JPS60142355A - Stabilized electrostatic charging method - Google Patents

Stabilized electrostatic charging method

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JPS60142355A
JPS60142355A JP25173283A JP25173283A JPS60142355A JP S60142355 A JPS60142355 A JP S60142355A JP 25173283 A JP25173283 A JP 25173283A JP 25173283 A JP25173283 A JP 25173283A JP S60142355 A JPS60142355 A JP S60142355A
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JP
Japan
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bias voltage
charging
light
photoreceptor
drum
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Application number
JP25173283A
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Japanese (ja)
Inventor
Nobuhiro Miyagawa
修宏 宮川
Teruaki Azumaguchi
東口 照昭
Yasushi Yano
康司 矢野
Kazuo Yamamoto
一雄 山本
Yoshinobu Kawakami
川上 善信
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Kyocera Mita Industrial Co Ltd
Original Assignee
Mita Industrial Co Ltd
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G21/00Arrangements not provided for by groups G03G13/00 - G03G19/00, e.g. cleaning, elimination of residual charge
    • G03G21/0094Arrangements not provided for by groups G03G13/00 - G03G19/00, e.g. cleaning, elimination of residual charge fatigue treatment of the photoconductor

Abstract

PURPOSE:To prevent memory after-image development without decreasing the amount of charging by providing a detrapping process wherein a conductive flexible member applied with a bias voltage is brought into contact between a cleaning process and a charging process. CONSTITUTION:Residual charges on a photosensitive drum 11 after toner transfer are removed by the front-surface exposure of a discharging lamp 21 and residual toner is removed by a cleaning mechanism 22, so that the photosensitive drum 11 has optical fatigue of order which can not be ignored. When detrapping is carried out previously by applying a bias voltage before the charging, surface charges are not neutralized in the earliest charging, so the optical fatigue is prevented completely. For the purpose, the bias voltage is applied from a conductive rubber roller 31 connected to one electrode of a power source 30 which is grounded at the other electrode. The level of the bias voltage depends up the kinds of the light source in use and an amorphous silicone photosensitive body and is generally 90-400V.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、安定化帯電方法に関するもので、より詳細に
は、非晶質シリコン系光導電体層を用いて電子写真法に
より画像形成を行うのに際し、該光感電体層の表面電位
を一定のレベルに安定化する方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for stabilizing charging, and more specifically, when forming an image by electrophotography using an amorphous silicon-based photoconductor layer, This invention relates to a method for stabilizing the surface potential of body layers to a certain level.

非晶質シリコン系光導電体層は、表面硬度が高く、−長
波長側の光に感度を有し、しかも感度そのものも良好で
あるので、電子写真用の感光体として着目されている。
An amorphous silicon-based photoconductor layer has high surface hardness, is sensitive to light on the -long wavelength side, and has good sensitivity itself, so it is attracting attention as a photoreceptor for electrophotography.

しかしながら、零発゛明者等の研究によると、非晶質シ
リコンは上述した優れた特性を有するものの、高速複写
に際して光疲労が比較的大であるという問題点を有して
いる。例えば、通常の複写サイクル内で、帯電、露光、
現像、転写及びクリーニングの諸動作を感光層に反復す
ると、セレン感光層の場合、二回目以降の帯電量は一回
目の帯電量の0.5乃至3%程度の低下に過ぎず、光疲
労による影響は殆ど無視し得るものであるが、非晶質シ
リコンの場合には、二回目以降の帯電量は一回目の帯電
量よりも5乃至20%にも達する低下を来たす。このた
め、ドラムの外周の長さが複写物の長さよりも長い場合
は一枚目の画像と比較して二枚目以降の画像は目で識別
できる程度の濃度低下を生ずるという欠点がある。
However, according to research conducted by researchers such as Zero Inventor, although amorphous silicon has the above-mentioned excellent properties, it has the problem of relatively large optical fatigue during high-speed copying. For example, during a normal copying cycle, charging, exposure,
When the various operations of development, transfer, and cleaning are repeated on a photosensitive layer, in the case of a selenium photosensitive layer, the amount of charge after the second time is only about 0.5 to 3% lower than the amount of charge from the first time, and this is due to optical fatigue. Although the effect is almost negligible, in the case of amorphous silicon, the amount of charge after the second time is as much as 5 to 20% lower than the amount of charge at the first time. For this reason, when the outer circumference of the drum is longer than the length of the copy, there is a drawback that the density of the second and subsequent images is reduced to an extent that can be visually discerned compared to the first image.

