JPS60109143A - 改良されたグリツド電子電力管 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の分野〕 本発明は無線周波数管（ｒａｄｉｏ　ｆｒｅｑｕｅｎｃ
ｙ　ｔｕｂｅ）であって、電子ビームがＲＦ信号を伝え
るグリッドによって密度変調され、ＲＦ高出力共鳴空胴
による誘導によって引き出されるところの無線周波数管
に関するものである。本発明は特に、連続的な高出力が
、無線周波数領域で、キロワットレベルを超えて上はマ
イクロ波領域に及ぶように与えられるような誘導出力管
のための改良された設計に関するものである。

〔技術的背景〕

１９３９年にＡ、Ｖ、　Ｈａｅｆｆ　によって、誘導出
力線形ビーム密度変調電子管が開発されて以来長年の間
、その電子管は基本となっていたが、その設計は軽視゛
さ１れていた。１９３９年２月発行のＥｌｅｃｔｒｏｎ
ｉｃｓ誌のＡ、Ｖ、　Ｈａｅｆｆ　によるＡｎ　Ｕｌｔ
ｒａＨｌｇｈ　Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ　Ｐｏｗｅｒ　Ａｍ
ｐｌｉｆｉｅｒ　ｏｆ　Ｎｏｖｅｌ　Ｄｅｓｉｇｎ”及
び、１９４０年３月発行のＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏ
ｆ　ｔｈｅＩＲＥ誌のＡ、Ｖ、　Ｈａｅｆｆ　とり、Ｓ
、　Ｎｅｒｇａａｒｄによる”　Ａ　Ｗｉｄｅｂａｎｄ
　Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅ　０ｕｔｐｕｔ　Ａｍｐｌｉｆｉ
ｅｒ”を参照。ｆ（ａｅｆｆは、彼自身２番目の論文で
それについて高い関心を示している。それは、当時、Ｖ
ａｒｌａｎ兄第による速度変調線形ビームマイクロ波管
に関する同じ時期の仕事によって喚起されたものである
。このような電子管は、初め、クライストロンに対する
一例となったが、じきにその分野を圧倒した。というの
は、Ｈａｅｆｆ管と異なシ、電子通過時間問題により周
波数が限定されるということがなく、また、グリッドに
よる出力の匍ｊ限もないからである。その結果、過去３
０年以上にわたって、Ｈａｅｆｆ型電子管のいかなる商
業的応用も為されなかった。

それでも、Ｈａｅｆｆ管はいくつかの利点を有している
。ある有効な周波数、特に１００−３００メガヘルツの
領域では、Ｈａｅｆｆ型電子管は比較できるタライスト
ロンよシずつと短かい長さに成シ得る。ある応用におい
て、特に振幅変調供給における線形増幅器として、それ
はより高い平均効率を有することができる。古典的三極
真空管におけるように、電子ビーム流は励振レベルと共
に変化する。対照的に、在来のクライストロンにおける
電子ビームは、１ｖυ振に対し不変であシ、従って、低
信号レベルにおいては比較的効果が少ない。

古典的三極真空管と比べると、Ｈａｅｆｆ型電子管は、
タライストロンの多くの利点を共有している。

例えば、より多くの電力利得、より簡単な構造、アース
電位の出力空胴、さらに、出力空胴から離れているコレ
クターで、不用な高ビーム出力を取り扱うために極めて
大きく作ることができるコレクターなどである。

しかし、このような利点はＨａｅ　ｆ　ｆ型電子管の欠
点、特に従来のものは可能であった比較的低い出力電力
に対して、本質的に役に立たない。Ｊｉａｏ　ｆ　ｆの
最初の装置は、４５０　ＮＵ−Ｉｚで１０ワツトの連続
波（ＣＷ）出力を発生していた。後にこれは１００ワツ
トに増加し、ビーム電圧は２キロボルトのレベルにあっ
た。しかし、これらの電力レベルは現在の通信または他
の応用のための実際の幾件には遥かに及ばない。Ｈａｅ
ｆｆ型電子管は従来、高出力の使用には適していなかっ
た。従って、その利点は依然効果を発揮しなかった。特
に、例えばキロワットレベルのＣＷ　ＲＦ高出丑たは、
ぞれを超える出力を要求するテレビ放送においてそうで
あった。概して、その吸件は、動作に対する高い効率と
広帯域を有するコンパクトな設計の＾空管に対して、依
然として満たされていない。特に１００１０００　Ｍｌ
ｂの領域及びそれ以」二の領域において、また、特にキ
ロワットからメガワットのＣＷ領領域電力レベルにおい
て満たされていない。

〔発明の概要〕

それ故、本発明の目的は、高効率であシ、広い周波数領
域にわたって適応でき、同時に少なくともＩキロボルト
レベルのＣＷ　ＲＦ高出力得られるＲ　Ｆ電子管を供給
することである。

本発明の関連した目的は、タライストロンの多くの利点
を有するが、著しいコンパクト性と効果を有し、同時に
適当な出力を発生するところの電子管を供給゛Ｊ゛るこ
とである。

もう１つのｔ：ｊ的は、大きく改善された出力、効率、
サラにＶＩＩｉｉ”、ＵＨＦ、マイクロ波周波数にわた
って使用１−リ′能な誘導出力線形ビーム密度変調管を
提供することである。

さらに関連した目的は、１００　Ｍｌ（ｚ又はそれ以上
の周波数領域で動作可能であシ、また、少なくともキロ
ボルトレベルの連続ＲＦ定電力出力の供給が可能な改良
された誘導出力線形ビーム密度変調管を提供−すること
である。

さらに関連した目的は、広い帯域幅の低インピーダンス
と、高分離信号入力手段であって、同時に高周波数、Ｖ
ＨＦ、ＵＨＦ又はマイクロ波制御グリッド変調信号を操
作する入力手段と、キロボルトレベルのＤＣビーム加速
電位とを供給することである。

関連するよシ特別な目的は、信号入力手段の部分として
の制御グリッド組立体であって、熱的又は電気的高スト
レスを取多扱い、一方、電子ビームを多段ワットＲＦ変
調信号を有するキロワラＩ・ＤＣ電位に有効に変調する
組立体を提供することである。

これらの目的は、電子ビーム集束磁場を供給する手段及
び誘導ＲＦ出力手段と共に用いる誘導出力線形ビーム密
度変調電子管の設備によって達成される。この電子管は
、その管の一端にあって軸線上に中心が置かれた電子銃
組立体及びそこより間隔を開けて置かれたアノードから
成る。このカソードとアノ−ｒは、それらの間の最小の
数ギロボル）ＤＣ電位において働き、軸線に沿って電子
ビームを形成し加速する。その電子管は、ビームが管内
を通過した後に残っているビームの電子を捕収し、また
、消散させるだめに管の他端に設けた軸上のコレクタ一
手段と、ビームを囲む軸線上のドリフト管手段とから成
シ、そのドリフト管手段は、アノード及びコレクター間
に伸び、はぼ電子銃とコレクターの中間にあってそれら
との間に間隙が設けられている。その間隙は誘導手段に
通じておシ、間隙の在る部分のドリフト管の半径の少な
くとも２倍は軸方向に伸びている。カソードとアノード
との間にあって、軸線上に中心があるグリッドが、カソ
ードから予め決められた距離をもって接近して置かれて
おシ、ビームの密度変調をするために高周波数信号を受
けている。前記距離はグリッドの直径のｙ２ｏかそれ以
下である。低インピーダンス入力信号手段は、接近して
いるが電気的に絶縁されたグリッドリード手段とカソー
ドリード手段を有し、カソードは数キｏ　、３ｆルトの
電位を供給し、グリッドはＲＦ変調信号を供給している
。この信号入力手段に関連した手段はグリッドを支持し
、差動膨張を調節すると同時に予め定められたグリツド
ーカソード間の距離を正確に保っている。このように電
子ビームは高周波数制御信号によって密度変調され、制
御信号に従って変化しているキロワットのオーダー又は
よシ大きなＣＷ出力レベルのＲＦ高出が供給される。

好適実施例において、高絶縁住人カイ、１→じ手段は、
一端が軸線上のアノードアパーチャの外側で放射状にア
ノードを密閉している現状絶縁体手段と、該環状絶縁体
手段の他端を督閉し一１絶縁体手段の内側で放射状にア
ノードに向って伸びグリド支持手段を備える環状導電性
グリッドリード手段とを有し、ＲＦ変調信号の受信が可
能となっている。

