JPS5947388A - 有機金属化合物アダクトの製法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

本発明は化合物半導体材料の製造に使用され得るアダク
トの製造に係る。 化合物半導体材料、たとえば砒化ガリウム、燐化インジ
ウム、燐化ガリウムおよびテルル化カドミウム水銀のよ
うな材料は、たとえばマイクロ波オシレーク、半導体発
光ダイオードおよびレーザーならびに赤外線検出子のよ
うな電子工業的用途を有する周知の材料である。 従来、この種の材料は気相エピタキシ（ｖｐｇ）法によ
り一般に基板結晶上に１つ以上の活性層を形成させて作
られている。 弐　　ＭＡＱＡ 〔式中、ＭＡは第量族の元素てあり、ＣンＡＩｊＪ、第
Ｖ族の元素である〕 の化合物半導体を、ＶＰＥ法により元素１％４　Ａのト
リアルキル化合物と第Ｖ族の力６塁ＣすＡの気体化合物
たとえば水素化物とを反応さけることによりυり造する
方法ｅよ以前から知られていた。この方法ｔ１、たとえ
ｔｉ：　Ｇａ（Ｃ１１ａ　）　ａおよびＡＲＪＩ、から
ｈｌｌ、化ガリウムを製造するための好適な方法である
。 本発明砿璽族金Ｉｉ　ＭＡのトリプル１ル類の製造に適
した新規な方法を提供′ノ゛る、 ＭＡカＩｎ　テ；Ｊ＞　Ｆ）、Ｑ７５ＥＰである場合、
　１ｎ（ＣＩＩＲ）ｓとＰＨ８との反応において望ま［
７〈ない不揮発性の１（合体が生成される。この間％”
ｔ　を解決するた入“）に門−■族半導体化合物の別の
製法を探５１．“ノる必要が生じた。 極〈最近、燐化インジウムの４ｉ）合望ましくない重合
体の生成を避ける１つの方法が開発され、そしてこれが
第１−Ｖ族化合物の製造の際に使用されている。ＭＡと
ＱＡとのトリアルキル化合物のアダクト（配位錯体）、
すなわち式 ％式％（） 〔式中、ＩｌＡおよびＲＢは金属アルキルであり、ｘ＝
３である〕 のアダクトたとえば（ＣＨ３）８Ｉｎ−Ｐ（Ｃ２Ｈ５）
８　および（Ｃ）Ｒ８）　８　Ｉｎ　’Ｎ（Ｃｓｉｉ（
５）　８　が合成されている。これらアダクトは所要の
半導体材料に到る好適な合成ルートを与える。何故なら
、（１）これらは不活性の無水環境において極めて安定
であり、（１１）昇華またはゾーンｆｉ’ｌ製によシ容
易に精製することができ、かつ（ｍ）常圧にて単独でま
たは第Ｖ族水素化物の存在下で熱分解して所要の半導体
材料を生成しうるからである。 本出願人による英国特許出願第８２３３１２１号に於い
ては、式 ％式％） 〔式中、Ｍｌは第■族またｉｊ、第ｒ４族の金Ｆｉ元素
であり、Ｑは第■族または第Ｖ１族の元素であつ−τ−
Ｍ”と結合して所要の化合物？ＩＬ導体を生成″ｊるこ
とができ、（Ｉｔつ。および（−）ｙ＆Ｊ、それぞＩｔ
、　ｉｆｊ＋ｈに同一または異なる基で才）る複数の有
機基を示し、ＸはＭｌの原子価に等しい整数を示し１、
ｙはＱの原子価に等しい整に（を示し、Ｚは１！ｌ。 たは２に等しい整数を示す〕 のアダクト（これは化合物半導体へ変換するのに適した
ものである）を製造するに際し、式Ｍｌ（Ｒ１）ｘ−Ｌ
の先駆体アダクトを化合物Ｑ（ｔζ５つ。 と反応させ、この先駆体アダクト１よ化合物半導体へ変
換させるのに適する所要のアダクトよりも安定性が小さ
く、上記式中りはＱ（Ｒ’）ｙ　よりも揮発性の（及び
通常は電子供与性が小部い）基です）ることを特命とす
るアダクトの新規な製造方法が記載されている。 ｘ＝３であれば、ｙ＝３かつｚ＝１である。Ｘ＝２であ
れば、ｚ＝１または２かつｙｚ＝２である。 本発明はまた、先駆体アダクトとして使用され得るアダ
クトを製造するための適尚な製法を提供する。 本出願人による英国特許出願第８２３３１２１号は、式
％式％１） 〔式中、ＭｌはＩ族又はＩ族の金属元素、（妃）Ｘけ各
々同じか又は異なってもよい複数個の有機基例えばアル
キル基、 ＸはＭｌの原子価に等しい整数 である〕 で示される有機金属化合物のアダクトの製法を水開示し
ており、該製法では、下記の成分Ａ、Ｂ及びＣ Ａ：有機金属化合物Ｍ”（Ｒ１）。 〔式中、Ｍ２は原子価Ｖの金！１元素〕Ｂ：比較的多是
のアニオン及びカヂ」ンを−りえるイオン化し易い支持
ｔｉ、解ａ例えば過塩素酸フトラエチルアンモニウム、 Ｃ：成分人及びＢの双方の溶媒たる極性非ゾロトン性液
体好ましくｅ」、ナト２ヒ１口フランを含む溶液を 金属Ｍ１から成る消耗陽極を使用し、て箪Ｍ−Ｊる。 該方法に於いて金Ｊ／？４Ｍ”はインジワノ・、ガリウ
ム、カドミウムから成るグループからり８択されてお・
す、金属Ｍ２はＭｌよりも陽性の金（”慝であり、Ｂｉ
’　ｉｌ−好ましくはマグネシウムである。 英国特許出願第８２３３１２０−弓に記載の７ダクトの
製法はすぐれた方法ではあるが、成る釉の欠点を残して
いる。第１に支持ηｉ、ｏ’ｒ″／）ｊ、成分Ｂが必リ
ヤであシしかもこれは安価な物質ではない。 該成分は使用中に分解するので時々交換する必要がある
。第２に、極めて低い電流しか使用し得ないので有用量
の生成物を得るためには極めて長い反応時間を要する。 第３に、ＭｌがインジウムでＭ２がＭｇであるとき最初
は所望通９Ｍｇが陰極に析出する。しかし乍ら電解が進
むとインジウムが析出し始めそれ以上のアダクトがもは
や生成されない定當状態が出現する。このため収率が低
い。 第４に、Ｍ′２　　がマグネシウムでＲ１がメチルであ
るとき化合物Ｒ１、Ｍｇを電解装置に移す前に別の容器
で単離し精製する必要がある。 本発明の１つの目的は、前記の如き欠点を持たない改良
されたアダクトの製法を提供することである。 本発明の別の目的は、ラジカルフリー金属トリアルキル
ＭＡ（Ｒ１）、に転換するのに適したアダクトの製法を
提供することである。 本発明によれば、式 ％式％［１） 〔式中、八１はインジウム又１＝＋、ガリウノ・（Ｒ１
）８ｔｊ、名々回じか又＃−，Ｌ　玖ｆ、）　−１）°
（イー（モ、ｔ、い複数個のイー１機基を示ｊ　１１ で示される有機金！１化・ｆｉ物の〕′ノ・クト苓づ１
・・（→１ｚセノ、ために、成分１とし゛Ｃ１イ也り、
１」のハロゲン化；ｆｉ　Ｃ’Ｑマグネシウノ・化合物
ＩＣ”ＭｇＸ　Ｃ式中１．ｌ（＋、ＩＣ／、山及び工か
ら選択されたハラーｆ１°基てあシ、ｔ＋１４；ｌ、（
Ｒ１）８に含まれる基の１つを示−Ｊ゛Ｊと成分２とし
て成分１の溶媒たる１市性非プロトン１１１゜液体とを
含む溶液を 金九Ｍから成る消耗陽極を使用しし電解する方法が提供
される。 好゛ましくは電解される溶液が史に第３成分として、ｌ
