JPS5989418A - Method for detection of pattern - Google Patents

Method for detection of pattern

Info

Publication number
JPS5989418A
JPS5989418A JP57200063A JP20006382A JPS5989418A JP S5989418 A JPS5989418 A JP S5989418A JP 57200063 A JP57200063 A JP 57200063A JP 20006382 A JP20006382 A JP 20006382A JP S5989418 A JPS5989418 A JP S5989418A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
alignment
wafer
mark
objective lens
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57200063A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Naoki Ayada
綾田 直樹
Yasumi Yamada
山田 保美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP57200063A priority Critical patent/JPS5989418A/en
Priority to US06/550,097 priority patent/US4655599A/en
Publication of JPS5989418A publication Critical patent/JPS5989418A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Control Of Position Or Direction (AREA)

Abstract

PURPOSE:To search for a positioning pattern in a short searching period by a method wherein the visual field of detection is relatively shifted in succession toward the circumferential part from the position initially set for an object. CONSTITUTION:A retrieval driving is performed here in such a manner that an objective lens system searches for a mark while it is being spirally shifted from the initially set position A on the mark in the order of points A P Q R S ... and so on, and the mark is detected on the route from points U to V. As the probability wherein the mark is present is generally high in the vicinity of point A, the time required for detection can be made short. Besides, at the starting point of operation, the objective lens system is to be set at the same position at all times.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は2つの物体を位置合わせするための装置に関シ
、特にマスクあるいはレチクルの半導体集積回路パター
ンをウェハー上に焼付けるに先立って、マスクとウェハ
ーをアライメントするための装置に適する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an apparatus for aligning two objects, and in particular for aligning a mask and a wafer prior to printing a semiconductor integrated circuit pattern on the mask or reticle onto the wafer. Suitable for this equipment.

半導体製造工程には幾つかのパターンlウェハー上に順
次転写し、半導体集積回路を形成する工程が含まれてい
る。その場合、既に前工程のパターンが転写されたウェ
ハー上に更に別のパターンを正確に位置合わせするため
に、パターンを具えたマスクとウェハーを高精度でアラ
イメントスる必要がある。そしてこ9アライメントは、
マスクとウェハー上にそれぞれ書込まれたアライメント
マークを光電検知し、検知した信号により自動的に達成
されるのが普通である。
The semiconductor manufacturing process includes a step of sequentially transferring several patterns onto a wafer to form a semiconductor integrated circuit. In this case, in order to accurately position another pattern on the wafer onto which the previous pattern has already been transferred, it is necessary to align the mask with the pattern and the wafer with high precision. And this 9 alignment is
Normally, alignment marks written on the mask and wafer are photoelectrically detected and automatically achieved using the detected signals.

一方、最近はマスクを収納するマスク・キャリア中のマ
スクを自動的にマスク・セット位置に装着するマスク・
チェンジ機構な備えた装置が知られている。この機構に
はマスクを焼付はステージの所定の位置に正確にセット
するための予備位置合わせ(マスクアライメントと称す
)機能が要求される。
On the other hand, recently there has been a rise in the number of mask carriers that automatically attach the mask in the mask carrier to the mask set position.
A device equipped with a change mechanism is known. This mechanism requires a preliminary positioning function (referred to as mask alignment) to accurately set the mask at a predetermined position on the printing stage.

ところでアライメントの際に1アライメントマークが検
知装置の検知観察視野内圧ない場合、ウェハーあるいは
マスクを保持しているステージ1又は検知光学系を移動
して、まずアライメントマークが検知視野に包含される
様に探索する。そしてこの探索のために従来採られてき
た方法は、ステージあるいは検知光学系を探索範囲の境
界まで移動し、そこから順次探索範囲内を探索するもの
である。
By the way, during alignment, if one alignment mark is not within the detection observation field of the detection device, first move the stage 1 holding the wafer or mask or the detection optical system so that the alignment mark is included in the detection field of view. Explore. The conventional method for this search is to move the stage or detection optical system to the boundary of the search range, and then sequentially search within the search range from there.

しかしながらこの方法は、ステージあるいは検知光学系
を境界位置まで移動すること自体時間が掛り(例えばス
テージは精密な位置決めのために微細な移動に優れるが
、逆に急速な移動に不向きである)、且つマークの存在
する確率の低い周辺部(機械的なセツティング誤差があ
ったとしても、設計で決めた設定位置に近い方がマーク
の存在する確率が高くなると考えられる)から探索する
ため時間が掛る難点がある。
However, in this method, it takes time to move the stage or the detection optical system to the boundary position (for example, stages are excellent at fine movements for precise positioning, but are not suitable for rapid movements), and It takes time to search from the peripheral area where the probability of a mark existing is low (even if there is a mechanical setting error, the probability of a mark existing is higher the closer to the set position determined by design). There are some difficulties.

本発明の目的は、初期状態で検知視野内に位置合わせ用
パターンが存在しない場合、短い探索時間で位置合わせ
用パターンを探索することである。
An object of the present invention is to search for an alignment pattern in a short search time when the alignment pattern does not exist within the detection field of view in an initial state.

以下、図面に従って本発明の実施′例を説明するが、第
1図は外観を示している。1は集積回路パターンを具え
たマスクで、他のマスクアライメントマークやマスク・
ウェハーアライメントマークを具えるものとする。2は
マスク・ステージで、マスク1を保持してマスク1を平
面内並びに回転方向に移動させる。3は縮小投影レンズ
、4は感光層を具えるウェハーで、マスク・ウェハーア
ライメントマークとウェハ−アライメントマークを具え
るものとする。5はウェハー・ステージである。ウェハ
ー・ステージ5はウェハー4を保持してそれを平面内並
びに回転方向に移動させるものであり、1だウェー・−
焼付位置(投影針内)とテレビ・ウニノ・−アライメン
ト位置間を移動する。6は、テレビウェハーアライメン
ト川検知装置の対物レンズ、7 ?−J:撮イp管又は
固体撮像素子、8は映像観察用のテレビ受像器である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings, with FIG. 1 showing the external appearance. 1 is a mask with an integrated circuit pattern, and other mask alignment marks and mask/
It shall have a wafer alignment mark. Reference numeral 2 denotes a mask stage that holds the mask 1 and moves the mask 1 in a plane and in a rotational direction. 3 is a reduction projection lens, 4 is a wafer provided with a photosensitive layer, and is provided with a mask/wafer alignment mark and a wafer alignment mark. 5 is a wafer stage. The wafer stage 5 holds the wafer 4 and moves it in the plane and in the rotational direction, and it has one wafer stage.
Move between the printing position (inside the projection needle) and the TV/UNINO alignment position. 6 is the objective lens of the TV wafer alignment river detection device, 7? -J: p-tube or solid-state image sensor; 8 is a television receiver for video observation;

