JPS59217383A - レ−ザ−装置 - Google Patents
レ−ザ−装置Info
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- JPS59217383A JPS59217383A JP59081022A JP8102284A JPS59217383A JP S59217383 A JPS59217383 A JP S59217383A JP 59081022 A JP59081022 A JP 59081022A JP 8102284 A JP8102284 A JP 8102284A JP S59217383 A JPS59217383 A JP S59217383A
- Authority
- JP
- Japan
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- plasma chamber
- module
- high voltage
- enclosure
- respect
- Prior art date
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/02—Constructional details
- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
- Laser Surgery Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(技術分野)
この発明は、純粋もしくは混合の原子もしくは分子から
なる気体のいずれかを使用づる密封式のプラズマ室を有
する気体レーザーにvAする。さらに詳しくは、振動を
得るlこめに装置を光学的に芯合せする必要がなく、比
較的未熟練者であっても、密封式のプラズマ室、高電圧
部材および回路を新しいものど交換り−ることのできる
気体レー畳アーに関づ“る。
なる気体のいずれかを使用づる密封式のプラズマ室を有
する気体レーザーにvAする。さらに詳しくは、振動を
得るlこめに装置を光学的に芯合せする必要がなく、比
較的未熟練者であっても、密封式のプラズマ室、高電圧
部材および回路を新しいものど交換り−ることのできる
気体レー畳アーに関づ“る。
(従来技術)
一般的に、気体レーlアーは選択された気体もしくは一
気体の況合物を封入したプラズマ室と、原子−bしくは
分子を高コーネルギー状態に達づるまで励起する高圧電
流を発生さVる1組の電極とから構成されている。プラ
ズマ室封入体の外もしくは内部に1対の光学的反射鏡が
設置ノられていC1再生を行なうので、レーザー振動が
発生される。この反射鏡は再生を起こさけるIこめに正
確に芯合わけしな【ノればならない。芯合わヒされた反
a]鏡は気体レーザー用の共振器を形成する。
気体の況合物を封入したプラズマ室と、原子−bしくは
分子を高コーネルギー状態に達づるまで励起する高圧電
流を発生さVる1組の電極とから構成されている。プラ
ズマ室封入体の外もしくは内部に1対の光学的反射鏡が
設置ノられていC1再生を行なうので、レーザー振動が
発生される。この反射鏡は再生を起こさけるIこめに正
確に芯合わけしな【ノればならない。芯合わヒされた反
a]鏡は気体レーザー用の共振器を形成する。
この種の気体レーザーは、各種の原子らしくは分子から
成る気体を使用しているいろな形態で使用されCいる。
成る気体を使用しているいろな形態で使用されCいる。
利用できる出力スベク1−ルは、遠赤外線から可視の近
紫外線に及ぶ広範囲の電磁スペクトルで、パワー容量も
数ミリワラ1−からメガ971〜台に達する。
紫外線に及ぶ広範囲の電磁スペクトルで、パワー容量も
数ミリワラ1−からメガ971〜台に達する。
この種のレーザーを実際に使用1゛る段に4【ると、多
くの要因によって限界がでてくる。レーIF−は多くの
場合、実験室での使用に滞っている。その理由は、レー
ザーを密封状態で操作覆る場合、必ず補助ポンプ装置が
必要で、間欠的もしく LL l続的に気体媒質を補給
しなければならないからである。分子からなる気体レー
IF−の場合、気体媒質の組成は通常の使用状態の下で
分子解離によって徐々に変化づるので、使用された気体
が取り除かれるにつれて新しい気体を封入体の中に送り
込む必要が生じてくる。密封式の封入体を右するレーザ
ーの寿命も、プラズマ室にあって通し窓の光学内質を悪
くするレーザー増幅媒体の気体反応や分解によつC制限
される。大抵の場合、密封装買どして長期間にわたって
使用するためには、l\ツリウム−オン等の不活性気体
レーIF−や、アルゴン、クリプトンその他の不活性気
体イオンレー1r−が実用的である。
くの要因によって限界がでてくる。レーIF−は多くの
場合、実験室での使用に滞っている。その理由は、レー
ザーを密封状態で操作覆る場合、必ず補助ポンプ装置が
必要で、間欠的もしく LL l続的に気体媒質を補給
しなければならないからである。分子からなる気体レー
IF−の場合、気体媒質の組成は通常の使用状態の下で
分子解離によって徐々に変化づるので、使用された気体
が取り除かれるにつれて新しい気体を封入体の中に送り
込む必要が生じてくる。密封式の封入体を右するレーザ
ーの寿命も、プラズマ室にあって通し窓の光学内質を悪
くするレーザー増幅媒体の気体反応や分解によつC制限
される。大抵の場合、密封装買どして長期間にわたって
使用するためには、l\ツリウム−オン等の不活性気体
レーIF−や、アルゴン、クリプトンその他の不活性気
体イオンレー1r−が実用的である。
レーザーの使用に伴う費用の問題も商業ベースで使用づ
゛る場合、重要な要因である。例えば、ヘリウム・−ネ
オンのレーザーを取り上げると、これは比較的安く製造
でき、密J」状態で比較的未熟練にわたって使用できる
。この種のレーIf−のプラズマ室が最終「白に触かな
く’Jるど、ゾラズ′ン室を取り替えて振動を得るIこ
めの光学式共振器を再び芯合わせづ゛るよりは」ニラ1
〜全体を捨ててしまった方が実用的であるし、また経済
的Cもある。
