JPS60104125A - Esterification - Google Patents

Esterification

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Publication number
JPS60104125A
JPS60104125A JP21213583A JP21213583A JPS60104125A JP S60104125 A JPS60104125 A JP S60104125A JP 21213583 A JP21213583 A JP 21213583A JP 21213583 A JP21213583 A JP 21213583A JP S60104125 A JPS60104125 A JP S60104125A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
esterification
reaction
reaction rate
terephthalic acid
vapor
Prior art date
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Pending
Application number
JP21213583A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuo Matsumoto
哲夫 松本
Masaru Hirose
優 広瀬
Toshikazu Abe
阿部 敏万
Eiji Ichihashi
市橋 瑛司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Ester Co Ltd
Original Assignee
Nippon Ester Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Ester Co Ltd filed Critical Nippon Ester Co Ltd
Priority to JP21213583A priority Critical patent/JPS60104125A/en
Publication of JPS60104125A publication Critical patent/JPS60104125A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To control esterification in high measurement accuracy without being influenced by disturbance and operation factor, by inserting a semiconductor sensor to vapor formed by esterification of terephthalic acid and ethylene glycol, measuring the reaction ratio. CONSTITUTION:In esterifying terephthalic acid or a dicarboxylic acid consisting essentially of it with ethylene glycol or a glycol consisting essentially of it, a semiconductor sensor is inserted into vapor formed by the reaction, electric conductivity of the sensor is detected, to control reaction ratio of esterification. The esterification is preferably carried out in a molar ratio of ethylene glycol/ terephthalic acid =1.5-1.7 at <=0.15kg/cm<2> gauge pressure at 240-260 deg.C. The semiconductor is preferably set in a measurement cell having the reaction product obtained by taking out partially formed vapor from a piping of extraction line of it, condensing volatile vapor such as acetaldehyde, etc. and removing it, controlling the reaction product at a fixed temperature.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はテレフタル酸又はこれをL体とするジカルボン
酸とエチレングリコール又はこれを主体とするグリコー
ルとをエステル化する方法に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for esterifying terephthalic acid or a dicarboxylic acid having the L form thereof with ethylene glycol or a glycol mainly composed of terephthalic acid.

今日、工業的に使用されているポリエステル。Polyester is used industrially today.

特にポリエチレンテレフタレートは高度の結晶性。In particular, polyethylene terephthalate is highly crystalline.

高軟化点を有し9強度・耐薬品性・帆熱性・耐候性・電
気絶縁性等の点で優れた性?tを有しているため、繊維
をはじめ、フィルム、ボトルその他の成形品として産業
上広く利用されている。
Has a high softening point and excellent properties such as strength, chemical resistance, heat resistance, weather resistance, and electrical insulation? Because it has t, it is widely used industrially as fibers, films, bottles, and other molded products.

ポリエチレンテレフタレートは、ジメチルテレフタレー
トとエチレングリコールとのエステル交換反応又はテレ
フタル酸とエチレングリコールとの直接エステル化反応
によって、ビス(β−ヒドロキシエチル)テレフタレー
ト(その低重合体を含む)を得、これを触媒存在下に高
温、高減圧下に重縮合する方法で製造されているが、近
年、連続運転の容易さ、原料原単位の低減、省エネルギ
ーといった点で有利な直接エステル化法が広く採用され
るようになってきた。
Polyethylene terephthalate is obtained by the transesterification reaction of dimethyl terephthalate and ethylene glycol or the direct esterification reaction of terephthalic acid and ethylene glycol to obtain bis(β-hydroxyethyl) terephthalate (including its low polymers), which is then catalyzed. However, in recent years, the direct esterification method, which is advantageous in terms of ease of continuous operation, reduction in raw material consumption, and energy savings, has been widely adopted. It has become.