入力信号手段はさらに、グリッドリード手段内で放射状
に置かれた導電性カソードリートゝ手段をイノし、電気
的絶縁手段を介してそれと接続し、カソードリード手段
はカソードをグリッドに近接させて取９伺けてあり、ア
ノードに関し、高電圧ＤＣ電位を受けることがｈＪ′能
である。カソードリード手段の外端は、グリッドリード
手段の外端よりも実質的に近接して置かれるが、それは
高められたＤＣ−ＲＦの絶縁性のためである。このよう
に、入力信号構造はビームを加速するだめの高電圧のＤ
Ｃ電圧を受け、電気的に高い絶縁性を与えるにもがかわ
らず、近接リード手段によってグリッド変調ＲＦ信号を
受信するように形成される。また、この入力構造の導電
性及び絶縁性構成部分の相対的配置は、入力インダクタ
ンスとキャパシタンスを最小にし、それによって初期の
Ｈａｅｆｆ管よシもかなシ大きな広帯域が可能となる。

好適実施例において史に望ましくは、概して０．６から
１６．０平方インチ（１，５２〜４０．６平方センチメ
ートル）の作用面積で厚さは２０ミル（０，０５１セン
チメートル）以下のグリッドを有し、それはカソードか
ら５から５０ミル（０，０１３〜０．１３センチメート
ル）の距離を離して置かれ、高安定耐熱カービンの類い
のもので構成してもよい複数の間隔を開けて置いた細長
く伸びる部材から成る。

また、望ましくは、高温操作及び相当な差動膨張の条件
下で弾力的にこのよう力近接を保つだめの手段を有する
ことである。このように、高電流キロビルトレベル電子
ビームは、Ｖ）（Ｆ−ＵＨＦマイクロ波変調ＲＦ信号全
もって有効に厳密に変調され、それまで可能であったも
のよシも、確実に相当大きな効率、周波数範囲、出力を
得られる。

〔好適実施例〕

図面を参照すると、第１図は、縦＋ＭＯ＋Ｙｔｉ＋を形
成する細長く伸びた電子管１０を示し、その′電子管は
構造的に典型的なりライストロンに相当似ているが、機
能は全く異なる。その主なホ１■立体は一般に、一端に
ある円筒状電子銃及び信号入力組立体１２と、真空エン
ベログを形成するセラミック製及び銅製の部分を有する
区分された管状壁１３と、軸線方向に開孔しているアノ
ード１５であって、軸線方向に伸びてアノシトドリフト
管１７となっているアノードと、下流［テール／ぐイノ
（ｔａｉｌ　ｐｉｐｅ）Ｊドリフト管１９と、管１０の
他端にあるコレクター２０と、から成シ、全ては軸線上
に中心が置かれ、好適には銅製のものである。

その電子銃組立体１２は、後部に加熱コイル２３が１バ
かれた平坦な円盤状であるフィリップ型のタングステン
マトリックス（ｔｕｎｇｓｔｅｎ−ｍａｔｒｉｘ　）の
熱電子カソード２２と、耐熱カー＋ｌｒン、好適には、
ノリロリテイツクグラファイト（ｐｒｙｒｏｌｌｔｉｃ
ｇｒａｐｈｉｔｅ　）　で形成された平坦な電子ビーム
変調グリッド２４と、グリッドを極めて正確に、しかし
、弾力性を持７ｈぜてカソードに近接したところの予め
定めた位１梃に正確に保持するだめのグリッド支持及び
維持装置ｉ’＋−小組立体２５とから成っている。その
カン−１・゛及びグリッドは比較的大きな直径を有し、
相応する円筒状電子ビーム及び高ビーム流を作り出し−
Ｃいる。さらに大きなカソードは集束ビームに利用され
るが、それは他の電子管において周知である。よシ高い
出力が得られるか、または、カソード電流密度を減少し
、結果的に、寿命がよシ長く在り（ｉ）域幅が改善され
ることになる。。

くぼみ形同軸共鳴ＲＦ出力空胴２６は、一般にドリフト
管部分の中間電子銃１２及びコレクター２０の双方と同
中心で、それは、どちらも真空エンペログの外側の同調
箱２７と内部環状空間２８の双方によって形成され、そ
の内部環状空間２８はドリフト管と管状エンベログのセ
ラミック部３０との間に形成され、テールパイ、７’１
９とアノ−１・９ドリフト管１７の軸線方向の区域の大
部分をおおうように伸びている。同調箱２７は同軸線路
３１を有する出力手段にゲ（ｉえ付けられ、簡単な回転
可能なルーズによって空胴に連結されている。この装置
はＵＨＦ周波数の数十キロワットのオーダーの出力を扱
うものである。よシ高い出力は、−共鳴空胴の全てが管
の真空エンベロゾ内に有るところの複合出力空胴を必要
とする。導波管出力も丑だ置換可能である。すた、さら
に帯域幅の改良のためにイ」友釣に連結される便胴を用
いても良い。好適実施例は、くぼみ形同軸空胴２６を用
いているが、他の９４回路ＲＦ出力手段を用いることも
でき、その上電子ビーム密度変調をＲＦエネルギーに変
える機能も有する。

少なくとも１００　ＭＦ（ｚのオーダーの周波数で、出
力が数ワットの入力変調信号がカン−１”２２とグリッ
ド２４との間に与えられ、一方、典型的には１０から少
なくとも３０キロボルトに及ぶオーター〇、一様なりＣ
電位がカソード２２とアノード１５との間に維持される
が、アノード側は好適にはアースｒＲＴ、位である。変
調信号周波数はよシ高くできるのと同様に１１（＜もて
き、ギガヘルツの範囲にすらできる。このように高ＤＣ
エネルギーの電子ビームが形成され、高電位のアノード
１５の開孔Ｓ３３に向けて加速され、最小の妨害を受け
るだけで通過する。’ａ磁ココイルは永久磁石が真空エ
ンペログの外側で電子銃領域の周り、及びテール・セイ
ノ１９の下流端及びコレクター２０の先端部の周９に置
かれている。それらは磁場を発生させ、ビームが電子銃
からコレクターへ進行するように一定の直径に制限し集
束させ、最小の妨害を受けるだけでアノードを通過させ
る。しかし、磁場は望ましくはあるが、絶対に必要とい
うものではなく、いくつかのクライストロンのように電
子管は静電気的に集束され得る。

変調ＲＦ倍信号電子ビームに、信号周波数に対応する電
子の密度変調又は「集群（ｂｕｎｃｈｉｎｇ）Ｊをおこ
なう。この密度変調されたビームは、アノード１５を通
過後、引きつづきアノードドリフト管内に形成された無
電界領域を一定速度で通過し、アノードドリフト管１７
とテールパイゾ１９との間に形成された出力間隙に出現
し、そこを通過する。アノードドリフト管１７とテール
・！イノ１５）とは間隙３５によって互いに絶縁されて
いるが、管状セラミック３０によって、この領域は電子
管の真空エンベロゾを形成している。間隙３５　ｉＪ：
　’！：た、電気的に共鳴出力空胴２６と共鳴している
。

間隙３５を横切る集群ビームの通過は、対応する電磁波
ＲＦ伯号を出力空胴内に誘導し、その信号は入力信号に
比較して犬さく増幅される。それは、電子ビームのエネ
ルギーの多くがマイクロ波に変えられるからである。次
に、この電磁波エネルギーは引き出された後、出力同軸
線路３１を経て負荷に向けられる。

電゛子ビームは間隙３５を通過後テール・ぞイノドリフ
ト管１９に入る。そのト°リフト管は第２の間隙３６及
び管状セラミック３７によって、アノード１５ばかりで
なくコレクター２０からも電気的に絶縁きれている。第
２の間隙及び管状セラミックは、第２の無電界領域を形
成している。セラミック３７は、テールパイプの端を支
持している銅製フランツ３８とコレクターの上流部分を
中心軸上に支持している銅製フラン・ソ３９との間の軸
線距離を橋絡している。従って、ビームは最小の妨害を
受けてテール・ぐイブ領域を通過し、最後に第２間隙３
６を通過１〜でコレクターに入シ、そこで残っているエ
ネルギーが消散される。コレクター２０は在来の流１杯
冷却手段によって冷却される。

