JPS60138431A - Surface sound wave sensor - Google Patents

Surface sound wave sensor

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Publication number
JPS60138431A
JPS60138431A JP18009883A JP18009883A JPS60138431A JP S60138431 A JPS60138431 A JP S60138431A JP 18009883 A JP18009883 A JP 18009883A JP 18009883 A JP18009883 A JP 18009883A JP S60138431 A JPS60138431 A JP S60138431A
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JP
Japan
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region
temperature
pressure
regions
propagation
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Pending
Application number
JP18009883A
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Japanese (ja)
Inventor
ビカーシユ ケイ シンハ
ミツシエル グイロー
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Schlumberger Overseas SA
Original Assignee
Schlumberger Overseas SA
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Filing date
Publication date
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Priority to JP18009883A priority Critical patent/JPS60138431A/en
Publication of JPS60138431A publication Critical patent/JPS60138431A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は一般に表面音波を用い知力を6(1j定するセ
ンサに係り、特に1表面音波を用いて高圧力を測定する
のに適した非常に安定性及び感度の艮い圧力センサに係
る口 遅延線や共振器のような表面晋e(以下SAWと称する
)装置を用いたセンサは、加速度や、ストレス及び歪や
、圧力を測定するものとして知られている。これらのセ
ンサは、一般に、加速度やストレス又は歪や圧力を受け
た時に変形する薄い可撓性ダイヤフラムにわたって表面
音波が伝搬することに基いている。表面音波の速度及び
経路長さはダイヤフラムの変形と共に鋭化するので、渋
面音波の遅延時間は、外部から与えられた加速度、スト
レス又は歪、或すは圧力の関数となる。表面音波の伝搬
特性の変化は、再生フィードバックループにおいてSA
W装置と直列に接続された外部発振回路の発振周波数の
変化として測定される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates generally to a sensor for measuring pressure using surface sound waves, and more particularly to a highly stable and well-suited sensor for measuring high pressures using surface sound waves. Sensors using surface acoustic wave (SAW) devices such as delay lines and resonators with low sensitivity are known for measuring acceleration, stress and strain, and pressure. These sensors are generally based on the propagation of surface sound waves across a thin, flexible diaphragm that deforms when subjected to acceleration, stress, strain, or pressure.The velocity and path length of the surface sound waves depend on the diaphragm's Since it sharpens with deformation, the delay time of the surface sound wave is a function of externally applied acceleration, stress or strain, or pressure.Changes in the propagation characteristics of the surface sound wave are caused by the SA in the regenerative feedback loop.
It is measured as a change in the oscillation frequency of an external oscillation circuit connected in series with the W device.

1976年9月7日に発行されたReader 氏等の
米国特許第3,978,731号、並びに1975年2
月4日に発行されたvan de Vaart 氏等の
米国特許第3.863,497号には、このようなSA
Wセンサが開示されている。
Reader et al., U.S. Pat. No. 3,978,731, issued September 7, 1976;
US Pat. No. 3,863,497 issued by van de Vaart et al.
A W sensor is disclosed.

S A Wセンサの感圧ダイヤフラムを製造する方法は
多砂知られている。薄膜技術によってスチールビームに
付着された圧電トランスジューサを有するセンサが、1
978年8月15日イマ1のにlewlt氏の米国特許
第4,107,626号に開示されている。拐′hが同
じで且つ互いに同じ向きに接合された2つの基体、即ち
SAW基体及びペース基体を有するセンサが、1980
年8月5日付のWagner 氏の米国特許第4.21
6.401号に開示きれている。このようなセンサはそ
の作動特性に甚だしい制約があるか、或いは接合上の制
約によって性能低下を受けた如実際上機能不良を生じた
りする。
Methods for manufacturing pressure-sensitive diaphragms for SAW sensors are well known. A sensor with a piezoelectric transducer attached to a steel beam by thin film technology
No. 4,107,626, issued on August 15, 1978, to Mr. In 1980, a sensor having two substrates with the same thickness and bonded in the same orientation to each other, a SAW substrate and a pace substrate, was developed.
Wagner U.S. Patent No. 4.21, dated August 5,
It has been disclosed in No. 6.401. Such sensors either have severe limitations in their operating characteristics or may actually malfunction due to reduced performance due to bonding constraints.

又、例えば、1978年7月180付のCallen氏
等の米国特許第4.100,811号に開示されたよう
に、5AW一体に中央91jl#lをあけることによっ
て感圧ダイヤフラムが形成される。この解決策では、感
知領域で接合を行なわずにすむが、この形式の穴あけさ
れたダイヤフラムは、所望の厚み又は非常に薄い厚みに
作ることが容易で々く、又、膜面を平行に作ることも容
易でない。更に、鋭くて深い隅にストレスが集中し、こ
れによりこのセンサは低圧力の使用目的に駆足される。
Alternatively, a pressure sensitive diaphragm may be formed by drilling a central hole 91jl#l in a 5AW unit, as disclosed, for example, in US Pat. No. 4,100,811 to Callen et al., issued July 180, 1978. Although this solution eliminates the need for bonding in the sensing area, this type of perforated diaphragm is easy to make to the desired thickness or very thin, and the membrane planes can be made parallel. It's not easy either. Furthermore, the stress is concentrated in sharp and deep corners, which favors the sensor for low pressure applications.

上記した問題の幾つかを解決する円筒状の感圧ダイヤフ
ラムが、1975年4月15日付のDlas氏等の米国
特許第5,878.477号に開示されている。流体を
ダイヤプラムの内部に入れて圧力の測定を行なうために
各エンドキャッグが設けられている。然し乍ら、このよ
うな円筒状ダイヤフラムは、m変質化が圧力測定に悪影
響を及ぼすという点で欠点がある。
A cylindrical pressure sensitive diaphragm that overcomes some of the problems described above is disclosed in U.S. Pat. No. 5,878,477 to Dlas et al., dated April 15, 1975. Each endcag is provided for admitting fluid to the interior of the diaphragm and making pressure measurements. However, such cylindrical diaphragms have the disadvantage that m-modification has a negative effect on pressure measurements.

一般に、DIδS 氏等の特許に開示された円筒状感圧
ダイヤフラムを含むSAW装置を用いたセンサは温度変
化によって悪影響を受ける。このよりなSAW装置は、
一般に、水晶、ニオブ酸リチウム、タンタル酸リチウム
のような圧電拐料のSAW基体か、或いは酸化亜鉛のよ
う々圧電材料の適当な薄膜を有するシリコンのような複
合処理基体を備えており、これらは全てその表面下布の
化に応答して表面音波伝搬速度に測定可能な変化を与え
るに充分な音響−電気結合を示す。これらの側斜は温度
やストレスや加速度を含む歪関連現象を感知するので、
王カセンサは温度変化を浦IAする手段を備えていなけ
ればならないか、或いはSTカット((Vxwl)0°
/42 、75° )父はSSTカット((yxwl)
0°/−49,22°、伝搬方向は二方晶細から26°
 )のような幌度補IAの方向が使用これる場合には、
所嶋の温度又はH「与の狭い温度範囲で作動しなければ
ならない。
In general, sensors using SAW devices that include a cylindrical pressure sensitive diaphragm as disclosed in the DIδS et al. patent are adversely affected by temperature changes. This advanced SAW device is
These generally include SAW substrates of piezoelectric materials such as quartz, lithium niobate, lithium tantalate, or composite treated substrates such as silicon with a suitable thin film of piezoelectric materials such as zinc oxide. All exhibit sufficient acoustic-electrical coupling to produce measurable changes in surface acoustic wave propagation velocity in response to changes in their subsurface fabric. These slopes are sensitive to strain-related phenomena, including temperature, stress, and acceleration.
The sensor must be equipped with a means to compensate for temperature changes or ST cut ((Vxwl) 0°
/42, 75°) My father has an SST cut ((yxwl)
0°/-49,22°, propagation direction is 26° from digonal thin
), if the direction of the hood compensation IA can be used,
Tokoshima temperature or H' must operate within a given narrow temperature range.

種々の形式のセンサの温度変化をt…償する技術として
は幾つかの技術が知られている。前記したにlewlt
 氏の特許には、衣面叶波が水温的に同一の−°般的に
平らな間の隣接領域において伝搬して各領域に対する温
度変化の影響が実・編曲に等しくされるよう々幅度@慣
技術が開示されている・センサに力がか\ると、各領域
−一方の領域は圧縮状態にありそしてイ1!1方の領域
は引張り状態にある−に関連した各発振器の出力を混合
することによってイ(jた周波数の差は、ビームの伸件
限界内でのその撓みに比例する。前記のDlas 氏等
の特許には、圧電側斜の一般的に平らな1つの基体に接
続された2つの表IIn音波発振器が基体の表面に直角
に与えられた力に応答して各周波数を逆に変化させるよ
う7)温度補償技術が開示享れている。
Several techniques are known for compensating for temperature changes in various types of sensors. The above mentioned lewlt
His patent states that waves propagate in adjacent regions of generally flat areas of the same water temperature, such that the effect of temperature changes on each region is equal to the actual and arranged widths. A conventional technique is disclosed: When a force is applied to the sensor, the output of each oscillator associated with each region - one region in compression and one region in tension is determined. By mixing, the difference in frequency is proportional to its deflection within the beam's elongation limits. 7) A temperature compensation technique is disclosed in which two connected sonic oscillators vary their respective frequencies inversely in response to forces applied perpendicular to the surface of the substrate.

前記のRe5der 氏等の特許には、センサの2つの
音響チャンネルが、一般的に平らなダイヤフラムの同じ
基体士に互いに接近して形成されていて、それらの温度
差が小さくされた温度補ffJ技術が開示されている。
The Re5der et al. patent described above discloses a temperature compensation ffJ technique in which the two acoustic channels of the sensor are formed in close proximity to each other on the same substrate of a generally flat diaphragm so that the temperature difference between them is reduced. is disclosed.

1つのチャンネルは主チャンネル即ち測定チャンネルで
あり、他方のチャ、ンネルは基準チャンネルである。基
準チャンネルの圧力は一定に保持され、1tltl定チ
ヤンネルの出力は、基準チャンネルの出力と混合された
後、絶対圧力の尺度となる。1975年5月27日付の
Dlar 氏等の米国特許第3,886,484号には
、2本の遅延線−その一方はθ=42.75°の回転Y
カットそして他方はR=35°の回転Yカッ) −がカ
スケード接続されて安定作動の温度範囲を広くするよう
な装置が開示されている。又、1976年12月21日
付のotte 氏等の米国特許第3.999,147号
には、別々の方向に沿った遅延の温度係数が逆符号とな
るように側斜と結合された反射格子を有する音波装置が
開示されている。音波は、遅延に対して直線的なゼロ温
度係数を与えるように適当な経路長さに沿って伝搬され
る。
One channel is the main or measurement channel and the other channel is the reference channel. The pressure in the reference channel is held constant and the output of the 1tltl constant channel becomes a measure of absolute pressure after being mixed with the output of the reference channel. Dlar et al., U.S. Pat.
A device is disclosed in which a cut and on the other hand a rotation Y cut with R=35°) are connected in cascade to widen the temperature range of stable operation. Also, U.S. Pat. A sonic device is disclosed. The sound waves are propagated along a suitable path length to give a linear zero temperature coefficient of delay.

発明の概要 それ故、本発明の目的は、圧力及びこれに関連した現象
を測定するのに適した感知用ダイヤフラムを提供するこ
とである。
SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to provide a sensing diaphragm suitable for measuring pressure and related phenomena.

この目的及び他の目的は、本発明の1つの%徴によれば
、円筒状又は球状の外面と円筒状又は球状の内面を備え
た結晶質ダイヤフラム区分を備えていて、上記外面及び
内面の一方は与えられた圧力を受けるようにされ、そし
て上記外面及び内面の他方は、選択はれた方向(オリエ
ンテーション)を有していて表面音波装置の形成に用い
られる第1の領域と、この第1領謔の向きと集信的に同
一の方向にこれていて表面音波装置婿の形成に1月いら
れる第2領域とを備え、与えられた圧力を受ける工うに
された上記面と上記第1碩域との間の上記ダイヤフラム
区分の第1部分は第1の所定の厚みを有し、そして与え
られた圧力を受けるようにされた上記面と上記第2領域
との間の上記ダイヤフラム区分の第2部分は上記第1の
所定厚みとは異なる第2の所定厚みを有するような表面
叶波信号周波数el&によって達成される・ 本発明の別の特徴として、円筒状又は球状の外面と、円
筒状又は球状の内面とを有する結晶質ダイヤフラム区分
を備えていて、上記外面は与えられた等方件の力を受け
るようにさ几そして上記内面は選択ばれた結晶格子構成
の領域をイイしており、この領域は我面廿波装置)Iの
形l戎に用いられるような表面音波−信号周波数装岬が
提供される。
This and other objects are achieved according to one aspect of the invention, comprising a crystalline diaphragm section with a cylindrical or spherical outer surface and a cylindrical or spherical inner surface, one of said outer and inner surfaces. is subjected to an applied pressure, and the other of said outer and inner surfaces has a first region having a selected orientation and is used to form a surface acoustic wave device; a second region facing in the same direction as the direction of the waveform and facing the formation of the surface acoustic wave device, said surface adapted to receive an applied pressure; a first portion of said diaphragm section between said surface and said second region having a first predetermined thickness; and said diaphragm section between said surface and said second region adapted to receive an applied pressure. The second portion is achieved by a surface wave signal frequency el& such that the second portion has a second predetermined thickness different from the first predetermined thickness. a crystalline diaphragm section having a shaped or spherical inner surface, said outer surface being adapted to receive a given isotropic force, and said inner surface being adapted to receive a region of selected crystal lattice configuration. This area is provided with a surface acoustic wave signal frequency cape, such as that used in surface wave devices (I).

本発明の他の目的、特徴及び・時性は、添付図面を参照
した以下の1細な説明より明らかとなろう。
Other objects, features and aspects of the present invention will become apparent from the following detailed description with reference to the accompanying drawings.

添付図面におhては、同様の部分か同様の溝間番号で示
されている。
In the accompanying drawings, similar parts are designated by similar groove numbers.

好ましい弊励例の詳細な説明 本発明の感知ダイヤフラムは、第1図ないし第3図に示
された内部に荷重のか\る形式の実施例及び第4図々い
し第5図に示された外部に荷重のか\る実施例について
一般的に説明−ノーる。本発明のilr規冷感知ダイヤ
フラムは、外部に荷重のか\るものも内部に萌第のか(
るものも、圧力の感知−〇に良く適してかり、力や加速
度のような当該現象を感知するのに利用できる。本発明
の新規な感知ダイヤフラノ・は、例えば、o’cfxい
し100Cの塩度範囲にわたりそして成る実施例では2
75℃又はそれ以上の温度に対し、は′!1″0.01
psi (0、0O07に9々2)又はそれ以上の高い
分解能で、フルスケールのはyo、ozs9に又ハそれ
以上の高い精度で、はV2O秒又はそれ以上の速い応答
時間で、はソ106 又はそれ以上の広いダイナミック
レンジで、更に、ダート時間1秒又はそれ以上に対して
はyΔf/f= 11−IQ という良好々短時間周波
数安定性で、そしてはソΔf/f=10″″67年 又
はそれ以上という良好な長時間周波数安定性による良好
なニーソング特性で、0pslないし8 * 000 
ps 1 (560kg/(−”In2)というレンジ
の圧力を感知しそして成る実施例では30.000ps
l (210□ Kg/1x2)又はそれ以上の圧力を
感知するように作動しなければならない・作M原理、適
当な圧力ハウジング及び適当な電気回路について以下に
説明する・ 第1図ないし第3図に示された内部に荷重のかかる実施
例においては、好ましくは水晶である円筒状部剃1に2
つの長手方向平面2a及び2bが設けられており、これ
らの平面は好ましく幻円筒部+t lの外面に形成され
るが、各平行面内に存在する平面2a及び2bのように
必ずしも互いに対向するものでなくてもよい。各平面2
a及び2bは深さr、まで切削(ミーリング)される。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The sensing diaphragm of the present invention comprises an internally loaded embodiment shown in FIGS. 1-3 and an externally loaded embodiment shown in FIGS. 4-5. A general description will be given of embodiments in which loads are applied. The ILR cold-sensing diaphragm of the present invention has a load on the outside and a load on the inside.
These devices are also well suited for pressure sensing and can be used to sense such phenomena as force and acceleration. The novel sensing diaphragm of the present invention spans a salinity range of e.g.
For temperatures of 75°C or higher, ha'! 1″0.01
High resolution of psi (0,0007 to 9 to 2) or better, full scale accuracy of yo, ozs9 or more, fast response time of V20 seconds or more, 106 or more, with good short-term frequency stability of y∆f/f = 11-IQ for dirt times of 1 second or more, and so ∆f/f = 10''67 0 psl to 8 * 000 with good knee song characteristics with good long term frequency stability of 2000 or more years.
ps 1 (30.000 ps in an embodiment that senses pressure in the range of 560 kg/(-”In2) and consists of
(210□ Kg/1x2) or more. The principle of operation, a suitable pressure housing and a suitable electrical circuit are described below. Figures 1 to 3. In the internally loaded embodiment shown in FIG.
Two longitudinal planes 2a and 2b are provided, which planes are preferably formed on the outer surface of the phantom cylinder +tl, but are not necessarily opposite to each other, such that the planes 2a and 2b lie in each parallel plane. It doesn't have to be. Each plane 2
a and 2b are milled to a depth r.

必要とさ1するのは単1の平面だけであるが、同様に切
削された2つの対向平面を用いると、機械的な対称性が
与えられると共に、後述するような別の効果も得られる
。円筒1には穴4が形成され、穴4と円筒】の軸は一致
する。第1図力いし第3図に示されたダイヤフラム及び
以下に述べる内部に荷重のか\る別の実施例のダイヤフ
ラムの糊々の構造上のかつこうは、特に指示のない限り
、以下に示すような大きさにづれるが、使用される材料
の種類、構造体に使用されるSAW装署の形式、SAW
装置の位置を決める表面晋波エネルギの伝搬方向、及び
圧力センサの仕様といつrものの関数である寸法は特定
の使用目的に1“艮も合った大きさにされるものとする
。円筒1は、直44’−,I Q Iが26朝であり、
長#’L’が65胴である。各々の平面2a及び2bは
、巾が14 trmじCあり、酷さが21關である。穴
4は置所が10跣である。切削の深さrl は2咽であ
る。穴4の位置及び各平面が切られる深ばrl によっ
て厚みtl −6mu −が決まる。
Although only a single plane is required, the use of two similarly cut opposing planes provides mechanical symmetry and has other effects as described below. A hole 4 is formed in the cylinder 1, and the axes of the hole 4 and the cylinder coincide with each other. The structural components of the diaphragm shown in Figures 1 to 3 and of the other internally loaded diaphragm embodiments described below are as follows, unless otherwise indicated. Depending on the size, the type of material used, the type of SAW mounting used in the structure, the SAW
The dimensions, which are a function of the direction of propagation of the surface wave energy that determines the position of the device, and the specifications and conditions of the pressure sensor, shall be sized to suit the particular application. , direct 44'-, I Q I is the 26th morning,
The length #'L' is 65 cylinders. Each plane 2a and 2b has a width of 14 trms and a hardness of 21 trms. Hole 4 is located at 10 feet. The cutting depth rl is two degrees. The thickness tl -6mu - is determined by the position of the hole 4 and the depth rl at which each plane is cut.

上記の寸法は、内部に荷重のか\る実施例及び外部に#
重のか(る実施例について述べた以下の説明を通して高
圧ダイヤフラムに適した寸法の組合せの一例をなす。寸
法の選択は、構造体の熱掘を下げる一方、例えば温度勾
配をすばやく平衡きせるように単位質量当たりの表面K
Nを比較的大きく維持し、高圧作動に対して構造強度を
得、そして使用されるSAW装置の製造及び性能に対1
−る条件を受け容れるといった種々の関係の兼ね合いで
行なわれる。内部に荷重のか\る実#i1+llに対す
る上記の寸法では、例えば14隅×21鮪という切削さ
れた平面は、ダイヤフラムの物理的fr質肘及び平面の
作動領域のヒステリシスをJθ小にする一方、充分な強
度を与えるような大きさである〇然し乍ら、SAW装置
自体によって必要とされる面積は、作wJpA度にもよ
るが、2IIIm×10M又はこれ以下である。
The above dimensions apply to examples with internal loads and external loads.
The following description of a heavy-duty embodiment provides an example of a combination of dimensions suitable for a high-pressure diaphragm. The selection of dimensions is designed to reduce the thermal excavation of the structure while, for example, to quickly equilibrate temperature gradients. surface K per mass
N is kept relatively large, provides structural strength for high pressure operation, and provides relative stability to the fabrication and performance of the SAW equipment used.
This is done by balancing various relationships, such as accepting the conditions of With the above dimensions for the fruit #i1+ll with internal load, the cut plane of, for example, 14 corners x 21 tuna, will reduce the physical fringe of the diaphragm and the hysteresis of the working area of the plane Jθ while minimizing it sufficiently. However, the area required by the SAW device itself is 2IIIm x 10M or less, depending on the degree of production.