また、ドラムの外周の長さが複写物の長さよりも短かい
場合は、同一複写物において濃度差が生じたり、或いは
メモリー残像現象が生じるという欠点があった。ここで
メモリー残像現象とは、例えば第1図−aの様な原稿を
用いた場合に、文字部1゛ と黒へ夕部2°までの距離
!がドラムの外周長と一致するとき、第1図−すに示す
複写物において、黒ベタ部2中に文字部1が重なった画
像として生しる現象を言う。この現象が生じる原因とし
ては、ドラム1回転目において文字部1の文字3の部分
は露光されないが背影4の部分は露光されるため文字3
と背影4の各部分において感光体の光疲労度に差が生し
、その結果、ドラム2回転目において感光体表面のこの
位置に黒ベタ部2の潜像を形成するために帯電させても
、前回の文字だった部分5の帯電量は初回と同程度の電
位に維持されるが、前回背影だった部分6は光疲労の影
響で帯電量が低下し、未疲労部5と疲労部6とに濃度差
が生しるものと考えられる。
Furthermore, when the length of the outer circumference of the drum is shorter than the length of the copy, there is a drawback that density differences occur in the same copy or a memory afterimage phenomenon occurs. Here, the memory afterimage phenomenon refers to, for example, when using a document like the one shown in Figure 1-a, the distance between the text area 1゛ and the evening area 2 degrees! This refers to a phenomenon that occurs in the copy shown in FIG. 1 as an image in which the character portion 1 overlaps the black solid portion 2 when the length coincides with the outer circumferential length of the drum. The reason why this phenomenon occurs is that in the first rotation of the drum, the character 3 part of the character part 1 is not exposed, but the back shadow 4 part is exposed, so the character 3
There is a difference in the degree of optical fatigue of the photoreceptor in each part of the back shadow 4, and as a result, even if the photoreceptor is charged in order to form a latent image of the black solid area 2 at this position on the surface of the photoreceptor in the second rotation of the drum. , the amount of charge on the part 5 that was a character last time is maintained at the same potential as the first time, but the amount of charge on the part 6 that was a shadow last time decreases due to the influence of optical fatigue, and the amount of charge on the part 5 that was a character last time decreases due to the effect of optical fatigue. It is thought that there is a difference in concentration between the two.

最近になってこの様な光疲労を防止する一手段として例
えば特開昭58−62659に開示されているように光
源として600nm以下の光で露光・除電することが提
案されている。この方法によれば、露光の繰り返しによ
り光疲労が生じ、帯電量の低下を来すが、これが一定の
レベルに維持され、しかも60’Onm以下の光を用い
るので、光疲労が生じても高い帯電量のレベルで安定化
するというものである。しかしながら、この提案におい
ても高いレベルでの安定化ができ、実使用においては概
ね良好ではあるものの完全に光疲労を防止し得るまでに
は至っていないのが現状である。このことから、完全に
光疲労を防止し得る方法が望まれている。
Recently, as a means of preventing such optical fatigue, it has been proposed to use light of 600 nm or less as a light source to remove static electricity, as disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 58-62659. According to this method, photofatigue occurs due to repeated exposure, resulting in a decrease in the amount of charge, but this is maintained at a constant level, and since light of 60'Onm or less is used, even if photofatigue occurs, the amount of charge remains low. It is stabilized at the level of the amount of charge. However, although this proposal also achieves a high level of stabilization and is generally good in actual use, it is currently not possible to completely prevent optical fatigue. For this reason, a method that can completely prevent optical fatigue is desired.

