JPS59217383A - レ−ザ−装置 - Google Patents

レ−ザ−装置

Info

Publication number
JPS59217383A
JPS59217383A JP59081022A JP8102284A JPS59217383A JP S59217383 A JPS59217383 A JP S59217383A JP 59081022 A JP59081022 A JP 59081022A JP 8102284 A JP8102284 A JP 8102284A JP S59217383 A JPS59217383 A JP S59217383A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plasma chamber
module
high voltage
enclosure
respect
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59081022A
Other languages
English (en)
Inventor
アリ・ジヤ−バン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Publication of JPS59217383A publication Critical patent/JPS59217383A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/02Constructional details
    • H01S3/03Constructional details of gas laser discharge tubes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Laser Surgery Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) この発明は、純粋もしくは混合の原子もしくは分子から
なる気体のいずれかを使用づる密封式のプラズマ室を有
する気体レーザーにvAする。さらに詳しくは、振動を
得るlこめに装置を光学的に芯合せする必要がなく、比
較的未熟練者であっても、密封式のプラズマ室、高電圧
部材および回路を新しいものど交換り−ることのできる
気体レー畳アーに関づ“る。
(従来技術) 一般的に、気体レーlアーは選択された気体もしくは一
気体の況合物を封入したプラズマ室と、原子−bしくは
分子を高コーネルギー状態に達づるまで励起する高圧電
流を発生さVる1組の電極とから構成されている。プラ
ズマ室封入体の外もしくは内部に1対の光学的反射鏡が
設置ノられていC1再生を行なうので、レーザー振動が
発生される。この反射鏡は再生を起こさけるIこめに正
確に芯合わけしな【ノればならない。芯合わヒされた反
a]鏡は気体レーザー用の共振器を形成する。
この種の気体レーザーは、各種の原子らしくは分子から
成る気体を使用しているいろな形態で使用されCいる。
利用できる出力スベク1−ルは、遠赤外線から可視の近
紫外線に及ぶ広範囲の電磁スペクトルで、パワー容量も
数ミリワラ1−からメガ971〜台に達する。
この種のレーザーを実際に使用1゛る段に4【ると、多
くの要因によって限界がでてくる。レーIF−は多くの
場合、実験室での使用に滞っている。その理由は、レー
ザーを密封状態で操作覆る場合、必ず補助ポンプ装置が
必要で、間欠的もしく LL l続的に気体媒質を補給
しなければならないからである。分子からなる気体レー
IF−の場合、気体媒質の組成は通常の使用状態の下で
分子解離によって徐々に変化づるので、使用された気体
が取り除かれるにつれて新しい気体を封入体の中に送り
込む必要が生じてくる。密封式の封入体を右するレーザ
ーの寿命も、プラズマ室にあって通し窓の光学内質を悪
くするレーザー増幅媒体の気体反応や分解によつC制限
される。大抵の場合、密封装買どして長期間にわたって
使用するためには、l\ツリウム−オン等の不活性気体