その手段にｊ゛コし・フタ−を覆い、その中を水のよう
な流体が循環するウォータージャケット４０を有してい
る。同様にアノード１５とテールノＲイグ１７は、それ
ぞれ個別に同様な冷却手段が備えられており、テール・
ぐイブに対しては、第１図によく示されている。手段４
２は、軸線方向に間隔をおき、管の軸線に対して＊直に
なるように平行に並べられた銅製フランツ３８及び４３
を有する。これらは、その間にある円筒状エンペロｆジ
ャケット４４と共に、ゾール・ヤイゾ１９の下流端を囲
む環状空間を形成−するが、注入導水管４５によってそ
のジャケット内に水のような液状冷却液が導入され、循
環され、同様な注出導水管を通って戻される。

好適実施例においては単一の要素として記載したが、コ
レクター２０は複数の分離ステージとしても形成され得
ることが理解できるであろう。

電子管の一端にある電子銃組立体１２の４１４成は、電
子ビームのＲＦ密度変調に有効な広帯域の発生に特に適
しており、第２図においてより詳しく示てれている。そ
れは高絶縁性低インピーダンス信号入力手段４７と同様
、制御グリッド２４及びグリッド支持手段２５を有し、
それによって少なくとも数ワットの出力を有し、少なく
ともメガヘルツ周波数のＲＦ変調信号が制御グリッドに
導かれルハカリですく、キロボルトレベルのｌ）　Ｃビ
ーム加速電位がカソードに与えられる。

信号入力手段４７の最も外側の侠素は、管状又は環状の
セラミック絶縁体４８で、それは、直径に比較して軸線
方向に比較的浅く、一端４９でアノード１５と密閉され
ていて、それはｌ１１１１線上に中心がある外に向った
放射状のアノードの開孔３３である。環状伝導性スリー
ブ５０は、ＲＦ制御信号を受け止める後端５１を有し、
直径はおよそセラミック４８に匹敵し、絶縁体４８の背
後で軸線方向に伸びている。スリーブ５０は、その後端
５１でそれらと同中心に取シ付けられることによって、
セラミック４８　にに保持されている。後端５１から、
スリーブ５０は軸線方向で、全体的に放射状にアノード
１５に向って内部に伸び、前端５２に終っている＜、ｎ
ｉｌ端５２はまた、不可欠な後部リム部分５３をイ口７
、それは、後端５１に向った、後方で軸線方向に突き出
たフランジを備えるが、変調信号入力線路との接続に適
している。スリーブ５０の°前端５２は放射状に内に向
って減少し、絶縁体４８又はアノード１５より小さな比
較的小さい直径となっている。内部の軸線方向に相対的
に浅い環状絶縁体５４によって前端５２内で同中心に取
り付けられた環状の金属性カソード引き込み５５は、外
部伝導スリーブ５０の内部で前端５２内に配置されてい
る。

全ての継ぎ［１は真空気密（ｖａｃｕｕｍ−ｔｉｇｈｔ
）となっている。というのは、外部絶縁体４８、スリー
ブ５０及びカソード引き込み５５内の体積は、管の排気
部分内にあるからである。金属性スリーブ５゜は、好適
には比較的厚い銅製のものであって、グリッド２４への
ＲＦ倍信号き込み通路として、址た、絶縁体４８に沿っ
た最も離れたグリッド支持部材としても役立つ。外側の
絶縁体４８は、外側の伝導性スリーブ５０を取シ付ける
こと及び外側の真空エンベロゾの部分となることばがシ
でなく、入って来るＲＦ変変信信号アノード°及びカソ
ードから絶縁することに役立つ。どの同軸流路の軸線方
向の長さも、その直径に比べると小さいが、一方、それ
らの半径方向及び軸線方向の間隔は、どちらも形状及び
絶縁物の介在のために比較的大きい。従って、直列イン
ダクタンスとシャントキャパシタンスの効果を最小にし
ている。変１ｎ７ｄ　ＲＦ　（Ｒ号に対する非常に低い
リアクタンスは、高い全広帯域に寄与をしている。

比較的高い出力を与えるために必要とする比較的大きな
ビーム流を扱うために、グリッド、カソード及びビーム
の断面は比較的大きな面積を有し、従ってグリッド及び
カソード上の電流密度ｔｉｉｉ４描なレベルに保たれて
いる。上で記載したように、この増加した面積は球状又
は円錐状のカソード表面を有する集束電子銃及び対応し
た形状のグリッドによって形成さＪしるが、それは他の
ＲＦ管において見られるものと同じである。同時に、高
い周波数の上界を有しながら高効率及び広帯域を得るた
めに要する電子の通過時間を最小化するのに必要なこと
は、グリッドがその直径に比べてできる限り薄いことで
あり、カソードにできる限シ接近し７て置くことである
。本発明によって達成可能なグリッドとカソードとの間
隔は、グリッドの直径のｙ２８又はそれ以下のオーダー
であり、一方グリッドの厚さは、この間隔の半分または
それ以下のオーダーである。このような比較的薄く、近
接して置かれたグリッドは、従来は、ショート、動作特
性の変化、熱による物理的損傷、または、動作によシ生
じる差動膨張力などの欠点を受けるために、実施不可能
と考えられてきた。しかし、本発明の電子管の最後の実
施例においては、このようなグリッドとカソードとのｒ
ｂ”１　ｍは前記の値さえも遥かに超えて減少され、グ
リッドの直径の２゜０にまで下げられた。このような望
ましい近接配置及び性能特性においてその付随する改良
は全く期待できないものであった。

上で記載した欠点の原因を更に除き、同時にＲＦＦ調信
号に対してグリッドへの低インピーダンス信号路を維持
するために、ｆｌｊｉＪ御グリッドグリッドッド引き込
みスリーブ５ｏの前端と共同している保持小組立体２５
がψ１行えられている。この小マ；［［立体は、グリッ
ド２４とその周囲の状態との間の相対的膨張を調節する
一方で、予め定めらＪしたグリッドとカソード間の近接
した間隔を正証に維持し、熱消散を大きくするだめの、
グリッドからの１１”、？別な熱通路と同様に、低イン
ピーダンスＲＦ信号路を維持する。基本的には、変形可
能な弾力性環状導伝体５８は、前端部５２にある環状溝
５９がら突き出していて、周囲でその１つの表面上のグ
リッド２４と接続している。捷だ他の表面は、前端５２
と結びつけられた環状外部部材と周囲で接続されている
が、これらは以下でより詳しく記載される。このように
、グリッド保持小組立体２５はグリッドＲＦ引き込み５
０上に支持され、電気的にも物理的にもそこで連続的に
なり、グリッドに対するＲＦＦ調信号のだめの低インピ
ーダンス引き込み路を維持する。

関連した信号入力手段４７において、カソードリード引
き込み卯月５５の直径は、細くなった端部５２よりも小
さく、外側の絶縁体４８の直径の半分のオーダーかそれ
以下である１、カソードの引き込み５５の後端６２は、
グリッドの引き込み５０の外端又は後端５」の軸線方向
内側にひき込んでおり、アノード１５に、そして直径方
向に広がった後端５７に実質的に接近している。過度の
物理的な分離度があると、ＲＦ倍信号、カソードに対す
るＤＣビーム加速電位との間の絶縁が大きくなる。カソ
ードの引き込み５５は、２つの軸線上に中心がある薄い
金属環状部６３及び６４によって、グリッドの引き込み
５０の前端に取シ付けられている。その金属環状部は、
それぞれ個別にカソードの引き込み５５及び前端５２と
密閉され、それらの間にある内部セラミック現状絶縁体
５４によって分離されている。絶縁体５４の直径はカソ
ードの引き込み５５と同程度であシ、金属ｉ３状部６：
３及び６４のように、絶縁体５４はその直径と比較して
軸線方向に非常に浅い。カソードの引き込み５５及び内
部絶縁体５４Ｉ−ｉ一般的に軸線方向に前端５２と同一
の広がシをもっている。絶縁体５４はカソードの引き込
み５５をグリッド２４及びグリッド支持２５の所に生じ
るＲＦから絶縁しているばかりでなく、電子銃組立体の
真空エンベ「１１部分を形成しているが、それは上で記
載した通りである。

