JPS5971246A - Electron beam defining device - Google Patents
Electron beam defining deviceInfo
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
- H01J37/06—Electron sources; Electron guns
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は電子線を用いてLSI (大規模集積回路)等
のウェーハ試料上に微細な回路パターンを高速に精度よ
く形成する電子線描画装置に関するもので、特に、2次
元マ) IJクス状に多数配置された陰極電極群を備え
た電子源を用いて各電子線ごとに別個に作動させること
でスループット(処理能力)の増大化を図ったものであ
る。[Detailed Description of the Invention] [Field of Application of the Invention] The present invention relates to an electron beam lithography apparatus that uses an electron beam to form fine circuit patterns on a wafer sample such as an LSI (large scale integrated circuit) at high speed and with high precision. In particular, throughput (processing capacity) was increased by using an electron source equipped with a large number of cathode electrode groups arranged in a two-dimensional IJ box shape and operating each electron beam separately. It is something.
従来、0.1〜0.2μm程度の微細なパターンは第1
図に示すようなフィールドエミッション形電子銃を備え
た電子線描画装置を用いて創成していた。 ゞ第1
図において、1は電子線、10は針状の陰極電極、20
は陽極電極、25は加速電極、30及び40はそれぞれ
電子光学レンズ、50はブランキング電極。Conventionally, fine patterns of about 0.1 to 0.2 μm are the first
It was created using an electron beam lithography system equipped with a field emission type electron gun as shown in the figure.ゞ1st
In the figure, 1 is an electron beam, 10 is a needle-shaped cathode electrode, and 20
25 is an anode electrode, 25 is an accelerating electrode, 30 and 40 are electron optical lenses, and 50 is a blanking electrode.
60はストップアパーチャ、70は偏向器、80は描画
される試料である。この装置の動作は次の通りである。60 is a stop aperture, 70 is a deflector, and 80 is a sample to be drawn. The operation of this device is as follows.
即ち、陰極10と陽極20の間に電圧を印加し。That is, a voltage is applied between the cathode 10 and the anode 20.
陰極に高電界を与えトルネル効果によって電子線を陰極
10から引き出し、電子光学レンズ30.40によって
絞って偏向器70で電子線を偏向させるが。A high electric field is applied to the cathode to extract the electron beam from the cathode 10 by the Tornel effect, and the electron beam is focused by the electron optical lenses 30 and 40 and deflected by the deflector 70.
それと同時にブランキング電極50に電圧を印加したり
印加しなかったりして、ストップアパーチャ60で電子
線を選択的に通過させることにより、試料80上に所定
のパターンを描くものである。At the same time, a predetermined pattern is drawn on the sample 80 by selectively passing the electron beam through the stop aperture 60 by applying or not applying a voltage to the blanking electrode 50.
しかし、」1記従来技術には次のような問題点があった
。即ち、フィールドエミッション形電子銃は輝度が高(
、微小径の電子線を発生することができるが、電子ビー
ムとしての全電流値が小さく。However, the prior art described in Section 1 has the following problems. In other words, field emission type electron guns have high brightness (
, it is possible to generate an electron beam with a minute diameter, but the total current value as an electron beam is small.
LSI等のパターン描画に適用する場合に描画終了まで
の所要時間が非常に長いものになるという問題点があっ
た。When applied to pattern drawing for LSI, etc., there is a problem in that the time required to finish drawing is extremely long.
本発明の目的は、従来技術での上記した問題点を解決し
、微細パターン描画のスループットを大幅に向上させる
ことのできる電子線描画装置を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an electron beam lithography apparatus that can solve the above-mentioned problems of the prior art and significantly improve the throughput of fine pattern lithography.
