JPS5947382B2 - bubble magnetic domain element - Google Patents

bubble magnetic domain element

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JPS5947382B2
JPS5947382B2 JP6595377A JP6595377A JPS5947382B2 JP S5947382 B2 JPS5947382 B2 JP S5947382B2 JP 6595377 A JP6595377 A JP 6595377A JP 6595377 A JP6595377 A JP 6595377A JP S5947382 B2 JPS5947382 B2 JP S5947382B2
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JP
Japan
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pattern
bubble
magnetic domain
transfer
magnetic
Prior art date
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Application number
JP6595377A
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Japanese (ja)
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JPS54832A (en
Inventor
治雄 浦井
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NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS54832A publication Critical patent/JPS54832A/en
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Expired legal-status Critical Current

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は転送マージンを改良したバブル磁区(以下バブ
ルと称す。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention provides a bubble magnetic domain (hereinafter referred to as bubble) with improved transfer margin.

)転送パタンを備えたバブル素子に関する。更に詳しく
述べればバブル転送方向と異なる方向にバブルを伸ばし
その活線めるか或はそのいずれか一方の機能をもつバブ
ル転送パタンを構成する単位要素パタンを改良したバブ
ル素子に関するものである。バブルを用いたメモリ素子
では、米国特許第3、618、054号明細書で述べら
れているようなメジヤーマイナーループ方式(以下M/
m方式と略記する。
) relates to a bubble element with a transfer pattern. More specifically, the present invention relates to a bubble element in which a unit element pattern constituting a bubble transfer pattern has the function of extending a bubble in a direction different from the bubble transfer direction and/or of having the function of making a live wire of the bubble. In memory devices using bubbles, the measurer-minor loop method (hereinafter M/
It is abbreviated as m method.

)がその情報検索速度の速さから一般的になつている。
M/m方式のバブルメモリ素子ではバブル検出器が必要
で、通常はパーマロイ薄膜の磁気抵抗素子を用い、メジ
ャーループ内に設けられている。マイナーループからト
ランスファーゲートを通してメジャーループに移された
バブルによる情報はメジャーループ内をシリアルなバブ
ル列としてバブル検出位置まで転送されて行き、バブル
の有無を電気信号として取り出す。検出位置を通りすぎ
たバブル列はそのままメジャーループ内を転送してゲー
ト位置まで戻りバブルは再びマイナーループヘトランス
フアーされる。以上が一般的なM/m方式のバブルメモ
リ素子における読出し動作の説明である。バブル素子の
高密度化がすすむにつれて使用するバブル径はオルソフ
ェライト系での数十ミクロンからガーネット系での数ミ
クロンと微小になつてきた。
) has become popular due to its fast information retrieval speed.
M/m type bubble memory devices require a bubble detector, which usually uses a permalloy thin film magnetoresistive element and is provided within the measure loop. The bubble information transferred from the minor loop to the major loop through the transfer gate is transferred as a serial bubble train in the major loop to the bubble detection position, and the presence or absence of bubbles is extracted as an electrical signal. The bubble train that has passed the detection position is transferred as it is within the major loop and returns to the gate position, and the bubbles are transferred to the minor loop again. The above is an explanation of the read operation in a general M/m type bubble memory element. As the density of bubble elements has increased, the diameter of the bubbles used has become smaller, from several tens of microns in orthoferrite systems to several microns in garnet systems.

バブル検出々力はおおむねバブル径に比例して微小バブ
ルに対しては非常に小さな検出々力しか得られないこと
になる。この点を改善するために提唱されたのが特開昭
49−108936号明細書で述べられているバブル・
ストレッチャーを用いた検出器である。バブルストレッ
チャー型検出器は、メジャーループを転送するバルブを
その進行方向に対して垂直に伸ばし、伸びたバブルから
の磁束を有効に利用する検出器である。
The bubble detection power is roughly proportional to the bubble diameter, and only a very small detection power can be obtained for minute bubbles. In order to improve this point, the bubble method described in Japanese Patent Application Laid-open No. 108936/1983 was proposed.
This is a detector using a stretcher. A bubble stretcher type detector is a detector that stretches a valve that transfers a measure loop perpendicular to its traveling direction, and effectively utilizes the magnetic flux from the stretched bubble.