　ｑｘｕ以上の有機ハロゲン化物１（、’ＡＡ＋、人中
、■も”ＩＪ、（■也１）８に含まれる基の１′）Ｔ：
を）り入戸、ｊρＩましくはＸと回じハライド基である
〕たる成分３を含む。成分３は好ましくは過５Ｐ１１′
Ｊｉｉ：で含まれる。 成分３が使用される場合、極性非プロトン性液体たる成
分２は成分３の溶媒でもある。 成分３は厳密には反応の達成に必須ではないがＭｇの収
量に対するアダクトの収量を増加し得る。 Ｍｇが陰極に析出すると、再溶解して過剰の有機ハロゲ
ン化物ＲＩＸＡの存在中でより多くの有機マグネシウム
ハロゲン化物が生じ得る。 本発明の方法に於いて基Ｒ１は例えば置換又は未置換の
アルキル又はアリール基であり得る。 基Ｒ１は好ましくは炭素原子１乃至７個を有するアルキ
ル基特にエチル又はメチルである。 打着しくは複数個の基１ζ１は同じ基である。 好ましくは化合物Ｒ”　ＭｇＸ 〔式中、Ｘは好ましくはヨウ化物又は塩化物、Ｒ１は好
ましくはメチル又はエチル〕 はエーテル性溶媒中のマグネシウム懸濁液に過剰証のＲ
ＩＸを添加することによって縦枠形で得られる。 好ましくは成分３は塩化メグ−ル又はヨウ化メブルであ
る。 好ましくけ、成分２中の成分１の濃度ＩＪ、（１，（，
１１乃至５モル／１．更に好ましく番１、（）１乃至２
士ル／ｌである。 極性非プロトン性液体たるル゛・Ｌ分２１：Ｊ−＃、　
Ｔの溶婢。 （又はその混合物）から選択さ１−Ｔｒ）る。 テトラヒドロフラン、ジメキリン、Ｎメヂルビ゛ロリト
ン、ジエチルニーデル、ジーｎ−−Ｊ’ロビルエーテル
、９−ｎ−ブチルニーデル、ジ−ｎ−ペンチルニーデル
、ジ−イソベンブールエーテル、ア＋トニトリ／ｌ、、
ニトロメタン、ノ゛ロ１″ルンカーホオート、ジフエニ
Ａ・ニーデル、及びアルキル基に炭素原子１乃至７個を
有するフェニルアルキルご一チル類例えばアニソール。 本発明方法により形成される１タクトが、英国特許出願
第８２３３１２１号にＭｌ刊５（の方法により化合物半
導体に分解するのに適したより安、定なアダクトに転換
される先駆体アダクトとして使用される場合、先駆体ア
ダクトは好ましくは極性非プロトン性液体としてテトラ
ヒドロフラン（ｔｂｆ）　　ヲ用いて形成されておシ、
アダクトは好ましくは、ｔｈｆとトリアルキルインジウ
ム又はガリウム特にトリアルキルインジウムとの１：１
アダクトである。 前記の如く式Ｍ”（Ｒ”）ｘ、　Ｑ”０Ｌ８）、で示さ
れる化合物Ｍ”（Ｒ１）ｘのアダクトは公知であシ、化
合物半導体ＭＩＱＩに分解するためにはベース化合物Ｍ
ｌ（Ｒ１）。 よシ好ましい。しかし乍らこれらのアダクトは従来、ベ
ース化合物Ｍｌ（Ｒ１）ｘから直接製造されておシ、し
かもこのベース化合物は前記で指摘した如く製造が難し
い上にコストが高く比較的危険でさえある。 前記の如く英国特許出願第８２３３１２１号に記載の方
法は式Ｍ１（Ｒ１）ｘ、Ｌ 〔式中、ＬはＱ”（Ｒ，）！よりも揮発性のく通常Ｖよ
１［了供与性が小さい）基である〕 の先駆体アダクトから前記のアダクトＭ’（ｔ；ｔ０８
゜Ｑ’（Ｒ８）Ｘを得るためのルートを提供してたり、
これによυ化合物Ｍｌ（Ｒす、を使用（７ないという利
点が得られる。 本発明は、先駆体アダクトＭ’津り、、Ｌ［式中へ１１
はｉｎ又はＧａでありＸは３である］を製造するために
化合物Ｍｔ（ｌｔｌ）ｘを中間使用１７なくてもよく化
合物Ｍｌ（Ｒ１）Ｘの製法よりも［ｌｈ、甲で安価な予
想外の方法を提供する。更に、本発明の方法は英国特許
出願第８２３３１２０＠の方法が示す欠点を有していな
い。 即ち、支持電解質が不要で才）不、λ、り大へいＮｎ、
ｆ’＋Ｙ電流を使用しよシ高い収率がＥＪ能でオ）る、
以後の電解に使用される槽内で出発ダリニアール試票を
調製し得る。 グリニアール試薬の使用を含む電解方法は有機金属化合
物の製造のために従来から使用されている。 しかし乍ら、前記の如き方法の目的は、テトラエチル鉛
の如き金属アルキル類自体（ラジカルフリー金属アルキ
ル類）を直接製造することであシ、アダクトの製造では
なかった。 製造されたことはない。しかし乍ら前記の如くＧａ及び
Ｉｎの如き金属を含む半導体化合物の製造には金属アル
キル類自体の形成及び使用を避けるのが好ましい。意外
にも本発明方法によれば前記の如き金属アルキル類自体
の直接生成を避けることができ代シに所望のアダクトを
得ることができる。 従来は成る種の金属アルキル類の７ダクトハグリ二アー
ル試薬を使用する非電解的方法によって製造されていた
。しかし乍ら本発明の電解的方法は前記方法よりもすぐ
れた方法である。例えば、造されていた。しかし乍らＧ
ａＣ：ｌｎは空気感受性であり予備合成を要するため、
プロ・七スの製造ステップが１つ増える。同様に従来は
Ｍｅｌｌｎｊｉ；ｔ２０も製造されたがこの場合塩化イ
ンジウムは本発明方法で使用され得るインジウム線はど
取扱い易くない。 前記の如く成る場合には半導体化合物の製造中に金属ア
ルキル類自体例えば］・リメブルインジウムの使用を避
けるのが好ましいが、必要ならｔＸ前記の如きラジカル
フリー化合物の製造が適当であろう。例えば前記の如き
化合物１１：Ｌ、　既存の方法で使用するため及び／又
は高＃’１１度、ｐｊ／、、：、、ｆｙ体生成物３．、
　ｊ：Ｈえるために特に必要であろう。この場合、本発
明方法によ夕製造されたアダクト（ｉ、Ｌ適旨な転換ル
ートを与える別のステップによってＲ［要のラジカルフ
リー金属アルキルに転換され得ることが知見された。 第１例としてアダクトＩｎ（ＣＨ，）８．Ｅｔ、０〔式
中、Ｅｔ　＝エチル〕はベンゼン添加後の蒸留によって
フリーなＩｎ（ＣＩ４Ｂ）ａに転換され得る。 第２例としてアダクトＧａ（ＣＨｇ）ａ　、　Ｉｐ、０
〔式中、Ｉｐ＝イソペンチル（３，３−ジメチルプロピ
ル〕別蒸留することによって形城毎事、ラジカルフリー
Ｇａ（ＣＨ３）３に転換され得る。 第３例としてアダクトＧａ（ＣＨ３）　、Ｅｔ、０を使
用してＧａ　（ＣＨ３）　３．　Ｉｐ　、０を形成し、
次に真空排気によって揮発性不純物を除去し次に英国特
許出願第８２１８８２０号に記載の如く分解温度より高
温に加熱してアダクトを解離し得られた混合物を分別す
る。 概してラジカルフリートリアルキルガリウムの製造が必
要な場合、以下のｇ’：Ａ′ｆ）＜が好１．＜便用され
る。 ステップ　ｌ　ニ トリアルギルガリウムと前記に挙り゛た済媒の１種７す
るエーテルとのアダクトを、成分２即ら極イＪＩ：非プ
