JPS592330A - Pattern matching method and device therefor - Google Patents

Pattern matching method and device therefor

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JPS592330A
JPS592330A JP57111016A JP11101682A JPS592330A JP S592330 A JPS592330 A JP S592330A JP 57111016 A JP57111016 A JP 57111016A JP 11101682 A JP11101682 A JP 11101682A JP S592330 A JPS592330 A JP S592330A
Authority
JP
Japan
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pattern
master
comparison
memory
region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57111016A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuo Hizuka
哲男 肥塚
Masahito Nakajima
雅人 中島
Hiroyuki Tsukahara
博之 塚原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP57111016A priority Critical patent/JPS592330A/en
Publication of JPS592330A publication Critical patent/JPS592330A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54473Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
    • H01L2223/5448Located on chip prior to dicing and remaining on chip after dicing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

PURPOSE:To perform the accurate positioning of comparison patterns by enhancing the matching degree by a method wherein a non-sensitive region is prepared on a master pattern, and the non-sensitive region is excluded from comparison in the comparison with the comparison pattern. CONSTITUTION:The image pattern of master samples 3 image-picked by a camera 1 has the region regarded as the master pattern therein cut out and then memorized in a master pattern memory 9. The second time image pattern is image-picked up, the instable region between the pattern memorized in the memory 9 is discriminated by a non-sensitive region preparing circuit 10, and thus different pattern parts are registered into the memory 9 as the provisional non- sensitive region. The master patterns are prepared by registering provisional non-sensitive regions as sensitive regions into the memory 9 in the repetition of such a treatment by required times. The instable region of the comparison pattern obtained from samples brought within the field of vision of the TV camera 1 by a sample feed mechanism 2 is memorized previously in the memory 9 as the non-sensitive region, and excluded from comparison of the master pattern with the comparison pattern in a pattern matching circuit 11.

Description

【発明の詳細な説明】 (1)0発明の技術分野 本・発明はマスクパターンの作成を改善したパターンマ
ツチング方法及びその装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (1) Technical Field of the Invention The present invention relates to a pattern matching method and apparatus for improving the creation of mask patterns.

(2)、技術の背量 従来のパターンマツチング技法において用いられるマス
クパターンは、その作成においてマスターサンプルから
得られた画像ハターンデータに対しどのような処理も施
すことなく、そのま\マスタパターンとしてマスタパタ
ーンメモリに記憶する如き方法を採っている。この方法
は上述のようにして得られるマスタパターンに不安定な
パターン部分が混入して来ない場合VCは差したる問題
はないのであるが、実際には不安定なパターン部分が混
入して来ることが多く、そのため、パターンマツチング
の際にマツチング度が十分にとれず、比較試料の正確な
位置決めが出来ないという欠点を有し、その改善方が要
望されている。
(2) Amount of technology The mask pattern used in the conventional pattern matching technique is created without performing any processing on the image pattern data obtained from the master sample. A method is adopted in which the pattern is stored in a master pattern memory. In this method, if unstable pattern parts are not mixed into the master pattern obtained as described above, there is no problem with VC, but in reality, unstable pattern parts are mixed in. Therefore, there is a drawback that a sufficient degree of matching cannot be obtained during pattern matching, and accurate positioning of a comparison sample cannot be performed.Therefore, there is a need for an improvement method.

(3)、従来技術と問題点 パターンマツチングを必要とする装置として、半導体チ
ップのパッドにワイヤをポンディングする自動ワイヤボ
ンターがある。そのワイヤのボンディングに先立って半
導体チップのパッド位置を認識する必要性が必り、その
ためにパターンマツチング処理をしなければならない、
それに用いられるマスクパターンメモリのパターンマツ
チング技法ト同tLマスターザンプルから得られる画像
パターンをそのま\マスタパターンとして得ている。そ
れ故、このマスタパターンは二値化の緻子化−差に起因
する不安ボなパターン部分が混入して来る。従って、こ
のマスクパターンを用いて試料から得られる比較パター
ンとのパターンマツチングを行りと、比較ハターン内ニ
マスクパターンと異なったパターン部分が現われる可能
性が大きく、マツチング度を大きく取nず、試料である
半導体チップのパッド位置決めを正確になし得ないこと
になる。
(3) Prior Art and Problems An automatic wire bonder that bonds wires to pads of a semiconductor chip is an apparatus that requires pattern matching. Before bonding the wire, it is necessary to recognize the pad position of the semiconductor chip, and for this purpose, pattern matching processing must be performed.
The pattern matching technique of the mask pattern memory used therein is such that the image pattern obtained from the tL master sample is directly obtained as a master pattern. Therefore, this master pattern is mixed with uneasy pattern parts due to the fineness difference of the binarization. Therefore, if pattern matching is performed using this mask pattern with a comparison pattern obtained from a sample, there is a high possibility that a pattern portion different from the mask pattern in the comparison pattern will appear, so the degree of matching should not be increased. This makes it impossible to accurately position the pads of the semiconductor chip that is the sample.