9は双眼ユニットで、投影レンズ3を介してウェハー4
の表面を観察するために役立つ。10け、光源10aを
発したマスク照明光を収束させるだめの照明光学系並び
にマスク・ウェハーアライメント用の検知装置を収容す
る上部ユニットである。ウェハー・ステージ5は、図示
しないウェハー搬送手段により搬送されたウェハーを所
定の位置で保持し、まずテレビ・ウェハーアライメント
用対物レンズ6の視野内にウェハー上のアライメントマ
ークが入る位置゛まで移動する。この1時の位置精度は
機械的なアライメント精度によるもので′jp)シ、対
物レンズ6の視野はおよそ直径1馴〜2 nrrr程度
である。この視Wj内のアライメント・マークは撮像管
7で検知され、テレビ・ウェハーアライメント用の光学
系内に設けられたテレビ・ウェハーアライメント用基準
マーク(後述)を基準として、そこからのアライメント
・マークの座標位tが検出される。一方、投影光学系の
オートアライメント用検知位置と前述のテレビ・ウェハ
ーアライメント用基準マークの位置はあらかじめ設定さ
れているので、この2点の位置とテレビ・ウェハーアラ
イメントマークの座標位置からオートアライメント位置
へのウェハー・ステージ5の送り込み葉が決められる。
9 is a binocular unit that displays the wafer 4 through the projection lens 3;
useful for observing the surface of 10 is an upper unit that houses an illumination optical system for converging the mask illumination light emitted from the light source 10a and a detection device for mask/wafer alignment. The wafer stage 5 holds the wafer transported by a wafer transport means (not shown) at a predetermined position, and first moves to a position where the alignment mark on the wafer is within the field of view of the television wafer alignment objective lens 6. This 1 o'clock positional accuracy is due to mechanical alignment accuracy, and the field of view of the objective lens 6 is approximately 1 mm to 2 mm in diameter. The alignment mark in this field of view Wj is detected by the image pickup tube 7, and the alignment mark from there is detected using a reference mark for TV/wafer alignment (described later) provided in the optical system for TV/wafer alignment as a reference. A coordinate position t is detected. On the other hand, since the detection position for auto alignment of the projection optical system and the position of the reference mark for TV/wafer alignment mentioned above are set in advance, the auto alignment position can be determined from the coordinate position of these two points and the TV/wafer alignment mark. The infeed leaf of wafer stage 5 is determined.

テレビ・ウェハーアライメントの位置検出精度は±5μ
以下であり、テレビ・ウェハーアライメント位置からマ
スク・ウェハーアライメント位置までのウェハーステー
ジの移動で発生する誤差を考慮に入れても、±10μ程
度である。
Position detection accuracy for TV/wafer alignment is ±5μ
It is approximately ±10 μm even when taking into consideration the error caused by the movement of the wafer stage from the TV/wafer alignment position to the mask/wafer alignment position.

従ってアライメントは約±10μの範囲で行えばよく、
これは従来のアライメントの視野範囲の1/1oo以下
の範囲であり、アライメントが従来よシ高速で行えるこ
とになる。尚、テレビ・ウェハーアライメントについて
は後で畦述する。
Therefore, alignment only needs to be performed within a range of approximately ±10μ,
This range is less than 1/1oo of the field of view of conventional alignment, and alignment can be performed faster than conventional alignment. The TV/wafer alignment will be explained later.

第2図t、t、マスクアライメント及びマスク・ウェハ
ーアライメントを達成する実施例を示している。図中、
マスク1、縮小投影レンズ3、ウェハー4、ウェハース
デージ5は第1図の通υである。]ジ影レンズ3tよ便
宜上模式的に錨いている。11と11’ i、tマスク
アライメントマークで、レンズ鏡筒あるいは装置の一部
といった不動の箇所に刻まれている。
FIG. 2 t, t shows an embodiment for achieving mask alignment and mask-to-wafer alignment. In the figure,
The mask 1, the reduction projection lens 3, the wafer 4, and the wafer stage 5 are generally υ in FIG. ] The shadow lens 3t is shown schematically as an anchor for convenience. 11 and 11' i, t mask alignment marks, which are carved in immovable locations such as lens barrels or parts of the device.

他方、マスク1上の20,2σで示した位置には第3図
で付番75.76で示す如き、走査線60に対し45″
傾むいて配設された線もしくはスリット状のアライメン
ト・マークが設けられている。又、ウェハー4上の21
. 2rで示した位置には第3図付番71,72,73
,74で示す如き走五線60に対して45°傾いて配設
された線もしくはスリット状の7ライメントマークが設
けられている。そして通常は左右両観察系の信号によっ
て位置合わぜが行われる。
On the other hand, at the position indicated by 20.2σ on the mask 1, there is a 45"
An alignment mark in the form of a line or slit arranged at an angle is provided. Also, 21 on wafer 4
.. The positions indicated by 2r are numbered 71, 72, 73 in Figure 3.
, 74 are provided in the form of lines or slits, which are arranged at an angle of 45 degrees with respect to the running staff line 60. Normally, positioning is performed using signals from both the left and right observation systems.

なお、マスクl上のアライメント−r−りとウェハー上
のアライメントマークは、等倍投影系以外の系を介在さ
せた時には投影もしくL逆投影しても両方のアライメン
トマークの寸法が変わらない様に、アライメントマーク
の寸法を変えておくものとし、ここで(・、tマスクの
アライメントマークの寸法でウェハーのアライメントマ
云 −りの寸法を除すると縮小倍率になる様に設定/\ する。
Note that the alignment mark on the mask L and the alignment mark on the wafer do not change in size even if a system other than the same-magnification projection system is used, even when projected or L back-projected. The size of the alignment mark is changed in advance, and the size is set so that the reduction magnification is obtained by dividing the size of the wafer alignment mark by the size of the alignment mark of the t mask.

第2図へ戻って、22はレーザーX諒、23は音響光学
素子等の光偏向器である。光偏向器23社外部からの切
換信号に応じて光の射出方向を上方、水平、下方に切換
える。24と25はそれぞれ収斂性のシリンドリカルレ
ンズで、そのfJ綜が直交する様に配置され、レーザー
ビームの断面形状を線状に変換する機能を持つ。
Returning to FIG. 2, 22 is a laser beam, and 23 is an optical deflector such as an acousto-optic device. Optical deflector 23 The direction of light emission is switched between upward, horizontal, and downward in response to a switching signal from outside. Reference numerals 24 and 25 each designate a convergent cylindrical lens, which are arranged so that their fJ helixes are perpendicular to each other, and have the function of converting the cross-sectional shape of the laser beam into a linear shape.

26と27は台形プリズムで、光偏向器23で上方と下
方に偏向された光を逆方向へ屈折させる機能を持つ。2
8け回転I(29を中心として回転する回転多面鏡(ポ
リゴン)である。
26 and 27 are trapezoidal prisms, which have the function of refracting the light deflected upward and downward by the optical deflector 23 in opposite directions. 2
It is a rotating polygon mirror (polygon) that rotates around 8-digit rotation I (29).

