JPS59500079A - Analog-to-digital converter using sampling cathode ray tube - Google Patents

Analog-to-digital converter using sampling cathode ray tube

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JPS59500079A
JPS59500079A JP58500853A JP50085383A JPS59500079A JP S59500079 A JPS59500079 A JP S59500079A JP 58500853 A JP58500853 A JP 58500853A JP 50085383 A JP50085383 A JP 50085383A JP S59500079 A JPS59500079 A JP S59500079A
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JP58500853A
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ブシエル・ウイリアム・ノ−マン
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グ−ルド インコ−ポレイテツド
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    • G11C27/024Sample-and-hold arrangements using a capacitive memory element
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03MCODING; DECODING; CODE CONVERSION IN GENERAL
    • H03M1/00Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
    • H03M1/12Analogue/digital converters
    • H03M1/22Analogue/digital converters pattern-reading type
    • H03M1/32Analogue/digital converters pattern-reading type using cathode-ray tubes or analoguous two-dimensional deflection systems

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。 (57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 発明の名称 サンプリング陰極線管を用いたアナログ−デジタル変換器 発明の背景 本発明は特に陰極線管(CRT)を用いた高速アナログ信号サンプリング技術と サンプルのアナログ−デジタル変換技術に関するものである。[Detailed description of the invention] name of invention Analog-to-digital converter using sampling cathode ray tube Background of the invention The present invention is particularly applicable to high-speed analog signal sampling techniques using cathode ray tubes (CRTs). It relates to sample analog-to-digital conversion technology.

連続したアナログ信号をサンプリングすることにより、一連の不連続々アナログ 電圧レベルを得ることを必要とする多くの用途がある。成る場合には、これらの サンプルは直接用いられるが、殆んどの場合には、これらのサンプルはデジタル 化されている。最も一般的な高速アナログ−デジタル変換器(ADC′s)では 、アナログ・サンプルが取られるとサンプルとサンプリングの区間内にアナログ ・サンプルはデジタル化されている。即ち連続したアナログ波形の次のサンプル が取られる前にアナログ・サンダルの大きさを表わすデジタル語(digita l word)が作られる。これらのアナログ−デジタル変換器で最も速いもの はパ瞬間変換器(flash converters)”と呼ばれており、この 変換器では多くの半導体比較器を用いている。現在のシリコン技術は、これらの 装置に上限(upper 11m1t)を課している。この瞬間変換器は1秒当 、95X10個のサンプルで約6ピ、トの精度でデジタル語を発生させることが できる。しかしこれらの装置の重大な制限は、アナログ信号がサンプルされる際 に領域の急な変化を起こす重大な誤差(errors)にある。By sampling a continuous analog signal, a series of discrete analog There are many applications that require obtaining voltage levels. If so, these Samples are used directly, but in most cases these samples are digital has been made into The most common high speed analog-to-digital converters (ADC's) , when an analog sample is taken, the analog ・Samples are digitized. i.e. the next sample of the continuous analog waveform Before the sandals are removed, a digital word (digita) representing the size of the analog sandal is created. l word) is created. The fastest of these analog-to-digital converters are called "flash converters", and these The converter uses many semiconductor comparators. Current silicon technology allows these An upper limit (upper 11mlt) is imposed on the device. This instantaneous converter is equivalent to 1 second. , it is possible to generate digital words with an accuracy of about 6 pins using 95 x 10 samples. can. However, a significant limitation of these devices is that when analog signals are sampled, There are significant errors that cause sudden changes in the area.

その他の装置では、陰極線管(CRT)と−緒に電子銃の標的となる少くとも1 つのアナログ電荷結合素子(CCD)を用いている。この電荷結合素子は、半導 体内に電荷のポケッ) (pocket)を備えており、電荷の各ポケットは対 応するサンプル時間でアナログ信号に比例している。必要な数のサンプルが蓄積 された後、これらの6サンプルは低速で出されて低速アナログ・デジタル変換器 によってデジタル化され、そして低速メモリイに蓄積される。このようなアナロ グ・デジタル変換器及びメモリイは高いものではないが、高速瞬間変換器に匹敵 できるサンプル速度で電荷結合素子を駆動するには大量の電力が必要になる。更 に、電荷結合素子の非線形性も重大な問題である。In other devices, at least one target of the electron gun is used together with a cathode ray tube (CRT). One analog charge-coupled device (CCD) is used. This charge-coupled device is a semiconductor The body has pockets of electric charge, and each pocket of electric charge has a pair. is proportional to the analog signal with the corresponding sample time. Accumulates the required number of samples These six samples are then output at low speed to a low speed analog-to-digital converter. is digitized and stored in low-speed memory. analog like this Digital converter and memory are not expensive, but comparable to high speed instantaneous converters. A large amount of power is required to drive a charge-coupled device at the sample rates available. Change Furthermore, the nonlinearity of charge-coupled devices is also a serious problem.

したがって、本発明の主目的は、従来のサンプリング装置及びアナログ−デジタ ル変換器よりも十分に速い速度で高周波アナログ信号を正確に、安価に且つ連続 してサンプリングすることができる装置及び方法を提供することにある。Therefore, the main object of the present invention is to Accurately, inexpensively, and continuously convert high-frequency analog signals at speeds significantly faster than standard converters. An object of the present invention is to provide an apparatus and a method that can perform sampling.

発明の概要 上記目的及び他の目的は、陰極線管内の電子ビームをサンプルされるべき連続ア ナログ信号によって輝度変調(1ntensity modulated)する 本発明によって達成される。電子ビームは、標的面を横切る同じノやターン、最 も一般的なものは環状の・やターン、の上を繰り返して偏向させられる。標的面 上には互いに近接して円のような閉じた形状(closed figure)に 、多数の導電性ターゲット又は標的が置かれている。これらの標的は、標的を横 切る掃引が行なわれると電子ビームの強さに比例した電圧を発生する。出力は、 連続アナログ信号の連続したサンプルである。これらのサンプルは保持されて、 正確で安価な低速の可変アナログ−デジタル変換器によって順次デジタル化され る。Summary of the invention The above purpose and other purposes are to Brightness modulation (1ntensity modulated) by analog signal This is achieved by the present invention. The electron beam crosses the target surface with the same curves and turns, The most common type is a circular shape or a turn, which is deflected repeatedly over the top. target surface At the top, there are shapes close together in a closed figure like a circle. , a number of conductive targets or targets are placed. These targets are When the cutting sweep is performed, a voltage proportional to the intensity of the electron beam is generated. The output is Consecutive samples of a continuous analog signal. These samples are retained and are sequentially digitized by an accurate, inexpensive, and slow variable analog-to-digital converter. Ru.

