JPS601576B2 - 白色ｘ線応力測定装置 - Google Patents
白色ｘ線応力測定装置Info
- Publication number
- JPS601576B2 JPS601576B2 JP53029253A JP2925378A JPS601576B2 JP S601576 B2 JPS601576 B2 JP S601576B2 JP 53029253 A JP53029253 A JP 53029253A JP 2925378 A JP2925378 A JP 2925378A JP S601576 B2 JPS601576 B2 JP S601576B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rays
- white
- ray
- measuring device
- isotope
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J35/00—X-ray tubes
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は白色Ｘ線応力測定装置に関する、さらに詳しく
は、白色Ｘ線を被測定物の結晶面に照射し、その散乱Ｘ
線のエネルギーを測定して被測定物の応力あるいは疲労
被害度を検出する白色Ｘ線応力測定装置に関するもので
ある。
は、白色Ｘ線を被測定物の結晶面に照射し、その散乱Ｘ
線のエネルギーを測定して被測定物の応力あるいは疲労
被害度を検出する白色Ｘ線応力測定装置に関するもので
ある。
従来の白色Ｘ線応力測定装置においては、そのＸ線源と
してＸ線管球が使用されている。
してＸ線管球が使用されている。
しかし前記の白色Ｘ線応力測定装置では、管球からＸ線
を発生させるための高電圧の安定電源装置および真空ポ
ンプと、前記管球を冷却するための冷却装置とを備えな
ければならない。
を発生させるための高電圧の安定電源装置および真空ポ
ンプと、前記管球を冷却するための冷却装置とを備えな
ければならない。
従って測定装置自体が大掛りなものとなるばかりでなく
、特にＸ線源は容量および重量が大となり、かつ高価な
ものとなる。また測定開始までの準備に長時間を必要と
する欠点があった。本発明は前記の点に鑑みて、Ｘ線源
としてアイソトープを使用することにより、従来の如き
Ｘ線管球、高電圧安定電源装置、真空ポンプおよび冷却
装置を全く必要とせず、小形軽量で、かつ測定開始まで
の準備もきわめて短時間に行なえる白色Ｘ線応力測定装
置を提供せんとするものである。
、特にＸ線源は容量および重量が大となり、かつ高価な
ものとなる。また測定開始までの準備に長時間を必要と
する欠点があった。本発明は前記の点に鑑みて、Ｘ線源
としてアイソトープを使用することにより、従来の如き
Ｘ線管球、高電圧安定電源装置、真空ポンプおよび冷却
装置を全く必要とせず、小形軽量で、かつ測定開始まで
の準備もきわめて短時間に行なえる白色Ｘ線応力測定装
置を提供せんとするものである。
本発明はアイソトープを線源とし、該アイソトープから
照射口に至るｙ線の照射経路に、ｙ線をコンブトン散乱
させて白色Ｘ線と同等の周波数をもつ電磁波とする物質
を介在させたことを特徴とする。以下、本発明の白色Ｘ
線応力測定装置の一実施例を第１図および第２図に基づ
いて説明する。
照射口に至るｙ線の照射経路に、ｙ線をコンブトン散乱
させて白色Ｘ線と同等の周波数をもつ電磁波とする物質
を介在させたことを特徴とする。以下、本発明の白色Ｘ
線応力測定装置の一実施例を第１図および第２図に基づ
いて説明する。
本発明の白色Ｘ線応力測定装置は、第１図に示した如く
アイソトープを内部に収納し、かつ該アイソトープのｙ
線を白色Ｘ線化した電磁波を被測定物Ｔに照射できるＸ
線源部１と、従来技術における半導体検出器２、プリァ
ンプ３、比例増幅器４、多重波高分析器５、コンピュー
タ６、記録計７とを備えている。そして被測定物Ｔの応
力を測定するには、前記Ｘ線源部１から放射されるＸ線
を被測定物Ｔの結晶面に照射する。該被測定物Ｔに照射
されたＸ線のうち被測定物Ｔの回折条件を満足したエネ
ルギーをもつＸ線のみが半導体検出器２により検出され
、電気信号に変換される。その電気信号はプリアンプ３
および比例増幅器４にて増幅され、多重波高分析器５に
よりエネルギー分布が求められ、コンピュータ６で解析
されたり、あるいはそのまま記録計７に記録される。第
２図は前記Ｘ線源部の構造を示したもので、アイソトー
プ（ロジウム、アメリシウム、ツリウム等）８は、放射
線遮へい物質（例えば鉛）で作った密閉容器９の取入口
１０から該密閉容器９内の所定位置に設置されている。
アイソトープを内部に収納し、かつ該アイソトープのｙ
線を白色Ｘ線化した電磁波を被測定物Ｔに照射できるＸ
線源部１と、従来技術における半導体検出器２、プリァ
ンプ３、比例増幅器４、多重波高分析器５、コンピュー
タ６、記録計７とを備えている。そして被測定物Ｔの応
力を測定するには、前記Ｘ線源部１から放射されるＸ線
を被測定物Ｔの結晶面に照射する。該被測定物Ｔに照射
されたＸ線のうち被測定物Ｔの回折条件を満足したエネ
ルギーをもつＸ線のみが半導体検出器２により検出され
、電気信号に変換される。その電気信号はプリアンプ３
および比例増幅器４にて増幅され、多重波高分析器５に
