JPS5966043A - Ion microanalyzer - Google Patents

Ion microanalyzer

Info

Publication number
JPS5966043A
JPS5966043A JP57176211A JP17621182A JPS5966043A JP S5966043 A JPS5966043 A JP S5966043A JP 57176211 A JP57176211 A JP 57176211A JP 17621182 A JP17621182 A JP 17621182A JP S5966043 A JPS5966043 A JP S5966043A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ion
ion beam
slit
propagation path
exhaust
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57176211A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Eiichi Izumi
泉 栄一
Yoshio Arima
有馬 義雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP57176211A priority Critical patent/JPS5966043A/en
Publication of JPS5966043A publication Critical patent/JPS5966043A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/05Electron or ion-optical arrangements for separating electrons or ions according to their energy or mass

Abstract

PURPOSE:To remove a neutral corpuscular beam mixed in a primary ion beam, by disposing a propagation path for the ion beam having passed an exhaust slit at the ion source side at a position outside the ion beam passing region of another exhaust slit for deflection. CONSTITUTION:An ion microanalyzer is made up of the following processes that a deflecting electrode 16 is installed between exhaust slit 5 and a lens 6, and the regions of the slit 5 and an exhaust slit 7 are made into a high vacuum, while an ion source 3 is disposed so as to cause a propagation path for an ion beam having passed the slit 5 to be situated outside the ion beam passing region and then a secondary ion out of a sample 9 is fed to a mass spectrometer 10. Therefore, a neutral corpuscular beam 17 to be mixed in the ion beam goes straight without receiving deflection by the deflecting electrode 16 and is intercepted by the slit 7, eliminating the influence of the neutral corpuscular beam, thus highly accurate analysis can be achieved.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はイオンマイクロアナライザに係シ、特に、−次
イオンビームに混入している中性粒子ビームを除去し、
微少部分板および深さ方向分析に好適なイオンマイクロ
アナライザに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an ion microanalyzer, and in particular, removes a neutral particle beam mixed in a -order ion beam,
The present invention relates to an ion microanalyzer suitable for micro-subplate and depth direction analysis.

イオンマイクロアナライザは、イオンビームを試料に照
射し、この試料から放出する二次イメンを質量分析する
のに用いられている。第1図には、従来のイオンマイク
ロアナ2イザの−次イオン照射光の構成図が示されてい
る。図において、ガス溜lのガスが弁2を介してイオン
源3へ14(給される。イオン源3において流入ガス化
とiic罹市圧を1jり度に設定することによ如プラズ
マ放電を持続させイオンを生成する。イオン源3で生成
されたイオンtよイオンビーム、発生孔4示らイオンビ
ームとして放出され、差動排気スリット5、レンズ6、
差動排気スリット7、レンズ8を介して試料9に照射さ
れる。−次イオンの照射によって、試料9からは二次イ
オンが放出する。この二次イオンは質量分析計10に供
給され質量分析される。イオン源3へ流入しイオン化に
供しない余剰のガスは真空排気装置11によシ排気され
る。又イオン源3と差動排気スリット5と差動スリット
8との間tまそれぞれ排気装置12.13によシ排気さ
れ、試料9が収納されている所が高真空状態となるよう
に圧力勾配がつけられている。
An ion microanalyzer is used to irradiate a sample with an ion beam and perform mass spectrometry on the secondary ions emitted from the sample. FIG. 1 shows a configuration diagram of -order ion irradiation light of a conventional ion microanalyzer. In the figure, the gas in the gas reservoir 1 is supplied to the ion source 3 through the valve 2. In the ion source 3, plasma discharge is generated by inflow gasification and by setting the IIC commercial pressure to 1J degrees. The ions t generated by the ion source 3 are emitted as an ion beam from the generation hole 4, and are emitted as an ion beam through the differential pumping slit 5, lens 6,
The sample 9 is irradiated via the differential exhaust slit 7 and the lens 8. - Secondary ions are released from the sample 9 by irradiation with secondary ions. This secondary ion is supplied to the mass spectrometer 10 and subjected to mass analysis. Excess gas that flows into the ion source 3 and is not subjected to ionization is exhausted by the vacuum exhaust device 11. Furthermore, the spaces between the ion source 3, the differential evacuation slits 5 and 8 are evacuated by evacuation devices 12 and 13, respectively, and a pressure gradient is created so that the area where the sample 9 is stored is in a high vacuum state. is attached.