(4)1発明の目的 本発明は上述したような従来技術の有する課題に鑑みて
創案されたもので、その目的はマツチング度を高めて比
較パターンの正確な位置決め會行うパターンマツチング
方法及びその装置を提供することにある。
(4) 1. Purpose of the Invention The present invention has been devised in view of the problems of the prior art as described above, and its purpose is to provide a pattern matching method and method for accurately positioning comparison patterns by increasing the degree of matching. The goal is to provide equipment.

(5)0発明の構成 そして、これらの目的は、マスターサンプルからマスク
パターンを得るに際してそのマスターサンプルから予め
決められた回数繰返してパターン全入力し、それらのパ
ターンから不感領域を作成してマスクパターンを得、こ
のマスタパターンと試料から得られる比較パターンとを
比較するようにすることによって達成される。
(5) 0 Structure of the Invention And, these objects are to obtain a mask pattern from a master sample by inputting all patterns from the master sample repeatedly a predetermined number of times, creating a dead area from those patterns, and generating a mask pattern. This is achieved by obtaining a master pattern and comparing this master pattern with a comparison pattern obtained from a sample.

(6)2発明の実施例 以下、添付図面を参照しながら、本発明の詳細な説明す
る。
(6) Second Embodiment of the Invention The present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

第1図は本発明の一実施例を示す。この実施例は全自動
ワイヤボンダーの中に実施する場合を示す。1はTV右
カメラ、このカメラは試料送り機構2上に載置された試
料、例えば半導体チップ30表面パターンを撮像する。
FIG. 1 shows an embodiment of the invention. This example shows the case where it is implemented in a fully automatic wire bonder. Reference numeral 1 denotes a TV right camera, and this camera images the surface pattern of a sample placed on the sample feeding mechanism 2, for example, a semiconductor chip 30.

カメラ1からの画像パタ−ン全力は二値化回路4へ接続
される。二値化回路4#′i二値化スライスレベルで画
像パターン信号を二値化する。その二値化スライスレベ
ルは、後述するように適宜な小ステップ幅で変更するよ
うに構成するのがよい。
The entire image pattern from the camera 1 is connected to a binarization circuit 4. Binarization circuit 4 #'i binarizes the image pattern signal at the binarization slice level. The binarization slice level is preferably configured to be changed in an appropriate small step width as described later.

5は二値化回路4の出力へ接続する認識部で、認識部5
の出力は制御部6へ接続されている。制御部6はボンデ
ィング機構7へ接続さ九、その制御を行う。
5 is a recognition unit connected to the output of the binarization circuit 4;
The output of is connected to the control section 6. The control section 6 is connected to the bonding mechanism 7 and controls it.

認識部5は被認識パターンメモリ(フレームメモリ)8
、マスクパターンメモリ9、これら両メモリへ接続され
た不感領域作成回路10、及びメモリ8.9へ接続され
たパターンマツチング回路11から成る。
The recognition unit 5 includes a pattern memory (frame memory) 8 to be recognized.
, a mask pattern memory 9, a dead area creation circuit 10 connected to both of these memories, and a pattern matching circuit 11 connected to the memory 8.9.

次に、上述構成で本発明を実施する装置の動作を説明す
る。
Next, the operation of the apparatus implementing the present invention with the above configuration will be explained.

先ず、マスクパターンと被認識パターン(比較パターン
)とのパターンマツチング回路るのに先立って、マスク
パターンが作成される。
First, a mask pattern is created prior to performing a pattern matching circuit between the mask pattern and the pattern to be recognized (comparison pattern).

試料送り機構2土に載置され、最初にTV右カメラの視
野内に置かれる試料(マスターサンプル)3がカメラ1
によって予め決められた回数撮像される。
Sample feed mechanism 2 A sample (master sample) 3 placed on the soil and placed within the field of view of the TV right camera is moved to camera 1.
Images are taken a predetermined number of times.