レーIF−や、アルゴン、クリプトンその他の不活性気
体イオンレー1r−が実用的である。
レーザーの使用に伴う費用の問題も商業ベースで使用づ
゛る場合、重要な要因である。例えば、ヘリウム・−ネ
オンのレーザーを取り上げると、これは比較的安く製造
でき、密J」状態で比較的未熟練にわたって使用できる
。この種のレーIf−のプラズマ室が最終「白に触かな
く’Jるど、ゾラズ′ン室を取り替えて振動を得るIこ
めの光学式共振器を再び芯合わせづ゛るよりは」ニラ1
〜全体を捨ててしまった方が実用的であるし、また経済
的Cもある。
大きなパワーの出せる比較的、:も価な蜜月式不活性気
体レーザーの場合、プラズマ室と補助装置のコストが高
い。この種の高価なレーザー装置に故障が生じると、通
常プラズマ室は取り苔えられるが、装置(、二高電圧が
用いられていることと正確な光学的芯合わせを必要とす
ることを理由として、取り替え作業には熟練を要覆る。
しかし、この秤の不活性気体レーザーは、プラズマ室の
交換費用に」−分見合うほど長く持つので商46ベース
で使用されている。
分子その他多くの気体レーザ゛−の場合は、J−記事情
はあてtままらない。例えば、二酸化炭素を使llTl
い、−、アー(7)、P、、。、アウッ、□1□−1、
気体分子が解離されて一酸化炭素と酸素を生じる。
この種のレー署アーにはポンプ装置V)その他必要とす
る補助装置が設(Jてあって、連続的(こ気体を供給す
る操作ができるようになつCいる。二酸化炭素を再生り
”るため触媒を使用する最近の技術によれば、この種の
密封レーザーの寿命は長く、なるが、市場に出−Cいる
ほどんどの装置では、所望の期間だり使用するどなると
、まだ、補給気体を流り必要がある。
ハロゲン化物を使用した気体レーIアーの場合にも同様
なしかし6つと影響の大きい問題が生じる。
りなわら、この種の気体は腐蝕111があり、表面反応
によっC光学式の通し窓の有効性が少4j・りなるから
である。結果として寿命がみじかくなるから、この主の
レーザーには連続的に気体を補給り−る装置が必要であ
り、同時(こ、使用され1こ腐蝕性気体を回収する装置
も必要である。
°プラズマ室に使用ずみの気体の補給を必要とづる従来
型式のレーザーを商業ベースで使用りる場合、多くのレ
ー蕃アーが通常かさ張った気体取り扱い装置を必要とす
る。
発明の概要 この発明によれば、気体レーザーのプラズマ室および高
圧回路は比較的未熟練−にでし迅速かつ簡単に交換でき
る。このため、密14式プラズマ室の貯蔵寿命は長いが
、レーザー光を彎るlこヴ)に使用Jるに従つ゛C徐々
に劣化づるにうなプラズマ室の使用が可能になる。大抵
の場合、この種のレーザーは間欠的にしか使用されてい
ない。この発明の装置は気体取り扱い装置を設【ノてい
ないのC1小Q11の、しかしこれが「、冒こ手習でル
)るが、持ち運びのできる軽重のレーザーを製作りるこ
とが可能になる。この発明は低いパワーないし中間程磨
のパワー出力で作動りるレー1F−を対象とりるbので
・、非常に高1ネルギーのレーザ゛−には広く適用でき
ない。
密封式プラズマ室は通常の高電圧電極と光学的通し窓と
を有する。このプラズマ室を而1i’lJな■1かい光
学的芯合わUを必要どUずに交換づ−ることを可能に1
°るために、機械的合わば連結部の一部が取り外し自在
のプラズマ室の封入体に取り付けられるか、一方の高電
圧電極に直結され、かつ、電極、光学的通し窓およびプ
ラズマ室の光軸に対して所定の空間的かつ角度的位置を
占めるよう位置決めされる。機械的連結部の電極、通し
窓A3 J:び光軸に対する位置決めについては、Tx
Lj&性のある各プラズマ室について同じである3、共
振鏡が取りイ」()られるど共に、電極、電源その他補
助装置に対づ゛る電気的接続部材を設りた別体のベース
には、このベースに取りイ」りられた1対の反射鏡に対
して正(11[に所定の空間的かつ角度的位置を6kl
!(−取り(=Jりられた合わ′l!連114部の他の
一部が設りられている。この(浅域的連結部の一部の各
反1=1鏡に対づる位置は互換性のある各ベースに対し
て同じである。したがって、各ベースJ3J、び各ノ゛