このような構成によるUt来のイオンマイクロアナライ
ザによシ、第2図の(A)に示される試料9Aの微小部
M1を分析すると、第2図の(B)に示される如く、微
小部M1の他に微小部M2のスペクトルが現われる。又
、謂53図の(A)に示される深さ方向に層mlと層m
2からなる試料9Bの深さ方向の分析を行なうと、第3
図の(13)に示される如く、層m1の#fWが層m2
の濃度によって影響され層m1のみの深さ方向の分析が
行なえなかった。これらの原因は第4図に示される如く
、−次イオンビームに中性粒子ビームが混入して試料9
A、913に照射されることが実験的に確認された。
When the microscopic part M1 of the sample 9A shown in FIG. 2(A) is analyzed using the conventional ion microanalyzer with such a configuration, the microscopic part M1 is detected as shown in FIG. 2(B). In addition, a spectrum of the minute portion M2 appears. Also, the layer ml and the layer m in the depth direction shown in (A) of Fig. 53.
When analyzing the depth direction of sample 9B consisting of
As shown in (13) in the figure, #fW of layer m1 is
It was not possible to analyze only layer m1 in the depth direction due to the influence of the concentration of . As shown in Figure 4, the cause of these problems is that the neutral particle beam is mixed into the -order ion beam, causing sample 9
It has been experimentally confirmed that A, 913 is irradiated.

このように前記従来のマイクロアナライザでは一次イオ
ンビームに混入する中性粒子ビームによって微小部分析
および深さ方向分析を精度良く行なうことができなかっ
た。
As described above, in the conventional microanalyzer, it is not possible to accurately perform minute part analysis and depth direction analysis due to the neutral particle beam mixed into the primary ion beam.

そこで、前記従来の欠点を解決するために第5図に示さ
れるようなイオンマイクロアナライザが提案された。こ
のイオン、マイクロアナライブは、イオン源3と差動排
気スリット5との間に4対の偏向電極14A、14B、
14C,141)を設けると共にそれらの中間に絞り1
5を設けたものである。第5図に示さiするアナライザ
の場合にtまイオン源3から発生するイオンビームのう
ち荷電ビームのみを偏向させ、静′亀界にて偏向しない
中性ビームを絞、!11115で遮断するようにしたも
のである。(7かしこのアナライν′によっても試料9
に照射される中性粒子ビームの照射量Fil/10程度
にしか減らなかった。又このアナライザの場合にtよイ
オン伝搬路が長くなるためイオン量が1/3−1/10
に減少するという欠点があった。なお、−次イオン電流
量は分析11&度および分析時間に悪影響をおよぼす。
Therefore, an ion microanalyzer as shown in FIG. 5 was proposed in order to solve the above-mentioned conventional drawbacks. This ion and microanalyte has four pairs of deflection electrodes 14A, 14B between the ion source 3 and the differential pumping slit 5.
14C, 141) and an aperture 1 between them.
5. In the case of the analyzer shown in FIG. 5, only the charged beam of the ion beam generated from the ion source 3 is deflected, and the neutral beam that is not deflected is focused in the static field. 11115. (7But with this analyzer ν′, sample 9
The irradiation amount of the neutral particle beam irradiated was reduced to only about Fil/10. In addition, in the case of this analyzer, the ion propagation path is longer than t, so the ion amount is 1/3 to 1/10.
The disadvantage was that it decreased. Note that the negative ion current amount has an adverse effect on the analysis time and analysis time.

そのだめ第5図に示されるアナマイク′によっても高祠
度の分析を行なうことができなかった。
Therefore, even with the Anamic' shown in FIG. 5, it was not possible to perform high precision analysis.

