JPS593466Y2 - Proximity switch - Google Patents

Proximity switch

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JPS593466Y2
JPS593466Y2 JP6871579U JP6871579U JPS593466Y2 JP S593466 Y2 JPS593466 Y2 JP S593466Y2 JP 6871579 U JP6871579 U JP 6871579U JP 6871579 U JP6871579 U JP 6871579U JP S593466 Y2 JPS593466 Y2 JP S593466Y2
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JP
Japan
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ferrite core
deposited film
vapor deposited
vapor
proximity switch
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JP6871579U
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Japanese (ja)
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JPS55168940U (en
Inventor
博行 山崎
Original Assignee
オムロン株式会社
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Description

【考案の詳細な説明】 この考案は高周波発振形近接スイッチに関する。[Detailed explanation of the idea] This invention relates to a high frequency oscillation type proximity switch.

この種の近接スイッチでは一般に高感度化すると周囲の
雑音の影響を受は易くなる。
In general, the higher the sensitivity of this type of proximity switch, the more easily it is affected by surrounding noise.

検出コイルと周囲導体との間に存在する浮遊容量を介し
て侵入する雑音を無視し得なくなりこれによって誤動作
したり、また周囲の導体の接地状態により浮遊容量の影
響が変化し検出コイルの損失の変化を招き、動作距離な
どの特性の変化を生じたりする。
Noise that enters through the stray capacitance that exists between the detection coil and surrounding conductors cannot be ignored, which can cause malfunctions, and the influence of stray capacitance changes depending on the grounding condition of the surrounding conductors, causing loss in the detection coil. This may lead to changes in characteristics such as operating distance.

特に金属のケース内に納められたタイプの近接スイッチ
ではこの金属ケースが取付部材を介して周囲の導体に電
気的に接続されるので浮遊容量はコイルと金属ケースと
の間に形成されることになり、その間の間隙は通常極め
て小さいものであるから浮遊容量は大きなものとなり、
前記の不都合が顕著に現われる場合がある。
In particular, in the case of proximity switches housed in a metal case, the metal case is electrically connected to the surrounding conductor via the mounting member, so stray capacitance is formed between the coil and the metal case. Since the gap between them is usually extremely small, the stray capacitance is large.
The above-mentioned disadvantages may become noticeable.

そこで前記の不都合を解消するため検出コイル部に静電
シールドリングを取り付ける等の措置が従来の近接スイ
ッチにおいてなされてきた。
Therefore, in order to eliminate the above-mentioned disadvantages, measures such as attaching an electrostatic shield ring to the detection coil portion have been taken in conventional proximity switches.

第1図は従来の近接スイッチを示すもので、この図で検
出コイル11が絶縁性の合成樹脂等で形成されたコイル
ボビン12に巻回されており、これが断面E字型のポッ
ト型のフェライトコア13の溝部に内蔵されている。
Figure 1 shows a conventional proximity switch. In this figure, a detection coil 11 is wound around a coil bobbin 12 made of insulating synthetic resin, etc., and this is a pot-shaped ferrite core with an E-shaped cross section. It is built in 13 grooves.

回路部21は第2図に示すような回路構成でなり、プリ
ント基板22上に実装されている。
The circuit section 21 has a circuit configuration as shown in FIG. 2, and is mounted on a printed circuit board 22.

このフェライトコア13および回路部21等が有底円筒
状の合成樹脂製ケース31内に収納され、更にこの合成
樹脂製ケース31は両端開放型の円筒状金属ケース33
内に収容固定される。
The ferrite core 13, the circuit section 21, etc. are housed in a bottomed cylindrical synthetic resin case 31, and this synthetic resin case 31 is further connected to a cylindrical metal case 33 with both ends open.
It is housed and fixed inside.

前記フェライトコア13、回路部21等は合成樹脂32
を充填することにより内部で固定される。
The ferrite core 13, circuit section 21, etc. are made of synthetic resin 32.
It is fixed internally by filling it with.

そしてゴムバッキング34および押え板35によりケー
ス31内が密封される。
Then, the inside of the case 31 is sealed by the rubber backing 34 and the presser plate 35.

ケーブル23はこのゴムバッキング34および押え板3
5を貫通して引き出されている。
The cable 23 is attached to this rubber backing 34 and the holding plate 3.
5 and is drawn out.

前記金属ケース33の外側面には雄ネジが形成されてお
り、外側面にナツト等を装着して固定できるようになっ
ている。
A male thread is formed on the outer surface of the metal case 33, so that it can be fixed by attaching a nut or the like to the outer surface.

