JPS5936594B2 - how to do it - Google Patents

how to do it

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JPS5936594B2
JPS5936594B2 JP50139033A JP13903375A JPS5936594B2 JP S5936594 B2 JPS5936594 B2 JP S5936594B2 JP 50139033 A JP50139033 A JP 50139033A JP 13903375 A JP13903375 A JP 13903375A JP S5936594 B2 JPS5936594 B2 JP S5936594B2
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film
recording
vapor deposition
thin film
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昇 山田
信夫 赤平
威夫 太田
睦夫 竹永
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明の目的は、大きい光学濃度変化または反射率変化
を得、良好なS/N比を得ることができる情報記録方法
を提供するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide an information recording method capable of obtaining a large change in optical density or reflectance and a good S/N ratio.

近年情報量の増大にともなつて、これらの信号を、高速
、高密度に記録、再生する方法が望まれており、この観
点から、最近注目をあつめているのは、光学的な情報記
録再生方法である。
As the amount of information has increased in recent years, there has been a desire for a method to record and reproduce these signals at high speed and high density.From this perspective, optical information recording and reproduction has recently been attracting attention. It's a method.

これらの中で代表的なものを次にあげる。The following are some of the most representative ones.

第1は、湿式現像が不要なドライシルバi銀塩感光部材
を用いる方法である。
The first method is to use a DrySilver i silver salt photosensitive member that does not require wet development.

この方法では、信号に対応した光を照射し、しかる後に
この部材を加熱して顕像化し、黒化せしめ画像を形成し
、記録再生するもので、光感度が高い(1「2TWLJ
/cd)という利点を有している。
In this method, light corresponding to the signal is irradiated, and then this member is heated to visualize it, form a blackened image, and record and reproduce it.It has high photosensitivity (1"2TWLJ
/cd).

しかしながら、加熱現像過程が必要である点、及び、化
学的に若干不安定であるという欠点を有している。第2
は、金属薄膜に、レーザ光などによつて情報の書き込み
をおこなう方法である。
However, it has the drawbacks of requiring a heat development process and being somewhat chemically unstable. Second
is a method of writing information onto a metal thin film using laser light or the like.

たとえば、インジウム金属(In)融点Tm=156℃
あるいは、ビスマス金属(Bi)融点Tm=271℃等
を基板上に1000λ程度の薄厚として形成したものが
知られている。
For example, indium metal (In) melting point Tm=156°C
Alternatively, it is known that bismuth metal (Bi) having a melting point Tm=271° C. is formed on a substrate with a thickness of about 1000λ.

この部材に対する記録機構は、レーザ等の光源を用いて
、微少スポット〜10μφをこの薄膜に照射せしめ、該
金属膜の光吸収、昇温の結果、該スポット部位の金属が
融解、凝縮、あるいは蒸発し、この部位に微少な穴が形
成され、透明な部分として画像を決成するものである。
The recording mechanism for this member uses a light source such as a laser to irradiate this thin film with a minute spot of ~10μφ.As a result of light absorption and temperature rise of the metal film, the metal at the spot portion melts, condenses, or evaporates. However, a minute hole is formed in this part, and the image is determined as a transparent part.

この材料は現像処理が不要であるという長所をもつが感
度が103〜102mJ/cdと低く、光学濃度変化に
物質移動が伴うという点が問題である。
Although this material has the advantage of not requiring any development processing, it has a problem in that its sensitivity is as low as 103 to 102 mJ/cd, and that changes in optical density are accompanied by mass transfer.

第3の例は、半導体ガラス材料を用いた情報記録再生方
法である。これは、記録部材として酸素を含まないカル
コゲン化組成を使用するもので、例えば、Ge15Te
81sb2s2、As2s3、As20Se、oGe、
o等の材料が代表的である。この部材は、光学濃度の低
い非結晶状態つまり微視的には構成原子間の配置に規則
性を有しており、巨視的には規則性がみだれている状態
と、光学濃度の高い結晶状態つまり、結晶全体に規則性
が成立する、少くとも2つの状態を有するものである。
記録方法としては、例えば、レーザ光スポツト等をこの
材料薄膜に照射し、光吸収昇温によつて、熱的に非結晶
状態から結晶状態に変化させることができる。
A third example is an information recording and reproducing method using a semiconductor glass material. This uses a chalcogenated composition that does not contain oxygen as a recording member, such as Ge15Te.
81sb2s2, As2s3, As20Se, oGe,
Materials such as o are typical. This material has two states: an amorphous state with low optical density, that is, a microscopically regular arrangement of constituent atoms, and a macroscopically well-ordered state, and a crystalline state with high optical density. In other words, it has at least two states in which regularity is established throughout the crystal.
As a recording method, for example, a laser beam spot or the like can be irradiated onto the thin film of this material, and the material can be thermally changed from an amorphous state to a crystalline state by absorbing light and raising the temperature.

この場合、一般に光学濃度は低い方→)ら高い方に変化
し信号像が形成されるものである。
In this case, the optical density generally changes from low to high to form a signal image.

この方法は、光照射と同時に像形成が生ずる点及び、結
晶状態から再び非結晶状態にかえすことができる等の長
所を有する。
This method has the advantage that image formation occurs simultaneously with light irradiation and that the crystalline state can be changed back to the amorphous state.

しかしながら、光学情報記録方法に用いる場合その状態
変化に伴う光学濃度変化が小さいという欠点を有してい
る。
However, when used in an optical information recording method, it has the disadvantage that the change in optical density accompanying the change in state is small.