レーザ光源22から射出したレーザ光線30は光偏向器
23の状態により、シリンドリカル・レンズ24とプリ
ズム26を走゛を山するスリット状光IQ 30 a 
、シリンドリカル・レンズ25とプリズム27を経由す
るスリット状)f、線30b1或は直進するスポット状
九線30 cのいずれかの光路をとるが、どの場合にも
回転多面鏡28上の面の一点31へ収束する。32.3
3.34は中間レンズ、35は光路分割ミラー、36は
目視観、察系37,3Bを形成するノ・−フ・ミラー、
37はレンズ38は接眼レンズでウニノ1−面の像を結
像する。39は目視観察不用照明系40.41を形成す
るハーフ・ミラー、40はコンデンサ・レンズ、41は
ランプである。42は光電検出系43,44,45.4
6を形成するハーフミラ−で、43F−1ミラー、44
はレンズ、45は空間フィルタであり、46はコンデン
サ・レンズ、47は光検出器である。48.49゜50
.51は全反射ミラー、52はプリズム、53はf−θ
対物レンズである。5.N′iマスク1上に設けられた
マスクアライメント用の7ライメントパターンの位置で
ある。
The laser beam 30 emitted from the laser light source 22 becomes a slit-shaped light IQ 30 a that travels through the cylindrical lens 24 and the prism 26 depending on the state of the optical deflector 23.
, a slit-like line 30b1 passing through the cylindrical lens 25 and the prism 27, or a straight spot-like nine-line line 30c, but in any case, a point on the surface of the rotating polygon mirror 28 It converges to 31. 32.3
3. 34 is an intermediate lens, 35 is an optical path splitting mirror, 36 is a no-f mirror that forms the visual observation and observation system 37, 3B,
Lens 37 is an eyepiece that forms an image of the unino 1-plane. 39 is a half mirror forming an illumination system 40 and 41 that does not require visual observation, 40 is a condenser lens, and 41 is a lamp. 42 is a photoelectric detection system 43, 44, 45.4
A half mirror forming 6, 43F-1 mirror, 44
is a lens, 45 is a spatial filter, 46 is a condenser lens, and 47 is a photodetector. 48.49°50
.. 51 is a total reflection mirror, 52 is a prism, and 53 is f-θ
It is an objective lens. 5. These are the positions of the 7 alignment patterns for mask alignment provided on the N'i mask 1.

第2図かられかる様に1EI号検出系は全く対称な左右
の系から成っており、オペレータ側を紙面の手前側とす
るとダッシュで示した系は右、ダッシュなしの系は左の
信号検出系と呼ぶことにする。
As shown in Figure 2, the No. 1EI detection system consists of completely symmetrical left and right systems.If the operator side is on the front side of the page, the system shown with a dash will detect signals on the right, and the system without a dash will detect signals on the left. Let's call it a system.

中間レンズ32,33.34は回転多面鏡28からの振
れ原点を対物レンズ53の絞シ位置55の中の瞳56に
形成する。従ってレーザービームは回転多面鏡28の回
転によりマスク及びウェハー上を走査するd また対物レンズ系において、対物レンズ53、絞υ55
、ミラー51及びプリズム52はXY方向に図示しない
移動手段により移動可能であり、マスク1及びウェハー
4の観察及び測定位置は任意に変えることができる。例
えば、X方向の移動はミラー51が図中矢印Aで示した
方向に移動すると対物レンズ53及び絞シ55も同時に
A方向に移動すると共に光路長を常に一定に保つためプ
リズム52もA方向にミラー51の移動量の1/2の量
移動する。
The intermediate lenses 32, 33, and 34 form the origin of the deflection from the rotating polygon mirror 28 at the pupil 56 in the aperture position 55 of the objective lens 53. Therefore, the laser beam scans the mask and the wafer by the rotation of the rotating polygon mirror 28. Also, in the objective lens system, the objective lens 53, the aperture υ55
, the mirror 51 and the prism 52 are movable in the XY directions by a moving means (not shown), and the observation and measurement positions of the mask 1 and wafer 4 can be changed arbitrarily. For example, when the mirror 51 moves in the direction indicated by arrow A in the X direction, the objective lens 53 and the aperture 55 simultaneously move in the A direction, and in order to keep the optical path length constant, the prism 52 also moves in the A direction. The mirror 51 is moved by 1/2 of the amount of movement.

一方、Y方向の移動は観察・位置検出用の光学系全体が
Y方向(紙面に垂iaな方向)に移動する。
On the other hand, when moving in the Y direction, the entire optical system for observation and position detection moves in the Y direction (direction perpendicular to the plane of the paper).

シリンドリカルレンズ24を紅白する光路30aの走査
ビーム61は走査軸6oに対し角度θ=45”をなし、
はぼマーク71.72.75と平行をなす。この状態で
走査した時に光検出器47,47’には第3図(」3)
に示すようなS、1゜S?S+ styの信号が得られ
るO By+ I sts I 8?!は位置合わせマ
ーク71,75172にそれぞれ対応した信号である。
The scanning beam 61 of the optical path 30a that reds and whites the cylindrical lens 24 forms an angle θ=45'' with respect to the scanning axis 6o,
It is parallel to the mark 71, 72, 75. When scanning in this state, the photodetectors 47 and 47' are shown in Figure 3 (''3).
S, 1°S as shown in ? S+ sty signal is obtained O By+ I sts I 8? ! are signals corresponding to the alignment marks 71 and 75172, respectively.

また、走査面上に微小なゴミがあってもスポット状ビー
ムの場合とは異なり、平均化され出力として実用上検知
されない。
Further, even if there is minute dust on the scanning surface, unlike the case of a spot beam, it is averaged and is not practically detected as an output.

一方、シリンドリカルレンズ25を通過する光路30b
の走査ビーム62は走査軸60に対してθ=−45″傾
斜しマーク73,74.76と平行しているので検出信
号は第3図+blのS5゜S?11+ S?4となる。
On the other hand, the optical path 30b passing through the cylindrical lens 25
Since the scanning beam 62 is inclined θ=-45'' with respect to the scanning axis 60 and is parallel to the marks 73, 74, and 76, the detection signal becomes S5°S?11+S?4 in FIG.

従って検出信号871 t 89!1 + stt t
sys + 5ell r s、、の間隔を計測すれば
マスクとウェハーのズレに−が検出でき、両者が整合し
た場合には検出信号の間隔が等しくなる。
Therefore, the detection signal 871 t 89!1 + stt t
By measuring the interval sys + 5ell r s, it is possible to detect - in the misalignment between the mask and the wafer, and when they match, the intervals of the detection signals become equal.

なお、本出願人は特開昭53−90872号あるいは特
rAll’B53−91754J14’、t−)・アジ
イメントについて提案している。
Incidentally, the present applicant has proposed Japanese Patent Application Laid-Open No. 53-90872 or Special RAll'B53-91754J14', t-) Ajiiment.