この実施例及びここに述べる1111の実施例のダイヤ
フラムは、内部に荷重のか\る−ものも外部に荷重のか
\るものも、単1部片の弾力性圧電物質で作られるのが
好ましb0水晶は、入手できる土竜材料の中でも音響ロ
スの最も少ないものの1つであり、これはクリスタル制
御発振器の短時rdj安定性/中程度時間安定性を良く
するために必要とされる条件である。エネルギロス/単
位体積/サイクルと蓄fjt弾性エネルギ/単位体積/
サイクルとの比Δを音軒のQとすると、水晶のQは特定
の温度及び周波数においてQ−1=へ72/rと表わす
ことができ、これは汁響ロスが伝搬音波の速度に逆比例
することを意味する。Qと周波数(サイ24フ秒)との
積は、水晶における表面波についてはほぼ1013に等
しい。水晶は、雀の良す高純度水晶(utL<はプレミ
アム又はオプチカルグレードの水晶)を選ばねばならな
い。その他の適当な圧電物質としては、ニオブ酸リチウ
ムや、タンタル酸リチウムや、複合処理基体例えば酸化
亜鉛のような圧′晰側斜の適当な薄膜が被着されたシリ
コンが含まれる。円筒状ダイヤフラムの実施例において
は、主に発生するストレスがフープストレスであり、こ
れは軸方向ストレスよりも相当に大きい。
The diaphragms of this embodiment and the 1111 embodiment described herein, both internally loaded and externally loaded, are preferably made of a single piece of resilient piezoelectric material. Quartz has one of the lowest acoustic losses of the available earthen materials, a requirement for good short-term RDJ stability/medium-time stability of crystal controlled oscillators. Energy loss/unit volume/cycle and storage fjt elastic energy/unit volume/
If the ratio Δ to the cycle is the Q of the sound eaves, the Q of the crystal can be expressed as Q-1=72/r at a specific temperature and frequency, which means that the acoustic loss is inversely proportional to the speed of the propagating sound wave. It means to do. The product of Q and frequency (si 24 fsec) is approximately equal to 1013 for a surface wave in a crystal. The crystal must be a high-purity crystal (utL< is premium or optical grade crystal). Other suitable piezoelectric materials include lithium niobate, lithium tantalate, and silicon having a suitable thin film deposited on a composite treated substrate such as zinc oxide. In the cylindrical diaphragm embodiment, the predominant stress generated is hoop stress, which is significantly greater than axial stress.

ここに述べる神々のダイヤプラムの実施例の構造士の特
徴及び選択された寸法は、K”l中で測定して200 
MHzで約402口00という非常に高いQをセンサに
与えるものでなければならない・例えば、平面2B及び
2b付近の円筒10区分は、王として、穴4への流体の
導入によって作用ヲ受け、流体により与えられる力に応
じてcs性的に変形する。これらの区分はダイヤフラム
の両端から充分に離れており、従って、センサの高いQ
と力とが効率よく結合される。これら区分の弾性変形は
、以下に律べるように関連発振回路の周波0の変化とし
て検出される。
The structural features and selected dimensions of the Divine Diaphragm embodiment described herein are 200 mm as measured in K"l.
It must give the sensor a very high Q of about 402 mm at MHz. For example, the 10 sections of the cylinder near the planes 2B and 2b are acted upon by the introduction of fluid into the hole 4 as a cs deforms sexually in response to the force exerted by it. These sections are far enough away from the ends of the diaphragm that the sensor's high Q
and force are efficiently combined. The elastic deformation of these sections is detected as a change in the zero frequency of the associated oscillator circuit, as defined below.

所望の作動特性をもつSAW装Wは切削された平面上に
形成されるのが好ましいが、その他の輪郭界面に形成す
ることもできる。例えば、SAW装置及び伝搬路はカー
ブした面に組合わせることもできるし、SAW装置を平
らな面に形成して伝播路の1部をカーブした面上に殴け
ることもできるし、或いはSAW鮪置装カーブL 77
:面上に形成して伝播路の1部を平らな面上に設けるこ
ともできる。更に、SAW装置屓は、ダイヤフラムを断
IM図でみた時に集線にみえるような平面上にあっても
よいし、或いはダイヤプラムに適当に作られたノツチや
成る角変のチャンネル又は曲線状のチャンネルにあって
もよい。平面、チャンネル又はノツチの鋭い領域は、ス
トレスの集中が生じるのを防ぐために所望の程度まで滑
かなものKしてもよい。
Although the SAW device W with the desired operating characteristics is preferably formed on a cut plane, it can also be formed on other contoured interfaces. For example, the SAW device and the propagation path can be combined on a curved surface, the SAW device can be formed on a flat surface and a portion of the propagation path can be placed on the curved surface, or the SAW device and the propagation path can be combined on a curved surface. Equipment curve L 77
: It can also be formed on a plane so that a part of the propagation path is provided on a flat plane. Additionally, the SAW device may be located on a plane that looks like a convergence line when the diaphragm is viewed in a cross-sectional IM view, or may be formed by a notch or an angular or curved channel appropriately made in the diaphragm. It may be in Sharp areas of planes, channels or notches may be smoothed to a desired degree to prevent stress concentrations from occurring.

例えば温度に対する敏感さΔf/fΔT及び圧力に対す
る敏感さΔl/fΔPを含む作動特性は、表面音波を伝
搬する基体の向きと、表面音波の伝搬方向(1回回転さ
れた方向において三方晶軸に対して測定されたもので、
以下”γ″と称する)とによって左右される。一般に、
特定の向きにされたsAW装置frの応答は、温度及び
圧力についての2次元多項式によって次のように表わす
ことができる。
For example, the operating characteristics, including temperature sensitivity Δf/fΔT and pressure sensitivity Δl/fΔP, depend on the orientation of the substrate that propagates the surface acoustic waves and the propagation direction of the surface acoustic waves (with respect to the trigonal axis in the direction rotated once). It was measured by
(hereinafter referred to as "γ"). in general,
The response of a particular oriented sAW device fr can be expressed by a two-dimensional polynomial in temperature and pressure as follows.

f (T 、P ) = Gotl) 十G、T + G2T + G、T’ + −−−+ 
G4P + G5P + G6P5+ −−−+ G、
TP + G8T P −1−G、TP2+ −−−基
体の方向は% In5titute of Radi。
f (T, P) = Gotl) 10G, T + G2T + G, T' + ---+
G4P + G5P + G6P5+ ---+ G,
TP + G8T P -1-G, TP2+ ---The direction of the substrate is % In5 orientation of Radi.

Engineers &現在の1nstltute o
f Electricaland Electronl
c Engineers即ち’IEEE”Icよって採
用された規格に基いて指定され、これは1949年12
月のProceedings of the 1.Rl
E。
Engineers & current 1nstltute o
f Electricaland Electronl
c Engineers, or 'IEEE', based on standards adopted by Ic, December 1949.
Proceedings of the Moon 1. Rl
E.

の第1378−1390員に掲載された’ 5tand
ards on Plezaelectrlc Cry
stals 。
Published in 1378-1390 members of '5tand
ards on PleazaelectrlcCry
stals.

1949 : 5tandard 49 IRE 14
 、 S 1 ”に述べられており、参考としてここ妊
取り上げるものである。1回回転した切断部及び2回回
転した切断部の両方をここでは用飴(y、xwl )Φ
/θで示す。
1949: 5 standard 49 IRE 14
, S1'', and is taken here for reference.Both the cutting part rotated once and the cutting part rotated twice are expressed as (y, xwl)Φ
/θ.

水晶は、三方晶系1国際点群32、クラスD3(ショー
エンフライス(5choenflles )記号)に属
する本のであり、X軸及びZ軸に対して各々三方(2π
/2倍)対称性及び三方(3π/2倍)対称性を示し、
これは、結晶の対称性により。
The crystal belongs to the trigonal system 1 international point group 32, class D3 (5choenfleas symbol), and has three directions (2π
/2 times) symmetry and three-way (3π/2 times) symmetry,
This is due to the symmetry of the crystal.

Φ=n(120° )±Φθ(n=0.1.2 )及び
θ=θ。+m(180°)(m=+)、1)の方向が全
く等しいことを意味する。
Φ=n(120°)±Φθ(n=0.1.2) and θ=θ. +m (180°) (m=+), 1) means that the directions are exactly the same.

1回回転された方向を平面に得るためには、円筒1の長
手軸と水晶片のX軸とが互いに平行になるように水晶片
から円筒lをくり抜かねばたら々い。この場合には、平
面2aけ選択された回転面だけY軸からずらされた線に
垂直な面において深さr、まで削られ、そして平面2b
は選択された回転角プラス1806だけY軸からずらさ
れた線に垂直な面において深さ「1 tで削られる。平
面2a及び2bは互いに180°1IIl#れでいるの
で。
In order to obtain a plane in the direction of one rotation, it is necessary to cut out the cylinder l from the crystal piece so that the longitudinal axis of the cylinder 1 and the X axis of the crystal piece are parallel to each other. In this case, only the selected rotating surface of plane 2a is cut to a depth r in a plane perpendicular to a line offset from the Y axis, and plane 2b
is cut to a depth of 1 t in a plane perpendicular to a line offset from the Y axis by the selected angle of rotation plus 1806. Since planes 2a and 2b are 180° apart from each other.

それらの方向は水晶の三方対称性により同一となる(く
り抜き及び切削プロセスの機械的な精度内で)。
Their directions are the same (within the mechanical precision of the hollowing and cutting process) due to the three-way symmetry of the crystal.

平面28及び2bがいったん削られると、SAW装置を
形成するため表面が加工処理される。プローブ構造体に
荷重がか一つだ時に本来の表面ストレスが発生したり切
削面に極微クラックが生じ始めたりするのを最少限にす
るために表面の処理及び光学的なつや出しには相当の注
意を払わねば々らない。上記の本来の表面ストレスは機
械で切削された面の凹凸によって生じるもので、SAW
発振器が成る時間にわたって弛緩する時にSAW発振器
の周波数特性に作用を及ばす0この作用は圧力センサの
精度及び安定性KIff大な影響を与える。
Once planes 28 and 2b are ground, the surfaces are machined to form the SAW device. Considerable care should be taken in surface treatment and optical polishing to minimize the occurrence of inherent surface stress and the onset of minute cracks on the cut surface when a single load is applied to the probe structure. I have to pay. The above-mentioned original surface stress is caused by the unevenness of the surface cut by a machine, and SAW
This effect on the frequency characteristics of the SAW oscillator as the oscillator relaxes over time has a significant impact on the accuracy and stability of the pressure sensor KIff.

表面処理及びつや出し技術は適当なものが知られている
Suitable surface treatment and polishing techniques are known.

SAW遅延線又は共振器を平面に適当に形成する技術は
公知であるから、簡単に説明するだけにする。S A、
W遅延線及び共振器は本発明の圧力センサに用いるのに
特に効果的である。表面音波は結晶固体の清らかな面に
伝搬させることができる。
Techniques for suitably forming SAW delay lines or resonators in a plane are well known and will only be briefly described. SA,
W delay lines and resonators are particularly effective for use in the pressure sensor of the present invention. Surface sound waves can be propagated onto clear surfaces of crystalline solids.

このような表面音波のエネルギは被寄生物質の深さと共
に指数関数的に減衰し、波エネルギの大部分り表面から
1波長以内に集中される。それ故、表面音波は被寄生固
体の反対面がさらされる条件に実質的に拘りなく伝搬す
る。更に、等価電気回路の約100倍という非常に大き
なQを呈するSAW遅延線及び共振Sはクリスタル制御
発掘器のフィードバック素子として便利に使用さhる。
The energy of such surface sound waves decays exponentially with depth in the parasite, with most of the wave energy being concentrated within one wavelength of the surface. Therefore, surface sound waves propagate substantially regardless of the conditions to which the opposite surface of the infested solid is exposed. Additionally, SAW delay lines and resonant S exhibiting a very large Q, about 100 times that of the equivalent electrical circuit, are conveniently used as feedback elements in crystal-controlled excavators.

更に、SAW遅延線及び共振器の狭帯域rjJ特性によ
り、更に正確な共振周波数を得ることができる。
Furthermore, the narrowband rjj characteristics of the SAW delay line and resonator allow more accurate resonant frequencies to be obtained.

SAW遅延線は、圧電基体の表面に配置された入力電極
の配列体及び出力電極の配列体を備えている。これらの
電極配列体は、基体の表面に沿ってエンPファイヤ(e
nd flre ) 方向に音波エネルギを送出する直
線配列体の形態である。例えば、第1図ないし第5図の
感圧ダイヤフラムの実施例では、一方の表面波遅延線は
、例えば標準的な写真平版技術及び薄膜技術によって平
面28に形成されたインターデジタル型のC指を組んだ
形式の)トランスジューサ6a(送信器)及び88(受
信器)を備えている。自己誘起ノイズがSAW装置の短
時間又は長時間安定性を許容できない程制限する場合に
は、ここに参考として取り上げるParker 氏等の
米国特許(1981年5月26日付の第4,270.1
05号)K開示されたように、電極構造体、この場合は
インターデジタル型トランスジューサ68及び8a% 
Kへこみをつけることによって安定性を改善することが
できる。
A SAW delay line includes an array of input electrodes and an array of output electrodes disposed on the surface of a piezoelectric substrate. These electrode arrays are arranged along the surface of the substrate by en-P-fire (e
It is in the form of a linear array that delivers sonic energy in the nd flre ) direction. For example, in the pressure sensitive diaphragm embodiments of FIGS. 1-5, one surface wave delay line has an interdigital C-finger formed in plane 28 by, for example, standard photolithographic and thin film techniques. (in assembled form) transducers 6a (transmitter) and 88 (receiver). If self-induced noise unacceptably limits the short-term or long-term stability of the SAW device, U.S. Pat. No. 4,270.1 of Parker et al.
No. 05) K As disclosed, the electrode structure, in this case an interdigital transducer 68 and 8a%
Stability can be improved by adding a K-indentation.

同様に、第2の表面波遅延線は平面2bに形成されたイ
ンターデジタル型のトランスジューサ6b(送信器)及
び8b(受信器)を備えているO各トランスジューサの
指は半波長だけ離間され、この波長は所定周波数の波が
発生されるように圧電物質の選択された方向に対する伝
搬速度を考慮して選択される。これにより発生される波
の撮巾及び帯域中は配列体に用いられる指対の数で決定
され、帯域中は指の数に逆比例する。基体に卦ける伝搬
方向rはインターデジタル型トランスジューサの指に対
して直角である。エネルギの流れ方向と波ベクトルとの
間の角度として定義される電力角度は、水晶の5T−X
カット及びSSTカットの場合のような純モード方向に
ついてはOである。
Similarly, the second surface wave delay line comprises interdigital transducers 6b (transmitter) and 8b (receiver) formed in plane 2b; each transducer finger is separated by half a wavelength; The wavelength is selected taking into account the propagation speed of the piezoelectric material in the selected direction so that a wave of a predetermined frequency is generated. The width and bandwidth of the waves thus generated are determined by the number of finger pairs used in the array, and the bandwidth is inversely proportional to the number of fingers. The propagation direction r in the substrate is perpendicular to the finger of the interdigital transducer. The power angle, defined as the angle between the direction of energy flow and the wave vector, is the 5T-X
O for pure mode directions as in the case of cuts and SST cuts.

便利にもSAW共振器社成る条件の下でけSAW遅延線
と取り替えてもよい。’SAW共振器はイオンで削られ
たグループ又は反射ストリップを用いて、中央に電極配
列体をもつ共振空胴を形成する。
Conveniently, the SAW resonator may be replaced with a SAW delay line under certain conditions. 'SAW resonators use ion-ablated groups or reflective strips to form a resonant cavity with an electrode array in the center.

SAW遅延線及び共振器に関連した製造上の問題及び実
際上の問題が、1974年5月、Ul trasonl
csの第115頁匁いし第126頁に掲載されたM、F
Manufacturing and practical issues associated with SAW delay lines and resonators were discussed in the May 1974 Ultrasonl.
M, F published on page 115 and page 126 of cs
.

Lewls著の’ 5urface Acoustic
 Wav@Devlcesand AppHcatlo
ns、セクション6、0sclllators−−Th
e Next 5uccessful 5urface
 AcoustlcWave Devlce ’%及び
参考としてここに取り上げる1976年5月、 Pro
ceedlngs 、of the l E E E。
'5surface Acoustic by Lewls
Wav@Devlcesand AppHcatlo
ns, Section 6, 0scllators--Th
e Next 5uccessful 5urface
AcoustlcWave Devlce'% and incorporated herein by reference May 1976, Pro
ceedlngs, of the l E E E.

第64巻、第5号の第711頁ないし第721頁に掲載
されたり、T、 Be目二世及びR、C,M、 Ll著
の’ 5urface−Acoustlc Wave 
Rosonators ’に詳細に説明されている。
Volume 64, No. 5, pages 711 to 721, and '5 surface-Acoustlc Wave' by T. B. II and R. C. M. Ll.
Rosonators'.

R1図々いし第5図に示された実施例の感圧ダイヤフラ
ムは適当な耐圧・・ウジング内に取り付けられそして適
当な電気回路に接続される。耐圧I・ウジングは、内部
に荷重がか\る別の実施例について以下で説明する。第
6図にFi電子回路が一例として示されている。発振n
 203 m及びカウンタ208aを含むチャンネルと
、発掘器203b及びカウンタ208bを含むチャンネ
ルとの2つの測定チャンネルが示されている。発46器
203a及び203bは、例えば第1図ないしII3図
の実施例のダイヤフラムに相当するダイヤフラム200
に接続される。発振器203aは、SAW装置2028
(これは例えば平面2 a s送信器6a及び受信器8
aより成るSAW遅帆線に相当する)と、広帯域増巾器
20・4aと、フィードバック構成で接続された整合回
路網206a及び213aとを備えている。発振器20
3bは、9AW装置202b (これは例えば平面2b
、送信器6b及び受信器8bより成るSAW遅延線に対
応する)と、広帯域増巾器204bと、フィードバック
構成で接続された整合回路網206b及び213bとを
備えている。
R1 The pressure sensitive diaphragm of the embodiment shown in FIGS. 5-5 is mounted within a suitable pressure housing and connected to a suitable electrical circuit. Another embodiment of the pressure-resistant I-Using, in which a load is applied inside, will be described below. An example Fi electronic circuit is shown in FIG. Oscillation n
Two measurement channels are shown: one containing excavator 203 m and counter 208a, and the other containing excavator 203b and counter 208b. The generators 203a and 203b are, for example, diaphragms 200 corresponding to the diaphragms in the embodiments of FIGS.
connected to. The oscillator 203a is a SAW device 2028
(This is for example plane 2 a s transmitter 6a and receiver 8
(corresponding to a SAW slow sail line consisting of a), broadband amplifiers 20 and 4a, and matching networks 206a and 213a connected in a feedback configuration. Oscillator 20
3b is the 9AW device 202b (this is, for example, the plane 2b
, a SAW delay line consisting of a transmitter 6b and a receiver 8b), a broadband amplifier 204b, and matching networks 206b and 213b connected in a feedback configuration.

SAW発振器の設計は公知であるから、ここでは簡単に
説明するだけKする。SAW発振器の1つの部品は、広
帯域増巾器のフィードバック路にあるSAW遅延線又は
共振器である。表面波速度が変化すると、これに応じて
正確に測定できる変化が発振周波数に現われる。適切に
設計されたSAW発振器は次のような特性を有している
Since the design of SAW oscillators is well known, only a brief description will be given here. One component of a SAW oscillator is a SAW delay line or resonator in the feedback path of a broadband amplifier. As the surface wave velocity changes, there is a corresponding change in the oscillation frequency that can be accurately measured. A properly designed SAW oscillator has the following characteristics:

(1) ループ利得が正味損失を上まわる。(1) Loop gain exceeds net loss.

(2) 発振周波数はインターデジタル型トランスジュ
ーサの通過帯域内に々ければならない。
(2) The oscillation frequency must be within the passband of the interdigital transducer.

(3) ループをめぐる全位相ずれけ2πの整数倍で設
ければならない。
(3) The total phase shift around the loop must be an integral multiple of 2π.

3番目の要件は次のように表わすことができる。The third requirement can be expressed as follows.

t φa f −十−= n (2+ v 2π 但し、fはSAW発振器の中心周波数であり、■は基準
フレームに対する表面波速度であり、 111ま基漁フ
レームにおける実効経路長さであり、φaは増巾器、整
合回路網及びインターデジタル型トランスジューサにお
ける位相ずれを表わし、セしてnFi整数である。位相
ずれφaは、一般に、典型的々SAW遅延線における数
百波倚という経路長さ1111/Cわたる位相ずれに比
較して無視できるものである。l固有〃速変の部分変化
は発振器の周波数の部分変化に等価であり、即ち。
t φa f −1−= n (2+ v 2π where f is the center frequency of the SAW oscillator, ■ is the surface wave velocity with respect to the reference frame, 111 is the effective path length in the base fishing frame, and φa is It represents the phase shift in amplifiers, matching networks, and interdigital transducers, where nFi is an integer.The phase shift φa is generally a path length 1111/ This is negligible compared to the phase shift over C. The partial change in the eigenspeed variation is equivalent to the partial change in the oscillator frequency, ie.