よりエネルギー分布が求められ、コンピュータ６で解析
されたり、あるいはそのまま記録計７に記録される。第
２図は前記Ｘ線源部の構造を示したもので、アイソトー
プ（ロジウム、アメリシウム、ツリウム等）８は、放射
線遮へい物質（例えば鉛）で作った密閉容器９の取入口
１０から該密閉容器９内の所定位置に設置されている。
そして前記アイソトープ８１ま取入口１０が栓１１によ
り閉塞されることによって前記密閉容器９内に密封され
ている。前記密閉容器９は、Ｘ線取り出し口１２を開設
していると共に、その先端側にＸ線を平行化して照射す
るためのソーラスリツト１３を設けている。また密閉容
器９は、前記Ｘ線取り出しロー２を開閉する扉１４を具
えている。前記アイソト−プ８の近傍で、かつ該アイソ
トープ８から照射口である前記ソーラスリット１３に至
るｙ線の照射経路には、凹面鏡状の放射線反射体１５が
サポート１６を介して設置されている。該反射体１５は
、例えば鉛で作られていると共に、その焦点が前記ソー
ラスリツト１３とアイソトープ８とを結ぶ線上にあり、
かつアイソトープ８と一致する曲面に形成されている。
従ってアイソトープ８から放射されるｙ線の前記反射体
１５への入射角が一定でなくなるため、前記ｙ線はコン
ブトン散乱（ｙ線のエネルギーが減少してＸ線領域のエ
ネルギーとなる）後に、ソーラスリツト１３側に向う平
行ビームを作るＸ線となり、かつ該Ｘ線は種々のエネル
ギー値をとり白色Ｘ線化されたものとなる。そして前記
Ｘ線はソーラスリット１３により完全に平行化されて第
１図の被測定物Ｔへ照射されることになる。従って、前
述の白色Ｘ線応力測定装置においては、従来技術の如き
高電圧安定電源装置、真空ポンプおよび冷却装置を全く
必要としない。
り閉塞されることによって前記密閉容器９内に密封され
ている。前記密閉容器９は、Ｘ線取り出し口１２を開設
していると共に、その先端側にＸ線を平行化して照射す
るためのソーラスリツト１３を設けている。また密閉容
器９は、前記Ｘ線取り出しロー２を開閉する扉１４を具
えている。前記アイソト−プ８の近傍で、かつ該アイソ
トープ８から照射口である前記ソーラスリット１３に至
るｙ線の照射経路には、凹面鏡状の放射線反射体１５が
サポート１６を介して設置されている。該反射体１５は
、例えば鉛で作られていると共に、その焦点が前記ソー
ラスリツト１３とアイソトープ８とを結ぶ線上にあり、
かつアイソトープ８と一致する曲面に形成されている。
従ってアイソトープ８から放射されるｙ線の前記反射体
１５への入射角が一定でなくなるため、前記ｙ線はコン
ブトン散乱（ｙ線のエネルギーが減少してＸ線領域のエ
ネルギーとなる）後に、ソーラスリツト１３側に向う平
行ビームを作るＸ線となり、かつ該Ｘ線は種々のエネル
ギー値をとり白色Ｘ線化されたものとなる。そして前記
Ｘ線はソーラスリット１３により完全に平行化されて第
１図の被測定物Ｔへ照射されることになる。従って、前
述の白色Ｘ線応力測定装置においては、従来技術の如き
高電圧安定電源装置、真空ポンプおよび冷却装置を全く
必要としない。
また応力測定に際しては、第２図の扉１３を開くだけで
よいから準備時間をほとんど必要としないですむ。第３
図は本発明におけるＸ線源部の他の例を示したもので、
アイソトープ８０Ｇま、そのｙ線がソーラスリット１３
の方向に一様な強さで放射できるように円板状に形成さ
れ、該アイソトープ８０からソーラスリット１３に至る
ｙ線の照射経路、さらに正確にはＸ線取り出しロー２の
入口近傍には、ｙ線のコンブトン散乱を行える物質、例
えば鉛で作られたスクリーン１７を密閉容器９にサポー
トさせて設置してある。
よいから準備時間をほとんど必要としないですむ。第３
図は本発明におけるＸ線源部の他の例を示したもので、
アイソトープ８０Ｇま、そのｙ線がソーラスリット１３
の方向に一様な強さで放射できるように円板状に形成さ
れ、該アイソトープ８０からソーラスリット１３に至る
ｙ線の照射経路、さらに正確にはＸ線取り出しロー２の
入口近傍には、ｙ線のコンブトン散乱を行える物質、例
えば鉛で作られたスクリーン１７を密閉容器９にサポー
トさせて設置してある。
前記のＸ線源構造は、前記アイソトープ８０のｙ線を第
２図と同様に白色Ｘ線化し被測定物に照射できるもので
ある。
２図と同様に白色Ｘ線化し被測定物に照射できるもので
ある。
そして前記Ｘ線源部は特に比較的狭い範囲の白色Ｘ線を
必要とする場合に適している。第４図も本発明における
Ｘ線源部の他の例を示したもので、アイソトープ８００
は、粉末のものが使用され、ｙ線のコンブトン散乱を行
なえる物質、例えば鉛１８にてモールド成形されている
。
必要とする場合に適している。第４図も本発明における
Ｘ線源部の他の例を示したもので、アイソトープ８００
は、粉末のものが使用され、ｙ線のコンブトン散乱を行
なえる物質、例えば鉛１８にてモールド成形されている
。
即ちアイソト−プ８００からソーラスリツト１３に至る
ｙ線の照射経路にコンブトン散乱を行なえる物質が介在
されたと同じ状態となっている。前記のＸ線源構造は、
ｙ線がモールド材である鉛１８から外表面に放出したと
きには、それまで鉛１８を通過した距離がｙ線発生位置
によれ夫々異なるので、広いエネルギー範囲のＸ線、即
ち白色Ｘ線となっている。そして該白色Ｘ線はソーラス
リット１３により平行ビームとされて照射されることに