以上、y62図と第3図を用いて、マスク1上のアライ
メントマーク20とウェハー面上の7ライメントマーク
21の整合即ちマスク・ウェハーアライメントについて
説明を行ったが、本発明は殊に1上述した光学系及び同
一形状のアライメントマークで、マスク1面上のアライ
メントマーク54と、レンズ鏡#3に図示しない手段に
よυ支持せられたマスク基準マーク11の位置合せ、即
ちマスクアライメント金貨える点である。この場合、前
述した様に対物レンズ53.111155、ミラー51
、及びプリズム52t、i第2図中、入方向にマスク基
準マーク110位[まで移動しアシイメントを行う。
The alignment of the alignment mark 20 on the mask 1 and the 7 alignment mark 21 on the wafer surface, that is, the mask-wafer alignment, has been explained above using the Y62 diagram and FIG. With an optical system and an alignment mark of the same shape, the alignment mark 54 on the first surface of the mask and the mask reference mark 11 supported by means not shown in the lens mirror #3 are aligned, that is, the mask alignment is performed. be. In this case, as described above, the objective lens 53.111155 and the mirror 51
, and the prisms 52t and i move in the incoming direction to the mask reference mark 110 [in FIG. 2] to perform alignment.

マスクアライメントにおけるパターンは、マスク基準マ
ーク11には第3回付番71,72゜73.74で示し
たパターンを、マスク1のアライメントマーク54には
、第3図U番75゜76で示したアライメントマークが
設けられる。
The pattern for mask alignment is the pattern shown in the third numbering 71, 72° 73.74 for the mask reference mark 11, and the pattern shown as U number 75° 76 in Figure 3 for the alignment mark 54 of the mask 1. Alignment marks are provided.

従って、マスクアライメントにおいても、マスク・ウェ
ハーアライメントと全く同様にマスクとマスク基準マー
クの位置合せが行われ、マスクがレンズ3に対して所定
の位置にセットされる。
Therefore, in mask alignment, the mask and mask reference mark are aligned in exactly the same way as mask-wafer alignment, and the mask is set at a predetermined position with respect to the lens 3.

尚、マスクアライメントの場合には縮小投影レンズ3を
用いないためマスク面上のアライメントマーク54とマ
スク基準マーク11は等倍率のパターンでよい。
In the case of mask alignment, since the reduction projection lens 3 is not used, the alignment mark 54 and the mask reference mark 11 on the mask surface may be patterns with the same magnification.

と仁ろでステッパ一方式の焼付は装置においては、縮小
投影光学系が用いられているため、ウェハーアライメン
トにおいて位置合せのため移動するのは、通常マスクを
保持しているマス    ゛り・ステージ(第1図2)
である。一方、マスクアライメントにおいてもマスクス
テージが移動して位置合せを行う。従って、いずれの場
合にも移uノするマスク11)jに、2本線のパターン
75゜76が設けられているが、これは、本発明の一実
施例にすぎず、マスク側に4本線のパターン71.72
,73.74を設けてもよいし、また、マスクアライメ
ントとウェハアライメントでマスク上のパターンの本数
が異ってもよく、パターンの選択に限定はない。
Since a reduction projection optical system is used in the one-sided printing process using a stepper and a wafer, it is usually the mask stage (which holds the mask) that moves for positioning during wafer alignment. Figure 1 2)
It is. On the other hand, also in mask alignment, the mask stage moves to perform positioning. Therefore, in any case, the shifting mask 11) is provided with a two-line pattern 75, 76, but this is only one embodiment of the present invention, and a four-line pattern is provided on the mask side. Pattern 71.72
, 73, 74 may be provided, and the number of patterns on the mask may be different between mask alignment and wafer alignment, and there is no limitation on pattern selection.

次にマスクアライメントの方法について史に詳述する。Next, the method of mask alignment will be explained in detail.

マスクアライメントにおいては、マスクチェンジ機構か
らマスクステージにマスクが不図示の手段で搬送され、
(W持されるが、この時の位(弁決め番・よ機械的に行
われるので轄度は低く、数100μm程朋の誤差が生じ
る。
In mask alignment, the mask is transported from the mask change mechanism to the mask stage by means not shown,
(W is held, but at this time (valve setting), since it is done mechanically, the degree of control is low, and an error of several 100 μm occurs.

1・Yoつて対物レンズの視野を狭めた場合に仁を視野
内即ちレーザー光の走査範囲内にマスクアライメントマ
ークがイ)ンg4するとは限らず、そのため対物レンズ
がマスク基準マーク11を見込む位1〆tにあったとし
ても、マスクをセットした時の誤差でマスク上のアライ
メントマークが視野から外れることがある。その場合は
、2■3図(I()における41M−号sy+ I S
□、S□+5tabか検出されずN E)yv l 8
18の信号は検出されないので、オート・アライメント
は実現されない。
1. When the field of view of the objective lens is narrowed, it is not always the case that the mask alignment mark will be placed within the field of view, that is, within the scanning range of the laser beam. Even if it is at the end, the alignment mark on the mask may fall out of the field of view due to an error when setting the mask. In that case, the number 41M-sy+ I S in Figure 2■3 (I())
□, S□+5tab not detected NE)yv l 8
18 signals are not detected, so auto-alignment is not achieved.

この様な、場合、マスク上のマークを探索する過程が必
要となるが、従来例でシト1ウエハーI・y目、マスク
を保持しているステージが移動して、いわゆる模銘駆動
をくり返しながらマークの探索を行ってきた。
In such a case, a process of searching for the mark on the mask is required, but in the conventional example, the stage holding the mask moves from the 1st wafer to the 1st wafer, and the stage holding the mask moves while repeating so-called imitation driving. I've been searching for Mark.

以11〒の説明をわかり良くするため、従来の模索駆!
lIb例を第4図(へ)について説明する。
In order to make the explanation of 11.
An example of lIb will be explained with reference to FIG.

図はマスク或はウェハー面上のアライメントマークを探
索する場合の対物レンズの軌跡を描いている。但し、実
際には対物レンズをX及びY方向に移動する替りにマス
ク又はウェハーを保持しているステージを動かす方が選
はれるが、ここでは説明の便宜上対物レンズを動かして
いるO マスクは周知の搬送手段で対物レンズ53の略下方に当
るA(第4図)位置に搬送されてきたものとする(A位
置を初期設定位置と呼ぶ)。
The figure depicts the locus of the objective lens when searching for an alignment mark on a mask or wafer surface. However, in reality, instead of moving the objective lens in the X and Y directions, it is preferable to move the stage holding the mask or wafer, but for convenience of explanation, the objective lens is moved here. It is assumed that the lens is transported to position A (FIG. 4), which is approximately below the objective lens 53, by the transport means (position A is referred to as the initial setting position).

しかしながら、マスクの設定に誤差があり、またビーム
走査範囲の長さしと帖T(第3図参照)が設定誤差を内
含できる程度に大きくない場合は、への位置でマークM
が検出されないため、対物レンズは模索駆動範囲の境界
まで移動し、B点より模索駆動を開始してB−+C→D
→E・・・と移動しながらマークを探索する。この例示
では、3往復目のJ−に過程でマークMを検知する。
However, if there is an error in the mask settings and the length of the beam scanning range and the length T (see Figure 3) are not large enough to include the setting error, mark M at the position of
is not detected, the objective lens moves to the boundary of the groping drive range, starts groping drive from point B, and moves from B-+C to D.
Search for marks while moving →E... In this example, mark M is detected during the third round trip to J-.

