JPS5939914B2 - Semiconductor laser output control circuit - Google Patents

Semiconductor laser output control circuit

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JPS5939914B2
JPS5939914B2 JP51117107A JP11710776A JPS5939914B2 JP S5939914 B2 JPS5939914 B2 JP S5939914B2 JP 51117107 A JP51117107 A JP 51117107A JP 11710776 A JP11710776 A JP 11710776A JP S5939914 B2 JPS5939914 B2 JP S5939914B2
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semiconductor laser
peak value
laser output
circuit
laser
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侑宏 持田
忠雄 小川
一雄 山口
秀樹 石尾
清司 中川
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Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Fujitsu Ltd
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/068Stabilisation of laser output parameters
    • H01S5/0683Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体レーザを用いた光通信装置に関し、特に
該光通信装置内の半導体レーザ出力制御回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an optical communication device using a semiconductor laser, and more particularly to a semiconductor laser output control circuit within the optical communication device.

一近年の半導体レーザの進歩に伴い、光ファイバーとの
組合せによる光通信例えば光PCM通信が9 実用化さ
れつ・つある。
With the progress of semiconductor lasers in recent years, optical communications in combination with optical fibers, such as optical PCM communications, are being put into practical use.

半導体レーザを用いて光通信装置を実現する場合、最も
支障となる問題点は半導体レーザ出力が温度変動と共に
大きく変化することである。すなわち、半導体レーザ素
子に与えるバイアス電流を大きくまたは小さく設定して
、5 大出力または小出力のレーザ出力を得ようとする
とき、該バイアス電流の閾値が温度変動と共に大きく変
化してしまうのである。このため半導体レク、−ーザを
用いた光通信装置では、温度変動にかかわりなく、ほぼ
一定のレーザ出力を得るための半導体レーザ出力制御回
路が不可欠である。
When realizing an optical communication device using a semiconductor laser, the most troubling problem is that the output of the semiconductor laser changes greatly with temperature fluctuations. That is, when trying to obtain a large or small laser output by setting a large or small bias current to a semiconductor laser element, the threshold value of the bias current changes significantly with temperature fluctuations. Therefore, in an optical communication device using a semiconductor laser, a semiconductor laser output control circuit is essential to obtain a substantially constant laser output regardless of temperature fluctuations.

