倍
レチクル、３分の１では３６倍レチクルが得られる。注
意すべきことは、この縮少投影露光機は、上記した縮少
倍率にて、−板の基板に４〜１６個程度のパターンを多
面付けできることである。このような機能は、本発明に
用いる縮少投影露光機（８）が、その倍率を２分の１〜
３分の１に設定したからできることであり、個別パター
ンの大きさが一枚の基板に複数個形成するのに適当であ
る。Next, the reticle (71) is applied to a reduction projection exposure machine (8) with a reduction magnification of 1/2 to 1/3. For 2, a 4x reticle can be obtained, and for 1/3, a 36x reticle can be obtained.It should be noted that this reduction projection exposure machine can produce approximately 4 to 16 reticles on a -plate substrate at the above reduction magnification. This feature allows the reduction projection exposure machine (8) used in the present invention to reduce the magnification by 1/2 to 1/2.
This is possible because the size is set to one-third, and the size of the individual patterns is suitable for forming a plurality of individual patterns on one substrate.
また、２分の１〜６分の１の縮少倍率にあっては、チッ
プサイズ１ミクロンの線幅が５〜６３ミ・２１ロンの線
幅となり、光学的精度の範囲内にあることは強張されて
良く、位置合わせも機械的手段で正確に為し得るのは大
きな利点である。Furthermore, at a reduction magnification of 1/2 to 1/6, the line width of 1 micron chip size becomes a line width of 5 to 63 mm/21 ron, which is within the range of optical accuracy. It is a great advantage that it can be strengthened and that alignment can be done accurately by mechanical means.
従来、フォトリピータ−と称して、１０倍レチクルのパ
ターンを１０分の１に縮写してフォトマスク（チップサ
イズと同寸のパターンを有する）を得る技術があったが
、フォトレピータ−のように１０分の１縮写では、１ミ
クロン線幅の良好な再現性や位置合わせ精度の良好な正
確性は為し難いものであり、この点、本発明に用いる縮
少率２分の１乃至３分の１の縮少投影露光機とフォトレ
ピータ−とは、同列に論じられるものではない。In the past, there was a technology called a photorepeater to obtain a photomask (having a pattern of the same size as the chip size) by reducing the pattern of a 10x reticle to one-tenth the size of the reticle. With 1/10 reduction, it is difficult to achieve good reproducibility of 1 micron line width and good alignment accuracy. The reduction projection exposure device and the photorepeater described in No. 1 are not discussed in the same way.
本発明に用いる縮少投影露光機（８１は、チップサイズ
の５〜３３倍の面積を良好な縮少撮影範囲とするもので
あり、その範囲は、少なくとも直径３０〜４０咽の円と
なる。The reduction projection exposure machine (81) used in the present invention has an area of 5 to 33 times the chip size as a good reduction imaging range, and the range is at least a circle with a diameter of 30 to 40 mm.
第１図に示したように、本発明により侍られるレチクル
マスク（９）は、多面側けされる縮少ノくターンの種類
が一種類に限られず、多種類であることもある。この場
合は、その種類だけの１０倍レチクル（７１を一個ずつ
複類個作成し、それぞれのレチクル（７１のパターンを
決められた数だけ決められた位置に縮少投影してレチク
ルマスク（９１ヲ作成すると良い。第４図に、第６図ｆ
ｂｌに示した２面付レチクル（７ａ）をもとにして、そ
れを２分の１に縮少して一枚の基板に４回投影露光する
ことにより得られる８面付のレチクルマスク（９１ヲ示
す。５倍寸法の個別パターン（１０ｂ）が８個、一枚の
基板上に形良く納まっていることが理ｌ９１１されるで
あろう。As shown in FIG. 1, the reticle mask (9) used according to the present invention is not limited to one type of reduction turn on multiple sides, but may have many types. In this case, create multiple sets of 10x reticles (71) of that type, one by one, and reduce and project a predetermined number of patterns of each reticle (71) onto a predetermined position to create a reticle mask (91). It is best to create one in Figure 4 and Figure 6 f.