である。これは参考としてここに取り上げる1980年
9月J、App1. Phys、 51 (alの第4
659頁ないし第4665頁に掲載された5lnha 
&TlerStenのI On the temper
ature Dependenceof the Ve
locity of 5urface Wave in
 Quartz “に述べられている。
It is. This is included here as a reference, September 1980 J, App1. Phys, 51 (4th of al.
5lnha published on pages 659 to 4665
&TlerSten's I On the Temper
ature Dependence of the Ve
location of 5 surface Wave in
Quartz”.

正確に圧力を測定するための重要な特性であるSAW発
振器の周波数安定性は、一般にそうであるように、3つ
の領域について説明する。3つの領域とは、何秒という
時間、特に1秒から10秒という時間にわたる安定性を
指す短時間領域と。
The frequency stability of a SAW oscillator, which is an important characteristic for accurately measuring pressure, is generally described in three areas. The three regions are the short-term region, which refers to stability over a period of seconds, especially from 1 second to 10 seconds.

何時間という時間にわたる安定性を指す中程度時間領域
と、何ケ月又は例年という時間にわたる安定性を指す長
時間領域とである。短時間及び中程度時間の安定性(F
Mノイズ)は発振器の分解能及び精度の1部を左右する
ものであり、このノイズを最小限にするように種々の手
段を考えることができる。これらの手段としては、低ノ
イズ及び低利得の増巾器と、挿入ロスが低く急激な低位
1.−一周波数傾斜(群遅延)をもつSAW装置とを選
択することである。使用目的にもよるが、発掘器に対し
てSAW遅延線又はSAW共撮共金器択してもよい。遅
延線構造体は本来広帯域であり、同調性及び直線性が重
要視される場合に好ましく、一方、共撮器構造体は帯域
の狭い使用目的に対するノイズ性能が優れている。SA
W発振器では。
The medium time domain refers to stability over many hours, and the long time domain refers to stability over many months or years. Short and medium time stability (F
M noise) is a part of the resolution and accuracy of the oscillator, and various means can be considered to minimize this noise. These measures include low-noise and low-gain amplifiers and low insertion loss and abrupt low 1. - selecting a SAW device with one frequency slope (group delay). Depending on the purpose of use, a SAW delay line or a SAW co-optation device may be selected for the excavator. Delay line structures are broadband in nature and are preferred when tunability and linearity are important, while co-camera structures have superior noise performance for narrow band applications. S.A.
In the W oscillator.

1秒のゲート時間に対し少なくとも10−I+の周波数
安定性が得られている。これtよ正確な圧力測定に所望
される分解能及びダイナミックレンジを得るのに充分が
ものである。
A frequency stability of at least 10-I+ is obtained for a gate time of 1 second. This is sufficient to provide the desired resolution and dynamic range for more accurate pressure measurements.

SAW装置を同調する技術は色々なものが知られており
、例えば、参考としてここに取り上げる1981年1月
6日付のWh l t e氏等の米国特許第4.243
.960号に開示されている。SAW装置を基本周波数
又は適当な高調波周波数で作動する技術も色々なものが
知られており1例えば参考としてここに取り上げる19
81年2月3日付のYen氏等の米国特許第4.249
,146号に開示されている。
Various techniques for tuning SAW devices are known; for example, U.S. Pat.
.. No. 960. Various techniques are known for operating SAW devices at the fundamental frequency or at appropriate harmonic frequencies,1 for example, which are discussed here for reference19.
U.S. Patent No. 4.249 to Yen et al., dated February 3, 1981.
, No. 146.

発掘器203aの出力f8及び発掘器203bの出力f
bは各々のカウンタ208a及び208bへ送られ、こ
れらのカウンタはそれらの入力信号の周波数を各々カウ
ントし、そしてそのデジタル表示を出力に与え、発振5
203 a及び203bのアナログ出力をデジタル信号
に変換する。ライン201及び205に沿ってカウンタ
208a及び208bに信号を送るプロセッサ207に
よってサンプリングシーケン°只が開−始され1発掘器
203a及び203bの出力が各々サンプリングされて
その結果が入力ライン211及び212に沿って送られ
る。fa及びfbを表わしているデジタル信号はプロセ
ッサ207に送られ、プロセッサ207け圧力測定値を
め、その結果をオl用者に表示するために記録5209
に送り、そして次の測定サイクルのためにライン201
及び205に沿ってカウンタ208a及び208bを各
々リセットする。
Output f8 of excavator 203a and output f of excavator 203b
b is sent to each counter 208a and 208b, which each counts the frequency of their input signal and provides a digital representation thereof at the output to generate the oscillation 5.
The analog outputs of 203a and 203b are converted into digital signals. A sampling sequence is initiated by processor 207 which sends signals to counters 208a and 208b along lines 201 and 205 such that the outputs of excavators 203a and 203b are each sampled and the results are sent along input lines 211 and 212. will be sent. The digital signals representing fa and fb are sent to processor 207, which calculates the pressure measurements and records the results 5209 for display to the user.
and line 201 for the next measurement cycle.
and 205 to reset counters 208a and 208b, respectively.

プロセッサ207は曲線適合ルーチンか或いはルックア
ップテーブル及び補間技術かのいずれかを実行して、信
号fa及びfbの一方又は信号fa及びfb の平均値
から各々の圧力測定値をめる。
Processor 207 performs either curve fitting routines or look-up tables and interpolation techniques to determine each pressure measurement from one of signals fa and fb or the average of signals fa and fb.

周波数及び温度の関数としてSAW装MIVCよって測
定される圧力は次のような2次元多項式で表わすことが
できる〇 ρ(flT)=Ho (41 +H,f+H2f2+1−13f5+・・・+H4T+
H5T2+H6T!l+・・・+H7f T+HB f
 2 T+H1fT2 =・・・これは温度が一定であ
れば次のように簡略化される。
The pressure measured by the SAW-equipped MIVC as a function of frequency and temperature can be expressed by the following two-dimensional polynomial:〇ρ(flT)=Ho (41 +H, f+H2f2+1-13f5+...+H4T+
H5T2+H6T! l+...+H7f T+HB f
2 T+H1fT2 =...If the temperature is constant, this can be simplified as follows.

P(1)=Apf+B、f2+cpf’+Dp (5)
式(4)から係数A%e、c及びDは各々H1−)−H
7T+H9T2t・・・、H2+H8T+・・・、H3
+・・・、及びHo+H4T+H5T2+H6Ti5+
−・に相当する。曲線適合技術を実施する場合には1校
正段階中に1選択された信号が所与の作動温度において
選択された圧力レンジにわたって測定され、これにより
得た値を用りて式(5)の係数が導出される。測定段階
中には1校正段階中に決定され友係数を式(6)に用い
ることにより、選択された信号の周波数から圧力測定値
が計算される。ルツクアツゾテーブル技術ヲ実施する際
には1校正段階中に1選択された信号が所与の作動温度
において選択された圧力レンジにわたって測定され、こ
れにより得た値が圧力対周波数のテーブルC表)に蓄積
される。測定段階中にFi、ルックアップテーブルを調
べることによりそしてもし必要々らば補間技術を用いる
ことにより圧力測定値が決定される。曲線適合技術、並
びにルックアップテーブル及び補間技術は公知である。
P(1)=Apf+B, f2+cpf'+Dp (5)
From equation (4), the coefficients A%e, c and D are each H1-)-H
7T+H9T2t..., H2+H8T+..., H3
+..., and Ho+H4T+H5T2+H6Ti5+
- Corresponds to. When performing a curve fitting technique, during one calibration step one selected signal is measured over a selected pressure range at a given operating temperature and the resulting values are used to calculate the coefficients of equation (5). is derived. During the measurement phase, pressure measurements are calculated from the frequencies of the selected signals by using the coefficients determined during a calibration phase in equation (6). When implementing the Lutsukatsuzotable technique, during one calibration step one selected signal is measured over a selected pressure range at a given operating temperature and the resulting values are recorded in Table C of Pressure vs. Frequency. ). During the measurement phase, pressure measurements are determined by examining Fi, a look-up table, and using interpolation techniques if necessary. Curve fitting techniques and look-up table and interpolation techniques are known.

適当な曲線適合技術が&参考としてここに取り上げる1
973年、ニューヨークのMarcelDakker 
lnc+出版%J、M0Mendel著の’ Desc
reteTechniques of Parsmst
er Estlmatlon 1gl!2章−に説明さ
れている。又、適当な補間技術が、参考としてここに取
り上げる1957年、ニューヨークのMe Graw−
Hill Book Company Inc 出版。
Suitable curve fitting techniques & taken here for reference 1
Marcel Dakker, New York, 973
'Desc by lnc+Publishing%J, M0 Mendel
reteTechniques of Parsmst
er Estlmatlon 1gl! It is explained in Chapter 2. Appropriate interpolation techniques may also be used in the 1957 New York Me Graw-
Published by Hill Book Company Inc.

に、S、Kunz著の’ Numerical Ana
lysts ’ fii+ 5章に説明されている。
'Numerical Ana' by S. Kunz
lysts' fii+ Chapter 5 explains this.

fa及びfl)の値はプロセッサ207によって監視さ
れそして互いに比較されて所与の裕度以上のずれが検出
さiする。このずれはlイヤフラムの熱分布が不均一な
こと或いは少なくとも1つの発振器が故障したことを示
すものである。
The values of fa and fl) are monitored by processor 207 and compared with each other to detect deviations by more than a given tolerance. This deviation is indicative of non-uniform heat distribution in the diaphragm or failure of at least one oscillator.

外部に荷重のか\るダイヤフラムが第4図かいし植5図
に示されている。好ましくは水晶の、長さLOの円筒部
材10は、切断線15を横切る格子のつながりを保つよ
うに切断線15に沿って2つの区分11及び13に切ら
れる。切断線154−tダイヤフラムの機械的な対称性
を最適化するものであるのが好ましいが、必ずしもそう
で斤くてもよい。円筒スペース14の各部は区分11及
び13を切断することによって形成され、そして切断i
f3!15から離れた円筒lOの内面に2つの長手方向
平面128及び12bが切削され、内部に荷重のか\る
形式の前記実施例について既に述べたように対向する平
行面が形成される。平面12a及び12bFi、厚みt
l のダイヤフラムの各部を形成するように深さ「薯 
まで切削される。内部ス(−ス14の軸は円筒lOの軸
に一致する6第4図々いし第5図のダイヤフラム及びこ
こに述べる外部に荷重のか\る別の実施例のダイヤフラ
ムに関する種々の構造上のかつころは、特に指示のない
限り1次のような寸法にされるが、使用される材料の種
類、*進体に使用されるSAW装置Wの形式、SAW装
置の位置を決める表面音波エネルギの伝搬方向、及び圧
力センサの仕様といったものの関数である寸法は、特定
の使用目的に刻して最適なものにすることができる。円
筒10は直径ID〃が26鶴でありそして長さIF L
O# が5U朗である。スペース14は直径が10罷π
でありそして長さ# L、 # が55門である。各々
の平面12a及び12b#′i巾が5ジでありそして長
さが12朋である。切り込み深さrl は6mlである
Externally loaded diaphragms are shown in Figures 4 through 5. A cylindrical member 10, preferably of quartz, of length LO is cut into two sections 11 and 13 along cutting line 15 so as to maintain the continuity of the lattice across cutting line 15. Preferably, but not necessarily, the cut line 154-t optimizes the mechanical symmetry of the diaphragm. Each part of the cylindrical space 14 is formed by cutting sections 11 and 13, and by cutting i
Two longitudinal planes 128 and 12b are cut into the inner surface of the cylinder lO remote from f3!15, forming opposing parallel surfaces as already described for the embodiments of the internally loaded type. Planes 12a and 12bFi, thickness t
The depth is ``1'' to form each part of the diaphragm.
It is cut to The axis of the internal space 14 coincides with the axis of the cylinder 10.6 Various structural and The rollers are dimensioned as linear unless otherwise specified, but the type of material used, the type of SAW device W used for the base body, and the propagation of the surface sound wave energy that determines the position of the SAW device. The dimensions, which are a function of such things as orientation and pressure sensor specifications, can be optimized for a particular application.Cylinder 10 has a diameter ID of 26 mm and a length of IF L.
O# is 5Uro. Space 14 has a diameter of 10 lines π
and length #L, # is 55 gates. Each plane 12a and 12b#'i has a width of 5 mm and a length of 12 mm. The cutting depth rl is 6 ml.

穴14の位置と、各平面が切られる切削深さ「1と拠よ
って、厚みtl−5vti−が決まる。
The thickness tl-5vti- is determined based on the position of the hole 14 and the cutting depth "1" at which each plane is cut.

SAW装置はダイヤフラムの平面12a及び12bに形
成されるか、内部のカーブした面に直接形成されるか、
或いは上記したように他の適当な構成に基いて形成され
る。ダイヤフラムは以下に述べるように適当な耐圧/’
tウジングに取り付けられそして第6図に示された電子
回路に接続される。この場合% SAW装92028は
平面12a1送信器168及び受信器18 aに相当し
、そしてSAW装!202bti平1i12b、 送イ
Fl器16b及び受信器18 bに相当する。プロセッ
サ2()7の作動は前記と同様である。
SAW devices may be formed on the flat surfaces 12a and 12b of the diaphragm, or directly on internal curved surfaces;
Alternatively, it may be formed based on other suitable configurations as described above. The diaphragm has an appropriate pressure resistance as described below.
t housing and connected to the electronic circuit shown in FIG. In this case, the SAW device 92028 corresponds to the plane 12a1 transmitter 168 and receiver 18a, and the SAW device! 202bti corresponds to 1i12b, transmitter 16b and receiver 18b. The operation of processor 2()7 is the same as described above.

ダイヤプラムの全体的な形状は、物理的な質量を帰小に
して成る選択された高い圧力に耐えるように選択される
。これらの点においては円筒状の構造体が他の形状より
優れているが1本発明のダイヤプラムは円筒形状に限定
されるものではかい。
The overall shape of the diaphragm is selected to withstand the selected high pressures with reduced physical mass. Although a cylindrical structure is superior to other shapes in these respects, the diaphragm of the present invention is not limited to a cylindrical shape.

外面及び/又は内面として適した他の形状には。Other shapes suitable as external and/or internal surfaces.

例えは、長円形やノ9ラボラ形状が含まれる。Examples include an oval shape and a labola shape.

以上の説明は円筒状ダイヤフラムに関するものであるが
、内部に荷重のか\る球状4゛イヤフラム及び外部に荷
重のか\る球状4゛イヤフラムも本発明に含まれる。解
説のための球状ダイヤフラムが第32図及び第53図に
示されている。この実姉例は外部に荷重のか\るもので
ある。好ましくは水晶の、直径I [1ON の球状部
材500は、切断線5()5を横切る格子のつながりを
保つように切断線505に沿って2つの区分501及び
503に切られる。直径〃011の内部球状スペース5
04と、各々の平面502a及び502bとが区分50
1及び503に切削され、厚みtl のダイヤフラムの
各部が形成される。各々のSAW装置508a及び50
8bは平面502a及び502bに形成される。
Although the above description relates to cylindrical diaphragms, internally loaded spherical 4' diaphragms and externally loaded spherical 4' diaphragms are also included in the invention. An illustrative spherical diaphragm is shown in FIGS. 32 and 53. This older example has an external load. A spherical member 500, preferably of quartz, of diameter I[1ON] is cut into two sections 501 and 503 along a cutting line 505 so as to maintain the continuity of the lattice across the cutting line 5()5. Internal spherical space 5 with a diameter of 011
04 and each of the planes 502a and 502b form the section 50.
1 and 503 to form each part of the diaphragm having a thickness tl. Each SAW device 508a and 50
8b is formed in planes 502a and 502b.

円筒状ダイヤフラムに関する本則Ull 8の教示は一
般に球状ダイヤフラムにもあてけ甘るものであるが1球
状ダイヤフラムに生じる主ストレスは同様の大きさの直
交フープストレスである。従って、例えば、直径Do 
は26TIAであり、DB はi[1liWである。平
面502a及び502bは2朋の深さrl まで切削さ
れ、従って厚みt、け5Uとされる。或いは又、円筒状
lイヤフラムについて以下に述べるように1球状内面の
中心と球状外面の中心とをずらすことによシ壁厚を異な
った厚みにしてもよいし、或いは平面を興なった厚みに
切削してもよい。
Although the teachings of Book 8 regarding cylindrical diaphragms are generally applicable to spherical diaphragms, the primary stress experienced in a spherical diaphragm is a similar magnitude of orthogonal hoop stress. Thus, for example, the diameter Do
is 26TIA and DB is i[1liW. The planes 502a and 502b are cut to a depth rl of 2 mm, thus having a thickness t and a pitch of 5 U. Alternatively, the wall thicknesses may be made different by offsetting the center of the spherical inner surface and the center of the spherical outer surface, as described below for cylindrical diaphragms, or the wall thicknesses may be made of different thicknesses. May be cut.

自己温度補償 第7図−第23図は圧力感知ダイヤプラムの自己温度補
償型の実施例を示す。このような圧力感知ダイヤプラム
の圧力レスポンス(応答)は、それぞれの周波数一温度
特性が同じであるが、それぞれの周波数−圧力特性が当
該ダイヤフラムの基板をつくっているそれぞれ異なる有
効厚さの関数となっている2またはそれ以上の発振器の
それぞれの周波数の九の関数である。すべての基板は同
じ静水圧を受けるが、流体の圧力によってそれぞれの基
板は異なる程度に弾性変形する。ダイヤフラムがコンブ
ライアントに(comollantly ) (弾性的
に)支持されている限り、温度は基板に等しい影響を与
える。従って、それぞれの発振器の出力は混合されて、
温度の影響を除去する。自己温度補償されたダイヤスラ
ムの弾性的こわさは厚さによって大きく左右され、従っ
て、必要とされる基板の厚さの差は極めて僅かである。
Self-Temperature Compensation Figures 7-23 illustrate a self-temperature compensated embodiment of the pressure sensing diaphragm. The pressure response of such a pressure-sensing diaphragm is such that, although each frequency-temperature characteristic is the same, each frequency-pressure characteristic is a function of the different effective thicknesses of which the substrate of the diaphragm is made. is a function of the frequency of each of the two or more oscillators. Although all substrates are subjected to the same hydrostatic pressure, the pressure of the fluid causes each substrate to elastically deform to a different degree. As long as the diaphragm is comollantly (elastically) supported, temperature has an equal effect on the substrate. Therefore, the outputs of each oscillator are mixed and
Eliminate temperature effects. The elastic stiffness of self-temperature-compensated diaphragms is highly dependent on thickness, and therefore very small differences in substrate thickness are required.

この技術は温度補償を与えることの外に、構成している
それぞれの振動子の長時間エージング特性がうまく整合
していれば、圧力測定に対する長時間エージングの影響
を有利に相殺する働きをする。
In addition to providing temperature compensation, this technique also serves to advantageously offset the effects of long-term aging on pressure measurements, provided that the long-term aging characteristics of each of the constituent transducers are well matched.

上記の特性を有し、2つの測定チャンネルを含む感圧ダ
イヤフラムの実施例を第7図−第9図および第12[渇
−第13図に示しである。第7図−第9図は内部に荷重
が加えられる実施例で、この実施例においては、円筒形
部材20(好ましくは水晶調の部材)は、4つの縦方向
の平面22a。
An embodiment of a pressure sensitive diaphragm having the above characteristics and including two measurement channels is shown in FIGS. 7-9 and 12-13. Figures 7-9 show an internally loaded embodiment in which the cylindrical member 20 (preferably a quartz-like member) has four longitudinal planes 22a.

22b、22c、22dを備えていてこれらの平面は円
筒形部材の外側の部分にミーリング加工されている。必
らずしも必要ではないけれど、好ましくは、゛これらの
平面は、平面に対して垂直に測って、相互に90度の間
隔に配信され(後述する)。
22b, 22c and 22d, these planes being milled into the outer part of the cylindrical member. Preferably, but not necessarily, these planes are distributed at 90 degree intervals from each other, measured perpendicular to the plane (as described below).