なる。尚、本発明においては、Ｘ線源としてアイソトー
プを使用することにより線源の強さが時間経過に伴なつ
て減少する問題があるが、半減期の長いアイソトープ、
例えばアメリシウム（半減期約４００年）を使用するこ
とによって対処できる。
ｙ線の照射経路にコンブトン散乱を行なえる物質が介在
されたと同じ状態となっている。前記のＸ線源構造は、
ｙ線がモールド材である鉛１８から外表面に放出したと
きには、それまで鉛１８を通過した距離がｙ線発生位置
によれ夫々異なるので、広いエネルギー範囲のＸ線、即
ち白色Ｘ線となっている。そして該白色Ｘ線はソーラス
リット１３により平行ビームとされて照射されることに
なる。尚、本発明においては、Ｘ線源としてアイソトー
プを使用することにより線源の強さが時間経過に伴なつ
て減少する問題があるが、半減期の長いアイソトープ、
例えばアメリシウム（半減期約４００年）を使用するこ
とによって対処できる。
例えば使用時間が半減期の１′１００とすれば、その間
の線源の強度減少は１％となり、従来のＸ線管球より変
動幅をより小さなものとすることができる。以上の如く
、本発明の白色Ｘ線応力測定装置は、従来の如きＸ線管
球、高電圧安定電源装置、真空ポンプおよび冷却装置を
全く必要としないから、装置自体、特にＸ線源部を小形
、軽量かつ安価とすることができると共に、測定におけ
る準備時間を大幅に短縮できる。
の線源の強度減少は１％となり、従来のＸ線管球より変
動幅をより小さなものとすることができる。以上の如く
、本発明の白色Ｘ線応力測定装置は、従来の如きＸ線管
球、高電圧安定電源装置、真空ポンプおよび冷却装置を
全く必要としないから、装置自体、特にＸ線源部を小形
、軽量かつ安価とすることができると共に、測定におけ
る準備時間を大幅に短縮できる。
また本発明の白色Ｘ線応力測定装置は、アイソトープを
線源としたから、該アイソトープの種類を選択すること
によりＸ線エネルギーを広範囲に容易に変えることがで
き、被測定物の回折層（測定層）の位置を、従来技術に
比べて広範囲に深さ方向に変化させることもできる。
線源としたから、該アイソトープの種類を選択すること
によりＸ線エネルギーを広範囲に容易に変えることがで
き、被測定物の回折層（測定層）の位置を、従来技術に
比べて広範囲に深さ方向に変化させることもできる。
第１図は本発明の白色Ｘ線応力測定装置を示す概略図、
第２図は本発明におけるＸ線源部の一礎造例を示す断面
図、第３図および第４図はＸ線源部の他の構造例を示す
断面図である。 １・・・・・・Ｘ線源部、２・…・・半導体検出部、３
・・・・・・プリアンブ、４・・・・・・比例増幅器、
５・・・・・・多重波高分析器、６……コンピュータ、
７……記録計、８，８０，８００・・・・・・アイソト
ープ、９・・・・・・密閉容器、１３・…・・ソーラス
リット、１５・・・・・・放射線反射体、１７・・・・
・・スクリーン、１８……鉛（モールド材）。 多／図 多２図 多３図 多ム図
第２図は本発明におけるＸ線源部の一礎造例を示す断面
図、第３図および第４図はＸ線源部の他の構造例を示す
断面図である。 １・・・・・・Ｘ線源部、２・…・・半導体検出部、３
・・・・・・プリアンブ、４・・・・・・比例増幅器、
５・・・・・・多重波高分析器、６……コンピュータ、
７……記録計、８，８０，８００・・・・・・アイソト
ープ、９・・・・・・密閉容器、１３・…・・ソーラス
リット、１５・・・・・・放射線反射体、１７・・・・
・・スクリーン、１８……鉛（モールド材）。 多／図 多２図 多３図 多ム図
Claims (1)
- １ 白色Ｘ線を被測定物の結晶面に照射し、その散乱Ｘ
線のエネルギーを測定して被測定物の応力あるいは疲労
被害度を検出する白色Ｘ線応力測定装置において、アイ
ソトープを線源とし、該アイソトープから照射口に至る
γ線の照射経路に、γ線をコンプトン散乱させて白色Ｘ
線と同等の周波数をもつ電磁波とする物質を介在させた
ことを特徴とする白色Ｘ線応力測定装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53029253A JPS601576B2 (ja) | 1978-03-16 | 1978-03-16 | 白色ｘ線応力測定装置 |
| GB7906847A GB2017469B (en) | 1978-03-16 | 1979-02-27 | Polychromatic x-ray source for diffraction apparaturs |
| US06/016,829 US4284887A (en) | 1978-03-16 | 1979-03-02 | Polychromatic X-ray source for diffraction apparatus using _polychromatic X-rays |
| DE2910250A DE2910250C3 (de) | 1978-03-16 | 1979-03-15 | Quelle für polychromatische Röntgenstrahlung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP53029253A JPS601576B2 (ja) | 1978-03-16 | 1978-03-16 | 白色ｘ線応力測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54122176A JPS54122176A (en) | 1979-09-21 |