Based on the two-sided reticle (7a) shown in BL, an eight-sided reticle mask (91) is obtained by reducing it to half and projecting and exposing it four times on one substrate. It can be seen that eight individual patterns (10b) of five times the size are neatly housed on one substrate.
（本発明の効果）
本発明は、以上のようなレチクルマスクの製造方法であ
り、本発明によれば、従来の電子ビーム描画装置や］）
Ｇなどのｒ［画装置により直接５倍）（ターンの多面側
レチクルマスクを造る方法に比へて、極めて効率的に多
面付レチクルマスクを製造できる方法である。(Effects of the present invention) The present invention is a method for manufacturing a reticle mask as described above, and according to the present invention, it can be used in a conventional electron beam lithography apparatus or]).
This is a method that can produce a multi-sided reticle mask extremely efficiently compared to the method of producing a multi-sided reticle mask using r such as G (directly multiplied by 5 times by the imaging device).
まず、本発明では１０倍レチクルを作画装置にて造るの
であるから、データ処理に要する手間が少なく、作画装
置により造る１０倍レチクルは、一枚の基板に１個ない
し２個程度描画するだけであるから、作画装置の描画に
要する時間が短かくてすみ、Ｉ） Ｇや電子ビーム描画
装置を効率的に使用できる。First, in the present invention, since the 10x reticle is created using a drawing device, there is less effort required for data processing, and the 10x reticle created by the drawing device can be created by drawing only one or two pieces on one substrate. Therefore, the time required for drawing by the drawing device is shortened, and I)G and electron beam drawing devices can be used efficiently.
また、本発明では、１０倍レチクルを縮少かつ多面側す
る手段として、縮少倍率２分の１〜６分の１の光学式縮
少投影露光機を用いるものであるが、かかる縮少率にお
いては、位置合せ精度や・くターン精度も光学式手法に
て光分渦電できるものとなる。In addition, in the present invention, an optical reduction projection exposure machine with a reduction magnification of 1/2 to 1/6 is used as a means for reducing the 10x reticle and making it multifaceted. In this case, alignment accuracy and turning accuracy can also be determined using optical methods.
故に、本発明の方法は、生産技術として製造に要する時
間が短かく、量産性に優れ、得られるレチクルマスクの
品質レベルにおいても、収率が向とし、位置合わせ精度
も良好で、欠陥の少ないものが提供される。Therefore, as a production technology, the method of the present invention requires less time for manufacturing, is excellent in mass production, and has a high yield in terms of the quality level of the obtained reticle mask, has good alignment accuracy, and has few defects. things are provided.
以上のように、本発明は、５倍〜６３倍の・くターン倍
率を有する多面付レチクルマスクの製造方法として、極
めて優れている。As described above, the present invention is extremely excellent as a method for manufacturing a multifaceted reticle mask having a turn magnification of 5 to 63 times.
第１図は、多面例はレチクルマスクの一例を示す平面図
であり、第２図は、本発明のレチクルマスクの製造方法
を工程順に示す説明図であり、第３図（、］）、（ｂｌ
は、本発明の製造方法において、作画装置により描画・
作成された１０倍レチクルの実施例をボず平面図であり
、第４図は、第６図ｒｂ＋０１０倍レチクルを縮少かつ
多面側けして作成されたレチクルマスクの一実施例を示
す平面図である。
（１１・・レチクルマスク （２）・・・パターン部（
３）・・・個別パターン （４１・・・磁気テープ（５
１・・・データ処理 （６）・・・作画装置（７）・・
・レチクル （８）・・縮少投影露光機１り１・・レチ
クルマスク ＋１ｆｉｌ・・・パターン特 許 出 願
人
凸版印刷株式会社
代表者 鈴 木 ）口 夫
第−１図
第２図FIG. 1 is a plan view showing an example of a multifaceted reticle mask, FIG. 2 is an explanatory diagram showing the reticle mask manufacturing method of the present invention in order of steps, and FIGS. bl
In the manufacturing method of the present invention, drawing/drawing is performed by a drawing device.