本発明の種々の面の特徴及び利点、その他の目的は以下の好捷しい実施例の詳細 な説明から明らかになるのであろう。以下添付の図面を参照して説明する。The features and advantages of various aspects of the invention, as well as other objects, are described in detail in the preferred embodiments below. It will become clear from the explanation. This will be explained below with reference to the attached drawings.

図面の簡単な説明 第1図は本発明に係る技術によってサンプルされる連続アナログ波形を示してお シ; 第2図は本発明に係る陰極線管サンプリング装置の好ましい一実施例を示してお シ; 第3図は第2図のサンプリング装置と一緒に用いる電気回路の図; 第4図は第2図及び第3図のシステムによって得られるサンプルを用いる完全な システムをブロック図で示している。Brief description of the drawing Figure 1 shows a continuous analog waveform sampled by the technique of the present invention. C; FIG. 2 shows a preferred embodiment of the cathode ray tube sampling device according to the present invention. C; Figure 3 is a diagram of an electrical circuit used in conjunction with the sampling device of Figure 2; Figure 4 shows a complete test using the samples obtained by the systems of Figures 2 and 3. The system is shown in a block diagram.

好ましい実施例 まず第1図を参照すると、種々の電気的装置及び・システムにおいてサンプルす ることが必要とされている電圧波形のタイプの一例として連続アナログ波形11 が示しである。この波形は正弦波に々るように示しであるが、他の形のアナログ 波形に対してもここに示す技術は同様に働く。一定の時間間隔で、種々のサンプ ル時期13,15.17.19等に電圧を得ることが望ましい。そしてこれらの アナログ電圧サンプルは、装置又はシステムのいずれでも直接に使用されている が、しばしばデジタル化されており、サンブリング過程はデジタル化のために保 持する以前に行なわれる。Preferred embodiment Referring first to Figure 1, a sample of various electrical devices and systems is shown. Continuous analog waveform 11 is an example of the type of voltage waveform that is needed. is the indication. Although this waveform is similar to a sine wave, other forms of analog The techniques shown here work similarly for waveforms. various samples at regular time intervals. It is desirable to obtain voltage at times such as 13, 15, 17, and 19. and these Analog voltage samples are used directly in either equipment or systems are often digitized, and the sampling process must be preserved for digitization. It is done before holding.

第2図を参照すると、典型的な形をした陰極線管真空外囲器21は、狭くなった 端部内に標準形電子銃を有しており、その他端には幾分大きな標的面25が設け られている。この標的面25は電子銃23からの電子ビームが衝突する複数の標 的又はターゲットを支持している。高電圧電源38は10,0OOVオーダの加 速電圧を与える。そしてその陽極ラインは接地されるとともに陰極線管(CRT )のアノード42に接続されている。一対の極板29はビーム27を垂直方向に 偏向し、一対の極板31はビーム27を水平方向に偏向させるように標準的に配 置されている。標準的な磁界偏向システムが同様の目的で作られる。この例にお いては、ビーム27は標的面25を横切る環状のパターンの上を定速度で走らさ れる。偏向回路33が導線35にサイン波をそして導線37にコサイン波をそれ ぞれ水平極板及び垂直極板のために発生させることによシ、この偏向は行なわれ る。サンプルされるアナログ信号は増幅器39を介して電子ビームの通路内にあ るグリッド41に与えられ、グリッド41は入力アナログ信号からグリッド41 に与えられる変化する電圧に応じて時間の関数としてその輝度又は強さく1nt ensity)を変言周する。Referring to FIG. 2, a typical shaped cathode ray tube vacuum envelope 21 has a narrow It has a standard type electron gun in one end, and a somewhat larger target surface 25 is provided in the other end. It is being This target surface 25 is a plurality of targets with which the electron beam from the electron gun 23 collides. target or support the target. The high voltage power supply 38 has a voltage of the order of 10,000V. Gives fast voltage. The anode line is grounded and the cathode ray tube (CRT) ) is connected to the anode 42 of the. A pair of polar plates 29 direct the beam 27 in the vertical direction. The pair of polar plates 31 are normally arranged to deflect the beam 27 in the horizontal direction. It is placed. Standard magnetic field deflection systems are made for similar purposes. In this example In this case, the beam 27 is run at a constant velocity over a circular pattern across the target surface 25. It will be done. Deflection circuit 33 applies a sine wave to conductor 35 and a cosine wave to conductor 37. This deflection is achieved by generating for the horizontal and vertical plates, respectively. Ru. The analog signal to be sampled is placed in the path of the electron beam via an amplifier 39. The grid 41 is applied to the grid 41 from the input analog signal. Its brightness or intensity as a function of time depends on the varying voltage applied to 1nt enity) in different words.

標的面25上には、近接した標的43及び45のよう々多数の別個の電導性標的 か配置されている。これらの標的は好ましくは各々同じ寸法を有しており、互い に等距離はなれて、ビーム27によって走査される経路と一致する環状の経路を 完全に囲むように配置されている。標的は互いに電気的に絶縁されており、また 1又はそれ以上の導線で外囲器21を介して外部処理回路に接続されている。標 的43.45・・・等のそれぞれの各外部導線に接続された負荷は容量性のみで あり、したがって各電圧は電子ビーム27が標的を横切って掃引した瞬間のアナ ログ信号11の値に比例する。On the target surface 25 there are a number of separate conductive targets, such as adjacent targets 43 and 45. or are placed. These targets preferably each have the same dimensions and are separated from each other. a circular path equidistant apart and coinciding with the path scanned by beam 27. It is completely enclosed. The targets are electrically isolated from each other and One or more conductors connect through the envelope 21 to external processing circuitry. mark The loads connected to each external conductor, such as 43.45..., are only capacitive. Therefore, each voltage is an analog of the moment the electron beam 27 sweeps across the target. It is proportional to the value of the log signal 11.