゛る場合、重要な要因である。例えば、ヘリウム・−ネ
オンのレーザーを取り上げると、これは比較的安く製造
でき、密J」状態で比較的未熟練にわたって使用できる
。この種のレーIf−のプラズマ室が最終「白に触かな
く’Jるど、ゾラズ′ン室を取り替えて振動を得るIこ
めの光学式共振器を再び芯合わせづ゛るよりは」ニラ1
〜全体を捨ててしまった方が実用的であるし、また経済
的Cもある。
大きなパワーの出せる比較的、:も価な蜜月式不活性気
体レーザーの場合、プラズマ室と補助装置のコストが高
い。この種の高価なレーザー装置に故障が生じると、通
常プラズマ室は取り苔えられるが、装置(、二高電圧が
用いられていることと正確な光学的芯合わせを必要とす
ることを理由として、取り替え作業には熟練を要覆る。
体レーザーの場合、プラズマ室と補助装置のコストが高
い。この種の高価なレーザー装置に故障が生じると、通
常プラズマ室は取り苔えられるが、装置(、二高電圧が
用いられていることと正確な光学的芯合わせを必要とす
ることを理由として、取り替え作業には熟練を要覆る。
しかし、この秤の不活性気体レーザーは、プラズマ室の
交換費用に」−分見合うほど長く持つので商46ベース
で使用されている。
交換費用に」−分見合うほど長く持つので商46ベース
で使用されている。
分子その他多くの気体レーザ゛−の場合は、J−記事情
はあてtままらない。例えば、二酸化炭素を使llTl
い、−、アー(7)、P、、。、アウッ、□1□−1、
気体分子が解離されて一酸化炭素と酸素を生じる。
はあてtままらない。例えば、二酸化炭素を使llTl
い、−、アー(7)、P、、。、アウッ、□1□−1、
気体分子が解離されて一酸化炭素と酸素を生じる。
この種のレー署アーにはポンプ装置V)その他必要とす
る補助装置が設(Jてあって、連続的(こ気体を供給す
る操作ができるようになつCいる。二酸化炭素を再生り
”るため触媒を使用する最近の技術によれば、この種の
密封レーザーの寿命は長く、なるが、市場に出−Cいる
ほどんどの装置では、所望の期間だり使用するどなると
、まだ、補給気体を流り必要がある。
る補助装置が設(Jてあって、連続的(こ気体を供給す
る操作ができるようになつCいる。二酸化炭素を再生り
”るため触媒を使用する最近の技術によれば、この種の
密封レーザーの寿命は長く、なるが、市場に出−Cいる
ほどんどの装置では、所望の期間だり使用するどなると
、まだ、補給気体を流り必要がある。
ハロゲン化物を使用した気体レーIアーの場合にも同様
なしかし6つと影響の大きい問題が生じる。
なしかし6つと影響の大きい問題が生じる。
りなわら、この種の気体は腐蝕111があり、表面反応
によっC光学式の通し窓の有効性が少4j・りなるから
である。結果として寿命がみじかくなるから、この主の
レーザーには連続的に気体を補給り−る装置が必要であ
り、同時(こ、使用され1こ腐蝕性気体を回収する装置
も必要である。
によっC光学式の通し窓の有効性が少4j・りなるから
である。結果として寿命がみじかくなるから、この主の
レーザーには連続的に気体を補給り−る装置が必要であ
り、同時(こ、使用され1こ腐蝕性気体を回収する装置
も必要である。
°プラズマ室に使用ずみの気体の補給を必要とづる従来
型式のレーザーを商業ベースで使用りる場合、多くのレ
ー蕃アーが通常かさ張った気体取り扱い装置を必要とす
る。
型式のレーザーを商業ベースで使用りる場合、多くのレ
ー蕃アーが通常かさ張った気体取り扱い装置を必要とす
る。
発明の概要
この発明によれば、気体レーザーのプラズマ室および高
圧回路は比較的未熟練−にでし迅速かつ簡単に交換でき
る。このため、密14式プラズマ室の貯蔵寿命は長いが
、レーザー光を彎るlこヴ)に使用Jるに従つ゛C徐々
に劣化づるにうなプラズマ室の使用が可能になる。大抵
の場合、この種のレーザーは間欠的にしか使用されてい
ない。この発明の装置は気体取り扱い装置を設【ノてい
ないのC1小Q11の、しかしこれが「、冒こ手習でル
)るが、持ち運びのできる軽重のレーザーを製作りるこ
とが可能になる。この発明は低いパワーないし中間程磨
のパワー出力で作動りるレー1F−を対象とりるbので
・、非常に高1ネルギーのレーザ゛−には広く適用でき
ない。
圧回路は比較的未熟練−にでし迅速かつ簡単に交換でき
る。このため、密14式プラズマ室の貯蔵寿命は長いが
、レーザー光を彎るlこヴ)に使用Jるに従つ゛C徐々
に劣化づるにうなプラズマ室の使用が可能になる。大抵
の場合、この種のレーザーは間欠的にしか使用されてい
ない。この発明の装置は気体取り扱い装置を設【ノてい
ないのC1小Q11の、しかしこれが「、冒こ手習でル
)るが、持ち運びのできる軽重のレーザーを製作りるこ
とが可能になる。この発明は低いパワーないし中間程磨
のパワー出力で作動りるレー1F−を対象とりるbので
・、非常に高1ネルギーのレーザ゛−には広く適用でき
ない。
密封式プラズマ室は通常の高電圧電極と光学的通し窓と
を有する。このプラズマ室を而1i’lJな■1かい光
学的芯合わUを必要どUずに交換づ−ることを可能に1
°るために、機械的合わば連結部の一部が取り外し自在
のプラズマ室の封入体に取り付けられるか、一方の高電
圧電極に直結され、かつ、電極、光学的通し窓およびプ
ラズマ室の光軸に対して所定の空間的かつ角度的位置を
占めるよう位置決めされる。機械的連結部の電極、通し
窓A3 J:び光軸に対する位置決めについては、Tx
Lj&性のある各プラズマ室について同じである3、共
振鏡が取りイ」()られるど共に、電極、電源その他補
助装置に対づ゛る電気的接続部材を設りた別体のベース
には、このベースに取りイ」りられた1対の反射鏡に対
して正(11[に所定の空間的かつ角度的位置を6kl
!(−取り(=Jりられた合わ′l!連114部の他の
一部が設りられている。この(浅域的連結部の一部の各
反1=1鏡に対づる位置は互換性のある各ベースに対し
て同じである。したがって、各ベースJ3J、び各ノ゛
ラズマ室は他の同様なユニッ1〜とTj換性ifある。
を有する。このプラズマ室を而1i’lJな■1かい光
学的芯合わUを必要どUずに交換づ−ることを可能に1