以上の従来例では次の難点を指摘できる。The following difficulties can be pointed out in the conventional example described above.

(1)  マークの存在する蓋然性はA点付近が高いの
にもかかわらず存在蓋然性Q低い境界領域B点まで移動
し、B点から探索を開始するので、マークを検知するま
でに要する時間が長い。
(1) Even though the probability that the mark exists is high near point A, it moves to point B in the boundary area where the probability of existence Q is low, and the search starts from point B, so it takes a long time to detect the mark. .

(2)  ステージは一般に低速で高性度駆動を行って
いるため、マスク等のアライメントにおけるアライメン
トマークを模索する場合、ステージ移動に時間を要し検
知時間が長くなる。
(2) Since the stage is generally driven at low speed and with high precision, when searching for an alignment mark for alignment of a mask, etc., it takes time to move the stage and the detection time becomes long.

後述する実施例では次の構成を採るので、マーク検知時
間を短縮できる。
In the embodiment described later, the following configuration is adopted, so that the mark detection time can be shortened.

(1)対物レンズの初期設定位置の周辺から境界領域へ
向けて模索を行う。
(1) A search is performed from the periphery of the initially set position of the objective lens toward the boundary area.

(2)更に好ましくは、模索駆動の時はステージを同定
し、X方向ト対物レンズと絞シ、そしてオプティカルΦ
トロンポーンを構成するプリズム52を移動し、Y方向
は走査光学系全体22〜55を移動する。一般にステー
ジは最も精密な位置設定を要求されるので、移送機構は
それに則した構造を採用せざるを得ない。従ってステー
ジを高速で動かすのに適さない。
(2) More preferably, during the groping drive, the stage is identified, the objective lens in the X direction, the aperture, and the optical
The prism 52 constituting the trombone is moved, and the entire scanning optical system 22 to 55 is moved in the Y direction. Generally, the stage is required to have the most precise positioning, so the transport mechanism must have a structure that meets this requirement. Therefore, it is not suitable for moving the stage at high speed.

第4図Tl3) tよ本発明の実施例に係る倹素駆動の
軌跡を示す。ここでは対物レンズ系が初期設定位置Aか
らマスク上をA −+ p −+ Q→R→S→・・・
と渦巻状に移動しつつマークを探し、本例ではUから■
への経路上でマークMを検知する。そしてマークの存在
する蓋然性ンよ一般にA点近傍が高いから、検知に要す
る時間は短かくて済む利点がある。尚、作動の始点で、
対物レンズ系は常に同一位置にセットされているものと
する。
FIG. 4 Tl3) t shows the trajectory of the frugal drive according to the embodiment of the present invention. Here, the objective lens system moves from the initial setting position A over the mask A −+ p −+ Q→R→S→...
Search for the mark while moving in a spiral pattern, in this example, from U to ■
Mark M is detected on the route to . Since the probability of the presence of a mark is generally higher near point A, there is an advantage that the time required for detection is short. Furthermore, at the starting point of operation,
It is assumed that the objective lens system is always set at the same position.

第5図に対物レンズ系の移動を示すフロー図を示す。模
索駆動が501にてスタートすると、502にてX方向
移動カウンタ及びY方向移動カウンタがまずクリアされ
る。この2つのカウンタは対物インズのX方向及びY方
向の移動量を決めるカウンタである(X方向、Y方向に
ついては第4図(■3)に示す)。次に503にて模索
駆動のX方向の境界に達したか否かを判別するリミット
・チェックが行われ、リミット内であればX方向移動カ
ウンタの内容Nが504でインクリメントされる。
FIG. 5 shows a flow diagram showing movement of the objective lens system. When the groping drive starts at 501, an X-direction movement counter and a Y-direction movement counter are first cleared at 502. These two counters are counters that determine the amount of movement of the objective lens in the X and Y directions (the X and Y directions are shown in FIG. 4 (3)). Next, in step 503, a limit check is performed to determine whether the boundary in the X direction of the groping drive has been reached, and if it is within the limit, the content N of the X direction movement counter is incremented in step 504.

もし、後述する様に創口かこのルーズを通ってリミット
に達していれば、504を飛びこして503から505
へ移る。505にてXの正方向へ移動が行われるが、こ
の時の移動量は、例えFj:、 、T X Nである。
If the limit is reached through the wound or this loose, as described later, 504 is jumped and 503 to 505 is reached.
Move to. In step 505, movement is performed in the positive direction of X, and the amount of movement at this time is, for example, Fj:, , T x N.

(Tは第3図で示した様にレーザスキャンIJである)
ここにおいて、まず1回目のループでは、第4図(Il
lで示したA→Pの移動が行われる。
(T is the laser scan IJ as shown in Figure 3)
Here, in the first loop, in Figure 4 (Il
A movement from A to P, indicated by l, is performed.

X方向に所定量の移動が行われたならば、次に506に
て(ハ)Y方向のリミットチェックを行い、X方向と同
様、リミット内ならば507にてY方向移zbカウンタ
の内容Mをインクリメントし、リミットに達していれば
507の処理をジャンプして508を行う。508は(
→Y方向へ1、×Mの量移動する(Ll−j:第3図で
示すレーザスキャン長である)0 同4.・pに←)X方向に、509.5】0.511の
処理を、次にY方向に512%513.514の処理を
行う。次EX方向、Y方向ともすべて模索駆動のリミッ
トに達したか否かを515でチェックし、達していれに
516にて終了し、まだ駆′wJ領域が残っていれば再
び503に飛び、前述したループをリミットに達するま
でくシ返す0 ここで、X方向、Y方向の移動量は第4図(B)の記号
を用いて説明すると、■は届の2倍、■は届の3倍・・
・であシ、また飴は凶の2倍、Wは凶の3倍・・・であ
る。従ってX方向、Y方向それぞれ1回毎にAP 、 
PQずつ増加することになり、この量をX方向移動カウ
ンタ及びY方向移動カウンタで計数するものである。ま
たR及びPQの量は、夫々レーザのスキャン巾T及びレ
ーザのスキャン長しに叫しい。
If a predetermined amount of movement has been performed in the X direction, then (c) a limit check is performed in the Y direction at 506, and if it is within the limit, the content of the Y direction movement zb counter is checked at 507, as in the X direction. is incremented, and if the limit has been reached, the process in step 507 is jumped and step 508 is performed. 508 is (
→Move in the Y direction by an amount of 1,×M (Ll-j: laser scan length shown in Figure 3) 0 Same 4.・To p←) Process 509.5]0.511 in the X direction, then process 512%513.514 in the Y direction. Next, it is checked in 515 whether the limit of the groping drive has been reached in both the EX direction and the Y direction, and if it has been reached, the process ends in 516, and if there is still some drive area left, the process jumps to 503 again, and as described above. Repeat the loop until it reaches the limit 0 Here, the amount of movement in the X and Y directions is explained using the symbols in Figure 4 (B).・・・
・Ashi, again, candy is twice as bad as bad, and W is three times as bad as bad. Therefore, AP is applied once each in the X direction and Y direction,
The amount increases by PQ, and this amount is counted by an X-direction movement counter and a Y-direction movement counter. Furthermore, the amounts of R and PQ depend on the laser scan width T and laser scan length, respectively.

