JPS59229914A - Resonance circuit - Google Patents
Resonance circuitInfo
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- JPS59229914A JPS59229914A JP10355083A JP10355083A JPS59229914A JP S59229914 A JPS59229914 A JP S59229914A JP 10355083 A JP10355083 A JP 10355083A JP 10355083 A JP10355083 A JP 10355083A JP S59229914 A JPS59229914 A JP S59229914A
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H5/00—One-port networks comprising only passive electrical elements as network components
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は可変容量ダイオードを用いた共振回路に関し、
さらに評言すれば周波数シンセサイザチューナにおける
同調回路、局部発振器等に使用できる共振回路に関する
。[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to a resonant circuit using a variable capacitance diode,
More specifically, the present invention relates to a resonant circuit that can be used as a tuning circuit, a local oscillator, etc. in a frequency synthesizer tuner.
（従来技術）
従来の周波数シンセサイザチューナに使用される共振回
路は第１図に示す如く、逆直列に接続された２個の可変
容量ダイオード１，２と、可変容量ダイオード１，２の
陽極間に接続されたコイル３とから構成され、逆直列に
接続された可変容量ダイオード１．２の陰極に直流ノ々
イアス電圧ｖＴ・を印加し、直流バイアス電圧Ｖ＝を変
化さく共振周波数を変化させていた。(Prior Art) As shown in Fig. 1, a resonant circuit used in a conventional frequency synthesizer tuner has two variable capacitance diodes 1 and 2 connected in anti-series, and a circuit between the anodes of the variable capacitance diodes 1 and 2. A direct current noise voltage vT is applied to the cathode of a variable capacitance diode 1.2 which is composed of a connected coil 3 and connected in anti-series, and the resonant frequency is changed by changing the direct current bias voltage V=. Ta.
しかるに、上記した従来の共振回路を周波数シンセサイ
ザチューナの同調回路として、また局部発振器のタンク
回路として使用したとき、共振回路に発生または加えら
れる信号の振幅が大きくなると可変容量ダイオードの直
流バイアスが影響を受けて可変容量ダイオードの容量が
変化し、共振特性が悪化するなどの欠点があった。However, when the above-mentioned conventional resonant circuit is used as a tuning circuit for a frequency synthesizer tuner or as a tank circuit for a local oscillator, when the amplitude of the signal generated or applied to the resonant circuit becomes large, the DC bias of the variable capacitance diode becomes less effective. As a result, the capacitance of the variable capacitance diode changes, resulting in deterioration of resonance characteristics.
（発明の目的）
本発明は上記にかんがみなされたもので、上記の欠点を
解消し、信号の振幅が増大した大振幅動作時の共振特性
が改善される共振回路を提供することを目的とする。(Object of the Invention) The present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a resonant circuit that eliminates the above-mentioned drawbacks and improves resonance characteristics during large-amplitude operation when the signal amplitude is increased. .
この目的は本発明によれば、複数個の可変容量ダイオー
ドを同一方向に直列接続し、かつ全ての可変容量ダイオ
ードにそれぞれ対応する直流ノ々イアス電圧を供給して
同時に駆動することによシ達成される。According to the present invention, this object is achieved by connecting a plurality of variable capacitance diodes in series in the same direction and simultaneously driving all the variable capacitance diodes by supplying corresponding direct current noise voltages to them. be done.
以下、本発明を実施例によシ説明する。The present invention will be explained below using examples.
（発明の構成） 第２図は本発明の一実施例の構成を示す回路図である。(Structure of the invention) FIG. 2 is a circuit diagram showing the configuration of an embodiment of the present invention.