| JPS601576B2 true JPS601576B2 (ja) | 1985-01-16 |
Family
ID=12271100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP53029253A Expired JPS601576B2 (ja) | 1978-03-16 | 1978-03-16 | 白色ｘ線応力測定装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4284887A (ja) |
| JP (1) | JPS601576B2 (ja) |
| DE (1) | DE2910250C3 (ja) |
| GB (1) | GB2017469B (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2155201B (en) * | 1984-02-24 | 1988-07-13 | Canon Kk | An x-ray exposure apparatus |
| US4856043A (en) * | 1988-07-18 | 1989-08-08 | North American Philips Corporation | Two piece ceramic Soller slit collimator for X-ray collimation |
| US5315124A (en) * | 1992-03-20 | 1994-05-24 | Measurex Corporation | Nuclear gauge |
| US5589690A (en) * | 1995-03-21 | 1996-12-31 | National Institute Of Standards And Technology | Apparatus and method for monitoring casting process |
| GB0201773D0 (en) * | 2002-01-25 | 2002-03-13 | Isis Innovation | X-ray diffraction method |
| DE102012006829A1 (de) * | 2012-04-03 | 2013-10-10 | Max Mahn | Elektrodenloser Röntgenstrahler |
| US11318326B2 (en) | 2015-05-07 | 2022-05-03 | Qsa Global Inc. | Strontium sealed source |
| EP3292553B1 (en) | 2015-05-07 | 2019-10-16 | Illinois Tool Works Inc. | Strontium sealed source |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3448264A (en) * | 1965-09-08 | 1969-06-03 | Atomic Energy Authority Uk | X-ray source and measuring means for backscatter analysis of samples |
| JPS5332789A (en) * | 1976-09-08 | 1978-03-28 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for measuring of stress of white color x-ray |
-
1978
- 1978-03-16 JP JP53029253A patent/JPS601576B2/ja not_active Expired
-
1979
- 1979-02-27 GB GB7906847A patent/GB2017469B/en not_active Expired
- 1979-03-02 US US06/016,829 patent/US4284887A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-03-15 DE DE2910250A patent/DE2910250C3/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2017469A (en) | 1979-10-03 |
| DE2910250B2 (de) | 1980-11-13 |
| GB2017469B (en) | 1982-04-15 |
| JPS54122176A (en) | 1979-09-21 |
| DE2910250A1 (de) | 1979-09-20 |
| US4284887A (en) | 1981-08-18 |
| DE2910250C3 (de) | 1981-10-22 |
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