電子ビーム27が一定の速度で走シ、標的43,45゜・・・が閉路内で等間隔 に配置されているとすれば、サンプルは周期的に且つ連続して取られる。The electron beam 27 travels at a constant speed, and the targets 43, 45°... are equally spaced in a closed path. , samples are taken periodically and continuously.

導電性標的43.45・・・のパターンと対応する電子ビーム27の走査パター ンは環状である必要はないが、このような・ぐターンは最も便利である。導電性 標的43.45・・・が連続したパターン内に配置され且つ該標的上を電子ビー ム27がそれと同じ・母ターン内を走査する限り、入力アナログ波形は連続的に サンプルされる。電子ビーム走査の速度及び標的間の間隔が整合されていれば、 即ち最も一般的には、走査速度が一定であり標的間の距離が等しい限り、サンプ ルは確実に周期的に行なわれる。Scanning pattern of the electron beam 27 corresponding to the pattern of the conductive targets 43, 45... The turn need not be circular, but such a turn is most convenient. Conductivity Targets 43, 45... are arranged in a continuous pattern and an electronic beam is passed over the targets. As long as the program 27 scans within the same main turn, the input analog waveform will be continuously sampled. If the electron beam scanning speed and spacing between targets are matched, That is, most commonly, as long as the scan rate is constant and the distances between the targets are equal, The process is guaranteed to occur periodically.

標的43.45・・の各々は、金属導体から簡単に作られる。この金属導体上に は、標的に衝突したときの電子ビームの強さに比例し且つ標的を横切る電子ビー ムの速度に逆比例する量の電荷が電子ビームによって蓄積される。各標的導体に よって発生させられる電圧は、一般的に蓄積される電荷の量に比例し容量性負荷 に反比例する。標的43.45・・・とじては、より高い電圧出力を得るため普 通の金属導体より、電子ビーム27から受け取った電荷を増幅するタイプのもの が好ましい。このような素子としては電子衝撃半導体(electron bo mbarded semiconductor )ダイオードがある。このダイ オードは、種々の型で商業的に第1」用されるものであることは公知である。こ のダイオードは、加速電圧が10,0OOVオーダのときに、陰極線管ビームか らの各入射電子に対して2,000個オーダの電子を発生することを主として特 徴としている。そして適当々逆バイアスがかけられると、非常に多くの電子がダ イオードから外部の回路へ引出される。Each of the targets 43, 45... is simply made from a metal conductor. on this metal conductor is proportional to the intensity of the electron beam when it hits the target, and is proportional to the intensity of the electron beam that crosses the target. An amount of charge is stored by the electron beam that is inversely proportional to the velocity of the electron beam. for each target conductor The voltage thus generated is generally proportional to the amount of charge stored in a capacitive load. is inversely proportional to. Target 43.45...In order to obtain higher voltage output, A type that amplifies the charge received from the electron beam 27 more than a regular metal conductor. is preferred. An example of such a device is an electron impact semiconductor (electron bomb). There is a mbarded semiconductor diode. This die Ords are known to be of primary commercial use in various types. child When the accelerating voltage is on the order of 10,000 V, the diode in the cathode ray tube The main feature is that for each incident electron, on the order of 2,000 electrons are generated. It is a sign. And when a suitable reverse bias is applied, a large number of electrons are extracted from the iode to an external circuit.

第3図を参照すると、電子衝撃半導体ダイオードの場合の標的電極43.45・ ・・と−緒に用いられる外部回路の1例が示してちる。ダイオード43.45・ ・・の各々は、個別のサンプル−ホールド回路47.49・・・にそれぞれ接続 されている。各ダイオード標的43゜45・・・は、共通の正電圧電源導線51 に接続された第1の端子をそれぞれ有しており、各ダイオードの第2の端子は、 それぞれ個別のサンプル−ホールド回路に接続されている。尚サンプル−ホール ド回路は一例として示したものである。ダイオード45の第2の端子は蓄積コン デンサ又は記憶コンデンサ53を介して接地電位に接続されており、この蓄積コ ンデンサ53は陰極線管の電子ビーム27によってダイオード標的45内発生さ せられた電荷を蓄積する。したがって、コンデンサの端子電圧は、電子ビーム2 7がダイオード45を横切って走査したサンプル瞬間における入力アナログ信号 11の値に比例している。コンデンサ53はFF、Tスイッチ55によって放電 が制御され、FETスイッチ55は回路57の入力・ぐルスに応じてコンデンサ 53の両端を短絡する。FETスイッチ55の操作により、サンプル−ホールド 回路49はリセットされ、電子ビーム27がダイオード標的45を横切って走査 する次の時期に別の電荷を受け入れる準備をする。コンデンサ53には、ソース ホロワ回路内(sourcefollower circuit)のFETノZ yファ増幅器に接続されており、このソースホロワ回路は接地電位に対して低イ ンピーダンスの出力を導線61に発生する。導線61と接地点との間の電圧は、 入力アナログ波形11のサンプルに比例している。Referring to FIG. 3, the target electrodes 43, 45, An example of an external circuit used with... is shown below. Diode 43.45・ Each of... is connected to a separate sample-and-hold circuit 47, 49..., respectively. has been done. Each diode target 43, 45... is connected to a common positive voltage power supply conductor 51. and a second terminal of each diode is connected to Each is connected to a separate sample-and-hold circuit. Furthermore, sample-hole The code circuit is shown as an example. The second terminal of diode 45 is connected to the storage capacitor. It is connected to ground potential via a capacitor or storage capacitor 53, and this storage capacitor The capacitor 53 is generated within the diode target 45 by the electron beam 27 of the cathode ray tube. Accumulates the applied charge. Therefore, the terminal voltage of the capacitor is the electron beam 2 Input analog signal at sample instant 7 scanned across diode 45 It is proportional to the value of 11. Capacitor 53 is discharged by FF, T switch 55 is controlled, and the FET switch 55 connects the capacitor according to the input signal of the circuit 57. Short-circuit both ends of 53. By operating the FET switch 55, sample-hold The circuit 49 is reset and the electron beam 27 is scanned across the diode target 45. Be prepared to accept another charge at the next time. The capacitor 53 has a source FET No. Z in the follower circuit (source follower circuit) This source follower circuit has a low input voltage with respect to ground potential. An impedance output is generated on conductor 61. The voltage between the conductor 61 and the ground point is It is proportional to the samples of the input analog waveform 11.