ところで、直接エステル化法でポリエステルを製造する
場合、高品質のポリエステルを得るためには、エステル
化反応を実施する際にエステル化反応率を制御する必要
がある。
By the way, when producing polyester by the direct esterification method, in order to obtain high quality polyester, it is necessary to control the esterification reaction rate when carrying out the esterification reaction.

エステル化反応率は2反応物をザンプリングし酸価とケ
ン化価とを測定することによってめることができるが、
このような人手によって分析する方法では、プロセスの
自動化に対応することができない。
The esterification reaction rate can be determined by sampling two reactants and measuring the acid value and saponification value.
Such manual analysis methods are not compatible with process automation.

この問題を解決する方法として、エステル化反応混合物
の電気伝導度(以下電轟度という)を測定することによ
りエステル化反応率を制御する方法(特開昭48−10
3537号)や1反応系の電導度を一定に維持しながら
エステル化を行う方法(特開昭52−19634号)が
提案されている。
As a method to solve this problem, a method of controlling the esterification reaction rate by measuring the electrical conductivity (hereinafter referred to as electrical conductivity) of the esterification reaction mixture (Japanese Patent Laid-Open No. 48-10
3537) and a method in which esterification is carried out while maintaining the electrical conductivity of one reaction system constant (Japanese Patent Application Laid-open No. 19634/1983) has been proposed.

しかしながら、このようなエステル化反応物の電導度に
より制御する方法には次のような問題があり9本格的に
実用化されるには故っていない。
However, such a method of controlling by the electrical conductivity of the esterification reactant has the following problems,9 and is not suitable for full-scale practical use.

(1)実作動領域における電導度が極めて低く、既存計
器の測定誤差領域に入ってしまうため、温度、圧力、気
泡等による外乱(ノイズ)とエステル化反応率が変化し
たための信号(シグナル)の識別が困難であり、かつ外
乱要因の防止方法が確立されていないため実用化できな
い。
(1) The conductivity in the actual operating range is extremely low and falls within the measurement error range of existing instruments, so the signal due to disturbances (noise) due to temperature, pressure, air bubbles, etc. and changes in the esterification reaction rate. It cannot be put to practical use because it is difficult to identify and a method for preventing disturbance factors has not been established.

(2)ポリエチレンテレフタレ−1・の場合、平均重合
度が10以上、好ましくは15以上でないと反応により
副生ずるエチレングリコールや水の影響などによってエ
ステル化反応率とtli 導度の関係が定式化できず、
測定によるバラツキが大きくなる。したがって、ポリマ
ーの重合度制御にはよいが、エステル化反応物のように
平均重合度が10以下のものには実用的でない。
(2) In the case of polyethylene terephthalate-1, if the average degree of polymerization is not 10 or more, preferably 15 or more, the relationship between esterification reaction rate and tli conductivity can be formulated due to the influence of ethylene glycol and water produced by the reaction. I can't do it,
The variation due to measurement becomes large. Therefore, although it is good for controlling the degree of polymerization of polymers, it is not practical for those having an average degree of polymerization of 10 or less, such as esterification reaction products.

(3)温度や圧力、エチレングリコールの添加量などに
よる補正が極めて困難であって、現実の製造工程で種々
の条件変更を余儀なくされる1際の補正ができない。
(3) It is extremely difficult to make corrections based on temperature, pressure, the amount of ethylene glycol added, etc., and it is impossible to make one-time corrections that would require changing various conditions in the actual manufacturing process.

本発明者らは、かかる問題点のないエステル化反応率の
制御方法、すなわち外乱や操作因子の影響のない実用的
なエステル化反応率の制御ブj法について鋭意研究の結
果、エステル化反応物そのものではなく、エステル化反
応により生成する蒸気中に挿入した半導体センサーの電
導度の変化がエステル化反応率の変化によく追従するこ
とを見出し1本発明を完成した。
The present inventors have conducted intensive research on a method for controlling the esterification reaction rate that does not have such problems, that is, a practical method for controlling the esterification reaction rate that is not affected by disturbances or operating factors. The present invention was completed based on the discovery that the change in the conductivity of a semiconductor sensor inserted into the vapor generated by the esterification reaction closely follows the change in the esterification reaction rate.