カソードの引き込み部材５５は直径方向に広がった後端
又は端部６２及び直径方向に減少しアノードに向って軸
線方向に伸びた前端６７を有し、直径方向に減少する細
長く伸びた中空の金属性円筒６８よ構成る。カソード端
部６２及び内部絶縁体５４は絶縁体５４内を通って伸び
る円筒６８と共に軸線方向にそろえて配置されている。

円筒６８は、その内部に維持されその円筒の末端となる
円盤状のカソード２２で終っている。カソード２２はそ
れによって、予め定められたカソードとグリッドの間隔
をあけて、グリッド２４にきわめて接近して支持されて
いる。中空円筒６８内の内部カソード２２は、ちょうど
ヒーター要素２３となっている。これら（・」１、例え
ば螺旋状又は他の在来のどのような形状でもよく、それ
らの支持及び電気引き込み線７０　＆、１〆１″ｊの中
心軸線と平行に伸び、ビン７１の所で終っている。後半
部は、円盤状のセラミック終端板７２内に保持され、カ
ソード引き込み卯月５５とは密閉されてる。また、終端
板は軸線方向で後方に伸びているガイドステム７３を備
えている。このようなカソードの引き込みの後端部６７
の絶縁は、電子銃組立体を封鎖し、電子銃及び電子管の
真空エンベロゾを完全なものにする。

前端５２と関連したグリッド支持及び保持小組立体２５
は、内部が中空になった基礎環状支持部７５を有する。

その支持部７５は、ＲＦ倍信号ＤＣビーム電位との間の
絶縁を維持するために、カソード円筒状部分６８に半径
方向内側に近接して伸びているが、半径方向に間隔を間
けられている。

基礎支持部７５は、管の軸線を横断し、アノード１５と
向い合っている環状平坦表面７６を形成し、グリッド２
４の周囲領域７７と整合している。グリッド支持組立体
はまた、基礎支持部７５とアノード１５との間で軸線上
に置かれた環状端部又は７ランノ６０を有し、その７ラ
ンノはｎｉｂ線方向の深さがその半径よシも非常に小さ
い。フランツ６０は、そのフランツに形成された環状溝
５９を有するが、その溝５９は、第２の平坦環状面７８
内のところでアノード１５から離れた基礎支持部７５及
び相補面７６と面している。溝５９の中で、好適には溶
融合金の金属編組物（ｂｒａｉｄ）である変形可能な環
−状接触要素は、その溝の深さよシも大きい厚さを有す
るのでその編組物ははみ出るが、それは丑だ、実質的に
グリッドの直径よりも小さい。

他の材料もまた、接触要素５８の構成に利用できる。例
えば、複数のスプリングフィンガーを有するストックな
どである。グリッド２４は端部フランジ６０と基礎支持
部７５との間に位置し、フランジはネジによって基礎支
持部に固定されている。

しかし、フランジ６０は、金属製のフラン・ノが直接グ
リッドに接触又は圧迫せずにむしろ編組物５８によって
のみ接Ｐｒ、ｌｔ又は圧迫されるように固定されている
。このように、非常に適しているが、弾力性があって、
もろいグリッドをゆがめたりしないようなりランプ力が
与えられる。

グリッド支持ａ＋立体金属の膨張係数は、実質的にグリ
ッドのグラファイト材の膨張係数よシも大きい。編組物
と溝の組合せは、軸に関するグリッドの横方向又は２１
′陛方向の位置を保持し、ジャリング動作もまたａ′１
：容されるが、それは処理及び動作中の熱による種々の
材質の差動膨張の応力の除去のためである。相対的膨張
の順応とともに、グリッド支持組立体２５により、優秀
なレベルの熱的電気的伝導性が確実になる。というのは
、環状面７６と対応して向合っている、グリッド２４の
周囲の領域との間の十分な摩擦接触が、組立体２５０弾
力性クランピング動作によって、正確に確保されるから
である。同様に、変形可能な接触体である編組物５８の
補助によって、その編組物が大きな接触範囲を確実にす
るために変形することから、グリッド領域７７と環状面
７８との間に、膨張にもかかわらず正確に電気及び熱的
連続性を保っている。さらに、グリッド１自身の役割は
以下で見られるようにグリッドの平面を除いてグリッド
の膨張を最小にするようなものである。まだこの配列は
厳密に極めて正確に元の寸法関係を保っている。グリッ
ドとカソードの間の空間は典型的には５から５０ミル（
０，０１３から０．１３センチメートル）であり、一方
、グリッド自身の厚さは典型的には２０ミル（０，０５
１センチメートル）のオーダー又はそれ以下であるので
、電子管の機能が全ての動作条件の下でグリッドに対し
て適した支持を行うことは重大なことである。

第３図及び第４図はグリッドの設計の詳細を示している
。薄く平坦な円盤２４は、寸法変化の安定性が高く耐熱
形のカー？ンであるが、好適には熱分解グラファイトで
ある。このようなグリッド材質はまた、固有に黒く、従
って固有の良い熱放射体となるという利点を有する。円
盤２４はカソードの直径に近い中心動作領域８０に備え
られ、そこでは電子がグリッドを通過しカソードからア
ノード領域に入るように動くことを可能にする開孔８１
が、好適にはレーザー旋削によって形成されている。そ
の結果、動作領域８０が一様な間隔をもった一様なグリ
ッドパー８２の平行配列を有する。そのグリッド円盤は
また、最も外側の端部に周囲を囲む固体の細い環状領域
又は環状帯７７を有するが、その直径は溝５９又は編組
物５８の直径と比較できる程度である。グリッドがグリ
ッド゛支持組立体と動作係合するように配置されると、
グリッド円盤は編組物５８によって支えられている。こ
の帯は、グリッドとグリッド支持組立体との間のすぐれ
た熱的、電気的通路を確実にするのに役立つ。１つのよ
シ小さな典型的な実施例において、およそ０．８平方イ
ンチ（２，０３平方センチメートル）の作用面積に対し
て、全体の直径は１．５インチ（３，８１センチメート
ル）で、作動領域の直径は１．０インチ（２，５４セン
チメートル）テする。しかし、およそ０．６から少なく
とも１６平方インチ（１，５２から少なくとも４０．６
平方センチメートル）の間にある動作用面積も、可能と
なっている。

さらに第４図で図示されているように、細長く伸び、一
様な間隔をもって置かれたグリッドパー８２は、好適に
は長方形の断面であシ、グリッドの面内で、それらの軸
方向の厚さ及びそれらの間の開孔８１と比べてきわめて
細いものである。そレラのピッチは典型的にはグリッド
とカソードの間の距離の１〜Ｚ倍で、一方、それらの幅
は好適には前記距離の２ピツチであるか又は、グリッド
とカッ−どの間の距離の２である。第３図に示されてい
るように、グリッドの平面内に伺らかの形状の細い空胴
を設けてグリッド８２を形成することは、作動中の加熱
によるどのような膨張も同じ向きに現われることを助長
し、従ってその要素がグリッドの平面内に確実に存在す
るということが知られている。もしそうでなければ内側
へ向うどのようなバックリング（ｂｕｃｋｌ　ｉ　ｎｇ
）　も、間隔の接近をもたらすので、グリッドとカソー
ド間のショートの原因となり、また、もし外側に向かう
と、管の作動特性の劣化となる。もちろん上で記載した
ように、グリッド支持部材膜、計の主な目的は、作動中
にこのようなパックリングを引き起こす差動ｔｅ張によ
る問題もまた軽減させることである。

近接接近に関する空間的許容誤差は、それによって、高
出力作動及び高ビーム加速電位の極度の温度条件下にお
いてきえも維持される。さらに、柚々の要素の差！Ｉｆ
ｌノ膨張は調節され、一方で機械的応力を防ぎ、良い機
械的支持をもたらし、同様に高電子状態の通路、信頼性
、ＲＦ倍信号対する低インピーダンスをもたらす。同時
に、入力信号手段４７の構造は、あらゆる同軸電流路の
最小の軸線方向距離を保ち、同様に、伝導体間の間隔及
び絶縁特性を最大にしている。例えば、カソード引き込
み部材５５はグリッド支持組立体２５から、実質的に軸
線方向に間隔があけられ且つ絶縁されている。さらに、
それは軸線方向には極めて浅く、引き込んで配置され、
従って、ＲＦ引き込みスリーブ５０の短い軸線部分との
み同軸となっている。