°るために、機械的合わば連結部の一部が取り外し自在
のプラズマ室の封入体に取り付けられるか、一方の高電
圧電極に直結され、かつ、電極、光学的通し窓およびプ
ラズマ室の光軸に対して所定の空間的かつ角度的位置を
占めるよう位置決めされる。機械的連結部の電極、通し
窓A3 J:び光軸に対する位置決めについては、Tx
Lj&性のある各プラズマ室について同じである3、共
振鏡が取りイ」()られるど共に、電極、電源その他補
助装置に対づ゛る電気的接続部材を設りた別体のベース
には、このベースに取りイ」りられた1対の反射鏡に対
して正(11[に所定の空間的かつ角度的位置を6kl
!(−取り(=Jりられた合わ′l!連114部の他の
一部が設りられている。この(浅域的連結部の一部の各
反1=1鏡に対づる位置は互換性のある各ベースに対し
て同じである。したがって、各ベースJ3J、び各ノ゛
ラズマ室は他の同様なユニッ1〜とTj換性ifある。
プラズマ室が1動かなくなると、古くなった7゛ラズ7
室をベースから外して、代りのプラズマ室を装着する1
ピリで簡単に交換できる。連結部の前記2′つの各部の
所定の位置、つまり、電極どプラズマ室の光軸に対する
位置、おにび前記2つの反射鏡に対づ゛る位置は、プラ
ズマ室の交換の際、細かい調整を必要とせずにレーザー
撮動を発生さUるに+5)41精1身Cプラズマ室を位
置決めひきるようにしである。小型4「ことは、この最
適なシー1f−気体況含物を含む密月式ブラズ?室は低
」ス1〜(・製作Cきることである。このため、使いv
1シのプラズマ室は捨ててしj:い別の゛しのと容易に
交換ひきる1、すお、希薄な等ブノ性分子を使用りる分
子レーザ゛−1あるいは精巧な電極形状を必要どりる分
子レーザ゛−に使われるような烏価なプラズマ?i(′
なら■揚1こ戻し−C別の〕′ラスマ室を使用しでいる
間に1■」調整をすることもできる。
室をベースから外して、代りのプラズマ室を装着する1
ピリで簡単に交換できる。連結部の前記2′つの各部の
所定の位置、つまり、電極どプラズマ室の光軸に対する
位置、おにび前記2つの反射鏡に対づ゛る位置は、プラ
ズマ室の交換の際、細かい調整を必要とせずにレーザー
撮動を発生さUるに+5)41精1身Cプラズマ室を位
置決めひきるようにしである。小型4「ことは、この最
適なシー1f−気体況含物を含む密月式ブラズ?室は低
」ス1〜(・製作Cきることである。このため、使いv
1シのプラズマ室は捨ててしj:い別の゛しのと容易に
交換ひきる1、すお、希薄な等ブノ性分子を使用りる分
子レーザ゛−1あるいは精巧な電極形状を必要どりる分
子レーザ゛−に使われるような烏価なプラズマ?i(′
なら■揚1こ戻し−C別の〕′ラスマ室を使用しでいる
間に1■」調整をすることもできる。
このJ、うに、反q4鏡、゛市〕j;(部その曲の補助
装置をつりたままC1かつ高電H一部材どJ(に、もし
く(5L別々にプラズマ室を交換できると、−1ス1〜
問題15使用状況の1=めに使用でさ4rか・)だ多く
レー1F−を使用りることがC゛さる。この発明は、実
際の使用状況の下では比較的に寿命が短かいプラズマj
室も、使用しないで貯蔵状態のまま(こ置く
時は十分艮い可曲を右Jるという事実をたくみに利用し
−Cいる。従って、この種のいわゆる短命のプラズマ室
す多くの非実験室ベースでの使用が8易どなる。
装置をつりたままC1かつ高電H一部材どJ(に、もし
く(5L別々にプラズマ室を交換できると、−1ス1〜
問題15使用状況の1=めに使用でさ4rか・)だ多く
レー1F−を使用りることがC゛さる。この発明は、実
際の使用状況の下では比較的に寿命が短かいプラズマj
室も、使用しないで貯蔵状態のまま(こ置く
時は十分艮い可曲を右Jるという事実をたくみに利用し
−Cいる。従って、この種のいわゆる短命のプラズマ室
す多くの非実験室ベースでの使用が8易どなる。
まIこ、この弁明により、1j入覆る気体は違うが同じ
種類のレー1F−に属りる各種のプラズマ室を共通のベ
ースで使用できるので、最小の]ス1〜で多様な用途が
聞【ノる。
種類のレー1F−に属りる各種のプラズマ室を共通のベ
ースで使用できるので、最小の]ス1〜で多様な用途が
聞【ノる。
この発明の主な目的は、比較的高いピーク強度を右し、
かつ持続時間の短かいレーザーパルスを発生さけるだめ
の小型シー11−装置を提供Jること(゛ある。レーリ
゛−プラズマは、玉ネルギー貯蔵二1ンデンリおよび高
速電気スイッチにJ、って電気的に高速励起される。コ
ンデンリに貯蔵される電気」−ネルギ一番、上、スイッ
チの作用にJ、って、急速(タミ速な電流1胃にJ、る
)にシー1F−ノ°ラズマに転換される。なJ3、この
スイッチはトリガーもしくは非1−リガー型のガス充填
部拐Cある。アッパーレベルにおいて分子のズを命が短
かい気体を使用したし〜ザーにJ:って、ピーク強度が
高く、かつ持続時間の短かい出力パルスを効率的に発生
さけるだめには、上ネルギーを急)申にプラズマ室に転
換する必要がある。寿命が約数ナノ秒の場合にはは、プ
ラズマ内にa3Lノる電流励起の上置時間は数ナノ秒を
下回っていなく乙はならない。
かつ持続時間の短かいレーザーパルスを発生さけるだめ
の小型シー11−装置を提供Jること(゛ある。レーリ
゛−プラズマは、玉ネルギー貯蔵二1ンデンリおよび高
速電気スイッチにJ、って電気的に高速励起される。コ
ンデンリに貯蔵される電気」−ネルギ一番、上、スイッ
チの作用にJ、って、急速(タミ速な電流1胃にJ、る
)にシー1F−ノ°ラズマに転換される。なJ3、この
スイッチはトリガーもしくは非1−リガー型のガス充填
部拐Cある。アッパーレベルにおいて分子のズを命が短
かい気体を使用したし〜ザーにJ:って、ピーク強度が
高く、かつ持続時間の短かい出力パルスを効率的に発生
さけるだめには、上ネルギーを急)申にプラズマ室に転
換する必要がある。寿命が約数ナノ秒の場合にはは、プ
ラズマ内にa3Lノる電流励起の上置時間は数ナノ秒を
下回っていなく乙はならない。
この実施例においCは、小をのプラズマ室は高速電磁励
起のIこめの小型モジコール内に設【Jられたスイッチ