本発明における情報記録再生方法は、その記録部材とし
ては、第1図に示すように、基材1の表面に光吸収性の
モリブデン酸化物M。
In the information recording and reproducing method of the present invention, the recording member is a light-absorbing molybdenum oxide M on the surface of a base material 1, as shown in FIG.

Oxl(ただし0<X,〈3)を主成分とする薄膜感光
層2を形成せしめたものである。使用の目的によつては
、薄膜感光層2の上に、さらに透明保護層3を設ける。
A thin film photosensitive layer 2 containing Oxl (0<X, <3) as a main component is formed. Depending on the purpose of use, a transparent protective layer 3 may be further provided on the thin film photosensitive layer 2.

基材1は金属、例えばアルミニウへ銅等、あるいはガラ
ス、例えば石英、パイレツクス、ソーダガラス等、ある
いは樹脂、ABS樹脂、ポリスチレン、アクリル等、又
、透明フイルムとしてはアセテート、テフロン、ポリエ
ステル等が使用できる。
The base material 1 can be metal such as aluminum or copper, glass such as quartz, pyrex, soda glass, etc., resin, ABS resin, polystyrene, acrylic, etc., and the transparent film can be acetate, Teflon, polyester, etc. .

中でも、ポリエステルプールへ アクリル板等を使用す
る場合透明性がすぐれており、形成せしめた信号像を光
学的に再生する際に有効である。
Among these, when an acrylic plate or the like is used for the polyester pool, it has excellent transparency and is effective in optically reproducing the formed signal image.

反射で生する場合は、基材として紙などが使用できる。
薄膜感光層2は光吸収性の膜でありモリブデン酸化物M
If the light is generated by reflection, paper or the like can be used as the base material.
The thin film photosensitive layer 2 is a light-absorbing film made of molybdenum oxide M.
.

OXl(ただしO<.X1〈3)を主成分とし黄緑色な
いし青色を呈している。膜厚は、600八から2μ程度
のいずれでも良いが2000λ〜4000λの領域のも
のが記録解像度光学濃度変化によるコントラスト比とし
てすぐれたものを得る。
It is mainly composed of OXl (O<.X1<3) and has a yellow-green to blue color. The film thickness may be anywhere from about 6,008 to 2 .mu.m, but a thickness in the range of 2,000.lamda.

透明保護層3は、例えば、有機材料から得るアクリルラ
ツカ一あるいは、ポリビニールアルコール等の液を吹き
つけ塗布を施して形成する。
The transparent protective layer 3 is formed, for example, by spray coating an acrylic lacquer obtained from an organic material or a liquid such as polyvinyl alcohol.

特に強度の大きい保護層が必要な場合は、無機材料であ
るSiO2膜等を、電子ビーム加熱蒸着等の方法で形成
する。3J 4C 本発明におけるモリブデン酸化物M。
If a particularly strong protective layer is required, an inorganic material such as a SiO2 film is formed by a method such as electron beam heating evaporation. 3J 4C Molybdenum oxide M in the present invention.

OXl(0<X1〈3)を主成分とする光学記録膜は、
有機フイルム、アルミ箔等、いずれの基材に対しても密
着性がすぐれており、金属薄膜記録部材、例えばBi,
In蒸着膜に比較して機械的強度が大きく、使用条件に
よつては透明保護層3をはぶくことも可能である。つぎ
に、本発明における情報書き込みの方法を述べる。
The optical recording film whose main component is OXl (0<X1<3) is
It has excellent adhesion to any substrate such as organic film or aluminum foil, and has excellent adhesion to metal thin film recording materials such as Bi,
It has greater mechanical strength than an In vapor-deposited film, and depending on usage conditions, it is possible to remove the transparent protective layer 3. Next, a method for writing information in the present invention will be described.

光学書き込みの実施例としては、第2図〜第4図に示す
ように、キセノンフラツシユランプ、He−Ne等のガ
スレーザ及び半導体レーザによる近赤外光による書き込
み等も可能である。
As an example of optical writing, as shown in FIGS. 2 to 4, writing using near-infrared light using a xenon flash lamp, a gas laser such as He--Ne, or a semiconductor laser is also possible.

キセノンランプを用いる場合の記録方法の態様は、第2
図の実施例について述べると、まず光吸収性の、モリブ
デン酸化物M。
The aspect of the recording method when using a xenon lamp is as described in the second
Describing the embodiment shown in the figure, first, a light-absorbing molybdenum oxide M is used.

Ox,を主成分とする光学記録膜2を基板4に形成した
記録部材5に、場所的に光透過率の異るパターンを形成
したマスク6を密着せしめる。この上から、キセノンラ
ンプ7を発光、照射することにより、パターンに対応し
た濃淡像を該記録部材に形成する。
A mask 6 on which a pattern of light transmittance differs locally is brought into close contact with a recording member 5 having an optical recording film 2 mainly composed of Ox, formed on a substrate 4. By emitting and irradiating the xenon lamp 7 from above, a grayscale image corresponding to the pattern is formed on the recording member.

他の光学記録の実施例として、ガスレーザ光源を用いた
書き込みの態様を第3図について述べる。
As another example of optical recording, a mode of writing using a gas laser light source will be described with reference to FIG.

レーザ光源(人 He−Neレーザλ=6328人,H
e−Cdレーザλ二4416λ,Arレーザλ=514
5λ等いずれでも使用できる。レーザ管8から出たレー
ザ光9は、光変調器10例えば、LiNbO,電気光学
光変調器又は超音波光変調器等により信号に応じた強度
変調を受けミラー11を介し、収束用レンズ12により
スポツトを形成し、モリブデン酸化物M。
Laser light source (human He-Ne laser λ = 6328 people, H
e-Cd laser λ2 4416λ, Ar laser λ=514
5λ etc. can be used. The laser beam 9 emitted from the laser tube 8 is modulated in intensity according to the signal by an optical modulator 10 such as LiNbO, an electro-optic optical modulator, or an ultrasonic optical modulator, etc., and is then transmitted through a mirror 11 to a converging lens 12. Molybdenum oxide M forms spots.