一方、なおそこからの最も短い半径方向の間隔はさらに
無視できない。カソードの引き込み５５及びＲＦ引き込
みスリーブ５０のどちらも、絶縁されるとともに、実質
的にアノード１５から軸線方向に間隔をあけて置かれる
。

このように、軸線方向に同一の広がりをもち、近接した
それら各々のリード線の電流路は、最小に減らせる。ま
た、各々のカッ−ｒとグリッドの引き込みグリッドは最
大にされ、外部を囲む引き込みリード手段５０に対して
の内部のカソード引き込み部材５５の相対的小ささは、
（それらのどちらも直径方向と軸線方向に伸びている）
このような分離を設けることを補助する。セラミック支
持部４８及び５４の介在は、各々の回路間及びアノード
と大地との間の電気的絶縁性を大きくする。

その結果、電子銃組立体が最小のシャントキャパシタン
ス及び直列インピーダンスを示すことになる。入力変調
信号のだめのひじように効果的かつ低リアクタンスの通
路を形成するほか、その組立体は素晴しく広い帯域幅特
性を有する。信号引き込み及びグリッド支持組立体４７
及び２５の設計は、グリッド２４の設計とともに、電子
管の高出力及び高効率の可能性に寄与し、そのレベルは
、従来、この型の電子管に期待されたものよシもずっと
良い。これらの設計は、大きなビーム流及び高出力レベ
ルが維持されることに必要な大きなビーム断面を可能に
している。グリッド組立体の設計は、高ビーム電流及び
高電位にもかかわらずビーム電流密度が抑えられるよう
な、比較的広いグリッド領域に対するものである。大き
なグリッド領域をもってしても、グリッド設計及び取付
は歪みを生ずることなく膨張を許容する一方、電位を正
確に維持する。上で記載した非常に接近したグリッドと
カソードとの間隔は、そのために、電子の通過時間の浪
費、ショート及び温度に従う特性の変化の欠点を最小に
し、一方で、ビームの変調、高周波数の可能性及び効率
などの増大を可能にしている。その電子管の有益な周波
数領域は、ＶＨＦ及びＵ　ＨＦ帯域に亘Ａだけでなく、
その上マイクロ波領域にも及んでいる。その電子管の有
効寿命はこのような相対的に高い出力条件下で期待され
る寿命以上に長くなっているが、それは、膨張及びグリ
ッドの大きさを収容するだめの装置によるものである。

カソードの平均寿命も址だ、伸ばされている。なぜなら
ば、放出密度条件が、与えられた出力レベルに対する他
の要件よりも相対的に低く、また、グリッド及びカソー
ドによってなされる電流の妨害によるエネルギーの消散
が相対的に低いからである。グリッドへの低インピーダ
ンスＲＦ信号路以外に、これらの特性は、グリッドへの
大量のＲＦ制御信号の効果的な応用を可能にすること及
び、最後にビームが一定時間、′ｆＴ：ｉ、流１”１１
失による熱的負荷を最小化することに寄Ｊ−１する。

この電子管は、少なくとも２０キロワツｉ・のＣＷ高出
力レベル可能であシ、ずっと高い出力レベルも到達でき
る。このようなレベルは、従来、このような型の電子管
には全く期待できず、さらに広い帯域幅に亘る適応性も
期待できなかった。ある四極真空管又は五極真空管にあ
るような１つ若しくはそれ以上の付加グリッド又は加速
開孔もまた形成され得る。

さらに、この電子管の他の望ましい特性は、高い平均電
子速度及び１１ｔイビームの断面に関するもので、出力
、効率、他の望ましい作動特性などの増加に寄与してい
る。第２図に示すように、電子ビームは比較的長く、同
様に無電界ドリフト領域及び出力間隙も長い。出力相互
作用間隙３５は、増大されたビーム電磁波相互作用及び
効率に対して、典型的にはアノートド°リフト管１７の
半径の２倍、軸線方向に伸びている。全ドリフト管手段
であって、軸線方向に少なくともその最大直径の５倍め
オーダーの長さは伸びているドリフト管手段は、比較的
長距離の間隔のどちらかの側に、長い無電荷ドリフト領
域を作っている。その比較的長い無電界ドリフト領域は
、入力空間及びコレクターからの、出力空胴の出力相互
作用の絶縁性の増大を起こしている。カットオンを超え
た導波管特性を利用しているこの絶縁効果は、出力の同
調若しくはローディングにおける変化、同調又は入力回
路の望ましくない変化を防いでいる。無電界ドリフト領
域の長さにもかかわらず、ビームの１１径は感知できる
ほどには変らない。ビームの直径と管の直径は依然比較
できる程度であり、ビームは本質的に妨げを受けるもの
ではない。ゾール・ぐイブの直径はアノードドリフト管
の直径よυはんのわずかに大きいだけであるか、そのこ
とは、大きな平均電子速度及び磁場によって強制された
集束に起因する。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明を実施して改良した誘導線形密度変調
管の、部分的に断面のある縦断面シ１である。 第２図は、第１図の電子銃及び信号入力組立体の拡大詳
細縦断面図である。 第３図は、第２図の電子銃組立体に用いられたグリッド
の拡大詳細平面図である。 第４図は、第３図のグリッドで４−４線に沿った、拡大
詳細縦断面図でちる。 〔主要符号の説明〕 １０・・電子管 １２・・・電子銃組立体 １５・・・アノード １７・・・アノードドリフト管 １９・・・”テールパイノ”ｌ−”　リフ　）管２０・
・コレクター ２２・・・熱電子カソード ２４・・・グリッド ３０．３７・・・管状セラミック ３５・・・出力間隙 ３６・・・第２間隙 ４７・・・低インピーダンス信号入力手段４８・・環状
セラミック絶縁体 ５０・・・環状伝導性グリッドリード手段５４・・・絶
縁体 ５５・・・カソード引き込み部材 ５９・・・環状溝 ８０・・・中央動作面 ８１・・・開孔 ８２・・・グリッドパー