ロトン性液体として適当なニーデルラジカルとトリアル
キル基を与える適当なグリニヤール試薬とを使用して本
発明の取カ了方法により形成Ｊる。 エーテル自体の沸点がトリ１ルキルガリウムのｖ１！点
よりも５０℃以上好ましく　ｔ、＋、Ｊ、　００　”Ｃ
以上高いときは゛アダクトをステップ３で直接に使用＋
−ｉ°↑る。 ニーデルの沸点がトリアルキッド゛１リウムのθｒ１点
」、９５０℃以上高くないとき？、Ｊ、ツカ・りｌを先
うスｉソゾ２で使用゛Ｊる。 エーテルが比較的揮弗性のとき１１」らエーブルの沸点
がトリアルキルガリウムの沸点よ９５０℃以上高くない
ときはステップ３で使用するために低揮発性の適当なエ
ーテルを（好ましくは過剰に）アダクトに添加してラジ
カル交換を生起し、アダクトのエーテルラジカルを前記
の如き低揮発性のエーテルラジカルでＲ換する。 ステップ　３　ニ ステップ１又はステップ２で得られたアダクトを必要に
応じて処理し揮発性不純物を除去する。 このためには、好ましくは例えば室温で真空排気するか
又はアダクト分解温度よ、ｐ２０’ｃ乃至１２０℃低い
温度に加熱する。 ステップ　４　ニ ステップ３で精製されたアダクトと次にアダクトの解離
温度に加熱しラジカルフリートリアルキルガリウムを形
成する。これを英国特許出願第８２１８８２０号に記載
の分別蒸留により分離する。 本発明による電解グリニヤール法ＩＪ、ラジカルフリー
ガリウム及びインジウムイ］他金Ｐｇ化合物例えばアル
ギル類を直接生成しないので、このようなラジカルフリ
ー化合物が必要な１μ４合にｔ」、−見Ｌ７た処適切な
方法ではないかに見える。 しかし乍ら例えはステップ１乃至４（又は適当な場合ス
テップ１．３乃至４　）　ＳＸ含む全プロセスがラジカ
ルフリートリメチルガリウムへのルートドじて使用され
るならば該化合物が極めて高純度で有利に製造され得る
。 従来のルートで製造される場合トリメデルガリウムは通
常、適当な純度レベルｅ　（４）るための追加処理を必
要とする。従って、実際い−ノ゛ロセス０、必要なラジ
カルフリー化合物（又Ｖ」、ζ（４彎な先駆体゛アダク
ト又は必要な場合にはそれから形成されるアダクト）を
得るための有効なルート？ｒｔｑｊ供−ノる。 本発明の実施態様を以下のいくつかの実施例に基いて説
明する。 以下の実施例に於いて実施例１．２は以後のいくつかの
実施例で使用されるハロゲン化メチルマグネシウムの予
備製造例であｐ、実施例３乃至６及び１１．１２．１４
．１５は本発明を実施する方法の例であり、実施例８乃
至１０．１３及び１８乃至２２は本発明方法によシ得ら
れた生成物の使用方法の例である。 以下の実施例に於いて、使用された全ての化学薬品及び
溶媒は標準方法により予め乾燥され精製された。電気化
学的製造操作は全て、酸累非含有の乾燥窒累の雰囲気中
に於いて、水凝縮器と白金陰極とインジウム又はガリウ
ム陽極とを備えた三首フラスコを用いて行なった。電源
として５ｏｌａｒｔｒｏｎ　Ｖａｒｉ　−Ｐａｃｋ、　
Ｍｏｄｅｌ　ＳＲ８１５３（登録商標）を用いた。 実施例１　　塩化メチルマグネシウムの予備製造実施例
３乃至７に使用する塩化メチルマグネシウムの溶液を以
下の如く製造１１．た。 マグネシウム屑片（３，０り、（）１２モノし）を含む
テトラヒドロフラン（２５０ｍｌりの担拌懸洞液Ｇてイ
・・、体塩化メチルを徐々に吹込んだ。数Ｆｉｇのヨウ
素看使用して塩化メチルとマグネシウムとの間の反応を
開始した。反応混合物が外部加熱無＜　、；１１５流１
°Ｃ沸騰するように塩化メチルの添加速度をＲ”ｌ整り
、　７’ｔ、　。 マグネシラノ・が完全に消ｔｔされたとき塩化メチルの
添加を停止した。この段階で反応混合物＆：ｊ、過ｑｉ
ｌ量の塩化メチルを含んでいた。 実施例２　　：Ｉつ化メチルマグ：Ｆ、シウムの予（６
ｆｔ　り！’！造 実施例１１及び１２で使用”〕−るヨウ化メメチマグネ
シウムの溶液を以下の如＜ン（巡した、マグネシウム屑
片（ｓ、ｏｒ、（１，３３モル）　ｋｌｒジエチルニー
デル（４ｔ）（＞ｍ／！　）のＪ：ｊ、打１％ｉｉ　７
ＩＩｉｉ液ニ曹つ化メチル（４０ｍｌ、　　０．６４モ
ル）を滴下した。反応混合物が外部加熱無しに還流下で
沸騰するようにヨウ化メチルの添加速度を調整した。マ
グネシウムが完全に消費されたときヨウ化メチルの添加
を停止した。この段階で反応混合物は過剰量のヨウ化メ
チルを含んでいた。 実施例３　　過剰量の塩化メチルを使用したトリメチル
インジウムテトラヒドロフラ ン（ｔｈｆ）アダクトの電解製造 実施例１に記載の如く製造した過剰塩化メチル含有の塩
化メチルマグネシウムのテトラヒドロフラン溶液を、ｐ
ｔ陰極（ＩＸＩＣｒｎ板）とインジウム線消耗陽極とを
使用し室温（２０℃）で電解した。２０乃至５０Ｖの電
圧を印加し１２０乃至１５０ｍＡの電流を与えた。５．
６６Ｆのインジウム線が消費されるまで反応を継続した
。陰極に金属は析出しなかった。 混合物を１過し

【１汀を減圧下で除去した。これｆニー
４９６℃トラップ中へ減圧−「に凝縮さＨイの間蒸留容
器を６０乃至１００℃まで加熱ずみことに、しり残留塩
化メヂルマグネシウノ・からｆｒｌを粋な液体生成物を
分前した。（収率５５係ｌ′Ｊ至７９係）。 生成物を以下の方法により１′へ査した。 （１）ＰＥＩも１２Ｆ３（登録量（・・１う）装釘に６
０〜ＩＩＩＺにて記録されるＩｎ核磁気共１１０（曲＋
ｒ）ス啄りトル； １ｔ）ｐＩ号　５７７（登録商標）装Ｗ４″に於い−て
コ゛２化ｉ・シウム板間で薄層フ・ｆルノ、、ｉ＝＋７
ヌー／？円−ル／、ルを用いてＲＹＥ録される赤夕１．
１．Ｖｆｉ、　ＩＩ！ス啄りｉ　７ｔべ（ｉｆ：）　　
ＶＧ　Ｍｉｃｒｏ＋ｒ＋ａｑｓ　１２　（＋？、ｆ’￥
ｉｊ旧空）　％　ｋ：ノ唸光析泪で測定されるガト；ス
ペクトル。 得られた結果を以下の表１　）’ｇ＋’；　３に示す。 全ての値は外部ＴＭ８（テトラメチルシラン）に対する
値である。 略記号：Ｓ−シングレット、ｔ＝ニトリプレットｍ＝マ
ルチプレット。 表２：実施例３の生成物の赤外吸収スペクトルＩｒ　　
ｍａｘ　：　（ｚ−１ ２９６０ｖｓ、　２９１０ｖｓ、　２１（ＦＩＯｖｓ、
　２８４０ｖｓ（ｓｂ）。 ２２７０ｗｗ、　１４６０ｍ＋１３６５ｗ、　１３４０
ｗｗ＋　１２９０ｗｗ＋１２４５ＹＷ、　１１８０Ｗ、
　１１５０ｍ、　１０７０ｓ（ｓｈ）、　１０５（ｌｖ
ｓ（ｓｈ）。 １０４０ｖｓ、　９１５ｍ、　８ＲＯｓ、　８４０ｗ（
ｓｈ）、　６８０ｖｓ（ｂｒ）。 ６７０　ｓ　（ｂ　ｒ　）＋　５１５　ｖｗ　（ｓ　ｈ