検出後の伸びたバブルは再びメジャーループに戻るがそ
の際には縮んでもとのバブルの大きさになる必要がある
。この様な機能を有するバブルストレツチヤ一としては
シエプロン型軟磁性体バブル転送パタンをバブル進行方
向に垂直に多段に積層配置してなるシエプロンストレツ
チヤ一が代表的で、上記特開昭49−108936号明
細書及び米国特許第3,702,995号明細書などに
実施例がある。通常はバブルの進行方向に対しシエプロ
ン型転送パタンの積層段数を徐々に増大し、最大数に達
した後次は積層段数を徐々に減じメジヤーループを構成
するT−バー型又はY−Y型或はシエプロン型等の単一
パタンよりなる転送路にスムーズに連絡出来る構造を採
つている。M/m方式のバブル素子では情報のアクセス
時間を短くするためには検出器を出来るだけトランスフ
アーゲートに近くすると非常に有利となる。又バブルチ
ツプの有効面積(バブルの転送パタンのある部分と全チ
ツプ面積の比)を大きくし且つメジヤーループ内のバブ
ル消去器、発生器等の機能部設計のための自由度を大き
く取るにはストレツチヤー部分の占める面積を小さくす
ることが望.ましい。そのためにはシエプロンストレツ
チヤ一の積層段数の増加、減少数を大きくすることが必
要となる。従来ではストレツチヤ一のシエプロンパタン
積層段数の増減部分は単にパタンの段数を変化させ.て
あるだけである。
The expanded bubble after detection returns to the major loop, but at that time it needs to shrink back to its original bubble size. A typical example of a bubble stretcher having such a function is the Siepron stretcher, which is made of a Siepron-type soft magnetic bubble transfer pattern stacked in multiple layers perpendicular to the direction of bubble propagation, and is disclosed in the above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No. 49-1981. Examples can be found in US Pat. No. 108,936 and US Pat. No. 3,702,995. Normally, the number of laminated layers of the Siepron type transfer pattern is gradually increased in the direction of bubble propagation, and after reaching the maximum number, the number of laminated layers is gradually decreased to form a T-bar type, Y-Y type, or It has a structure that allows smooth connection to a transfer path consisting of a single pattern such as a siebron type. In the M/m type bubble device, it is very advantageous to place the detector as close to the transfer gate as possible in order to shorten the information access time. In addition, in order to increase the effective area of the bubble chip (ratio of the area with the bubble transfer pattern to the total chip area) and to increase the degree of freedom in designing functional parts such as the bubble eliminator and generator in the measurer loop, the stretcher part is used. It is desirable to reduce the area occupied by Delicious. For this purpose, it is necessary to increase or decrease the number of laminated stages of the Siepron stretcher. Conventionally, the part to increase or decrease the number of stacked layers of a stretcher pattern was simply to change the number of layers of the pattern. There is only one.

このよ・うな場合はバブルがシエプロンストレツチヤ一
を通過する際のマージンがそのバイアス磁場上限側でき
わめて減少することが本発明者による実験の結果明らか
になつた。第1図を用いてその概要をシエプロン積層段
数減少部を例にとり説明する。シエプロンストレツチヤ
一1は本例では積層段数が2段づつ減少している場合を
示す。
As a result of experiments conducted by the present inventors, it has become clear that in such a case, the margin when the bubble passes through the Siepron stretcher is extremely reduced on the upper limit side of the bias magnetic field. An outline of this will be explained using FIG. 1, taking as an example the reduced number of laminated layers of SIEPROON. In this example, the number of laminated layers of the Siepron stretcher 1 is decreased by two.

面内回転磁場HRの時計方向の回転に対しバブルは矢印
5の方向に転送してゆく。バブル保持用のバイアス磁場
が低い場合、バブルは31に示す様にシエプロン積層方
向にその段数に応じて伸びたまま転送してゆく。段数減
少部2の位置にバブルが来たときにも34で示す様に充
分に伸びているので次の段数の減少したシエプロン積層
パタンにうまく転送される。しかしバイアス磁場が高く
なると31で示す様に伸びているバブルでも一組のシエ
プロン積層パタンの頭頂部を通過するとき32で示す様
に積層上層部へ縮んでしまう。
The bubbles are transferred in the direction of arrow 5 in response to the clockwise rotation of the in-plane rotating magnetic field HR. When the bias magnetic field for bubble retention is low, the bubbles are transferred as shown in 31 while being extended in the stacked direction of the Siepron according to the number of layers. Even when the bubble reaches the position of the reduced number of steps 2, it has sufficiently expanded as shown at 34, so that it can be successfully transferred to the next layered pattern of Siepron with a reduced number of steps. However, when the bias magnetic field becomes high, even a bubble extending as shown at 31 will shrink to the upper layer of the stack as shown at 32 when it passes through the top of a set of Siepron lamination patterns.