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　誘導回路出力手段を有する線形ビーム真空管であ
   って、 ａ）前記真空管の一端で、熱カソード及びそこから間隔
   を開けて置かれたアノードを有し、軸線上に中心が置か
   れ、前記アノード及びツノソードが、それらの間に電子
   ビームを形成し、前記軸線に沿って加速するために最小
   の数キロはルトのＤＣ１ｄ位で動作可能であるところの
   電子銃組立体と、 ｂ）前記カソード及びアノードの間ですＩｌ＋　Ｋ：　
   Ｊ：に中心が置かれ、前記カソードから予め定められた
   距離を置いて近接設置され、＾ＩＪ記ビーノ、の密度変
   調をするための高周波数制御信−＋ｒＪ全受信し、前記
   耐錐が前記グリッドの直径の屋又はそれ以下であるとこ
   ろのグリッドと、Ｃ）前記グリッドに対する前記高周波
   数制御信号及び前記カソードに対する前記ＤＣ電位を供
   給するだめの、低インピーダンス信号入力手段と、 ｄ）前記の予め定められたグリッドとカソードとの間の
   距離を正確に維持する一方、相対的な膨張を収容してグ
   リッドを保持するだめの、前記信号入力手段と接続した
   手段と、 ｅ）前記ビームが前記真空管を通過した後にも残ってい
   るビームの電子を、捕集し消散させるための、前記真空
   管の他の一端で軸線上に置かれたコレクタ一手段と、 ｆ）前記電子ｕ（：及びコレクター間に伸びて前記ビー
   ムを伊い、はぼ前記電子銃とコレクターの中間にある少
   なくとも１つの間隙によって遮られ、前記間隙が前記誘
   導回路出力手段と通じているところのドリフト管手段 とから成り、 前記電子ビームが前記制御信号によって密度変調され、
   ＲＦエネルギーを前記誘導回路手段内に誘導し、前記制
   御信号に従って変化する、キロワットのオーダー又はそ
   れ以上の出力レベルのＲＦ比出力与えるところの線形ビ
   ームＪ’ｔ　？２Ｆ。 管。 ２、特許請求の範囲第１項に記載された真空管であって
   、 前ＨＬドリフト管手段の長さが、前ｉ、シ：管の／ｉｌ
   Σ大直径の５倍又はそれ以上のオーダーであるところの
   真空管。 ３、特許請求の範囲第１項に記載された真ｙ？管であっ
   て、 さらに、前記ドリフト管の外部の周囲に、前記ドリフト
   管の最大外直径よりも大きい中空のセラミックエンベロ
   ノを有し＃ＪｔＫ２エンベ１コノ０によりその内部に大
   気圧以下の気圧の形成を１」」能にするところの真空管
   。 ４、特許請求の範囲第１項に記載され／こｆ４．空管で
   あって、 前記カソード及びグリッドのどちらもが＝ｌ／−、ｌｊ
   、ｌ。 な円盤に形成され、前記電子ビームは１インチ（２，５
   ４センナメートル）又はそれ以上の初期直径を有し、前
   記グリッドの直径が少なくとも前記初期直径であるとこ
   ろの真空管。 ５、特許請求のｌｌｌ１”−１四箇１項に記載された真
   空管であって、 前記グリッドが、前記グリッドとカソードの間の距離の
   半分又はそれ以下の厚さを有するところの真空管。 ６、特許請求の範囲第１項に記載された真空管であって
   、 前記グリッドは動作面積を形成し、そこを通るビーム通
   路Ｑま複数の細長く伸びた平行パーから成り、該パーは
   、前記グリッドの平面で少なくとも多少向ってお９、前
   記パーはグリッドの平面におい−Ｃ１前記パーは−ｊ＝
   Ｊ−％の軸線方向の厚さに比べで、！□（（ｊ〈なって
   いるところの真空管。 ７．１６−許請求の範囲第１項に記載された真窒管セあ
   って、 前記ドリフト管手段は、前記アノードから前記間隙へ伸
   びている第１ドリフト管部分及び、前記間隙から前記コ
   レクターに近接した位置に伸びる第２ドリフト管部分か
   ら成り、前記第１及び第２ドリフト管部分は第１及び第
   ２無電界領域を形成し、そこを通る前記ビームの妨害の
   度合が最小となっているところの真空管。 ８、特許請求の範囲第７項に記載されたドリフト管であ
   って、 前記第１１’１７７）管部分の内部直径が、前記ビーム
   の初期直径よ）も小さいところのドリフト管。 ９、特許請求の範囲第７項に記載されたドリフト管であ
   って、 前記第２ドリフト管部分の最大内部直径が、前記ビーム
   の初期直径よシもわずかに大きいところのドリフト管。 １０、％許請求の範囲第１項に記載された真空管であっ
   て、 前記信号入力手段は縮少した直径の前端へと半径方向内
   側に向って伸びている環状グリッドリード手段を有し、
   該グリッドは前記前端の周囲に支持され、前記入力手段
   もまた、前６己グリッドリード手段内の前記前端上に支
   持され、前記グリッドと対向し後ろ側に伸びている第１
   絶縁手段を有し、史に前記入力手段は、前記絶縁体によ
   ってその後方に支持され、前記グリッドリード手段内に
   配置されたカソードリード手段を有することから、前記
   各々のリード手段間及び前記’）−）’手１−９′とア
   ノードとの間に実質的間隔が与えられる一方で、前８６
   １Ｊ−ド手段の軸上の重なりを最小にし、前記高周波数
   制御信号に対する最小のインダクタンス及びキヤ・＃’
   ／夕７スを与えるところの真空管。 １１、特許請求の範囲第１０項に記載された真空管であ
   って、 前記信号入力手段が改良された電気的絶縁及び物理的支
   持のために、更に前記グリッド１ノード手段の後端と６
   （Ｉ記アノード領域との間に伸びる外部環状第２絶縁手
   段を有する真空管。 １２、特許請求の範囲第１０項に記載された真空管であ
   って、 前記第１絶縁体及びリード手段が環状であるところの真
   空管。 １３．特許請求の範囲第１０項に記載された真空管であ
   って、 前記カソードリード手段が前記力ソートゝへと伸び、該
   カソードを支持しているところの真空管。 １４　特許請求の範囲第１項に記載された真空管であっ
   て、 前記グリッドを支持するための前記手段が更に、前記軸
   線を横切り前記アノードと向い合っている第１環状平坦
   表面及び、前ｈビアノードから離して方向付けられた整
   合第２平坦環状表面を有し、前記支持のための手段が更
   に、現状可変コンダクタ−を有し、前記グリッドが前記
   表面の１方と前記可変環状コンダクタ−の１方の側との
   間で周囲に配置されて、前記可変環状コンダクタ−の他
   方の側が前記表面の他方を圧迫するところの真空管。 １５、誘導回路出力手段を利用するだめの縦軸と電子ビ
   ーム集束磁場を形成する手段を有する線形電子ビーム管
   であって、 ａ）前記ビーム管の一端で、熱カソード及びそこから間
   隔が聞けられたアノードを有し、前記アノード及びカソ
   ードが、それらの間に電子ビームを形成し、前記軸線に
   沿って加速するために最小で数キロボルトのＤＣ電位で
   動作可能である、軸線上に中心が置かれた電子銃組立体
   と、 ｂ）前記ビームが前記ビーム管を通過した後にも残って
   いるビームの電子を、捕集し消散させるだめの、前記管
   の他端で軸線上にあるコレクタ一手段と、 Ｃ）前記電子銃及びコレクター間に伸びて前記ビームを
   覆い、はぼ前記電子銃とコレクターの中間にある１つの
   間隙によって遮られ、前記間隙が前記空胴手段と通じて
   いるところのドリフト管と、 ｄ）前記カソード及びアノードの間で軸線上に中心が置
   かれ、前記カソードから予め定められた距離を置いて近
   接設置され、前記ビームの密度変調をするための高周波
   数ｆｆｊ制御信号を受信し、前記距離が前記グリッドの
   直径の２゜又はそれ以下のグリッドであって、前記グリ
   ッドの厚さが前記距離の半分又はそれ以下で中心動作面
   積及び周囲の支持領域全形成するところのグリッドと、 ｅ）ＡｉＪ記ビームの通路のために穴が開けられ、前記
   カソードに近接してその外部に配置され、前記制御信号
   を送る内部グリッド支持部月と、ｆ）前記内部グリッド
   支持部材と前記アノードとの間で軸線方向に沿って置か
   れ、前記部材の間で周囲に保持される外部グリッド支持
   部材と、 ｇ）前記グリッドと少なくとも１つの前記部材との間へ
   挿入され、前記部材及びグリッドの発熱の下で、前記グ
   リッドをゆがませることなく差動膨張を許容し、一方で
   前記グリッドを正確に前記位置に維持する薄い環状伝導
   接触手段と、 から成る線形ビーム電子管。 １６、　特許請求の範囲第１５項に記載された電子管で
   あって、 前記グリッドが平坦なものであシ、均等、に置かれた複
   数の細長く伸びたパーから成るととるの電子管。 １７、特許請求の範囲第１６項に記載された電子管であ
   って、 前記パーが前記グリッドの平面内でわん曲しているとこ