　）　＋　４８５　ｖ　ｓ　。 弄２に使用された略記号：ｖＷ−極めて弱い、Ｗ＝弱い
、ｍヨ中庸、Ｓ二強い、ｖＳ−極めて強い、ｓｈニジ田
ルダ、ｂｒ＝広い、ｉｒ＝赤外、ｍａｘ＝吸収最大値。 表３：実施例３の生成物の質量スペクトルｍ／ｅ（固体
プローブ）　：　７１　〔ＣａＨ７０］”　７２［Ｃｄ
（ｓｏ　３”　１１５（Ｉｎ）”１３０［ＭｅＬｎ’）
　１４５［Ｍｅ２１ｎ〕＋１６０［Ｍｅ３Ｉｎ）”　（
ｓ＝７０℃、　Ｉ＝１５ｅＶ）略記号：Ｓ＝ソース温度
、■−′−イオン化エネルギー、ｔｎ／　ｆｓ−負惜　
電荷比（アサインメント　）　。 実施例４　　過剰用のノ・ロゲン化アル・Ｖ・１ｋ・ｒ
ｉ荘さぜないトリノブルインジウムブ！・ ラヒドロフラン（ｔｂＱフダク４の′「−ｊ解製造 実施例１の如く製造された溶液を蒸発乾固１．で得られ
た固体塩化メチルマダイ・ンウノ、　（３，ｆｌり）ｆ
：ｔｈｆ　（１００ｍｇ　’）に溶解１７混合％＋を実
施例３にｈ１゛、載の如く電解した。５０■のη電圧を
印加［７）１＋人１・（。 流６（ｌｒｎＡを力えた。反応進行中、陰極に°マグネ
シウムが析出し２．　（ｉ　Ｐのインジウノ、線が消％
貞１１た。 実施例３に記載の方法で紗枠な液体生成物Ｉｒ＋　（Ｃ
ｌ５）３．　ｔｈｆが９１′）らＪまた。 実施例５１・リメチルガリウｔ、　ｔｈｆ　Ｕタフ１（
））電Ｍ製造 実施例３に使用のインジウム陽極を温度７０℃　　。 に加熱したガリウムプール陽極に代えて実施例３と同様
に処理した。反応中、混合物を連続的に攪拌した。 最初に４０Ｖの電圧を印加して２５ｍＡの電流を与えた
。反応ｆ：、２４時間継続した。この間、電流は印加電
圧２０Ｖで１４０　ｍＡまで上昇した。 実施例３と同様のプロセスで液体生成物Ｍ　ｅ３　（’
１ａ（ｔｈｆ）を得た。 実施例５の生成物を次の方法により検査した。 （＋、）　　ＰＥ　Ｒ，１２Ｂ（登録商標）装置で６０
　Ｍ　、Ｈｚにて記録した　ＩＨ核磁気共鳴（ｎｍｒ）
スペクトル；（ｉｌ）　　ＰＥ　５７７　（登録商標）
装置にＣｓＩ板間の薄層フィルムを用いて記録した赤外
吸収スペクトル； （ｆｉｉ）　　ＶＧ　Ｍｉｃｒｏ＋ｎａｓｓ　１２（登
録商標〕質量分打詭震計で測定される質量スペクトル。 得られた結果を以下の表４乃至６に夫々示す。 表４：実施例５の生成物の１１１曲１！スベクトハδ（
１１，）、ｄ６インゼン中：　３．６（ｔ、４１１．’
−：ＩＩ、（シＩＩ、ＣＩｌ、ＣＬＩ、０３［”−−”
−’　　　　　−＋ １６（口１，４１１．（’ＩＩ、（ｒ１１２（’１１．
（シ１１２（１）（１３（Ｓ　、　９［１、ｌａ　（Ｃ
ＬＩ、　）ｘ　）（δニア、３δでのベンゼンのメブン
ト＋５子＆ξ対ｊ７）値）。 略記号：Ｓニアシングレット、ｌ＝ｌ・リブトツ１ｍ＝
マルチプ１ノット３． ２９ＦｌＯｍ＋　２９４（’ｉＳ、　２８９（１ｍ、　
１４５０ｗ、　　Ｊ３６５ｖｔｖ。 １３４０ＶＷ＋　　１２５１）ｖｗ（ｂｒ）、　　１１
９（１ｍ、　　１（１６（ｈｖ（ｂｒ、ｓｌ＋）。 １０３０Ｓ＋　９１５ｗ、　８７５ｍ、　７４０ｓ（ｓ
ｈ）、　７２０Ｓ、　６７ｏｗ＋５８Ｑｖｗ（ｓｂ）、
　５５０ＶＳ　、　５１５ＶＷ略記号：ｖｗ＝極めて弱
い、Ｗ・−弱い、ｍ　＝：＝　ｒｉ　１１ｉ１、Ｓ＝強
い、ｖｓ、４Ｆｉめで％い、１）＋７広い、ｓｈ　＝　
シｑ　／ｌ／ダ、１ｒ＝−赤夕＋　＋Ｖ：ａ、ｍａＸ：
吸収最大値。 表６：実施例５の生成物の質量ス啄り１・Ａ・ｍ／ｅ（
パッチインレット）； ６９／７１［Ｇａ〕”　７１（Ｃ４Ｈ７０〕＋７２［Ｃ
４１（８０〕”８４７８Ｇ［ＭｅＧａ］＋９９／］０１
［Ｍｅ２Ｇａ〕”　１１４／１］、６［Ｍｅ３Ｇａ）”
１４１／１４３［Ｇａ、ｔｈｆ）＋　１７１．／１７３
［Ｍ、ｅ２Ｇａ、ｔｈｆ］＋　（ｓ＝９０℃、Ｉ＝ｉ５
ｅＶ）略記号；Ｓ＝ソース温度、■＝イオン化エネルギ
ー、ｍ／ｅ−質賛；電荷比（アサインメント　）　。 実施例６　　トリエチルインジウムｔｈｆアダクトの電
解製造 実施例３に使用した過剰景の塩化メチル中の塩化メチル
マグネシウムに代えて過剰塩化エチル中の塩化エチルマ
グネシウムを使用し実施例３と同様に処理した。 実施例ア　　トリエヂルガリウムｔｈｆアダクトの電解
製造 実施例６のインジウム陽極を温度７０℃に加熱したガリ
ウノ、プール陽極に代えて実施例６と同様に処理した。 中間体又ｔま先駆体アダク）・ノー考、り−られ得る実
Ａｌｉ例３　乃、ｅ　７　ｏｔ４＝成物を使用１．−Ｍ
　国％ｉ’ｒ出’ｋＱ　ｊｌ”；Ｆｔ２３３１２１号に
Ｆｔｌ、ｉ　ｎ＋”、　（７）方法で、化倫””　”Ｉ
’　者体Ｋ　１ｌｊｉ換するのに適し、た最終アダクト
と考えらｔ１得る別のアダクトを製造し得る。以Ｆの￥
ＭＭＢ２至１０ｔ」１、最終アダクトへの転換ン：示ず
。 実施例８　　　トリメヂルインジｙ　、’７ノ、トリエ
ヂ刀−１ミンアダクｌの製造 実施例３に記載の如く？ｌ？ｌ曲解贋造下Ｙｊ＋たアダ
ク　ト　（ＣＨ４）＋　Ｉ＋ｔ、　ｔＪ＋ｆ　ニｔ・　
リ　−ｒ−ｆ　ｊｌ　　１−　ミ　ン（２Ｉ）ｍ（’）
を添加した。泪、召物を冷温で３０分間４１１打１２減
１１下にトリエチルアミンを除去！フ岬色結品ｔ１３固
ｆ１を残し、該固体を温度約−Ｈ！（ｉ　Ｉ：のコール
ド１ラツプに減圧下で昇華（６０〕：員・ｌ　Ｊ、（Ｉ
　Ｔ、：　）　ｌ−Ｃイ′月・′！した。生成物Ｍｅ３
　ｉ　ｎ、ＮＦｒｔ３ｆ月−：、、、゛１１．壱０４乃
至９６１゛であった。 実施例８の生成物を以下の如く検査し念。 （１）　　ミクロ分析： （ｉｌ）　　）’１１３ＴＬ１２（Ｖ／Ｊ商標）装置ｉ
、’ｉに６０ＭＩＴｚにて記録した用核磁気共鳴（ｎｍ
ｒ　）スペクトル：（ｉｉｌ’）　　ＰＦ、　５７７　
（登録商梯）装置にプレート間ヌＮ）ヨールムルを用い
て記録した赤外吸収スペクトル；及び （ｆＶ）　　Ｖ（’３　Ｍｉｃｒｏｎ＋ａｓｓ　１２　
（Ｉｆ、録商村）貿邦分１ｆ■完渡ｎ１て（用足される
質ｆイ１スペクトル。 イ（Ｉられた結果を以下の表７乃至１０の夫々にボすＯ 表７：実施例８の生成物のミクロ分析データＣ：ｇＨ２
４ＩｎＮ　ｉｉｊ’フイ＋白、　：　　Ｃ，４１，４；
　　Ｈ，９，１：　Ｎ、５．４；　　１．ｎ　４４．１
６１１：’ＪＺ（ｌ’Ｌ　’　　Ｃ１４１，１：　　Ｉ
−１＋　９．０：　　Ｎ　＋　５．２　；　１．’　４
４．ｆｉ） −０，１（９Ｈ，、ｓ、Ｉｎ（ＣＨｑ’））　（δニア
、２６のトルエンのメチン陽子に対する値）。 略記号：ｓ＝シングし／ソ１、Ｌ　＝　１．リゾ１，７
