JPS5923609B2 - Secondary electron multiplier - Google Patents

Secondary electron multiplier

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JPS5923609B2
JPS5923609B2 JP5985482A JP5985482A JPS5923609B2 JP S5923609 B2 JPS5923609 B2 JP S5923609B2 JP 5985482 A JP5985482 A JP 5985482A JP 5985482 A JP5985482 A JP 5985482A JP S5923609 B2 JPS5923609 B2 JP S5923609B2
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dynode
stage
secondary electron
electron multiplier
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宣世 千葉
益保 伊藤
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J43/00Secondary-emission tubes; Electron-multiplier tubes
    • H01J43/04Electron multipliers
    • H01J43/06Electrode arrangements
    • H01J43/18Electrode arrangements using essentially more than one dynode

Landscapes

  • Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
  • Measurement Of Radiation (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は二次電子増倍管のダイノード、さらに詳しく言
えば、ダイノードる構成する薄板の配列に改良を施した
二次電子増倍管のダイノードに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a dynode of a secondary electron multiplier tube, and more particularly, to a dynode of a secondary electron multiplier tube in which the arrangement of thin plates constituting the dynode is improved.

以下この明細書において1.ダイノードを構成する薄板
とは、すくなくとも一面が二次電子放出能力を有する単
一の薄板または薄板状のものを指称し、この薄板複数枚
によシダイノードの基本単位が形成されるというように
用いる。
Hereinafter, in this specification, 1. The thin plate constituting a dynode refers to a single thin plate or a thin plate-like material having at least one surface capable of emitting secondary electrons, and is used in such a way that a plurality of these thin plates form the basic unit of the dynode.

また二次電子増倍管の管の主軸に直交するように配列さ
れた1以上のダイノードにより当該二次電子増倍管の二
次電子増倍器(ダイノード組立)が形成されるというよ
うに使用することにする。
In addition, the secondary electron multiplier (dynode assembly) of the secondary electron multiplier is formed by one or more dynodes arranged perpendicularly to the main axis of the tube of the secondary electron multiplier. I decided to do it.

二次電子増倍管は、一般的に真空の管状の容器に、第1
に光電面等の電子源、続いて一連のダイノードよりなる
二次電子増倍器、最後に電子捕集電極(コレクタ)を含
んでいる。
A secondary electron multiplier tube is generally placed in a vacuum tubular container.
It contains an electron source such as a photocathode, followed by a secondary electron multiplier consisting of a series of dynodes, and finally an electron collecting electrode (collector).

これ等の電極は管の主軸に沿って前記順序で配置されて
いる。
These electrodes are arranged in the above order along the main axis of the tube.

この二次電子増倍管の動作時には前記主軸に沿って電子
を加速する電場を発生するためこれらの電極に適当な電
圧がかけられる。
During operation of the secondary electron multiplier, appropriate voltages are applied to these electrodes in order to generate an electric field that accelerates electrons along the principal axis.

このとき電子源から放出された電子は管軸に沿った順に
各ダイノードに衝突しその都度増倍されてコレクタで捕
集される。
At this time, the electrons emitted from the electron source collide with each dynode in order along the tube axis, are multiplied each time, and collected by the collector.

以下まず従来の二次電子増倍管に用いられているいわゆ
るイネシャン形ダイノード組立の具体例を挙げて説明す
る。
First, a specific example of a so-called inesian type dynode assembly used in a conventional secondary electron multiplier will be described.

第3図は従来のイネシャン形ダイノード組立の部分拡大
断面図である。
FIG. 3 is a partially enlarged sectional view of a conventional inesian type dynode assembly.

図において101および102は、ダイノード100を
形成する薄板で紙面にはその短手方向の端面が示されて
いる。
In the figure, reference numerals 101 and 102 indicate thin plates forming the dynode 100, and the end faces in the transverse direction are shown in the paper.

同様に201および202は次段のダイノード200を
構成する薄板である。
Similarly, 201 and 202 are thin plates constituting the next stage dynode 200.