本発明tま前記従来の課題に鑑みなされたものであり、
その目的tま、−次イオン電流を減少させることなく一
次イオンビームに混在する中性粒子ビームを除去し分析
精度の高いイオンマイクロアナラ・イリ“を提供するこ
とにある。
The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems,
The purpose is to provide an ion microanalyzer with high analysis accuracy by removing neutral particle beams mixed in the primary ion beam without reducing the secondary ion current.

前記目的を達成するために、本発明しま、イオンビーム
・伝搬路に複数の排気スリットを有し、イオン源のイオ
ンつへ生孔から発生じたイオンビー)、をイメン源側排
気スリットを介し゛〔伝搬し、このイオンビームを静F
珪レンズにより細束化し、Ml1束化されたイオンビー
ムを曲の(,11気スリノtを介しC試料に照射し、こ
の試料から放出する二次(,4ンを質量分析するイオン
マイク[1′アナライザにおいて、前記イオン源側す1
気スリツトとこの」Jト気スリットと隣接する他の排気
スリットとの領域を高真空状態にすると共に前記イオン
源側スリットと前記静電レンズとの間に偏向器を設け、
且つ前記イオン源側排気スリット通過f麦のイオンビー
ム、伝搬路が他の排気スリットの・fオンビーノ・通過
領域外となる位負、に前記イオンビームのイオンビーム
発生孔を配置し、イオン源側排気スリット通過後のイオ
ンビーム伝搬路を前記偏向器により他の排気スリットの
イオンビーム通過領域内に偏向することを特徴とする。
In order to achieve the above object, the present invention has a plurality of exhaust slits in the ion beam propagation path, and the ion beam generated from the raw hole of the ion source is passed through the source side exhaust slit. [Propagating, this ion beam is
The ion beam, which has been finely focused by a silicon lens and made into a Ml1 bundle, is irradiated onto a C sample via a ion beam, and an ion microphone [1 'In the analyzer, the ion source side 1
A region between the gas slit and the other adjacent exhaust slit is placed in a high vacuum state, and a deflector is provided between the ion source side slit and the electrostatic lens,
In addition, the ion beam generation hole of the ion beam is arranged at a position where the propagation path of the ion beam passing through the exhaust slit on the ion source side is outside the passing area of other exhaust slits, and The ion beam propagation path after passing through the exhaust slit is deflected by the deflector into the ion beam passage area of another exhaust slit.

即ち、中性粒子の存在量は、残留ガス分子とイオンの衝
突により算出することができ、この衝欠回数NΣは次式
によって表される。
That is, the amount of neutral particles present can be calculated by collisions between residual gas molecules and ions, and the number of collisions NΣ is expressed by the following equation.

πσ2 :分子とイオンの衝突iノ[面積1:衝突距N
1F P:A空度 ■、ニー次イオン竜流 ′■゛:温度 前記(1)式に示される如く衝突回数NΣは真空度Pと
一次イAン電流l、とに比例しする。(−かも前記(1
)式に求めた衝突回数NΣと実測値がほぼ合う仁とが実
験的に確認された。このことは、前記各イオンマイクロ
アナライザにおいて、イオン源3と差動スリット5との
間の領域に中性粒子イオンビーム・の発生度が商いこと
になる。本発明tま前記の点に着目してなされたもので
ある。
πσ2: Collision i of molecules and ions [Area 1: Collision distance N
1F P: A empty degree ■, secondary ion current ′■゛: temperature As shown in equation (1) above, the number of collisions NΣ is proportional to the vacuum degree P and the primary ion current l. (-maybe the above (1
) It has been experimentally confirmed that the number of collisions NΣ determined by the equation (2) and the actual measured value almost match each other. This means that in each of the ion microanalyzers, the degree of generation of the neutral particle ion beam varies in the region between the ion source 3 and the differential slit 5. The present invention has been made with attention to the above points.

以ト\図1ff1に基づいて本発明の好ij4な実I邑
例を説明する。
Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be explained based on FIG. 1ff1.

第6図ンこは、本発明の好適な実施例としての構成図が
ボされている。
In FIG. 6, a block diagram of a preferred embodiment of the present invention is omitted.