おJ:びエネルギー貯蔵コンデン1ノーと一体化されて
いる。モジュール内においては、コンデンリおよびスイ
ッチ−はプラズマ室に隣接されているので、プラズマ室
の電極に対しで低いインダクタンスで連結される。この
ように配列しIこことによって、強度、/)で高く、か
つ持続時間の短いパルスを発生さけるために必要41高
速励起が11なわれる。
起のIこめの小型モジコール内に設【Jられたスイッチ
おJ:びエネルギー貯蔵コンデン1ノーと一体化されて
いる。モジュール内においては、コンデンリおよびスイ
ッチ−はプラズマ室に隣接されているので、プラズマ室
の電極に対しで低いインダクタンスで連結される。この
ように配列しIこことによって、強度、/)で高く、か
つ持続時間の短いパルスを発生さけるために必要41高
速励起が11なわれる。
このモジュールはレーザー」(振器内で交換可能である
ので、モジコール内の部Iが故障した場合に、迅速か゛
つ容易にレーザー装置を修理することができる。その操
作はモジュール全体を新しいモジュールと交換jるだI
」であるので、熟練者Cなくても修理可能である。もし
も、このようなモジュールを使用しない場合には、プラ
ズマ′字およびそれに伴う回路は、別々の部lとして着
脱できない状態で取りイ」けられる。そうした場合、−
プラズマ室J3よび8雷「部材の交換は困ガであるため
熟練を要する。
ので、モジコール内の部Iが故障した場合に、迅速か゛
つ容易にレーザー装置を修理することができる。その操
作はモジュール全体を新しいモジュールと交換jるだI
」であるので、熟練者Cなくても修理可能である。もし
も、このようなモジュールを使用しない場合には、プラ
ズマ′字およびそれに伴う回路は、別々の部lとして着
脱できない状態で取りイ」けられる。そうした場合、−
プラズマ室J3よび8雷「部材の交換は困ガであるため
熟練を要する。
このようなモジュールによるプラズマ室とじCは、適当
な利得を右し、寿命の短い励起状態の分子で構成された
気体レーザーがある。この気体レー瞥アーに要求される
必要条件はインダクタンスが小さいことと、電磁励起が
高速で行なわれることである。このレーザーは、高速で
励起された場合、過渡飽和i7 (transient
gain)の交at−ドで動作する。長さの短い共振
器によつ(、過渡的利得の短い1)続藺間内において、
エネルギーが効果的に取り出される。また、プラズマ室
が小型Cあるため、全体にわたってインダクタンスの低
0回路が得られる。モジュールによるプラズマ室にJこ
つて可能になった持続時間の短い励起パルスは、小型レ
ーザープラズマから非常に低いエネルギーで得られる高
いピークパワーを効率よく発生する。
な利得を右し、寿命の短い励起状態の分子で構成された
気体レーザーがある。この気体レー瞥アーに要求される
必要条件はインダクタンスが小さいことと、電磁励起が
高速で行なわれることである。このレーザーは、高速で
励起された場合、過渡飽和i7 (transient
gain)の交at−ドで動作する。長さの短い共振
器によつ(、過渡的利得の短い1)続藺間内において、
エネルギーが効果的に取り出される。また、プラズマ室
が小型Cあるため、全体にわたってインダクタンスの低
0回路が得られる。モジュールによるプラズマ室にJこ
つて可能になった持続時間の短い励起パルスは、小型レ
ーザープラズマから非常に低いエネルギーで得られる高
いピークパワーを効率よく発生する。
このような構成に゛りると、分子の寿命上限の非1;&
に短い気体を用いたレーリ゛−において、効果的な利得
交換が行なわれる。
に短い気体を用いたレーリ゛−において、効果的な利得
交換が行なわれる。
この発明の実施例にJ3い(、Lネルギー貯蔵コンデン
リ、エネルーー′−−敢出スイップ等のスミ命の短い電
気部材を値1えたプラスン室は、6脱可能な単一の2を
込み式しジコーール内に−・体化されている。
リ、エネルーー′−−敢出スイップ等のスミ命の短い電
気部材を値1えたプラスン室は、6脱可能な単一の2を
込み式しジコーール内に−・体化されている。
このモジュールは、プラス′マ室の軸に対して予め設定
した位置にカップラーによって取りイ」(〕られる。こ
の七ジj−ルを共振器内に挿着し!こら、カップラーに
対する係合部材によって、このプラズマ室を共振器の軸
に対し”C予め設定した位置に固定り−る。このモジ1
−ルは、インダクタンスを1−分低下さUうるように配
置されているので、14続0.11間が2ナノ秒未満の
プラズマパルスを発生りる。
した位置にカップラーによって取りイ」(〕られる。こ
の七ジj−ルを共振器内に挿着し!こら、カップラーに
対する係合部材によって、このプラズマ室を共振器の軸
に対し”C予め設定した位置に固定り−る。このモジ1
−ルは、インダクタンスを1−分低下さUうるように配
置されているので、14続0.11間が2ナノ秒未満の
プラズマパルスを発生りる。
パルス化されたレーザーに関り−るこの発明の別の実施
例において、高電圧]−ネル1ニー貯蔵:1ンラ゛ンリ
′、畠速電気エネル1ニー放出スイッチおにび従j
属回路を右−、Ja第1□ッ]、 −Ay 、;i
;、第21ジ、−ルに含まれるプラズマ室とは別々に交
換される。
例において、高電圧]−ネル1ニー貯蔵:1ンラ゛ンリ
′、畠速電気エネル1ニー放出スイッチおにび従j
属回路を右−、Ja第1□ッ]、 −Ay 、;i
;、第21ジ、−ルに含まれるプラズマ室とは別々に交
換される。
プラズマ室を右づるモジュールは、高電圧部材を右する
モジコールを交換しなくTも交換可能であるとともに、
いずれのモジ」、−ルをダ挨りる場合にし、光軸設定を
りる必要がない。
モジコールを交換しなくTも交換可能であるとともに、
いずれのモジ」、−ルをダ挨りる場合にし、光軸設定を
りる必要がない。
また、別の実施例rtよ、1枚1]の鏡(よ交換可能な
プラズマ室に取すイ・」りられていて、2枚[]の鏡【
51ベース上に位置している。
プラズマ室に取すイ・」りられていて、2枚[]の鏡【
51ベース上に位置している。
実施例
次に、この発明の一実施例を図面に従っ−C説明リ−る