後に詳述するごとく、この半導体レーザ出力制御回路を
実現する最も一般的な手法としては、比較器を設け該比
較器の第1比較入力には半導体レーザの現在の出力レベ
ルのピーク値を印加し、一方その第2比較入力には予め
定めた所定の基準レベルを印加し、該比較器におけるこ
れらレベルのレベル差に応じて半導体レーザ素子へ付与
すべきバイアス電流を変化させる方法が考えられる。と
ころが、例えば光PCM通信においては送信すべきPC
M信号の゛1゛またば0゛に対応してレーザ出力をオン
またはオフとするため、該PCM信号における゛0゛の
マーク率が高くなると、実際には半導体レーザ素子が所
定のレベルのレーザ出力を送出する能力を有するにもか
かわらず、前記比較器は半導体レーザ素子のレーザ出力
が極端に低下したものと見なし、前記バイアス電流を限
りなく増大させてしまう。この結果半導体レーザ素子が
破壊せしめられてしまうことは明らかである。このため
に、PCM信号における60゜゛のマーク率が高まり゛
0”が連続してN個(Nは例えば15)送出されたとき
は、PCM信号の有無にかかわりなくPCM信号゛1゛
に相当するレーザ出力を外部から強制的に発生させるよ
うにし、“0゛が連続してもレーザ出力が極端に低下し
たものと見なさないようにすることが出来る。ただし、
外部から強制的に発生せしめられた、レーザ出力(“1
゛)を表わす信号(前記第1比較入カへの信号)はCR
回路を介して所定の時間保持される。然しながら前述の
方法ではPCM信号が断となつたとき、やはり前記バイ
アス電流は限りなく増大して半導体レーザ素子を破壊す
る結果となる欠点があり、またPCM信号が送出されて
いるときに前記のNをカウントする操作および該カウン
トの内容がNに至つたとき前述の擬似のレーザ出力を発
生する操作を行わせることは、回路を複雑且つ大形化す
る原因ともなる。また前記Nの設定を誤るとPCM信号
にエラーを含む結果にもなりかねない欠点がある。従つ
て本発明の目的は、送信すべき信号のパターンの如何に
かかわらず、そして該信号が断である場合にも、半導体
レーザ素子に過大なバイアス電流を与えることなく、常
に適正な一定のパワーを有するレーザ出力が得られる半
導体レーザ出力制御回路を提供することであり、しかも
この目的を極めて単純化された従つて小形な回路で実現
しようとするものである。
As will be detailed later, the most common method for realizing this semiconductor laser output control circuit is to provide a comparator and apply the peak value of the current output level of the semiconductor laser to the first comparison input of the comparator. On the other hand, a method can be considered in which a predetermined reference level is applied to the second comparison input, and the bias current to be applied to the semiconductor laser element is changed according to the level difference between these levels in the comparator. However, for example, in optical PCM communication, the PC to transmit
Since the laser output is turned on or off in response to ``1'' or 0'' of the M signal, when the mark rate of ``0'' in the PCM signal becomes high, the semiconductor laser element actually turns the laser at a predetermined level. Despite having the ability to transmit output, the comparator assumes that the laser output of the semiconductor laser device has extremely decreased, and increases the bias current to an infinite extent. It is clear that this results in the semiconductor laser element being destroyed. For this reason, the mark rate of 60° in the PCM signal increases and when N "0"s (N is 15, for example) are sent out consecutively, it corresponds to the PCM signal "1" regardless of the presence or absence of the PCM signal. It is possible to forcibly generate the laser output from the outside so that even if "0" continues, the laser output is not considered to be extremely low. however,
The laser output (“1”) is forcibly generated from the outside.
The signal representing ゛) (signal to the first comparison input) is CR
It is held for a predetermined time via a circuit. However, the method described above has the disadvantage that when the PCM signal is interrupted, the bias current increases infinitely, resulting in destruction of the semiconductor laser element. The operation of counting N and the operation of generating the above-mentioned pseudo laser output when the content of the count reaches N causes the circuit to become complicated and large. Furthermore, if the setting of N is incorrect, there is a drawback that the PCM signal may contain an error. Therefore, it is an object of the present invention to always maintain an appropriate constant power without applying an excessive bias current to the semiconductor laser device, regardless of the pattern of the signal to be transmitted, and even when the signal is disconnected. It is an object of the present invention to provide a semiconductor laser output control circuit that can obtain a laser output having a laser output of 100%, and to achieve this object with an extremely simplified and therefore small-sized circuit.

上記目的に従い本発明は、前記の比較器の第2比較入力
に印加すべき基準レベルが、送信すべき信号が断である
場合を含め該信号のパターンに応じて可変であるように
したことを特徴とするものである。
In accordance with the above object, the present invention provides that the reference level to be applied to the second comparison input of the comparator is variable according to the pattern of the signal to be transmitted, including when the signal is disconnected. This is a characteristic feature.

以丁図面に従つて本発明を説明する。The present invention will now be described with reference to the drawings.