すなわち9本発明はテレフタル酸(TPA)又はこれを
主体とするジカルボン酸とエチレングリコール(EG)
又はこれを主体とするグリコールとをエステル化するに
際し9反応により生成する蒸気中に半導体センサーを置
いて、該センサーの電導度を検知し、エステル化反応率
を制御′リーることを特徴とするエステル化方法を要旨
とするものである。
That is, 9 the present invention uses terephthalic acid (TPA) or a dicarboxylic acid mainly composed of terephthalic acid and ethylene glycol (EG).
or a semiconductor sensor is placed in the vapor generated by the 9 reactions when esterifying a glycol mainly containing this, the conductivity of the sensor is detected, and the esterification reaction rate is controlled. The gist is the esterification method.

本発明におけるエステル化の方法としては2通常ビス(
β−ヒドロキシエチル)テレフタレート(その低重合体
を含む) (BIIE1’)の存在する反応槽にTPA
とEGとからなるスラリーを連続的に供給してエステル
化させる方法が用いられる。このBIIETには、一部
TPAやEGの残基以外の成分を含有していてもよく、
また、 BIIETは公知の任意の方法によって得られ
たものでよいが、前記方法によって得られたものをその
まま用いることが好ましい。
The esterification method in the present invention is 2 usually bis(
TPA was added to the reaction tank containing β-hydroxyethyl) terephthalate (including its low polymer) (BIIE1').
A method is used in which a slurry consisting of EG and EG is continuously supplied for esterification. This BIIET may partially contain components other than TPA and EG residues,
BIIET may be obtained by any known method, but it is preferable to use the BIIET obtained by the above method as is.

TPAとEGとからなるスラリーのr;G/’l’Pへ
のモル、比は通常1,2〜2.0.好ましくは1.4・
〜1.8.最適には1.5〜1.7とするのが好ましい
。このスラリーにはもちろん一部に他の酸成分、たとえ
ばイソフタル酸、5−すI〜リウムスルホイソフタル酸
、アジピン酸、セバシン酸、ナックレンジカルボン酸。
The molar ratio of the slurry consisting of TPA and EG to r;G/'l'P is usually 1.2 to 2.0. Preferably 1.4・
~1.8. The optimum value is 1.5 to 1.7. Of course, this slurry also contains some other acid components, such as isophthalic acid, 5-sulfoisulfoisophthalic acid, adipic acid, sebacic acid, and knack dicarboxylic acid.

ジフェニルスルホンジカルボン酸等又は他のグリコール
成分、たとえばテトラメチレングリコール。
Diphenylsulfone dicarboxylic acid or the like or other glycol components, such as tetramethylene glycol.

ネオペンチルグリコール、1,4−シクロヘキサンジメ
タツール等が30モル%を越えない程度台まれていても
よい。
Neopentyl glycol, 1,4-cyclohexane dimetatool, etc. may be present in an amount not exceeding 30 mol%.

また、エステル化反応は、ジエチレングリコール(DE
C) tlit度を抑制するために2通常ケージ圧0.
5kg/crA以下、好ましくは0.15kg/cJ以
下で行うのが好適である。
In addition, the esterification reaction is performed using diethylene glycol (DE
C) Normal cage pressure 0.2 to suppress tlit degree.
It is suitable to carry out at 5 kg/crA or less, preferably 0.15 kg/cJ or less.

一方、エステル化反応の温度は通常220〜270°C
5好ましくは230〜260°C5最適には240〜2
60℃である。220°C未満では実質的に、エステル
化反応が進行せず、一方、270℃を越えると1)IE
 G ’IQ度が増大してともに好ましくない。
On the other hand, the temperature of the esterification reaction is usually 220 to 270°C.
5 Preferably 230-260°C 5 Optimally 240-2
The temperature is 60°C. Below 220°C, the esterification reaction does not substantially proceed; on the other hand, above 270°C, 1) IE
G'IQ increases, both of which are undesirable.