従って本発明の目的は、非晶質シリコン系光導電体層の
表面帯電電位を一回目の行程と二回目以降の行程とで、
帯電量を何ら低下させることなく実質上同一レベルに調
節し、光疲労の差から生じるメモリ残像現象を予防し得
る方法を提案するにある。
Therefore, the object of the present invention is to increase the surface charging potential of the amorphous silicon photoconductor layer in the first step and in the second and subsequent steps.
The object of the present invention is to propose a method that can adjust the charge amount to substantially the same level without reducing it in any way and prevent the memory afterimage phenomenon caused by the difference in optical fatigue.

本発明によれば、非晶質シリコン系光導電体層を導電性
基質上に有する電子写真感光体に帯電1画像露光、現象
、転写及びクリーニングの行程を反復することにより行
う画像形成方法において、前記クリーニング行程と帯電
行程との間にバイアス電圧の印加された導電性可撓性部
材を接触させて行う脱トラッピング行程を有することを
特徴とする安定化帯電方法が提供される。
According to the present invention, an image forming method is provided in which an electrophotographic photoreceptor having an amorphous silicon-based photoconductor layer on a conductive substrate is charged by repeating the steps of one-image exposure, development, transfer, and cleaning. A stabilizing charging method is provided, which includes a detrapping step in which a conductive flexible member to which a bias voltage is applied is brought into contact between the cleaning step and the charging step.

本発明の安定化帯電方法を説明するための第2図におい
て、駆動回転される金属ドラムの表面には、非晶質シリ
コン系光導電体層が設けられ感光体ドラム11を構成し
ている。このドラムの周囲には、主帯電用コロナチャー
ジャ13;ランプI4、原稿支持透明板15及び光学系
16から成る画像露光機構;トナー17を有する現像機
構18 ; I−チー転写用コロナチャージャ19;紙
分離用コロナチャージャ20;除電ランプ2;及びクリ
ーニング機構22がこの順序に設けられている。
In FIG. 2 for explaining the stabilizing charging method of the present invention, an amorphous silicon-based photoconductor layer is provided on the surface of a metal drum that is driven and rotated to constitute a photosensitive drum 11. Around this drum are a main charging corona charger 13; an image exposure mechanism consisting of a lamp I4, a document support transparent plate 15, and an optical system 16; a developing mechanism 18 having toner 17; an I-chi transfer corona charger 19; A separation corona charger 20; a static elimination lamp 2; and a cleaning mechanism 22 are provided in this order.

まず、感光体ドラム11をコロナチャージャ13で一定
極性の電荷で帯電させる。次いで、ランプ14で複写す
べき原稿23を照明し、光学系16を経て原稿の光線像
で感光体ドラム11を露光し、原稿画像に対応する静電
潜像を形成させる。この静電潜像を現像機構18により
トナー17て現像する。転写紙24を、トナー転写用チ
ャージャ19の位置でドラム表面と接触するように供給
し、転写紙24の背面から静電潜像と同極性のコロナチ
ャージを行って、トナー像を転写紙24に転写させる。
First, the photoreceptor drum 11 is charged with a constant polarity using the corona charger 13. Next, the original 23 to be copied is illuminated by the lamp 14, and the photosensitive drum 11 is exposed to a light beam image of the original through the optical system 16, thereby forming an electrostatic latent image corresponding to the original image. This electrostatic latent image is developed with toner 17 by a developing mechanism 18. The transfer paper 24 is supplied so as to be in contact with the drum surface at the position of the toner transfer charger 19, and a corona charge with the same polarity as the electrostatic latent image is performed from the back side of the transfer paper 24 to transfer the toner image onto the transfer paper 24. Make a transcription.

トナー像が転写された転写紙24は、分離用コロナチャ
ージャ20の除電によってドラムから静電的に剥離され
、定着域(図示せず)等の処理域に送られる。
The transfer paper 24 on which the toner image has been transferred is electrostatically peeled off from the drum by the separation corona charger 20 and sent to a processing area such as a fixing area (not shown).