カメラ1によって撮像された最初の画像パターンは二値
化回路4で二値化され、カメラ1と同期しているフレー
ムメモリ8内に記憶され、その内のマスタパターンと目
される領域が切り出されてマスクパターンメモリ9内に
記憶される。
The first image pattern captured by the camera 1 is binarized by the binarization circuit 4 and stored in the frame memory 8 which is synchronized with the camera 1, and the area considered to be the master pattern is cut out. and stored in the mask pattern memory 9.

続いて、マスターサンプルの第2回目の画像パターンが
同様にしてフレームメモリ8内に記憶された彼、フレー
ムメモリ8内の、最初に切り出された領域と、同一の領
域がマスタパターンメモリ9に記憶されたマスタパター
ンとの間の、量子化に起因する不安定な領域を不感領域
作成回路10で弁別し、その不安定パターン部分、即ち
相違するパターン部分を仮不感領域としてマスクパター
ンメモリ9内に登録する。
Subsequently, the second image pattern of the master sample is stored in the frame memory 8 in the same way, and the same area as the first cut out area in the frame memory 8 is stored in the master pattern memory 9. An unstable region due to quantization between the master pattern and the master pattern is discriminated by a dead region creation circuit 10, and the unstable pattern portion, that is, a different pattern portion is stored in the mask pattern memory 9 as a temporary dead region. register.

このような処理をマスターサンプルについて所要回数繰
返してマスクパターンメモリ9ニ記憶されているマスタ
パターンを、爾後試料送り機4112によってTVカメ
ラ1の視野内に持ち来たされる試料から得られる比較パ
ターンのためのマスクパターンとすると共に、不感領域
作成回路10によって作成され更新されたことがめった
上記所要回数後の仮不感領域を不感領域としてマスタパ
ターンメモリ9に登録してマスクパターンの作成が終了
する。そのマスタパターンは1例えば第2図の(2−1
)の如くなる。
Such processing is repeated for a required number of times for the master sample, and the master pattern stored in the mask pattern memory 9 is used as a comparison pattern obtained from the sample brought into the field of view of the TV camera 1 by the sample feeder 4112. At the same time, a temporary dead area that has been created and updated by the dead area creation circuit 10 after the required number of times is registered in the master pattern memory 9 as a dead area, and the creation of the mask pattern is completed. The master pattern is 1, for example (2-1 in Figure 2).
).

然る後に、試料送り機構2によってTV右カメラ視野内
に持ち来たされる試料から得られる比較パターンが第2
図の(2−2)の如きものであったとしても、その不安
定な領域はマスクパターンメモリ9に予め不感領域とし
て記憶されており、パターンマツチング回路11でのマ
スクパターンと比較パターンとの比較からは除外される
から、それらの比較は高度のマツチング度の下で施行し
うる。従って、その出力信号を受ける制御部6の制御の
下にあるボンディング機構7は試料である半導体チップ
3のパッドの位置決めを正確に7− 施行しうることになる。
After that, the comparison pattern obtained from the sample brought into the field of view of the TV right camera by the sample feeding mechanism 2 is shown as a second comparison pattern.
Even if the area is as shown in (2-2) in the figure, the unstable area is stored in advance in the mask pattern memory 9 as an insensitive area, and the pattern matching circuit 11 compares the mask pattern with the comparison pattern. Since they are excluded from the comparisons, their comparisons can be performed under a high degree of matching. Therefore, the bonding mechanism 7 under the control of the control section 6 which receives the output signal can accurately position the pads of the semiconductor chip 3 as a sample.

因に、従来のパターンマツチングを図aするのが第3図
で、この図から判るように、マスクパターンはその不安
定なパターン部分の有無に拘わらず、それが全く考慮に
入れられていないから、比較パターンとの比較はマツチ
ング度を高くとれない状態で施行せざる奢得なかったの
である。なお、第2図及び第3図でPけパッド、Lはり
、−ドである。
Incidentally, conventional pattern matching is illustrated in Figure 3, and as can be seen from this figure, regardless of the presence or absence of unstable pattern parts in the mask pattern, this is not taken into consideration at all. Therefore, the comparison with the comparison pattern had to be carried out without achieving a high degree of matching. In addition, in FIG. 2 and FIG. 3, the P pad, L beam, and - pad are shown.