次工程である重縮合工程に供給するBNETの反応率は
通常90%以上、好ましくは90〜98%、最適には9
4〜96%であるが、得られたBIIETの反応率が変
動することによって重縮合工程における重縮合反応速度
が変動し、得られるポリエステルの品質がバラツクので
、高品質のポリエステルを得るにはエステル化反応率の
一定なりIIETを安定して製造することが必要不可欠
となる。
The reaction rate of BNET supplied to the next step, polycondensation step, is usually 90% or more, preferably 90 to 98%, and optimally 90% or more.
However, as the reaction rate of the obtained BIIET changes, the polycondensation reaction rate in the polycondensation process changes, and the quality of the obtained polyester varies. It is essential to stably produce IIET with a constant reaction rate.

さて1本発明の骨子であるエステル化反応物の反応率と
反応により生成する蒸気中に置かれた半導体センサーの
電導度の関係であるが、エステル化反応率が高くなれば
、エステル化反応により生成する水の量に対し9重縮合
反応にょるEGの蒸気量が多くなって行き、生成蒸気の
中に置かれた半導体センサーの電導度ば水とfiGのX
111成変化による変化を忠実に反映し、エステル化反
応率と電湛度とが1対1でよ(対応し、エステル化反応
率の増大にともない、半導体サンセーの電導度は減少す
ることが予測される。
Now, regarding the relationship between the reaction rate of the esterification reactant and the conductivity of the semiconductor sensor placed in the vapor generated by the reaction, which is the gist of the present invention, the higher the esterification reaction rate, the more the esterification reaction The amount of EG vapor due to the 9-polycondensation reaction increases relative to the amount of water produced, and the conductivity of the semiconductor sensor placed in the produced vapor increases
It is predicted that the esterification reaction rate and the electric conductivity will be in a 1:1 ratio, faithfully reflecting the changes due to the 111 formation change (correspondingly, as the esterification reaction rate increases, the electric conductivity of the semiconductor will decrease). be done.

実際に常法に従ってエステル化反応物の酸価及びケン化
価から計算した反応率と反応ガス中に置かれたSnO□
半導体センサーの抵抗をクヶダ理研株式会社製エレクト
ロメータで測定し、それを電風度に変換した値の平均値
とをブ+:+ −1= トしてみると第1図のようにな
る。
The reaction rate actually calculated from the acid value and saponification value of the esterification reaction product according to a conventional method and the SnO placed in the reaction gas
The resistance of the semiconductor sensor is measured with an electrometer manufactured by Kugada Riken Co., Ltd., and when the average value of the converted value is plotted, the result is as shown in Figure 1.

ところが、現実には水やEGの蒸気にも低重合体や反応
の結果生成するDECやアセトアルデヒドなどの揮発性
蒸気の影響で反応ガス中の半導体センサーの電導度には
かなりの偏よりやバラツキが生じたりするので9反応器
内上部の生成蒸気中に該センサーを設置することを避け
、該蒸気の抽気ラインの配管中より一部を抜き出し、ア
セ1−アルデヒドなどの揮発性蒸気を凝縮させるなどし
て取り除き、一定の温度に制御された測定セルの中に設
置して測定するのが好適である。それでもなお半導体セ
ンサーの電導度には多少のバラツキがある。
However, in reality, the conductivity of the semiconductor sensor in the reaction gas has considerable bias and variation due to the influence of volatile vapors such as low polymers and DEC and acetaldehyde generated as a result of reactions in water and EG vapor. Avoid installing the sensor in the generated vapor at the upper part of the reactor, and extract a portion of the vapor from the piping of the extraction line to condense volatile vapors such as ace-1-aldehyde. It is preferable to remove the sample and place it in a measurement cell controlled at a constant temperature for measurement. Still, there is some variation in the conductivity of semiconductor sensors.