従来のイネシャン形ダイノードでは薄板は主軸に対して
45度傾けて配置され、薄板の二次電子増倍管の主軸に
直交する方向の配列ピッチをdダイノードの前記主軸方
向の厚さをtとすると、d/lは略1であった。
In a conventional inesian type dynode, the thin plates are arranged at an angle of 45 degrees with respect to the main axis, and the arrangement pitch in the direction perpendicular to the main axis of the thin plate secondary electron multiplier is d, and the thickness of the dynode in the main axis direction is t. , d/l was approximately 1.

この基本的な形状は電子が主軸に平行にダイノードに入
射するという条件のもとに、総ての電子がダイノードの
いずれかの薄板に衝突させることにあるように思われる
The basic configuration appears to be to allow all electrons to collide with one of the thin plates of the dynode, provided that the electrons are incident on the dynode parallel to the principal axis.

以下この明細書においてこのようなダイノードの形状を
幾何光学的に不透明または単に不透明と言うことにする
Hereinafter, in this specification, the shape of such a dynode will be referred to as geometrically optically opaque or simply opaque.

本件発明者はこのような従来のダイノードは次段に二次
電子を送ると言う点からは必ずしも理想的な形状でない
ことを見出した。
The inventor of the present invention has discovered that such a conventional dynode does not necessarily have an ideal shape from the point of view of sending secondary electrons to the next stage.

すなわち(i)ダイノードを形成する薄板の前段ダイノ
ードよシの部分から放出された二次電子は前段ダイノー
ドによる電界のみだれによシ第1図に矢印a1a2で示
すように再度当該ダイノードに戻される。
That is, (i) the secondary electrons emitted from the part of the thin plate forming the dynode near the front dynode are returned to the dynode as shown by the arrow a1a2 in FIG. 1 due to the electric field generated by the front dynode.

(11)薄板の中央部で放出された二次電子の一部はb
1b2に示すように隣接する薄板の裏面に衝突する。
(11) Some of the secondary electrons emitted at the center of the thin plate are b
As shown in 1b2, it collides with the back surface of the adjacent thin plate.

これ等の二次電子の持つエネルギーは極めて低いので二
次電子をさらに放出させることはできない。
Since the energy of these secondary electrons is extremely low, further secondary electrons cannot be emitted.

そこで本件発明者等は、ダイノードを構成する前記薄板
のピッチdと前記ダイノードの厚さtとの比a/l(従
来のものはd/1=1)を1.50〜1.75の範囲に
選定し、当該ダイノードから放出された電子が次第に到
達する確率が大きくする提案を行なている。
Therefore, the present inventors set the ratio a/l (d/1=1 in the conventional case) of the pitch d of the thin plates constituting the dynode to the thickness t of the dynode to a range of 1.50 to 1.75. We are proposing to increase the probability that the electrons emitted from the dynode will gradually reach the dynode.

この提案に係わるダイノードは薄板と薄板間に幾何光学
的に透明な部分ができるが、このピッチと同じ空間周波
数の信号電子の入力があるときや、ダイノード組立の2
段以降に使用するときには問題はなく著しく増倍率を向
上させることができる。
The dynode related to this proposal has a geometrically optically transparent part between the thin plates, but when there is an input of signal electrons with the same spatial frequency as this pitch, or when the dynode assembly is
When used after the stage, there is no problem and the multiplication factor can be significantly improved.

第4図は前記提案に係る実験の結果を示すグラフである
FIG. 4 is a graph showing the results of experiments related to the above proposal.

d/lが1.0から1.5までは次段ダイノードへの到
達率η(d/l=1のときのη=1とする)は単調に増
大し、d/lが1・ 5から1.75までの間で1.9
倍以上その中でも1.64で最大となる。
When d/l is from 1.0 to 1.5, the arrival rate η to the next stage dynode (let η = 1 when d/l = 1) increases monotonically, and when d/l is from 1.5 1.9 between 1.75 and 1.75
Among them, it is the highest at 1.64.

d/lが1・ 7より大きいときは上記率は減少する。When d/l is greater than 1.7, the above ratio decreases.