OXlを主成分とする光吸収性記録膜13を設けた基材
14からなる光学記録部材を信号に対応した光強度で照
射する。光ビームと、光学記録部材の相対的な移動に伴
つて遂次にビツト信号が該記録部材上に書き込まれる。
An optical recording member consisting of a base material 14 provided with a light-absorbing recording film 13 containing OXl as a main component is irradiated with a light intensity corresponding to a signal. As the light beam and the optical recording member move relative to each other, bit signals are sequentially written onto the recording member.

レーザ光源として半導体レーザー、λ=9040λを使
用する場合の実施例を第4図に示す。
FIG. 4 shows an embodiment in which a semiconductor laser, λ=9040λ, is used as the laser light source.

半導体レーザは一般に射出するレーザ光のビームの拡が
りが±20にという角度で大きいためビーム型成のため
に、第1,第2のレンズを用いてスポツトを形成せしめ
る。
Since a semiconductor laser generally has a large beam spread of the emitted laser light at an angle of ±20, first and second lenses are used to form a spot in order to shape the beam.

半導体レーザ15としては、例えばパルス発振半導体レ
ーザを用いる。
As the semiconductor laser 15, for example, a pulse oscillation semiconductor laser is used.

射出ビームは、第1のレンズ16により疑似平行光17
となり第2のレンズ18によつてスポツト光19に成型
し、モリブデン酸化物M。
The emitted beam is transformed into pseudo-parallel light 17 by the first lens 16.
Then, a second lens 18 forms a spot light 19, and molybdenum oxide M is formed.

Ox,を主成分とする光吸収性薄膜20を設けた基材2
1からなる記録部材を信号に対応した光強度で照射する
。半導体レーザを使用する場合はガスレーザとは異つて
内部変調が容易であり、光変調器は不要である。
Base material 2 provided with a light-absorbing thin film 20 containing Ox as a main component
1 is irradiated with light intensity corresponding to the signal. When using a semiconductor laser, unlike a gas laser, internal modulation is easy and an optical modulator is not required.

光照射を受けた部位では濃青色になり光学濃度変化とし
て記録できる。
Areas exposed to light turn dark blue and can be recorded as changes in optical density.

光照射をおこなつた部位は、濃青色あるいは黒色に変化
し光学濃度が増大するとともに光反射率が増大する。
The area to which light has been irradiated changes color to deep blue or black, increases optical density, and increases light reflectance.

つぎに、本発明におけるように記録された情報の情報再
生方法について述べる。
Next, a method for reproducing information recorded as in the present invention will be described.

該情報記録薄膜は、未書き込み状態において黄緑色ない
し青色で書き込み状態では濃青色ないし黒化も光学濃度
が増大するとともに、反射率が変化する。
The information recording thin film changes from yellow-green to blue in the unwritten state and dark blue to black in the written state, and the optical density increases and the reflectance changes.

信号読み出しに際しては、第5図及び第6図の実施例に
示すように、透過式光信号再生及び、反射式光信号再生
が可能である。
When reading signals, as shown in the embodiments of FIGS. 5 and 6, transmission type optical signal reproduction and reflection type optical signal reproduction are possible.

第5図において透過式再生方法を説明する。The transmission type reproduction method will be explained with reference to FIG.

照明用光源22はタングステンランプ,He一Neレー
ザ,半導体レーザ等が使用でき集光用レンズ23を用い
てスポツト光24とし信号像25を裏面から照明する。
該信号記録膜からの透過光はレンズ26を通して検出光
27となり光感応ダイオード28に入る。
The illumination light source 22 can be a tungsten lamp, a He-Ne laser, a semiconductor laser, or the like, and a condensing lens 23 is used to turn the signal image 25 into a spot light 24 to illuminate the signal image 25 from the back side.
The transmitted light from the signal recording film passes through the lens 26 and becomes detection light 27 and enters the photosensitive diode 28.

透過光27の強度は、信号がない状態に比べて信号像を
照明する場合は約1/10から1/20に減少し、これ
を検出して信号再生をおこなうものである。第6図にお
いて同様に反射式再生方法を説明する。
The intensity of the transmitted light 27 is reduced to about 1/10 to 1/20 when illuminating a signal image compared to a state where there is no signal, and this is detected to perform signal reproduction. In FIG. 6, the reflection type reproduction method will be explained in the same way.

この場合は照明光は、透過式とは異なり信号記録層表面
から照明する。照明光29は、タングステンランプ、H
e−Neレーザ,半導体レーザ等が使用できる。まずハ
ーフミラー30を通過した光31は、レンズ32より集
光し、信号像33を照明する。つぎに、信号像33から
反射した光は、レンズ32を通過しハーフミラー30に
よつて反射し、反射光34としてレンズ35を通じて光
感応ダイオード36に入る。
In this case, the illumination light is applied from the surface of the signal recording layer, unlike the transmission type. The illumination light 29 is a tungsten lamp, H
An e-Ne laser, a semiconductor laser, etc. can be used. First, the light 31 that has passed through the half mirror 30 is focused by the lens 32 and illuminates the signal image 33. Next, the light reflected from the signal image 33 passes through the lens 32, is reflected by the half mirror 30, and enters the photosensitive diode 36 through the lens 35 as reflected light 34.