本発明の一実施例は第２図に示す如く同一特性のｎ個の
可変容量ダイオ−ｙ４１＊４２ｍ・・・、４ｎを直列に
接続した第１の可変容量ダイオード群と、可変容量ダイ
オード４１＊４ｚ＋・・Ｓ４ｎと同一特性のｎ個の可変
容量ダイオード５１１５２＋・・・、５ｎを直列に直接
した第２の可変容量ダイオード群とを逆直列に接続し、
可変容量ダイオード４１の陽極と可変容量ダイトド５１
の陽極との間にコイル９を接続して並列共振回路を構成
している。一方、ｎ個の抵抗６１，６２＋・・・６ｎを
直列に接続した分圧回路に直流バイアス電圧ｎＶ７を供
給して分圧し、抵抗６１，６２．・・・、６ｎの各抵抗
値を同一値に設定して、可変容量ダイオード４１および
５１の陰極に直流バイアス電圧ｖＴを、可変容量ダイオ
ード４２および５２の陰極に直流バイアス電圧２ Ｖ
Ｔを、・・・、同様に可変容量ダイオード４ｎおよび５
ｎの陰極に直流バイアス電圧ｎＶ７を、抵抗７１．７２
＋・・・ｅＴｎｒ８１ ｙ・・・＋８ｎ−１を介して供
給し、それぞれの可変容量ダイオード４１．４２ 、・
・・、４ｎ。As shown in FIG. 2, one embodiment of the present invention includes a first variable capacitance diode group in which n variable capacitance diodes with the same characteristics are connected in series, and a variable capacitance diode 41*. 4z+...S4n and a second variable capacitance diode group in which n variable capacitance diodes 51152+..., 5n having the same characteristics are directly connected in series,
Anode of variable capacitance diode 41 and variable capacitance diode 51
A coil 9 is connected between the anode and the anode to form a parallel resonant circuit. On the other hand, a DC bias voltage nV7 is supplied to a voltage dividing circuit in which n resistors 61, 62+...6n are connected in series to divide the voltage. ..., 6n are set to the same value, and a DC bias voltage vT is applied to the cathodes of the variable capacitance diodes 41 and 51, and a DC bias voltage of 2 V is applied to the cathodes of the variable capacitance diodes 42 and 52.
T,...Similarly, variable capacitance diodes 4n and 5
DC bias voltage nV7 is applied to the cathode of n, and resistance 71.72
+...eTnr81 y...+8n-1, and the respective variable capacitance diodes 41.42, .
..., 4n.
５１１５２＋・・・＋５Ｈに同一の直流バイアス電圧ｖ
Ｔが印加されるように構成しである。なお、抵抗７１，
７２゜・・・＋７Ｈ−１＋７ｎｅ８１ ｙ・・・＊８ｎ
−１はチョークコイルであっても差支えない。Same DC bias voltage v for 51152+...+5H
The configuration is such that T is applied. In addition, the resistor 71,
72゜...+7H-1+7ne81 y...*8n
-1 may be a choke coil.
（発明の作用）
以上の如く構成した本発明の一実施例は、第１図に示し
た従来の共振回路と同様に、並列共振回路を構成してい
る。コイル９のインダクタンスをコイル３のインダクタ
ンスのｎ倍に設定することによシ、可変容量コンデンサ
４１ｐ４２＊・・・４ｎに可変容量コンデンサ１と同一
のものを、可変容量コンデンサ５１＊５２＋・・・５ｎ
に可変容量コンデンサ２と同一のものを用いた場合、第
１図に示した共振回路と第２図に示した本発明の一実施
例の共振回路とは共振周波数に対して等価となる。(Function of the Invention) The embodiment of the present invention constructed as described above constitutes a parallel resonant circuit similar to the conventional resonant circuit shown in FIG. By setting the inductance of the coil 9 to n times the inductance of the coil 3, the variable capacitors 41p42*...4n are the same as the variable capacitor 1, and the variable capacitors 51*52+...5n
When the same variable capacitance capacitor 2 is used for the resonant frequency, the resonant circuit shown in FIG. 1 and the resonant circuit of the embodiment of the present invention shown in FIG. 2 are equivalent with respect to the resonant frequency.