。第1図に示すよう(ご、ブラズー/掌2は交換可能な
モジュール4(第2図参照)の第2セクシヨン4bと第
2セクシヨン4bの1?11に設買される。
。第1図に示すよう(ご、ブラズー/掌2は交換可能な
モジュール4(第2図参照)の第2セクシヨン4bと第
2セクシヨン4bの1?11に設買される。
プラズマ室2はセラミック製の管状部月6の両端を石英
窓8a、8b−e密3N uた」]人体より成る。
窓8a、8b−e密3N uた」]人体より成る。
プラズマ室2内の長手り向には、1対の高電圧の電極1
2a、12bが対向状に設買される。、各電ti12a
、12bには1対のコネクタープレー]〜14a、14
bが一体状に形成されCいる。そして、このコネクター
プレーt−171a、1/lbはプラズマ室2の封入体
の対向側から突出している。
2a、12bが対向状に設買される。、各電ti12a
、12bには1対のコネクタープレー]〜14a、14
bが一体状に形成されCいる。そして、このコネクター
プレーt−171a、1/lbはプラズマ室2の封入体
の対向側から突出している。
プラズマ室2(よ完全密J」され、その内部には窒素ガ
スが封入されている。このプラズマ室2としては、ジ■
イムス・シー・シアにJ、)(同口出糸lされた「レー
ザープラズマ室」という名称の同njr係属中の米国t
!r ri’l出願に開示されたしのがある。
スが封入されている。このプラズマ室2としては、ジ■
イムス・シー・シアにJ、)(同口出糸lされた「レー
ザープラズマ室」という名称の同njr係属中の米国t
!r ri’l出願に開示されたしのがある。
コネクタープレーh 1 /Ia、 14 bLL、プ
ラズマ室2を支持するとと6に、電極にり=l シー’
C接続り−るという両方の目的を右Jる。この[1的を
達成づるた、およびインダクタンスを低トさけるために
、このコネクタープレーl−14a、1/Iblま充分
な強度を確保しうる寸法に設定さ4′シる1、−・能に
、こ(7) =+ ネクタープレー1−1 /I a、
1 /I blL使用される電極の良さに対して、
少なくとb1/3の長さに設定りることか望ましい。こ
れらの]]ネクターブL/−1−14a、 14.bは
、それぞれ、2′−)のプラズマ室1ノボ−1−プレー
ト16a、16bに対して面で接触される。J:た、こ
れらの4ノボ−1〜プレーl〜16a、16bは、」ネ
クタープレー1−1 /l a 。
ラズマ室2を支持するとと6に、電極にり=l シー’
C接続り−るという両方の目的を右Jる。この[1的を
達成づるた、およびインダクタンスを低トさけるために
、このコネクタープレーl−14a、1/Iblま充分
な強度を確保しうる寸法に設定さ4′シる1、−・能に
、こ(7) =+ ネクタープレー1−1 /I a、
1 /I blL使用される電極の良さに対して、
少なくとb1/3の長さに設定りることか望ましい。こ
れらの]]ネクターブL/−1−14a、 14.bは
、それぞれ、2′−)のプラズマ室1ノボ−1−プレー
ト16a、16bに対して面で接触される。J:た、こ
れらの4ノボ−1〜プレーl〜16a、16bは、」ネ
クタープレー1−1 /l a 。
14 bど同一の長さに設定され、プラズマ室2と電気
11′9に接続されるとともに、プラズマ室2を定位置
に正確に支持りる。
11′9に接続されるとともに、プラズマ室2を定位置
に正確に支持りる。
コネクタープレー114a、14bの下面をリボ−1〜
プレーh 1 (3a、16bの上面にし゛)かり係合
ざUて保持り−るIこめに、2枚のノ゛ラズマ゛全1」
ツクプレーh18a、18bが使用される。−1ネクタ
ーブレー;〜14.a、14bは、これらのロックプレ
ーl−188,18bによってト向さの力を受(Jるl
こめ、リポ−1〜プレー1−’+68,16bに対し−
C押圧支持される、′cした、各]」ツクーIレートi
3a、18bの上面に(、L1仮バネ20が取り(=J
tJeれ−でいる。そして、第5踵目こ承りように、こ
の板バネ20の下面(,1リポ〜1〜シレー1〜16
;1 。
プレーh 1 (3a、16bの上面にし゛)かり係合
ざUて保持り−るIこめに、2枚のノ゛ラズマ゛全1」
ツクプレーh18a、18bが使用される。−1ネクタ
ーブレー;〜14.a、14bは、これらのロックプレ
ーl−188,18bによってト向さの力を受(Jるl
こめ、リポ−1〜プレー1−’+68,16bに対し−
C押圧支持される、′cした、各]」ツクーIレートi
3a、18bの上面に(、L1仮バネ20が取り(=J
tJeれ−でいる。そして、第5踵目こ承りように、こ
の板バネ20の下面(,1リポ〜1〜シレー1〜16
;1 。
16F)の上面に対して直接押圧される。
ロックプレート18a、18k)の上端【よ、カバープ
レー1−22に固定され−CいるのC′、螺子24にJ
:って、カバープレート22をモジ−1−ル4の第1お
よび第2L−クション4a、4bに固定りるど、各]ネ
クタープレート14 a、 14 bc、L、1ナボー
トプレー]〜16a、i6bに対しでクランプされる。
レー1−22に固定され−CいるのC′、螺子24にJ
:って、カバープレート22をモジ−1−ル4の第1お
よび第2L−クション4a、4bに固定りるど、各]ネ
クタープレート14 a、 14 bc、L、1ナボー
トプレー]〜16a、i6bに対しでクランプされる。
カバープレー1〜22はエポギシ樹脂等の絶縁相で形成
され、その内部には低抗器おにび=1ンデン4ノ(図示
せず)が埋設されているので、電極12aと電)転12
bとの間は、ロックプレー1へ18aおよび18bを介
して連結される。なお、ロックプレー1〜18a、18
bは黄銅秀(′形成されている。
され、その内部には低抗器おにび=1ンデン4ノ(図示
せず)が埋設されているので、電極12aと電)転12
bとの間は、ロックプレー1へ18aおよび18bを介
して連結される。なお、ロックプレー1〜18a、18
bは黄銅秀(′形成されている。
第1図に承りように、プラズマ室2の両端には2つの共
振ミラー26a、26bh<設置される。
振ミラー26a、26bh<設置される。