回路部21は第2図に示すように構成されており、IC
41は検出コイル11および共振コンデンサ42を含ん
で構成される発振回路と、この発振回路の発振状態に応
じてスイッチングするスイッチング回路等からなってい
る。
The circuit section 21 is configured as shown in FIG.
Reference numeral 41 includes an oscillation circuit including a detection coil 11 and a resonant capacitor 42, and a switching circuit that performs switching according to the oscillation state of this oscillation circuit.

コンデンサ43は積分用であり、コンテ゛ンサ44は平
滑用である。
Capacitor 43 is for integration, and capacitor 44 is for smoothing.

そしてフェライトコア13の外周部には第3図に示すよ
うな導電性金属でなる静電シールドリング25があらか
しめ配置されており、リード線26を介して回路部21
のアースに接続される。
An electrostatic shield ring 25 made of conductive metal as shown in FIG.
connected to ground.

これにより静電シールドリング25が静電シールド作用
を行なうとともにフェライトコア13もある程度の導電
性を有することから静電シールド板として作用すること
になる。
As a result, the electrostatic shield ring 25 acts as an electrostatic shield, and since the ferrite core 13 also has a certain degree of conductivity, it acts as an electrostatic shield plate.

前述のように従来の近接スイッチにおいては検出コイル
11の静電シールドがなされている。
As described above, in the conventional proximity switch, the detection coil 11 is electrostatically shielded.

しかしながらこの場合静電シールドリング25の板厚が
厚いと相対的にフェライトコア13の外径が小さくなっ
てしまい、近接スイッチとしての検出領域(検出距離)
が縮小してしまうため好ましくない。
However, in this case, if the plate thickness of the electrostatic shield ring 25 is thick, the outer diameter of the ferrite core 13 becomes relatively small, and the detection area (detection distance) as a proximity switch
This is not preferable because it reduces the size of the image.

またリング25の板厚を薄くした場合、前記の問題はな
くなるがフェライトコア13とともにケース31内に挿
入設置する作業が煩わしいものとなり、とりわけリング
25を金属箔で形成するとき前記の挿入設置作業を安定
して行なうことが困難となってしまう。
Furthermore, if the thickness of the ring 25 is made thinner, the above-mentioned problem will disappear, but the work of inserting and installing it into the case 31 together with the ferrite core 13 becomes troublesome. Especially when the ring 25 is formed of metal foil, the above-mentioned insertion and installation work becomes troublesome. It becomes difficult to do this stably.

一方、静電シールドリング25は導電性金属でなるため
その抵抗値が低く、うず電流が流れ検出コイル11の損
失を大きくし感度変化率を低下させることがある。
On the other hand, since the electrostatic shield ring 25 is made of a conductive metal, its resistance value is low, and eddy current may flow therein, increasing the loss of the detection coil 11 and reducing the rate of change in sensitivity.

そのため検出領域(検出距離)の設定を精度よく安定し
て行なうことが難しかった。
Therefore, it has been difficult to accurately and stably set the detection area (detection distance).

これを解決するためフェライトコア13の背面に導電性
の蒸着膜を形成して、これを静電シールドとすることが
考えられるが、蒸着膜は一般にフェライトコアに強固に
形成することが難しく、またこれにリード線を確実に接
続することも難しいものである。
To solve this problem, it is possible to form a conductive vapor deposited film on the back surface of the ferrite core 13 and use this as an electrostatic shield, but it is generally difficult to form a vapor deposited film firmly on the ferrite core, and It is also difficult to reliably connect lead wires to this.

この考案は上記に鑑み、フェライトコアへの導電膜の蒸
着を強固に行ない、かつリード線の接続を確実に行うこ
とのできる近接スイッチを提供することを目的とする。
In view of the above, the object of this invention is to provide a proximity switch in which a conductive film can be firmly deposited on a ferrite core and a lead wire can be connected reliably.

この考案によれば、上記目的を達成するため、導電蒸着
膜を、前記フェライトコアに蒸着されバインダとなる金
属蒸着膜と、この金属蒸着膜を介して前記フェライトコ
アに蒸着されるパラジウム、ニッケル、金および銀のい
ずれかの金属蒸着膜とを有する2層構造で構成したこと
を特徴とする。
According to this invention, in order to achieve the above object, a conductive vapor-deposited film is formed of a metal-deposited film that is vapor-deposited on the ferrite core and serves as a binder, palladium, nickel, etc. that is vapor-deposited on the ferrite core via this metal-deposited film, It is characterized by having a two-layer structure having a metal vapor deposited film of either gold or silver.