本発明の特徴は、それぞれが針状に作られてマトリクス
状に配置された複数個の陰極電極と、これらの陰極電極
の配置位置に対応する位置に貫通孔があけられ陰極電極
とは電気的に絶縁して配置される陽極電極と、上記貫通
孔を介して各陰極電極から引き出される電子線の進行方
向を各電子線ごとに偏らせるブランキング電極群と、こ
れらのブランキング電極への供給電圧を切替えて各電子
線ごとにその進行方向を偏らせたり直進のままとしたり
する切替スイッチ群と、上記ブランキング電極群の外方
に配置され上記直進のままの電子線だけを通過させるス
トップアパーチャとで形成される電子源をもち、電子ビ
ームを加速する加速電極と電子ビームを絞る電子レンズ
と電子ビームを・ 3 ・
偏向させる偏向器とを上記ストップアパーチャの後段に
配置する構成とすること、さらに、上記切替えスイッチ
群として、その各スイッチごとに。The present invention is characterized by a plurality of cathode electrodes, each made in the shape of a needle, arranged in a matrix, and through-holes formed at positions corresponding to the arrangement positions of these cathode electrodes. an anode electrode arranged insulated from the electrode, a blanking electrode group that biases the traveling direction of the electron beam drawn from each cathode electrode through the through hole for each electron beam, and a supply to these blanking electrodes. A group of switches that change the voltage to bias the traveling direction of each electron beam or keep it straight, and a stop that is placed outside the blanking electrode group and allows only the electron beam that continues to travel straight to pass through. an electron source formed by an aperture, and an accelerating electrode for accelerating the electron beam, an electron lens for focusing the electron beam, and a deflector for deflecting the electron beam, which are arranged downstream of the stop aperture. , and further, for each switch in the group of changeover switches.
上記偏向器に与えられる偏向信号に同期して切替え制御
される切替えスイッチ群を採用する構成とするにある。The present invention is configured to employ a group of changeover switches whose switching is controlled in synchronization with a deflection signal applied to the deflector.
以下図面により本発明の一実施例を説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
まず本実施例において使用する電子源部について第2図
、第3図により述べる。第2図は斜視図と電気回路図、
第3図はその一部断面図と電気回路図である。なお、こ
の電子源部は本発明者が先に特願昭57−124342
号で提案した電子銃と構成は同じである。図面において
、 11.12.13.14はほぼ同じ針状に作られた
陰極電極で、実施例では2×2のマトリクス状に配置さ
れる。20は金属薄板製の陽極電極で、陰極電極11〜
14の配置位置に対応する位置に貫通孔があけてあり、
陰極電極11〜14に対して電気的に絶縁して配置され
る。51゜52、53.54は陽極電極20の各貫通孔
を通して引き・ 4 ・
出される電子線の進行方向を各電子線ごとに偏らせるた
めのブランキング電極で、各電子線ごとに2つの対向す
る電極が設けられる。60はストップアパーチャで、偏
向された電子線は遮断し、偏向されなかった電子線だけ
を通過させるように、ブランキング電極群51〜54の
外方位置に設けられる。First, the electron source used in this embodiment will be described with reference to FIGS. 2 and 3. Figure 2 is a perspective view and electrical circuit diagram.
FIG. 3 is a partial sectional view and an electric circuit diagram thereof. This electron source section was originally developed by the present inventor in Japanese Patent Application No. 57-124342.
The configuration is the same as the electron gun proposed in the issue. In the drawings, 11, 12, 13, and 14 are cathode electrodes made in substantially the same needle shape, and in the embodiment, they are arranged in a 2×2 matrix. 20 is an anode electrode made of a thin metal plate, and cathode electrodes 11-
A through hole is made at a position corresponding to the arrangement position of 14,
It is arranged electrically insulated from the cathode electrodes 11 to 14. Reference numerals 51, 52, 53, and 54 are blanking electrodes for biasing the traveling direction of the electron beams drawn through each through hole of the anode electrode 20 for each electron beam, and two opposing electrodes are provided for each electron beam. An electrode is provided. A stop aperture 60 is provided outside the blanking electrode groups 51 to 54 so as to block the deflected electron beam and allow only the undeflected electron beam to pass through.
91は陰極電極−陽極電極間に電圧を印加するための電
源であり、92はブランキング電極群51〜54に電圧
を印加するための電源であり、そして101〜108は
、ブランキング電源92と各ブランキング電極51〜5
4とを結ぶ接続線の途中に配置されて、各ブランキング
電極への供給電圧を電源側に切替えたり接地側に切替え
たりする切替えスイッチ群である。なお、第3図の1,
2はそれぞれ陰極電極11、12から放出される電子線
である。91 is a power supply for applying a voltage between the cathode electrode and the anode electrode, 92 is a power supply for applying voltage to the blanking electrode groups 51 to 54, and 101 to 108 are the blanking power supply 92 and Each blanking electrode 51-5
This group of switches is arranged in the middle of the connection line connecting the blanking electrodes 4 to 4 and switches the voltage supplied to each blanking electrode to the power supply side or to the ground side. In addition, 1, in Figure 3
2 are electron beams emitted from the cathode electrodes 11 and 12, respectively.