W、4図(■3)中いずれかの方向がリミットに達した
状況は、例えば(−)Y方向の例をとると、図中W−+
Zで示した状態で前回の移動W→2と同じ移動量である
。この仁とは、fg5図のフロー図において507の処
理を/之スして506→507の処理70−を行ったこ
とに相当している。
W, the situation in which any direction in Figure 4 (■3) has reached the limit is, for example, taking the (-) Y direction as an example, W-+ in the figure.
In the state indicated by Z, the amount of movement is the same as the previous movement W→2. This step corresponds to performing the process 70- from 506 to 507 by skipping the process 507 in the flow diagram of FIG.

尚、ここで説明した例は、必ずマスク上の2本のアライ
メントパターン75.76を検知する様な模索の仕方で
あって、例えば、まず上述のパターンのいずれか1本を
検知した後、2本の検知を行う方法をとれ社、模索駆動
のピッチは荒くてよい。即ち舒及び員は夫々T及びLよ
り長くてよく、従って模索駆動の移動量は特に上で説明
した量に限定されることはない。
Note that the example explained here is a method of searching in which two alignment patterns 75 and 76 on the mask are always detected. For example, after first detecting one of the above-mentioned patterns, If you find a way to detect books, the pitch of the groping drive may be rough. That is, the length and length may be longer than T and L, respectively, and therefore the amount of movement of the groping drive is not particularly limited to the amount described above.

次に本発明の他の利点である右対物レンズ系と左対物レ
ンズ系の連動駆動及び独立駆動について述べる。
Next, the interlocking and independent driving of the right objective lens system and the left objective lens system, which are other advantages of the present invention, will be described.

第3図、第4図の動作の説明は、片側の対物レンズ系に
ついて行ったが実直にれ、第2図で示した様に、左右両
側の対物レンズ系にてアライメントマークの模索駆動を
行う。この場合、両側の対物レンズ系を連動して駆動す
るモードと独立して駆動するモードの2つのモードを有
し、両モードの望ましい方を選択できる〇の場合アライ
メントマークを検知する時間は、後述する独立駆動の場
合よりも、平均して、やや長くなるが、対物レンズ系の
動作及びその制御が連動しているので、装置自体は簡単
である。
The explanation of the operation in Figures 3 and 4 was given for the objective lens system on one side, but in reality, as shown in Figure 2, the alignment mark groping drive is performed using both the left and right objective lens systems. . In this case, there are two modes: a mode in which the objective lens systems on both sides are driven in conjunction with each other, and a mode in which they are driven independently, and the desired one of both modes can be selected.In the case of 〇, the time to detect the alignment mark will be explained later. Although the length is slightly longer on average than in the case of independent drive, the operation of the objective lens system and its control are linked, so the apparatus itself is simple.

一方、独立駆動の場合、例えに1片側の対物に\ レンズを第4図FBlに示す様に右回シに検索駆動Δ させ、もう一方の対物レンズ系を第4図(C)に示す様
に左回シに模索駆動させることにより、動作は連動駆動
に比べて若干複雑であるがアライメント・マークを検知
する平均時間は短くなる。
On the other hand, in the case of independent drive, for example, the objective lens on one side is driven clockwise as shown in Figure 4 (FBl), and the other objective lens system is driven as shown in Figure 4 (C). By performing the groping drive in a counterclockwise direction, the operation is slightly more complicated than the interlocking drive, but the average time to detect the alignment mark is shortened.

本発明はこの連動駆動モード及び独立駆動モードを必要
に応じて選択できる点にある。これらを複合した例とし
てば、例えは、まず対物レンズ系の初期位置近傍では連
動駆動を行い、周辺部へ行くと、独立駆動を行うと召う
方法がある。
The present invention resides in that the interlocking drive mode and the independent drive mode can be selected as necessary. An example of a combination of these is a method in which first, interlocking driving is performed near the initial position of the objective lens system, and independent driving is performed toward the periphery.

また他の例としてはアライメント・マークのいずれかの
1本のパターンを検知するまでは連動駆動を行い、検知
後は独立駆動を行い、両対物レンズ系とも4本のパター
ンを検知する方法がある。この方法tit S特に前述
した模索駆動の駆動ピッチが荒い時、或はマスクにθ方
向のズレがある時等に有効である。
Another example is a method in which interlocking driving is performed until one pattern of alignment marks is detected, and then independent driving is performed after detection, so that both objective lens systems detect four patterns. . This method is particularly effective when the drive pitch of the aforementioned groping drive is rough, or when there is a shift in the mask in the θ direction.

次にスギャンビームのビーム形状の選択と使用について
述べる。第2図において説明した様にレーザ光3oをシ
リンドリカルレンズ24.25を経由させず、そのまま
if進する光路30cを用いることである。仁の場合ビ
ームtよ、所謂スポット状に′fLシスリット状光線の
様に傾き特性を持たないから、パターン71.72.7
3.74.75.76のいずれに対しても信号を得るこ
とができる。特に、この方法は、光強度が十分とれて、
Sハ比のよいマスクアライメントにおいて有効であるが
、それに限定されることなくマスク・ウェハーアシイメ
ントにおいても用いる仁とができる。或は、例えはマス
クアライメントにおいてマスク上の4本、又は、マスク
上の4木と基準マークの2本の合Ml 6本を検知する
まではスポット状光線で行い、その後スリット状ビーム
にしてスキャンの途中で切換える方法をとってもよい。
Next, we will discuss the selection and use of the beam shape of the Sugyan beam. As explained in FIG. 2, the laser beam 3o does not pass through the cylindrical lenses 24, 25, but uses the optical path 30c in which it travels directly if. In the case of rays, the beam t does not have the inclination characteristic like the so-called spot-like 'fL cislit ray, so the pattern 71.72.7
Signals can be obtained for any of 3.74.75.76. In particular, this method requires sufficient light intensity and
Although this method is effective in mask alignment with a good S ratio, it can also be used in mask-wafer alignment without being limited thereto. Alternatively, for example, in mask alignment, a spot beam is used until 4 lines on the mask, or a total of 6 lines of 4 trees and two reference marks on the mask are detected, and then a slit beam is used for scanning. You may also use a method of switching in the middle of the process.

そしてこの様にすることにより複雑な制御を不要とする
と共にシート状ビームによる高精度のアライメントが行
える。
By doing so, complicated control is not required, and highly accurate alignment can be achieved using the sheet-shaped beam.

つマシ仁の方法の利点は、シート状ビームとスポット状
ビームの両者を発生する構造を設け、それらを対象によ
って選択できることにある。
The advantage of Tsumasinin's method is that it provides a structure that generates both sheet-like beams and spot-like beams, and that they can be selected depending on the object.