一方、直流バイアス電圧ｎＶＴが供給される端子よシみ
た場合、第１図に示す共振回路において直流バイアス電
圧と周波数の変化範囲がＩＯＶ−ｉＭＨｚであったとす
れば、第２図に示した本実施例のときにはｎ Ｘ １０
Ｖ−Ｉ ＭＦＩｚとなフ、直流バイアス電圧ｎＶＴに
乗るノイズが第１図に示す共振回路の直流バイアス電圧
に乗るノイズと同一とすれば、本発明の一実施例におい
ては分圧回路によシ分圧されて各可変容量ダイオード４
１．・・・ｐ４Ｈｐ５１ｔ・・・、５ｎに印加されるた
め、本発明の一実施例におけるＣ／Ｎは第１図に示した
従来の共振回路のＣ／Ｎの’／ｎ倍に改善される。On the other hand, when looking at the terminal to which the DC bias voltage nVT is supplied, if the variation range of the DC bias voltage and frequency in the resonant circuit shown in Fig. 1 is IOV-iMHz, then the present implementation shown in Fig. 2 In the example, n x 10
If the noise on the DC bias voltage nVT is the same as the noise on the DC bias voltage of the resonant circuit shown in FIG. The voltage is divided into each variable capacitance diode 4
1. . . , p4Hp51t .
また以上説明した本発明の一実施例において、可変容量
ダイオード４１ｔ４２＃・・・ｙ ４ ｎ、５ ｌ ＋
５２ ｖ・・・５ｎの特性は同一のものとしたが、対
応する可変容量ダイオード４１と５．・−ｔ４２と５２
．・・・１４ｎと５ｎとを同一特性のものとして分圧回
路を構成する抵抗６１゜６２、・・・、６ｎの抵抗値を
設定することによシ、対応する電圧をそれぞれの対をな
す可変容量ダイオード４１と５１ｐ４２と５２．・・・
、４ｎと５ｎに印加するようにしてもよい。Furthermore, in the embodiment of the present invention described above, the variable capacitance diodes 41t42#...y 4 n, 5 l +
52 v...5n have the same characteristics, but the corresponding variable capacitance diodes 41 and 5.・-t42 and 52
．． ...14n and 5n have the same characteristics, and by setting the resistance values of the resistors 61, 62, ..., 6n that constitute the voltage divider circuit, the corresponding voltages can be varied for each pair. Capacitance diodes 41 and 51p42 and 52. ...
, 4n and 5n.
さらに可変容量ダイオード４１，４２．・・・４ｎ＋５
１ｓ５２、・・・５ｎの特性が同一でない場合にも分圧
回路を２つ設けることによシ対応させることができる。Further, variable capacitance diodes 41, 42 . ...4n+5
Even if the characteristics of 1s52, . . . 5n are not the same, this can be handled by providing two voltage dividing circuits.
またさらに、可変容量ダイオード５１ｐ５２ｔ・・・。Furthermore, variable capacitance diodes 51p52t...
５ｎから外る第２の可変容量ダイオード群をコンデンサ
で置換しても同様である。The same effect can be obtained even if the second variable capacitance diode group outside of 5n is replaced with a capacitor.
第３図は本発明の使用例を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing an example of use of the present invention.
第３図に示した使用例は本発明を周波数シンセサイデチ
ューナの高周波増幅数の同調回路として使用した場合の
例である。The usage example shown in FIG. 3 is an example in which the present invention is used as a tuning circuit for the high frequency amplification number of a frequency synthesizer detuner.
高周波増幅器１００入力側にｎ＝３としたときの本発明
の一実施例からなる共振回路Ａを同調回路として接続し
、高周波増幅器１０の出力側にｎ−２としたときの本発
明の一実施例からなる共振回路Ｂを同調回路として接続
しである。A resonant circuit A according to an embodiment of the present invention when n=3 is connected to the input side of the high-frequency amplifier 100 as a tuning circuit, and an embodiment of the present invention when n-2 is connected to the output side of the high-frequency amplifier 10. The resonant circuit B consisting of the example is connected as a tuned circuit.