そのため、僅かな反応率の差を検出するためにはサンプ
ル数をかなり多くして平均値をとる必要がある。これを
実現する一つの手段としてマイクロコンピュータ−(マ
イコン)をはじめとするttil目卸技術がある。最近
のマイコンの発達は著しく1反応をオンラインで監視、
制′41■するために実用化されている例は極めて多い
Therefore, in order to detect a slight difference in reaction rate, it is necessary to use a considerably large number of samples and take the average value. One means for realizing this is ttil inventory technology including microcomputers. Recent advances in microcontrollers have made it possible to monitor each reaction online.
There are extremely many examples of practical use for controlling.

本発明の方法においても、前記の理由から第2図に示し
たようなシステムとするのが望ましく。
Also in the method of the present invention, it is preferable to use a system as shown in FIG. 2 for the above-mentioned reasons.

またマイコンを利用するのが経済的にも好jl&である
Also, it is economically advantageous to use a microcomputer.

第2図において、電極部ならびに検出部(エレクトロメ
ーク)は当然現場設置にしなければならないが、その他
は管理室設置が可能である。しかしながら、オペアンプ
部を管理室設置とすると検出部からの電気信号が微弱で
、かつ現場と管理室との距離が離れているときなどノイ
ズが入りゃすいからオペアンプ部は現場設置とすること
が好ましい。入力部より命令を入力することによりオペ
アンプ部で増幅された信号ば八/1)変換器でデジタル
に変換されてマイコンに入力され、必要な演算をされて
CRT等の表示部に表示される。
In FIG. 2, the electrode section and the detection section (electromake) must of course be installed on-site, but the rest can be installed in the control room. However, if the operational amplifier section is installed in the control room, the electrical signal from the detection section is weak, and noise is likely to enter when the field and control room are far apart, so it is preferable to install the operational amplifier section on site. . When a command is input from the input section, the signal is amplified by the operational amplifier section, converted to digital by an 8/1) converter, inputted to the microcomputer, subjected to necessary calculations, and displayed on a display section such as a CRT.

さらに、エステル化反応ガス中に置かれた半導体センサ
ーの電専度は温度・圧力などにも影響を受&Jるため、
温度・圧力の影響は充分定量化しておくことが反応率の
測定精度を高める上で好ましい。
Furthermore, the electric power of the semiconductor sensor placed in the esterification reaction gas is affected by temperature, pressure, etc.
It is preferable to sufficiently quantify the influence of temperature and pressure in order to improve the accuracy of reaction rate measurement.

なお1本発明の方法を用いる場合2反応率の制御因子と
しては温度が好適であり1反応槽中へ供給するEGの量
は一定にしておくことが好ましい。
Note that when using the method of the present invention, temperature is a suitable factor for controlling the reaction rate, and it is preferable to keep the amount of EG supplied to one reaction tank constant.

また、電極間に通す電流は直流、交流いずれでもよいが
、直流の場合には若干の分極作用が生じてバラツキの原
因となったりして望ましくない現象が派生する場合もあ
る。電極間に加える電圧は製造するBHETの性状、た
とえば構成原料や目的反応率などにより定まり、一義的
ではないため可変とすることが望ましいが2通常25〜
1000 V 、好ましくは50〜500Vが好適であ
る。
Further, the current passed between the electrodes may be either direct current or alternating current, but in the case of direct current, a slight polarization effect may occur, causing variations, which may lead to undesirable phenomena. The voltage applied between the electrodes is determined by the properties of the BHET to be manufactured, such as the constituent raw materials and the desired reaction rate, and is not unambiguous, so it is desirable to make it variable, but it is usually 25~
1000V, preferably 50-500V is suitable.

本発明に用いられる半導体センサーとしては。As a semiconductor sensor used in the present invention.