第4図を参照すると、出力導線61及び他のサンプル−ホールド回路の各出力が マルチゾレクスーホールド回路(rnultiplex and hold c ircuit )に印加され、そして次にアナログ電圧信号がアナログ−デジタ ル変換器65に入力されている。アナログ−デジタル変換器の出力は、アナログ 波形11の各サンプルの大きさを表わすデジタル語の形になっており、これらの デジタル語はデジタル・メモリイ67に記憶される。制御回路69は、第4図の これら各要素の協働操作を統一的に行なわせるとともに、線路57にサンプル− ホールド回路49へのクリーニング・ieルス又ハリセット・パルスをそして線 路34に偏向回路33への同期信号を与える。Referring to FIG. 4, output conductor 61 and the outputs of the other sample-and-hold circuits are Multiplex and hold circuit (rnultiplex and hold c circuit) and then the analog voltage signal is applied to the analog-to-digital The signal is input to a converter 65. The output of an analog-to-digital converter is an analog These are in the form of digital words that represent the size of each sample in waveform 11. The digital words are stored in digital memory 67. The control circuit 69 is shown in FIG. The cooperative operation of each of these elements is carried out in a unified manner, and the sample on the track 57 is Cleaning pulse or reset pulse to hold circuit 49 and line A synchronizing signal to the deflection circuit 33 is applied to the line 34.

デジタル・メモリイ67に保持されたデジタル化されたサンプル値は、多くの用 途のいずれにも用いることができる。一般的な用途の1つはディスプレイ装置内 に用いるものであシ、サンプルはデジタル・メモリからデジタル−アナログ変換 器へ読出され、そしてアナログ信号は目で見ることができるようにするディスプ レイ装置71によって表示される。ディスプレイ装置71は最も一般的には陰極 線管ディスプレイであるが、他の型式のもの、例えばX−Y記録器などでもよい 。The digitized sample values held in digital memory 67 can be used for many purposes. It can be used for any purpose. One common use is in display devices. The sample is used for digital-to-analog conversion from digital memory. A display that allows the analog signal to be read out to the device and visualized It is displayed by the ray device 71. Display device 71 is most commonly a cathode. A line tube display, but other types may be used, such as an X-Y recorder. .

このようなサンプリング装置の多くの用途においては、アナログ波形の連続した サンプルの確かな数、例えば1000のよう々数を知ることが望まれている。そ の場合標的43 、4.5等(第2図)の数を、1回に必要なサンプルの数に等 しくすることができ、各標的はそれぞれ先に述べた回路49のような(第3図) 個別のサンプル−ホールド回路を備えている。複数のサンプル−ホールド回路か らの種々の出力は、折々につけ1つづつマルチプレクサ−ホールド回路63を介 して1つのアナログ−デジタル変換器に供給され、全組が得られた後時間順に各 サンプルをデジタル化する。しかしながら、サンプルの数が多い場合、個々に標 的43.45等を設けると、陰極線管サンプリング装置を物理的に大きくし且つ 高価にすることになる。In many applications of such sampling equipment, a continuous series of analog waveforms is It is desirable to know the exact number of samples, such as 1000. So In this case, the number of targets 43, 4.5 etc. (Figure 2) is equal to the number of samples required at one time. Each target can be configured in a manner similar to circuit 49 described above (FIG. 3). It has a separate sample-and-hold circuit. Multiple sample-hold circuits? These various outputs are passed through the multiplexer hold circuit 63 one by one from time to time. are fed into one analog-to-digital converter, and after the complete set is obtained, each Digitize the sample. However, when the number of samples is large, individual Providing a target such as 43.45 makes the cathode ray tube sampling device physically larger and It's going to be expensive.

そこで予想される連続サンプルの数より少ない数の標的43.45・・・を利用 することが好ましい。このような場合、回路49のような各サンプル−ホールド 回路によって蓄積された電圧ンベルは、電子ビームがその標的上に衝突した後で きるだけ速く回路63(第4図)内の同様のアナログ電圧記憶装置に伝送される 。Therefore, use a smaller number of targets 43.45... than the expected number of consecutive samples. It is preferable to do so. In such a case, each sample-hold like circuit 49 The voltage stored by the circuit is reduced after the electron beam impinges on its target. as quickly as possible to a similar analog voltage storage in circuit 63 (FIG. 4). .

’H圧が一度回路49のよう々特定のサンプル−ホールド回路から伝送されると 、蓄積コンデンサはクリア・パルスを受信することによ逆放電して新たな電圧を 受信するように回路を準備する。この伝送及びクリアは、電子ビームが所定の標 的に再び循環して戻ってくる前に行なわれなければならない。所望の数のサンプ ルが回路63内に蓄積されると、サンプルはアナログ−デジタル変換器65に連 続的に与えられてデジタル化される。勿論、処理の速度を上げるため、複数のア ナログ−デジタル変換器を並列処理するように用いることができるが、とにかく ここで使用されているアナログ−デジタル変換器65の種類は、高品質のもの一 つである。これは、信号のデジタル化の速度は、本システムにおいては重大なも のではないため可能なのである。'Once the H pressure is transmitted from a particular sample-and-hold circuit, such as circuit 49, , the storage capacitor reversely discharges to create a new voltage by receiving a clear pulse. Prepare the circuit to receive. This transmission and clearing requires that the electron beam This must be done before it can be circulated again. desired number of samples Once the samples are stored in circuit 63, the samples are connected to analog-to-digital converter 65. Continuously given and digitized. Of course, multiple applications can be used to speed up the process. Analog-to-digital converters can be used in parallel, but anyway The type of analog-to-digital converter 65 used here is one of high quality. It is one. This means that the speed of signal digitization is critical in this system. It is possible because it is not.