反射光34の強度は、信号がない状態に比べて信号像を
照明する場合は、約2〜3倍に増大し、これを検出して
信号再生をおこなうものである。
The intensity of the reflected light 34 increases approximately two to three times when a signal image is illuminated compared to when there is no signal, and this is detected to perform signal reproduction.

つぎに、本発明における情報記録再生方法に適用する情
報記録部材の製造方法について述べる。実施例の一方法
として蒸着法を適用オる場合、蒸着出発原材料の一例と
して次の組成式であられされる成分を使用する。
− J ′ − !1 M2:添加材料 R :還元用材料 ただし、X,yはモル%でO<y〈100,0〈x〈1
001添加材料M2としては、PbO,In2O3′S
nOPB2O3!Sb2O3ラBi2O3弓TeO2,
SiO,GeO2の中の少くとも1つを用いる。
Next, a method for manufacturing an information recording member applied to the information recording and reproducing method of the present invention will be described. When a vapor deposition method is applied as a method of the embodiment, a component having the following compositional formula is used as an example of a starting material for vapor deposition.
−J′−! 1 M2: Additive material R: Reducing material However, X and y are mol% O<y<100,0<x<1
As the 001 additive material M2, PbO, In2O3'S
nOPB2O3! Sb2O3 la Bi2O3 bow TeO2,
At least one of SiO and GeO2 is used.

還元用材料Rとしては、Cr,Fe,W,Mnの少くと
も1つの材料を用いる。
As the reducing material R, at least one of Cr, Fe, W, and Mn is used.

この蒸着出発材料を用いて、光吸収性の記録部材を形成
する手順を述べる。
A procedure for forming a light-absorbing recording member using this vapor deposition starting material will be described.

まず主成分である原材料モリブデン酸化物MOO3、こ
れは、昇化温度が795℃で、結晶系は斜方晶系の白色
粉末であり、これに対して、第2添加材料M2粉末及び
、これらの材料に対して還元反応を生ずる還元材料Rを
選んで混合せしめる。
First, the main component, the raw material molybdenum oxide MOO3, has a heating temperature of 795°C and is a white powder with an orthorhombic crystal system.In contrast, the second additive material M2 powder and these A reducing material R that causes a reducing reaction to the material is selected and mixed.

第7図の生成系を用い、真空系37の真空度は10−3
TrmHg〜10−6mHgの間に選ぶ。蒸着用基材3
8としては、金属,ガラス,有機フイルム,紙などが使
用でき、基板支持台40に設ける。加熱蒸着用容器44
は、石英ルツボ,白金,アルミナ磁器などが使用でき、
蒸着出発原材料とは反応蒸着温度700℃〜1000℃
において反応を生じない安定な材質のものを選ぶ。
Using the generation system shown in Figure 7, the degree of vacuum in the vacuum system 37 is 10-3.
Choose between TrmHg and 10-6 mHg. Base material for vapor deposition 3
The material 8 can be made of metal, glass, organic film, paper, etc., and is provided on the substrate support 40 . Heating vapor deposition container 44
can use quartz crucibles, platinum, alumina porcelain, etc.
What is the starting material for vapor deposition? Reaction vapor deposition temperature 700℃~1000℃
Select a material that is stable and does not cause any reaction.

他の使用の態様としては、還元材料Rとして容器の材質
を利用する。
As another mode of use, the material of the container is utilized as the reducing material R.

例えば、Wボート,Tiボートを用いることも可能であ
る。この容器44に、該蒸着出発原材料45を入れ、真
空系37の中で、加熱用コイルヒータ42を電極41と
結合し、電源43を用いて加熱する。
For example, it is also possible to use a W boat or a Ti boat. The vapor deposition starting material 45 is placed in the container 44 , a heating coil heater 42 is connected to the electrode 41 in the vacuum system 37 , and the material is heated using the power source 43 .

加熱方式としては、カンタル線、タングステン線コイル
のバスケツト、あるいはボートに該容器を入れて電流抵
抗加熱方式で実施する。他の方法としては、該混合体を
、電子ビ弘等で直接加熱する方式も可能である。
As for the heating method, the container is placed in a basket of Kanthal wire or tungsten wire coil, or in a boat, and a current resistance heating method is used. Another method is to directly heat the mixture using a microwave oven or the like.

加熱温度は、添加材料成分M2によつても異るが700
℃〜1000℃の範囲で選ぶ。
The heating temperature varies depending on the additive material component M2, but is 700
Select from a range of ℃ to 1000℃.

以上の真空度、加熱温度条件で、容器44の中の蒸着原
材料は、昇温,反応し溶融,昇化蒸発し蒸着用基材38
の上に光吸収性記録膜39として形成される。
Under the above vacuum degree and heating temperature conditions, the vapor deposition raw material in the container 44 is heated, reacts, melts, elevates and evaporates, and becomes the vapor deposition substrate 38.
A light-absorbing recording film 39 is formed thereon.

蒸着膜厚は、原材料の量、蒸着面積等によりかえること
ができ1000人〜2μの範囲で容易に制御可能である
、用途に応じて設定できる。
The thickness of the deposited film can be changed depending on the amount of raw materials, the deposition area, etc., and can be easily controlled in the range of 1000 to 2μ, and can be set depending on the application.

つぎに、蒸着形成した光吸収性記録用薄膜の構成につい
て述べる。まず、蒸着出発原材料組成式は であり、真空中での加熱に伴い還元材料Rはそれぞれ、
モリブデン酸化物MOO3及び酸化物添加材料M2と反
応し、両者から酸素を一部とりこんで、それぞれを低酸
化物の形にする。
Next, the structure of the light-absorbing recording thin film formed by vapor deposition will be described. First, the compositional formula of the starting raw material for vapor deposition is, and upon heating in vacuum, the reducing material R becomes, respectively.
It reacts with the molybdenum oxide MOO3 and the oxide additive material M2, takes in some oxygen from both, and converts each into a low oxide form.