以下、この考案の1実施例について第4図以降の図面を
参照しながら説明する。
Hereinafter, one embodiment of this invention will be described with reference to the drawings from FIG. 4 onwards.

第4図、第5図及び第6図に示すようにこの近接スイッ
チではフェライトコア13の外周面及び背面に導電薄膜
27が蒸着されており、リード線26を介して回路部2
1のアースに接続されるようになっている。
As shown in FIG. 4, FIG. 5, and FIG.
It is connected to ground number 1.

またこの導電薄膜27は2層構造となっておりあらかじ
めクロムがフェライトコア13に下地蒸着され、このク
ロム蒸着膜上にパラジウムが蒸着されるようになってい
る。
The conductive thin film 27 has a two-layer structure in which chromium is deposited on the ferrite core 13 in advance, and palladium is deposited on the chromium deposited film.

すなわち下地のクローム蒸着膜はパラジウム蒸着膜がフ
ェライトコア13上に強固に形成されるようにバインダ
の役割をなすものである。
That is, the underlying chromium vapor-deposited film serves as a binder so that the palladium vapor-deposited film is firmly formed on the ferrite core 13.

そしてパラジウムはハンダ付けが容易でありリード線2
6を簡単にハンダ付けすることができ、しかもハンダ付
は部分の接続強度も十分なものである。
And palladium is easy to solder and lead wire 2
6 can be easily soldered, and the soldered parts have sufficient connection strength.

このようにクロム及びパラジウム蒸着膜で形成された導
電薄膜27をアースすることにより導電薄膜27自体が
検出コイル11の静電シールド板として作用する。
By grounding the conductive thin film 27 formed of chromium and palladium vapor deposited films in this way, the conductive thin film 27 itself acts as an electrostatic shield plate for the detection coil 11.

なおりロム蒸着膜を300〜400A程度、またパラジ
ウム蒸着膜を600〜800A程度の膜厚に形成すれば
導電薄膜27として適度の抵抗値を得ることができ、静
電シールド作用を損なうことなくうず電流の発生による
検出コイル11の損失を防止することができ、感度変化
をもたらすことがない。
If the thickness of the ROM vapor-deposited film is approximately 300 to 400 A, and the palladium vapor-deposited film is formed to a thickness of approximately 600 to 800 A, an appropriate resistance value can be obtained as the conductive thin film 27, and the eddying can be achieved without impairing the electrostatic shielding effect. Loss in the detection coil 11 due to current generation can be prevented, and sensitivity changes will not occur.

一方、導電薄膜27は前述の静電シールドリング25と
較べるとフェライトコア13の背面にまで形成されるた
め静電シールド作用はより効果的に行なわれる。
On the other hand, compared to the electrostatic shield ring 25 described above, the conductive thin film 27 is formed even on the back surface of the ferrite core 13, so that the electrostatic shielding effect is more effectively performed.

前述のようにこの近接スイッチではフェライトコア13
上に強固に形成された極めて薄い導電薄膜27により検
出コイル11の静電シールドを効果的に行なっている。
As mentioned above, in this proximity switch, the ferrite core 13
The detection coil 11 is effectively electrostatically shielded by the extremely thin conductive thin film 27 firmly formed thereon.

そのためフェライトコア13の外径が静電シールド部材
の板厚等により縮小される心配がなく、ケース31への
挿入設置作業及び配線作業も簡単に行ない得る。
Therefore, there is no fear that the outer diameter of the ferrite core 13 will be reduced due to the thickness of the electrostatic shielding member, and the insertion and installation work into the case 31 and wiring work can be easily performed.

なおパラジウム以外に金、銀、ニッケル等の金属蒸着膜
を形成しても同様の効果が得られる。
Note that the same effect can be obtained by forming a metal vapor deposition film of gold, silver, nickel, etc. other than palladium.

この場合にはバインダとなる金属蒸着膜の材質は適宜選
定する。
In this case, the material of the metal vapor-deposited film serving as the binder is appropriately selected.

また第7図に示すように検出コイル11の一方のリード
線を導電薄膜27上に接続するようにすれば回路構成が
変化せずこのリード線の配線作業の合理化がなされるた
め経済的である。
Furthermore, if one lead wire of the detection coil 11 is connected to the conductive thin film 27 as shown in FIG. 7, the circuit configuration will not change and the wiring work for this lead wire can be streamlined, which is economical. .

なお第6図において回路部21等他の部分の構成は第1
図と略同様のため対応する個所に対応する番号を付し説
明は省略する。
Note that the configuration of other parts such as the circuit section 21 in FIG.
Since it is substantially the same as the figure, corresponding numbers will be given to corresponding parts and explanations will be omitted.