これは前述の電界による効果はd/lが1.5から1.
75の間で飽和するのに対しd/lが1.5から1.7
5を越えると入射する電子から見てダイノードの薄板の
部分よジ透明な部分が大きくなって放出した電子が次段
ダイノードの薄板へ衝突する率が下がるためであると考
えられる。
This is because the effect of the electric field mentioned above is d/l from 1.5 to 1.
It saturates between 75 and d/l is 1.5 to 1.7.
This is considered to be because when the value exceeds 5, the transparent portion of the thin plate of the dynode becomes larger when viewed from the incident electrons, and the rate at which emitted electrons collide with the thin plate of the next stage dynode decreases.

しかしながら、第1段ダイノードについては前記幾何光
学的に透明な部分が問題になる。
However, regarding the first stage dynode, the geometrically optically transparent portion poses a problem.

第1段ダイノードに入射する電子の放出源は光電面等の
ように均一な放射面である場合が多い。
The emission source of electrons incident on the first stage dynode is often a uniform emission surface such as a photocathode.

まだ質料分析に二次電子増倍管を利用するときは、粒子
線はスリットやアしく−チャを介して入射される。
When a secondary electron multiplier is still used for material analysis, the particle beam is incident through a slit or an aperture.

このような場合スリットやアパーチャに第1段ダイノー
ドとの関係で特定の構造を要求するのは事実上困難であ
る。
In such a case, it is practically difficult to require the slit or aperture to have a specific structure in relation to the first stage dynode.

一般的に言って二次電子増倍管において、入射電子、入
射イオン等の入射粒子線の形成する像は、第1段ダイノ
ードの薄板の空間周波数とは無関係である。
Generally speaking, in a secondary electron multiplier, an image formed by an incident particle beam such as an incident electron or an incident ion is independent of the spatial frequency of the thin plate of the first stage dynode.

したがって、前記提案に係わるダイノードは第1段ダイ
ノードとしては不適当である。
Therefore, the dynode according to the above proposal is inappropriate as a first stage dynode.

本発明の目的はダイノード組立全体に改良を施すことに
より、二次電子増倍管全体としての性能を向上させた二
次電子増倍管を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a secondary electron multiplier whose performance as a whole is improved by improving the entire dynode assembly.

前記目的を達成するために本発明による二次電子増倍管
は、多段のイネシャン形ダイノード組立を有する二次電
子増倍管において、入射粒子線源から見て幾何光学的に
不透明な初段のダイノードと、前記二次電子増倍管の主
軸に直交する面における薄板のピッチdと前記主軸方向
の厚さtが1.5≦d/l≦1・ 75 の関係にある2以上の次段ダイノードとを含んで構成さ
れている。
To achieve the above object, the present invention provides a secondary electron multiplier having a multi-stage inesian dynode assembly, in which the first stage dynode is geometrically opaque when viewed from the incident particle beam source. and two or more next-stage dynodes in which the pitch d of the thin plate in a plane perpendicular to the main axis of the secondary electron multiplier and the thickness t in the direction of the main axis satisfy a relationship of 1.5≦d/l≦1·75. It is composed of:

前記構成によれば、入射粒子線源が光電子であるとすれ
ば、前記第1段ダイノードは、入射光電子から見ると不
透明であるから第1段ダイノードに衝突しない電子は皆
無となる。
According to the configuration, if the incident particle beam source is photoelectrons, the first stage dynode is opaque when viewed from the incident photoelectrons, so that there are no electrons that do not collide with the first stage dynode.

第2段以降のダイノード組立には前記提案に係わるダイ
ノードが2以上用いられ後段への移送の効率を高めるの
で全体として増倍率を向上させることができる。
Two or more dynodes according to the above-mentioned proposal are used for assembling the dynodes in the second and subsequent stages, and the efficiency of transfer to the subsequent stage is improved, so that the multiplication factor can be improved as a whole.