ただしPCM信号を伝送する場合を例にとつて述べる。
第1図は、最も一般的な手法で実現される半導体レーザ
出力制(財)回路を具えた、光通信装置を示すプロツク
図である。本図において11は半導体レーザ素子であり
、レーザバイアス電流制御回路12から供給されたバイ
アス電流によつて発振しレーザ出力を発生する。一方レ
ーザ素子11はレーザ,駆動回路13からも同時に制御
を受け、レーザ出力をどのようなタイミングで送出(放
射)すべきかが決定される。さらに、このレーザ出力の
送出タイミングは送信信号供給回路14によつて決定さ
れる。すなわち送信信号供給回路14は、伝送すべきP
CM信号をレーザ1駆動回路13に供給する。ここにレ
ーザ素子11は、伝送すべきPCM信号の゛1”゛0゛
に対応した2値のレーザ出力P(およびP′)を送出す
る。ただしレーザ出力Pはレーザ前方出力であり、レー
ザ出力P′はレーザ後方出力である。このうちレーザ前
方出力Pが、光フアイバ一(図示せず)の端部に照射さ
れ、該光フアイバ一他端の受信局に光PCM信号として
伝送される。以上の構成は、光通信装置の基本であり、
レーザ出力の温度変動を補償すべく、さらに半導体レー
ザ出力制御回路10が付加される。
However, the case where a PCM signal is transmitted will be described as an example.
FIG. 1 is a block diagram showing an optical communication device equipped with a semiconductor laser output control circuit realized by the most general method. In the figure, reference numeral 11 denotes a semiconductor laser element, which oscillates with a bias current supplied from a laser bias current control circuit 12 to generate a laser output. On the other hand, the laser element 11 is simultaneously controlled by the laser and drive circuit 13, and it is determined at what timing the laser output should be sent out (radiated). Furthermore, the transmission timing of this laser output is determined by the transmission signal supply circuit 14. That is, the transmission signal supply circuit 14 transmits P to be transmitted.
A CM signal is supplied to the laser 1 drive circuit 13. Here, the laser element 11 sends out a binary laser output P (and P') corresponding to "1" and "0" of the PCM signal to be transmitted. However, the laser output P is the laser front output, and the laser output P' is the laser rear output. Of these, the laser front output P is irradiated onto the end of an optical fiber (not shown) and transmitted as an optical PCM signal to a receiving station at the other end of the optical fiber. The above configuration is the basics of optical communication equipment.
A semiconductor laser output control circuit 10 is further added to compensate for temperature fluctuations in the laser output.

一般的な半導体レーザ出力制御回路10は、次に述べる
15,16,17,18および19の各部分からなる。
先ず光検出器15はレーザ後方出力P′を受光し、その
レベルを光/電気変換して増幅器16に送出する。なお
、レーザ後方出力P′の大きさとレーザ前方出力Pの大
きさは相互に同一で(まないが、Pが変勧したとき一定
の比例関係でP′も変化する。また光検出器15は例え
ばホトダイオードからなる。゛1”゛O゛パターンから
なるPCM信号が送信信号供給回路14から送出された
とき、PCM信号″1゛に対応してレーザ出力P(およ
びP7)がレーザ素子11より放射されるので、該レー
ザ出力Pのレベルのビーク1直を、従つてレーザ出力P
′0)レベルのビーク値を、前述の光検出器15および
増幅器16を介して、電気信号の形で検出する。この検
出はビーク値検出回路17において行われる。既に述べ
た如く、レーザ素子11は極めて温度変動を受け易いの
でレーザ1駆動回路13から一定レベルのPCM電気信
号゛1゛が供給されたとしても、これに対応するレーザ
出力(PおよびPつのピーク値は時々刻々変化する。こ
のピーク値の変化は比較器18の第1比較入力18−1
に電圧Vpとして印加され、一方その第2比較入力18
−2には半固定抵抗19を介して所定の基準電圧,E,
が印加される。この基準電圧VrO,は、電圧VpがV
re,と一致したとき、所望のレベルのレーザ出力P(
およびPl)が得られるように設定される。比較器18
は電圧 と基0P準電圧Vre,の差に比例した差電圧
を出力し、Vp〉Refとなつたときレーザ出力を下げ
るようにバイアス電流制御回路12からのバイアス電流
を制御し、一方V,くVre,となつたとき該レーザ出
力を上げるようにバイアス電流を制帥する。
A typical semiconductor laser output control circuit 10 consists of parts 15, 16, 17, 18 and 19 described below.
First, the photodetector 15 receives the laser rear output P', performs optical/electrical conversion on its level, and sends it to the amplifier 16. Note that the magnitude of the laser rear output P' and the magnitude of the laser front output P are not the same (although they are not the same, but when P changes, P' also changes in a certain proportional relationship. Also, the photodetector 15 For example, when a PCM signal consisting of a photodiode is sent out from the transmission signal supply circuit 14, the laser output P (and P7) is emitted from the laser element 11 in response to the PCM signal "1". Therefore, the peak 1 direct of the level of the laser output P, therefore, the laser output P
'0) level peak value is detected in the form of an electrical signal via the aforementioned photodetector 15 and amplifier 16. This detection is performed in the peak value detection circuit 17. As already mentioned, the laser element 11 is extremely susceptible to temperature fluctuations, so even if the PCM electric signal 1 is supplied from the laser 1 drive circuit 13 at a constant level, the corresponding laser output (P and P peaks) The value changes from time to time.The change in this peak value is the first comparison input 18-1 of the comparator 18.
is applied as voltage Vp to , while its second comparison input 18
−2 is connected to a predetermined reference voltage, E, through a semi-fixed resistor 19.
is applied. This reference voltage VrO, has a voltage Vp of V
re, the desired level of laser output P(
and Pl). Comparator 18
outputs a differential voltage proportional to the difference between the voltage V and the reference 0P standard voltage Vre, and controls the bias current from the bias current control circuit 12 so as to lower the laser output when Vp>Ref, while V, When Vre is reached, the bias current is controlled so as to increase the laser output.