トナー転写後の感光体ドラム11は、除電うンプ2によ
る前面露光で残留電荷が消去され、次いでクリーニング
機構22によって残留トナーの除去が行われる。
After the toner has been transferred, the photoreceptor drum 11 is exposed to light from the front side by the charge eliminating pump 2 to erase residual charges, and then the cleaning mechanism 22 removes the residual toner.

本発明で用いる非晶質シリコン感光層を表面に設けた感
光ドラム11は、既に述べた通り、無視し得ないオーダ
ーの光疲労を示し、露光後の感光層の帯電電位は、露光
を受けていない感光層の帯電電位に比して最大20%に
も及ぶ低下を示し、形成される複写物の画像濃度も一枚
目と二枚目以降のものとではかなり異なったものとなる
As already mentioned, the photosensitive drum 11 having the amorphous silicon photosensitive layer on its surface used in the present invention exhibits a non-negligible level of optical fatigue, and the charged potential of the photosensitive layer after exposure is different from that of the exposed photosensitive layer. The charge potential of the photosensitive layer is reduced by up to 20% compared to the charged potential of the photosensitive layer without the photosensitive layer.

本発明者らは、非晶質シリコン系光導電体の光疲労は、
露光時に光導電体層中に生じたフォトキャリアが一部ト
ラップされて光導電体層中に残り、これが次の帯電時に
表面電荷が作る電界の作用で放出され、表面電荷を中和
することにより帯電特性が劣化する現象であると推論し
ている。それゆえ、露光或いは除電光を照射した後であ
って次の主帯電前において、一方の電極が接地された電
源よりドラム基体が接地された感光体ドラム表面にバイ
アス電圧を印加してトラップからフォトキャリアを放出
させるために十分な電界を付与した場合には、光導電体
層中のトラップされたフォトキャリアは、この電界の作
用を受け脱トランプし、トランプされているフォトキャ
リアが消去されることを見出したものである。
The present inventors have discovered that the photofatigue of amorphous silicon-based photoconductors is
Some of the photocarriers generated in the photoconductor layer during exposure are trapped and remain in the photoconductor layer, and during the next charging, these are released by the action of the electric field created by the surface charge, neutralizing the surface charge. It is inferred that this is a phenomenon in which charging characteristics deteriorate. Therefore, after exposure or irradiation with static eliminating light but before the next main charging, a bias voltage is applied to the surface of the photoreceptor drum whose drum base is grounded from a power source whose one electrode is grounded to remove the photo from the trap. When a sufficient electric field is applied to release carriers, the trapped photocarriers in the photoconductor layer are de-tramped by the action of this electric field, and the tramped photocarriers are erased. This is what we discovered.

また第3図は28.0μW/cm2の光強度を有する単
色光を用いて測定した光疲労の波長依存性を示す線図で
あって、横軸は感光層露光時の波長、縦軸は表面電位の
低下量乃至は低下の度合い(光疲労率%)を示している
。この第3図を参照すると、非晶質シリコンの光疲労は
光線の波長に大きく依存しており、波長725nmで最
大の疲労を示し、波−長が600nm以下の光線に対し
ては殆ど疲労を示さないことがわかる。それゆえ、前述
した公知の方法では露光及び除電光として600nm以
下のものを用いていたのである。この理由は、波長が6
00nm以下の光線では光の吸収が感光体表面で起こり
、フォトキャリアは主として感光層表面から発生するた
め、トラップされる比率が少ないのに対し、長波長光の
場合光の吸収が感光層全体で起こるため感光層の体積内
(バルク内)でフォトキャリアが発生し、トラップさ乳
る量が増大する(バルク効果)ためである。
FIG. 3 is a diagram showing the wavelength dependence of optical fatigue measured using monochromatic light with a light intensity of 28.0 μW/cm2, where the horizontal axis is the wavelength at the time of exposure of the photosensitive layer, and the vertical axis is the surface It shows the amount of decrease in potential or the degree of decrease (light fatigue rate %). Referring to Fig. 3, the optical fatigue of amorphous silicon greatly depends on the wavelength of light, with maximum fatigue occurring at a wavelength of 725 nm, and almost no fatigue occurring for light with a wavelength of 600 nm or less. You can see that it is not shown. Therefore, in the above-mentioned known method, light with a wavelength of 600 nm or less is used as exposure and neutralizing light. The reason for this is that the wavelength is 6
For light of 00nm or less, absorption of light occurs on the surface of the photoreceptor, and photocarriers are mainly generated from the surface of the photosensitive layer, so the proportion of photocarriers trapped is small, whereas for long wavelength light, absorption of light occurs throughout the photosensitive layer. This is because photocarriers are generated within the volume (bulk) of the photosensitive layer and the amount of trapped milk increases (bulk effect).