これはシエプロン積層下層部はバブル保持用磁場が弱く
なるからである。次にバブルは縮んだまま積層パタン段
数減少部2に移る。面内回転磁場がバブルを次のパタン
に移す様な方向に加わつても段数減少部2に対応する位
置に次のシエプロンパタンが存在せず縮んだバブル33
は行先を失つてストレツチヤー外へ飛び出す。このため
にバブルのストレツチヤー部での転送マージンは減少す
る。またストレツチヤー部での転送バブル列が連続バブ
ルの場合には、バブル−バブル相互作用のためにバブル
列中央部のバブルは一層縮みやすく、従つて通過のマー
ジンは極めて小さなものになる。換言すれば、このよう
なバブルストレツチヤー型検出器をメジヤーループ中に
もつバブル素子の動作マージンは小さく安定なメモリ素
子とはなり得ない。又多段シエプロン型転送パタンと単
一のシエプロンやY−Y型パタン等を結びつける際にも
上記と同様なバブル転送エラーが生じその様な転送パタ
ンをもつバブル素子では同様に安定した幅広いバイアス
磁場マージンは得られない。
This is because the bubble retaining magnetic field becomes weaker in the lower layer of the SIEPROON stack. Next, the bubble moves to the layered pattern number reducing section 2 while being shrunk. Even if an in-plane rotating magnetic field is applied in a direction that moves the bubbles to the next pattern, the bubble 33 is shrunk because there is no next Sipron pattern at the position corresponding to the step number reduction part 2.
loses his destination and jumps out of the stretcher. For this reason, the transfer margin at the stretcher portion of the bubble is reduced. Furthermore, when the transfer bubble array in the stretcher section is a continuous bubble, the bubbles at the center of the bubble array are more likely to shrink due to bubble-bubble interaction, and therefore the margin of passage becomes extremely small. In other words, a bubble device having such a bubble stretcher type detector in its measure loop has a small operating margin and cannot be a stable memory device. Also, when combining a multi-stage chevron type transfer pattern with a single chevron or Y-Y type pattern, a bubble transfer error similar to the above occurs, and a bubble element with such a transfer pattern similarly has a stable and wide bias magnetic field margin. cannot be obtained.

本発呵の目的はこの様な欠点を取り除き、通過転送特性
の良い転送パタン積層段数変換用パタン有するバブル素
子を提供することにある。
The purpose of the present invention is to eliminate such drawbacks and to provide a bubble element having a transfer pattern layer number conversion pattern with good pass transfer characteristics.

以下に図面を用いて本発明を詳細に説明する。The present invention will be explained in detail below using the drawings.

第2図は、第1図に示した従来型の2段づつ減少するシ
エプロンパタン積層段数減少部に本発明で用いる指状パ
タンを使用した第1の実施例である。段数変換用パタン
20は指状パタンで積層段数の多いシエプロンパタン側
では3本に分枝し、他方の積層段数の少い側では1つに
合流している。
FIG. 2 shows a first embodiment in which the finger-like pattern used in the present invention is used in the conventional sieve pattern stacked layer number reduction section shown in FIG. 1, which decreases in steps of two steps. The pattern 20 for converting the number of layers is a finger-like pattern that branches into three on the side of the chevron pattern with a large number of stacked layers, and merges into one on the other side with a small number of stacked layers.