かくして半導体レーザ出力制御回路10の系はVp=R
efで安定し、常に所望のレベルのレーザ出力が得られ
ることになる。
Thus, the system of the semiconductor laser output control circuit 10 has Vp=R.
It is stable at ef, and a desired level of laser output is always obtained.

ところが、送信信号供給回路14からのPCM信号が例
えば、(1011000・・・・・0010) のように60゛を連続して含むパターンであつたとする
と、ピーク値検出回Fjl7からの電圧ゝ
pは殆んど零レベルとなり、あ
たかもPCM信号”1゛に対応するレーザ出力のビーク
値が零まで落ち込んだ様に見なされてしまう。
However, if the PCM signal from the transmission signal supply circuit 14 has a pattern such as (1011000...0010) that continuously includes 60°, then the voltage from the peak value detection circuit Fjl7 becomes
p becomes almost zero level, and it is regarded as if the peak value of the laser output corresponding to the PCM signal "1" has dropped to zero.

このため比較器18は、バイアス電流を限りなく増大さ
せる向きにバイアス電流制釧回路12を,駆動すること
となり、高価なレーザ素子11を破壊に至らしめる結果
となる。前記ピーク値検出回路17は、多少、”0”連
続パターンが含まれても上述の不都合が生じないように
、電圧 を所定の時「…保持するゝ p回路を具え
ているが、この保持時間を超えるような10゛連続パタ
ーンに対しては無効である。
For this reason, the comparator 18 drives the bias current control circuit 12 in a direction that increases the bias current infinitely, resulting in the destruction of the expensive laser element 11. The peak value detection circuit 17 is equipped with a p circuit that holds the voltage at a predetermined time so that the above-mentioned problem does not occur even if a pattern of continuous 0s is included. It is invalid for 10' continuous patterns exceeding 10'.

このため10゛連続パターンの゛0゛の個数が予め定め
た一定値例えば15を超える毎に、つまり前記の保持時
間を超える毎に、PCM信号゛1゛と等価なレーザ出力
を外部から強制的に発生せしめる方法が提案された。然
し、このために比較的煩雑な新たな回路が付加されなけ
ればならず、効果的な方法とは言えない。まだ0゛の個
数を余り過大に設定すると、電圧Vが保持されている電
ゝ p圧を表すのか、あるいはその保持期間中
に実際に発生したPCM信号゛1”に対応するレーザ出
力のピーク値に相当する電圧表すのか、これらの区別が
つかなくなり、最悪の場合、実際のレーザ出力のビーク
値が相当低下したにもかかわらず、バイアス電流を増大
させないという誤つた制御を行う結果にもなる。
For this reason, every time the number of 0's in a 10' continuous pattern exceeds a predetermined constant value, for example 15, that is, every time the above holding time is exceeded, a laser output equivalent to the PCM signal 1 is forced from the outside. A method was proposed to cause this to occur. However, this requires the addition of a relatively complicated new circuit, and this cannot be said to be an effective method. If the number of 0's is set too large, it will be difficult to determine whether the voltage V represents the held voltage p pressure or the peak value of the laser output corresponding to the PCM signal '1' actually generated during the holding period. It becomes impossible to distinguish whether the voltage represents a voltage corresponding to , and in the worst case, even though the peak value of the actual laser output has decreased considerably, the bias current may be erroneously controlled not to be increased.