最近化学センサーとして知られているものであって、た
とえば5nOz 、 Pd/SnO2,ZnO、Pd/
7.nO。
These are recently known as chemical sensors, such as 5nOz, Pd/SnO2, ZnO, Pd/
7. nO.

Pd/CdS 、Pd/Ti0z 、 Pd/MO3−
FET 、(La−5r−Co)Oz 。
Pd/CdS, Pd/Ti0z, Pd/MO3-
FET, (La-5r-Co)Oz.

T−Few O、l、Ti0z 、 Coo/MgOが
用いられ、特にSnO,が好適である。
T-Few O, 1, TiOz, Coo/MgO are used, and SnO is particularly preferred.

以上に説明したように、エステル化反応ガス中に置かれ
た半導体センサーの電導度を検知することによって2反
応率を知るようにしたことを特徴とする本発明の反応率
の制御方法は5オンラインの迅速な連続制御が可能とな
るばかりか1人手による従来の分析法に優れるとも劣ら
ない正6″在な反応率を与えてくれるものであり2本発
明をプロセスの自動化に活用すれば、精度や品質の向、
」二だけでなく、工数節減や省力化における効果は絶大
である。
As explained above, the reaction rate control method of the present invention is characterized in that the reaction rate is known by detecting the conductivity of a semiconductor sensor placed in the esterification reaction gas. Not only does it enable rapid continuous control of the process, but it also provides a reaction rate that is as high as 6", which is superior to conventional single-man analysis methods.2If the present invention is utilized for process automation, and quality direction,
In addition to the above, the effect of reducing man-hours and labor is enormous.

以下、実施例により本発明を具体的に説明する。Hereinafter, the present invention will be specifically explained with reference to Examples.

([部」は重量部を示す。) 実施例I BIIETの存在するエステル化槽にTIIA/EGの
モル比が1/1.6のスラリーを100部/hrで連続
供給し。
([Parts] indicate parts by weight.) Example I A slurry having a molar ratio of TIIA/EG of 1/1.6 was continuously supplied at a rate of 100 parts/hr to an esterification tank in which BIIET was present.

反応温度250℃、圧力0.05kg/ cm” G、
平均滞留時間8時間としてエステル化した。その際1反
応ガス中に半導体センサーを置き、第2図に示したシス
テムで半導体センサーの電導度を測定し、マイコンで毎
分10回読み取り、100回のdQl定植の平均値より
エステル化反応率をめ1制御因子として反応温度を操作
し1反応率85%となるよう制御したところ、10日間
のエステル化反応率の平均値は85、37%、標準偏差
は0.52%であり、82%未満や88%をこえる反応
率となることはなかった。
Reaction temperature 250℃, pressure 0.05kg/cm”G,
Esterification was carried out with an average residence time of 8 hours. At that time, a semiconductor sensor was placed in a reaction gas, and the conductivity of the semiconductor sensor was measured using the system shown in Figure 2. The conductivity of the semiconductor sensor was measured using a microcomputer 10 times per minute, and the esterification reaction rate was determined from the average value of 100 dQl plantings. When the reaction temperature was manipulated as a control factor and the reaction rate was controlled to be 85%, the average value of the esterification reaction rate over 10 days was 85.37%, the standard deviation was 0.52%, and 82. The reaction rate was never less than 88% or less than 88%.

実施例2 BIIETの存在するエステル化槽に実施例1で得たエ
ステル生成物を連続供給し1反応温度260℃。
Example 2 The ester product obtained in Example 1 was continuously fed into an esterification tank containing BIIET at a reaction temperature of 260°C.

圧力0.05kg/cm2G 、平均滞留時間2時間で
反応させ、エステル化反応率が96%となるように制御
した他は、実施例1と同様に実施したところ、 10日
間のエステル化反応率の平均値は95.80%、標準偏
差は0.29%であり、95%未満や97%をこえる反
応率となることはなっがた。
The reaction was carried out in the same manner as in Example 1, except that the reaction was carried out at a pressure of 0.05 kg/cm2G and an average residence time of 2 hours, and the esterification reaction rate was controlled to be 96%. The average value was 95.80% and the standard deviation was 0.29%, and the reaction rate was never less than 95% or more than 97%.