平面22a、22cが位置している面が相互に平行で且
つ平面22b、22dを通るそれぞれ平行な面に対して
垂直となるようになっている。各平面22a、22b、
22c、22dは深さ「、にミーリング加工されている
。想像線bbで指示する軸を有している孔24が、想像
線aaで指示する軸を有している円筒形部1’20につ
くられている。軸bbは、円筒形部材20の軸8aに平
行であるが、適当な角度β(第9図)の方向に軸aaか
ら喰違い且つ間隔d(第7図)だけ軸aaから離れてい
て、平面22B−226の各々と孔24の壁との間にそ
れぞれ異なる厚さ部分t1、t2、t3、t4をつくっ
ている・ 内部に#重がかけられるm7図−第9図の実施例におけ
る種々の構造的部分は、第1図−第3図および添付の説
明の教示に従って寸法を決めればよい。ただし、孔24
は約56度の変位角度βおよび約0.71の軸aahb
bの間隔でつくれはよい。ミーリングの深さrl は2
門でよい。各平面をミーリングしたミーリング深さ「1
 および孔24の位置によって、tl、t2、t3、t
4の厚さが決まり、これらの厚さは、それぞれ、5.4
關、6.4閣、6. 611!TI、 5.6聴とされ
る。
The planes on which the planes 22a and 22c are located are parallel to each other and perpendicular to the parallel planes passing through the planes 22b and 22d, respectively. Each plane 22a, 22b,
22c and 22d are milled to a depth of ``.'' A hole 24 having an axis indicated by an imaginary line bb is inserted into the cylindrical portion 1'20 having an axis indicated by an imaginary line aa. The axis bb is parallel to the axis 8a of the cylindrical member 20, but offset from the axis aa by a distance d (FIG. 7) in the direction of a suitable angle β (FIG. 9). , creating different thickness sections t1, t2, t3, t4 between each of the planes 22B-226 and the wall of the hole 24, m7 with internal # weights - FIG. The various structural parts in the embodiment may be dimensioned according to the teachings of FIGS. 1-3 and the accompanying description, except that holes 24
is the displacement angle β of about 56 degrees and the axis aahb of about 0.71
It is good to make it with the spacing of b. Milling depth rl is 2
A gate is fine. Milling depth “1” when milling each plane
and depending on the position of the hole 24, tl, t2, t3, t
4 is determined, and these thicknesses are each 5.4
關、6.4 Cabinet、6. 611! TI, 5.6 hearing.

自己温度補償型の実施例に使用するのには、S[カット
((yxwl ) 0°/42.75°、r=0°)お
よびSSTカット((yxwl)0°/ −49,22
°、r=23° )の付近のオリエンテーションが適当
であることがわかったが、その他の多くの一回回転およ
び二同回転されたオリエンテーションも同様に使用に適
するものである。STカットは1974年6月18日発
行のHalland等の米国IF:j許第3.818.
382号に説明されていて、参考のためにここに看己載
しである。SSTカットは’ Applied Phy
sics Letters ’第34巻、817−81
9頁(1979年)に掲載されたB、に。
For use in the self-temperature compensated embodiment, S[cut ((yxwl) 0°/42.75°, r=0°) and SST cut ((yxwl)0°/-49,22
An orientation around 10°, r=23°) has been found to be suitable, although many other single-rotated and double-rotated orientations are equally suitable for use. The ST cut is from Halland et al., US IF:j, No. 3.818, published June 18, 1974.
382 and is included here for reference. SST cut is 'Applied Phy
sics Letters' Volume 34, 817-81
B, published on page 9 (1979).

5lnhaとH,F、 Tier!1tenの’ Ze
ro TemperatureCoeずflclent
 of Delay For 5urface Wav
es Inquartz ’ と題する論文に報告され
ていて、参考のためにここに記載する。また、その実験
的立証は、Proceedlngs of the 1
980 UltrasonlcsSymooslum 
(IEEE Cat、 800H1602−2) 17
5−183頁に掲載されたT、 Lukaszekおよ
びA。
5lnha and H, F, Tier! 1ten's Ze
ro Temperature Coezu Flclent
of Delay For 5 surface Wav
es Inquartz' and is included here for reference. Also, the experimental proof is in the Procedures of the 1
980 UltrasonlcsSymooslum
(IEEE Cat, 800H1602-2) 17
T., Lukaszek and A., published on pages 5-183.

Ba1latoの’ What SAW Can Le
arn from BAW :Imp目cations
 for Future Frequency Con
trol 5Selectlon and Slgna
t Processing ’に題する論文中に報告さ
れていて、参考のためにここに記載する。「=0におけ
る公称STオリエンテーションについて、25cの付近
でΔ1/1へ丁は非消に小さく、l Δf I / f
op = 7 X 10−87 ps+ である。
Ballato's 'What SAW Can Le'
arn from BAW: Imp cations
for Future Frequency Con
trol 5Selectlon and Slgna
tProcessing' and is included here for reference. ``For the nominal ST orientation at = 0, Δ1/1 is indistinguishably small near 25c, and l Δf I/f
op = 7 x 10-87 ps+.

「;23°における公称SSTオリエンテーションにつ
いて、25Cの付近でΔ1/1ΔTは非虜に小さく、1
Δt + / tΔp= 1叶7’/psiである。両
方のオリエンテーションのりは満足なもので、両オリエ
ンテーションは、表面音波について、遅延の一次温度係
数零をあられす。
"; For the nominal SST orientation at 23°, Δ1/1ΔT is uncomfortably small near 25C, and 1
Δt + /tΔp=1 7′/psi. Both orientations are satisfactory; both orientations yield zero first-order temperature coefficients of retardation for surface sound waves.

重み付は型の温度補償の状轢において下記の即由によっ
て、40Cの転換温度をもつSTオリエンテーション(
(yxwl) g°/40°、r = 0 ’ )およ
び90℃の転換温度をもつSSTオリエンテーション(
(yxwl )口’/−49,2°、r=21.5°)
が選択される。上記のオリエンテーションについて特定
した程度は近似咳であることは理Pflされよう。所望
の特性のためのカットの実際の程度は、エレクトロニク
ス、水晶材の性質、選択された転換篇度、インターディ
ジタル型トランスデューザの材料およびデザイン、オー
バトーンモードにおける動作等ようなファクタによって
、約±4°だけ変動し得る。
The weighting is applied to the ST orientation (with a conversion temperature of 40C) for the following reasons in the context of temperature compensation of
(yxwl) g°/40°, r = 0′) and SST orientation with a conversion temperature of 90°C (
(yxwl) mouth'/-49,2°, r=21.5°)
is selected. It can be seen that the degree of orientation specified above is an approximate cough. The actual degree of cut for the desired properties will depend on factors such as the electronics, the nature of the crystal material, the selected transition temperature, the interdigital transducer material and design, operation in overtone mode, etc. It can vary by ±4°.

第1の平面22aは、z−v面内で−49,2゜に等し
い回転角θ だけY軸から変位した線にST 垂直な面にミーリングされる。第2の平面22bはZ−
Y面内で40.0°に等り、 イIi−+1転角θ、□
−8だけY軸から変位した線に垂直な面にミーリングさ
れる。水晶は対角対称であるので、130.8゜の回転
角だけY軸から変位した課に垂直な面で第3の平面22
cをミーリングすることによって、平面22aと反対の
円筒形部材20の側にSSTオリエンテーションを再現
でき、また、−140,0゜の回転角だけY軸から変位
した線に重重なthi内に第4の平面22dをミーリン
グすることによって、平面22bと反対の円筒部側20
の側に、5T−Xカットを再現できる。上記のオリエン
テーションは自己温度補償型の実施例の好ましい動作に
ついて望ましいものであるが、これはθ3、−8−θ5
s□=89.2°だけ変位されている。機械的対称性を
最適のものとするように各平面を他の平面から変位させ
ること、すなわち、この特定の実施例においては各平面
を90°変位させることが好ましいが、この好ましい関
係から0.8uの僅かな変動が生じても圧力感知ダイヤ
プラムの公称特性を著しく劣化してはいけない。
The first plane 22a is milled in a plane ST perpendicular to a line displaced from the Y-axis by a rotation angle θ equal to −49.2° in the z-v plane. The second plane 22b is Z-
Equal to 40.0° in the Y plane, Ii-+1 rotation angle θ, □
It is milled in a plane perpendicular to a line displaced from the Y axis by −8. Since the crystal is diagonally symmetrical, the third plane 22 is a plane perpendicular to the section displaced from the Y-axis by a rotation angle of 130.8 degrees.
By milling c, the SST orientation can be reproduced on the side of the cylindrical member 20 opposite to the plane 22a, and the fourth By milling the plane 22d of the cylinder part side 20 opposite to the plane 22b.
The 5T-X cut can be reproduced on the side. The above orientation is desired for preferred operation of the self-temperature compensated embodiment, which is θ3, −8−θ5
It is displaced by s□=89.2°. Although each plane is preferably displaced from the other planes to optimize mechanical symmetry, i.e., each plane is displaced by 90° in this particular embodiment, this preferred relationship allows for 0. Small variations of 8u should not significantly degrade the nominal characteristics of the pressure sensitive diaphragm.

予め選択されたオリエンテーションの千面ヲ適当にミー
リングする技術Fi既知で、ここには1m単に述べる。
Techniques for suitably milling thousands of planes of preselected orientation are well known and will only be described here.

例えば、平面228−22dをミーリングして、所望の
結晶学的オリエンテーションを得るために、20の如き
水晶の円筒形部材の適当な部分が利用可能であるかどう
かは、結晶粗材から円筒形部材を正しく形成するかどう
かによって定まる。
For example, if a suitable portion of a quartz cylindrical member, such as 20, is available for milling planes 228-22d to obtain the desired crystallographic orientation, the cylindrical member is Determined by whether or not it is formed correctly.

Xlについて一回回転さfLfcオリエンテーションを
得るためには、第17図に示す水晶粗材片50のX、 
Y、 Z軸を確認し、水晶片50からそのX軸と平行な
縦軸をもつ円筒51を、好ましくはビーリング技術によ
って作る。Y−2面(第18図)に対し垂直にX軸の方
向にみると、円筒51はy−z面内でY軸に対して、選
択された回転角θにある所望の結晶学的オリエンテーシ
ョンをもつ4つの平面をミーリングするようVζ位置さ
れている。θ、1−Xおよびθ のオリエンテーション
が第18図にST 示されている。
In order to obtain the fLfc orientation rotated once about Xl, the X of the crystal rough piece 50 shown in FIG.
After confirming the Y and Z axes, a cylinder 51 having a vertical axis parallel to the X axis is made from the crystal piece 50, preferably by a beering technique. Viewed in the direction of the X-axis perpendicular to the Y-2 plane (FIG. 18), the cylinder 51 is in the desired crystallographic orientation at a selected rotation angle θ with respect to the Y-axis in the y-z plane. Vζ is positioned to mill four planes with . The orientations of θ, 1-X and θ are shown in FIG.

平面228土のトランスデユーサ26 a s 28a
および平面22c上のトランスデユーサ26C128c
は、伝搬方向γが21.5°に等しく電力流角度が零度
に等しいという規準に従って組立てられる。平面22b
上のトランスデユーサ26b。
Plane 228 soil transducer 26a s 28a
and transducer 26C128c on plane 22c.
is constructed according to the criteria that the propagation direction γ is equal to 21.5° and the power flow angle is equal to 0 degrees. Plane 22b
Upper transducer 26b.

28bおよび平面22d上のトランスデユーサ26d、
28dは、伝搬方向rが導度に浄しく、電力流角度が零
度に等しいという規でいに従って組立てられる。
28b and a transducer 26d on plane 22d,
28d is assembled according to the rule that the propagation direction r is conductively clean and the power flow angle is equal to zero degrees.

SAW発振器の動作周波数は、関連するSAW装置、発
1辰器の安定性およびQに対して利用可能な、あるいは
好ましいサイズを基準として選択される。動作周波数の
適当な範囲は150 Ml−1z −600Ml−1z
で、ここに記載する実施例においては200 MHzが
遠択さJした。もつと小さい基板面積が望まれる場合に
は、SAW装置はもつと高い動作周波数、例えばI G
Hzの動作周波数となるように設計してもよい。しかし
このような装置Nは性能の劣化を生ずるような寄生効果
その曲の効果°を避けるために極度の注意を払って設計
し製作しなければならない。
The operating frequency of the SAW oscillator is selected based on the available or preferred size of the associated SAW device, oscillator stability and Q. The suitable range of operating frequency is 150 Ml-1z -600 Ml-1z
In the embodiment described here, 200 MHz was selected. When a smaller substrate area is desired, the SAW device has a higher operating frequency, e.g.
It may be designed to have an operating frequency of Hz. However, such devices must be designed and constructed with extreme care to avoid parasitic effects that would cause performance degradation.

自己温度補償型の内部に荷重をかけられる圧力感知ダイ
ヤフラムが第10図および第11図に示されている。こ
れは図示の圧力ハウジング内に装着されていて、このハ
ウジングはダイヤフラムをコンブライアントに(com
pHantly ) (弾性的に)支持しなければなら
ない。圧力ハウジングは、円筒形のステンレス鋼のケー
シング部材71.72.73を備え、これらの部材り適
当カジョイントに沿って相互に係合し、ネジ302.3
04.306.308および必要に応じて他の手段(図
示せず)によって、強固に気密に保持されている。適当
な材料でつくり得るシール301.303によって、ハ
ウジング部材71.73および7]、72の間の流体密
の接触が確保される。端部のケーシング部材7j、72
#−J、それぞれ、流体を室69に導入しダイヤフラム
に導入する導入ロア8.79を備えている。円筒20、
端部キャップ62.64、円筒66より成るイロ立体は
畏さ85nI#Iで、多数の弾性部材309−320に
よって圧力11ウジング内に支持されて、流体が導入さ
れる室69を形成する。弾性部材309−320は例え
ば動き嵌めされたナイロンリングでもよい。室69は室
75.77を通して孔24と連通している。端部キャッ
プ62.64および円筒20の間のジヨイントを横切る
剪断応力を減少させるために、上記の室の大径部分は端
部キャップの中に約17mmのびていなiればならない
。端部ギャップ62.64は、それぞれの1車続的な円
形フランジの内縁で円筒20のそれぞれの端部の外1+
111にぴったりと係合している。また、端部キャップ
62,64は、それぞれのフランジの外縁でケーシング
66の内端部にぴったりと係合している。端部キャップ
62.64は、周知のグラスフリット法(g’1ass
 frltteehnlque )のような適当な技術
を使用して、円筒20および円筒66との接触区域でこ
れらの円筒にシールされる。ダイヤフラム、端部キャッ
プ62.64、円筒66のそれぞれの結晶学的オリエン
テーションが連続的な結晶格子を生ずるようにうまく整
合していれば、上記の配置によつ゛〔、ダイヤフラムに
対するコンブライアントな支持体がつくられる。好まし
くは、グラスフリット結合材は結晶の熱膨張係数と同様
の熱膨張係数をもつべきで、できるだけ薄い層として適
用されねばなら々い。
A self-temperature compensating internally loaded pressure sensing diaphragm is shown in FIGS. 10 and 11. It is mounted within the pressure housing shown, which makes the diaphragm compliant.
pHantly) must be supported (elastically). The pressure housing comprises cylindrical stainless steel casing members 71, 72, 73 which engage each other along appropriate joints and are threaded 302.3.
04.306.308 and other means (not shown) as necessary to keep it tightly sealed. A fluid-tight contact between the housing members 71.73 and 7], 72 is ensured by seals 301.303, which may be made of a suitable material. End casing members 7j, 72
#-J are each provided with an introduction lower 8.79 for introducing fluid into the chamber 69 and into the diaphragm. cylinder 20,
The solid body consisting of the end caps 62, 64 and the cylinder 66 is 85 nI#I and is supported within the pressure 11 housing by a number of elastic members 309-320 to form a chamber 69 into which fluid is introduced. The resilient members 309-320 may be, for example, loosely fitted nylon rings. Chamber 69 communicates with hole 24 through chambers 75,77. To reduce shear stress across the joint between the end caps 62, 64 and the cylinder 20, the large diameter portion of the chamber should extend approximately 17 mm into the end caps. The end gaps 62,64 are defined by the inner edge of each continuous circular flange and the outer edge of each end of the cylinder 20.
111 is tightly engaged. The end caps 62, 64 also snugly engage the inner end of the casing 66 at the outer edges of their respective flanges. The end caps 62, 64 are manufactured using the well-known glass frit method (g'1ass
It is sealed to the cylinders 20 and 66 at the contact area using a suitable technique such as a frltteehnlque). If the crystallographic orientations of the diaphragm, end caps 62, 64, and cylinder 66 are well matched to produce a continuous crystal lattice, the above arrangement provides a compliant support for the diaphragm. is created. Preferably, the glass frit binder should have a coefficient of thermal expansion similar to that of the crystals and should be applied as a layer as thin as possible.

外側で円筒66により区画され、内側で円筒20により
区画され、それぞれの端部で端部キャップ62.64の
環状内側面によって区画される全体的に円筒形の室68
が形成−J tLる。それぞり。
a generally cylindrical chamber 68 bounded on the outside by the cylinder 66, on the inside by the cylinder 20, and at each end by the annular inner surface of the end cap 62,64;
is formed - J tL. Sledding.

の平面22as 22b、22c、22dおよびそれぞ
れのトランスデユーサ対26as 28 a %2(i
b、28b、26 c 、 28 c 、 26 d、
 28dより成る4個の遅延ラインの正、しい作用をさ
せるための良好な環境を形成するために、室68は排気
される。各トランスデユーサ26 a −dおよび23
 a −dは、それぞれの細い絶縁ワイヤ74a−74
dおよび76 a −76dによって1.鋼ケーシング
部材73の外側に固定されこれから絶縁されているそれ
ぞれの端子70a−70dK接続される。上記のワイヤ
はテフロンでコートしたアルミニウム合金等の適宜の細
いワイヤでよく、円筒66、弾性前月311.319.
319.320およびハウジングfib材73に設けら
れたそれぞれの狭い溝を通っている。これらの溝は、室
68内に良好か環境を維持し室69内にIre体を維持
するために、適当にシールされる。孔24と備方向に整
列して端部キャップ62.64につくられた圧力導入ロ
ア8.79に、圧力を測定された流体が導入される。
planes 22as 22b, 22c, 22d and their respective transducer pairs 26as 28a %2(i
b, 28b, 26c, 28c, 26d,
Chamber 68 is evacuated to create a favorable environment for the correct operation of the four delay lines 28d. Each transducer 26a-d and 23
a-d are respective thin insulated wires 74a-74
1 by d and 76a-76d. Each terminal 70a-70dK is connected to the outside of the steel casing member 73 and insulated therefrom. The wire may be any suitable thin wire such as Teflon coated aluminum alloy, cylindrical 66, elastic front 311.319.
319, 320 and through respective narrow grooves provided in the housing fib material 73. These grooves are suitably sealed to maintain a favorable environment within chamber 68 and the Ire body within chamber 69. Pressure-measured fluid is introduced into a pressure introduction lower 8.79 made in the end cap 62.64 in direct alignment with the bore 24.

流体が孔24に導入されると、11(IMj 2 gは
導入された流体の圧力に従って撓み、導入された流体の
温度に従って調節する。圧力感知器は小型で、そのすべ
ての要素、/侍に、円筒20、端lNl1キャップ62
.64、円筒66は迅速に熱的平衡状態となル。しかし
、平面22F1% 22bt 22C%22dおよび孔
24の間の厚さが異なるために、平面、22a、22b
、22c、22dにおける円m20のそれぞれの区域の
撓みの程1ザが相違する。
When a fluid is introduced into the hole 24, the 11 (IMj 2 g) deflects according to the pressure of the introduced fluid and adjusts according to the temperature of the introduced fluid. The pressure sensor is small and all its elements, / , cylinder 20, end lNl1 cap 62
.. 64, the cylinder 66 quickly reaches a state of thermal equilibrium. However, due to the difference in thickness between the planes 22F1% 22bt 22C% 22d and the hole 24, the planes 22a, 22b
, 22c, and 22d, the degree of deflection of each area of the circle m20 is different.