続いて対物レンズの模索駆動後のマスクの位置合わせに
ついて、第4図(13)を用いて述べる。
Next, the positioning of the mask after the objective lens is groped will be described using FIG. 4 (13).

前述した様に模索駆動により、マスク上のマスクアライ
メントマークを検知した場合、その対物レンズ位置Mけ
、例えば基準マークの位置Aからの移動五1゛から簡単
に求めることができる。
When the mask alignment mark on the mask is detected by the groping drive as described above, the objective lens position M can be easily determined from, for example, the movement of the reference mark 51 degrees from the position A.

従って次に位置Mから位KAまで対物レンズ系(52乃
至53)を戻すと共に、マスクステージ2もMからA方
向に移動させる。移動が完了すると、対物レンズの祝針
内にiスフ基準マークもマスクアライメントマークも観
察でき、第3図(A)で示した状態になる。この状態で
は、6本のアライメント信号が検知できるので、抜け6
本の4F1号間隔を針側して位置合せを行えばよい0 次に第6図を用いてテレビ・ウェハーアライメント用検
知装置につき説明する。
Therefore, next, the objective lens system (52 to 53) is returned from position M to position KA, and the mask stage 2 is also moved from M to direction A. When the movement is completed, both the i-frame reference mark and the mask alignment mark can be observed within the congratulatory needle of the objective lens, resulting in the state shown in FIG. 3(A). In this state, 6 alignment signals can be detected, so 6 alignment signals can be detected.
Alignment can be performed with the 4F1 interval of the book on the needle side. Next, the detection device for TV/wafer alignment will be explained using FIG. 6.

図中の縮小投影レンズ3、ウェハー4、対物レンズ6、
撮像管7は第1図と同一である。他方、91け照明用光
源で、例えばハロゲンランプを使用する。92はコンデ
ンサーレンズ。
In the figure, a reduction projection lens 3, a wafer 4, an objective lens 6,
The image pickup tube 7 is the same as in FIG. On the other hand, the 91 illumination light source uses, for example, a halogen lamp. 92 is a condenser lens.

93Aと93Bは交換的に着脱される明視野絞りと暗視
野絞りで、図では明視野絞り93Aを光路中に装着して
いる。コンデンサーレンズ92は光源11を明視野絞ヤ
上に結像する。94は照明用リレーレンズ、95は接合
プリズムで、接合プリズム95は照明系の光軸と受光系
の光軸を共軸にする機能を持ち、内側反射面95aと半
透過反射1fii 95 bを具える。仁こで光源91
、コンデンサーレンズ92、明又は暗視野iJ 93A
と93B1照明リレーレンズ94、接合プリ′ズム95
、対物レンズ6は照明系を措)’It L、対物レンズ
6を射出した光速はウェハー6上を落射照明する。
93A and 93B are a bright field diaphragm and a dark field diaphragm that can be attached and detached interchangeably, and in the figure, the bright field diaphragm 93A is installed in the optical path. Condenser lens 92 images light source 11 onto a bright field aperture. 94 is a relay lens for illumination, and 95 is a cemented prism.The cemented prism 95 has a function of making the optical axis of the illumination system and the optical axis of the light receiving system coaxial, and includes an inner reflective surface 95a and a transflective surface 1fii 95b. I can do it. Jinkode light source 91
, condenser lens 92, bright or dark field iJ 93A
and 93B1 illumination relay lens 94, cemented prism 95
, the objective lens 6 is an illumination system)'It L, the speed of light exiting the objective lens 6 epi-illuminates the wafer 6.

1印曲 次に96はリレーレンズ、97tま光路を##ける鏡。1 stamp Next, 96 is a relay lens, and 97t is a mirror that passes the optical path.

98はテレビ・ウェハーアライメント用基準マークを有
するガラス板で、基準マークはいわは座標の原点を与え
る機能を持つ。従ってウェハー1ライメントマークはX
座標の値とY座標の値として検出されることになる。9
9は撮像レンズで、上に述べた接合レンズ95、リレー
レンズ96、fi97、ガラス板98、撮f象レンズ9
9そして撮像管7と共に受光系を構成し、対物レンズ6
を通る光路は接合プリズムの内側反射面95aで反射し
て半透過面95bて反射し、再度内側反射面N5aで反
射してリレーレンズ96へ向う。ウェハー4上のウェハ
ーアライメントマーク像は基準マークを有するガラス板
98上に形成された彼、IA準マーク像と共に撮像管7
の撮像面に結像する。
98 is a glass plate having a reference mark for TV/wafer alignment, and the reference mark has the function of providing the origin of coordinates. Therefore, the wafer 1 alignment mark is
It will be detected as a coordinate value and a Y coordinate value. 9
Reference numeral 9 denotes an imaging lens, which includes the above-mentioned cemented lens 95, relay lens 96, fi 97, glass plate 98, and f-elephant lens 9.
9 constitutes a light receiving system together with the image pickup tube 7, and an objective lens 6
The optical path passing through is reflected by the inner reflective surface 95a of the cemented prism, is reflected by the semi-transparent surface 95b, and is reflected again by the inner reflective surface N5a toward the relay lens 96. The wafer alignment mark image on the wafer 4 is transferred to the image pickup tube 7 together with the IA quasi-mark image formed on the glass plate 98 having the fiducial mark.
The image is formed on the imaging plane.

←いて作用を説明する。照明用光源91がらの光束はコ
ンデンサーレンズ12で収斂されて明視野絞り93A又
は暗視野絞り93Bの開口を照明し、更に照明リレーレ
ンズ94を通過し、接合プリズムの半透過面95bを透
過して反射面95aで反射し、対物レンズ6をj1ハつ
てウェハー4を照明する。
←Explain the effect. The luminous flux from the illumination light source 91 is converged by the condenser lens 12, illuminates the aperture of the bright field diaphragm 93A or the dark field diaphragm 93B, further passes through the illumination relay lens 94, and is transmitted through the semi-transparent surface 95b of the cemented prism. The light is reflected by the reflective surface 95a and illuminates the wafer 4 through the objective lens 6.

ウェハー4の表iiiで反射した光束は対物し/ズ6で
結像作用を受け、接合プリズム15へ入射して反射面9
5aで反射し、次いで半透過面95b1反射面15aで
反射してこれを射出し、リレーレンズ96でリレーされ
て鈴97で反射し、ガラス板98上に結像した後、撮像
レンズ99により撮像管7上に結像する。その際、上記
した様に明視野数シ93Aを入れた状態でガを ラス板98上の基準マーク撮像してその像で序へ 樟の加点を決め、を先いて暗視野状加lに切換えてウェ
ハーアライメントマーク像が明瞭に見得る様にし、これ
を撮像してウェハーアライメントマークイφの位置を検
出する。そして電気的処理により検出された、ウエハー
アジイメントマークの有装置に応じてウェハー中ステー
ジ5はウェハー4が投影レンズ30投影野中の規定位置
4′を占める様に移動して停止する。
The light beam reflected from the surface iii of the wafer 4 is subjected to an imaging action by the objective lens 6, enters the cemented prism 15, and is reflected by the reflecting surface 9.
5a, then reflected by the semi-transparent surface 95b1 reflecting surface 15a and emitted, relayed by the relay lens 96, reflected by the bell 97, imaged on the glass plate 98, and then imaged by the imaging lens 99. An image is formed on tube 7. At that time, as described above, with the bright field number 93A inserted, the moth is imaged of the reference mark on the glass plate 98, and using that image, the points to be added to the camphor tree are determined, and then the number is switched to the dark field number 1. The wafer alignment mark image is made clearly visible, and the position of the wafer alignment mark φ is detected by capturing the image. Then, depending on the presence of the wafer alignment mark detected by electrical processing, the wafer stage 5 moves and stops so that the wafer 4 occupies a prescribed position 4' in the projection field of the projection lens 30.