つまり、づぎの反応生成過程が生ずるわけである。In other words, the following reaction production process occurs.

及び、例えば酸化物添加材料M2が4価の金属酸化物の
場合この添加材料はMO2の酸化物の型でありとなり、
蒸着生成膜は以上の還元反応過程で生じた低酸化物MO
OXlとMOX2の混合膜として得られる。
And, for example, when the oxide additive material M2 is a tetravalent metal oxide, this additive material is an oxide type of MO2,
The evaporation product film is a low oxide MO produced in the above reduction reaction process.
It is obtained as a mixed film of OXl and MOX2.

一般に金属酸化物の還元低酸化物は、光吸収性が生じ生
成膜は光吸収性記録薄膜として得られる。
In general, reduced low oxides of metal oxides exhibit light absorbing properties and the resulting film is obtained as a light absorbing recording thin film.

ただしこの場合、反応材料Rは、必ずしもこの生成薄膜
に含まれない。以上の方法で得た薄膜は黄緑色ないし青
色と呈しておりエネルギーを与えることにより、例えば
光照射によつて濃青色に光学濃度が変化する特性を有す
る。
However, in this case, the reactive material R is not necessarily included in this produced thin film. The thin film obtained by the above method exhibits a yellow-green to blue color, and has a characteristic that the optical density changes to deep blue when energy is applied, for example, by light irradiation.

この情報記録再生部材の感度は、光吸収性記録膜の材料
組成の他に部材の構成要素によつてかえることができる
The sensitivity of this information recording/reproducing member can be changed by changing the material composition of the light-absorbing recording film as well as the constituent elements of the member.

たとえば使用する基材の材質については熱伝導率、比熱
の小さいものを選ぶことが望ましく、ガラスに比べて、
有機フイルムの方が良い。
For example, it is desirable to select a base material with low thermal conductivity and specific heat, compared to glass.
Organic film is better.

さらに、基材の熱容量が小さいほど記録膜の光吸収昇温
の効率が高くなるため、基材の厚さは薄い方が望ましい
Furthermore, the smaller the heat capacity of the base material, the higher the efficiency of light absorption and temperature rise of the recording film, so it is desirable that the base material be thinner.

本発明におけるモリブデン酸化物MOOXl(0<X,
く3)を主成分とする光吸収性薄膜を用いた情報記録生
方法においては、書き込み光学濃度を大きくすることが
でき、信号再生において高いS/N比を得ることができ
るが、使用の条件によつては、該薄膜の膜厚を選ぶこと
によりさらに大きくコントラスト比を得ることができ、
膜厚3000人〜7000人で20:1以上のコントラ
スト比が得られる。
Molybdenum oxide MOOXl (0<X,
In the information recording method using a light-absorbing thin film mainly composed of In some cases, it is possible to obtain an even greater contrast ratio by selecting the thickness of the thin film.
A contrast ratio of 20:1 or more can be obtained with a film thickness of 3000 to 7000.

一方透過光によつてこの信号像を再生するにあたつては
未記録部分の透過率を上げる方が信号の読み出し効率が
向上し比較的薄い膜厚1000八〜3000人の領域で
良好な結果を得る。
On the other hand, when reproducing this signal image using transmitted light, signal readout efficiency is improved by increasing the transmittance of the unrecorded portion, and good results are obtained in the relatively thin film thickness range of 1,000 to 3,000 yen. get.

実施例 1 蒸着原材料として三酸化モリブデンMOO,単体を用い
還元用材料としてCr,Fe,W,Mn,の少くとも1
つを用いて蒸着形成した場合の実施例を述べる。
Example 1 Molybdenum trioxide MOO alone was used as the vapor deposition raw material, and at least one of Cr, Fe, W, and Mn was used as the reducing material.
An example will be described in which the film is formed by vapor deposition.

第1図における基材1として透明ポリエステルフイルム
厚さ25μを使用している。
A transparent polyester film having a thickness of 25 μm is used as the base material 1 in FIG.

薄膜感光層2は黄緑色から淡青色を呈しており、モリブ
デン酸化物MOOXlただし0〈x「〈3である。生成
条件によつては、例えば、1000℃以上の高温蒸着の
場合は還元に用いた反応材料成分が不純物として薄膜感
光層に混入する場合があるが情報記録特性に及ぼす影響
は少い。つぎに三酸化モリブデン単体及び、還元材料を
用いて情報記録膜を形成する方法について述べる蒸着原
材料組成式の1例は次式である。
The thin film photosensitive layer 2 exhibits a color ranging from yellow-green to light blue, and is composed of molybdenum oxide MOOX1, where 0〈x〈3. Although reactive material components may be mixed into the thin film photosensitive layer as impurities, they have little effect on information recording characteristics.Next, we will discuss a method for forming information recording films using molybdenum trioxide alone and reducing materials.Vapor deposition An example of a raw material composition formula is the following formula.

(MOO3)100−XRxただしO<x〈100さら
にRは還元材料成分でCr,Fe,W,Mnの少くとも
1つである。
(MOO3)100-XRx where O<x<100 Furthermore, R is a reducing material component and is at least one of Cr, Fe, W, and Mn.

第6図の生成系を用い、真空系37の真空度は10−3
〜10−6m1gとする。
Using the generation system shown in Figure 6, the degree of vacuum in the vacuum system 37 is 10-3.
~10-6ml/g.