比較例1 反応率を1時間に1回の割で酸価及びケン化価測定値よ
りめた他は実施例1と同様に実施したところ、10日間
のエステル化反応率の平均値は84.78%、標準偏差
は1.83%であり、82%未満や88%をこえること
が11回あった。
Comparative Example 1 The same procedure as in Example 1 was carried out except that the reaction rate was determined from the acid value and saponification value measured once per hour.The average value of the esterification reaction rate over 10 days was 84. 78%, standard deviation was 1.83%, and there were 11 times when it was less than 82% or more than 88%.

比較例2 反応率を1時間に1回の割で酸価及びケン化価測定値よ
りめた他は実施例2と同様に実施したところ、10日間
のエステル化反応率の平均値は96.07%、標準偏差
は0.96%であり、95%未満や97%を、二えるこ
とが3回あった。
Comparative Example 2 The same procedure as in Example 2 was carried out except that the reaction rate was determined from the acid value and saponification value measured once per hour.The average value of the esterification reaction rate over 10 days was 96. 07%, standard deviation was 0.96%, and there were three times when it was less than 95% or 97%.

以上の例からも明らかなように9本発明によってエステ
ル化反応率が良好に制御できることがゎかる。
As is clear from the above examples, the esterification reaction rate can be well controlled by the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はエステル化反応物の反応率と反応により生成す
る蒸気中に置かれた半導体センサーの電導度との関係を
示す図、第2図はエステル化反応物の反応率制御システ
ムの一例を示すブロックダイヤグラムである。 特許出願人 日本エステル株式会社 代理人 児 玉 雄 三 反庇・牟(%) 第 1 図 手続補正書動式) 昭和59年3月y日 1、事件の表示 特願昭58−212135号 2、発明の名称 エステル化方法 3、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 愛知県岡崎市日名北町・1番地1代表者 中 井
 茂 4、代理人 5、補正命令の日付 昭和59年2月8日 (発送日 昭和59年2月28日) 6、補正の対象 明細書全文 7、補正の内容 明細書の浄書(内容に変更なし)
Figure 1 shows the relationship between the reaction rate of the esterification reactant and the conductivity of a semiconductor sensor placed in the vapor generated by the reaction, and Figure 2 shows an example of a reaction rate control system for the esterification reactant. FIG. Patent applicant Yu Kodama, agent for Nippon Ester Co., Ltd. Santan Ei Mu (%) Figure 1 Procedure amendment written form) March y, 1980 1, case indication patent application No. 1982-212135 2, Name of the invention: Esterification method 3, relationship with the person making the amendment Patent applicant address: 1-1 Hinakita-cho, Okazaki City, Aichi Prefecture Representative: Shigeru Nakai 4, Agent 5, Date of amendment order: February 1980 February 8th (Delivery date: February 28, 1982) 6. Full text of the specification to be amended 7. Engraving of the amended specification (no change in content)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)テレフタル酸又はこれを主体とするジカルボン酸
とエチレングリコール又はこれを主体とするグリコール
とをエステル化するに際し。 反応により生成する蒸気中に半導体センサーを置いて、
該センサーの電気伝導度を検知し゛ エステル化反応率
を制御することを特徴とするエステル化方法。
(1) When esterifying terephthalic acid or a dicarboxylic acid mainly composed of terephthalic acid and ethylene glycol or a glycol mainly composed of terephthalic acid. A semiconductor sensor is placed in the vapor generated by the reaction,
An esterification method characterized in that the esterification reaction rate is controlled by detecting the electrical conductivity of the sensor.
JP21213583A 1983-11-11 1983-11-11 Esterification Pending JPS60104125A (en)

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