ラズマ室は他の同様なユニッ1〜とTj換性ifある。
プラズマ室が1動かなくなると、古くなった7゛ラズ7
室をベースから外して、代りのプラズマ室を装着する1
ピリで簡単に交換できる。連結部の前記2′つの各部の
所定の位置、つまり、電極どプラズマ室の光軸に対する
位置、おにび前記2つの反射鏡に対づ゛る位置は、プラ
ズマ室の交換の際、細かい調整を必要とせずにレーザー
撮動を発生さUるに+5)41精1身Cプラズマ室を位
置決めひきるようにしである。小型4「ことは、この最
適なシー1f−気体況含物を含む密月式ブラズ?室は低
」ス1〜(・製作Cきることである。このため、使いv
1シのプラズマ室は捨ててしj:い別の゛しのと容易に
交換ひきる1、すお、希薄な等ブノ性分子を使用りる分
子レーザ゛−1あるいは精巧な電極形状を必要どりる分
子レーザ゛−に使われるような烏価なプラズマ?i(′
なら■揚1こ戻し−C別の〕′ラスマ室を使用しでいる
間に1■」調整をすることもできる。
このJ、うに、反q4鏡、゛市〕j;(部その曲の補助
装置をつりたままC1かつ高電H一部材どJ(に、もし
く(5L別々にプラズマ室を交換できると、−1ス1〜
問題15使用状況の1=めに使用でさ4rか・)だ多く
レー1F−を使用りることがC゛さる。この発明は、実
際の使用状況の下では比較的に寿命が短かいプラズマj
     室も、使用しないで貯蔵状態のまま(こ置く
時は十分艮い可曲を右Jるという事実をたくみに利用し
−Cいる。従って、この種のいわゆる短命のプラズマ室
す多くの非実験室ベースでの使用が8易どなる。
まIこ、この弁明により、1j入覆る気体は違うが同じ
種類のレー1F−に属りる各種のプラズマ室を共通のベ
ースで使用できるので、最小の]ス1〜で多様な用途が
聞【ノる。
この発明の主な目的は、比較的高いピーク強度を右し、
かつ持続時間の短かいレーザーパルスを発生さけるだめ
の小型シー11−装置を提供Jること(゛ある。レーリ
゛−プラズマは、玉ネルギー貯蔵二1ンデンリおよび高
速電気スイッチにJ、って電気的に高速励起される。コ
ンデンリに貯蔵される電気」−ネルギ一番、上、スイッ
チの作用にJ、って、急速(タミ速な電流1胃にJ、る
)にシー1F−ノ°ラズマに転換される。なJ3、この
スイッチはトリガーもしくは非1−リガー型のガス充填
部拐Cある。アッパーレベルにおいて分子のズを命が短
かい気体を使用したし〜ザーにJ:って、ピーク強度が
高く、かつ持続時間の短かい出力パルスを効率的に発生
さけるだめには、上ネルギーを急)申にプラズマ室に転
換する必要がある。寿命が約数ナノ秒の場合にはは、プ
ラズマ内にa3Lノる電流励起の上置時間は数ナノ秒を
下回っていなく乙はならない。
この実施例においCは、小をのプラズマ室は高速電磁励
起のIこめの小型モジコール内に設【Jられたスイッチ
おJ:びエネルギー貯蔵コンデン1ノーと一体化されて
いる。モジュール内においては、コンデンリおよびスイ
ッチ−はプラズマ室に隣接されているので、プラズマ室
の電極に対しで低いインダクタンスで連結される。この
ように配列しIこことによって、強度、/)で高く、か
つ持続時間の短いパルスを発生さけるために必要41高
速励起が11なわれる。
このモジュールはレーザー」(振器内で交換可能である
ので、モジコール内の部Iが故障した場合に、迅速か゛
つ容易にレーザー装置を修理することができる。その操
作はモジュール全体を新しいモジュールと交換jるだI
」であるので、熟練者Cなくても修理可能である。もし
も、このようなモジュールを使用しない場合には、プラ
ズマ′字およびそれに伴う回路は、別々の部lとして着
脱できない状態で取りイ」けられる。そうした場合、−
プラズマ室J3よび8雷「部材の交換は困ガであるため
熟練を要する。
このようなモジュールによるプラズマ室とじCは、適当
な利得を右し、寿命の短い励起状態の分子で構成された
気体レーザーがある。この気体レー瞥アーに要求される
必要条件はインダクタンスが小さいことと、電磁励起が
高速で行なわれることである。このレーザーは、高速で
励起された場合、過渡飽和i7 (transient
 gain)の交at−ドで動作する。長さの短い共振