蒸着用基材38は透明ポリエステルフイルムであり厚さ
は25μである。
The vapor deposition base material 38 is a transparent polyester film and has a thickness of 25 μm.

加熱蒸着用容器44は、石英ルツボである。The heating vapor deposition container 44 is a quartz crucible.

この中に、三酸化モリブデンMOO3及び還元材料成分
RとしてクロムCrを選んでMOO3に対して40モル
(fl)(x=40)の組成比で加えた混合粉末を入れ
る。混合粉末蒸着原材料の重量は、蒸着膜の設定膜厚に
対応して選ぶことができる。
In this, a mixed powder of molybdenum trioxide MOO3 and chromium Cr selected as the reducing material component R and added at a composition ratio of 40 moles (fl) (x=40) to MOO3 is placed. The weight of the mixed powder vapor deposition raw material can be selected depending on the desired thickness of the vapor deposited film.

約10077V用いることによつて約7000人の膜厚
を得る。
By using about 10,077V, a film thickness of about 7,000 people is obtained.

加熱用ヒータ42としてタングステンバスケツトを使用
する。蒸着加熱温度は700℃〜1000℃の範囲で容
易に蒸着がおこなわれる。
A tungsten basket is used as the heater 42. Vapor deposition is easily carried out at a vapor deposition heating temperature in the range of 700°C to 1000°C.

モリブデン単体と還元材料を用いて生成した膜は、MO
OXl、ただしO<X,〈3、の組成範囲で得られる。
The film produced using molybdenum alone and a reducing material is MO
OXl, however, can be obtained in the composition range of O<X, <3.

蒸着膜は、黄緑色でこの薄膜の分光透過率曲線は第8図
の曲線a1に示すように可視光波長領域で40(Ff)
以上の透過率を有する。
The deposited film is yellow-green, and the spectral transmittance curve of this thin film is 40 (Ff) in the visible light wavelength region, as shown by curve a1 in Figure 8.
It has a transmittance of

この膜に対して、第2図に示すように、マスクを密着し
、Xeフラツシユランプを照射すると、マスクを透過し
た光は、記録薄膜層5を照射し、パターンに対応して光
照射部位が濃青色に変化し、光学濃度が増大する。黄緑
色から濃青色に変わる場合、視感度に合つた濃度変化を
得ることができる。この記録後の膜の分光透過率曲線は
第8図の曲線A5に示すように透過率が減少し赤から長
波長側6000λ〜1.2μの間で吸収が顕著に増大す
る。
When this film is closely attached with a mask and irradiated with a Xe flash lamp, as shown in FIG. changes to deep blue and the optical density increases. When the color changes from yellow-green to deep blue, a change in density that matches the visibility can be obtained. In the spectral transmittance curve of the film after recording, as shown by curve A5 in FIG. 8, the transmittance decreases and the absorption increases significantly in the range from 6000λ to 1.2μ on the long wavelength side from the red.

同様に還元材料Rとして、Fe,W,Mn,を用いて蒸
着形成した光学記録膜はそれぞれ未記録状態の膜は、黄
緑色ないし淡青色を呈し、第8図の曲線A2,a3,a
4に示す分光透過率曲線となる。
Similarly, the optical recording films formed by vapor deposition using Fe, W, and Mn as reducing materials R exhibit yellow-green to light blue colors in the unrecorded state, and the curves A2, a3, and a in FIG.
The spectral transmittance curve is shown in 4.

生成膜の濃度は還元材料によつて異なり、Mn,W,F
e,Crの順で濃度が低くなる傾向がある。いずれも光
照射により光学濃度が増大し記録後の分光透過率曲線は
第8図の曲線A6,a7,a8に示すように透過率が低
下し光学的に情報記録、再生がおこなえる。還元材料と
して、At,Cu,Zn,Ti,C等を用いても同様の
結果を得る。
The concentration of the produced film varies depending on the reducing material, and Mn, W, F
The concentration tends to decrease in the order of e and Cr. In both cases, the optical density increases by light irradiation, and the spectral transmittance curves after recording decrease in transmittance as shown by curves A6, a7, and a8 in FIG. 8, so that information can be recorded and reproduced optically. Similar results can be obtained by using At, Cu, Zn, Ti, C, etc. as the reducing material.

実施例 2 蒸着材料として、三酸化モリブデンMOO3を用い添加
材料M2として金属酸化物TeO2,Sb2O3,Bi
2O3の少くとも1つを用い還元材料としてCrを選ん
で蒸着形成した光学情報記録膜は、第1図における基材
1として透明ポリエスフイルム厚さ25μを使用する。
Example 2 Molybdenum trioxide MOO3 was used as the vapor deposition material, and metal oxides TeO2, Sb2O3, Bi were used as the additive material M2.
The optical information recording film formed by vapor deposition using at least one of 2O3 and Cr selected as a reducing material uses a transparent polyester film having a thickness of 25 μm as the base material 1 in FIG.

薄膜感光層2は淡青色を呈しており、主成分がMOOx
,,O<X1く3で、副成分として添加金属酸化物を低
酸化物の形で含むものである。
The thin film photosensitive layer 2 has a pale blue color, and the main component is MOOx.
,,O<X1×3, and contains an additive metal oxide as a subcomponent in the form of a low oxide.

還元材料として用いた成分は、必ずしも該蒸着記録薄膜
層2には含まれない。つぎに、三酸化モリブデンMOO
3、及び金属酸化物を添加材料として用いた光学記録膜
を生成する方法を述べる。
The component used as the reducing material is not necessarily included in the vapor deposition recording thin film layer 2. Next, molybdenum trioxide MOO
3, and a method for producing an optical recording film using metal oxides as additive materials.