外部に荷車がかけられる自己温度補償型の実施例が第1
2図、第16図に示されている。好ましくは水晶の長さ
LQ の円筒部材30がカット35に沿ってスライスさ
れて、2つの区分3]、33となっている。好ましくは
、カット35けX−”1面に平行とされる(第18図に
おいてY軸の線に沿って)。この面におけるすべての方
向に沿う熱膨張係数が同じ(1!1.71X10−6/
C)であるので、カット35に沿って発生する応力を減
少するために、X−1面内の結晶′6材料の熱膨張係数
に等しいかまたは類似する熱膨張係数をもつグラスフリ
ット結合材を選択するのがよい。x−1面内のカットは
、5T−XおよびSSTオリエンテーションの使用で、
良好であるが、しかし正確でない機械的対称性を与える
。部分3]、33をミ’Jングすることによって、円筒
形空間34のそれぞれの部分がつくられ、カット35か
らはなれて、円筒30の内部に4つの縦方向の平面32
a532b、32c、32dがミリングにより形成され
て、内部に荷重をかけられる型式の実施例について上記
したと同様に、相対するS′「オリエンテーショント相
対スるSSTオリエンテーションをつくる。内部空間3
4の一軸は円筒30の軸と一致する。相対する平面部分
をそれぞれゲ4なる深さにミーリングすることによって
、ダイヤフラムの厚さの異なる区域がつくられる。従っ
て、平面32a132cは、それぞれ、深さrl およ
び「2 にミーリングされ、これにより、異なる厚さt
lおよびt2 をもつダイヤフラムの部分を形成し、ま
た、平面32b、32dはそれぞれ深さrlおよびr2
にミーリングされて、それぞれ異なる厚さtl および
t2 をもつダイヤフラム1fl1分を形成する。もし
も望まれるならば、平面32 a −32dをそれぞれ
異なる深さ罠ミーリングしてもよい。送信器−受信器の
対368138 aと36bJ asbと36c、38
cと36d、38dより成るSAW遅延ラインがそれぞ
れの平面328−32dにつくられる。SAW装置がつ
くられたら、円筒3002つの部分3J、33は、好ま
しくはグラスフリット結合法によって、結合される。そ
れぞれの平面32 a −326とトランスデユーサ対
368.38aと36b、38bと36 c y 38
 cと36d138dを含む4つの遅延ラインを正しく
作用させるための良好な環境を形成するために、室34
は排気される。SAW装置からのリード線が室34を取
囲む表面上につくられ、結合層を通って圧力感知ダイヤ
フラムの外側上の端子につながれる。
The first example is a self-temperature compensation type in which a cart is hung outside.
2 and 16. A cylindrical member 30, preferably of crystal length LQ, is sliced along cuts 35 into two sections 3], 33. Preferably, the cuts are made parallel to the 35 x-1 plane (along the line of the Y-axis in Figure 18).The coefficient of thermal expansion along all directions in this plane is the same (1!1.71 x 10- 6/
C), in order to reduce the stress generated along the cut 35, a glass frit bonding material with a coefficient of thermal expansion equal to or similar to that of the crystal '6 material in the X-1 plane is used. It is better to choose. The cut in the x-1 plane uses the 5T-X and SST orientations,
Gives good but not exact mechanical symmetry. By milling the sections 3], 33, respective sections of the cylindrical space 34 are created, leaving the cut 35 with four longitudinal planes 32 inside the cylinder 30.
a532b, 32c, and 32d are formed by milling to create an opposing SST orientation in the same manner as described above for the internally loaded type embodiment.Inner space 3
One axis of 4 coincides with the axis of cylinder 30. By milling the opposing planar sections to a depth of 4, regions of diaphragm with different thicknesses are created. Accordingly, planes 32a132c are milled to depths rl and ``2'', respectively, resulting in different thicknesses t.
l and t2, and planes 32b, 32d have depths rl and r2, respectively.
are milled to form diaphragms 1fl1 with different thicknesses tl and t2, respectively. If desired, each of the planes 32a-32d may be trap milled to different depths. Transmitter-receiver pair 368138 a and 36bJ asb and 36c, 38
A SAW delay line consisting of c, 36d, and 38d is created in each plane 328-32d. Once the SAW device is fabricated, the two parts 3J, 33 of the cylinder 300 are joined together, preferably by glass frit joining method. Respective planes 32a-326 and transducer pairs 368.38a and 36b, 38b and 36c y 38
In order to form a good environment for the four delay lines including c and 36d138d to work properly, chamber 34
is exhausted. Leads from the SAW device are made on the surface surrounding chamber 34 and run through the bonding layer to terminals on the outside of the pressure sensing diaphragm.

適当な圧力ハウジング内に収容された完成済みのダイヤ
フラムの詳細について以下説明する。
Details of the completed diaphragm housed within a suitable pressure housing are provided below.

第12図−第13図の外部に荷電がかけられる型式の実
施例における(重々の構造部分は第4図−第5図および
添付の説明に示された教示に従って寸法法めすればよい
。ただし、ミーリング深さ「1は2++mとし、ミーリ
ング深さ「2 は4間とされる。
In the externally charged type embodiment of FIGS. 12-13, the critical structural parts may be dimensioned according to the teachings given in FIGS. 4-5 and the accompanying description. , the milling depth ``1'' shall be 2++ m, and the milling depth ``2'' shall be 4 m.

空間34の位置、および平面をミーリングするミーリン
グ深さ「1およびr2は厚キt1およびt2を決める。
The position of the space 34 and the milling depth "1" and r2 for milling the plane determine the thicknesses t1 and t2.

これらの厚さは、それぞれ、6層および4喘とされる。These thicknesses are 6 layers and 4 layers, respectively.

自己温度補償型で内部に荷電をかけられる圧力感知ダイ
ヤフラムが、圧力ハウジング内に装着された状鴨で第1
4図、第15図に示されている。
A self-temperature-compensating, internally-charged pressure-sensing diaphragm is mounted within the pressure housing.
4 and 15.

圧力ハウジングは円筒形のステンレス鋼のケーシング前
月40.4J、42より成り、これらの部材は「さねは
き’ (rabbet ) JJジヨイントのようす適
当なジヨイントに沿って相互に係合し、ネジ330.3
31.332.333および必稈に応じてそのfluの
手段によって気密に結合される。例えFj:、ポリミナ
イドのような任意の適当な材料でつくられるシール56
.571Cよって、ハウジング部材40.41および4
0.42の間の流体密の接触が確(呆される。端部l・
ウジング部材41.42は、それぞれ、室45中に流体
を導入しダイヤプラムに流体を々ネ人するだめの導入口
58.59をuftiえている。円筒30は多数の弾性
部月43 a −43c 、 47 a −47c 、
 340−343によって圧力ハウジング内に支持され
、流体が導入さ)1.る室45を形成する。トランスデ
ユーサ36a−36dおよび38 a −38dからの
それぞれのリード線が室34を取囲む表面上につくられ
、結合層、弾性部材478、ハウジング部材41内の小
さv溝’を通って、その上に適当に装着された端子スト
リップ48に達する。溝は適当にシールされる。送信器
36d’i溝48に接続するリード線44dおよび受信
機38dを端子49に接続するリード線46dのみを示
してあって、図を簡単化するために、その他のリード線
は省略しである。
The pressure housing consists of a cylindrical stainless steel casing 40.4J, 42 which engages one another along appropriate joints such as a "rabbet" JJ joint and is threaded 330 .3
31, 332, 333 and the culm as necessary by means of its flu. For example, Fj: a seal 56 made of any suitable material, such as polyminide.
.. 571C, housing members 40.41 and 4
A fluid-tight contact between 0.42 and 0.42 mm is ensured.
The housing members 41,42 each have an inlet 58,59 for introducing fluid into the chamber 45 and directing the fluid to the diaphragm. The cylinder 30 has a large number of elastic parts 43a-43c, 47a-47c,
340-343 and into which fluid is introduced)1. A chamber 45 is formed. Respective leads from transducers 36a-36d and 38a-38d are made on the surface surrounding chamber 34 and pass through the bonding layer, the resilient member 478, the small v-groove' in the housing member 41, and into the Terminal strip 48 is reached, suitably mounted on top. The grooves are properly sealed. Only the lead wire 44d connecting the transmitter 36d'i groove 48 and the lead wire 46d connecting the receiver 38d to the terminal 49 are shown, and other lead wires are omitted to simplify the diagram. .

流体が環状の室45に導入されると、円筒30は導入さ
れた流体の圧力に従って撓み、導入された流体の温度に
調節される。圧力感知器は比軸的小型で、そのすべての
要素は迅速に熱的平衡状態となる。しかし、平面32 
a % 32 cと平面32b132dに対応する基板
の厚さが異なるので、これらの区域における円筒30の
それぞれの部分はそれぞれ異なる程度に変形する。
When fluid is introduced into the annular chamber 45, the cylinder 30 deflects according to the pressure of the introduced fluid and adjusts to the temperature of the introduced fluid. The pressure sensor is relatively compact and all its elements quickly reach thermal equilibrium. However, plane 32
Because the thickness of the substrate corresponding to a % 32c and plane 32b132d is different, each portion of cylinder 30 in these areas deforms to a different extent.

自己補償型の圧力感知ダイヤフラムの内側に荷重がかけ
られる形態のものおよび外側に荷重がかけられる形態の
ものの両者は、2つのそれぞれ独立の温度補償された圧
力測定を与える。改良された結果を得るために第10図
または第14図のいずれかの圧力感知器に結合できる典
型的な回路が第16図に示されている。第16図に2つ
の測定チャンネルが示されていて、その1つは発掘子8
8a、88c、ミクサー90、カウンター91.92.
93を含み、他は発掘子88b、Rad。
Both internally loaded and externally loaded versions of the self-compensating pressure sensing diaphragm provide two independent temperature compensated pressure measurements. A typical circuit that can be coupled to the pressure sensor of either FIG. 10 or FIG. 14 to obtain improved results is shown in FIG. Two measurement channels are shown in FIG. 16, one of which is the excavator 8.
8a, 88c, mixer 90, counter 91.92.
Including 93, others are excavators 88b and Rad.

ミクサー94、カウンター95.96.97を含む。例
えば、それぞれ、平面22a−22d上に装着された送
信器26a−26dおよび受信器28a−28de含む
SAW装置82a、82b。
Includes mixer 94, counter 95,96,97. For example, SAW devices 82a, 82b include transmitters 26a-26d and receivers 28a-28de mounted on planes 22a-22d, respectively.

82c、82dがダイヤフラム80上に設けられる。装
置82a、82Cの結晶学的メリエンテーションは同じ
(SSTオリエンテーションの付近)で、それぞれの基
板厚さは異なり、従って、同じ温度および静水圧を受け
る時に、装置82B、82Cは同じ周波数−l高度特性
を有し異なる周波数−圧力特性をもつ、SAW装置82
a、増巾器84a、整合回路11385a、86aを含
む発振子88aの出力(fa )およびSAWm置8装
C1増巾器84c、整合回路網85C% 85eを含む
発振子88cの出力(fc )がミクサー90に送られ
る。ミクサー90の出力、差f6− f 0%はカウン
ター92に送られ、このカウンターね入力信号の周波数
をカウントして、そのディジタルな表示を出力し、これ
によシミフサ−90のアナログ出力をディジタル信号に
変換する。カウンター91.93はそれぞれfcおよび
faの面波数をカウントし、そのディジタル表示を与え
る。同様に、装置82b、82dの結晶学的メリエンテ
ーションは同じ(ST−Xオリエンテーションの付近)
で、それぞれの厚さは異なり、従って、同じ温度および
静水圧を受ける時に装置82b、82dは同じ周波数一
温度特性を有し異なる周波数−圧力特性を有する。SA
W装筒82b、増+jJ器84b1整合回路網85b、
86bを含む発振子F18bの出力(fb )およびS
AW装置82d、増11]器84d、整合回路網85d
、86dを含む発掘子F18dの出力(fd ) がミ
クサー94に送られる。ミクサー94の出力、差fb−
fd 、はカウンター96に送られ、このカウンターは
入力(1号の周波数をカラントし、そのディジタル表示
を出力し、これによりミクサー94のアナログ出力をデ
ィジタル信号に変換する。カウンター95.971ユそ
れぞれfdおよびfbの周波数をカウントし、そのディ
ジタル表示を与える。
82c and 82d are provided on the diaphragm 80. The crystallographic meliorientations of devices 82a, 82C are the same (near the SST orientation), but their respective substrate thicknesses are different, so when subjected to the same temperature and hydrostatic pressure, devices 82B, 82C have the same frequency-l altitude. A SAW device 82 with different frequency-pressure characteristics
a, the output (fa) of the oscillator 88a including the amplifier 84a and matching circuits 11385a and 86a, and the output (fc) of the oscillator 88c including the SAWm device 8 C1 amplifier 84c and the matching circuit 85e. Sent to mixer 90. The output of the mixer 90, the difference f6-f0%, is sent to the counter 92, which counts the frequency of the input signal and outputs its digital display, thereby converting the analog output of the mixer 90 into a digital signal. Convert to Counters 91 and 93 count the surface wave numbers of fc and fa, respectively, and provide a digital display thereof. Similarly, the crystallographic melientations of devices 82b and 82d are the same (near the ST-X orientation).
, and their respective thicknesses are different, so that devices 82b, 82d have the same frequency-temperature characteristics and different frequency-pressure characteristics when subjected to the same temperature and hydrostatic pressure. S.A.
W tube 82b, additional +JJ device 84b1 matching circuit network 85b,
The output (fb) of the oscillator F18b including 86b and S
AW device 82d, amplifier 11] device 84d, matching circuit network 85d
, 86d is sent to the mixer 94. Output of mixer 94, difference fb-
fd, is sent to the counter 96, which currents the frequency of the input (No. 1) and outputs its digital representation, thereby converting the analog output of the mixer 94 into a digital signal. and fb frequencies and provides a digital display thereof.

第10図または第14図に示されてないが、発掘子88
 a −88dは集積回路としてつくってもよく、これ
らは、ダイヤフラムの弾性変形に影響を与えることなし
に、リード線を短かくして゛爵生効果を減少し発掘子の
安定性を改良するように、関連するSAW装置に充分近
くで、排気空間68.34内の表面上に装着される。
Although not shown in FIG. 10 or 14, the excavator 88
The a-88d may be fabricated as integrated circuits, which are designed to shorten the lead wires to reduce deformation effects and improve excavator stability without affecting the elastic deformation of the diaphragm. Mounted on a surface within the exhaust space 68.34, sufficiently close to the associated SAW equipment.

fa、fcとfa−fc、およびfb、fdとfb −
fd をあられすディジタル信号がゾロセッサ98に供
給され、このプロセッサは圧力の測度を決定し、その結
果を記録器99に供給する。信号fa。
fa, fc and fa-fc, and fb, fd and fb-
A digital signal representing fd is provided to a processor 98 which determines a measure of pressure and provides the result to a recorder 99. signal fa.

fb、f(、、fd は[々記の重みっけ型(welg
htlngtype ) のC晶度補償に使用はれ、自
己1品度補償には不要である。もしも自己温度補償のみ
が望まれるならば、上記(D温度補償を与えるカウンタ
ー91.93.95.97は第16図の回路から省略し
てよい。また、ゾロセッサ98は次の測定サイクルのた
めにカウンター91〜93および95〜97をリセット
する。
fb, f(,, fd are weighted types (welg
htlngtype) is used for C crystallinity compensation, and is not required for self-one-quality compensation. If only self-temperature compensation is desired, the counters 91, 93, 95, 97 providing D temperature compensation may be omitted from the circuit of FIG. Reset counters 91-93 and 95-97.

プロセッサ98はfa −fcおよびfb −fdから
それぞitの圧力測度を決定するために、曲線適合ルー
チン(curve flttlng routlne 
)或いはルックアツノテーゾルおよび補間手段を備える
。これらの手段は、本質的に第6図に関する部分で説明
したよ′うに備えられている。ただし式(5)内のパラ
メータIrfNの代シにf、 −fcまたはfb−fd
が入れられる。
Processor 98 executes a curve fitting routine to determine the pressure measure of it from fa-fc and fb-fd.
) or a lookatznotesol and interpolation means. These means are provided essentially as described in connection with FIG. However, in place of the parameter IrfN in equation (5), f, -fc or fb-fd
can be entered.

また、本発明は、他の自己1度補償型の実施例を企図し
ている。ν1jえば、偏心した孔およびa叔の測定とい
う特徴に基ずく外部にtWj Itがかけられる実施例
が第19〜20図に示されている。好ましくは水晶材よ
り成る長さLQの円啼部材13゜かカット135に沿っ
てスライスされて、2つの区分131.133とされて
いる。好ましくは。
The present invention also contemplates other self-once compensated embodiments. For example, an embodiment is shown in FIGS. 19-20 in which tWj It is applied externally based on the features of an eccentric hole and an angle measurement. A circular member 13° of length LQ, preferably made of quartz material, is sliced along cuts 135 into two sections 131 and 133. Preferably.

カッ) 135Fi、前記のように相対するSTオリ1
ンテーンヨンおよび相対するSSTオリエンテーション
をつくるように円筒130の内部にミーリングされる4
つの縦方向の平面132a、132b、] 32c、]
 32dを妨害することなしに、出来るだけ多くの機械
的削称性を与えるために、x−7面内につくらねばなら
ない。各平面1 :(2a、]32b、132c、13
2dは深さ「1 にミーリングされる。想II線bbで
示す軸をもつ長さLlの空間134が、想像線aaで示
す軸をもつ円筒13()の端部から等距離の位置に円筒
130内につくられる。軸bbは円筒の軸a8に平行で
あるが、これから適当な角度βで喰違っていて、これη
・ら距離dだけ変位して、平面1328−132dの各
々と円筒130の外面との間に、それぞれ、j早さtl
、t2、t3、t4の部分をつくっている。
135Fi, ST ori 1 facing opposite as above
4 milled into the interior of the cylinder 130 to create an alignment and an opposing SST orientation.
two longitudinal planes 132a, 132b,] 32c,]
32d must be made in the x-7 plane to provide as much mechanical ablation as possible without disturbing 32d. Each plane 1: (2a, ]32b, 132c, 13
2d is milled to a depth of 1. A space 134 of length Ll with an axis shown by imaginary line bb is formed at a position equidistant from the end of cylinder 13 ( ) with an axis shown by imaginary line aa. 130.The axis bb is parallel to the axis a8 of the cylinder, but it is offset by an appropriate angle β, and this η
- Displaced by a distance d from
, t2, t3, and t4 are created.

第19〜20図の外側に萌ルがかけられる実施例におけ
る種々の構造的部分は、第4〜5図および添付の説明の
教示に従って寸法を決められるが、ただし、空間134
は、変位角度βが約51度、軸aaと軸bbの変位dが
約1.5馴で円筒130内につくられる。孔134の位
置および各平面をつくるミーリング深さrl によって
、厚さ1、、 12. 1.、t4が確定され、これは
、それぞれ、4.91+1. 6.9IJ、7.1iL
ff、5.11ffとされる。
The various structural parts in the externally sprung embodiment of FIGS. 19-20 are dimensioned according to the teachings of FIGS. 4-5 and the accompanying description, except that the space 134
is created in the cylinder 130 with a displacement angle β of about 51 degrees and a displacement d of about 1.5 degrees between axes aa and axes bb. Depending on the location of the hole 134 and the milling depth rl that creates each plane, the thickness 1, 12. 1. , t4 are determined, which are 4.91+1., respectively. 6.9IJ, 7.1iL
ff, 5.11ff.

ミーリングされた平面のオリエンテーションは、上記と
同じ基礎に基いて選択され、適当なSAW装置の製作は
上記と同じように行なわれる。SAW装蓋装置くられた
ら2円筒130の2つの部分131.133は結合され
%第14図%第15図に関して説明したハウジング内に
配置され、ダイヤフラムが第16図の測定回路に結合さ
れる。
The orientation of the milled plane is selected on the same basis as above, and the fabrication of a suitable SAW device is carried out in the same manner as above. Once the SAW capping device is closed, the two parts 131, 133 of the two cylinders 130 are joined and placed in the housing described with respect to FIG. 14 and FIG. 15, and the diaphragm is coupled to the measurement circuit of FIG. 16.

内部に荷重がかけられる感知装置の他の実施例において
は、孔と円筒の軸が一致するが、平面は異なる深さにミ
ーリングされて、本発明によるそれぞれ外なる基板厚さ
を形成する。例えば%第21図は、相対する平面150
a、150cが成る定められたオリエンテーション、例
えばSSTオリエンテーションを有し、これらがそれぞ
れ異なる厚さr+flpよびr2にミーリングされて、
それぞれ、異なる厚さtlおよびt2をもつダイヤプラ
ムの部分をつくっている形態のものを示す。同様に、相
対する平面150b、150dは、それぞれ、厚さr、
およびr2にミーリングされて、それぞれ界なる厚さt
lおよびt2をもつダイヤプラム部分をつくる。平面1
50a% 150bのミーリング深さは同じ(「I)で
平面150 c%150dのミーリング深さは同じ(「
2)であるが、所望々らげ、各平面を異なる深さにミー
リングしてもよい。
In other embodiments of internally loaded sensing devices, the axes of the hole and cylinder are coincident, but the planes are milled to different depths to form different substrate thicknesses in accordance with the present invention. For example, in Figure 21, the opposing plane 150
a, 150c have a defined orientation, e.g. SST orientation, which are milled to different thicknesses r+flp and r2, respectively;
A configuration is shown creating portions of the diaphragm with different thicknesses tl and t2, respectively. Similarly, the opposing planes 150b and 150d each have a thickness r,
and r2, respectively, to a boundary thickness t
Create a diaphragm section with l and t2. Plane 1
The milling depth of 50a% 150b is the same ("I") and the milling depth of plane 150c% 150d is the same ("I").
2) However, each plane may be milled to a different depth if desired.

複数の測定を欠いた自己温度補償型の圧力感知ダイヤフ
ラムの簡単化した実施例が、第22図に。
A simplified embodiment of a self-temperature-compensating pressure-sensing diaphragm lacking multiple measurements is shown in FIG.

内側に荷重がかけられる装置として示されている@同じ
教示に従って、外側に荷重がかけられる装置を構成する
こともできる。第22図の実施例は。
Following the same teachings shown as an internally loaded device, an externally loaded device can also be constructed. The embodiment shown in FIG.

それぞれ深さ「1および「2にミーリングされた平面1
608.160bを含む唯1つの測定チャンネルと、!
16図のチャンネルの1っに含まれているような関連す
る電子回路を必要とする。
Plane 1 milled to depth “1” and “2” respectively
Only one measurement channel including 608.160b and!
16 requires associated electronic circuitry such as that contained in one of the channels in FIG.