さらにまた、PCM信号が一時的に断となつた場合、゛
0”連続パターンの”O゛個数をカウントするクロツク
タイミングが得られなくなり、PCM信号゛1”に対応
するレーザ出力が零であるのと全く等価な状態を呈し、
やはりレーザ素子11を破壊に至らしめる結果となつて
しまう。そこで、本発明は、上述した不都合を解決し、
しかも安価で単純且つ光通信装置回路の寸法(ま殆んど
従来どおりのままで良い半導体レーザ出力制御回路を提
案し、その一例を第2図に示す。
Furthermore, if the PCM signal is temporarily interrupted, the clock timing to count the number of "0" continuous patterns of "0" cannot be obtained, and the laser output corresponding to the PCM signal "1" is zero. It exhibits a state completely equivalent to that of
This also results in the destruction of the laser element 11. Therefore, the present invention solves the above-mentioned disadvantages,
In addition, we have proposed a semiconductor laser output control circuit that is inexpensive, simple, and allows the dimensions of the optical communication device circuit to remain almost the same as conventional ones. An example of this circuit is shown in FIG.

この半導体レーザ出力制脚回路が上述した不都合を解決
し、なお安価で且つ小形であることは、これが中継器(
Repeater)に用いられることを考慮すると、極
めて重要なことである。本図において第1図と同一の参
照番号(記号)を付したものは相互に同一の構成物であ
る。図中、20は本発明に基づく半導体レーザ出力制御
回路を示す。第1図および第2図を比較して明らかな様
に、本発明の半導体レーザ出力制御回路20(1、第1
図のそれに対して単にビーク値検出回路21を付加した
だけである。このビーク値検出回絡21は、送信信号供
給回路14の一部から分岐して得たPCM電気信号゛1
゛のピーク値を検出し、基準電圧V/Re,を供給する
可変抵抗22(第1図の半固定抵抗19に対応する)全
体の戚位を、その検出ピーク値電圧に応じて変化させる
。すなわち、PCM電気信号に゛0゛連続パターンが含
まれると、信号供給回路14に接続するビーク値検出回
路21の出力電圧もこれに応じて低下し、従つて“比較
器18の第2比較入力18−2に印加すべき基準電圧′
ROfも低下する。これにより、PCM電気信号に長い
゛O゛連続パターンが含まれピーク値検出回路17から
の電圧V,が殆んど零レベルとなつても、該電圧V と
比較すべき) P基準電圧′Re,も
また零レベルとなり、比較器18の出力もほぼ零である
The fact that this semiconductor laser output restraining circuit solves the above-mentioned disadvantages and is still inexpensive and compact is that it is a repeater (
This is extremely important considering that it is used as a repeater. In this figure, the same reference numbers (symbols) as in FIG. 1 indicate the same components. In the figure, 20 indicates a semiconductor laser output control circuit based on the present invention. As is clear from comparing FIGS. 1 and 2, the semiconductor laser output control circuit 20 (1, first
A peak value detection circuit 21 is simply added to the one shown in the figure. This peak value detection circuit 21 is connected to a PCM electric signal ``1'' obtained by branching from a part of the transmission signal supply circuit 14.
The peak value of V/Re is detected, and the relative position of the entire variable resistor 22 (corresponding to the semi-fixed resistor 19 in FIG. 1) that supplies the reference voltage V/Re is changed in accordance with the detected peak value voltage. That is, when the PCM electric signal includes a continuous pattern of 0, the output voltage of the peak value detection circuit 21 connected to the signal supply circuit 14 also decreases accordingly, and therefore the second comparison input of the comparator 18 Reference voltage to be applied to 18-2'
ROf also decreases. As a result, even if the PCM electrical signal includes a long "O" continuous pattern and the voltage V from the peak value detection circuit 17 is almost at zero level, it should be compared with the voltage V) P reference voltage 'Re , are also at zero level, and the output of the comparator 18 is also approximately zero.