蒸着原材料組成式の1例は次式である Rは還元材料成分で、実施例1に用いた材料が適用でき
るが、本実施例では、Crを用いた例について述べる。
An example of a vapor deposition raw material composition formula is the following formula, where R is a reducing material component, and the material used in Example 1 can be applied, but in this example, an example using Cr will be described.

M2は、添加材料成分で、TeO2,snO,Sb2O
3,Bi2O3,の少くとも1つを用いるものである。
M2 is an additive material component, TeO2, snO, Sb2O
3, Bi2O3.

第7図の生成系を用い、真空系37の真空度は、10−
3mHg〜1〔6wr1nHgとする。
Using the generation system shown in FIG. 7, the vacuum degree of the vacuum system 37 is 10-
3mHg to 1[6wr1nHg.

蒸着用基板38は透明ポリエステルフイルムで、膜厚は
25μである。加熱蒸着用容器44は石英ルツボである
。この中に、三酸化モリブデンMOO3及び添加材料成
分としてTeO2を選んで、MOO3に対して、6モル
%(y=6)の組成比で加え、該混合体を約750℃で
固溶せしめたのち、粉末とし、さらに還元材料成分であ
るCrを全体の40モル%(x=40)の組成比で加え
た混合粉末を入れる。
The deposition substrate 38 is a transparent polyester film with a film thickness of 25 μm. The heating vapor deposition container 44 is a quartz crucible. Into this, molybdenum trioxide MOO3 and TeO2 were selected as additive material components and added at a composition ratio of 6 mol% (y=6) to MOO3, and the mixture was solid-dissolved at about 750°C. , powder, and a mixed powder in which Cr, which is a reducing material component, is added at a composition ratio of 40 mol % (x=40) of the total is added.

この混合粉末蒸着原材料の重量は蒸着膜の設定膜厚に対
応して選ぶことができる。約507!9用いることによ
つて、4000λの膜厚を得る。
The weight of this mixed powder vapor deposition raw material can be selected depending on the set thickness of the vapor deposited film. By using approximately 507!9, a film thickness of 4000λ is obtained.

加熱用ヒータとしてタングステンバスケツトを使用する
A tungsten basket is used as a heating heater.

蒸着加熱温度は700℃〜1000℃の範囲で容易に蒸
着がおこなわれる。該薄膜の生成過程は真空中での加熱
反応蒸着であり、つぎの各過程になる。
Vapor deposition is easily carried out at a vapor deposition heating temperature in the range of 700°C to 1000°C. The process of forming the thin film is thermal reaction vapor deposition in vacuum, and involves the following steps.

Tl4−λ2 − b それぞれ還元生成したMOOXl,TeOX2の低酸化
物が蒸着し混合膜が生成し、の組成の膜を得る。
Tl4-λ2-b Low oxides of MOOXl and TeOX2, respectively produced by reduction, are deposited to form a mixed film, and a film having a composition of Tl4-λ2-b is obtained.

蒸着膜は、淡青色でこの薄膜の分光透過率曲線は第9図
の曲線b1に示すように可視光波長領域で30%以上の
透過率を有する。
The deposited film has a light blue color, and the spectral transmittance curve of this thin film has a transmittance of 30% or more in the visible light wavelength region, as shown by curve b1 in FIG.

実施例1に述べた膜に比べて透過率は低下するが、膜厚
を選ぶことにより各種の初期透過率を有する情報記録膜
が形成できる。
Although the transmittance is lower than that of the film described in Example 1, information recording films having various initial transmittances can be formed by selecting the film thickness.

この膜に対する光学記録の1例として半導体レーザを書
き込み光源として用いた場合を図4の実施例に示す。
As an example of optical recording on this film, the embodiment shown in FIG. 4 uses a semiconductor laser as a writing light source.

光照射により蒸着薄膜層20は、濃青色に変化し半導体
レーザのパワーを大きくするにしたがつてその濃度は増
大する。
Upon light irradiation, the vapor deposited thin film layer 20 changes to a dark blue color, and its concentration increases as the power of the semiconductor laser increases.

同様に、Xeフラツシユランプによる光照射によつても
光学濃度変化を得ることができ、この記録後の膜の分光
透過率曲線は、第9図においてB5で示すように赤から
長波長側6000λ〜1.2μの間で吸収が顕著に増大
し、He−Neレーザ光の波長λ=6328λでコント
ラスト比20:1を得、同様に半導体レーザ波長λ−9
040Aの近赤外波長でもコントラスト比10:1を得
ることができる。
Similarly, optical density changes can also be obtained by light irradiation with a Xe flash lamp, and the spectral transmittance curve of the film after this recording is 6000λ on the long wavelength side from red, as shown by B5 in FIG. Absorption increases significantly between ~1.2μ, and a contrast ratio of 20:1 is obtained at the He-Ne laser light wavelength λ=6328λ, and similarly at the semiconductor laser wavelength λ-9
Even at a near-infrared wavelength of 040A, a contrast ratio of 10:1 can be obtained.

同様に添加材料酸化物M2としてB2O3,Sb2O3
,Bi2O3,を用いてこれらを低酸化物の形で含ませ
てなる光学記録膜はそれぞれ、MOOXlを主成分とし
いずれもO<zく100の形の酸化物膜となる。
Similarly, as the additive material oxide M2, B2O3, Sb2O3
, Bi2O3, and which contain these in the form of low oxides, each has MOOXl as a main component and is an oxide film in the form of O<z100.