シエプロンパタン積層部に設けて積層段数減少部分を構
成している。第1図と同様面内回転磁場の時計方向の回
転に対し矢印5の方向にバブルは転送される。バイアス
磁場が高くなつてバブル31がシエプロンパタン積層部
を通過するときに32で示す様にパタン頭頂部で縮み3
3で示す位置に来たときでも、次のシエプロンパタン積
層部に対応する転送パタン20’ が存在しておりバブ
ルがストレッチヤー外へ飛び出すことはない。即ちこの
様な積層段数変換パタンを有するシエプロン積層段数減
少部よりなるバブルストレツチヤ一では通過マージンが
大きく得られることになる。この実施例では20″,2
0″″も指状パタンを用いているが、このように指状パ
タンを2つ以上用いることにより、より大きいマージン
が得られる。ストレツチヤ一ばかりではなく単なる積層
段数変換部分についても同様である。本発明の特徴は、
積層段数変換パタンとしで第2図20で示される如き指
状パタンを用いることにある。
It is provided in the laminated portion of the chevron pattern to form a portion where the number of laminated layers is reduced. As in FIG. 1, the bubble is transferred in the direction of arrow 5 with respect to the clockwise rotation of the in-plane rotating magnetic field. When the bias magnetic field becomes high and the bubble 31 passes through the stacked part of the Siepron pattern, it shrinks at the top of the pattern 3 as shown at 32.
Even when reaching the position indicated by 3, there is a transfer pattern 20' corresponding to the next laminated part of the chevron pattern, and the bubbles will not jump out of the stretcher. In other words, in the bubble stretcher 1, which is made up of a part for reducing the number of laminated layers of the chevron having such a laminated layer number conversion pattern, a large passage margin can be obtained. In this example, 20″, 2
0″″ also uses finger-like patterns, but by using two or more finger-like patterns in this way, a larger margin can be obtained. The same applies not only to the stretcher but also to a simple layer number conversion section. The features of the present invention are:
A finger-like pattern as shown in FIG. 20 is used as the layer number conversion pattern.

指状パタンとは単一軟磁性パタンで複数個の分枝を一方
に持ち、他方で1つに合流した実質的には多段山形パタ
ンであるバブル転送パタンで,ある。本発明は単にバブ
ルストレツチヤーシエプロン積層パタン段数増減部に用
いられるだけではなく、シエプロン転送パタン、Y−Y
転送パタン、ハーフデイスク型転送パタンと多段シエプ
ロン型転送パタンを連絡するのに用いられることは言う
までもない。
The finger-like pattern is a bubble transfer pattern that is a single soft magnetic pattern having a plurality of branches on one side and merging into one on the other side, which is essentially a multi-stage chevron pattern. The present invention is not only used for increasing and decreasing the number of stages of bubble stretch layered layered patterns, but also for layered layered patterns of layered layers such as bubble stretcher layered patterns, Y-Y
It goes without saying that the transfer pattern is used to communicate the half-disk transfer pattern and the multi-stage chevron transfer pattern.

第3図は本発明の第2の実施例を示し、4段シエプロン
転送パタン1と単シエプロン転送パタンを4分枝指状積
層段数変換パタンを用いて接続した例である。
FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention, and is an example in which a four-stage chevron transfer pattern 1 and a single-stage chevron transfer pattern are connected using a four-branch finger-like laminated stage number conversion pattern.

この転送パタン列のどちら側からバブルが転送されてき
ても、大きなマージンでバブル伸長段数を変換すること
が可能である。第4図は本発明の第3の実施例を示す。
Regardless of which side of this transfer pattern sequence the bubbles are transferred from, it is possible to convert the number of bubble expansion stages with a large margin. FIG. 4 shows a third embodiment of the invention.

3段シエプロン転送パタンと単シエプロンパタンを3分
枝指状段数変換パタン20を用いていて接続している。
A three-stage chevron transfer pattern and a single-stage chevron transfer pattern are connected using a three-branch finger-like stage number conversion pattern 20.

第5図は本発明の第4の実施例を示す。FIG. 5 shows a fourth embodiment of the invention.

2段シエプロン転送パタンと単シエプロン転送パタンを
2分枝指状段数変換パタン22を用いて接続しでいる。
The two-stage chevron transfer pattern and the single-stage chevron transfer pattern are connected using a bifurcated finger-like stage number conversion pattern 22.

本発明に用いる指状段数変換パタンの分枝数は第2〜第
4の実施で用いられている様な4〜2本に限定されてい
る訳ではなく、その数は変換する段数に応じて任意に定
めることが出来る。
The number of branches of the finger-like stage number conversion pattern used in the present invention is not limited to four or two as used in the second to fourth embodiments, but the number depends on the number of stages to be converted. It can be set arbitrarily.