本実施例におけるイオンマイクロアナライザは、差動排
気スリット5とレンズ6との間に偏向器としての偏向電
極16を設けると共に、差動排気スリット5と差動排気
スリット7との領域を排気装置工2により高真空状態に
し、肚っ差動排気スリン91・5通過後のイオンビーム
伝搬路が差動排気スリット7のイオンビーム通過領域外
となる位置にイオン源3を配置し、さらに、排気スリッ
ト5通過後のイオンビーム伝搬路を偏向電極16により
差動排気スリット7のイオンビーム通過領威内に偏向す
るようKL、たものであって、他の構成は第1図のもの
と同様であるので同一のものには同一符号を伺してそれ
らの説明は省略する。
The ion microanalyzer in this embodiment is provided with a deflection electrode 16 as a deflector between the differential pumping slit 5 and the lens 6, and the region between the differential pumping slit 5 and the differential pumping slit 7 is 2, place the ion source 3 in a position where the ion beam propagation path after passing through the differential exhaust slit 91.5 is outside the ion beam passage area of the differential exhaust slit 7, and then The ion beam propagation path after passing through the ion beam is deflected by the deflection electrode 16 into the ion beam passage area of the differential exhaust slit 7, and the other configuration is the same as that in FIG. Therefore, the same reference numerals will be used to refer to the same parts, and their explanation will be omitted.

第6図に示されるイオンマイクロアナライザにおいては
、イオン源3がら発生したイオンビームに混入する中性
粒子ビーム17は画面電極16による偏向を受けないの
で自通し、差動排気スリット8のイオンビーム通過領域
外に到達し3J&断される。そのため、試料9には中性
粒子イオンビームが照射されることはない。
In the ion microanalyzer shown in FIG. 6, the neutral particle beam 17 mixed into the ion beam generated by the ion source 3 is not deflected by the screen electrode 16, and therefore passes through the ion beam through the differential pumping slit 8. It reaches outside the area and is cut off by 3J&. Therefore, the sample 9 is not irradiated with the neutral particle ion beam.

このように本実施例におけるイオンマイクロアナライザ
は一段の偏向電極によりイオンビーム・を偏向し1いる
のでイオン軌道が長くならず一次イオン電流が減少する
のを防止できる。さらに試料9には中性粒子イオンビー
ムが照射されないので精度の高い分析が行なえる。
As described above, since the ion microanalyzer in this embodiment deflects the ion beam using one stage of deflection electrodes, the ion trajectory is not lengthened and the primary ion current can be prevented from decreasing. Furthermore, since the sample 9 is not irradiated with the neutral particle ion beam, highly accurate analysis can be performed.

第7図にQ9[、本発明の他の実施例としての構成図が
示されている。
FIG. 7 shows a configuration diagram of another embodiment of the present invention.

本実施例におけるイオンマイクロアナライザね1、イオ
ンビーム伝搬路を囲む筐体を同軸上に1lII旧縦する
と共に、イオン源3のイオンビーム発生孔4を、偏面後
のイオンビーム伝搬路の軸上とは異なる位置に配置した
ものであって、他の構成は第6図のものと同様である。
In the ion microanalyzer 1 in this embodiment, the casing surrounding the ion beam propagation path is placed vertically on the same axis, and the ion beam generation hole 4 of the ion source 3 is placed on the axis of the ion beam propagation path after deflection. The other configurations are the same as those shown in FIG. 6.

禾−実施例においてeよ、前記実施例の効果に加え−(
、伝搬路を囲む筐体が同軸上に配置されているので、−
次イオン照射系を試料に対しで垂直に配置した場合でも
安定した1lllJ定が行なえると共に組み立て精度の
向上が図れる。
- In the example, in addition to the effects of the above example - (
, since the casing surrounding the propagation path is placed coaxially, −
Even when the next ion irradiation system is arranged perpendicular to the sample, stable 1lllJ determination can be performed and assembly accuracy can be improved.

又前記各実施例における偏向電極16には、次の(2)
式に示される電界Eが印加される。
In addition, the deflection electrode 16 in each of the above embodiments has the following (2).
An electric field E shown in the equation is applied.