これらの情報記録膜は、未記録状態で淡青色あるいは青
色であり、それぞれ分光透過率曲線は、第9図の曲線B
2,b3,b4,で示すように赤から長波側で比較的吸
収が大きい。Xeフラシユランプを用いて光学的に記録
した膜は、それぞれ濃青色になり光学濃度が増大する。
These information recording films are pale blue or blue in the unrecorded state, and their respective spectral transmittance curves are curve B in FIG.
As shown by 2, b3, and b4, absorption is relatively large on the long wavelength side from red. Films optically recorded using a Xe flash lamp each have a deep blue color and an increased optical density.

書き込み後の膜の分光透過率曲線は、第9図においてそ
れぞれ、添加材料B2O3,Sb2O3,Bi2O3に
対応して曲線B6,b7,b8となる。これら添加材料
を含ませた膜は、実施例1に比べて情報書き込みコント
ラスト比が大きく20:1で感度が4〜5倍増大すると
いう特徴を有する。同様に反射コントラスト比も増大し
3:1の値を得る。本発明における情報記録再生方法に
おいては、モリブデン酸化物MOOXlO〈X,く3を
主成分とする記録薄膜を用いるもので、Bi金属蒸着薄
膜、カルコゲン化材料薄膜を用いる方法に比べて次の効
果を有している。
The spectral transmittance curves of the film after writing are curves B6, b7, and b8 in FIG. 9 corresponding to the additive materials B2O3, Sb2O3, and Bi2O3, respectively. The film containing these additive materials has a feature that compared to Example 1, the information writing contrast ratio is 20:1, and the sensitivity is increased by 4 to 5 times. Similarly, the reflection contrast ratio increases to a value of 3:1. The information recording and reproducing method of the present invention uses a recording thin film mainly composed of molybdenum oxide MOOXlO<X, 3, and has the following effects compared to methods using a Bi metal vapor deposited thin film or a chalcogenated material thin film. have.

(1)大きい光学濃度変化を得る カルコゲン化組成物では4:1程度のコントラスト比で
あるのに対して、本願の記録膜では約5倍大きいコント
ラスト比を得、20:1にも達し光学的に信号を再生す
る場合高いS/N比を得る。
(1) While the chalcogenated composition that achieves a large change in optical density has a contrast ratio of about 4:1, the recording film of the present invention obtains a contrast ratio that is about 5 times larger and reaches 20:1, resulting in an optical contrast ratio of about 4:1. When reproducing a signal, a high S/N ratio can be obtained.

(2)反射方式の読み出しが可能 書き込み部と非書き込み部で3:1の反射光量比が得ら
れる。
(2) Reflection type reading is possible A 3:1 reflected light amount ratio can be obtained between the writing section and the non-writing section.

(3)近赤外波長λ−9040八においても記録・読み
出しができる。
(3) Recording/reading is possible even at near-infrared wavelength λ-90408.

カルコゲン化組成物ではこの波長領域では、透過光量比
は書き込み部、未書き込み部で2:1に低下するが、本
願の記録膜では10:1の大きい光量比として信号再生
ができる。
In the chalcogenated composition, in this wavelength range, the transmitted light quantity ratio decreases to 2:1 between the written area and the unwritten area, but with the recording film of the present application, signal reproduction can be performed with a large light quantity ratio of 10:1.

(4)未記録部分での光透過率が20%〜300I)と
大きい記録状態を得ることができる。
(4) A recorded state with a high light transmittance of 20% to 300 I in the unrecorded area can be obtained.

(5)機械強度ならびに化学的に安定である記録膜は、
酸化物組成であり、空気中で安定である。
(5) A recording film with mechanical strength and chemical stability is
It has an oxide composition and is stable in air.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の情報記録方法に使用する記録体の断面
図、第2図は本発明記録方法の一実施例を示す概略図、
第3図、第4図はそれぞれ本発明記録方法の他の実施例
の概略図、第5図、第6図はそれぞれ再生方法の概略図
、第7図は記録体の光学情報記録膜を生成する装置の断
面図、第8図は実施例1の光学情報記録膜の記録前・後
の分光透過率曲線を示す図、第9図は実施例2の光学情
報記録膜の記録前・後の分光透過率曲線を示す図である
。 1・・・・・・基板、2・・・・・・MOOxl(0〈
X,〈3)を主成分とする薄膜、3・・・・・・透明保
護層。
FIG. 1 is a sectional view of a recording medium used in the information recording method of the present invention, and FIG. 2 is a schematic diagram showing an embodiment of the recording method of the present invention.
Figures 3 and 4 are schematic diagrams of other embodiments of the recording method of the present invention, Figures 5 and 6 are schematic diagrams of the reproduction method, respectively, and Figure 7 is a schematic diagram of the optical information recording film of the recording medium. 8 is a diagram showing the spectral transmittance curve of the optical information recording film of Example 1 before and after recording, and FIG. 9 is a diagram showing the spectral transmittance curve of the optical information recording film of Example 2 before and after recording. It is a figure showing a spectral transmittance curve. 1...Substrate, 2...MOOxl(0<
A thin film containing X, <3) as a main component, 3...Transparent protective layer.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 光吸収性のモリブデン酸化物M_oOx_1(O<
x_1≦3)を主成分とする薄膜に、信号に対応した強
度変化を有するエネルギーを与え、光学濃度変化または
反射率変化を生ぜしめ、信号像を形成することを特徴と
する情報記録方法。
1 Light-absorbing molybdenum oxide M_oOx_1 (O<
An information recording method characterized by applying energy having an intensity change corresponding to a signal to a thin film whose main component is x_1≦3), causing a change in optical density or a change in reflectance, and forming a signal image.
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