なお、この共振ミラー26a、26bの1幾能は、当業
者であれば周知のところである。
者であれば周知のところである。
モジュール4は、アルミニウム等で形成されたベースプ
レー1〜28に適宜固定され℃いる。このモジュール4
は、4個の位置決めピン32によって、ベースプレー1
−28に対し一℃水平に設定される。なお、この位置決
めピン32はモジュール4の底面にモールドされた孔内
に挿通されている。
レー1〜28に適宜固定され℃いる。このモジュール4
は、4個の位置決めピン32によって、ベースプレー1
−28に対し一℃水平に設定される。なお、この位置決
めピン32はモジュール4の底面にモールドされた孔内
に挿通されている。
モジュール4は、第4図に示すように、3個のj
高圧コンデンサ34.3(3,38と気体スイッチ
42を有する。これらの]ンデン4ノーおよび気体スイ
ッチは、通常の方法でブルームライン回路(Bluml
ein circuit)に接続され、リボ−1−プ
レート16a、16bによって接続が行なわれるど、電
極12a、12b間に高圧パルス放電を起す。
高圧コンデンサ34.3(3,38と気体スイッチ
42を有する。これらの]ンデン4ノーおよび気体スイ
ッチは、通常の方法でブルームライン回路(Bluml
ein circuit)に接続され、リボ−1−プ
レート16a、16bによって接続が行なわれるど、電
極12a、12b間に高圧パルス放電を起す。
これらの高圧部材は熱伝導性のエル4シ樹脂内に埋設さ
れ、剛性の高い七ジ]−ル4を形成している。孔はモー
ルドに形成されるので、モジュールを交換した場合、モ
ジ]−−ルはリポ−1−プレーl−16a、16bの水
平位置に対して正確に設定される。
れ、剛性の高い七ジ]−ル4を形成している。孔はモー
ルドに形成されるので、モジュールを交換した場合、モ
ジ]−−ルはリポ−1−プレーl−16a、16bの水
平位置に対して正確に設定される。
モジュール4には、適当なリード線(図示Ll’)を介
して、従来の高圧電源46およびタイマ/1〜リガ回路
48が接続される。このJ、うに構成されたユニットは
ケース52内に収納される3、なお、このケース52は
制御パネル54おJ、び後部パネル56を右りる9、そ
して、後部パネル56にはレーザー光放射用の開口58
が形成されている。
して、従来の高圧電源46およびタイマ/1〜リガ回路
48が接続される。このJ、うに構成されたユニットは
ケース52内に収納される3、なお、このケース52は
制御パネル54おJ、び後部パネル56を右りる9、そ
して、後部パネル56にはレーザー光放射用の開口58
が形成されている。
2つの共振ミラー26a、26bは、連結棒6,2a、
62b等によって、位置決めピン32に対して正しい位
置に取りイ」りられているので、結果的に、サポートプ
レート16a、16t)の水平位置に対しても正しい位
「1をどる。しICがって、モジュール4を取りはずし
て、別のモジコーールと交換する場合においても、リボ
−1〜プレー1〜168゜16bに対重る2つの共振ミ
ラー26a、26bの横方向の位置は、正しい位置に保
持される。
62b等によって、位置決めピン32に対して正しい位
置に取りイ」りられているので、結果的に、サポートプ
レート16a、16t)の水平位置に対しても正しい位
「1をどる。しICがって、モジュール4を取りはずし
て、別のモジコーールと交換する場合においても、リボ
−1〜プレー1〜168゜16bに対重る2つの共振ミ
ラー26a、26bの横方向の位置は、正しい位置に保
持される。
ザル−1〜プレー1〜16a、1(3bの上面によつ(
、プラズマ雀2内の電極12a、12bの位置が決定さ
れるが、このサポートプレート bの上面のベースプレー1〜28からの^さは、七ジュ
ールをし一ルドする工程e設定される。ところで、−し
−ルド]1稈には変動があるため、各−しジュールの高
さに多少差異を生じるが、七−ジュールを成形した後に
、各リポートプレーh16a,IGbの上面を加工する
ことにJ、つ(この差異4取り除りば、各プラス゛マ室
のベースプレート28にり4づる高さを正しく設定する
ことができる。
、プラズマ雀2内の電極12a、12bの位置が決定さ
れるが、このサポートプレート bの上面のベースプレー1〜28からの^さは、七ジュ
ールをし一ルドする工程e設定される。ところで、−し
−ルド]1稈には変動があるため、各−しジュールの高
さに多少差異を生じるが、七−ジュールを成形した後に
、各リポートプレーh16a,IGbの上面を加工する
ことにJ、つ(この差異4取り除りば、各プラス゛マ室
のベースプレート28にり4づる高さを正しく設定する
ことができる。
前記のような配列にすれば、熟練者でなくてもモジュー
ル4およびプラズマ室2を迅速かつ容易に交換できる。
ル4およびプラズマ室2を迅速かつ容易に交換できる。
高圧部月のうち1つが故障した場合、螺イ24を緩めて
カバープレー1−22をはずし、4)−ボーl−プレー
1・16a,16bからプラズマ室2を取りはずしてか
らモジュール4を取り除く。その際、高圧電源;4Gへ
のリード線(図示せf)をモジュール4からはずし、ぞ
の後部ジュール4を位置決めピン32からはずす゛。次
に、新しいモジ:I−ルを位置決めピン32上に設置し
、高圧電源4Gに接続りる。そし゛(、プラズマ室2を
サポートプレート16a,16b上に設冒し、カバープ
レー1〜22によってクラン1りる。その後は、複雑な
光軸設定をしなくても、電力を供18するだ(Jでレー
1F−を発生させうる。
カバープレー1−22をはずし、4)−ボーl−プレー
1・16a,16bからプラズマ室2を取りはずしてか
らモジュール4を取り除く。その際、高圧電源;4Gへ
のリード線(図示せf)をモジュール4からはずし、ぞ
の後部ジュール4を位置決めピン32からはずす゛。次
に、新しいモジ:I−ルを位置決めピン32上に設置し
、高圧電源4Gに接続りる。そし゛(、プラズマ室2を
サポートプレート16a,16b上に設冒し、カバープ
レー1〜22によってクラン1りる。その後は、複雑な