以下図面等を参照して本発明による二次電子増倍管をさ
らに詳しく説明する。
The secondary electron multiplier according to the present invention will be explained in more detail below with reference to the drawings and the like.

第1図は本発明を光電子増倍管に適用した実施例を示す
縦断面図である。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view showing an embodiment in which the present invention is applied to a photomultiplier tube.

円筒状のガラス気密容器1の一方の底面に光電面2が形
成されている。
A photocathode 2 is formed on one bottom surface of a cylindrical glass airtight container 1.

この円筒内に第1段(初段)のダイノード3、第2段か
ら第9段までのダイノード4.5,6,7,8,9,1
0.および11の8段のダイノード、つづいて第10段
のダイノードが設けられている。
Inside this cylinder, there is a dynode 3 of the first stage (first stage), and dynodes 4.5, 6, 7, 8, 9, 1 from the second stage to the ninth stage.
0. and 11 8-stage dynodes, followed by a 10th-stage dynode.

前記第1段のダイノードはd/l=1のいわゆる不透明
なダイノード、第2段から第9段のダイノードは本発明
者等の先の提案に係わるd/l=1.6のダイノード、
第10段ダイノードは第9段ダイノード11に向かう開
口をもつ皿状のダイノードである。
The first stage dynode is a so-called opaque dynode with d/l=1, and the second to ninth stage dynodes are dynodes with d/l=1.6 according to the previous proposal by the present inventors.
The 10th stage dynode is a dish-shaped dynode with an opening facing the 9th stage dynode 11.

第9段ダイノード11と第10段ダイノードの間には網
状の捕集電極13が配置されている。
A net-like collection electrode 13 is arranged between the ninth stage dynode 11 and the tenth stage dynode.

第2図に第1段ダイノードと第2段ダイノードを拡大し
て示しである。
FIG. 2 shows an enlarged view of the first stage dynode and the second stage dynode.

第1段ダイノード3を形成する9枚の薄板は同一形状で
各長辺長さは19mm、短辺の長さは3.11爾である
The nine thin plates forming the first stage dynode 3 have the same shape, each long side having a length of 19 mm, and each short side having a length of 3.11 mm.

第1段ダイノード3を形成する前記9枚の薄板は光電子
増倍管の主軸に対して角度45度を保って前記主軸と平
行な面でピッチd = 2.4 rranを保って配置
されている。
The nine thin plates forming the first stage dynode 3 are arranged at an angle of 45 degrees with respect to the main axis of the photomultiplier tube and with a pitch d = 2.4 rran in a plane parallel to the main axis. .

第1段ダイノード3のピッチdと厚さtとの比はd/l
=2.4/(3,I Xo、7 )=1.08で略1で
不透明である。
The ratio between the pitch d and the thickness t of the first stage dynode 3 is d/l
=2.4/(3,IXo,7)=1.08, which is approximately 1 and is opaque.

第2段ダイノード4も同様に9枚の薄板から形成される
The second stage dynode 4 is similarly formed from nine thin plates.

この9枚の薄板は相互に同一形状の各長辺の長さは19
mm、短辺の長さは241聴である。
These nine thin plates have the same shape and the length of each long side is 19
mm, the length of the short side is 241 mm.

前記9枚の薄板は光電子増倍管の主軸に対して前記第1
ダイノードとは反対側に角度45度を保って前記主軸と
平行な面でピッチd=2−4mを保って配置されている
The nine thin plates are arranged in the first direction with respect to the main axis of the photomultiplier tube.
They are arranged on the opposite side from the dynode at an angle of 45 degrees and at a pitch d=2-4 m in a plane parallel to the main axis.

第2段ダイノード4のピッチdと厚さtとの比は d/を二2.4/(2,I X O,7) =1.6で
ある。
The ratio between the pitch d and the thickness t of the second stage dynode 4 is d/22.4/(2, I x O,7) = 1.6.

なお第2段ダイノード4の各薄板の上辺は、第1段ダイ
ノード3の各薄板の下辺に対して薄板の配列方向に(図
中右方向に)0.23mmずらしである。
Note that the upper side of each thin plate of the second stage dynode 4 is shifted by 0.23 mm from the lower side of each thin plate of the first stage dynode 3 in the arrangement direction of the thin plates (toward the right in the figure).