前記のオリエンテーションは対角軸の周りに一回回転さ
れたオリエンテーションである。他の適当々オリエンテ
ーション、例えば、三方軸の周りに一回回転されたオリ
エンテーション、或いは二回回転されたオリエンテーシ
ョンも、成る応用個所においては有利であるかもしれな
い。三方軸の周りに一回回転されたオリエンテーション
に基ずくダイヤフラムが第22図に示されている。第2
3図は、それぞれ、深さ’I”2、r3 Kミーリンク
された平面1708.170b% 170cを含む単一
の測定チャンネルを示す。測定チャンネル内の第3の平
面は、測定される圧力の信頼性のレベルを改良するため
の余分の読みを与える。
Said orientation is an orientation rotated once about a diagonal axis. Other suitable orientations may also be advantageous in some applications, for example an orientation rotated once or twice around a trigonal axis. The diaphragm is shown in FIG. 22 with an orientation rotated once about a three-sided axis. Second
Figure 3 shows a single measurement channel containing a linked plane 1708.170b% 170c, respectively, at depth 'I''2, r3 K. The third plane in the measurement channel is Gives an extra reading to improve the level of reliability.

重み付は型の温度補償 ST及びSST方向の付近の方向は別の特性を有してい
ることが分ってかり1本発明ではこれを便利に用いて、
温度補償された圧力測定を行なったり、或いは更に、こ
の温度補償された圧力測定の応答時間及び精度を改善し
たりすることができる。特に、これらの方向社興なった
′転換“温度を示す。SAW装置の周波数一温度特性は
パラがう状のふるまいを呈し、これは転換(基準)温度
付近での周波数の温度依存性が最小である。従って、圧
力を測定する際に温度により誘起されるエラーは転換点
から最も離れた温度において最も顕著となる。測定され
る流体が例えば0℃ないし150℃の範囲の温度変動を
受けるところで高い精度を与えるために、40℃及び9
0℃の各転換温度を有するSAW装置で得られた2つの
別々の圧力測定値が合成されて、以下で詳細に述べるよ
うに更に一貫性のある正確が測定値が形成される。
It has been found that the directions near the temperature-compensated ST and SST directions of the weighting type have different characteristics. This is conveniently used in the present invention.
Temperature compensated pressure measurements can be made or even the response time and accuracy of the temperature compensated pressure measurements can be improved. In particular, these directions indicate the 'transition' temperature. The frequency-temperature characteristic of the SAW device exhibits a parasitic behavior, which means that the temperature dependence of the frequency around the transformation (reference) temperature is minimal. Therefore, temperature-induced errors in measuring pressure will be most pronounced at temperatures furthest from the tipping point, where the fluid being measured is subject to temperature fluctuations ranging, for example, from 0°C to 150°C. 40°C and 9°C to give high accuracy.
Two separate pressure measurements obtained with the SAW device with each conversion temperature of 0° C. are combined to form a more consistent and accurate measurement as detailed below.

2つの適当な方向は、40℃の転換温度を生じさせる(
 yxwl ) 0’ /40 、0°、r==[10
と、90℃の転換温度を生じさせる( yxwl ) 
0’ /−49,2°、r=21.5°である。これら
の転換温度における各方向についてのΔ1/fΔ丁及び
Δf/fΔPの値は上記したようにはソ同じである。
Two suitable directions yield a conversion temperature of 40°C (
yxwl ) 0' /40, 0°, r==[10
and yielding a conversion temperature of 90°C (yxwl)
0'/-49.2°, r=21.5°. The values of Δ1/fΔT and Δf/fΔP in each direction at these conversion temperatures are the same as described above.

SAW装置の転換温度は1回転角%伝搬方向或いはその
両方をわずかに変えることKよって広い温度レンジにわ
たって変えることができる。例えば、STカットの付近
の方向については、伝搬方向を三方晶軸に沿って一定に
保持した状態で、転換温度が回転角の減少と共に増加し
、そしてSSTカットの付近の方向については、転換温
度が回転角の減少又は伝搬方向の減少−その他方は一定
に保っておく−と共に増加する。
The conversion temperature of a SAW device can be varied over a wide temperature range by slightly changing the direction of propagation, or both, by one angular percent of rotation. For example, for the direction near the ST cut, with the propagation direction held constant along the trigonal axis, the conversion temperature increases with decreasing rotation angle, and for the direction near the SST cut, the conversion temperature increases with decreasing rotation angle or decreasing propagation direction, the other being held constant.

重み付は型の温度補償は、非常に正確な圧力測定を必要
とする使用目的において自己温度補償を補うものである
。このような使用目的においては。
Weighted type temperature compensation supplements self-temperature compensation in applications requiring highly accurate pressure measurements. For such purpose of use.

taとfC,或いはfbとfdとを混合しても温度の影
響が許容できるところまで除去されない。むしろ、自己
温度補償技術は、これらの状態の下で、非常に広い然し
限度のある温度範囲にわたって正確且つ安定な作動を与
えると考えることができる。
Even if ta and fC or fb and fd are mixed, the influence of temperature will not be removed to an acceptable level. Rather, self-temperature compensation techniques can be considered to provide accurate and stable operation over a very wide but limited temperature range under these conditions.

第24図は、温度により誘起される不所望な作用が自己
温度補償技術によって実質的に減少される広いレンジを
示すグラフである。第24図は本発明を説明するための
ものに過ぎず、説明をわかりやすくするために、各チャ
ンネルに同様の方向をもつ2つのSAW装置の転換温度
について示°した10°のずれは実際に生じるであろう
ものより大きいことが理解されよう。曲1j、402a
及び402bは(yxwl ) 0° /40.0°、
r=00のST力方向もつ2つのSAW@置の周波数一
温度特性を各々表わすものであり、一方、曲線404は
ST力方向もつSAW装置をペースとする自己温度補償
チャンネルの周波数一温度特性を表わしている。選択さ
れた転換温度40℃から離れると、曲線402a及び4
02bは急激に変化、し、転換温度のすぐ近くの曲線4
02a及び402bの各部を除く全ての領域で、SAW
装置の応答が温度によって大巾に影響を受けることを示
している。曲線404は当該レンジ0℃〜j30℃にお
いて転換温度伺近で非常に■つくりと変化し、自己温度
補償されたチャンネルの応答がこのレンジ内では温度に
よってわずかに影響されるだけであることを示している
。曲線406a及び406bは(yxwl ) O’/
−49,2°%r=21.5°のSST方向をも、:)
2−1)のSAW装置の周波数一温度特性を各々表わし
てかり、一方1曲線408はSST方向をもっSAW装
置をペースとする自己温度補償チャンネルの周波数一温
度特性を表わしている。選択された転換温度906を越
えると、曲線406a及び406bは急激に変化し、転
換温度のすぐ近くの曲線406a及び406bの各部分
以外の全ての領域でSAW装櫃の応答が温度の影響を大
巾に受けることを示している。曲線408は[1U−1
30℃の当該レンジにおいて転換温度の付近で非常にゆ
っくりと変化するだけであり、自己温度補償されたチャ
ンネルの応答がこのレンジ内で温度によってわずかに影
響されるだけであることを示している。
FIG. 24 is a graph illustrating the wide range in which undesired temperature-induced effects are substantially reduced by self-temperature compensation techniques. FIG. 24 is for illustration purposes only, and for the sake of clarity, the 10° deviation shown for the conversion temperatures of two SAW devices with similar directions for each channel is actually It will be understood that this is greater than what would occur. Song 1j, 402a
and 402b is (yxwl) 0°/40.0°,
The curve 404 represents the frequency-temperature characteristics of two SAW devices with ST force direction of r=00, while the curve 404 represents the frequency-temperature characteristic of the self-temperature compensation channel based on the SAW device with ST force direction. It represents. Away from the selected conversion temperature of 40°C, curves 402a and 4
02b changes rapidly, and curve 4 immediately near the conversion temperature
In all areas except 02a and 402b, SAW
This shows that the response of the device is greatly affected by temperature. Curve 404 varies very sharply near the conversion temperature in the range 0°C to 30°C, indicating that the response of the self-temperature compensated channel is only slightly affected by temperature within this range. ing. Curves 406a and 406b are (yxwl) O'/
-49,2°%r=21.5° SST direction also :)
2-1) respectively represent the frequency-temperature characteristics of the SAW device, while a curve 408 represents the frequency-temperature characteristic of the self-temperature compensation channel with the SAW device as the pace with the SST direction. Above the selected conversion temperature 906, curves 406a and 406b change rapidly, and the response of the SAW charger becomes significantly influenced by temperature in all regions except the portions of curves 406a and 406b immediately near the conversion temperature. It shows that it is received by the width. Curve 408 is [1U-1
It only changes very slowly around the conversion temperature in this range of 30°C, indicating that the response of the self-temperature compensated channel is only slightly influenced by temperature within this range.

# S7 TJ及び“SST″チャンネルに対する温度
の影響は一般にわずか表ものであるが1曲線404で示
されたように約40℃においては# 37 #チャンネ
ルに対して温度の影響が全くなく、そして曲線408に
よって示されたように約90℃においてはI S S 
T Itチャンネルに対して温度の影響が全くない。重
み付は型の温度補償では、この特徴が効果的に利用され
る。
The effect of temperature on the #S7 TJ and "SST" channels is generally negligible, but at about 40°C, as shown by curve 404, there is no effect of temperature on the #37 # channel, and the curve At about 90°C, as shown by 408, I S S
There is no temperature effect on the T It channel. This feature is effectively utilized in weighted type temperature compensation.

重み付は型の温度補償においては、各々のチャンネル応
答が各々の周波数一温度特性に基いて重み付けされる。
In weighted temperature compensation, each channel response is weighted based on its frequency-temperature characteristic.

簡単な重み付は関数が第25図のグラフに示されており
、曲線412はI 37 ITチャンネルで測定される
圧力測定値及び1357 I+チャンネルで測定される
温度測定値に用いられる重み付は関数を表わしており、
曲線414は’SST“チャンネルで測定される圧力測
定値及び# 57 #チャンネルで測定さiする温度測
定値に適用される重み付は関数を弄わしている。最適化
され九圧力測定値及び最適化された温度測定値は出力と
して記録器99(第16図)へ供給される。
A simple weighting function is shown in the graph of FIG. It represents
Curve 414 shows the weighting applied to the pressure measurements measured in the 'SST' channel and the temperature measurements measured in the 'SST' channel. The converted temperature measurements are provided as output to a recorder 99 (FIG. 16).

第25図に示された重み付は関数は、広い温度レンジに
わたる3T及びSST方向の周波数一温度特性を紡機と
したものである。周波数及び圧力の関数としてのSAW
装置の温度応答は次のような典型的な2次元多項式であ
る T(f、P)=I。 (6) 3 +I、イ + I、f + I、f + −−−+工4
p + z、p2+工p5 + ++++ X fP 
+ I8ず2ρ 十 1.fP2 + −−−周波数及
び温度の関数としてのSAW装置の圧力応答は式(4)
で示したが、これは次のように表わされる。
The weighting function shown in FIG. 25 is based on frequency-temperature characteristics in the 3T and SST directions over a wide temperature range. SAW as a function of frequency and pressure
The temperature response of the device is a typical two-dimensional polynomial, T(f, P)=I. (6) 3 +I, i + I, f + I, f + ---+technique 4
p + z, p2 + engineering p5 + +++++ X fP
+ I8zu2ρ ten 1. fP2 + --- The pressure response of the SAW device as a function of frequency and temperature is given by Equation (4)
This is expressed as follows.

P (ず 、T)==H。P (zu, T)==H.

+ H,f + H2f2+ H3f3−1−−−−+
 H4T + H5T + H6T3+ −−−+ H
,fT + H8f T + H7fT + −−−重
み付は型の温度補償技術は曲線適合技術に関連して使用
される。4つの発振F)88a−88dの各々は1式(
4)及び(6)で与えられる圧力及び温度測定のための
2次元多項式に従って、同波数及び温度の関数としての
圧力測定値と、周波数及び圧力の関数としての温度測定
値とを与えるように構成される。校正中に、カウンタ9
3.97% 91゜95.92及び96からの信号ずa
、ずb% fc。
+ H, f + H2f2+ H3f3-1----+
H4T + H5T + H6T3+ ---+ H
, fT + H8f T + H7fT + --- Weighted type temperature compensation techniques are used in conjunction with curve fitting techniques. Each of the four oscillations F) 88a to 88d has one formula (
4) and configured to provide pressure measurements as a function of wave number and temperature, and temperature measurements as a function of frequency and pressure, according to the two-dimensional polynomials for pressure and temperature measurements given in (6). be done. During calibration, counter 9
3.97% 91°95. Signal from 92 and 96 a
, zb% fc.

fd 、fs −fc及びfb −fd が選択された
広範′囲の圧力及び温度に対して測定され、そして多項
式の係数が、ノセラメータ推定技術1例えば参考として
ここに取り上げる前記Mends I 氏の文献に述べ
られた最小平方ノ9ラメータ推定技術を用いて決定され
る。
fd, fs -fc and fb -fd are measured over a selected wide range of pressures and temperatures, and the coefficients of the polynomials are determined using the Nocellameter Estimation Technique 1, e.g. is determined using a least square parameter estimation technique.

測定譚階中には、ミクサ90及び94の出力である信号
fa−fc及びfb −fdからおおよその圧力測定1
直が得られる。このおおよその圧力測定値−おおよそと
は、若干温度の影響を受けているためであるーは平均化
され、その結果を用いて、式(6)を各々fa、fb、
fc及びfdK各々適用することにより、4つのSAW
装置の温度のおおよその値がめられる。平均温度が決定
され、これは以下の繰り返し手順にとって最良の推定温
度であると考えられる。
During the measurement process, an approximate pressure measurement 1 is obtained from signals fa-fc and fb-fd, which are the outputs of mixers 90 and 94.
You can get direct results. These approximate pressure measurements--approximate because they are slightly affected by temperature--are averaged, and the results are used to calculate equations (6) for fa, fb, and fb, respectively.
By applying fc and fdK respectively, four SAWs
Approximate temperature of the device can be determined. The average temperature is determined and is considered to be the best temperature estimate for the following iterative procedure.

SAW装置からの各々の温度の決定は1式α1及びfi
llで与えられて第25図に示された重み付は関数に従
って最良の推定温度の関数として重み付けされ、改善さ
れた最良の推定温度が得られる。この改善された最良の
推定温度を式(4)に使用して、信号fa−fc及びf
b −fdから改善された圧力測定値が得られる。これ
により得られる2つのチャンネルからの改善された圧力
測定値は1式(7)及び(8)により与えられて第25
図に示された重み付は関数に従って最良の推定温度の関
数として重み付けされ、改善された最良の推定圧力が得
られる。
Determination of each temperature from the SAW device is performed using one set α1 and fi
The weighting given by ll and shown in FIG. 25 is weighted as a function of the best temperature estimate according to a function to obtain an improved best temperature estimate. Using this improved best temperature estimate in equation (4), the signals fa−fc and f
Improved pressure measurements are obtained from b-fd. The resulting improved pressure measurements from the two channels are given by equations (7) and (8)
The weighting shown in the figure is weighted as a function of the best estimate temperature according to a function, resulting in an improved best estimate pressure.

最良の推定温度及び最良の推定圧力についての結果が適
当に収斂した場合に#i、最良の推定値が正しい温度及
び圧力測定値と考えられる。さもなくば、改善された最
良の推定圧力を式(6)に用いて。
If the results for the best-estimated temperature and the best-estimated pressure converge appropriately #i, the best-estimated value is considered the correct temperature and pressure measurement. Otherwise, using the improved best estimate pressure in equation (6).

fa% fbafc及びfd□これらは前記したように
処理される−から各々の温度測定値が得られる。
fa% fbafc and fd□, which are processed as described above, to obtain their respective temperature measurements.

最良の推定圧力を決定する曲線4】2及び414は次式
で表わされる。
The curves 4]2 and 414 that determine the best estimated pressure are expressed by the following equations.

町 □(7) 町+W2 但し、量w1及び町は各々式ロー90’+3及びIT−
40613で表わされるものであp、■は0℃≦T≦1
60℃である。最良の推定圧力社次式で与えられる。
Town □ (7) Town + W2 However, the quantity w1 and town are the formulas Rho90'+3 and IT-, respectively.
40613, where p and ■ are 0℃≦T≦1
The temperature is 60°C. The best estimated pressure is given by the equation:

最良の推定温度を決定する曲線414及び412は次式
で表わされる。
The curves 414 and 412 that determine the best temperature estimate are expressed by the following equations.

1 Yl +Y2 但し、量y1及びY2は各々式ロー40°13 及びI
T−9Ql で表わされるものであC1Tは0℃≦T≦
160℃である。最良の推定温度は次式で与えられる。
1 Yl +Y2 However, the quantities y1 and Y2 are the formulas Rho 40°13 and I, respectively.
It is expressed as T-9Ql, and C1T is 0℃≦T≦
The temperature is 160°C. The best temperature estimate is given by:

に) 重み付は技術は、自己温度補償の実施例では最適化技術
として説明したが、補償を行なわない実施例(例えば、
第1図〜第6図及び第4図−第5図の実施例)を含むそ
の他の実施例(例えば第19図−第20図及び第21図
の実施例)Kも適用できる。例えば、第1図−第5図及
び第4図−第5図の実施例に適用した時には、第1図−
第6図及び第4図−第5図の実施例で正確に実行される
ところの校正温度に対する狭い公称温度範囲を広げるこ
とができる。例えば、朗1図−餡3図の実施例に重み付
は技術を用いた場合には、平面2a及び2bが# B 
7 N方向を有し、一方これら平面28及び2bと同じ
厚みであるが方向が# S 5711方向であるような
2つの史に別の平面が前記したように設けられる。曲線
404及び408では々くて第24図の曲線4028%
402b、及び406a、406bの温度−周波数特性
を表わすように、重み付は関数を適当に変更することが
できる。
Although the weighting technique was explained as an optimization technique in the example of self-temperature compensation, it is also applicable to the example without compensation (e.g.
Other embodiments (for example, the embodiments shown in FIGS. 19-20 and 21) including the embodiments shown in FIGS. 1-6 and 4-5 are also applicable. For example, when applied to the embodiments shown in FIGS. 1-5 and 4-5,
The narrow nominal temperature range for the calibration temperature, which is performed accurately in the embodiments of FIGS. 6 and 4-5, can be widened. For example, if the weighting technique is used in the embodiment shown in Figures 1 and 3, planes 2a and 2b will be #B.
7N direction, while two other planes are provided as described above, having the same thickness as these planes 28 and 2b but with a direction in the #S5711 direction. The curves 404 and 408 are much larger than the curve 4028% in Figure 24.
The weighting function can be modified appropriately to represent the temperature-frequency characteristics of 402b and 406a, 406b.

測定値の補正 第26図ないし第61図は、圧力及び温度を別々に測定
する感圧ダイヤフラムの実施例を示している。本発明に
よる測定値補正式の感圧ダイヤフラムは、少なくとも2
つのSAW装置を備えており、その一方は王として圧力
に応答するものでありそしてその他方は主として温度に
応答するものである。SAW装置は、各々の発振器を形
成するように各々の増巾器及び整合回路網に接続される
Correction of Measured Values Figures 26 to 61 show embodiments of pressure sensitive diaphragms that measure pressure and temperature separately. The measurement-corrected pressure-sensitive diaphragm according to the invention comprises at least two
There are two SAW devices, one primarily pressure responsive and the other primarily temperature responsive. The SAW devices are connected to respective amplifiers and matching networks to form respective oscillators.

発振器の出力は、圧力測定値を温度測定値に従って補償
する適当なプロセッサに供給される。プロセッサの出力
は適当な指示器又は記録装置へ送られる〇 第26図及び第27図に示された内部に荷重のか\る実
施例においては1円筒230に4つの平面232 a 
〜232 dが切削される。平面232a及び232c
はその方向がSST方向でありそして平面232.b及
び232dはその方向が37方向でおり、前記したよう
に円筒230上に配置される。円筒230にはycs+
asが設けられ、この穴238の軸は円筒230の軸と
一致する。穴の壁と各平面2328〜232dとの間の
厚みがt。
The output of the oscillator is fed to a suitable processor which compensates the pressure measurements according to the temperature measurements. The output of the processor is sent to a suitable indicator or recording device. In the internally loaded embodiment shown in FIGS. 26 and 27, one cylinder 230 has four planes 232a.
~232 d is cut. Planes 232a and 232c
whose direction is the SST direction and the plane 232. The directions of b and 232d are 37 directions, and they are arranged on the cylinder 230 as described above. ycs+ for cylinder 230
as is provided, the axis of which hole 238 coincides with the axis of cylinder 230. The thickness between the wall of the hole and each plane 2328-232d is t.

となるように各々の平面が均一な深さr+ K切削され
るのが好ましいが、必ずしもこうでなくてもよい。各々
の平面には4つのインターデジタル型トランスジューサ
が付着される。例えば、平面232Bの好ましい配置が
第28図に詳細に示されている。インターデジタル型の
送信器234a及び受信器235aは1表面音波エネル
ギがd−d線に沿って伝搬するような遅延線を形成する
Although it is preferable that each plane be cut to a uniform depth r+K, this need not necessarily be the case. Four interdigital transducers are attached to each plane. For example, a preferred placement of plane 232B is shown in detail in FIG. Interdigital transmitter 234a and receiver 235a form a delay line such that one surface acoustic wave energy propagates along the dd line.