光軸設定をしなくても、電力を供18するだ(Jでレー
1F−を発生させうる。
また、欠陥のあるプラズマ室の交換も簡便である。その
場合、カバープレー1〜22を取りはずしで、新しいプ
ラズマ室をυボー1〜プレー1〜16a。
場合、カバープレー1〜22を取りはずしで、新しいプ
ラズマ室をυボー1〜プレー1〜16a。
16b十−に設置し、再びカバープレー1〜22を取り
イ・」けるだレノでよい。この実施例においては、プラ
ズマ室は取りはずし可能な第2のモジュールとして構成
されているが、必要に応じて、プラズマ室は別の構成体
の中に合体させてもよいし,中実マトリックス内に埋設
してもよい。
イ・」けるだレノでよい。この実施例においては、プラ
ズマ室は取りはずし可能な第2のモジュールとして構成
されているが、必要に応じて、プラズマ室は別の構成体
の中に合体させてもよいし,中実マトリックス内に埋設
してもよい。
プラズマ室とそれに接続される高電圧回路の両方を取り
変えるj場合には、カバープレー1〜をは1丁さなくて
も、モジュール4を新しいプラズマ室を備えたモジュー
ルと交換覆ればJ:い。
変えるj場合には、カバープレー1〜をは1丁さなくて
も、モジュール4を新しいプラズマ室を備えたモジュー
ルと交換覆ればJ:い。
実際の使用にJ3い−(は、プラズマ室をモジコール4
内に常時取り[」りておいて、一体のユニツl−とじて
取り付りるようにすることが望ましい。
内に常時取り[」りておいて、一体のユニツl−とじて
取り付りるようにすることが望ましい。
2つの石英g8a、8bには従来とおり]−フインクが
施しであるので、発ilするシー1アーの周波数帯域で
の反!J]が低く押えられる。2枚のコネクタープレー
ト14a、1/lbはモジュールの第1セクシヨン4a
および第2レクシヨ1ン4bの壁の間にぎち/υどフィ
ツトさせる必要はない。ぞ−の理由は、プラズマ室2の
水平位置(微振動が生じるが、二I−フイングを施した
無反用の石英窓Qa。
施しであるので、発ilするシー1アーの周波数帯域で
の反!J]が低く押えられる。2枚のコネクタープレー
ト14a、1/lbはモジュールの第1セクシヨン4a
および第2レクシヨ1ン4bの壁の間にぎち/υどフィ
ツトさせる必要はない。ぞ−の理由は、プラズマ室2の
水平位置(微振動が生じるが、二I−フイングを施した
無反用の石英窓Qa。
8bによって、レーザーが連続的に振動りるからである
。
。
? この実施例にd3いては、プラズマ室は
、電極12a、12bに隣接する封入体に固定されIζ
コネクターブレーI〜1/la、14bによって、所定
の位置に保持されている。このような構成にすると、1
4人体の別の部分に取り伺G−Jたマウン1〜によ・〕
’C、プラズマ室の位置を決定した揚台に比へて適応性
が向上づる。振動を保つための重要41要素L;′L、
共振ミラー26a、26bど協傍I L Tプラズマ室
の光軸を形成づる電極の位置であつ(、封入体の管状部
の位置ではない。したがって、1ネクタープレー1−に
電極を−・体化させるか、適当なh法によって取りイ」
けることによって、その(17置を止しく保持さけねば
ならないが、プラズマ室を形成する11人体のその他の
寸法は正確に調節でる必要はない。
、電極12a、12bに隣接する封入体に固定されIζ
コネクターブレーI〜1/la、14bによって、所定
の位置に保持されている。このような構成にすると、1
4人体の別の部分に取り伺G−Jたマウン1〜によ・〕
’C、プラズマ室の位置を決定した揚台に比へて適応性
が向上づる。振動を保つための重要41要素L;′L、
共振ミラー26a、26bど協傍I L Tプラズマ室
の光軸を形成づる電極の位置であつ(、封入体の管状部
の位置ではない。したがって、1ネクタープレー1−に
電極を−・体化させるか、適当なh法によって取りイ」
けることによって、その(17置を止しく保持さけねば
ならないが、プラズマ室を形成する11人体のその他の
寸法は正確に調節でる必要はない。
一般的には、共振ミラー【、1ブラズン室の外側に取り
付りて、プラズマ室の交換の際に、J(振ミラーを交換
しなくてもよいようにし−(おくことが望ましい。しか
し、場合によっCは、一方の共1辰ミラーを封入体内に
取り付け、他方の共振ミラーをその外側に取り付1ノる
ことか望ましい。
付りて、プラズマ室の交換の際に、J(振ミラーを交換
しなくてもよいようにし−(おくことが望ましい。しか
し、場合によっCは、一方の共1辰ミラーを封入体内に
取り付け、他方の共振ミラーをその外側に取り付1ノる
ことか望ましい。
この実施例におけるプラスン室内には窒素ガスが封入さ
れている。このようなブラズ:/室【31、ジ丁イムズ
・シー・ジノ′によって同日出願された「レーリ゛−プ
ラズマ會」という名称の同時係属中の米田特へ′1出願
に開示されている。
れている。このようなブラズ:/室【31、ジ丁イムズ
・シー・ジノ′によって同日出願された「レーリ゛−プ
ラズマ會」という名称の同時係属中の米田特へ′1出願
に開示されている。
第1図はこの発明のシー11−装置の略平面図、第2図
は第1図の2−2線断面図、第3図は第1図の3−3線
断面図、第4図は高電圧部材の位置を示づためのモジコ
ールの略平面図、第5図は第2図の5−5線断面図であ
る。 2・・・プラズマ室 4・・・モジコール4a・
・・第ルクション 4b・・・第2L!−クション6
・・・管状部月 8a、8b・・・石英窓12
a、12t+ ・・・電極 14a、 1旧)・・・二]ネクタープレート16a、
16b・・・リボ−1〜プレート18a、181・・・
[1ツクプレー1・20・・・板バネ 26
a、26b・・・共振ミラー28・・・ベースプレート
32・・・位置決めピン34.3(1,38・・・
コンデンリ 42・・・気体スイッヂ出願人 アリ
・ ジャーパン 代理人 弁則士 岡 1)英 彦 F;′Iig i。 F=マ棒2゜ Fニアiq、3゜
は第1図の2−2線断面図、第3図は第1図の3−3線
断面図、第4図は高電圧部材の位置を示づためのモジコ
ールの略平面図、第5図は第2図の5−5線断面図であ
る。 2・・・プラズマ室 4・・・モジコール4a・