第2図に示す網状電極31および41はそれぞれ第1の
ダイノード3および第2のダイノード4とおなし電位が
与えられている。
The net-like electrodes 31 and 41 shown in FIG. 2 are given a potential equal to that of the first dynode 3 and the second dynode 4, respectively.

第3段ダイノード5から第9段ダイノード11は交互に
傾きが変るだけで他の部分の形状は第2のダイノード4
と変らない。
The slopes of the third stage dynode 5 to the ninth stage dynode 11 only change alternately, and the other parts have the same shape as the second dynode 4.
It's no different.

前記構成のダイノード組立を用いた光電子増倍管の実施
例と従来のダイノード組立を用いた光電子増倍管を増幅
度を比較する。
The degree of amplification will be compared between an embodiment of a photomultiplier tube using a dynode assembly having the above configuration and a photomultiplier tube using a conventional dynode assembly.

前記実施例光電子増倍管の光電面2に一200ボルトを
接続し、他の電極は相互に接続し電流計を介して接地し
ダイノード組立を不作動にし光電変換効率を測定する。
A voltage of 1,200 volts was connected to the photocathode 2 of the photomultiplier tube according to the embodiment, and the other electrodes were connected to each other and grounded through an ammeter to disable the dynode assembly and measure the photoelectric conversion efficiency.

光電面2を1/100ルーメンの光で照射すると1マイ
クロアンペアの出力電流かえられた。
When the photocathode 2 was irradiated with 1/100 lumen of light, the output current was changed to 1 microampere.

前記光電子増倍管の光電面2に一1200ボルトを接続
し、第1段ダイノードを−1100ボルト第2段ダイノ
ードから順に100ボルトづつ高い電圧を与えて第10
段ダイノードを一100ボルトにし捕集電極を電流計を
介して接地する。
A voltage of -1,200 volts is connected to the photocathode 2 of the photomultiplier tube, and a voltage of -1,100 volts is applied to the first stage dynode, increasing voltage by 100 volts in order from the second stage dynode to the 10th stage dynode.
The stage dynode is set to 1100 volts and the collection electrode is grounded via an ammeter.

この状態で光電子増倍管の光電面2に10のマイナス7
乗の光で照射すると100マイクロアンペアの出力電流
かえられた。
In this state, minus 7 of 10 is applied to the photocathode 2 of the photomultiplier tube.
When irradiated with the same light, the output current was changed to 100 microamperes.

すなわちこの光電子増倍管のダイノード組立の二次電子
増倍率は5×10の7乗である。
That is, the secondary electron multiplication factor of the dynode assembly of this photomultiplier tube is 5×10 to the seventh power.

次に同様にして、第1段ダイノードから第9段のダイノ
ードまで前記第1段のダイノードと同一形状のもの(d
/l=1のもの)を使用したときのダイノード組立の二
次電子増倍率を測定したところ、二次電子増倍率は5×
10の5乗であった。
Next, similarly, from the first stage dynode to the ninth stage dynode, the dynodes having the same shape as the first stage dynode (d
When the secondary electron multiplication factor of the dynode assembly was measured when using the dynode assembly (1), the secondary electron multiplication factor was 5×
It was 10 to the fifth power.

なお他の条件は総て同一にしである。Note that all other conditions were the same.

したがって、本発明による光電子増倍管の二次電子増倍
率は従来のものに比較して100倍になったことになる
Therefore, the secondary electron multiplication factor of the photomultiplier tube according to the present invention is 100 times higher than that of the conventional photomultiplier tube.

単純に比較するとこのように本発明の二次電子増倍管の
従来の二次電子増倍管(ダイノードの薄板の配列のピッ
チと薄板の管軸方向の距離との比が1)と比べてより大
きな電子増倍率が得られる。
A simple comparison shows that the secondary electron multiplier of the present invention is compared to a conventional secondary electron multiplier (the ratio of the pitch of the arrangement of the thin plates of the dynode to the distance of the thin plates in the tube axis direction is 1). A larger electron multiplication factor can be obtained.