ここで共振回路ＡおよびＢの一部を構成する可変容量ダ
イオード４＾１ ＃４Ａ２１４ム３，５ム１１５Ａ２＃
５ム３゜４ｍｌ 、４ｎｚｔ５ｉ＋１ ｙおよび５Ｂ２
は同一特性のものを選択しである。一方分圧回路１１に
ょシ直流バイアス電圧３ＶＴを分圧した電圧■Ｔ、２ｖ
Ｔと、電圧３ＶＴとによシ各可変容量ダイオード４Ａ１
．・・・、４Ａ３＊５Ａｌ ｅ・・・５Ａ３ ＃４Ｂ１
＃４Ｂ２＃５Ｂ１ ＊５ｎ２に電圧’ＶＴを印加すル
コトカでき、直列に接続される可変容量ダイオードそれ
ぞれは同一の電圧ＶＴで同時に駆動される。Here, variable capacitance diode 4^1 #4A214mu3,5mu115A2# constitutes part of resonance circuits A and B.
5mm3゜4ml, 4nzt5i+1y and 5B2
select those with the same characteristics. On the other hand, the voltage T, 2v, obtained by dividing the DC bias voltage 3VT in the voltage dividing circuit 11
T and voltage 3VT, each variable capacitance diode 4A1
．． ..., 4A3*5Al e...5A3 #4B1
A voltage 'VT can be applied to #4B2#5B1 *5n2, and each of the variable capacitance diodes connected in series is simultaneously driven with the same voltage VT.
この場合に各共振回路Ａ、Ｂの可変容量ダイオードの数
力嘆なっていても、全体の同調特性が一致する。In this case, even if the numerical power of the variable capacitance diodes of each resonant circuit A and B is different, the overall tuning characteristics match.
また本発明の共振回路を同調回路として用いたときは、
同調回路のチューニング電圧（前記の直流・９イアス電
圧）をｎ倍に高くすることができるためにＣ／Ｎが１／
ｎに改善され、その分だけ大信号振幅動作時の同調特性
が改善され、周波数シンセｔｒザチューナの高周波段の
ダイナミックレンジは拡大される。Furthermore, when the resonant circuit of the present invention is used as a tuning circuit,
Since the tuning voltage of the tuning circuit (the above-mentioned DC/9 IA voltage) can be increased by n times, the C/N is 1/
n, the tuning characteristics during large signal amplitude operation are improved accordingly, and the dynamic range of the high frequency stage of the frequency synthesizer TR and tuner is expanded.
第４図は本発明の他の使用例を示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing another example of use of the present invention.
第４図に示した使用例は本発明を周波数シンセサイザチ
ューナの電圧制御発振器に使用した場合の例である。The usage example shown in FIG. 4 is an example where the present invention is used in a voltage controlled oscillator of a frequency synthesizer tuner.
同調回路１５，１６、高周波増幅器１０．混合回路１７
およびＰＬＬ回路りにより周波数シンセサイザチューナ
のフロントエンドが構成しである。Tuning circuits 15, 16, high frequency amplifier 10. Mixing circuit 17
The front end of the frequency synthesizer tuner is composed of a PLL circuit and a PLL circuit.
ＰＬＬ回路りは電圧制御発振器１８、プログラマブル分
周器１９、位相比較器２０．基準発振器２１、プリスケ
ーラとしての分周器２２、ローパスフィルタ２３、直流
増幅器２４とから構成してあり、電圧制御発振器１８の
タンク回路には本発明のｎ＝２とした場合における共振
回路Ｃが用いである。The PLL circuit includes a voltage controlled oscillator 18, a programmable frequency divider 19, a phase comparator 20. It is composed of a reference oscillator 21, a frequency divider 22 as a prescaler, a low-pass filter 23, and a DC amplifier 24, and the tank circuit of the voltage-controlled oscillator 18 uses the resonant circuit C of the present invention when n=2. It is.
直流増幅器２４は従来の周波数シンセサイザチューナに
おける出力電圧ｖＴの２倍の出方電圧２ＶＴを出力する
ように、そのゲインは２倍に設定しである。直流増幅器
２４の出力電圧２ＶＴは分圧回路２５によって１／２に
分圧して、電圧ｖＴを可変容量ダイオード４１，５］の
陰極に、電圧２ ＶＴを可変容量ダイオード４２ ｒ
５２の陰極に供給しである。ここで可変容量ダイオード
４１＋ ４２＋５１＋ ５２ は同一特性のものに設定
しである。The gain of the DC amplifier 24 is set to twice so as to output an output voltage 2VT which is twice the output voltage vT of a conventional frequency synthesizer tuner. The output voltage 2VT of the DC amplifier 24 is divided into 1/2 by the voltage dividing circuit 25, and the voltage vT is applied to the cathode of the variable capacitance diode 41,5], and the voltage 2VT is applied to the cathode of the variable capacitance diode 42r.