ここでVニー次イオン加速′11圧 Z:電極での偏向量 l:電極の長さ 即ち電界Eは一次イオン加速箪圧Vに比例することにな
る。
Here, V secondary ion acceleration '11 pressure Z: amount of deflection at the electrode l: length of the electrode, ie, electric field E, is proportional to the primary ion acceleration pressure V.

一方、イオンマイクロアナライザは試料に一次イオンを
照射することによっておこるスパッタ現象を利用して深
さ方向の分析を行なっている。このスパッタ速度Sは、
次式で表される如く一次イオン加速慰圧の関数となる。
On the other hand, an ion microanalyzer performs analysis in the depth direction by utilizing the sputtering phenomenon that occurs when a sample is irradiated with primary ions. This sputtering speed S is
It is a function of the primary ion acceleration pressure as expressed by the following equation.

5=Ki−v・・・・・・・・・・・・・・・(3ンそ
のため一次イオン加速電圧■を変えることにjJスパッ
タ速度を選択することができる。そこで、偏向電極の電
圧VDを一次イオン加速電圧Vに連動するようにし、こ
れらを一点で゛亀圧合せをすれば偏向電極の電圧Vnの
設定tま不要となシ操作性を向上させることができる。
5=Ki-v・・・・・・・・・・・・(3) Therefore, the jJ sputtering speed can be selected by changing the primary ion acceleration voltage.Therefore, the deflection electrode voltage VD If V is linked to the primary ion accelerating voltage V and these are combined at one point, it is not necessary to set the voltage Vn of the deflection electrode, and operability can be improved.

このことがら本実施例における加速電極と偏向電極とは
第8図に示される如く構成されている。即ち第8図に示
される如く、−次イオン加速電圧設定器21にて設定さ
れた電圧を増幅器22を介して一次イオン加速電源23
に供給する。この−次イオン加速電源23ij高電圧を
出力しイオン源3の加速電極24に印加する。又増幅×
斥22の出力は調整抵抗25、増幅器26を介して偏向
電極′電源27に供給される。偏向電極電源27の出力
は偏向電極16へ印加される。この結果加速電極24に
よって加速されたイオンビームはイオンビーム30と中
性粒子ビーノ・32に分離される。
For this reason, the acceleration electrode and deflection electrode in this embodiment are constructed as shown in FIG. That is, as shown in FIG.
supply to. This secondary ion accelerating power source 23ij outputs a high voltage and applies it to the accelerating electrode 24 of the ion source 3. Also amplification ×
The output of the beam 22 is supplied to a deflection electrode power supply 27 via an adjustment resistor 25 and an amplifier 26. The output of the deflection electrode power supply 27 is applied to the deflection electrode 16. As a result, the ion beam accelerated by the accelerating electrode 24 is separated into an ion beam 30 and a neutral particle beam 32.

即ち偏向電極重圧Vnと一次イオン加速J、i、圧■の
間にQよ次式の関係がある。
That is, there is a relationship between the deflection electrode pressure Vn, the primary ion acceleration J, i, and the pressure (Q) as shown below.

Vn=に3  ・■     ・・・・・・・・・・・
・・・・(4)このように不実施レリによれば偏向電極
を増設しても外で睨、→l°ψ作上繁軸上繁雑たり不具
合が生ずることもなく、分析精度の向上全図ることがで
きる。
Vn = 3 ・■ ・・・・・・・・・・・・・
(4) In this way, according to the non-implemented relay, even if deflection electrodes are added, there will be no troubles or troubles due to glare from outside, →l°ψ operation, and the analysis accuracy will be improved. can be achieved.

父前記各実施例においてt、jlIrIl向量を極小に
し遠い位置で中性粒子を遮断するため偏向電極の電界を
低くすることができる。
In each of the above-mentioned embodiments, the electric field of the deflection electrode can be lowered in order to minimize the amount of direction t, jlIrIl and block neutral particles at a distant position.