旦 ナオ、ウェハー4を一旦標準位置に7ライメントし、そ
の後投影社中へ移動させる様に変形しても良い。
The wafer 4 may be once aligned in a standard position and then moved into the projection center.

以上述べた通り本発明は探索準備の時間を不要にすると
共に有効に探索作業を進めるので無駄な作業時間が減少
し、位置合わせ工程の多いこの種装置では全体の作業を
スムーズに進行させるために益する処、犬である。
As described above, the present invention eliminates the need for search preparation time and allows the search work to proceed effectively, reducing wasted work time. The place that benefits you is the dog.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明実施例に係る装置を示す斜視図。 図。第4図へ)は従来例の作用を説明するための平面図
。第4図(F3)と(C′)は実施例の作用を説明する
ための平面図。第5図は模索駆動の動作を示すフロー図
。第6図(コウエハーアライメ〉ト示の4斗ネ見図。 図中、1はマスク、2はマスク会ステージ、ろは縮小投
影レンズ、4はウェハー1.5はウェハー・スデージ、
6は対物レンズ、7は撮像管、8はテレビ受像器、11
は固定のマスク・アライメントマーク、22はレーザー
光源、23は光憫向器、24と25はシリンドリカルレ
ンズ、26と27はプリズム、2Bは回転多面鏡、5ろ
は対物レンズ、52はプリズム、71・72・76・7
4はウェハー側アライメントマークを構成する工し/、
1ントで、75・76はマスク側アライメントマークな
構成するエレメント、人は初期設定位置、Mはアライメ
ントマークである。 出願人 キャノン株式会社 ミ11露座
FIG. 1 is a perspective view showing an apparatus according to an embodiment of the present invention. figure. FIG. 4) is a plan view for explaining the operation of the conventional example. FIGS. 4(F3) and 4(C') are plan views for explaining the operation of the embodiment. FIG. 5 is a flow diagram showing the operation of the groping drive. Fig. 6 (Co-Wafer Alignment) 4-point view showing 1. In the figure, 1 is a mask, 2 is a mask stage, 4 is a reduction projection lens, 4 is a wafer 1.5 is a wafer stage,
6 is an objective lens, 7 is an image pickup tube, 8 is a television receiver, 11
is a fixed mask alignment mark, 22 is a laser light source, 23 is a light director, 24 and 25 are cylindrical lenses, 26 and 27 are prisms, 2B is a rotating polygon mirror, 5 is an objective lens, 52 is a prism, 71・72・76・7
4 is a process for configuring the wafer side alignment mark/
1, 75 and 76 are elements constituting mask-side alignment marks, a person is an initial setting position, and M is an alignment mark. Applicant Canon Co., Ltd. Mi11 Tsuroza

Claims (1)

【特許請求の範囲】 (1)所定の検知視野を有する検知手段と、所定パター
ンを有する物体を移動させる手段とを具えた装置におい
て、検知視野とパターンを有する物体とを相対的に移動
してパターンを検知視野内に包含させる際に、検知視野
を物体に対して初めて設定した位置から周辺部へ向って
順次相対的に移動することを特徴とするパターン検知方
法。 Q)順次相対物な移動の軌跡は渦状である特許請求の範
囲第1項記載のパターン検知方法。 (6)前記所定パターンを有する物体を固定し、前記検
知視野を移動する特許請求の範囲第1項記載のパターン
検知方法。
[Claims] (1) In a device comprising a detection means having a predetermined detection field of view and a means for moving an object having a predetermined pattern, the detection field and the object having the pattern are relatively moved. A pattern detection method characterized in that when a pattern is included in a detection field of view, the detection field of view is sequentially moved relative to the object from a position initially set toward the periphery. Q) The pattern detection method according to claim 1, wherein the locus of sequential relative movement is spiral. (6) The pattern detection method according to claim 1, wherein the object having the predetermined pattern is fixed and the detection field of view is moved.
JP57200063A 1982-11-15 1982-11-15 Method for detection of pattern Pending JPS5989418A (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57200063A JPS5989418A (en) 1982-11-15 1982-11-15 Method for detection of pattern
US06/550,097 US4655599A (en) 1982-11-15 1983-11-09 Mask aligner having a photo-mask setting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57200063A JPS5989418A (en) 1982-11-15 1982-11-15 Method for detection of pattern

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5989418A true JPS5989418A (en) 1984-05-23

Family

ID=16418220

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57200063A Pending JPS5989418A (en) 1982-11-15 1982-11-15 Method for detection of pattern

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5989418A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6804072B1 (en) 1998-11-27 2004-10-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Recording head clogging detection method and its device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5645757A (en) * 1979-09-25 1981-04-25 Hitachi Ltd Contact reaction method

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5645757A (en) * 1979-09-25 1981-04-25 Hitachi Ltd Contact reaction method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6804072B1 (en) 1998-11-27 2004-10-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Recording head clogging detection method and its device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4062623A (en) Device for observing an object
US4780616A (en) Projection optical apparatus for mask to substrate alignment
US4362389A (en) Method and apparatus for projection type mask alignment
JPH04232951A (en) Face state inspecting device
JPH0580497A (en) Surface state inspecting device
JPH0785466B2 (en) Positioning device
JPS6341023A (en) Method and apparatus for aligning wafer with reticle
US4295735A (en) Optical projection system having a photorepetition function
US4829193A (en) Projection optical apparatus with focusing and alignment of reticle and wafer marks
US4655599A (en) Mask aligner having a photo-mask setting device
WO1994024611A1 (en) On axis mask and wafer alignment system
JP3048168B2 (en) Surface condition inspection apparatus and exposure apparatus having the same
JPH01295215A (en) Illuminator
JPS5989418A (en) Method for detection of pattern
JPS6352767B2 (en)
JPS6352769B2 (en)
JPS6362090B2 (en)
JPH04348019A (en) Focus position detecting device
JPH0344242B2 (en)
JPH08288205A (en) Illumination optical system and projection aligner provided with the illumination optical system
JPS5976425A (en) Printing apparatus for semiconductor
JPS5989419A (en) Positioning device
JP3211246B2 (en) Projection exposure apparatus and element manufacturing method
JPS5989420A (en) Positioning device
JPS6135520A (en) Method for determining position of objective lens system of alignment apparatus