インターデジタル型の送信器236a及び受信器237
aは1表面音波エネルギがc −C線に沿って伝搬する
ような第2の遅延線を形成する。第26図及び第27図
のダイヤフラムの種々の構造上のかつこうは、第1図な
いし第5図について述ぺ九寸法にされる・ 第29図及び第30図に示された外部に荷重のか\る実
施例圧おいては、好ましくは水晶の、長さLo の円筒
240が切断線248に沿って2つの区分241及び2
43に切断されている。切断線248の仁義はX−Y平
面に平行に選択されそして適当なボンディング材料が前
記したように選択されるのが好ましいが、必ずし本この
ようにしなくてもよい。一般的に円筒状の内面249の
1部分は、区分241及び243を組立てた時にこれら
がその内面に閉じた同軸円筒ス4−スを形成するように
区分241及び243に形成される。
Interdigital transmitter 236a and receiver 237
a forms a second delay line such that one surface acoustic wave energy propagates along the c-C line. The various structural components of the diaphragm of FIGS. 26 and 27 are dimensioned as described with respect to FIGS. 1-5. The external loads shown in FIGS. 29 and 30 are In one embodiment, a cylinder 240 of length Lo, preferably of quartz, is cut into two sections 241 and 2 along a cutting line 248.
It is cut into 43 pieces. Preferably, the orientation of cutting line 248 is selected parallel to the X-Y plane and the appropriate bonding material is selected as described above, but this need not necessarily be the case. A portion of the generally cylindrical inner surface 249 is formed in sections 241 and 243 such that when assembled, they form a closed coaxial cylindrical space on their inner surfaces.

円筒状の内面249に4つの平面2428〜242dが
切削される。対向した平面242a及び242Cはその
向きがSST方向にされそして対向した平面242b及
び242dはその向きがST力方向され、前記したよう
に円筒240に配置される。各平面は円筒240の円筒
外面と各々の平面2428〜242dとの閣の厚みが1
. となるように均一な深さ「2、に切削される04個
のインターデジタル型トランスジューサが好ましくは第
28図に示されたように各々の平面に付着される。例え
ば、インターデジタル型送信器244a及び受信器24
5aは、表面音波エネルギがd −d線に沿って伝搬す
るような遅延線を形成する。
Four planes 2428 to 242d are cut into the cylindrical inner surface 249. Opposed planes 242a and 242C are oriented in the SST direction and opposed planes 242b and 242d are oriented in the ST force direction and are disposed in cylinder 240 as described above. Each plane has a thickness of 1 between the outer surface of the cylinder 240 and each plane 2428 to 242d.
.. 04 interdigital transducers cut to a uniform depth "2" are preferably deposited on each plane as shown in FIG. 28. For example, interdigital transmitter 244a and receiver 24
5a forms a delay line such that the surface acoustic wave energy propagates along the dd line.

インターデジタル型送信器246a及び受信器247a
は、表面音波エネルギがC−CMに沿って伝搬するよう
な第2の遅延線を形成する。第29図及び第50図のダ
イヤフラムの種々の構造上のかつこうは、第4図及び第
5図について述べたような寸法にされる。
Interdigital transmitter 246a and receiver 247a
forms a second delay line such that the surface acoustic wave energy propagates along the C-CM. The various structural features of the diaphragm of FIGS. 29 and 50 are dimensioned as described with respect to FIGS. 4 and 5.

第28図に示されたSAW遅延線を設計する際の重要な
考え方は、隣接するインターデジタル型トランスジュー
サ間のクロストークを減少することであり、このクロス
トークは、例えば% SAW遅延線が形成された面に対
向する面を金属化してインターデジタル型トランスジュ
ーサを互いに電気的にシールドするか、或いはインター
デジタル型トランスジューサを互いに電気的にアイソレ
ートするに充分な空間分離を与えることによって。
An important consideration in designing the SAW delay line shown in Figure 28 is to reduce crosstalk between adjacent interdigital transducers, which can be caused by e.g. The interdigital transducers may be electrically shielded from each other by metallizing opposite surfaces, or by providing sufficient spatial separation to electrically isolate the interdigital transducers from each other.

許容できるレベルまで下けることができる。交差する伝
搬路は圧力及び温度の各向きが同じ温度にあるように最
適なものKするが1本発明では互いに交差しない各々の
伝搬路の使用も意図される。
can be brought down to an acceptable level. Although the propagation paths that intersect are optimal so that the pressure and temperature directions are the same, the present invention also contemplates the use of propagation paths that do not intersect with each other.

このような構成は、同じ平面上に配置された複数のイン
ターデジタル型トランスジューサに良好な電気的分離を
与える。
Such a configuration provides good electrical isolation for multiple interdigital transducers placed on the same plane.

第26図りいし第27図並びに第29図ないし第50図
に示された感圧ダイヤフラムは、上記で詳細に述べたよ
うに適当な耐圧ハウジング内に取り付けられ、そして第
31図に示されたような適当な電子回路に接続される。
The pressure sensitive diaphragm shown in FIGS. 26-27 and 29-50 is mounted within a suitable pressure housing as detailed above and as shown in FIG. connected to appropriate electronic circuitry.

例えば第26図ないし第27図又は第28図かいし第3
0図のダイヤフラムを表わしているダイヤフラム270
Ku、例えば平面232 a 〜232 d又は平面2
42a〜242dを表わしている4つの平面2728〜
272dが設けられている。各平面には圧力の方向及び
温度の方向がある。SST及び37回転は適切な伝搬方
向が選択された場合に温度の方向付は及び圧力の方向付
けを行なうことができると分つている。(yxwl )
 O’ /−49、2°というSST方向が選択された
場合には、r==Q6は典型的にΔf/fΔ丁= 19
X 1 o−’/℃で示される温度感知方向を与え、一
方、r=21.5°は典型的にlΔずI / fΔP 
= 10 / ps’lそしてΔf/fΔTは小さくて
約90℃であるような感圧方向を与える。(yxwl 
) 0°/40°という3T方向が選択された場合には
、r=55°は典型的にΔf/fΔT=20X10 /
lで示される温度感知方向を与え、一方、「〜00は典
型的にlΔfl/fΔP=7X10 /pslそしてΔ
f/fΔTは小さくて約40℃であるような感圧方向を
与える。第26図ないし第27図並びに第29図かいし
第30図の実施例に対して適した温度及び圧力方向を以
下の表に示す・ 場 O+ 寸 CP−寸 ト (イ) つ −4棚 1へ 第31図の回路は4つの独立した測定チャンネル274
a−274dを備えており、チャンネル274aが代表
的に詳細に示されている。整合回路網280.281及
び増巾器282より成る温度感知発振器は出力を発生し
、この出力はカウンタ283でデジタル化されそして信
号’atとしてプロセッサ298へ送られる。整合回路
網284.285及び増巾器286より成る感圧発振器
は出力を発生し、この出力はカウンタ287でデジタル
化されそして信号イ としてプロセッサ298p へ与えられる。同様に、チャンネル274b。
For example, Figures 26 to 27 or 28 to 3
Diaphragm 270 representing the diaphragm of Figure 0
Ku, e.g. planes 232 a to 232 d or plane 2
Four planes 2728~ representing 42a~242d
272d is provided. Each plane has a pressure direction and a temperature direction. It has been found that SST and 37 rotations can provide temperature direction and pressure direction if the appropriate propagation direction is chosen. (yxwl)
If an SST direction of O'/-49, 2° is chosen, r==Q6 is typically Δf/fΔd=19
gives a temperature sensing direction denoted by
= 10/ps'l and Δf/fΔT gives a pressure sensitive direction such that it is small and approximately 90°C. (yxwl
) If the 3T direction of 0°/40° is chosen, r=55° is typically Δf/fΔT=20X10/
gives the temperature sensing direction denoted by l, while “~00 is typically lΔfl/fΔP=7X10/psl and Δ
f/fΔT gives a pressure sensitive direction such that it is small and about 40°C. Suitable temperatures and pressure directions for the embodiments of Figures 26 to 27 and 29 to 30 are shown in the table below. The circuit of Figure 31 has four independent measurement channels 274.
a-274d, with channel 274a shown in representative detail. A temperature sensitive oscillator consisting of matching network 280, 281 and amplifier 282 produces an output that is digitized by counter 283 and sent to processor 298 as signal 'at. A pressure sensitive oscillator consisting of matching network 284, 285 and amplifier 286 produces an output which is digitized by counter 287 and provided as signal I to processor 298p. Similarly, channel 274b.

274C及び274dは各々の信号f、。及びfbp。274C and 274d are respective signals f. and fbp.

’at及びfcp、そしてfdt及びf d pをプロ
セッサ298へ与える。
'at and fcp, and fdt and f d p to processor 298.

プロセッサ298は1曲線適合ルーチンか、又はルック
アップテーブル・補間ルーチンかのいずれかを実行して
、温度補正された圧力を決定する。
Processor 298 executes either a one-curve fitting routine or a look-up table interpolation routine to determine the temperature-corrected pressure.

いずれの場合にも、内部の作動段階として、所要の作動
温度レンジにわたって、選択された圧力における信号f
t及びず、の両方が測定される。次いで、これらの値を
用いて、選択された曲線適合方程式の係数が導出される
か、或いは各々の選択された温度におけるルックアップ
テーブルの個々の入力が決定される。
In either case, as an internal operating phase, the signal f at the selected pressure over the required operating temperature range
Both t and d are measured. These values are then used to derive the coefficients of the selected curve fitting equation or to determine the individual entries of the look-up table at each selected temperature.

曲線適合技術を実行する際には、各平面の発振器は、周
波数及び温度の関数としての圧力測定値と1周波数及び
圧力の関数としての温度測定値とを各々与えるように校
正される。温度及び圧力測定値に対する典型的な2次元
校正多項式は式(4)及び(6)の形式をとる。平面2
72aに組合わされた2つの発振器は、平方272b、
272c及び272dに組合わされた発振器対を代表し
ている。
In performing the curve fitting technique, the oscillators in each plane are calibrated to provide a pressure measurement as a function of frequency and temperature, and a temperature measurement as a function of frequency and pressure, respectively. Typical two-dimensional calibration polynomials for temperature and pressure measurements take the form of equations (4) and (6). Plane 2
The two oscillators combined at 72a are square 272b,
272c and 272d are representative of the combined oscillator pair.

校正中、各々信号’at及びf a pを発生する平面
2728上の2つの発振器の作動周波数は広範囲の選択
された圧力及び湯度にわたって測定され。
During calibration, the operating frequencies of two oscillators on plane 2728, producing signals 'at and f a p, respectively, are measured over a wide range of selected pressures and temperatures.

そしてfatを与える発振器に対する多項式T(4゜P
)の係数及びfapを与える発振器に対する多項式P(
f、T)の係数は、A’ラメータ推定技術、例えば、 
Mendel 氏の文献に述べられ九最小平方/’Pラ
メータ推定技術を用いて決定される。測定段階中には、
おおよその温度測定値が、式(6)より導き出された次
の近似式を用いてfatから得られる。
Then, the polynomial T(4゜P
) and the polynomial P(
The coefficients of f, T) can be calculated using A' parameter estimation techniques, e.g.
It is determined using the nine least squares/'P parameter estimation technique described in Mendel et al. During the measurement phase,
An approximate temperature measurement is obtained from fat using the following approximation derived from equation (6).

■(fl = ATf + 8.f2 + CTf!′
 + DT a3このおおよその温度値をスapと共に
式+41 K用いて、最良の推定圧力を決定する。圧力
及び温度に対する結果が適切に収斂するまで、この最良
の推定圧力をtatと共に式(6)に用いそしてこれに
より生じる最良の推定温度をfapと共に式(4)に用
いることによって、この技術が繰り返し適用さtl、る
■(fl = ATf + 8.f2 + CTf!'
+ DT a3 Use this approximate temperature value with the formula +41 K to determine the best estimate of pressure. This technique is iterated by using this best estimate of pressure with tat in equation (6) and the resulting best estimate of temperature with fap in equation (4) until the results for pressure and temperature converge properly. Applies to tl.

ルックアップテーブル技術を実行する場合には、校正段
階中に、当該信号が成るレンジの選択された圧力及び温
度にわたって測定され、これによって得た値が圧力fa
t及びfapの3次元テーブルに記憶される。測定段階
中にFi、ルックアップテーブルを調べそしてもし必要
ならば3つの変数に対する適当な補間技術・・・・・・
参考としてここに取り上げる前記のにunz 氏の文献
に説明されたような・・・・・を用いることKよって、
圧力測定値が決定される。
When implementing a look-up table technique, during the calibration phase the signal is measured over a range of selected pressures and temperatures and the resulting value is determined as the pressure fa.
It is stored in a three-dimensional table of t and fap. During the measurement phase, check the Fi, look-up table and, if necessary, appropriate interpolation techniques for the three variables...
By using K as explained in the literature of Mr. Unz, which is taken here as a reference,
A pressure measurement is determined.

ここでけ単1平面について測定値補正補償技術を説明し
たが、この技術はダイヤフラムの各平面又は他の領域上
にある発振器が各々温度方向及び圧力方向を有する場合
にも適用できる。例えば。
Although the measurement correction compensation technique has been described herein for a single plane, the technique can also be applied when the oscillators on each plane or other region of the diaphragm each have a temperature direction and a pressure direction. for example.

第1図ないし第3図並びに第4図ないし第5図の実施例
に適用した時には、平面2a及び2bが圧力を感知する
ように「=0°でもって″ST″方向をもち、一方、平
面2a及び2bと同じ厚みであるが温度を感知するよう
にr=0°で# S S7 #方向をもつ2つの更に別
の平面が前記したように設けられる。
When applied to the embodiments of FIGS. 1 to 3 and 4 to 5, the planes 2a and 2b have an "ST" direction with "=0°" so that the planes 2a and 2b are sensitive to pressure, while the plane Two further planes of the same thickness as 2a and 2b but with the #S S7 # direction at r=0° so as to be temperature sensitive are provided as described above.

特定の実施例について本発明を以上に説明したが、これ
らの実施例は解説のだめのものに過ぎず、本発明はこれ
らの実施例のみに限定されるものではない。本発明の精
神及び範囲内で種々の変更が外され得ることが当業者に
明らかであろう。例えば、コンプライアンスのある構造
体内に収容されたダイヤプラム上に形成されたSAW装
瞳に対する温度誘起性の周波数シフトは本質的に結晶学
的な方向によって左右されるが、圧力誘起性の周波数シ
フトはダイヤフラム構造体の詳、mな幾何学形状、工“
ンドキャップの設計、荷重のかけ方、及び選択された方
向といった別の要素によって大きく左右される。従って
、これら及びその他の要素の変化も本発明の範囲内に含
まれる本のとする。
Although the invention has been described above with reference to specific embodiments, these embodiments are merely illustrative and the invention is not limited to these embodiments. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications may be made within the spirit and scope of the invention. For example, temperature-induced frequency shifts for a SAW pupil formed on a diaphragm housed within a compliant structure are essentially driven by crystallographic orientation, whereas pressure-induced frequency shifts are Details of the diaphragm structure, geometric shape, engineering
Much depends on other factors such as the design of the end cap, how it is loaded, and the direction chosen. Accordingly, variations in these and other elements are intended to be included within the scope of the invention.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は内部に荷重がか\る感圧ダイヤフラムの斜視図
。 第2図及び第5図は各々第1図の感圧ダイヤスラムの軸
に沿ってみた断面図及び第1図の感圧ダイヤスラムの軸
に垂直な平面でみた断面図。 第4図及び第5図は外部に荷重のか\る感圧ダイヤフラ
ムの断面図であって、各々、ダイヤフラムの軸に沿って
みた断面図及びダイヤスラムの軸に垂直な平面でみた断
面図。 第6図は第1図ないし第3図そして第4図ないし第5図
に示された感圧ダイヤフラムから圧力測定値を得るのに
適した電気回路の回路図。 第7図は内部に荷重のか\る自己温度補償式の感圧ダイ
ヤフラムの斜視図、 焼8図及び第9図は各々第7図の感圧ダイヤフラムの軸
に沿ってみた断面図及び姐7図の感圧ダイヤプラムの軸
に垂直々平面でみた断面図。 第10図及び第11図はハウジング及びこれに設置され
た第7図の感圧ダイヤスラムの断面図であって、各々該
ダイヤフラムの軸に沿った断面図及び該i゛イヤフラム
軸に垂直な平面でみた断面図。 第12図及び第16図は外部に荷重のか\る自己温度補
償式の感圧ダイヤフラムの断面図であって、各々該ダイ
ヤプラムの軸に沿った断面図及び該ダイヤフラムの軸に
垂直な平面でみた断面図、第14図及び第15図はハウ
ジング及びと九に設置された第12図及び第16図の感
圧ダイヤフラムの断面図であって、各々該ダイヤフラム
の軸に沿った断面図及び該ダイヤフラムの軸に垂直な平
面でみた断面図、 第16図は第7図ないし1A11図そして第12図ない
し車15図に示された感圧ダイヤフラムからの圧力測定
値を得るのに適した電気回路の回路図。 第17図は水晶原石の斜視図であり、所与の方向の水晶
円柱をくり抜くところを示した図。 熾18図は第17図の水晶円柱における選択された結晶
学的方向の平面の位置を示す概略図、第19図及び第2
0図は外部に荷重のか\る自己温度補償式感圧ダイヤフ
ラムの別の実施例の断面図であって、各々、ダイヤスラ
ムの軸に沿った断面図及びダイヤフラムの軸に垂直な平
面でみた断面図。 第21図、第22図及び第25図は内部に荷重のか\る
自己温度補償式感圧ダイヤフラムの更に別の種々の実施
例を示す断面図であって、ダイヤフラムの軸に垂直な平
面に沿ってみた断面図。 第24図は重み付は式の温度補償を説明するために温度
補償されない構成体と自己温度補償された構成体とにお
いて5T−X及びSST方向に対する温度の関数として
ムf/f△■を示したグラフ、第25図は重み付は式の
温度補償に用いる1つの重み付は関数を示すグラフ、 第26図及び@27図は内部に荷重のか\る測定補正型
温度補償の感圧ダイヤフラムを示す断面図であって、各
々Beイヤフラムの軸に沿った断面図及び該lイヤフラ
ムの軸に垂直な平面においてみた断面図、 第28図は第26図ないし第27図そして第29図ない
し第30図の実施例に設けられた平面を代表する平面の
拡大図。 第29図及び第60図は外部に荷重のか\る測定補正型
温度補償の感圧ダイヤフラムの断面図であって、各々l
゛イヤフラム軸に沿った断面図及びj°イヤフラムの軸
に垂直な平面でみた断面図。 填51図は第26図ないし第27図そして第29図ない
し第50図に示された感圧ダイヤフラムから圧力測定値
を得るのに適した電気回路の回路図。 第52図は外部に負荷のか\る球状の感圧ダイヤフラム
の斜視図、そして 第63図は第62図の感圧l゛イヤフラム直径、 方向
に沿ってみた断面図である。 1・・・円筒部材、2a、2b・・・平面、4・・・穴
、fia、6b 、8a 、f3b−−−トラ7スジユ
ーサ。 10・・・円筒部材% 11.12・・・区分、12a
。 12b・・・平面% 14・・・円筒スペース、15・
・・切断線516a*16b・・・送信器、18a、1
8b−・・受信器、200・・・ダイヤフラム* 20
2a+202 b ・S A W装置、203a 、2
03b−発振器、208 a 、 208 b−・−カ
ウンタ、204 a *204 b ・−広帯域増巾器
、206a、206b。 213a 、213b・・・整合回路網、207・・・
プロセッサ、209・・・記録器。 図面の浄書(内容に変更なし) FIG、 2 特開昭GO−138431(gの FIG、 25 F21ト FIG、 26 FIG、 27 手続補正書(方式) 昭和 年 月 日 特許庄長官 若 杉 和 夫 殿 3、補正をする者 事件との関係 出願人 4、代理人 6、補正の対象 全図面 −暗、−一
Figure 1 is a perspective view of a pressure-sensitive diaphragm with a load applied inside. 2 and 5 are a sectional view taken along the axis of the pressure-sensitive diaphragm of FIG. 1 and a sectional view taken along a plane perpendicular to the axis of the pressure-sensitive diaphragm of FIG. 1, respectively. 4 and 5 are cross-sectional views of a pressure-sensitive diaphragm with an external load, respectively, taken along the axis of the diaphragm and in a plane perpendicular to the axis of the diaphragm. FIG. 6 is a schematic diagram of an electrical circuit suitable for obtaining pressure measurements from the pressure sensitive diaphragms shown in FIGS. 1-3 and 4-5; FIG. Figure 7 is a perspective view of a self-temperature-compensating pressure-sensitive diaphragm with a load applied inside it, and Figures 8 and 9 are cross-sectional views taken along the axis of the pressure-sensitive diaphragm in Figure 7, respectively. A sectional view taken in a plane perpendicular to the axis of the pressure-sensitive diaphragm. 10 and 11 are cross-sectional views of the housing and the pressure-sensitive diaphragm of FIG. 7 installed therein, respectively, a cross-sectional view along the axis of the diaphragm and a plane perpendicular to the diaphragm axis. Cross-sectional view. 12 and 16 are cross-sectional views of an externally loaded self-temperature-compensating pressure-sensitive diaphragm, respectively taken along the axis of the diaphragm and in a plane perpendicular to the axis of the diaphragm. 14 and 15 are cross-sectional views of the pressure-sensitive diaphragm of FIGS. 12 and 16 installed in the housing and the diaphragm, respectively; 16 is a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to the axis of the diaphragm; FIG. 16 is an electrical circuit suitable for obtaining pressure measurements from the pressure-sensitive diaphragms shown in FIGS. Schematic diagram. FIG. 17 is a perspective view of a raw crystal stone, showing the hollowing out of a crystal column in a given direction. Figure 18 is a schematic diagram showing the position of the plane of the selected crystallographic direction in the crystal cylinder of Figure 17, Figure 19 and Figure 2.
Figure 0 is a cross-sectional view of another embodiment of a self-temperature-compensating pressure-sensitive diaphragm with an external load, respectively taken along the axis of the diaphragm and in a plane perpendicular to the axis of the diaphragm. figure. Figures 21, 22 and 25 are cross-sectional views of various further embodiments of internally loaded self-temperature compensating pressure sensitive diaphragms along a plane perpendicular to the axis of the diaphragm. A cross-sectional view. Figure 24 shows the weighting f/f△■ as a function of temperature in the 5T-X and SST directions for a non-temperature compensated structure and a self-temperature compensated structure to illustrate the temperature compensation in the equation. Figure 25 is a graph showing one weighted function used for temperature compensation in the weighted equation. Figures 26 and 27 are graphs showing a pressure-sensitive diaphragm for measurement compensation type temperature compensation with internal load. 28 is a sectional view taken along the axis of the Be earphragm and a sectional view taken in a plane perpendicular to the axis of the Be earphragm; FIG. 28 is a sectional view taken from FIGS. FIG. 3 is an enlarged view of a plane representative of the planes provided in the illustrated embodiment; FIGS. 29 and 60 are cross-sectional views of a pressure-sensitive diaphragm for measurement-compensated temperature compensation with an external load, each l
゛A cross-sectional view along the iaphragm axis and a cross-sectional view taken in a plane perpendicular to the axis of the iaphragm. Figure 51 is a schematic diagram of an electrical circuit suitable for obtaining pressure measurements from the pressure sensitive diaphragms shown in Figures 26-27 and 29-50. FIG. 52 is a perspective view of a spherical pressure-sensitive diaphragm with an external load applied thereto, and FIG. 63 is a sectional view taken along the pressure-sensitive diaphragm diameter direction of FIG. 62. 1... Cylindrical member, 2a, 2b... Plane, 4... Hole, fia, 6b, 8a, f3b --- Tiger 7 thread Yusa. 10...Cylindrical member% 11.12...Classification, 12a
. 12b...Plane% 14...Cylindrical space, 15.
... Cutting line 516a*16b ... Transmitter, 18a, 1
8b--Receiver, 200...Diaphragm* 20
2a+202b ・S A W device, 203a, 2
03b-Oscillator, 208a, 208b--Counter, 204a*204b--Broadband amplifier, 206a, 206b. 213a, 213b... matching circuit network, 207...
Processor, 209...Recorder. Engraving of drawings (no change in content) FIG, 2 JP-A-138431 (FIG of g, 25 F21 to FIG, 26 FIG, 27 Procedural amendment (method) Mr. Kazuo Wakasugi, Director General of Japan Patent Office 3. Relationship between the person making the amendment and the case Applicant 4, agent 6, subject of amendment All drawings - dark, -1