しかしながら、600nm以下の波長を用いた場合、ト
ラップされるフォトキャリアの量が少なく、このまま次
の帯電を用いた場合、実用上問題とならないにしても帯
電量が幾分低下し、完全に光疲労を防止したわけではな
い。
However, when a wavelength of 600 nm or less is used, the amount of photocarriers trapped is small, and if the next charging is used as it is, the amount of charging will decrease somewhat, even if it does not pose a practical problem, and photo-induced fatigue will completely occur. did not prevent it.

これに対し、本発明に従い帯電前にバイアス電圧を印加
してあらかじめ脱トラップさせておけば、最早帯電時に
表面電荷が中和され得ない為、光疲労は完全に防止し得
るのである。
On the other hand, according to the present invention, if a bias voltage is applied before charging to remove the traps, the surface charge can no longer be neutralized during charging, so that optical fatigue can be completely prevented.

しかも本発明に従えば、印加電圧の電界強度により脱ト
ラップさせるため、バルク内にトラップされているキャ
リアよりも感光体表面にトラップされているフォトキャ
リアを脱トランプさせることの方が容易であり、この意
味において使用する光源を600nm以下のものを用い
ることの方が有利ではあるが、電界強度を大きくするこ
とで感光層バルク内のフォトキャリアも脱トラップさせ
ることも可能であり長波長光をも使用することができ、
半導体レーザー等の使用を始め、より多くの光源に適用
できる利点を有している。
Moreover, according to the present invention, since the trapping is caused by the electric field strength of the applied voltage, it is easier to detramp the photocarriers trapped on the surface of the photoreceptor than the carriers trapped in the bulk. In this sense, it is more advantageous to use a light source with a wavelength of 600 nm or less, but by increasing the electric field strength, it is also possible to detrap photocarriers in the bulk of the photosensitive layer, making it possible to use long wavelength light. can be used,
It has the advantage of being applicable to more light sources, including the use of semiconductor lasers.

本発明において、感光体表面にバイアス電圧を印加する
手段としてtよ、感光体ドラムの長手方向に亘って均一
にバイアス電圧が印加可能なものであれば、それ自体公
知の任意の手段が適用できる。
In the present invention, any means known per se can be used as a means for applying a bias voltage to the surface of the photoreceptor as long as it is capable of applying a bias voltage uniformly over the length of the photoreceptor drum. .

例えば第2図においては、一方の電極が接地された電a
30の他方の電極に接続された導電性ゴムローラ31に
よりバイアス電圧が印加される構成となっている。この
ゴムローラ以外にも、感光体表面と摺擦させた場合、感
光体に強い機械的応力を与えない程度の部材例えば導電
性ゴムブレード、カーボン或いは金属の繊維を用いた導
電性ブラシ等の導電性可撓性部材を用いることもできる
For example, in FIG.
A bias voltage is applied by a conductive rubber roller 31 connected to the other electrode of 30. In addition to this rubber roller, conductive members such as conductive rubber blades, conductive brushes made of carbon or metal fibers, etc. that do not apply strong mechanical stress to the photoreceptor when rubbed against the surface of the photoreceptor may be used. Flexible members can also be used.