このような構成において、陰極電極と陽極電極との間に
、陰極先端にIQ6V/cm以上の電界がかかるように
電圧Veを印加すると、陰極電極の先端から電子線が放
出される。第3図で、もし、ブランキング電極51.5
2が接地電位の場合は電子線1゜2は直進してストップ
アパーチャ60の貫通孔を通過して下方に放出される。In such a configuration, when a voltage Ve is applied between the cathode electrode and the anode electrode so that an electric field of IQ6 V/cm or more is applied to the cathode tip, an electron beam is emitted from the cathode tip. In Figure 3, if the blanking electrode 51.5
When the electron beam 2 is at ground potential, the electron beam 1.degree. 2 travels straight, passes through the through hole of the stop aperture 60, and is emitted downward.
しかし9例えば第3図のようにブランキング電極52の
対向する2つの電極の一方に+Vb、他方に−Vbの電
圧が印加されるように切替えスイッチを切替えると、電
子線2はその進行方向が曲げられ、ストップアパーチャ
60によって遮断されて、電子線2はストップアパーチ
ャ60の下方には出てこない。このようにして。However, if the changeover switch is changed so that a voltage of +Vb is applied to one of the two opposing electrodes of the blanking electrode 52 and a voltage of -Vb is applied to the other, as shown in FIG. The electron beam 2 is bent and blocked by the stop aperture 60, so that the electron beam 2 does not come out below the stop aperture 60. In this way.
各切替えスイッチをそれぞれ別個に切替え制御すること
により、各ブランキング電極に独立に電圧を印加したり
接地したりして、各電子線ごとに別個にストップアパー
チャで遮断したり通過させたりすることができるように
なる。By controlling each changeover switch separately, voltage can be applied or grounded to each blanking electrode independently, and each electron beam can be individually blocked or passed through a stop aperture. become able to.
第4図は本実施例の全体構成を示す断面図と電気回路図
で、第2図及び第3図の場合と同一部品には同一符号が
用いである。25は加速電極、93は加速電源、30及
び40はそれぞれ電子ビーム縮小用の第1の電子レンズ
と第2の電子レンズ、70は偏向器、112は制御回路
111に制御されて偏向器7゜に偏向信号を与える偏向
回路、80は試料、113は制御回路111からの制御
指令信号を受けて切替えスイッチ群101〜104を上
記偏向信号と同期して切替え制御するスイッチ制御回路
である。FIG. 4 is a cross-sectional view and an electric circuit diagram showing the overall configuration of this embodiment, and the same reference numerals are used for the same parts as in FIGS. 2 and 3. 25 is an accelerating electrode, 93 is an accelerating power source, 30 and 40 are a first electron lens and a second electron lens for reducing the electron beam, respectively, 70 is a deflector, and 112 is a deflector 7° controlled by the control circuit 111. 80 is a sample, and 113 is a switch control circuit that receives a control command signal from a control circuit 111 and controls the changeover switch groups 101 to 104 in synchronization with the deflection signal.
第4図実施例装置は次のように動作する。陰極電極11
.12と陽極電極20との間に電子を引き出すための電
圧veを印加する。各陰極電極の先端より放出された電
子線は、ブランキング電極51.52にそれぞれ別個に
電圧±Vbを印加したり、接地したりすることにより、
それぞれ別個に進行方向を曲げられたり、直進したりす
る。直進してストップアパーチャ60の貫通孔より下方
に通過してくる電子線は加速電極25によって所望の速
度まで加速される。このようにして発生した電子ビーム
は第1の電子レンズ30及び第2の電子レンズ40によ
ってビーム径を絞られ、偏向器70によって偏向され。The apparatus of the embodiment shown in FIG. 4 operates as follows. Cathode electrode 11
.. A voltage ve is applied between the electrode 12 and the anode electrode 20 to extract electrons. The electron beam emitted from the tip of each cathode electrode can be controlled by separately applying a voltage ±Vb to the blanking electrodes 51 and 52 or by grounding them.
Each of them can bend in the direction of travel or go straight. The electron beam traveling straight and passing below the through hole of the stop aperture 60 is accelerated to a desired speed by the accelerating electrode 25. The electron beam thus generated is narrowed down in beam diameter by the first electron lens 30 and the second electron lens 40, and is deflected by the deflector 70.
試料80上の所定の位置に結像される。An image is formed at a predetermined position on the sample 80.