ツ１、ｑ＝クワルデット。 ν（、ｇ、−’）　”ヌジョール人ル”。 ２２８（ＩＶＸＶ；　　１３３（ＩＶＷ；　１３２（Ｉ
ＶＷ：　　１２９０ｗ：　　１０１（１＋ｎ；１１７０
８；　１１５０ｓ：　１０９（ｌｒｎ；　０１５５ｎ＋
；　１（１２５１Ｖ；　１（１０！’ｉｗ；９００ｖｗ
（ＦＪｒ）；　８（１０ｔｗ；　　７９０ｖｗ：　　７
３（１＋ｎ；　　１ｉＲ（ｌｖｓ；６２０ｗ（１＋ｒ、
ｓｈ）；　５Ｆｉｌ１ｗ：　４７５ｖｓ：　４５５ｍ（
Ｑｌｌ’）：　４７５ＶＳ；４５５＋ｎ（ｓｂ）；　４
２（ｌｖｗ。 略記号：ＶＷ＝極めて弱い、Ｗ−弱い、ｍ−中／ｉ！ｊ
、ｓｂ　＝＝　シｑ　ルダ、ｇ　−、、、、；、４．　
イ、％Ｔ；　＝４Ｑ　ｋｌ）−ｃｉｉｇｌｉい。 川／ｅ（固体プローブ）（ソース温バＣ＝　］　′ｒｏ
　ｒイオン化エネルギー３　（１ｅＶ、　’）Ｒ６［Ｃ
，Ｊ１２Ｎ］”　］１５［ｂ＋］’　１３＋１［ｊ、ｎ
ＭρＪ’　ＩｎＪ、（Ｃ，、Ｉｌｌ、Ｎ−１”　１４ｒ
ｉｌ、Ｉ＋＋Ｍｒ・２Ｊ”表７乃至１０のデータは形成
されたプグクト即ち（Ｃ１ｂ）ｓ　Ｉｎ、　Ｎ　（ＣＪ
Ｉ５）＊の棺造ヲ確昭ブる。 実施例９　　トリメチルインジウムトリメチルホスフィ
ンアダクトの製造 出発物質としてアダクト（ＣＨＩ）３　Ｉｎ　（ｔｈｆ
　）とＰ（ＣＨ３）＊　（ｔｏｙ）とを使用し実施例８
と同様に処理した。 融点４３乃至４５℃を有することが判明した実施例９の
生成物を以下の方法で検査した。 （１）　　組成ミクロ分析：結果を以下の表１１に示す
０ （１１）　　実施例９の生成物に関して記録されたＩＨ
ｎｍｒスペクトル及び得られた結果を以下の表１２に示
す。 （ｉｉ＋）　　実施例７の生成物に関して記録された赤
外吸収スペクトル及び得られた結果を以下の表１３に示
す。 （ｉＶ）　　実施例９の生成物に関して記録された質量
スペクトル及び得られた結果を以Ｊの表１４に示す。 表１１；曵施例９の生成物のミクロ分′４９１結果測定
値；Ｃ：（３０４６チ）：１１°（７８９チ）；　Ｊ、
ｎ　（４９，（’ｉ％　’）言１ｎ値：　Ｃ：（３０，
５ｔ１％）；　Ｉｌ：（７，ｆ’ｉ３％　）：　Ｊｎ　
（４８，９％）δ（ｌｉｌ）、ｄ”　−１す１エン中：
　０８（＋ｌ、９１１．１”（Ｃ１ｏｔｈ）　。 −０，１（ｓ、　９１１．　Ｉｎ　（ＣＩ、）ｇ）ｉｒ
ｒｎａｘα−１″′ヌジョ−ルノ、ル１１゜２２５０ｗ
ｗ；　１３００ｗ；　１２１’［）ｍ；　　Ｉ　１６０
ｗｗ；　１１４（１ｍ；９５０ＶＦ；９４０ｖｓ；　８
５０ｗｗ；　８４０ｗｗ；　７３ＦｉｖＳ；７２ｆ）ｓ
；６８０ｖｓ；６３（ＩＷ（ｂｒ、５１１）；　５２（
ｌｖｓｖ；　４Ｒ２ｖｓ；　４７（１ｍ（ｓｌ＋）；ｍ
／ｅ（固体プローブ）： ６１、［Ｃ２）１６Ｐ’ｊ＋　７（ｉ［ｃ３ｒＴｇ１．
”、ｌ”　　１１５１−　！、ｎ　ｌ’　　１３（ｌ［
Ｍρ■Ｉ＋　１”１４５［Ｍｅ２Ｉｎ　〕″−１（ｉｏ
［へ４ｅＩＩｎｉ１４−　（ｓ−川（）υ、　　Ｉ　＝
３＋１（！Ｖ　）略記号：Ｓ−ソース温ハ■、Ｉ−イ同
ン化エオルギー実施例１０　トリメチルインシ）ウムト
リエーブルホスフインアダク１σ）ＩＩｊ造 出発物質としてアダクト（ＣＨ３’ｈ　Ｉｎ、　ｔｈｆ
　　とＰ　（Ｃ２Ｈ！１）３　（５Ｆ　）　　とを使用
し実施例８と同様に処理した。 実施例１０の生成物（融点３３乃至３６℃）を先行実施
例同様に以下の方法で検査した。 （１）　　組成ミクロ分析； （肋　１Ｈｎｍｒス−＜り）ｘ； （＋＋１）　　赤外吸収スペクトル； （１ｖ）　　質量スペクトル。 得られた結果を以下の表１５乃至１８に夫々示す０ 測定値：　Ｃ（３９，２％）；　Ｈ（９，１％）；　Ｐ
（１０，１％）；　Ｉｎ（４２，０％）引算値：　Ｃ（
３８，８％）；　ＩＴ（８，６％）；　ｐ（ｉｉ、ｉ％
）；　Ｉｎ（４１，５％）δ（Ｉ　Ｌｉ）　、　ｄ６ベ
ンゼン中；１．１．０．７５（ｍ、　ＩＦｄｌ、　Ｐ（
ＣＪｌ、Ｉ）ｓ）０．０（ｓ、　９Ｈ，Ｉｎ（ＣＨ３）
３）二 ｉｒｍａｘＣｍ’−’”ヌレＪヨーーーノ１ノ、ノＩ−
″２２７（１ｗ；　１３（Ｈｈｖ；　　１２ＦｉＯｍ；
　　Ｔｌ７ｔＢｖ（ｓｌ＋）；　ｌ１４５＋ｎ；１０４
（ｌｓ：　］（ｌｌｆ１ｗ：　９７０ｗ：　Ｒ６０ｖｗ
：　７’？（）ｑ；７！’ｉ０Ｆ＋：　７：１（ｌｑ（
ｑｌ＋）；７２０ｓ（ｓｂ）；　６Ｒ（ｌｖＳ（ｆ）ｒ
）；　６３（ｈｖ（ｓ＋＋）；　５２（ｌｖｗ（ｃ、ｌ
＋）；４７５■Ｓ：　４６０ｓ（ｓｈ）。 ｍ／ｅ　（固体シーコープ） ６］、［Ｃ２１１６Ｐ］”　　（ｉ２１−ｃ２１１７．
ｌ’−ｉ’　　７！ｉｊ（、’ｑｌｌｐ、ｌ、’、、ｉ
”　　９（ｌ［、（シ、１１．．ｌ’ｌ’１０３シ（５
１’ｌ、２Ｐ、’ｌ”−１ｊ５Ｌ　Ｊ、ｌ’：、］””
　　Ｊ　１．１（［−（シ＋１．ｌ　１１、ｔ”ｌ’　
　１３ｎｌ−丁５４ｅＪｕ　］−’１４５〔〜１ｅ２Ｉ
ｔ＋）’−１（ｉ（１〔１ＶＩｅ３１ｎ１”　７．：（
：’ｌ［，１，ｎ、円１；　ｔ　、　）４２６Ｔｈ［Ｍ
ｅ２Ｉｎ、ＰＥｌ３］”　（Ｓ＝５１１’ｃ、　Ｊ。＝
２ｉｉｅ■、Ｊ略記号：Ｓ＝ソース温度、■＝イ刺ノン
化エネルギーｒｎ／ｅ　＝質元対電荷比。 実施例１１　トリメチル刀すウ１．ジエチルコーーーフ
ルアダクトの’ＦＩｉ、Ｐ８１択（造 実施例２に記載の如く製造されたヨウ化メチルを過剰に
含むヨウ化メチルマグネシウムのジエチルエーテル溶液
を、ｐｔ陰極（ＩＸｌｃｒｎ板）とガリウムプール消耗
陽極（約２０乃至４ｏり）とを用いて電解した。混合物
を（ワックス浴で）５０乃至６０℃に加熱し反応中連続
的に拮、拌した。 １００ポルトの電圧を印加して３０ｍＡの電流を与えた
。反応の進行中に電流は７０ｍＡ１で」二昇した。反応
を７２時間継続しその後反応混合物を放冷した。約３ｙ
のガリウムが溶解していた。ｆ通抜ジエチルエーテルを
減圧下に除去した。約−１９６℃のコールドトラップ中
への減圧蒸留（６０℃）によって残留ヨウ化メチルマグ
ネシウノ、がら純粋な液体生成物を分離した。生成物（
測定沸点は公表値に対応する９８．３℃）について先行
実施例同様’　Ｈｎｍｒスペクトル、質量スペクトルデ
ータ及び赤外吸収スペクトルを検査した。結果を以下の
表１９乃至２１に夫々示す。 表１９：実施例１１の生成物の’　Ｉｔ　ｎｍｒデータ
δ（’　Ｈ）　（ｎｅａｔ　Ｉ　ｉｑ萌（１）　−（１
，２（ｓ、　９Ｈ，（ｂ＋（ＣＩ＊：ｈ　：Ｌｌ　、４
（Ｔ　、６１１．（ＣＨ３（？１．Ｉ、）、（、））　
３．９５（ｑ　、　４１１．　（Ｃｔｌ＊Ｃ１１，）、