FIG. 4 is a plan view showing an example of a reticle mask created by reducing the size of the 10x reticle shown in FIG. be. (11...Reticle mask (2)...Pattern part (
3)...Individual pattern (41...Magnetic tape (5
1... Data processing (6)... Drawing device (7)...
・Reticle (8) ・・Reticle mask + 1fil ・・Pattern patent application Hitotoppan Printing Co., Ltd. Representative Tsuo Suzuki Figure 1-1 Figure 2
Claims (1)
タなどの作画装置により描画して作成した１０倍レチク
ルのパターン部を、２分の１〜３分の１の縮小率を有す
る投影露光機により縮小パターンにして一枚の基板上に
多面付けすることを特徴とするレチクルマスクの製造方
法。 （２） 一枚の基板上に多面付けされる縮小パターンの
個数が４〜１６個である特許請求の範囲第１項記載のレ
チクルマスクの製造方法。 （３）一枚の基板上に多面付けされる縮小パターンの種
類が複数である特許請求の範囲第１項記載のレチクルマ
スクの製造方法。 （４１レチクルマスクの縮小パターンが、チップサイズ
の５倍である特許請求の範囲第１項記載のレチクルマス
クの製造方法。[Scope of Claims] (11) A projection exposure device having a reduction ratio of 1/2 to 1/3 uses a pattern portion of a 10x reticle created by drawing with a drawing device such as an electron beam drawing device or a pattern generator. A method for producing a reticle mask, characterized in that the reduced patterns are formed into reduced patterns and are mounted on multiple surfaces on one substrate. (2) A patent in which the number of reduced patterns that are multifaceted on one substrate is 4 to 16. A method for manufacturing a reticle mask according to claim 1. (3) A method for manufacturing a reticle mask according to claim 1, wherein a plurality of types of reduced patterns are formed on one substrate. (The method for manufacturing a reticle mask according to claim 1, wherein the reduced pattern of the reticle mask is five times the chip size.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59014941A JPS60159747A (en) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | Production of reticule mask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59014941A JPS60159747A (en) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | Production of reticule mask |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60159747A true JPS60159747A (en) | 1985-08-21 |
| JPS6345091B2 JPS6345091B2 (en) | 1988-09-08 |
Family
ID=11874980
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59014941A Granted JPS60159747A (en) | 1984-01-30 | 1984-01-30 | Production of reticule mask |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60159747A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02242251A (en) * | 1989-03-15 | 1990-09-26 | Fujitsu Ltd | Production of reticle |
| JP2010534601A (en) * | 2007-07-28 | 2010-11-11 | ヴィンクラー ウント デュンネビアー アクチエンゲゼルシャフト | Apparatus and method for feeding flat material pieces and conveying the flat material pieces in a correct manner |
| JP2014195099A (en) * | 2010-12-14 | 2014-10-09 | Nikon Corp | Exposure apparatus and device manufacturing method |
-
1984
- 1984-01-30 JP JP59014941A patent/JPS60159747A/en active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02242251A (en) * | 1989-03-15 | 1990-09-26 | Fujitsu Ltd | Production of reticle |
| JP2010534601A (en) * | 2007-07-28 | 2010-11-11 | ヴィンクラー ウント デュンネビアー アクチエンゲゼルシャフト | Apparatus and method for feeding flat material pieces and conveying the flat material pieces in a correct manner |
| JP2014195099A (en) * | 2010-12-14 | 2014-10-09 | Nikon Corp | Exposure apparatus and device manufacturing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6345091B2 (en) | 1988-09-08 |
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