この場合の描画パターンの一例と、ブランキング制御及
び偏向制御の関係を第5図によって説明する。ここでは
、2×2のマトリクス状に配置された陰極電極を備えた
電子源の場合について述べ・ 7 ・
る。2×2個の陰極電極からの各電子線が試料」二で距
離tだけ相互に離れているとする。第5図において、
201.202.203.204は4本の電子線が走
査されるそれぞれの領域である。第5図(alは電子線
スポットの動きを示したもので、4本の電子線ともスト
ップアパーチャを通過させ(以下ストップアパーチャを
通過させるものをON、ストップアパーチャで遮断させ
るものをOFFと記すことにする)でそれぞれごとにt
xtの範囲で偏向することにより7図示のように2t
x 2tの範囲での描画が可能となる。第5図(blは
パターンの描画方法の一例を示したもので、○印は電子
線スポットの照射位置である。txtの各領域は9行方
向はal b°IC2・・・fの6行に2列方向も1.
2.3.・・・6の6列゛に分割され、従って6X6=
36個のスポットでt’s<t:の領域内全面が埋まる
ものとする。電子線スポットの一つはa−1→a−2→
・・・a−6と進み2次いでb−6→b−5→−・・b
−1と進み、さらにc−1→C−2→・・・c−5と進
むように偏向される。他の3つの電子線スポットは互に
tだけ離れているため、それ・ 8 ・
ぞれ202.203.204の領域を同じように動(。An example of the drawing pattern in this case and the relationship between blanking control and deflection control will be explained with reference to FIG. Here, we will discuss the case of an electron source equipped with cathode electrodes arranged in a 2×2 matrix. Assume that the electron beams from the 2×2 cathode electrodes are separated from each other by a distance t on the sample 2. In Figure 5,
201, 202, 203, and 204 are areas scanned by four electron beams. Figure 5 (al shows the movement of the electron beam spot; all four electron beams pass through the stop aperture (hereinafter, those that pass through the stop aperture are referred to as ON, and those that are blocked by the stop aperture are referred to as OFF). ) for each t
By deflecting in the range of xt, 2t as shown in 7.
It becomes possible to draw within the range of x 2t. Fig. 5 (bl shows an example of the pattern drawing method, and the ○ mark is the irradiation position of the electron beam spot. Each area of txt has 9 rows in the direction, al b ° IC2 ... 6 rows of f 2nd row direction is also 1.
2.3. ...is divided into 6 columns of 6, so 6X6=
It is assumed that the entire area of t's<t is filled with 36 spots. One of the electron beam spots is a-1→a-2→
...proceed to a-6, then b-6→b-5→-...b
-1, and is further deflected to proceed c-1→C-2→...c-5. Since the other three electron beam spots are separated by t from each other, they move in the same way in the areas 202, 203, and 204 (.
そして各々の電子線を第1表のようにON、 OFF制
御することによって第5図[blに斜線を施したa行の
描画が行なわれる。a行が終了したら9次にb行→C行
・・・→f行と順次と改行させ、改行と同時に第1表に
例示した各電子線に対するON、 OFFの組合せを変
えることにより、2t×21の領域のパターン描画が完
了する。このように2×2のマトリクス状に配置した陰
極電極群を備えた電子源を用いる実施例装置によって、
txtの領域の偏向で21 X 2tの領域が描画でき
、スループットを4倍に高めることができる。Then, by controlling each electron beam on and off as shown in Table 1, drawing of row a shown in FIG. 5 [bl with diagonal lines] is performed. When line a is finished, line breaks are made in sequence from line b to line C...→line f, and at the same time as the line break, by changing the combinations of ON and OFF for each electron beam as shown in Table 1, 2t× The pattern drawing for the area No. 21 is completed. As described above, an example device using an electron source equipped with a group of cathode electrodes arranged in a 2×2 matrix,
By deflecting the txt area, a 21 x 2t area can be drawn, and the throughput can be increased four times.
以上説明したように、nXnのマ) IJクス状に配置
した陰極電極からの電子線をそれぞれ独立にON。As explained above, the electron beams from the cathode electrodes arranged in the shape of an nXn matrix are turned on independently.
OFFすることのできる電子源を用い、この電子源によ
って作られる電子線スポット像を絞って投影偏向させる
構成としたことにより、従来の電子線描画装置に比べて
スループットをn2倍に増大することができる。By using an electron source that can be turned off and concentrating the electron beam spot image created by this electron source and deflecting the projection, the throughput can be increased by n2 times compared to conventional electron beam lithography equipment. can.