＋　１　）略記号：ｓ＝ニシンブレットｔ７トリプ１／
ツ）・、ｑ＝クワルテット ｍ／ｅ（アーリ・インメント） Ｆｉ９／７１（（、ｆａ　Ｊ”’　７４　［］：ｉ　ｔ
２を月１８４／シ＜ｔｒ　＋、　Ｍｅ　（ｊａ　］　’
９９／１０１［Ｍｅ２Ｇａ−ＩＩｉ１４／１１Ｇ［、ｆ
Ｌ、４ｅ、（ｉａｌｌ　　ｓ　＝１．４０Ｔ〕、Ｉ　＝
３ｆ）ｅＶ（ｓ＝ソース？）Ｎ、、　ｇ４、ｉ＝１％　
ン（ｌ−７４７Ｉｚギー）Ｉｒ　ｍａＸ：ｍ　’ ２９４０Ｖ’（））ｒ）＋　２ｆ（ｆＨｌｓ（ｓｌ＋）
、　１．４５＋１ｍ、　３３８（Ｏｎ。 １３５Ｑｗ（ｓｌｉ）、　Ｊ、２’ＪｐｖＷ、　１２６
ｆｌｖｔｉ・、　１．２１０！（、］］５ｒｌ＋＋１゜
１１１５ｍｌ　１０９０ｍ、１０２０ｓ（ｂｒ）、９０
０℃ｗ、７２０ｖｓ（ｂｒ）。 ５ＦＩＯｖｓ（１）ｒ）、　５２０ｖｓ（ｂｒ）、　３
ＦＨ）ｖｗ（ｂｒ）、　３２０℃ｗ（ｂｒ）。 （薄膜） 略記号：ｖｗ＝極めて弱い、Ｗ−弱い、ｊｌｌ＝中庸、
Ｓ＝強い、ｖｓ＝極めて強い、 ｓｈ−ショルダ、ｂｒ＝広い。 表１９乃至２１に与えられたデータは実施例１１の生成
物がＭｅ３　Ｇａ、　ＯＥ　ｔ２アダクトであることを
確認する。 前記の如き実施例１１に記載のルートは、グリニヤール
試薬によるアルキル化以前にＧＲＣ６ｓ　　Ｏ予備合成
を必要とした従来の方法に比較してよシすぐれたＭｅ３
Ｇａ、０Ｅｔ２の製法である。 アダクトム４ｅ３Ｑａ、　ＯＥ　ｔ２は実施例８乃至】
０と同様の方法でＭｅ３　ＧａＱ　（Ｑ　＝ＮＥ　ｔ３
　、　ＰＭｅ３又はＰＩす＋ｓ　）に転換され得る。 実施例１２　トリメチルインジウノ・ジエブルエーデル
アダクトの□山ｉ’ｉ’ｌ″〕１１Ｖ：１１１ｉ実施声
−１２にＨ＋、載の如く製ｊ告されまたヨウ什、メプ刀
を過剰に含有するヨウ化メチルマグインウトのジエチル
エーテル溶液’ｔ、：　Ｐ　ｔ　Ｉｆ、Ｓｉ＋ｒｌ＜　
（Ｉ　Ｘ　］　ｒ１ｎ仮）とｆンジウム線消耗陽極とに
？使用し＊渦（４”’１２１）　Ｃ）で１１１解した。 ６０ｖ乃￥’−、ｌ　Ｏ（ｌ　Ｖ）ｒｕ川用ｌ”ｌｌ／
Ｊｌｌｌ、　１　（１乃至２０　ｍＡの電流を力えた。 、Ｌ’７５１のインミノラム線が消費されるまで反応を
Ｋ（１、ｒｔ４冒〜だ（約１００時間）。電解中少糾の
金属が陰仙Ｔｒに（１１出し／、−６混合物を濾過しジ
エブル：ｙ−ｉルを減圧１−に１・、ｉ去した。 蒸留容器を温度約１　（１０Ｕに加熱１．てす１１駒１
−トで一１９６ｔｌラップ中に凝縮し−しりＱ留ヨウず
し〕ｙノ（マグネシウムから純粋な液体生７．，１７．
物を分間しｈ：、　６先行実施例と同４！）：に１１１
核イ、’ｉｔ、句、共’Ｉ’３　（ｎｔｎｙ　）　、ｚ
　、、２クトル、質絹スペクトル及び赤外スベク］・ノ
叫Ｃよって生成物を（・′ｔ！青し７Ｅｎ 結果を以下の表２２乃至２５に示す。 表２２：笑施例１２の生成物の’Ｉ（ｎｍｒデータδ（
’ＩＩ）　（ｎｅａｔ　１ｉｑｕｉｄ）　’（１，０（
ｓ、　９ＪＴ、　Ｉｎ　（Ｃ１ｌｓ）ｓ）　１．６　（
ｔ、　６Ｈ，。 （ＣＨｑＣ）ｂ）ｚｏ）　４．１　（ｑ、　４Ｈ，（Ｃ
ＩｂＣＨも）窒Ｏ）全ての値は外部ＴＭＳ　（ブトラメ
チルシラン）に対する相対値である。 表２３：実施例１２の生成物の質類スペクトルデ二え 表２４：馬施例１２９１昼呟脚！と広久」３↓−γｔｌ
ｌｒ　ｍａｘ、　ｃｍ−’　： ２９８０ｖｓ、２９００ｖｓ、２８４０ｖｓ、２２８０
ｗ。 １４８０ｍ（ｓｈ）、１４６５ｓ、１４４５ｇ、１３８
５ｖｐ。 １３５０ｗ、１３２０ｗ（ｓｈ）、１３００ｍ（ｓｈ）
、１２９０ｍ。 １１９０ｓ、１１５０ｖｓ、１１２０Ｂ、１０９０ＶＦ
ｌ、１０５０ｖＳ。 １０１０ｓ（ｓｈ）、１０００ｓ、９０５ｍ、８３０ｍ
、７８０ｓ。 ６８０ｖｓ（ｂｒ）、　６２５ｍ（ｓｈ）、　４８０ｖ
８．４１０ｗ、（薄膜） 前記データは、実施例１２の生成物がｌ’５ｌｅｔｌｎ
。 ＵＥｔ２アダクトであることｆ：確聞する、実施例１１
及び１２に於い°Ｃ１ｌ・！！造された先）“１＾１ド
アダクトは、実施例８乃至１（）の記載と回付に１，７
て（半導体製造のだめの）最１・〉−アダクｉ・に転ｔ
、ｊｌ！　孕れ得る。以下の実施例１３は前記の如き転
換を示す。 実施例１３　トリメデルインジウムトリエチルアミンア
ダクトの製造 実施例１２に記載の如くν１１．）管製造されたアダク
ト（Ｃｆ（ｓ’ｈ　Ｉｎ、　（、）Ｅｔｔにトリｆ−す
Ａ／　／ミン（５＊＋／）を添加した。混合物を室温で
３０分間提拌しトリエチルアミンを減圧Ｆに除去して蕪
色結晶状１＋！ｉｔ体を得た。該固体を約−１９６Ｃの
コールドトラップ中に減圧下で列華（６０乃至１１０　
Ｕ　）　ｌ、て精動した。 実施例１３の生成物は先行の実施例８に記１載の如＜　
ＮｌＡｌ製された（ＣＨｑ）ｓ　Ｉｎ、　ＮＩｌ、＊の
４’ｙノ／し＆Ｌ　Ａ、＋７しいスペクトル（’Ｈｎｍ
ｒ、赤外線附性を有することが知見された。 実施例１４　トリメチルガリウムジ−イソペンチルエー
テルアダクトの電解製Ａ！ｆ 爽施例１１のジエチルエーテルをジ−イソペンチルエー
テル（１，００ｍ／りに代えてＣＪｈＭｇＩｆ？液とを
用いて溶液を電解した。混合物を８０ｔｌｌ”に加熱し
反応中連ＩｌＬ的に攪拌した。２００Ｖの石、圧を印加
し当初６ｍＡの電流を与えた。反応を約７２時間続行し
、た。反応中に電流は１００Ｍに上った。 電解中１嘴椿にマグネシウムが析出した。電解の後期に
反応混合物中に微細沈殿物が出現し／ζ。γ［も合物を
領海した。蒸留容器を加熱しておき全ての揮発分を減圧
下−１９６Ｃトラツプ中に蒸留した。余てアダクト形成
をｆｉ’ｆｉｔ　ｎりした。 実施１ｆｌｌ１５　　　トリメチルガリウノベ、〜−１
．−フー１−）；−丁−デルフ′ダクトの山１’＋’＋
　ｉ：’ν；１′ｆ実Ｍｌｉ　例２のジエチルエーテル
を）−＋１−ブＪ−ルユ−−テル（１５＋、１　ｍｌ′
）　ＶＬ代え−Ｕ　Ｃ，１，ｌ！ｌ　＋ＩＬ９’　Ｉ　
ｆ　ｓ、　、ｉｊ、−Ｌ、　ンｒ。 Ｐｔ陰峰とガリウノ・プール消耗１晴、ｌｔ〆とを用い
”Ｔ−’Ｒ：　７ｋを’ＨＡ、Ｊ’ｉ’［Ｌだ。１６０
Ｖの巾圧乞印）Ｉｌｌ　１．、、２．５　＋ηＡ　Ｏ，
）　”ｊｌｂ。 流を与えた。反応を１００時間か・”ｒＮ’ＴＬ、カー
。γｌ、％合物をン戸ｊ尚し余覗Ｉエーテル奮減汀−ト
で１′・１、人し／２−９？ノ・昌へ゛１谷器金加ｒ・
へし−Ｃおき減圧下−］　０（ｉ　ｔ：Ｉンツブ中に江
ｉ゛縮して液イ本生成５′１勿をイＩＪ／ｒ、。♀憂１
′（レーー゛アル多内用ンＩお／Ｅ　下ｆ除去した。ア