52 cathodes. Here, the variable capacitance diodes 41+42+51+52 are set to have the same characteristics.
そごで第４図に示したフロントエンドにおける受信作用
は従来の場合と全く同一であるが、共振回路Ｃの一部を
構成する各可変容量ダイオード４１４２．５１４２に印
加される直流バイアス電圧はＶＴであシ従来の場合と変
えることなく、電圧制御発振器１８の印加電圧は２ＶＴ
となって従来の場合の２倍であり、電圧制御発振器１８
の変換ダインは従来の場合の捧倍となる。なお第４図に
示すフロントエンドにおいては直流増幅器２４０ダイン
は従来の場合の２倍に設定してお、！７、ＰＩ、Ｉ、回
路りのルーグダインに変化はない。The receiving function at the front end shown in FIG. 4 is exactly the same as in the conventional case, but the DC bias voltage applied to each variable capacitance diode 4142 and 5142 forming a part of the resonant circuit C is VT. The voltage applied to the voltage controlled oscillator 18 is 2 VT, without changing from the conventional case.
This is twice the conventional case, and the voltage controlled oscillator 18
The conversion dyne is multiplied by the conventional case. In addition, in the front end shown in FIG. 4, the DC amplifier 240 dynes is set to twice that of the conventional case! 7. There is no change in the PI, I, and circuit routines.
しかるに、一般にＰＬＬ回路のノイズは電圧制御発振器
に殆んど依存して定まシ、電圧制御発振器の変換ダイン
を下げればＣ／Ｎが良好とな、９ ＰＬＬ回路のノイズ
は低下する。しかし可変容量ダイオードの使用耐圧電圧
によって電圧制御発振器の変換ダインは決定されてしま
っている。However, in general, the noise of a PLL circuit depends mostly on the voltage-controlled oscillator, and if the conversion dyne of the voltage-controlled oscillator is lowered, the C/N becomes better, and the noise of the PLL circuit decreases. However, the conversion dyne of the voltage controlled oscillator is determined by the withstand voltage of the variable capacitance diode.
ところで、前記した如く本発明の共振回路を使用したと
きは、可変容量ダイオード４１１４２．５１１５２の使
用耐圧電圧は従来と同一で、それぞれの可変容量ダイオ
ード４１＋４２ｐ５１＊５２に印加される電圧はＶＴで
あるが、電圧制御発振器１８の変換ダインは従来の捧倍
となる。この結果Ｃ／Ｎは向上する。したがってＰＬＬ
回路りのノイズは減少し、周波数シンセサイザチューナ
復調出力に高Ｓ／Ｎの出力が得られる。By the way, when the resonant circuit of the present invention is used as described above, the working voltage of the variable capacitance diodes 41142.51152 is the same as that of the conventional one, and the voltage applied to each variable capacitance diode 41+42p51*52 is VT. , the conversion dyne of the voltage controlled oscillator 18 becomes a conventional multiplication factor. As a result, the C/N improves. Therefore PLL
The circuit noise is reduced and a high S/N ratio can be obtained from the frequency synthesizer tuner demodulation output.
また、可変容量ダイオード４１＊４２ｔ５１，５ｚには
従来と同一の電圧が印加されているため、従来の場合と
同一のトラッキング特性が得られる。Furthermore, since the same voltage as in the conventional case is applied to the variable capacitance diodes 41*42t51, 5z, the same tracking characteristics as in the conventional case can be obtained.