第1図は従来技術の説明図、第2図は本発明で使用する
電子源の斜視図と電気回路図、第3図はその断面図と電
気回路図、第4図は本発明の一実施例の全体構成図、第
5図は本発明による描画の説明図である。
符号の説明
■、2・・・電子線
10、 IL 12.13.1.4・・・陰極電極20
・・・陽極電極 25・・・加速電極30・・
・第1の電子レンズ 40・・・第2の電子レンズ50
、51.52.53.54・・・ブランキング電極60
・・・ストップアパーチャ
ア0・・・偏向器 80・・・試料91・・
・電子引き出し電源 92・・・ブランキング電源93
・・・加速電源
101〜108・・・切替えスイッチ
111・・・制御回路 112・・・偏向回路1
13・・・スイッチ制御回路
201〜204・・・電子線走査領域
特許出願人 日本電信電話公社
代理人弁理士 中村純之助
中1 咲
矛2図
1
1°′、2
□□Fig. 1 is an explanatory diagram of the prior art, Fig. 2 is a perspective view and electric circuit diagram of an electron source used in the present invention, Fig. 3 is a sectional view and electric circuit diagram thereof, and Fig. 4 is an embodiment of the present invention. FIG. 5, which is an overall configuration diagram of an example, is an explanatory diagram of drawing according to the present invention. Explanation of symbols ■, 2...Electron beam 10, IL 12.13.1.4...Cathode electrode 20
...Anode electrode 25...Acceleration electrode 30...
・First electron lens 40...second electron lens 50
, 51.52.53.54...Blanking electrode 60
...stop aperture 0...deflector 80...sample 91...
・Electronic draw-out power supply 92...Blanking power supply 93
...Acceleration power supplies 101 to 108...Selector switch 111...Control circuit 112...Deflection circuit 1
13... Switch control circuits 201 to 204... Electron beam scanning area patent applicant Nippon Telegraph and Telephone Corporation patent attorney Junnosuke Nakamura Junior High School 1 Sakiho 2 Figure 1 1°', 2 □□
Claims (1)
された複数個の陰極電極と、これらの陰極電極の配置位
置に対応する位置に貫通孔があけられ陰極電極とは電気
的に絶縁して配置される陽極電極と、」1記貫通孔を介
して各陰極電極から引き出される電子線の進行方向を各
電子線ごとに偏らせるブランキング電極群と、これらの
ブランキング電極への供給電圧を切替えて各電子線ごと
にその進行方向を偏らせたり直進のままとしたりする切
替えスイッチ群と、上記ブランキング電極群の外方に配
置され上記直進のままの電子線だけを通過させるストッ
プアパーチャとで構成される電子源をもち、電子ビーム
を加速する加速電極とビーム径を絞る電子レンズと進行
方向を偏らせる偏向器とを上記ストップアパーチャの後
段に配置したことを特徴とする電子線描画装置。 (2、特許請求の範囲第1項記載の装置において。 前記ブランキング電極群に設けられる切替えスイッチ群
はその各スイッチごとに、前記偏向器に与えられる偏向
信号に同期して切替え制御される切替えスイッチ群であ
ることを特徴とする電子線描画装置。(1) A plurality of cathode electrodes each made in the shape of a needle and arranged in the shape of an IJ box, and through holes are drilled at positions corresponding to the placement positions of these cathode electrodes, and the cathode electrodes are electrically connected. an anode electrode disposed insulated; a group of blanking electrodes that bias the traveling direction of the electron beams drawn out from each cathode electrode through the through holes described in 1 for each electron beam; A group of changeover switches that change the supply voltage to bias the traveling direction of each electron beam or keep it straight, and a group of switches arranged outside the blanking electrode group to allow only the electron beam that continues to travel straight to pass through. An electron source comprising an electron source consisting of a stop aperture, and an acceleration electrode for accelerating the electron beam, an electron lens for narrowing down the beam diameter, and a deflector for deflecting the traveling direction are arranged after the stop aperture. Line drawing device. (2. In the device according to claim 1. The group of changeover switches provided in the group of blanking electrodes is a switch that is controlled to be switched in synchronization with a deflection signal given to the deflector for each switch. An electron beam lithography device characterized by a group of switches.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18134182A JPS5971246A (en) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | Electron beam defining device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18134182A JPS5971246A (en) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | Electron beam defining device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5971246A true JPS5971246A (en) | 1984-04-21 |
Family
ID=16098999
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18134182A Pending JPS5971246A (en) | 1982-10-18 | 1982-10-18 | Electron beam defining device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5971246A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011165667A (en) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Particle beam system |
-
1982
- 1982-10-18 JP JP18134182A patent/JPS5971246A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011165667A (en) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Carl Zeiss Nts Gmbh | Particle beam system |
EP2360712A3 (en) * | 2010-02-12 | 2017-01-04 | Carl Zeiss NTS GmbH | Particle beam system |
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