このような構成に代えて、取るべき連続サンプルより少ない標的43.45を用 いる場合、先に述べた回路49のよう々、サンプル−ホールド回路を複数、成る 種のスイッチング機構と一緒に標的導線に設けて、ビームが標的に衝突する毎に 標的を異なるサンプル−ホールド回路に連続的に接続するようにしてもよい。An alternative to such a configuration is to use fewer targets 43.45 than consecutive samples to be taken. If the sample-and-hold circuit is A seed switching mechanism is installed in the target conductor so that each time the beam strikes the target, Targets may be connected sequentially to different sample-and-hold circuits.

いずれの場合においても、標的43.45・・の数は、電子ビームと標的との衝 突毎に発生する電圧が電子ビームの1回転以内に取得され且つ蓄積できるのに十 分なものでなければならない。本発明の種々の特徴を用いる特定の例では、正確 に199個の標的が用いられている。この場合、サンプリング速度は2GHzi で十分である。アナログ信号の1サイクル当シ2個のサンプルが最小の場合、信 号の可能な最大バンド幅はI GHzである。In either case, the number of targets 43, 45... Sufficient voltage is required so that the suddenly generated voltage can be acquired and accumulated within one revolution of the electron beam. It must be worth it. In certain instances using various features of the invention, the exact 199 targets were used. In this case, the sampling rate is 2GHz is sufficient. If the analog signal has a minimum of 2 samples per cycle, then the The maximum possible bandwidth of the signal is I GHz.

標的の数として奇数199を用いると、更に、形状寸法、電子ビームの回転速度 等のいずれも変更せずに最大設計速度より遅いサンプリング速度を選択的に使用 することができる利点がある。サンプリング速度を2倍(a factor o f two) iで下げるためには、最初の電子ビームが掃引する間は2つ回毎 のダイオードが用いられる。残りの交代用ダイオード(alternate d iode)は、電子ビームの2回目の循環掃引において順次使用される。同様に して4倍下げる場合(即ち、最大速度の1/4 (one−fourth)のサ ンプリング速度の場合)、標的列のいたるところの4番目毎の標的からの信号が 用いられる。これらの場合のいずれにおいても、取られるアナログ信号の多数の サンプルは連続している。電子ビームの各回転毎に自動的に、2番目毎、4番目 毎又は所望の倍数毎のダイオードに所望のサンプルが与えられる。これは特定の 数のダイオードが用いられているためである。この数は普通奇数であシ、特定の 所望のサンプリング減少倍数及び電子ビームの回転速度に応じて、199以外の ものも確実に用いることができる。2,10,20,40,100倍等まで最大 サンプリング速度の減少を選択できる能力を得られるのが標準である。If an odd number 199 is used as the number of targets, the geometry and rotational speed of the electron beam selectively use a sampling rate slower than the maximum design rate without changing any of the There are advantages to being able to do so. Double the sampling rate (a factor o f two) i, during the first electron beam sweep, every second diodes are used. The remaining alternate diode (alternate d iode) are used sequentially in the second circular sweep of the electron beam. similarly and lower the speed by four times (i.e., one-fourth of the maximum speed sampling rate), the signal from every fourth target throughout the target row is used. In both of these cases, a large number of analog signals are taken. The samples are continuous. Automatically for each rotation of the electron beam, every 2nd, 4th The desired samples are applied to the diodes for each diode or for each desired multiple. This is a specific This is because several diodes are used. This number is usually an odd number; Depending on the desired sampling reduction factor and the rotational speed of the electron beam, other than 199 You can definitely use it as well. Up to 2, 10, 20, 40, 100 times, etc. It is standard to have the ability to choose to reduce the sampling rate.

ダイオード標的43.45の形状の特定の例では、その幅が0.381 /la n (15m1ls)で円に沿ってそれぞれの間隔が0.127 /ram ( 5mi is)あけられている。電子ビーム27の横断寸法はできる限り小さく なるようにしておシ、一般的に直径が0.127/朔〜0.254/漏(5〜1 ゜m1ls)の範囲内にある。標的ダイオードの電圧出方は、各標的43.45 ・・が幅があるのでその有限幅を電子ビームが横切っている間に生じるアナログ 波形11(第1図)のその部分を積分している。In a particular example of the shape of the diode target 43.45, its width is 0.381/la n (15ml1ls) and each interval along the circle is 0.127/ram ( 5mi is) open. The transverse dimension of the electron beam 27 is as small as possible. Generally speaking, the diameter is 0.127/mm to 0.254/mm (5 to 1 mm). It is within the range of ゜mls). The voltage output of the target diode is 43.45 for each target. ... has a width, so the analog that occurs while the electron beam crosses that finite width That portion of waveform 11 (FIG. 1) is integrated.

本発明の種々の面を特定の実施例について説明したが、本発明が補正された請求 の範囲の全範囲内で保護を受けるものであることが判がるであろう。Although various aspects of the invention have been described with respect to specific embodiments, the invention may be claimed as amended. will be found to be protected within the full scope of the law.