この結果は第2〜第9段ダイノードの増倍率が各段あた
り約1.5倍になったものと計算される。
This result is calculated to mean that the multiplication factor of the second to ninth stage dynodes is approximately 1.5 times for each stage.

これは第3図を参照して説明した約2倍の増倍率と相違
する。
This is different from the approximately 2x multiplication factor described with reference to FIG.

この理由は、均一に入射するのではな(、特定の場所に
集中して入射し、その場所からの放出電子の放出効率は
従来においてもかなり高かったため放出効率が飽和した
ものと解される。
The reason for this is that the electrons are not incident uniformly (they are concentrated at a specific location, and the emission efficiency of the emitted electrons from that location has been quite high in the past, so the emission efficiency has saturated).

以上詳しく説明したように本発明では、初段に不透明な
ダイノードを用い、次段以後に一部透明部分を有するダ
イノードを2以上使用しているので、二次電子増倍管の
増倍率を著しく向上させることができる。
As explained in detail above, in the present invention, an opaque dynode is used in the first stage, and two or more dynodes with partially transparent parts are used in the subsequent stages, so the multiplication factor of the secondary electron multiplier is significantly improved. can be done.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明を光電子増倍管に適用した実施例を示す
縦断面図、第2図は前記光電子増倍管の初段のダイノー
ドと第2段のダイノードを拡大して示した断面図、第3
図は従来のダイノード問題点を説明するだめの略図、第
4図本発明による二次電子増倍管で2段以降に使用する
ダイノードのダイノードの特性を説明するだめのグラフ
である。 1・・・円筒状のガラス気密容器、2・・・光電面、3
−・・初段のダイノード、4〜11−・・2段〜9段の
透明部のあるダイノード、12・・・10段のダイノー
ド、13・・・捕集電極。
FIG. 1 is a longitudinal cross-sectional view showing an embodiment in which the present invention is applied to a photomultiplier tube, and FIG. 2 is a cross-sectional view showing an enlarged first-stage dynode and second-stage dynode of the photomultiplier tube. Third
FIG. 4 is a schematic diagram for explaining the problems of the conventional dynode, and FIG. 4 is a graph for explaining the characteristics of the dynode used in the second stage and subsequent stages in the secondary electron multiplier according to the present invention. 1... Cylindrical glass airtight container, 2... Photocathode, 3
- First stage dynode, 4 to 11 - 2nd to 9th stage dynodes with transparent parts, 12... 10th stage dynode, 13... Collection electrode.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 多段のベネシャン形ダイノード組立を有する二次電
子増倍管において、入射粒子線源から見て幾何光学的に
不透明な初段のダイノードと、前記二次電子・増倍管の
主軸に直交する面における薄板のピッチdと前記主軸方
向の厚さtが下記の関係にある2以上の初段ダイノード
とを含んで構成したことを特徴とする二次電子増倍管。 1.5≦d/l≦1.75 2 前記二次電子倍増管は光電子増倍管であって第2段
ダイノードから捕集電極前段までのダイノードのピッチ
dと前記主軸方向の厚さtの比を総て前記範囲内のもの
とした特許請求の範囲第1項記載の二次電子増倍管。
[Scope of Claims] 1. A secondary electron multiplier having a multi-stage Venetian dynode assembly, comprising: a first-stage dynode that is geometrically optically opaque when viewed from an incident particle beam source; A secondary electron multiplier tube comprising two or more first-stage dynodes in which the pitch d of the thin plates in a plane perpendicular to the main axis and the thickness t in the direction of the main axis have the following relationship. 1.5≦d/l≦1.75 2 The secondary electron multiplier tube is a photomultiplier tube, and the dynode pitch d from the second stage dynode to the front stage of the collection electrode and the thickness t in the main axis direction are A secondary electron multiplier according to claim 1, wherein all ratios are within the above range.
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