JPS6015779U - 異常電圧吸収素子 - Google Patents

異常電圧吸収素子

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JPS6015779U
JPS6015779U JP10821583U JP10821583U JPS6015779U JP S6015779 U JPS6015779 U JP S6015779U JP 10821583 U JP10821583 U JP 10821583U JP 10821583 U JP10821583 U JP 10821583U JP S6015779 U JPS6015779 U JP S6015779U
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JP
Japan
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abnormal voltage
absorption element
voltage absorption
absorbing element
pair
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Application number
JP10821583U
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Inventor
治文 万代
和敬 中村
清 岩井
Original Assignee
株式会社村田製作所
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案&千掛る吸収素子の斜視図、第2図は
同上の要部を拡大した断面図、第3図は同上の他の例を
示す一部切欠正面図である。 1・・・・・・異常電圧吸収素子、2・・・・・・半導
体磁器。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 一対の放電用電極間に結晶粒界を高抵抗化した半導体磁
    器を配置したことを特徴とする異常電圧吸収素子。
JP10821583U 1983-07-11 1983-07-11 異常電圧吸収素子 Pending JPS6015779U (ja)

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JPS6015779U true JPS6015779U (ja) 1985-02-02

Family

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59157981A (ja) * 1983-02-25 1984-09-07 岡谷電機産業株式会社 電子回路保護素子

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59157981A (ja) * 1983-02-25 1984-09-07 岡谷電機産業株式会社 電子回路保護素子

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