以上、1実施例について説明したようにこの考案によれ
ば、導電蒸着膜を、前記フェライトコアに蒸着されバイ
ンダとなる金属蒸着膜と、この金属蒸着膜を介して前記
フェライトコアに蒸着されるパラジウム、ニッケル、金
および銀のいずれかの金属蒸着膜とを有する2層構造で
構成したことを特徴とするので、パラジウムやニッケル
あるいは金。
As described above for the first embodiment, according to this invention, a conductive vapor deposited film is formed by a metal vapor deposited film which is vapor deposited on the ferrite core and serves as a binder, and a palladium vapor deposited film which is vapor deposited on the ferrite core via this metal vapor deposition film. , palladium, nickel or gold.

銀はバインダとなる金属蒸着膜を介してフェライトコア
に蒸着されることになり、これらの金属蒸着膜はフェラ
イトコアに強固に形成される。
Silver is vapor-deposited on the ferrite core via a metal vapor-deposited film serving as a binder, and these metal vapor-deposited films are firmly formed on the ferrite core.

そのためリード線をハンダ付けにより接続してアースす
る場合、ハンダ付は等の作業が容易にできるとともに、
リード線のハンダ付は後リード線接続部における金属蒸
着膜が破損してアースとの接続不良になることが極めて
少なくなり、歩溜りが向上する。
Therefore, when connecting the lead wire by soldering and grounding, soldering can be done easily, and
By soldering the lead wires, it is extremely unlikely that the metal vapor deposited film at the rear lead wire connection portion will be damaged, resulting in a poor connection to the ground, and the yield will be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来例を示す縦断面図、第2図は同回路図、第
3図は静電シールドリングを示す斜視図、第4図及び第
5図はともに本考案の1実施例に係る近接スイッチの検
出コイル部分を示す断面図及び斜視図、第6図は同近接
スイッチの縦断面図、第7図は同近接スイッチの検出コ
イル部分を示し配線関係を説明するための断面図である
。 11・・・・・・検出コイル、13・・・・・・フェラ
イトコア、21・・・・・・回路部、25・・・・・・
静電シールドリング、27・・・・・・導電薄膜、33
・・・・・・金属ケース。
Fig. 1 is a longitudinal sectional view showing a conventional example, Fig. 2 is a circuit diagram thereof, Fig. 3 is a perspective view showing an electrostatic shield ring, and Figs. 4 and 5 are both related to one embodiment of the present invention. FIG. 6 is a longitudinal sectional view of the proximity switch; FIG. 7 is a sectional view showing the detection coil portion of the proximity switch and explaining the wiring relationship. . 11...Detection coil, 13...Ferrite core, 21...Circuit section, 25...
Electrostatic shield ring, 27... Conductive thin film, 33
・・・・・・Metal case.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 被検出物体の接近に応答する検出コイルと、この検出コ
イルを取り囲むように配置されるフェライトコアと、前
記検出コイルとともに発振回路を形成し前記被検出物体
の接近により発振状態が変化することにもとづいて被検
出物体の検出出力を生じる回路部と、前記フェライトコ
アに蒸着された導電蒸着膜とを有し、この導電蒸着膜に
リード線をハンダ付けすることにより前記導電蒸着膜を
前記回路部のアースに接続してなる近接スイッチにおい
て、前記導電蒸着膜は、前記フェライトコアに蒸着され
バインダとなる金属蒸着膜と、この金属蒸着膜を介して
前記フェライトコアに蒸着されるパラジウム、ニッケル
、金および銀のいずれかの金属蒸着膜とを有する2層構
造であることを特徴とする近接スイッチ。
A detection coil that responds to the approach of a detection object, a ferrite core arranged to surround this detection coil, and the detection coil together form an oscillation circuit, and the oscillation state changes as the detection object approaches. and a conductive vapor deposited film deposited on the ferrite core, and by soldering a lead wire to the conductive vapor deposited film, the conductive vapor deposited film can be connected to the circuit portion. In the proximity switch connected to ground, the conductive vapor deposited film includes a metal vapor deposited film that is vapor deposited on the ferrite core and serves as a binder, and palladium, nickel, gold, and the like that are vapor deposited on the ferrite core via this metal vapor deposition film. 1. A proximity switch characterized by having a two-layer structure comprising a metal vapor-deposited film of silver.
JP6871579U 1979-05-21 1979-05-21 Proximity switch Expired JPS593466Y2 (en)

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JPS55168940U JPS55168940U (en) 1980-12-04
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