ダクトの力’、’：　ｌ１１７．　％＋１＋ｏ　ｒで（
１１＋１＋、：、：しだ。 実施ド１１１６１〜リメブールガリウノ・２］１−ごノ
「・Ｔ−デルア々−り［・の市ｈ’（す９造 ｔｌ￥、Ｆｆ（溶媒としてジフェニルニーフルを１小Ｊ
１４１．、　先の実施例１４と同４・Ｌの方法でこのア
〃り１を」ν°４清した。 実施例１７　トリメチルガリウムアニソールアダクトの
電解製造 ’ｆｉｉ’、Ｗｔ溶媒としてアニソールを使用し実施例
１４と同様の方法でこのアダクトを製造した。 （アニソールの量は実施例１４の対応するジ−イソペン
チルニーデルよりもはるかに過′Ｉｌｉ＋＋の量である
）。 前記の如く、中間アダク）１半導体化合物製造用の最終
アダクトに転換するのが望ましいかも知れないが、７．
Ｊ＋望ならば例えＶよ次の実施ν１１の如く中間アダク
トからラジカルフリー金夙トリアルキル類を製造し得る
。 実施例１８　トリメチルガリウムジエチルニーデルアダ
クトからラジカルツリートリ メチルガルラムへの転換 この転換には英国特許出願第８２１８８２０号に記載の
方法が使用される。 室温（２０Ｃ）で実施例１１の生成物（２Ｉ！。 １０　ｍｍｏｌ　）にジ−イソペンチルニーデル（２Ｃ
ＩＩＩＩ〆′。 ９７ｍｍｏｌ）ｉ添フ用した。゛アダクト「トのジエブ
刀エーテル基トジーイソペンヂノ１工・−デルとの間チ
ラシカル交換反Ｊ、Ｌ、、が生起した一０鴇牛したノエ
ノルエーテルを減圧Ｆ室温で除去ｔ、−，ｙン二、ＩＹ
′；子ｎｒ’ｌｌｒフ′−タし１ジエヂルエーデルが元
金にＩｉ’ｊ　’ｌσシされグれことを示した。 イ４１られた溶液を油浴を用いでｌ　９　（１’Ｃに加
９’ｓ　Ｌ、、この温度を約（）、５時間維持し７ｊｎ
該温度でトリメチルガリウムジ−イソ−くンブノトエー
デルアダクトの解離に上り生１〜７しブζｔ４ｉ粋なト
リメチルガリウム（沸点５５乃至５６　Ｕ　）　ｌｌ、
フェンスケＦｅｎ５ｋｅへリツクス又Ｑよガラスピーズ
を・充與したカラム（長さ２２　ｃｍ、ｊｇ＋径１．５
　ｃｌｎ　）　％１用い九人気圧での分別蒸留に上１時
９易に分潴収電字ｔした。 質禁スペクトル及びｎｍｒの辿１足によって生ｊｌＶ、
’ｌ＋７を確認した。これらの結果を以−１・の弄２５
及び２６に夫々示す。 δ（’Ｈ）、ベンゼン中、０．０　（８１Ｇａ　（（ｌ
ｌｓ　）ｓ　）（ベンゼン中のメチン陽子を基準として
使用）−二２ ｍ／ｅ（アサインメント）　：　６９／　７１　［Ｇａ
〕＋８４／８６ＩＪｌｃＧａ　］＋９９／　１０１　［
Ｍｅ２Ｇａ］＋１１４／　１１６　［ＩＶＩｅ３Ｇａｌ
＋（ｓ＝１１０　Ｕ、　　Ｉ＝１５　ｅＶ）Ｓ−ソース
温ＤＪｌ、１＝イオン化エネルギー。 前記データによ！ｌｌ実施例１８の生成物ｔ」、トリメ
チルガリウムＡ’１−ｅ３Ｇａであると同定される。 実施例１８の如く製造された純粋なトリメチルガリウム
は、公知の気相エビタキシ法例えばＡＦＩｋｂとの反応
によるガリウム化合物半導体の製造に使用され得る。 実施例１９　実施ｆ１１４で製造されたアダクトからの
ラジカルフリートリメチルガリ ウムの製造 実施例１４の生成物ケ浴１．゛旧ｔ’、ｌｌｔ、’の油
浴奴−１１、って加熱し余剰ヨウ化メチノｌ’５ｉ・１
（１〕去ずべく　’Ｕ　ｊｉｆｔｉ　ｐ１１ｊ８の如き
カラム゛℃（ヨウ化メヂルが買出＋−，＊・くなるまで
）蒸留することに、し−）て分別蒸ｈｒし／こ。 次に１９０Ｃの浴温度で数時間力１１熱して純粋なトリ
メチルガリウムを収電した。トリメブールガリウムの沸
点はジ−イソペンチルニーデルの沸点（ｘ６ｏＣ）よＵ
　ｔ」、るかに低いので６〕別カラム内で前者は後者か
ら容易に分離さノまた。 トリメチルガリウム生成物２質（１；分’）’（、）Ｙ
、度１１１１　＞ｉ゛法によって検査し／ヒ。 実施例２０　爽Ｍ１例１７でｉｐ、ｌＪ　、７壽りまた
Ｔ・り′り１からのラジカルフリートリメｙ′ノ１−．
＋ｆ’　＋１ウムの４ｐ９．；ろ １００Ｃの油浴で蒸留することｉｌｉ、、より’、’′
、％ｉ　ｊｒｌｌ　Ｉ　’／の生成物から未反応ヨウ化
メＪル（；ｉｌ：、ｇ、　４２（、’　）の大部分を除
去した。更に生成物にフ゛；ソー刀（１００Ｃｒりを添
加し懸濁液を１５０Ｃの油浴温度まで加熱した。 トリメチルガリウム（沸点５６Ｃ）′ｆ：分別カラムで
蒸留して収集した。質量分光光度測定ｔ」、ヨウ化メチ
ルによる汚染を示した。 この方法で得られた粗トリメチルガリウムを次にゆつく
りとアニソール（２５０ｃｒＩ）に添〃１１シた。 室温（２０Ｃ）及び６０Ｃの油浴温度にてポンピング（
真空排気）して揮発性不純物を除去した。 混合物を１５０Ｃの油浴温度に加熱しλソ１（粋なトリ
メチルガリウム（沸点５６Ｃ）を分別カラムで蒸留し収
集した。 質量分光光度測定によシトリメチルガリウムの精製を確
認した。 実施例２１　実施例１６で製造されたアダクトからのラ
ジカルフリートリメチルガリ ウムの製造 実施例１９のアニソールをジフェニルエーテルに代えて
同様に処理した◎ξの鳴含（油ｒ＜１）の蒸留温ハ（は
］　４０　ｒ：でありとの浴温Ｉ（＋、、でトリメ７　
ノドガリウムが分別によりｊＩＫ集された。 実施例２２　実施ｆ１１１２でＪｊｉｉｌ造されたアタ
クトからのラジカルフリートリメプル・イン ジウノ、の製造 実施例１２の生成物をラジカ７トフリートリメヂルイン
ジウムに転換するためＱ仁−シン−ビンを添力ＩＩ　Ｌ
。 次に、Ｚ　Ａｎｏｒｇ　ｃｈｅｍ　１９６３．　：（２
Ｊ、　　１２（ｌにイー・トツＦＥ　Ｔｏｄｔ及びアー
ル・トラｊ−−Ｉ（、Ｌ）ｏｆ、ｙ、ｅｒにより記載さ
れた方法で蒸留しフリー。 例えシよ実ＩＡ例３乃至７，１１，１２，１４及（ＪＪ
５に記載の中間アダクトからラジカル父換に上り１造さ
れた最終アダクトは公知方θで化＠物十聾体に転換され
（■る。 例えば実施例８及び９の生成’ｌ＞＋　ｌＪ、エレン１
１１；クスレターズ”　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　Ｌｅ
ｔ、ｔ、ｅｒｓ、　Ｉ　６−！’＜、１９８０年３月１
３μ、６号、２２８ページにニップ・レンツＨ，Ｒｅｇ
及びジエー・ウェイトラインＪ。 Ｗｅｉｄｌｅｔｎにより記載された方法で熱分解され得
る。 又は、Ｊ、　Ｃｒ５’５ｔａｌ　Ｇｒｏｗｔｈ＋　５５
巻（１９８１）１２９ページに収載のアール・エッチ・
モスＲ，Ｈ。 Ｍｏ５ｓ及びジエー・ニス・エノ薯ンスＪ＠　Ｓ、　Ｅ
ｖａｎｓの論文１インジウムリン化合物及びガリウノ、