   ろの電子管。 １８、特許請求の範囲第１７項に記載された電子管であ
   って、 前記パーは、軸線方向の厚さがグリッドの平面内でのパ
   ーの幅よりも厚くなっているところの電子管。 １９、特許請求の範囲第１６項に記載された電子管であ
   って、 前記パーが、前記カソードとグリッドの間の距離のおよ
   そ１倍から１着生又はそれ以下のピッチで並べられてい
   るところの電子管。 ２、特許請求の範囲第１６項に記載された電子管であっ
   て、 前記パーがグリッドの平面において、前記力ンードとグ
   リッドの距離のおよそ半分かそれ以下の幅となっている
   ところの電子管。 ２、特許請求の範囲第１５項に記載された電子管であっ
   て、 前記環状接触手段の厚さが、実質的に前記グリッドの直
   径よりも小さいところの電子管、。 ２、特許請求の範囲第１５項に記載された電子管であっ
   て、 前記接触手段が、前記グリッド周辺支持領域よりも小さ
   い直径を有し、前記周辺グリッド領域を覆う前記グリッ
   ドのみと接触しているところの電子管。 ２、特許請求の範囲第１５項に記載された電子管であっ
   て、 前記内部及び外部支持部材が各々前記軸線を横断するよ
   うに第１及び第２平坦項状表面を形成し、その内部に前
   記グリッドが納っているところの電子管。 ２、特許請求の範囲第２３項に記載された電子管であっ
   て、 環状溝が前記環状表面の１つに形成され、前記環状接触
   手段が前記１つの環状表面から突き出るように、前記溝
   内に置かれているところの電子管。 ２、特許請求の範囲第１５項に記載された電子管であっ
   て、 前記接触手段が金属編組物であるところの電子管。 ２、特許請求の範囲第１５項に記載された電子管であっ
   て、 前記カソードが凹面状の電子放出表面を形成し、前記グ
   リッドが前記凹面状電子放出面と相補的な凹面形状であ
   るところの電子管。 ２、特許請求の範囲第１５項に記載された電子管であっ
   て、 前記内部支持部材が金属であシ、全体的に中空の円筒形
   であり、後方で、直径方向に広がった後端へと伸び、前
   記高周波数制御信号が前記端部で受信され、 更に、前記管が前記支持部材の周りに中空の円筒状絶縁
   体を有し、前記部材を前記アノードに近接した前記管上
   にそれと電気的に絶縁して支持し、 更に、前記電子管が更に前記支持手段の中央に置かれた
   環状カソードリード手段を前記端部の内部に有し、 前記カソードリード手段と前記グリッドに近接した前記
   支持部材との間にｕＶ状絶縁手段を有し、前記支持手段
   上で前記カソードリード手段を支持することから、軸線
   方向に浅い信号入力手段が設けられ、その金属製要素が
   半径方向に広がって配置されているところの電子管。 ２、特許請求の範囲第２７項に記載された電子管であっ
   て、 減少した直径を有する中空伸長部拐で、前記カソードリ
   ード手段から軸線方向に突き出し、前記カソードを支持
   している伸長部材を更に有する゛電子管。 ２、特許請求の範囲第１５項に記載された電子管前記グ
   リッドが２０ミル（但参÷４４センチメートル）又はそ
   れ以下のオーダーの厚さであるところの電子管。 ３０、特許請求の範囲第１５項に記載された電子管であ
   って、 前記カソードが６１■記グリツドと向い合っている平坦
   表面を有し、またグリッドは平坦で、前記カソードの前
   記平坦表面からおよそ５から５０ミル（０，０１３から
   ０．１３センチメートル）の間の間隔を開けて配置され
   ているところの電子管。 ３１、特許請求の範囲第１５項に記載された電子管であ
   って、 前記グリッドがおよそ０．６平方インチ（１，５２平方
   センチメートル）と１６平方インチ（４０，６平方セン
   チメートル）との間の動作面積を有するところの電子管
   。 ３２、特許請求の範囲第１５項に記載された電子管であ
   って、 前記グリッドが耐熱カー？ン材であるところの電子管。 ３３、カソード及びアノードを有する電子管用の電子銃
   のためのグリッド及び信号入力組立体であって、 ａ）前記カソードとアノードとの間にある制御グリッド
   と、 ｂ）　一端が前記アノードへ伸び、前記アノード及びグ
   リッドよりも大きい第１直径を有する絶縁体と、 Ｃ）前記第１直径よりも小さい第２直径の前端を有し、
   後端において、前記前端を前記アノードに向けて配置す
   るために前記絶縁体の他端に取り付けられ、前記前端が
   前記アノード゛と面している第１環状表面を形成してい
   るところのほぼ環状のグリッドリードと、 ｄ）前記グリッドリード内でそこから間隔を開けて置か
   れたカソードリードと、 ｅ）前記カソードリードと前記グリッドリードの前端と
   の中間で、前５記グリツドリード内で且つそれに関して
   間隔をおいて配置され、前記カソードリードを前記前端
   に取り付けている内部現状絶縁体と、 ｆ）軸線方向に前記内部絶縁体を通って、前記前端に近
   接した位置へ突きＵ」で、前記カソードを前記位置に取
   シ付けているカソードリード伸張と、 ｇ）前記第１環状表面と全体的に整合している第２項状
   表面を形成する環状金属７ランノと、ｈ）前記グリッド
   の１つの表面を圧迫する環状可変接触９素であって、前
   記要素と前記グリッドリードの前記先端に取シ付けられ
   る前記フランジ上の前記環状フランジのそれに向い合っ
   た面との間でグリッドの周囲をもって収納するところの
   接触要素と、 から成るグリッド及び信号入力組立体。 ３４、特許請求の範囲第３３項に記載された組立体であ
   って、 前記可変要素が弾力性金属伝導体から成るところの組立
   体。 ３５、特許請求の範囲第３３項に記載された組立体であ
   って、 前記可変要素が金属製編組物から成る組立体。 ３６、特許請求の範囲第３５項に記載された組立体であ
   って、 前記金属製編組物がモネル合金であるところの組立体。 ３７、特許請求の範囲第３３頂に記載さＪｔた組立体で
   あって、 前記グリッドがグラファイトであり、平坦であり、前記
   グリッドに近接したカソード部分が平坦であり、前記環
   状表面が平坦であるところの組立体。 ３８、特許請求の範囲第３３項に記載された組立体であ
   って、 前記環状表面の１つに環状溝が形成され、前記可変要素
   が前記溝内に配置され、そこから突き出ているところの
   組立体。 ２０　Ｒ月ｉｒ　ｊ皇古　６）箭Ｈヨ　笛　２　只　ｈ
   百　ｗ′　詣」宙Ｖ　式　すＬノと　ネ［１マｒイ木で
   あって、 前記要素が前記溝の深さよシも大きな横方向の厚さを有
   することでその要素が前記溝よシ突き出ているところの
   組立体。 ４０、特許請求の範囲第３３項に記載された組立体であ
   って、 前記グリッドリードの前記前端に前記７ランノを締め伺
   けるだめの締付は手段を更に有するところの組立体。 ４１、特許請求の範囲第４０項に記載された組立体であ
   って、 前記締付は手段が前記フランツを前記前端へ向って圧迫
   し、その圧迫は前記可変要素がグリッドに接触す？〕こ
   とだけを許容する範囲まで行っているところのグリッド
   。 ４２、特許請求の範囲第３３項に記載された組立体であ
   って、 前記環状フランジの深さが実質的にその半径よりも小さ
   いところの組立体。 ４３、特許請求の範囲第４２項に記載された組立体であ
   って、 前記グリッドリードの前記前端が、前記環状フランツと
   全体的に相補的な環状盤部分を形成しているところの組
   立体。 ４４　特許請求の範囲第３３項に記載された組立体であ
   って、 前記絶縁体、リード、フランジ及びアノードが、共通の
   中心縦軸線を形成し、前記アノード及び前記環状軸線が
   前記軸線に対し垂直になっているところの組立体。 ４５、特許請求の範囲第３３項に記載された組立体であ
   って、 前ｄ己カソード及びグリッドが、互いにおよそ５から５
   ０ミル（０，０１３から０．１３センチメートル）の距
   離をあけて配置されているところの組立体。 ４６、特許請求の範囲第３３項に記載された組立体であ
   って、 前記グリッドの厚さが２０ミル（０，０５％センチメー
   トル）のオーダに及ぶところの組立体４７、特許請求の
   範囲第３３項に記載された組立体であって、 前記グリッドがおよそ０．６から１６平方インチ（１，
   ５２から４０．６平方センチメートル）の作用面積を有
   するところの組立体。 ４８、特許請求の範囲第３３項に記載された組立体であ
   って、 前記グリッドが平坦で、前記グリッドの動作面が複数の
   規則的に並べられた細く伸びた部材から成り、前記部材
   はその軸線方向の厚さに比べ細く、前記細く伸びた部材
   が前記グリッドの平面で曲つ−Ｃいるところの組立体。 ４９、特許請求の範囲第３３項に記載された組立体であ