国際調査報告international search report

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1. 電気的アナログ信号を一定の間隔でサンプルする方法において、連続した 閉ループ路の周りに実質的に等間隔で配置された複数の電気的に独立した導電性 素子を含み且つ真空外囲器内にある面の上にある前記閉ループ路の上を一定の速 度で電子ビームを繰シ返し走査する工程と、前記電子ビームが前、記導電性素子 に衝突する間に前記導電性素子の各々が前記電子ビームによって前記アナログ信 号の振幅に比例したレベルまで充電されるように前記面に衝突する前に前記アナ ログ信号によって前記電子ビームを輝度変調する工程と、前記導電性素子の電子 ビーム誘導電圧を個々に記憶する工程とからなり、前記電子ビームの前記閉ルー プ路の方向の横断面寸法が前記閉ループ路に沿う前記導電性素子の区域よシ小さ く且つ前記サンプルが高速度で連続して得られることを特徴とするサンプル方法 。 2 前記電子ビームを走査する工程は、前記電子ビームが前記導電性素子の上を 走査する工程を含み、前記導電性素子の各々は前記導電性素子に衝突する前記電 子ビームの入射電流に応じて増幅された出力電流を発生することを特徴とする請 求の範囲第1項に記載の方法。 3 連続したアナログ信号を周期的な間隔でサンプルする方法において、環状の ビーム路で且つ真空外囲器内の標的面上を一定の速度で横断面が実質的に点の4 寸法の電子ビームを実質的に走査する工程と、前記環状のビーム路内に実質的に 等しい間隔で複数の電気的に独立している導電性素子を位置決めする工程と、前 記電子ビームが前記導電性素子に衝突している間に前記導電性素子の各々が前記 電子ビームによって前記アナログ信号の振幅に比例したレベルまで充電されるよ うに前記アナログ信号によって前記電子ビームを輝度変調する工程と、前記導電 性素子の電子ビーム誘起電圧を個々に記憶する工程とからなり、前記サンプルが 高速度で連続して得られることを特徴とする方法。 4 連続アナログ信号をデジタル化する方法において 真空外囲器内の標的面の 上を連続閉ループ路で横ゝS 断面が実質的に点の寸法の電子ビームを繰り返し走査する工程と、前記閉ループ 路の周りに間隔をあけて複数の電気的に独立した導電性素子を位置決めする工程 と、前記電子ビームが前記導電性素子に衝突している間に前記導電性ビームの各 々が前記電子ビームによって前記アナログ信号の振幅に比例したレベルまで充電 されるように前記アナログ信号によって前記電子ビームを輝度変調する工程と、 前記導電性素子に衝突するときの前記電子ビームの強さに比例した電圧を前記導 電性素子毎に個々に記憶する工程と、前記サンプルのすべてが記憶された後に適 当な速度で前記アナログ信号がデジタル化されるように記憶された前記電圧レベ ルの各々をデジタル信号に変換する工程とがらなり、前記電子ビームは該電子ビ ームが周期的間隔で前記導電性素子の1つに衝突するような速度で走査されるこ とを特徴とする方法。 5、 前記デジタル信号を記憶する工程と、記憶した前記デジタル信号から前記 アナログ信号のディスプレイを再生する工程とを更に付加してなる特許請求の範 囲第4項に記載の方法。 6 前記導電性素子を位置決めする工程は、複数の半導体ダイオード素子を位置 決めすることを含み、前記半導体ダイオード素子のそれぞれが該半導体ダイオー ドに衝突する前記電子ビームの入射電流に応じて増幅された出力電流を発生する ことを特徴とする請求の範囲第3項、第4項又は第5項のいずれか一項に記載方 法。 7 前記アナログ信号の連続して繰シ返される多くのサンフ0ルは、前記電子ビ ームが衝突する前記導電性素子の数を有効量だけ越えて得られることを特徴とす る請求の範囲第1項、第2項、第3項、第4項又は第5項のいずれか一項に記載 の方法。 8 前記導電性素子毎の電圧を個々に記憶する前記工程ハ、サンプル−ホールド 回路の電圧を記憶する工程と、前記電子ビームが次の前記導電性素子に衝突する 前に前記サンプル−ホールド回路からの電圧信号を別のアナログ電圧記憶装置に 伝送する工程とからなり、前記真空外囲器内の前記導電性素子の数より大きな多 数の連続サンプルが前記アナログ信号から取られることを特徴とする請求の範囲 第1項、第2項、第3項。 第4項又は第5項のいずれか一項に記載の方法。 9 前記導電性素子を位置決めする工程は前記閉ループ路の周りに奇数個の導電 性素子を用いており、X番目毎の標的を用いて前記電子ビームを前記閉ループ路 の周りをX回回転させることにより前記導電性素子のすべてを用いて、前記導電 性素子の完全使用を維持しつつ成る用途のためにサンプリング速度を減速するこ とを特徴とする請求の範囲第4項又は第5項のいずれか一項に記載の方法。 10 前記電子ビームが衝突する前記導電性素子の数を適度な量だけ越えて前記 アナログ信号から連続して繰り返される多数のサンプルを取り、更に前記導電性 素子を位置決めする工程は前記閉ループ路の周りに奇数個の導電性素子を用いて おり、X番目毎の標的を用いて前記電子ビームを前記閉ループ路の周りをX回回 転させることにより前記導電性素子のすべてを用いて、前記導電性素子の完全使 用を維持しつつ成る用途のためにサンプリング速度を減速することを特徴とする 請求の範囲第4項又は第5項のいずれか一項に記載の方法。 11 真空外囲器内の一端に配置されて電子ビームを発生し該電子ビームを前記 真空外囲器の他端に向ける電子銃と、前記真空外囲器の前記他端に環状に互いに 近接して配置された複数の電気的に絶縁された導電性素子と、前記導電性素子を 外部の複数の導線に電気的に接続する接続手段と、前記導電性素子の上を所定の 環状路に従って一定の速度で前記電子ビームを繰り返し走査する手段と、アナロ グ電気信号を受信し且つ前記アナログ電気信号の時間的に変化する振幅に応じて 前記電子ビームの輝度を変調する手段とを備え、前記アナログ電気信号は高速度 で周期的にサンプルが行々われ且つ前記サンプルが外部の前記導線に表われるこ とを特徴とするサンプリング陰極線管。 12 前記導電性素子は、それぞれ該導電性素子に衝突する前記ビームの電子の 数を前記導電性素子から流出する電流として増幅することを特徴とする請求の範 囲第11項に記載のサンプリング陰極線管。 13 前記導電性素子の数が199個であることを特徴とする請求の範囲第11 項又は第12項のいずれが一項に記載のサンプリング陰極線管。 14、連続アナログ電気信号をサンプリングするために陰極線管を用い、該陰極 線管が真空外囲器内の標的領域に向かって横断面が実質的に点寸法の電子ビーム を照射する電子銃を備えてなるアナログ−デジタル変換器において、前記アナロ グ電気信号を受信し且つ前記標的領域に衝突する前に前記電子ビームの輝度を前 記アナログ電気信号の振幅の変化によって変調する受信手段と、前記標的領域の 上に、前記アナログ電気信号とは無関係で規則正しく循環する閉ループ・・eタ ーンで前記電子ビームを所定の速度関数により偏向する偏向手段と、前記標的領 域において前記閉ループの周シに連続的に互いに近接して配置された複数の電気 的に絶縁された導電性素子と、前記導電性素子のそれぞれに接読されて前記電子 ビームが最後に前記導電性素子上を通過したときに前記電子ビームの大きさに比 例したアナログ信号を記憶する記憶手段と、前記記憶手段の各々に接続されて電 圧レベルをデジタル信号に変換する変換手段とを備え、前記アナログ電気信号が デジタル化されることを特徴とするアナログ−デジタル変換器。 15 前記アナログ信号を記憶する前記記憶手段は、前記導電性素子の各々に個 別に接続されたサンプル・ホールド回路と個別の蓄積手段へ記憶された前記アナ ログ信号を伝送し且つ前記電子ビームが導電性素子に再び到達する前に前記記憶 手段をクリアする手段とを備えてなり、前記連続アナログ電気信号から取られる 連続サンフ0ルの数が前記陰極線管内の前記導電性素子の数よシ大きいことを特 徴とする請求の範囲第14項に記載のアナログ−デシタル変換器。 16 前記閉ループ・パターン内に位置する前記導電性素子の数が奇数であシ、 前記アナログ信号を記憶する記憶手段は前記閉ループの周りを前記電子ビームが 1回移動する間にX番目毎の前記導電性素子からの前記アナログ信号を記憶する 手段を含み、前記導電性素子と前記アナログ信号を記憶する前記記憶手段の数と は、前記電子ビームが前記閉ループの周りを回るビーム・サイクルのX回目に前 記導電性素子のすべてが利用さ゛れるように決められ、前記変換器のサンプリン グ速度がXの値を変えることによシ変えられることを特徴とする請求の範囲第1 4項に記載のアナログ−デジタル変換器。 17、前記アナログ信号を記憶する手段は1 、2 、4゜10.20.40. 等のいずれかにXを設定する手段を含んでいることを特徴とする請求の範囲第1 6項に記載のアナログ−デジタル変換器。 18、前記デジタル信号変換手段から前記デジタル信号を受信して元の連続アナ ログ電気信号の姿を再生し且つ表示する手段を更に備えていることを特徴とする 請求の範囲第14項、第15項又は第16項のいずれか一項に記載のアナログ− デジタル変換器を備えてなるディスプレイ装置。 19 連続アナログ電気信号を周期的間隔でサンプリングする方法において、標 的面上を一定速度で且つ環状ビーム路に実質的にエネルギ・ビームを走査する工 程と、前記標的面上に前記環状ビーム路に沿って等間隔で複数のエネルギ応答素 子を位置決めする工程と、前記エネルギ・ビームが前記エネルギ応答素子に衝突 する瞬間に前記アナログ信号の振幅に比例した電気量を前記エネルギ応答素子の それぞれが発生するように前記アナログ信号によって前記エネルギ・ビームを輝 度変調する工程と、前記各エネルギ応答素子からの電子ビーム誘導電気量を個々 に蓄積する工程とからなシ、前記エネルギ応答素子の各々が該エネルギ応答素子 に衝突するときの前記エネルギ・ビームの強さに比例した電気量を発生し、前記 サンプルが、高速度で連続して得られることを特徴とするサンプリング方法。 20 連続アナログ電気信号をデジタル化する方法において、標的面上の連続閉 ループ路に沿って横断面が実質的に点の寸法のエネルギ・ビームを繰9返し走査 する工程と、前記標的面上に間隔をあけて複数の独立したエネルギ応答素子を前 記閉ループ路の周りに位置決めする工程と、前記アナログ電気信号によって前記 エネルギ・ビームを輝度変調する工程と、前記エネルギ応答素子に衝突するとき の前記エネルギ・ビームの強さに比例した電圧を各エネルギ応答素子毎に個別に 記憶する工程と、記憶された前記電圧のレベルの各々をデジタル信号に変換する 工程とからなシ、前記エネルギ・ビームが前記エネルギ応答素子に周期的間隔で 衝突するような速度で前記エネルギ・ビームが走査され且つサンプルの全てが記 憶された後に適度な速度で前記アナログ信号がデジタル化されることを特徴とす る方法・。1. A method of sampling electrical analog signals at regular intervals. Multiple electrically independent conductors substantially equally spaced around a closed loop path A constant speed is passed over the closed loop path that includes the element and is located within the vacuum envelope. a step of repeatedly scanning an electron beam at a certain degree; Each of the conductive elements is exposed to the analog signal by the electron beam while impinging on the electron beam. said analyzer before impacting said surface so that it is charged to a level proportional to the amplitude of the signal. a step of modulating the brightness of the electron beam by a log signal; individually storing beam-induced voltages, the closed loop of the electron beam the cross-sectional dimension in the direction of the loop path is smaller than the area of the conductive element along the closed loop path; and the sample is obtained continuously at high speed. . 