感光体表面に印加するバイアス電圧の量は、用いる光源
等の種類や、非晶質シリコン怒光体によっても異なるが
、一般に90乃至400v特に200乃至400V印加
すればよい。このバイアス電圧の種類は正又は負のいず
れの場合でもよく、また交流バイアスであってもよい。
The amount of bias voltage applied to the surface of the photoreceptor varies depending on the type of light source used and the amorphous silicon photoreceptor, but generally 90 to 400V, particularly 200 to 400V may be applied. The type of bias voltage may be either positive or negative, and may be an alternating current bias.

更にバイアス電圧の印加手段に代わり得る手段としてA
Cコロナチャージャによる方法も考えられるが、放電に
際しオゾン等を発生させ、感光体表面を劣化させ、画像
流れつまり、感光体表面に形成された静電潜像の横方向
のリーク現像を発生させる原因ともなり好ましくない。
Furthermore, as a means that can replace the bias voltage application means, A
A method using a C corona charger is also considered, but it generates ozone etc. during discharge, which deteriorates the surface of the photoreceptor and causes image deletion, that is, lateral leakage development of the electrostatic latent image formed on the surface of the photoreceptor. It's also undesirable.

非晶質シリコン系光導電体層としては、それ自体公知の
任意のものが使用され、例えばシランガスのプラズマ分
解等で基板上に析出される非晶質シリコンが使用され、
このものは、水素やハロゲン等でドーピングされ、さら
にポロンやリン等の周期律表第■族または第■族元素で
ドーピングされたものであってよい。
As the amorphous silicon-based photoconductor layer, any known material can be used, for example, amorphous silicon deposited on the substrate by plasma decomposition of silane gas, etc.
This material may be doped with hydrogen, halogen, etc., and further doped with an element of group 1 or group 2 of the periodic table, such as poron or phosphorus.

代表的なアモルフィスシリコン感光体の物性値は、暗尋
電率<1g−12Ω−’・cm−’、活性化エネルギー
<0.85eV、光導電率>10−7Ω−1・c m−
’、光学的バンドギャップ1.7〜1,9eVであり、
また結合水素量は10〜20原子%の量でその膜の誘電
率は11.5〜12.5の範囲にあるものである。
The physical properties of a typical amorphous silicon photoreceptor are dark electrical conductivity <1g-12Ω-'・cm-', activation energy <0.85eV, and photoconductivity>10-7Ω-1・cm-
', the optical band gap is 1.7 to 1.9 eV,
Further, the amount of bonded hydrogen is 10 to 20 atomic %, and the dielectric constant of the film is in the range of 11.5 to 12.5.

本発明を次の例で説明する。The invention is illustrated by the following example.

実施例1 第2図に示した構成を備えた電子写真複写装置を用いて
、光源14、除電光21及びバイアス電圧の印加手段と
しての導電性ゴムローラ31を第1表に示した関係にて
Nol〜No4の実験をおこなった。尚、感光体ドラム
としては膜厚20μmのa−8i:Hドラム(90φ)
を装着した。
Example 1 Using an electrophotographic copying apparatus having the configuration shown in FIG. ~ Experiment No. 4 was conducted. The photoreceptor drum is an a-8i:H drum (90φ) with a film thickness of 20 μm.
was installed.

この一連の実験において使用した原稿はΔ3判の大きさ
のものであり、第1図−aに示したように、前半部分に
は反射濃度1.5の黒ベタ文字部分3、後半部分には反
射濃度0.8の中間調黒ベタ部分2を有する。この第1
図−aに基づく原稿におけるlの値は90φのドラムの
円周長に富亥当するように約28cmとしている。
The manuscript used in this series of experiments was Δ3 size, and as shown in Figure 1-a, the first half had a solid black character area 3 with a reflection density of 1.5, and the second half had a solid black character area 3 with a reflection density of 1.5. It has a halftone black solid portion 2 with a reflection density of 0.8. This first
The value of 1 in the original document based on FIG.