従つてバイアス電流を過大に増大させるようなことはな
い。また、この様な構成をとることにより、”0゛連続
パターンの″0”゜個数がいくつであつても回路は常に
適正に動作し、さらにPCM信号が断となつたときでも
回路は常に適正に動作する。つまり比較器18の出力が
バイアス屯流を過大に増大させるという不都合が解消さ
え、レーザ素子11を破壊することはない。前述のビー
ク値検出回路21の構成は、第1図のピーク値検出回路
17と同一の構成で良く、後述するようにダイオードと
CR回路(時定数回路)の組合せで実現出来る。ただし
ここで注意すべきことは、いずれのCR回路もその時定
数を同一にしておかなければならないことである。両者
の時定数に差があると、ある1つのビーク値をサンプリ
ングしたのち放電時間の経過と共に電圧。と基準電圧′
Re,との差が拡がり、不必要にバイアス電流を大きく
(または小さく)してしまうからである。そして両CR
回路からの出力の位相も揃えておく必要がある。第3図
は、第2図のプロツクを一部具体回路に置き換えて示す
図である。
Therefore, the bias current will not be increased excessively. In addition, by adopting such a configuration, the circuit always operates properly no matter how many "0"s there are in the "0" continuous pattern, and furthermore, even when the PCM signal is disconnected, the circuit always operates properly. In other words, even if the disadvantage that the output of the comparator 18 excessively increases the bias current is resolved, the laser element 11 will not be destroyed.The configuration of the peak value detection circuit 21 described above is similar to that shown in FIG. It may have the same configuration as the peak value detection circuit 17, and can be realized by a combination of a diode and a CR circuit (time constant circuit) as described later.However, it should be noted here that all CR circuits have the same time constant. If there is a difference in the time constant between the two, the voltage and the reference voltage ' will change as the discharge time elapses after sampling one peak value.
This is because the difference between the bias current and the bias current increases (or decreases) unnecessarily. and both CRs
It is also necessary to align the phases of the outputs from the circuit. FIG. 3 is a diagram showing a part of the block shown in FIG. 2 replaced with a concrete circuit.

レーザ素子11は、電流スイツチ回路からなるレーザ駆
動回路13によつて駆動される。一方レーザ素子11に
はバイアス電流制御回路12から直流バイアスが写えら
れる。Lは信号をしや断するコイルである。電流スイツ
チ回路13は、識別回路(F/F)からなる送信信号供
給回路14によつてオン・オフする。識別回路(F/F
)にはPCM信号(PCM.)が1n与えられる。
The laser element 11 is driven by a laser drive circuit 13 consisting of a current switch circuit. On the other hand, a direct current bias is applied to the laser element 11 from the bias current control circuit 12. L is a coil that cuts off the signal. The current switch circuit 13 is turned on and off by a transmission signal supply circuit 14 consisting of an identification circuit (F/F). Identification circuit (F/F
) is given 1n PCM signals (PCM.).

ここで本発明の特徴をなすピーク値検出回路21はダイ
オードDならびにコンデンサCで構成され、該ダイオー
ドDへの入力は、識別回路(F/F)のQ出力、若しく
は電流スイツチ回路13のR点から与えられる。以上説
明したように本発明によれば、半導体レ・−ザを用いた
光通信装置において不可欠な構成要素である半導体レー
ザ出力制御回路に、単純、小形且つ安価なピーク値検出
回路を付加するのみで、従来問題となつていた、連続無
信号時および信号断時におけるバイアス電流の暴走が確
実に防止される。
The peak value detection circuit 21, which is a feature of the present invention, is composed of a diode D and a capacitor C, and the input to the diode D is the Q output of the identification circuit (F/F) or the R point of the current switch circuit 13. given from. As explained above, according to the present invention, a simple, compact, and inexpensive peak value detection circuit is simply added to the semiconductor laser output control circuit, which is an essential component in an optical communication device using a semiconductor laser. This reliably prevents the bias current from running out of control when there is no continuous signal or when the signal is cut off, which has been a problem in the past.

なお、以上の説明ではレーザ出力を制御する方式として
、レーザバイアス電流を制御する方式を用いた場合にお
ける適用法を例として説明してきたが、レーザ1駆動信
号電流を制御する方式についても、同様の適用が可能で
ある。
In addition, in the above explanation, the method of controlling the laser bias current has been explained as an example of the method of controlling the laser output, but the same method can also be applied to the method of controlling the laser 1 drive signal current. Applicable.