上記実施例では、二値化回路4の二値化スライスレベル
を固定している場合について説明したが、二値化スライ
スレベルを小さなステップ幅で変更すれば、不安定なパ
ターン部分を一層確実に不感領域にしてそのマスクパタ
ーンと比較パターンとの比較から除外することが可能に
なり、より高度のマツチング度でのパターンマツチング
を施行しうる。
In the above embodiment, a case has been explained in which the binarization slice level of the binarization circuit 4 is fixed, but if the binarization slice level is changed in small steps, unstable pattern parts can be fixed more reliably. It becomes possible to exclude the mask pattern from the comparison between the mask pattern and the comparison pattern by making it a dead area, and it is possible to perform pattern matching at a higher degree of matching.

(7)0発明の効果 以上要するに、本発明によれば、マスタパターンに不感
領域を作成し、比較パターン・と8− の比較において不感領域を比較から除外しているので、
マツチング度を高くとることが出来る。従って、本発明
を自動ワイヤボンダーに用いた場合にはパッドの位置決
めを正確になしうる等の効果が得られる。
(7) 0 Effects of the Invention In short, according to the present invention, a dead area is created in the master pattern, and the dead area is excluded from the comparison between comparison patterns and 8-.
A high degree of matching can be achieved. Therefore, when the present invention is applied to an automatic wire bonder, effects such as accurate pad positioning can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例を示す図、第2図及び第3図
は夫々、本発明及び従来のマスクパターン及び比較パタ
ーンを示す図でおる。 図において、1はTV右カメラ3it試料、4は二値化
回路、8は被認識パターンメモリ、9はマスターサンプ
ルIJ、10i/i不感領域作成回路、11はパターン
マツチング回路でめる。 特許 出 願人 富士通株式会社 第2図 ロイ感頒域 第3図 マスタフ1″ターン 比重交パターン 27・ソチングあとれケい苔!タテ
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are diagrams showing mask patterns of the present invention, conventional mask patterns, and comparative patterns, respectively. In the figure, 1 is a TV right camera 3it sample, 4 is a binarization circuit, 8 is a recognized pattern memory, 9 is a master sample IJ, 10 is an i/i dead area creation circuit, and 11 is a pattern matching circuit. Patent Applicant: Fujitsu Ltd. Figure 2 Roy distribution area Figure 3 Master tough 1'' turn specific gravity pattern 27 Soching and regai moss! Vertical

Claims (1)

【特許請求の範囲】 111  予めマスクパターンを用意し、これと被認識
パターンとを比較して、これら両者間のマツチングの有
無を得るパターンマツチング方法において、上記マスタ
パターンの生成に際しては、マスタパターンを撮像し、
その画像信号を予め設定されたスライスレベルで二値化
して、それをマスクパターンメモリに格納する処理を生
じさせるに当って、前記格納処理を複数回行い、そ、の
都度、前に格納された、マスタパターンと次に入力され
るマスタパターンとの間に差違がおるパターン部分を不
感領域として記憶する一方、このマスタパターンと被認
識パターンとの比較に際しては、上記不感領域を比較か
ら除外することを特徴とするパターンマツチング方法。 (2)撮像系と、そこからの画像信号を予め設定された
スライスレベルで二値化する二値化回路と、該二値化回
路に接続された被認識パターンメモリと、該被認識パタ
ーンメモリに接続すれたマスクパターンメモリと、上記
両メモリに接続された不感領域作成回路と、上記両メモ
リに接続されたパターンマツチング回路とを備えて成る
パターンマツチング装置。 (3)  上記スライスレベルを可変に1〜たことを特
徴とする特許請求の範囲第2項記載のパターンマツチン
グ装置。
[Claims] 111 In a pattern matching method in which a mask pattern is prepared in advance and a pattern to be recognized is compared with the pattern to be recognized to determine the presence or absence of matching between the two, when the master pattern is generated, the master pattern is image and
In order to generate the process of binarizing the image signal at a preset slice level and storing it in the mask pattern memory, the storage process is performed multiple times, and each time, the previously stored , while storing a pattern portion where there is a difference between the master pattern and the next input master pattern as a dead area, when comparing this master pattern with a recognized pattern, exclude the dead area from the comparison. A pattern matching method characterized by: (2) An imaging system, a binarization circuit that binarizes the image signal from there at a preset slice level, a recognized pattern memory connected to the binarization circuit, and the recognized pattern memory A pattern matching device comprising: a mask pattern memory connected to a mask pattern memory; a dead area creation circuit connected to both of the memories; and a pattern matching circuit connected to both of the memories. (3) The pattern matching device according to claim 2, wherein the slice level is variably set from 1 to 1.
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