・・第ルクション 4b・・・第2L!−クション6
・・・管状部月 8a、8b・・・石英窓12
a、12t+ ・・・電極 14a、 1旧)・・・二]ネクタープレート16a、
16b・・・リボ−1〜プレート18a、181・・・
[1ツクプレー1・20・・・板バネ 26
a、26b・・・共振ミラー28・・・ベースプレート
32・・・位置決めピン34.3(1,38・・・
コンデンリ 42・・・気体スイッヂ出願人 アリ
・ ジャーパン 代理人 弁則士 岡 1)英 彦 F;′Iig i。 F=マ棒2゜ Fニアiq、3゜
Claims (6)
- (1)密封式プラズマ室と、交換可能なモジュールと、
前記モジ1−ル用のベースとから成り、前記プラズマ室
は11人体と、前記封入体内部に配設された第1および
第2の高圧電極ど、前記封入体に設番プられた少くども
1つの光学的通し窓どを有し、前記モジュールは前記プ
ラズマ室と、前記プラズマ室用の高電圧パルス回路ど、
前記7[2極ど前記通し窓に対して所定の位置関係と方
位を右する固定装置と、機械的固定装置とをイiし、前
記ベースはこのベースに取りつGelられると共に反則
面を有する少なくとも1つの反射鏡と、前記機械的固定
装置をa脱自在に受容しで固定しろるように配設された
前記ベースに支持されるとともに、前記反射鏡面に対し
て所定の位置関係と方位を有−4る機械的′取り何り装
置とを有し、前記機械的数りイ」け装置および前記機械
的固定装置が係合して固定されると、前記反射鏡面と前
記プラズマ室とがレ−1,1’−振動を発生しうる位置
に設定されるため、前記モジコールは前記ベースに対し
−(光学的に芯合わせをすることなく取外し交換が可能
であることを特徴とり”るレーザー装置。 - (2)前記封入体に前記光学的通し窓を2つ設りると共
に前記ベースに前記反射鏡を2つ取り1]りることを特
徴とする特許請求の範囲第1項記載のレーザー装置。 - (3)前記封入体が、前記電極および前記通し窓に対し
て所定の位置関係と方位を右りる第1J′3よび第2の
コネクター装置を備え、がっ、前記モジュールが、前記
コネクター装置に着脱可能に配設されるとともに、前記
機械的固定装置に対して所定の位置関係と方位を右りる
」ンタクi−装置を備えていることを特徴とする特許請
求の範囲第1項記載のレーザー装置。 - (4)密封式プラズマ室と、前記プラズマ室に対して高
電圧パルスを供給づ°るための高電圧回路を有づる交換
可能なモジュールと、前記高電圧回路に対して電気的に
接続された第1および第2の支持装置と、スプリング装
置とから成り、前記プラズマ室は封入体と、第1おにび
第2の電極と、前記第1および第2の電極に接続される
とともに前記封入体から外側に延出づる第1および第2
の電極コネクター装置とを右し、かつ前記スプリング装
置によって、前記第1および第2の電極コネクター装置
と前記第1および第2の支持装置とが、それぞれ加圧接
触された状態で着脱可能に保持されることを特徴と一’
J−るレーザー装置。 - (5)密1り式のプラズマ室と、第1および第2のプラ
ズマ室支持装置と、スプリング装置とから成り、前記プ
ラズマ室は封入体と、前記封入体内に取り付けられた第
1おにび第2の高電圧電極と、前記第1おにび第2の電
極にそれぞれ接続されるとともに前記封入1本の対向側
から外側に延出リ−る第1および第2のコネクター装置
とを有し、前記j 第1おにび第2のプラズマ
室支持装置は、それぞれ前記第1および第2のコネクタ
ー装置と電気的に接触するとともにこれを着11(2可
能に支持し、かつ、前記スプリング装置によって、前記
」ネクター装置と前記支持装置とが加圧係合された状態
で保持されることを特徴とするシー11−装置。 - (6)離間して対向Jる壁面を有する第1 J3 J:
び第2のセクションを備えるとともに二Fネルギー貯蔵
コンデン1ノおよび高電圧スイッチを備え/j着脱可能
なモジュールと、前記両しクシ]ン間に設置されるとと
もに前記対向覆る壁面に隣接覆る密封式のプラズマ室と
、前記第1および第2の壁面がら延出するとどもに前記
プラズマ室に対して低いインダクタンスで接触するコネ
クター装置とから成ることを特徴とするレーザー装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US49606983A | 1983-05-19 | 1983-05-19 | |
US496069 | 1983-05-19 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59217383A true JPS59217383A (ja) | 1984-12-07 |
Family
ID=23971109
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59081022A Pending JPS59217383A (ja) | 1983-05-19 | 1984-04-20 | レ−ザ−装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0126316B1 (ja) |
JP (1) | JPS59217383A (ja) |
AT (1) | ATE76541T1 (ja) |
CA (1) | CA1224557A (ja) |
DE (1) | DE3485730D1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS639170A (ja) * | 1986-06-30 | 1988-01-14 | Komatsu Ltd | エキシマレーザ装置 |
JPH09102639A (ja) * | 1996-07-22 | 1997-04-15 | Komatsu Ltd | ガスレーザ装置 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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