第1表 □ この原稿から、上記下電子写真複写装置により作成した
コピー物の各部の反則濃度を(A)(原稿の文字部3に
対応)、(B)(図中6に対応)および(C)(図中5
に対応)として、その結果を第2表に示す。
Table 1 □ The irregular densities of each part of the copy made from this manuscript using the above electrophotographic copying device are (A) (corresponding to character part 3 of the manuscript), (B) (corresponding to 6 in the figure), and ( C) (5 in the diagram
The results are shown in Table 2.

この結果から、実験NolおよびNo2の場合、導電性
ゴムローラによるバイアス電圧印加によりコピー物の(
B)、(C)の部分の濃度差が生じなくなりメモリー残
像現象は消失している。しかも、除電光として長波長光
成分を有するハロゲンランプを使用した場合(Nol)
と、600nm以上の長波長光をカントした緑色ランプ
を使用した場合(No2)とではほとんど差がなく、長
波長光を含む場合でも本発明の脱トラッピング行程が有
効であることがわかった。これに対して、導電性ゴムロ
ーラによる電圧印加を行わなかった場合(No3および
N o ’4 )コピー中の(B)、(C)の部分にお
ける濃度に差が生じ、はっきりとしたメモリー残像現象
が生していた。
From this result, in the case of Experiment No. 1 and No. 2, it was found that the copy (
There is no density difference between portions B) and (C), and the memory afterimage phenomenon has disappeared. Moreover, when a halogen lamp with a long wavelength light component is used as the static elimination light (Nol)
There is almost no difference between the case where a green lamp that cant long wavelength light of 600 nm or more is used (No. 2), and it was found that the detrapping process of the present invention is effective even when long wavelength light is included. On the other hand, when no voltage was applied using the conductive rubber roller (No. 3 and No. 4), there was a difference in density in the parts (B) and (C) during copying, and a clear memory afterimage phenomenon occurred. It was alive.

実施例2 導電性ゴムローラに印加する電圧Vとコピー物中の(B
)及び(C)の部分の濃度差ΔIDとの関係を調べるた
めに、前記実施例No2の光源及び除電光の条件にて実
験を行った。この結果をグラフに表したものを第4図に
示した。
Example 2 Voltage V applied to the conductive rubber roller and (B
) and (C), an experiment was conducted under the conditions of the light source and the static eliminating light of Example No. 2. A graph of this result is shown in FIG.

この結果から目視にて濃度差を識別することができない
限界の濃度0.05を考慮すれば、90■以上が有効印
加電圧となることがわかった。
From this result, it was found that if the limit concentration of 0.05 at which a concentration difference cannot be visually discerned is taken into consideration, an effective applied voltage of 90 .mu. or more becomes an effective applied voltage.

この時、200■以上の印加電圧では、Δ■Dはほぼ一
定となり、これ以上電圧を印加する必要性はうすく、a
−3i:Hの主帯電による帯電量を考慮すれば、400
■付近を一応の上限と考えることができた。
At this time, when the applied voltage is 200μ or more, Δ■D becomes almost constant, and there is little need to apply more voltage, and a
-3i: Considering the amount of charge due to the main charge of H, 400
I was able to consider the area around ■ to be the upper limit.

実施例3 実施例1の実験No2の導電性ゴムローラの代わりに導
電性ブラシを装着し、直流バイアスの代わりに交流バイ
アスを印加してコピーしたところΔIDfJ<0.04
以下となるのに120■の交流印加電圧が必要であった
Example 3 A conductive brush was installed in place of the conductive rubber roller in Experiment No. 2 of Example 1, and when copying was performed by applying an AC bias instead of a DC bias, ΔIDfJ<0.04
An AC applied voltage of 120 μm was required to achieve the following.

この場合の交流周波数範囲としては数H2以上好ましく
は10H2以上あれば十分であった。
In this case, it was sufficient for the AC frequency range to be several H2 or more, preferably 10H2 or more.

実施例4 実施例1の実験No2の実験において、導電性ゴムロー
ラ31に印加する電圧を一200Vとした以外全て同一
条件でコピーを行ったところ各部の反射濃度は以下の通
りであった。
Example 4 In the experiment No. 2 of Example 1, copying was performed under all the same conditions except that the voltage applied to the conductive rubber roller 31 was -200V, and the reflection density of each part was as follows.