【図面の簡単な説明】 第1図は一般的な半導体レーザ出力制御回路を具えた光
通信装置を示すプロツク図、第2図は本発明に基づく半
導体レーザ出力制御回路を具えた光通信装置を示すプロ
ツク図、第3図は第2図のプロツクを一部具体回路に置
き換えて示すプロツク図である。 図において、11は半導体レーザ素子、12はレーザバ
イアス制御回路、14は送信信号供給回路、18は比較
器、20は本発明による半導体レーザ出力制御回路、2
1はビーク値検出回路、22は基準電圧供給用の可変抵
抗、Pはレーザ前方出力、P′はレーザ後方出力である
[Brief Description of the Drawings] Fig. 1 is a block diagram showing an optical communication device equipped with a general semiconductor laser output control circuit, and Fig. 2 is a block diagram showing an optical communication device equipped with a semiconductor laser output control circuit based on the present invention. The block diagram shown in FIG. 3 is a block diagram in which part of the block in FIG. 2 is replaced with a concrete circuit. In the figure, 11 is a semiconductor laser element, 12 is a laser bias control circuit, 14 is a transmission signal supply circuit, 18 is a comparator, 20 is a semiconductor laser output control circuit according to the present invention, 2
1 is a peak value detection circuit, 22 is a variable resistor for supplying a reference voltage, P is a laser front output, and P' is a laser rear output.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 レーザ出力の信号を送出する半導体レーザ素子11
と、該半導体レーザ素子11からのレーザ出力の送出タ
イミングを、駆動制御するための“1”“0”パターン
信号を出力する送信信号供給回路14ならびにレーザ駆
動回路13からなるレーザ駆動系と、該半導体レーザ素
子11に付与すべきバイアス電流を制御するレーザバイ
アス電流制御回路12と、該レーザバイアス電流制御回
路12へ供給すべき制御信号を生成する比較器18とを
有し、該比較器18はその第1比較入力18−1におい
てピーク値検出回路17からの出力を受信し、又その第
2比較入力18−2において所定の基準電圧を受信して
これらの差電圧を形成し、該ピーク値検出回路17は、
光検出器15および増幅器16を介して電気信号の形に
変換した前記半導体レーザ素子11からのレーザ出力の
ピーク値を検出して所定の時定数をもつてこれを保持す
る機能を備えるようにした半導体レーザ出力制御回路に
おいて、前記第2比較入力18−2において受信すべき
前記基準電圧のレベルを全体に高低変化させるピーク値
検出回路21を設け、該ピーク値検出回路21は、前記
“1”“0”パターン信号のピーク値を検出して所定の
時定数をもつてこれを保持する機能を備え且つ前記ピー
ク値検出回路17、21の各前記時定数が略同一である
ことを特徴とする半導体レーザ出力制御回路。
1 Semiconductor laser element 11 that sends out a laser output signal
, a laser drive system consisting of a transmission signal supply circuit 14 and a laser drive circuit 13 that output a "1""0" pattern signal for driving and controlling the timing of transmitting laser output from the semiconductor laser element 11; It has a laser bias current control circuit 12 that controls the bias current to be applied to the semiconductor laser element 11, and a comparator 18 that generates a control signal to be supplied to the laser bias current control circuit 12. The output from the peak value detection circuit 17 is received at its first comparison input 18-1, and a predetermined reference voltage is received at its second comparison input 18-2 to form a difference voltage between them, and the peak value The detection circuit 17 is
It is provided with a function of detecting the peak value of the laser output from the semiconductor laser element 11 converted into an electric signal via a photodetector 15 and an amplifier 16 and holding it with a predetermined time constant. In the semiconductor laser output control circuit, a peak value detection circuit 21 is provided that changes the level of the reference voltage to be received at the second comparison input 18-2, and the peak value detection circuit 21 detects the "1" level. It has a function of detecting the peak value of the "0" pattern signal and holding it with a predetermined time constant, and is characterized in that the time constants of the peak value detection circuits 17 and 21 are substantially the same. Semiconductor laser output control circuit.
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