   って、 前記アノードが環状であるところの組立体。 ５０、高周波数制御信号によって変調される真空管であ
   って、 前記真空管が、該真空管に連続する加速電極と、該加速
   電極から間隔を開けて配置され、動作中加速電極との間
   に高ＤＣ電位を生成するととに適した電子放射カソード
   と、前記制御信号ニ従って前記ビームを変調するだめの
   カソードと前記電極との間で且つそれらから間隔を開け
   て配置されたグリッドとを備えた、電子ビーム源、及び
   広帯域信号入力組立体から成り、前記組立体が、 ａ）端部及び後端部を有し、前記前端部が前記電極と密
   閉されているところの絶縁手段と、ｂ）前記絶縁手段後
   端部に密閉的に取り伺けられた後端部分と、前記環状絶
   縁手段内で、そこから間隔を開けて配置され且つ前記電
   停からも間隔を開けて配置された、前記前端部分とを有
   し、前記グリッドが前記グリッドリード手段の前記前端
   部分に取り付けられ−Ｃいる環状電気伝導グリフ１９１
   フ手段と、 Ｃ）前記グリッドリード手段内で、それに関し７て間隔
   を開けて配置された電気伝導性カソードリード手段と、 ｄ）前記カソードリード手段を前記グリッドリード手段
   に取ｐ付けている内部絶縁体手段と、から成り、 前記カソードリード手段が前記グリッドに近接して前記
   カソードを取シ付け、前記グリッドリード手段の後端よ
   りも、実質的によシ前記電極に引き込むように接近して
   配置されている後端を有するところの真空管。 ５１、特♂１：請求の範囲第５０項に記載された真空管
   であって、 前記外部及び内部絶縁手段がその直径に比べて軸線方向
   に薄いところの真空管。 ５２、特許請求の範囲第５０項に記載された真空管であ
   って、 前記グリフドリー１２手段がその直径に比べて軸線方向
   に薄く、前記カソードリード手段が環状で、その軸線方
   向の長さがおよそその直径に等しいところの真空管。 ５３、特許請求の範囲第５０項に記載された真空管であ
   って、 前記グリッドリード手段の前記後端が軸線方向に前記外
   部環状絶縁体の後方へと伸びているところの真空管。 ５４９％許請求の範囲第５０項に記載された真空管であ
   って、 前記カソードリード手段及び前記内部絶縁体のどちらも
   が前記外部絶縁体の１ｌｌｔ線にそって内側で軸線方向
   にあり、それら１σ径が前記外部絶縁体の直径の半分の
   オーダーであるところの真空管。 ５５　特許請求の範囲第５５項に記載された真空管であ
   って、 前記カソードリード手段が比較的小さい直径の前端部分
   と比較的大きい直径の後端部分を有し、前記内部絶縁体
   が前記カソードリード手段の前端部分の外部の周シで間
   隔を開けて配Ｖ１“される環状部拐であるところの真空
   管。 ５６、特許請求の範囲第５０項に記載された真空管であ
   って、 前記グリッドリード手段の前記前端は直径が減少したも
   のであシ、前記内部絶縁体及び前記カソードリード手段
   の直径は前記減少した直径よシも小さいところの真空管
   。 ５７、特許請求の範囲第５０項に記載された真空管でを
   ）って、 前記カソードリード手段が環状基部材及びそこから軸線
   方向に前記グリッドに向って突き出ている膨張部分から
   成シ、前記膨張部分はカソードに接触して終っており、
   また前記膨張部分が内部絶縁体手段を有するところの真
   空管。 ５８、特許請求の範囲第５７項に記載された真空管であ
   って、 前記グリッドリード手段が大きな直径の後端部分と比較
   的小さな直径の不可欠ｈリム部分を有し、前記リム部分
   は前記大きな直径部分から半径方向内側に向って配置さ
   れ、グリッドリ−ド手段の後端に向って突き出ていると
   ころの真空管。 ５９、特許請求の範囲第５０項に記載された真空管であ
   って、 前記カソードリード手段が前記電極に向って伸び、前記
   カソードリード手段の残りの部分に比べて直径が減少し
   ている前端部を有するところの真空管っ ６０、特許請求の範囲第５０項に記載された真空管であ
   って、 前記グリッドリード手段の後部が、前記外部絶縁体に匹
   敵する直径を有し、前記グリッドリード手段の前部は直
   径が減少するようにテーパー状になり、前記カソードリ
   ード手段が、前記グリフ１゛リード手段のチー・や一端
   部分内で主に軸線方向に沿って置かれているところの真
   空管。 ６ｔ　４’！ｊ許請求の範囲第５０項に記載された真空
   管であって、 更に、前記グリッドリード手段の前端に連結したグリッ
   ド支持手段を有し、該手段が、前記カソードに対して予
   め定められた間隔で接近して配置されて、前記グリッド
   を弾力的に、且つ正確に保持し、前記グリッドが前記グ
   リッドリード手段の前端部に取シ伺けられ、前記端部と
   電極との間は良い電気的接触をしているところの真空管
   。 ６２、特許請求の範囲第６１項に記載された真空管であ
   って、 前記グリッド支持手段が、前記グリッドリード手段より
   も実質的に軸線方向の深さが小さい環状金属部材を有し
   、該部材及び前記グリッドリード手段が向い合わすこと
   のできる環状表面を形成し、更に、前記支持手段が環状
   弾力性部材を有し、前６Ｌ１グリツドは、前記環状表面
   と前記弾力性部材の間でその周囲を近接して収納し、前
   記弾力性部材は更に、他の前記環状表面を圧迫している
   ところの真空管。 ６３、％許請求の範囲第６２項に記載された真空管であ
   って、 前記環状表面の前記１つがその中に溝を形成し、該溝が
   前記弾力性部材を収納しているところの真空管。 ６４、特許請求の範囲第６３項に記載された真空管であ
   って、 前記溝の深さが、前記弾力性部材の長さよυも浅いとこ
   ろの真空管。 ６５、特許請求の範囲第６４項に記載された真空管であ
   って、 前記弾力性部材が金属製編組物から成る′ｉｔ空管。 ６６、特許請求の範囲第６２項に記載された真空管であ
   って、 前記環状金属部材が、ネジ部利によって前記グリッドリ
   ード手段の前端に取り付けられているところの真空管。 ６７、特許請求の範囲第５０項に記載された真空管であ
   って、 前記加速電極に開孔があるところの真空管。 ６８、無線周波数真空管であって、 ａ）熱電子カソードとそこから離して配置されたアノー
   ドを有し、前記アノード及びカソードが、それらの間に
   キロデルトＤＣ電位で動作可能で、それらの間で電子ビ
   ームを形成し加速するところの組立体と、 ｂ）前記カソードとアノードとの間にあシ、カソードか
   ら予め定められた距離を隔てて適切な位置に近接設置さ
   れ、前記ビームを密度変調するだめの無線周波数制御信
   号を受信し、前ＨＬ距ｐＪ＋＋が前記グリッドの直径の
   ２゜又はそれ以下で、前記グリッドの厚さが前記距離の
   手分かそれ以下であるグリッドと、 Ｃ）低イ／ピーダンス信号入力手段であって、前記グリ
   ッドに前記高周波数制御信号を送シ、前６己カソードに
   前記ＤＣ電位を与えるための入力手段と、 ｄ）前記グリッドを前記適切な位置に保ち、相対的膨張
   を収容し、同時に前記の予め定められたグリッドとカソ
   ードとの間の距離を正確に維持するための手段と、 から成る無線周波数真空管。 ６９、％許請求の範囲第６８項に記載された真空管であ
   って、 前記距離が前記グリッドの直径のＫｏｏのオーダーであ
   るところの真空管。 ７０、特許請求の範囲第６８項に記載された真空管であ
   って、 前記グリッドが１インチ（２，５４センチメートル）の
   オーダー又はそれ以上の直径の動作面積を有するところ
   の真空管。 ７１、特許請求の範囲第６８項に記載された真空管であ
   って、 前記キロポル）ＤＣ電位が上方に３０キロｙｌ’ルトの
   オーダーに及ぶところの真空管。 ７２、特許請求の範囲第６８項に記載された１１、空管
   であって、 前記グリッドが耐熱型カービンから成るところの真空管
   。 ７３、％許請求の範囲第６８項に記載でれた真空管であ
   って、 前記ビーノ・が直線通路に沿って加速され、誘導回路出
   力手段が前記ビーム通路の横側に設けられることで、前
   記出力手段を通過して前記密度変調されたビームの進行
   にょシ、前記制御信号に対応して前記回路において無線
   周波数出力信号が誘導されるところの真空管。 ７４、特許請求の範囲第７３項に記載された真空管であ
   って、 更に、コレクタ一手段が前記アノードから離して配置さ
   れ、前記アノードには開孔があり、前記ビームがそこを
   通って前記コレクターまで伸び、前記誘導回路出力手段
   が前記アノードと前記コレクタ一手段との間に配置され
   ているところの真空管。