Claims (1)

【特許請求の範囲】 (1)結晶質のダイヤフラム区分を備えた表面音波信号
周波数装置において。 円筒状又は球状の外面及び円筒状又は球状の内面を備え
、上記外面及び内面の一方は与えられた圧力を受けるよ
うにされ、そして上記外面及び内面の他方は、成る選択
された方向を有していて表面音波装置の形成に用いられ
る第1領域と、この第1領域の向きと実質的に同じ方向
を有していて表面音波装置の形成に用いられる第2領域
とを含んでおり、 与えられた圧力を受けるようにされる上記面と上記第1
領域との間にある上記lイヤフラム区分の第1部分は第
1の所定厚みを有し、そして 与えられた圧力を受けるようにされる上記面と上記第2
領域との間にある上記ダイヤプラム区分の第2部分は上
記第1の所定厚みとは異なる第2の所定厚みを有するこ
とを特徴とする装置。 (2) 上記ダイヤフラム区分は連続的な結晶格子構造
体を有している特許請求の範囲第(1)項に記載の装置
。 (3) 上記第1及び第2領域の方向はST力方向びS
ST方向より成る群から選択される特許請求の範囲第(
1]項又は第(2)項に記載の装置Xつ(4)上記他方
の面は、更に、上記第1及び第2領域の方向とは興なる
成る選択された方向に向けられていて表面音波装置の形
成に用いられる第3領域と、この第6領域の向きと実質
的に同じ方向にされていて表面音波装置の形成に用いら
れる第4領域とを備えており、与えられた圧力を受ける
ようにされる上記面と上記第3領域とノ間1tCtbる
上記ダイヤフラム区分の第5部分は第3の所定厚みを有
し、そして与えられた圧力を受けるようにされる上記面
と上記第4領域との間にある上記ダイヤスラム区分の第
4部分は上記第3の所定厚みとは異なる第4の所定厚み
を有している特許請求の範囲第(11項、第(2)項又
は第(3)項に記載の装置。 (5) 上記第1及び第5の厚みは等しくそして上記第
2及び第4の厚みは等しい特許請求の範囲第(4)項に
記載の装置。 (6) 上記第1及び第2の厚みは互いに外なりそして
上記第3及び第4の厚みは互いに異なる特許請求の範囲
第(4)項に記載の装置。 (7)上記内面及び外面の基準幾何学素子は互いに一致
する特許請求の範囲第(1)項、第(2)項、第(4)
項又は第(5)項に記載の装置。 (8) 上記内面及び外面の基準幾何学素子は互いにず
らされている特許請求の範囲第(1)項、第(2)項。 第(4)項又は第(6)項に記載の装置。 (9)上記第1及び第2領域の方向はST力方向あり、
そして上記第5及び第4領域の方向はSST方向である
特許請求の範囲第(4)項に記載の装置。 OQ 上記第1領域の上記方向は成る選択された結晶格
子構成を与えるものであり、上記第2領域の上記方向は
上記第1領域と実質的に同じ結晶格子構成を有する特許
請求の範囲の前記各項いずれかに記載の装置〇 +Ill 上記第1領域の上記方向は成る選択された輪
郭を形成するものであると共に、長手方向軸に直角な基
準軸から成る選択された変位を与えるものであり、上記
第2領域の上記方向は上記第1領域の輪郭を形成するも
のであると共に上記第1の変位から180°の変位を形
成するものである特許請求の範囲第(1)項ないし第(
9)項のいずれかに記載の装置。 (2)上記第1及び第2領域の輪郭は平坦であり。 そして上記第1の変位は40’及び−49,2゜の付近
の変位より成る群から選択される特許請求の範囲第α9
項に記載の装置。 111 上記第1領域及びこれに形成された表面音波装
置を含む第1の信号周波数手段を更Klえ、この第1の
信号周波数手段は選択された温度−周波数特性及び圧力
−周波数特性を有しており。 更に、上記第2領域及びこれに形成された表面音波装置
を含む第2の信号周波数手段を備え。 この舘2の信号周波数手段の温度−周波数特性は上記第
1の信号周波数手段の温度−周波数特性と実質的に同じ
であるが、その圧力−周波数特性は上記第1の信号周波
数手段の圧力−周波数特性とは具なるものが選択される
特許請求の範囲の前記各項いずれかに記載の装置。 Q4 上記第1及び第2の信号周波数手段は、上記表面
音波装置の各々圧結合された発振回路と、 上記発振回路の出力に接続されたミクサと、上記ミクサ
の出力に接続された周波数カウンタと、 上記周波数カウンタの出力に接続されていて温度補償さ
れた圧力測定値を決定するプロセッサとを備えている特
許請求の範囲第03項に記載の装置。 σ9 上記第1領域は第1の切換温度を有しそして上記
第2領域はこの第1の切換温度とは異なる第2の切換温
度を有する特許請求の範囲第0項又は第Q4項に記載の
装置。 0e 上記第1領域の方向は公称sT方向付近の方向よ
り成る群から選択され、上記第1領域にかける伝搬方向
は約00であり、そして上記第2領域の方向は公称SS
T方向の伺近の方向より成る群から選択され、上記第2
領域における伝搬方向は約21.5°である%訂請求の
範囲第05項に記載の装置・ 顛 上記他方の面は、更に1表面音波装置の形成に用い
られる第3領域を備え、この繊3領域は。 成る選択された伝搬方向に対し、圧力作用に対する高い
感度と、温度作用に対する低い感度と、第5の切換温度
とをもつよう力選択された方向に向けられており、そし
て上記他方の面は、更に%表面音波装置の形成に用いら
れる第4領域を備え、この第4領域は、成る選択された
伝搬方向に対し、圧力作用に対する高い感度と、温度作
用に対する低い感度と、上記第3の切換温度とは異なる
第4の切換温度とをもつような選択された方向に向けら
れる特許請求の範囲第+151項又は第aω項に記載の
装置。 01 上記第1及び第3領域の方向は公称ST丈方向付
近の方向より成る群から選択され、上記第1及び第3領
域における伝搬方向は約o6であり、そして上記第2及
び舘4領域の方向は公称SST方向の付近の方向より成
る群から選択され、上記第2及び第4領域における伝搬
方向は約21.5°である%#’f請求の範囲第an項
に記載の装置。 ■ 上記第1及び第5の方向は実例的に同一であり、そ
して上記第2及び第4の方向は実質的に同一である特許
請求の範囲第α必項に記載の装置。 翰 上記第1及び第2領域は平らな輪郭を有し、上記第
1領域は長手方向軸に直角な基準軸から約40°ずらさ
れており、そして上記第2領域は長手方向軸に直角な基
準軸から約−49,2゜だけずらされている特許請求の
範囲第(151項又は第an項に記載の装置。 Cl11 上記第1及び第2領域は平らな輪郭を有し、
上記第1領域は長手方向軸に直角な基準軸から約40°
ずらされており、そして上記第2領域は長手方向軸に直
角な基準軸から約−14o。 ずらされている特許請求の範囲1 G51項又は第19
項に記載の装置。 (23上記第1及び第2領域は平らな輪郭を有し。 上記第1領域は長手方向軸−に山角な基準軸から約1!
10.8’ずらされており、そして上記第2領域は長手
方向軸に直角な基準軸から約−49,2°ずらされてい
る特許請求の範囲第a9項又は第19項に記載の装置。 ■ 上記第1、@2%第3及び第4の領域は平らな輪郭
を有し、上記第1及び第6領域t′i長手方向軸に直角
な基準軸から各々約40’及び約220°ずらされてお
り、そして上記第2及び第4領域は長手方向軸に直角な
基準軸から各々約−49,2°及び−229,2°ずら
されている特許請求の範囲第0項に記載の装置。 C141上記プロセッサは、重み付は型の温度補償され
た圧力測定値を決定するように上記周波数カウンタの出
力に接続される特許請求の範囲第0◆項ないし第0項の
いずれかに記載の装置。 (ハ)上記第1V4域は選択された結晶格子構成体を有
しているが、これは、第1の選択された伝搬方向に対し
ては、圧力作用に対する高い感度と温度作用に対する低
い感度とをもち、そして第2の選択された伝搬方向に対
しては、圧力作用に対する低い感度と温度作用に対する
高い感度とをもっている特許請求の範囲第fi1項又は
第(2)項に記載の装置。 四 上記領域の結晶格子構成体、上記第1の伝搬方向、
及び上記第2の伝搬方向は、SST方向0°、21.5
°、そして5丁方向55° Q Oの付吐の値より成る
群からツガ択される特許請求の範囲第(ハ)項に記載の
装置。 an 上記第1の伝搬方向と第2の伝(般方向は交差す
る・特許請求の範囲第a項又は第四項に記載の装置。 (至) 上記第2の領域は成る選択された結晶格子構成
体を有し、これは、第3の選択された伝搬方向に対して
は、圧力作用に対する商い感度と、温度作用に対する低
い感度とをもち、そして第4の選択された伝搬方向に対
しては、圧力作用に対する低い感度と、温度作用に対す
る高い感度とをもっている特許請求の範囲第□□□項、
第(ハ)項又は第C1’/1項に記載の装置。 Ql 上記最初に述べた領域の結晶格子構成体、上記第
1の伝搬方向、及び上記第2の仮置方向は、SST方向
0’、2i、5°そしテS T ij 向65°、0°
の付近の値より成る群から選択され、そして上記第2番
目に述べた領域の結晶格子構成体、上記第3の伝搬方向
、及び上記第4の伝搬方向は、SST方向o0.21.
5°そしてST方向55° Q OO付近の値よシ成る
群から選択される!4!j許請求の範囲第(讃頓に記載
の装置。 1)上fiem1の伝搬方向と第20伝搬方向は交差し
、上して上記第3の伝搬方向と第40伝搬方向は交差す
る特r1″請求の範囲第cg項又は第E項に記載の装置
。 60 円筒状又は球状の外面と、円筒状又は球状の内面
とを有する結晶質ダイヤフラム区分をpmえ、上記外面
は与えられた等方性の力を受けるようにされ、そして上
記内面は成る週択された結晶格子構成体の領域を有して
いて、この領域は表面杼波装置の形成に用いられること
を特徴とする渋面音波信号周波数装置。 0z 上記ダイヤフラム区分は連続的な結晶格子構造体
を有している特許請求の範囲第60項に記載の装置。
Claims: (1) In a surface acoustic wave signal frequency device with a crystalline diaphragm section. a cylindrical or spherical outer surface and a cylindrical or spherical inner surface, one of the outer and inner surfaces being adapted to receive an applied pressure, and the other of the outer and inner surfaces having a selected orientation of and a second region having substantially the same orientation as the first region and used to form the surface acoustic wave device; said first surface and said first surface adapted to receive a pressure applied thereto;
A first portion of the diaphragm section between the region has a first predetermined thickness and is adapted to be subjected to an applied pressure.
A second portion of the diaphragm section between the regions has a second predetermined thickness different from the first predetermined thickness. 2. The device of claim 1, wherein said diaphragm section has a continuous crystal lattice structure. (3) The directions of the first and second regions are the ST force direction and the S
Claim No. 1 selected from the group consisting of ST direction (
(4) The other surface is further oriented in a selected direction that is different from the directions of the first and second regions. a third region used to form the acoustic wave device; and a fourth region oriented substantially in the same direction as the sixth region and used to form the surface acoustic wave device, a fifth portion of the diaphragm section having a third predetermined thickness and having a thickness of 1tCtb between the surface adapted to receive and the third region; The fourth portion of the diamond slam section between the four regions has a fourth predetermined thickness different from the third predetermined thickness. The device of claim (3). (5) The device of claim (4), wherein the first and fifth thicknesses are equal and the second and fourth thicknesses are equal. (7) A reference geometry of the inner and outer surfaces. Claims (1), (2), and (4) in which the elements coincide with each other
or (5). (8) Claims (1) and (2), wherein the reference geometric elements of the inner and outer surfaces are offset from each other. The device according to paragraph (4) or paragraph (6). (9) The directions of the first and second regions are in the ST force direction,
The apparatus according to claim 4, wherein the direction of the fifth and fourth regions is the SST direction. OQ: said orientation of said first region provides a selected crystal lattice configuration consisting of said orientation of said second region has substantially the same crystal lattice configuration as said first region; Apparatus according to any one of the above clauses, wherein the direction of the first region forms a selected profile and provides a selected displacement with respect to a reference axis perpendicular to the longitudinal axis. , wherein the direction of the second region defines the contour of the first region and forms a displacement of 180° from the first displacement.
9) The device according to any one of paragraphs 9) to 9). (2) The contours of the first and second regions are flat. and said first displacement is selected from the group consisting of displacements around 40' and -49.2 degrees.
Equipment described in Section. 111 further comprising a first signal frequency means comprising the first region and a surface acoustic wave device formed therein, the first signal frequency means having selected temperature-frequency characteristics and pressure-frequency characteristics; I'm here. Further comprising second signal frequency means including the second region and a surface acoustic wave device formed therein. The temperature-frequency characteristic of the signal frequency means of this ship 2 is substantially the same as the temperature-frequency characteristic of the first signal frequency means, but the pressure-frequency characteristic thereof is the pressure-frequency characteristic of the first signal frequency means. The device according to any one of the preceding claims, wherein the frequency characteristics are selected. Q4 The first and second signal frequency means each include an oscillation circuit pressure-coupled to the surface acoustic wave device, a mixer connected to the output of the oscillation circuit, and a frequency counter connected to the output of the mixer. and a processor connected to the output of the frequency counter for determining a temperature compensated pressure measurement. σ9 The first region has a first switching temperature and the second region has a second switching temperature different from the first switching temperature. Device. 0e The direction of the first region is selected from the group consisting of directions around the nominal sT direction, the propagation direction across the first region is about 00, and the direction of the second region is about the nominal SS direction.
Selected from the group consisting of directions near the T direction, and the second
The device according to claim 05, wherein the direction of propagation in the region is approximately 21.5°. The 3 areas are: and the other surface is oriented in a force-selected direction to have a high sensitivity to pressure effects, a low sensitivity to temperature effects, and a fifth switching temperature, for a selected propagation direction consisting of: % surface acoustic wave device, the fourth region having a high sensitivity to pressure effects and a low sensitivity to temperature effects, for a selected direction of propagation, and said third switching. 152. The device according to claim 151 or aω, oriented in a selected direction to have a fourth switching temperature different from the temperature. 01 The directions of the first and third regions are selected from the group consisting of directions near the nominal ST length direction, the propagation directions in the first and third regions are approximately o6, and the directions of the second and third regions are approximately o6. %#'f The apparatus of claim 1, wherein the direction is selected from the group consisting of directions in the vicinity of the nominal SST direction, and the direction of propagation in the second and fourth regions is about 21.5°. 2. The apparatus of claim .alpha., wherein said first and fifth directions are illustratively the same and said second and fourth directions are substantially the same. The first and second regions have a planar profile, the first region being offset approximately 40° from a reference axis perpendicular to the longitudinal axis, and the second region being perpendicular to the longitudinal axis. The device according to claim 151 or an, offset from the reference axis by about −49.2°. Cl11 said first and second regions have a flat profile;
The first region is approximately 40° from the reference axis perpendicular to the longitudinal axis.
and the second region is offset about −14° from a reference axis perpendicular to the longitudinal axis. Shifted Claim 1 Clause G51 or Clause 19
Equipment described in Section. (23) The first and second regions have a flat profile. The first region has an angle of approximately 1.0 mm from the reference axis along the longitudinal axis.
20. A device according to claim 19, wherein the device is offset by 10.8' and said second region is offset by approximately -49.2° from a reference axis perpendicular to the longitudinal axis. ■ The first, @2% third and fourth regions have a flat profile and are approximately 40' and approximately 220 degrees from the reference axis perpendicular to the longitudinal axis of the first and sixth regions t'i, respectively. and wherein the second and fourth regions are offset approximately -49,2° and -229,2°, respectively, from a reference axis perpendicular to the longitudinal axis. Device. C141 Apparatus according to any one of claims 0◆ to 0, wherein the processor is connected to the output of the frequency counter so as to determine a temperature compensated pressure measurement of the weighted mold. . (c) The first V4 region has a selected crystal lattice structure which, for the first selected propagation direction, has a high sensitivity to pressure effects and a low sensitivity to temperature effects. 2. A device according to claim 1, wherein the device has a low sensitivity to pressure effects and a high sensitivity to temperature effects for the second selected propagation direction. (iv) a crystal lattice structure in the above region, the first propagation direction;
and the second propagation direction is SST direction 0°, 21.5
The device according to claim (c), wherein the discharge value is selected from the group consisting of: 55° Q O; an apparatus according to claim 1 or 4 in which the first propagation direction and the second propagation direction intersect. a structure having a commercial sensitivity to pressure effects and a low sensitivity to temperature effects for a third selected propagation direction, and a structure having a commercial sensitivity to pressure effects and a low sensitivity to temperature effects for a third selected propagation direction; has low sensitivity to pressure effects and high sensitivity to temperature effects,
The device according to item (c) or item C1'/1. Ql The crystal lattice structure of the first-mentioned region, the first propagation direction, and the second hypothetical direction are 0', 2i, 5° in the SST direction and 65°, 0° in the S T ij direction.
, and the crystal lattice structure of the second mentioned region, the third propagation direction, and the fourth propagation direction are selected from the group consisting of values around the SST direction o0.21.
5° and ST direction 55° Q Selected from the group consisting of values near OO! 4! jClaim No. 1 (device described in Santon. 1) The propagation direction of the upper fiem1 intersects with the 20th propagation direction, and the above-mentioned third propagation direction intersects with the 40th propagation direction r1'' Apparatus according to claim CG or E. 60. A crystalline diaphragm section having a cylindrical or spherical outer surface and a cylindrical or spherical inner surface, said outer surface having a given isotropic and said inner surface has a region of a selected crystal lattice structure comprising a surface wave signal frequency characterized in that said region is used to form a surface wave device. Apparatus.0z The apparatus of claim 60, wherein said diaphragm section has a continuous crystal lattice structure.
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