又、バブル伸長用多段積層パタンは以上の実施例で示さ
れたシエプロン型のみでなくY型その他の形状を示す多
段積層パタンであつても良いことは勿論である。
Moreover, it goes without saying that the multi-layered laminated pattern for bubble expansion is not limited to the chevron shape shown in the above embodiments, but may also be a multi-layered laminated pattern exhibiting a Y-shape or other shapes.

以上に述べた様に本発明によれば、メジヤーループ内の
バブルストレツチヤ一の様にバブル伸長用多段積層パタ
ンの段数増減部でバブル転送エラーの少ない極めて安定
したマージンのバブル素子が実現出る。
As described above, according to the present invention, a bubble element with very stable margins with few bubble transfer errors can be realized in the step number increasing/decreasing portion of the multi-layer laminated pattern for bubble expansion, such as the bubble stretcher in the major loop.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来のバブル伸長用多段積層パタンよりなる段
数変換部分を示す平面図、第2〜5図は本発明における
段数変換部分の幾つかの実施例を示す平面図である。 1はバブル伸長用多段積層パタン、2は段数変化部分、
20,20″,20−21,22は本発明の指状段数変
換パタン、31,32,33,34はバブルの位置、4
はバブル転送路のパタン、5はバブルの転送方向を示す
矢印である。
FIG. 1 is a plan view showing a stage number conversion part made of a conventional multi-stage laminated pattern for bubble expansion, and FIGS. 2 to 5 are plan views showing some embodiments of the stage number conversion part in the present invention. 1 is a multi-stage laminated pattern for bubble expansion, 2 is a part where the number of stages changes,
20, 20'', 20-21, 22 are the finger stage number conversion patterns of the present invention, 31, 32, 33, 34 are bubble positions, 4
is a bubble transfer path pattern, and 5 is an arrow indicating the bubble transfer direction.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 バブル磁区を保持する磁性材料とこの磁性材料上に
設けた軟磁性体パタンとから成り面内回転磁場により前
記軟磁性体パターンを磁化して前記バブル磁区を転送す
るバブル磁区素子において、バブル磁区転送方向と異な
る方向にバブル磁区を伸長する軟磁性体膜から成る多段
に積層した第1のパタンとこのパタンより段数の少い多
段積層もしくは単層の第2のパタンとの間の多段積層パ
タンの少くとも一部に前記第1のパタン側に複数個の分
枝を持ち前記第2のパタン側に1つの幹枝を持ち両者が
実質的に山型を呈するパタンで結合された指状パタンを
備えた転送パタンを有することを特徴とするバブル磁区
素子。 2 指状パタンの分枝の数が2個ないし5個である特許
請求の範囲第1項記載のバブル磁区素子。 3 第1及び第2のパタンがシエブロンの積層パタンで
ある特許請求の範囲第1項もしくは第2項記載のバブル
磁区素子。 4 第1およびまたは第2のパタンの少くとも一部に指
状パタンを含む特許請求の範囲第1項もしくは第2項記
載のバブル磁区素子。
[Scope of Claims] 1. A bubble consisting of a magnetic material that retains a bubble magnetic domain and a soft magnetic pattern provided on the magnetic material, which magnetizes the soft magnetic pattern with an in-plane rotating magnetic field and transfers the bubble magnetic domain. In the magnetic domain element, a multi-layered first pattern consisting of a soft magnetic film that extends bubble magnetic domains in a direction different from the bubble magnetic domain transfer direction, and a multi-layered layered or single-layer second pattern having fewer steps than this pattern. At least a part of the multi-layer laminated pattern between them has a plurality of branches on the first pattern side, one main branch on the second pattern side, and both are combined in a pattern that has a substantially mountain shape. A bubble magnetic domain element having a transfer pattern having a finger-like pattern. 2. The bubble magnetic domain element according to claim 1, wherein the number of branches of the finger-like pattern is 2 to 5. 3. The bubble magnetic domain element according to claim 1 or 2, wherein the first and second patterns are chevron laminated patterns. 4. The bubble magnetic domain element according to claim 1 or 2, wherein at least a portion of the first and/or second pattern includes a finger-like pattern.
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