2 In the step of scanning the electron beam, the electron beam passes over the conductive element. scanning each of the conductive elements with the electrical current impinging on the conductive element; The invention is characterized in that it generates an amplified output current according to the incident current of the child beam. The method described in Item 1 of the Scope of Request. 3 In a method of sampling continuous analog signals at periodic intervals, a circular At constant velocity in the beam path and on the target surface within the vacuum envelope, the cross-section is substantially at four points. substantially scanning an electron beam of dimension; positioning a plurality of electrically independent conductive elements at equal intervals; While the electron beam impinges on the conductive elements, each of the conductive elements The electron beam charges the analog signal to a level proportional to the amplitude of the analog signal. a step of modulating the brightness of the electron beam by the analog signal; a step of individually storing the electron beam induced voltage of each element, and A method characterized in that it can be obtained continuously at high speed. 4 In the method of digitizing continuous analog signals, the target surface inside the vacuum envelope is Transverse the upper part in a continuous closed loop path もS repeatedly scanning an electron beam of substantially point-sized cross-section; process of positioning a plurality of electrically independent conductive elements spaced around a path and each of the conductive beams while the electron beam impinges on the conductive element. are charged by the electron beam to a level proportional to the amplitude of the analog signal. brightness modulating the electron beam by the analog signal so as to A voltage proportional to the intensity of the electron beam when impinging on the conductive element is applied to the conductive element. The process of storing each electrical element individually and the process of applying after all of the said samples have been stored. the voltage level stored such that the analog signal is digitized at a reasonable speed; and converting each of the electron beams into a digital signal. the beam is scanned at such a speed that it impinges on one of said conductive elements at periodic intervals. A method characterized by: 5. Storing the digital signal, and extracting the digital signal from the stored digital signal. Claims further comprising a step of reproducing a display of an analog signal. The method described in section 4. 6 The step of positioning the conductive elements involves positioning a plurality of semiconductor diode elements. determining that each of the semiconductor diode elements generates an amplified output current according to the incident current of the electron beam impinging on the The method described in any one of claims 3, 4, or 5, characterized in that Law. 7. Many consecutively repeated samples of the analog signal are the number of conductive elements with which the beam collides is exceeded by an effective amount. Claims 1, 2, 3, 4, or 5. the method of. 8. The step of individually storing the voltage for each conductive element c. Sample-hold storing the voltage of the circuit and the electron beam impinging on the next of the conductive elements; before converting the voltage signal from the sample-and-hold circuit into another analog voltage storage device. transmitting a plurality of electrically conductive elements greater than the number of electrically conductive elements within the vacuum envelope. Claim characterized in that a number of consecutive samples are taken from said analog signal. Section 1, Section 2, Section 3. The method according to any one of paragraphs 4 and 5. 9. The step of positioning the conductive elements involves positioning an odd number of conductive elements around the closed loop path. The electron beam is directed to the closed loop path using every Xth target. using all of the conductive elements by rotating X times around the conductive Slowing down the sampling rate for applications that maintain full utilization of the The method according to claim 4 or 5, characterized in that: 10 The number of conductive elements that the electron beam collides with is exceeded by an appropriate amount. Take a number of consecutively repeated samples from the analog signal and further The step of positioning the elements uses an odd number of conductive elements around the closed loop path. and the electron beam is rotated around the closed loop path X times using every X target. By rotating all of the conductive elements, complete use of the conductive elements can be achieved. characterized by slowing down the sampling rate for applications consisting of maintaining A method according to any one of claims 4 or 5. 11 Placed at one end of the vacuum envelope to generate an electron beam and direct the electron beam to the an electron gun directed toward the other end of the vacuum envelope; a plurality of electrically insulated conductive elements arranged in close proximity; connecting means for electrically connecting to a plurality of external conductive wires; means for repeatedly scanning said electron beam at a constant speed along a circular path; receiving an analog electrical signal and responsive to a time-varying amplitude of said analog electrical signal; means for modulating the brightness of the electron beam, wherein the analog electrical signal is transmitted at high speed. periodic samples are taken at and the samples appear on the external conductor. A sampling cathode ray tube characterized by: 12 The conductive element is configured to absorb electrons of the beam that impinge on the conductive element, respectively. Claims characterized in that the number is amplified as a current flowing out from the conductive element. 