以上説明したように、本発明によれば、−次イオン電流
を減少させることなく一次イオンビームに混在する中性
粒子ビームを除去することができるので高精度の分析が
行なえる。
As described above, according to the present invention, it is possible to remove the neutral particle beam mixed in the primary ion beam without reducing the negative ion current, so that highly accurate analysis can be performed.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来の一次イオン照射系の構成図、第N 2図の(A)、(B)tユ第1に示されるイオンマへ イクロアナライザによる微小部分析を説明するだめの図
、第3図の(A)、(B)は従来のイオンマイクロアナ
ライザによる深さ方向分析を説明するだめの図、第4図
は従来のイオンマイクロアナライザにおいて一次イオン
ビームに中性粒子ビームが混入する状態を説明するだめ
の図、第5図は従来の他の一次イオン照射系の構成図、
第6図は本発明の一実施例を示す一次イオン照射系の構
成図、第7図は本発明の他の実施例を示す一次イオン照
射系の構成図、第8図は本発明に係る加速電極と偏向電
極の嵐気系の構成を示す図である。 3・・・イオン源、4・・・イオンビーム発生孔、5.
7・・・差動排気スリット、6.8・・・レンズ、9・
・・試料、舒/m 署f辺
Figure 1 is a configuration diagram of a conventional primary ion irradiation system; Figures (A) and (B) are diagrams for explaining depth direction analysis using a conventional ion microanalyzer, and Figure 4 shows the state in which a neutral particle beam is mixed into the primary ion beam in a conventional ion microanalyzer. Figure 5 is a diagram for explaining the configuration of another conventional primary ion irradiation system.
Fig. 6 is a block diagram of a primary ion irradiation system showing one embodiment of the present invention, Fig. 7 is a block diagram of a primary ion irradiation system showing another embodiment of the present invention, and Fig. 8 is an acceleration diagram according to the present invention. It is a figure which shows the structure of the storm air system of an electrode and a deflection electrode. 3... Ion source, 4... Ion beam generation hole, 5.
7... Differential exhaust slit, 6.8... Lens, 9.
・・Sample, 舒/m station f side

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、 イオンビーム伝搬路に複数の排気スリットを有し
、イオン源のイオン発生孔から発生したイオンビームを
イオノ臨側排気スリットを介し7て伝搬し、このイオン
ビームを静電レンズによ!1lI1.ll1束化し、細
束化されたイオンビームを他の排気スリットを介して試
料に照射し、この試料から放出する二次イオンを質量分
析するイオンマイクロアナライザにおいて、前記イオン
源(Ill排気スリットとこの排気スリットと隣接゛す
る他の排気スリットとの領域を高A空状態にすると共に
前記イオン源(i1!Iスリットと前記静電レンズとの
間に偏向器を設け、且つ前記イオン源側排気スリット通
過後のイオンビーム伝搬路が他の排気スリットのイオン
ビーム・通過領域外となる位置に前記イオン源側のイオ
ンビーム発生孔を配置し、イオン源側排気スリットJI
fi過後のイオンビーム伝搬路をMiJ記偏向器により
他の排気スリットの・fオンビーム通過領域内に偏向す
ること全特徴とするイオンマイクロアナライザ。 2 前記イオンビーム伝搬路を囲む筺体が同軸上に配置
され、前記イオン源のイオンビーム発生孔が、偏向後の
イオンビーム伝搬路の++q++上とtよ異なる位置に
ある特許請求の範囲′4P、1項記載のイオンマイクロ
アナライザ。 3、前記偏向器の偏向電圧ηユ、前記イオン源から発生
する一次イオンを加速する加速電圧と連動して変化する
特許請求の範囲亀1項又は第2項記載のイオンマイクロ
アナライザ。
[Claims] 1. The ion beam propagation path has a plurality of exhaust slits, and the ion beam generated from the ion generation hole of the ion source is propagated through the ion front exhaust slit 7, and the ion beam is kept static. By electric lens! 1lI1. In an ion microanalyzer that irradiates a sample with a finely bundled ion beam through another exhaust slit and performs mass spectrometry on secondary ions emitted from the sample, the ion source (Ill exhaust slit and this A region between the exhaust slit and another adjacent exhaust slit is made into a high-A empty state, and a deflector is provided between the ion source (i1!I slit and the electrostatic lens), and the ion source side exhaust slit is The ion beam generation hole on the ion source side is arranged at a position where the ion beam propagation path after passing is outside the ion beam passing area of other exhaust slits, and
An ion microanalyzer characterized in that the ion beam propagation path after passing through fi is deflected by an MiJ deflector into an on-beam passing region of another exhaust slit. 2. Claim '4P, wherein a housing surrounding the ion beam propagation path is arranged coaxially, and the ion beam generation hole of the ion source is located at a position different from ++q++ above the deflected ion beam propagation path by t. The ion microanalyzer described in item 1. 3. The ion microanalyzer according to claim 1 or 2, wherein the deflection voltage η of the deflector changes in conjunction with an acceleration voltage for accelerating primary ions generated from the ion source.
JP57176211A 1982-10-08 1982-10-08 Ion microanalyzer Pending JPS5966043A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57176211A JPS5966043A (en) 1982-10-08 1982-10-08 Ion microanalyzer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57176211A JPS5966043A (en) 1982-10-08 1982-10-08 Ion microanalyzer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS5966043A true JPS5966043A (en) 1984-04-14