なお、第４図において、同調回路１５および１７に従来
の第１図に示した共振回路を用いた場合を例示している
が、同調回路１５および１６に第３図に示した如く本発
明の共振回路を用いることもできる。同調回路１５およ
び１６に本発明の共振回路を用いかつ電圧制御発振器１
８のタンク回路に本発明の共振回路を用いれば、フロン
トエンドのダイナミックレンジが拡大することになる。Although FIG. 4 shows an example in which the conventional resonant circuits shown in FIG. 1 are used as the tuning circuits 15 and 17, the tuning circuits 15 and 16 are equipped with the resonant circuits of the present invention as shown in FIG. Resonant circuits can also be used. The resonance circuit of the present invention is used in the tuning circuits 15 and 16, and the voltage controlled oscillator 1
If the resonant circuit of the present invention is used in the tank circuit of No. 8, the dynamic range of the front end will be expanded.
（発明の効果）
以上説明した如く本発明によれば、ガが改善され、周波
数シンセサイザチューナの同調回路、局部発振回路のタ
ンク回路として用いたときにおいて大信号振幅動作時の
特性が改善され、周波数シンセサイデチューナの高周波
数のダイナミックレンジ、フロントエンドのダイナミッ
クレンジが拡大し、ＳＡの良好な受信が行なえる。(Effects of the Invention) As explained above, according to the present invention, the characteristics during large signal amplitude operation are improved when used as a tuning circuit of a frequency synthesizer tuner or a tank circuit of a local oscillation circuit. The high frequency dynamic range of the synthesizer detuner and the front end dynamic range are expanded, allowing for good SA reception.
第１図は従来の共振回路の回路図。
第２図は本発明の一実施例を示す回路図。
第３図および第４図は本発明の使用例を示す回路図。
４１ ｒ ４２ ＋・・’＋４ｙ１ ｙ５ ｉ ＋５２
・・・５ｎｙ４＊１４Ａ２＋４Ａ５ ＋５Ａ１ｒ５Ａ２
１５人３＋４ｇ１１４Ｂ２１５Ｂ１および５ｎ２・・・
可変容量ダイオード、６１９６２・・・６ｎ、７１，７
２．・・・’７ｎ−１ ＋８１ ｇ・・・および８ｎ−
１・・・抵抗、９・・・コイル、１１および２５・・・
分圧回路。
第 ３ 図
６８−
第 ４ 図Figure 1 is a circuit diagram of a conventional resonant circuit. FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention. 3 and 4 are circuit diagrams showing examples of use of the present invention. 41 r 42 +...'+4y1 y5 i +52
...5ny4*14A2+4A5 +5A1r5A2
15 people 3+4g114B215B1 and 5n2...
Variable capacitance diode, 61962...6n, 71,7
2. ...'7n-1 +81 g... and 8n-
1...Resistor, 9...Coil, 11 and 25...
Voltage divider circuit. Figure 3 Figure 68- Figure 4
Claims (3)
ードと、可変容量ダイオードのそれぞれに可変容量ダイ
オードの特性に対応した直流バイアス電圧を同時に印加
する電圧供給手段とを備えてなることを特徴とする共振
回路。(1) It is characterized by comprising a plurality of variable capacitance diodes connected in series in the same direction, and voltage supply means for simultaneously applying a DC bias voltage corresponding to the characteristics of the variable capacitance diodes to each of the variable capacitance diodes. resonant circuit.
容量ダイオードであることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の共振回路。(2) The resonant circuit according to claim 1, wherein the plurality of variable capacitance diodes are variable capacitance diodes having substantially the same characteristics.
する特許請求の範囲第１項記載の共振回路。(3) The resonant circuit according to claim 1, wherein the voltage supply means is a resistive voltage divider circuit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10355083A JPS59229914A (en) | 1983-06-11 | 1983-06-11 | Resonance circuit |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP10355083A JPS59229914A (en) | 1983-06-11 | 1983-06-11 | Resonance circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59229914A true JPS59229914A (en) | 1984-12-24 |
| JPH0125247B2 JPH0125247B2 (en) | 1989-05-17 |
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ID=14356928
Family Applications (1)
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| JP10355083A Granted JPS59229914A (en) | 1983-06-11 | 1983-06-11 | Resonance circuit |
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| Publication number | Publication date |
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| JPH0125247B2 (en) | 1989-05-17 |
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