12. The sampling cathode ray tube according to item 11. 13. Claim 11, characterized in that the number of the conductive elements is 199. The sampling cathode ray tube according to item 1 or 12. 14. Using a cathode ray tube to sample continuous analog electrical signals, the cathode An electron beam whose cross section is substantially point-sized toward a target area within a vacuum envelope. In an analog-to-digital converter comprising an electron gun that irradiates the analog receiving an electrical signal from the electron beam and adjusting the brightness of the electron beam before impinging on the target area; a receiving means for modulating the analog electrical signal by a change in amplitude; On top of that, there is a closed loop that circulates regularly independent of the analog electrical signal. a deflection means for deflecting the electron beam at a predetermined velocity function; a plurality of electric currents arranged successively close to each other around the circumference of the closed loop in the area; a conductive element that is electrically insulated; compared to the size of the electron beam when the beam last passes over the conductive element. storage means for storing the analog signal, and a power supply connected to each of the storage means; and a conversion means for converting the pressure level into a digital signal, wherein the analog electrical signal is An analog-to-digital converter characterized in that it is digitized. 15. The storage means for storing the analog signal individually stores the analog signal for each of the conductive elements. The sample and hold circuit connected separately and the said analyzer stored in separate storage means. transmitting a log signal and storing the log signal before the electron beam reaches the conductive element again. and means for clearing the continuous analog electrical signal taken from said continuous analog electrical signal. characterized in that the number of consecutive samples is greater than the number of conductive elements in the cathode ray tube; 15. An analog-to-digital converter according to claim 14, characterized in that: 16 the number of conductive elements located within the closed loop pattern is odd; A storage means for storing the analog signal is arranged so that the electron beam passes around the closed loop. storing the analog signal from every X conductive element during one movement; the number of storage means for storing the conductive elements and the analog signal; is before the Xth beam cycle in which the electron beam revolves around the closed loop. It is determined that all of the conductive elements are utilized and a sample of the transducer is Claim 1, characterized in that the speed of scanning can be changed by changing the value of X. The analog-to-digital converter according to item 4. 17. The means for storing the analog signal is 1, 2, 4°10.20.40. Claim 1, characterized in that it includes means for setting X to any one of Analog-to-digital converter according to item 6. 18. Receive the digital signal from the digital signal conversion means and convert it into an original continuous analyzer. It is characterized by further comprising means for reproducing and displaying the appearance of the log electric signal. The analogue according to any one of claims 14, 15, or 16. A display device equipped with a digital converter. 19 In a method of sampling continuous analog electrical signals at periodic intervals, standard A technique for scanning an energy beam substantially over a target surface at a constant speed and in an annular beam path. and a plurality of energy responsive elements are arranged on the target surface at equal intervals along the annular beam path. positioning the child and causing the energy beam to impinge on the energy responsive element; At the moment when the energy responsive element shining the energy beam by the analog signal such that each The process of modulating the electron beam intensity and the amount of electricity induced by the electron beam from each energy responsive element individually. and a step of accumulating energy into the energy responsive element. generates an amount of electricity proportional to the intensity of the energy beam when it impinges on the A sampling method characterized in that samples are obtained continuously at high speed. 20 In a method of digitizing continuous analog electrical signals, continuous closed Repeatedly scanning an energy beam of substantially point size in cross-section along a loop path nine times and placing a plurality of independent energy-responsive elements spaced apart on the target surface. positioning the closed loop path around the closed loop path; intensity modulating the energy beam and upon impingement on the energy responsive element; A voltage proportional to the intensity of the energy beam is applied to each energy responsive element individually. storing and converting each of the stored voltage levels into a digital signal; During the process, the energy beam strikes the energy responsive element at periodic intervals. The energy beam is scanned at such speed that it impinges and records all of the sample. The analog signal is digitized at a moderate speed after being stored. How to do it.
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