(A) 1.38 (B) 0.71 (C) 0.72 このことから負のバイアス電圧を印加した場合でも同様
の結果が得られることがわかった。
(A) 1.38 (B) 0.71 (C) 0.72 From this, it was found that similar results can be obtained even when a negative bias voltage is applied.

つまり感光層中のトラップされたフォトキャリアが印加
電圧による電界に引かれ、実施例1の場合とは反対側、
つまり基板へ移動し消失したものと考えられる。
In other words, the photocarriers trapped in the photosensitive layer are attracted to the electric field caused by the applied voltage, and the side opposite to that in Example 1 is
In other words, it is thought that it moved to the substrate and disappeared.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図−aはメモリー残像現象を調べるために使用する
原稿を表した図であり、第1図−すはそのコピー物を表
した図、 第2図は本発明の方法を実施するための複写装置を示し
た概略図、 第3図は、光疲労の波長依存性を示すグラフ図、および
第4図は、バイアス印加電圧と光疲労により生じるコピ
ーものの濃度差との関係を示すグラフ図である。 図中、印照数字11はa−3i:Hドラム、13は主帯
電器、14は光源ランプ、19は転写帯電器、21は除
電光、31はバイアス電圧印加手段をそれぞれ表わす。 特許出願人 三田工業株式会社 \ IR1図 α 5(C) IR2図 0 第3図 シ皮 玉 (n町 第4図 θ lθθ ?ρθ 3ρθ 4θθ 丘ppυ質及 (V)
FIG. 1-a is a diagram showing a manuscript used to investigate the memory afterimage phenomenon, FIG. A schematic diagram showing a copying apparatus, FIG. 3 is a graph showing the wavelength dependence of optical fatigue, and FIG. 4 is a graph showing the relationship between the applied bias voltage and the density difference of the copy caused by optical fatigue. be. In the figure, the printed numeral 11 represents the a-3i:H drum, 13 the main charger, 14 the light source lamp, 19 the transfer charger, 21 the neutralizing light, and 31 the bias voltage applying means. Patent applicant Sanda Kogyo Co., Ltd. IR1 Fig. α 5 (C) IR2 Fig. 0 Fig. 3 shihide ball (n town Fig. 4 θ lθθ ?ρθ 3ρθ 4θθ hill ppυ quality and (V)

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)非晶質シリコン系光導電体層を導電性基質上に有
する電子写真感光体に帯電3画像露光。 現像、転写及びクリーニングの行程を反復するごとによ
り行う画像形成方法において、前記クリーニング行程と
帯電行程との間にバイアス電圧の印加された導電性可撓
性部材を接触させて行う脱l・ラッピング行程を設けた
ことを特徴とする安定化帯電方法。
(1) An electrophotographic photoreceptor having an amorphous silicon-based photoconductor layer on a conductive substrate is charged and exposed to three images. In an image forming method in which development, transfer, and cleaning steps are repeated each time, a delipping/wrapping step is performed by bringing a conductive flexible member to which a bias voltage is applied into contact between the cleaning step and the charging step. A stabilizing charging method characterized by providing:
(2)導電性可撓性部材が導電性ゴムローラである特許
請求の範囲第1項記載の方法。
(2) The method according to claim 1, wherein the conductive flexible member is a conductive rubber roller.
(3)バイアス電圧が正又は負の直流バイアスである特
許請求の範囲第1項記載の方法。
(3) The method according to claim 1, wherein the bias voltage is a positive or negative DC bias.
(4)バイアス電圧が交流バイアスである特許請求の範
囲第1項記載の方法。
(4) The method according to claim 1, wherein the bias voltage is an alternating current bias.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5654458A (en) * 1979-10-09 1981-05-14 Canon Inc Image formation method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5654458A (en) * 1979-10-09 1981-05-14 Canon Inc Image formation method

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