Family

ID=16009562

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57176211A Pending JPS5966043A (en) 1982-10-08 1982-10-08 Ion microanalyzer

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5966043A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06222835A (en) * 1993-01-26 1994-08-12 Kajima Corp Front obstacle detecting method/device for unmanned vehicle
KR20210046541A (en) 2019-10-18 2021-04-28 가부시키가이샤 히다치 하이테크 사이언스 Focused ion beam apparatus and method for controlling the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06222835A (en) * 1993-01-26 1994-08-12 Kajima Corp Front obstacle detecting method/device for unmanned vehicle
KR20210046541A (en) 2019-10-18 2021-04-28 가부시키가이샤 히다치 하이테크 사이언스 Focused ion beam apparatus and method for controlling the same
US11257655B2 (en) 2019-10-18 2022-02-22 Hitachi High-Tech Science Corporation Focused ion beam apparatus, and control method for focused ion beam apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4521850B2 (en) Acceleration and analysis architecture for ion implanters
EP0797236A2 (en) A charged particle beam exposure method and an apparatus therefor
US20200144045A1 (en) Double bend ion guides and devices using them
US11101123B2 (en) Extraction system for charged secondary particles for use in a mass spectrometer or other charged particle device
EP0329461B1 (en) Mass spectrometer
England et al. The Lamont—Doherty Geological Observatory Isolab 54 isotope ratio mass spectrometer
JPS5966043A (en) Ion microanalyzer
US9048078B2 (en) Mass spectrometry
US3231735A (en) Mass spectrometer leak detector with an accelerator section between plural analyzersand the method for using same
JPH07169436A (en) Occurrence of high-power electric current beam by low energy to be used for ion implantation system
JP3272441B2 (en) Ion accelerator
US5866909A (en) Generator of ribbon-shaped ion beam
Witzel et al. Exact determination of spatially resolved ion concentrations in focused laser beams
JPS60121663A (en) Laser excitation ion source
JP3338099B2 (en) Ion implanter
EP1508154B1 (en) Apparatus for measuring total pressure and partial pressure with common electron beam
JPH034433A (en) Flight time type mass spectrometry device
SU801137A1 (en) Mass spectrometer
US3783278A (en) Single magnet tandem mass spectrometer
JPH02295055A (en) Plasma ionization mass spectrometer
US8796638B2 (en) Mass spectrometry for a gas analysis with a two-stage charged particle deflector lens between a charged particle source and a charged particle analyzer both offset from a central axis of the deflector lens
US20200058481A1 (en) Extraction System For Charged Secondary Particles For Use In A Mass Spectrometer Or Other Charged Particle Device
JPH06203781A (en) Ion source
JPS59157943A (en) Molecule secondary ion mass analyzer
JPS60177543A (en) Mass spectrograph