インジウムヒ素化合物のＭＯＣＶＤの新規な方法（Ａｎ
ｅｗａｐｐｒｏａｃｈ　ｔｏ　ＭＯＣＶＤ　ｏｆ　１ｎ
ｄｉｕｒｎ　ｐｈｏｓｐｈｉｄｅ　ａｎｄｇａｌｌｉｕ
ｍ−ｉｎｄｉｕｍ　ａｒｓｅｎｉｄｅ　）”に記載の方
法でＶ族元累の水素化物例えばＰＨ，＊を最終アダクト
と反応させてもよい。 実施例８及び９で製造されるアダクト自体は、例えばＮ
Ｈ３又はＰｉ（３の存在中で分解されて化合物半導体Ｉ
ｎＮ又はＩｎＰに転換し得る。 （例えば実施例１８乃至２２で使用される如き）ラジカ
ルフリートリアルへルガリウム及びインジウムは公知方
法で化合物半導体に転換され得る。 例えばラジカルフリートリア／ｌキルインジウム２１、
ｑは■族元累の水素化物の存仕−［でだ（分’Ａ’ｆさ
れでＩｎＰ、　ＩｎＡｓ、　ＩｎＳｂ　ｋ生じる。これ
についＣは以下の参考文献に記載されている。 （り　　　　、７．　　Ｉｎｏｒｇ、　　Ｎｕｃｌ、　
　Ｃｂｅ＋ｎ、　　、　　１４１６０　　］Ｉｌ　　、
　旦。 ３５に収載の１−ル・デイトブエンコ１も、　１）ｉｄ
Ｃｈｃ−ｎｌｃｏ、ジエー・イーパアリツクスＪ　−Ｒ
−Ａ、ｌ　ＩＸ及びアール・ニップ−・１・−二スクク
ー】こ、　Ｈ，、’Ｉｏｅｎｉ８−ｋｏｃｔｔｅｒの論
文； （ｆり　　、Ｌ　Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ、　Ｓｏｃ、
　ｔ　ｌ　９７　：３午、１２０゜１３５に収載のエッ
チ・エム・マラ臼ζビット１１゜Ｍ、　Ｍａｎａｑｅｖ
ｉ　を及びダブリュ・ブ・イ・シンノ゛ンンＷ、　１．
　Ｓｉｍｐｓｏｎの論文； （ｉｌｌ）　　　　Ｉｎｏｒｇ、　　Ｃｈｅｍ、、　　
１９６２４１　　、　］、、　　９　５３　　に収車１
４のビー・ハリソンＩｓ、　１１８ｒｒｉｑｏｎ及びイ
ー・エッチ参トムキンスＥ、　Ｉｔ、　Ｔｏｒｎｐｋｉ
ｎｑ　Ｏ）論文。 代１甲’＋ｉ１・環上　・′ｔ　　　　村　　　　　　
ノじ第１頁の続き 優先権主張　■１９８３年２月２４日■イギリス（ＧＢ
）［有］８３０５１６６ ９２発　明　者　アンソニー・コープランド・ジョーン
ズ イギリス国マージサイド・ダブ リュ・エイ１１７エイ・ニック ス・セント・ヘレンズ・クリソ カム・ウッド・リングメル・ア ヴエニュー１０８ ０発　明　者　ニール・デイヴイッド・ジャラード イギリス国りグアプール６マン セル・ロード２１ ４２９−

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. （１）弐Ｍ（Ｒ’）８ 〔式中、Ｍはインジウム又はガリウム、（部）８は各々
   同じか又は異なっても よい複数個の有機基を示す〕 で示される有機金属化合物のアダクトを製造するために
   、 成分１として１種以上の弐ＲＩＭｇＸ 〔式中、ＸはＣ１，Ｂｒ及び工から選択されたハライド
   基、 Ｒ１は（Ｒ’　）　８に含まれる基の１つを示す〕 で示されるハロゲン化有機マグネシウム化合物を含有し
   ており 成分２として成分１の溶媒たる極性非ゾロトン性液体を
   含有している溶液を 金属Ｍから成る消耗陽極を使用して電Ｍすることを特徴
   と−Ｊ−る有機金属化合物アダクトの製法。
2. （２）電解される溶液が更に第３の成分と１２で成分３
   を含有しており前記成分３　＆ｊ、　ｉ　ｌ＋Ｉ以上の
   式％式％ 〔式中、ｉｔｚはＯｔ’）、に含まｉする基の１つ、Ｘ
   Ａは好ましくはＸ、と同じハライド基Ｊで示される有機
   ハロゲン化物でオ〕υ、極性非プロトン性液体は成分３
   の溶媒でもある仁とを特徴とする特許請求の範囲第１項
   に記載の方法。
3. （３）特許請求の範囲第２項に記載の成分３が過剰ｔ１
   で存在することを特徴とする特許ト１″ｉ求の卸、間第
   ２項に記載の方法。
4. （４）基Ｒ１が炭素原子ｌ乃至７旧含有する１ルーＸ−
   ル基であることをｌ時機とする／Ｆ￥軒請求のｆｌｉｉ
   ｊ囲第１項乃至第３項のいずれかに記載の方法。
5. （５）基ｌＬ１が全て同じであｐメチル又υ、エチルか
   ら選択される仁とを特徴とする特許請求の範囲第４項に
   記載の方法。
6. （６）電解以前に、エーテル性溶媒中のマグネシウムの
   懸濁液に過剰量の化合物ｌｘを添加して化合物Ｒ’Ｍｇ
   Ｘを生成するステップを含むことを特徴とする特許請求
   の範囲第１項乃至第５項のいずれかに記載の方法。
7. （７）成分２の中の成分１の濃度が０．０１乃至５モル
   ／ｌであることを特徴とする特許請求の範囲第１項乃至
   第６項のいずれかに記載の製法。
8. （８）極性非プロトン性液体がテトラヒドロフラン、ジ
   オキサン、Ｎ−メチルピロリビン、ジエチルニーデル、
   ：）−ｎ−プロピルエーテル、ジーＩＩ−フチルエーテ
   ル、シルｎ−ペンチルエーテル、ジ−イソペンチルエー
   テル、アセトニトリル、ニトロメタン及びプロピレンカ
   ーボネート、ジフェニルエーテル及びアルキル基に炭素
   原子１乃至７個を有するアルキルフェニルエーテル類か
   ら成るグループの１種以上（）〕溶ｆＪマ、からフパ択
   されることを特徴とする特ｉｔ’ｒ　ｉｉｔ’ｊ求のｆ
   ｉｉｌ）聞出ＩＪ１１乃至第７項のいずれかに記載の方
   法。
9. （９）特許請求の範囲第１項乃至第８頂のいずれかに記
   載の方法で有機金Ｂ°ア５リークトを製造し、相。 解後に、電解によｐ形成された１ｆクトをラジカル交換
   反応により低揮発性溶媒ラジカルを含有するアダクトに
   転換するステップを含む方法。 （１（）　　電力Ｙ後に、電解により升ｔ　ｈＥ込れた
   アダクトを蒸留によりラジカルフリー櫓１２モ金１’４
   化合物Ｍ（Ｒ’）８に転換することｋ　’持ｎ“θ二す
   る特許請求の範囲第１項乃芋第９項のいずれかに記載の
   方法。 （ｌυ　Ｍ（ｉ（１）、がトリメチルガリウム、であり
   、アダクトにベンゼンを添加しｆｒ、後に蒸留が行なわ
   れることを／ｒ′ｆｇ１．とする特許請求の範囲第１０
   項に記載の方法。 ＨＭ（Ｒ１）８がトリメチルガリウム・であシ蒸留がア
   ダク）Ｍ熱温度よｐ高温で行なわれ、トリメチルガリウ
   ムが分別により収県されることを特徴とする特許請求の
   範囲第１０項に記載の方法。 ０階　実質的に本文中に実施例３乃至６．１１．１２．
   １４及び１５のいずれかに記載の特￥’ｆＭ求の範囲第
   １項に記載の方法。