器によつ(、過渡的利得の短い1)続藺間内において、
エネルギーが効果的に取り出される。また、プラズマ室
が小型Cあるため、全体にわたってインダクタンスの低
0回路が得られる。モジュールによるプラズマ室にJこ
つて可能になった持続時間の短い励起パルスは、小型レ
ーザープラズマから非常に低いエネルギーで得られる高
いピークパワーを効率よく発生する。
このような構成に゛りると、分子の寿命上限の非1;&
に短い気体を用いたレーリ゛−において、効果的な利得
交換が行なわれる。
この発明の実施例にJ3い(、Lネルギー貯蔵コンデン
リ、エネルーー′−−敢出スイップ等のスミ命の短い電
気部材を値1えたプラスン室は、6脱可能な単一の2を
込み式しジコーール内に−・体化されている。
このモジュールは、プラス′マ室の軸に対して予め設定
した位置にカップラーによって取りイ」(〕られる。こ
の七ジj−ルを共振器内に挿着し!こら、カップラーに
対する係合部材によって、このプラズマ室を共振器の軸
に対し”C予め設定した位置に固定り−る。このモジ1
−ルは、インダクタンスを1−分低下さUうるように配
置されているので、14続0.11間が2ナノ秒未満の
プラズマパルスを発生りる。
パルス化されたレーザーに関り−るこの発明の別の実施
例において、高電圧]−ネル1ニー貯蔵:1ンラ゛ンリ
′、畠速電気エネル1ニー放出スイッチおにび従j  
  属回路を右−、Ja第1□ッ]、 −Ay 、;i
;、第21ジ、−ルに含まれるプラズマ室とは別々に交
換される。
プラズマ室を右づるモジュールは、高電圧部材を右する
モジコールを交換しなくTも交換可能であるとともに、
いずれのモジ」、−ルをダ挨りる場合にし、光軸設定を
りる必要がない。
また、別の実施例rtよ、1枚1]の鏡(よ交換可能な
プラズマ室に取すイ・」りられていて、2枚[]の鏡【
51ベース上に位置している。
実施例 次に、この発明の一実施例を図面に従っ−C説明リ−る
。第1図に示すよう(ご、ブラズー/掌2は交換可能な
モジュール4(第2図参照)の第2セクシヨン4bと第
2セクシヨン4bの1?11に設買される。
プラズマ室2はセラミック製の管状部月6の両端を石英
窓8a、8b−e密3N uた」]人体より成る。
プラズマ室2内の長手り向には、1対の高電圧の電極1
2a、12bが対向状に設買される。、各電ti12a
、12bには1対のコネクタープレー]〜14a、14
bが一体状に形成されCいる。そして、このコネクター
プレーt−171a、1/lbはプラズマ室2の封入体
の対向側から突出している。
プラズマ室2(よ完全密J」され、その内部には窒素ガ
スが封入されている。このプラズマ室2としては、ジ■
イムス・シー・シアにJ、)(同口出糸lされた「レー
ザープラズマ室」という名称の同njr係属中の米国t
!r ri’l出願に開示されたしのがある。
コネクタープレーh 1 /Ia、 14 bLL、プ
ラズマ室2を支持するとと6に、電極にり=l シー’
C接続り−るという両方の目的を右Jる。この[1的を
達成づるた、およびインダクタンスを低トさけるために
、このコネクタープレーl−14a、1/Iblま充分
な強度を確保しうる寸法に設定さ4′シる1、−・能に
、こ(7) =+ ネクタープレー1−1 /I a、
  1 /I blL使用される電極の良さに対して、
少なくとb1/3の長さに設定りることか望ましい。こ
れらの]]ネクターブL/−1−14a、 14.bは
、それぞれ、2′−)のプラズマ室1ノボ−1−プレー
ト16a、16bに対して面で接触される。J:た、こ
れらの4ノボ−1〜プレーl〜16a、16bは、」ネ
クタープレー1−1 /l a 。
14 bど同一の長さに設定され、プラズマ室2と電気
11′9に接続されるとともに、プラズマ室2を定位置
に正確に支持りる。
コネクタープレー114a、14bの下面をリボ−1〜
プレーh 1 (3a、16bの上面にし゛)かり係合
ざUて保持り−るIこめに、2枚のノ゛ラズマ゛全1」
ツクプレーh18a、18bが使用される。−1ネクタ
ーブレー;〜14.a、14bは、これらのロックプレ
ーl−188,18bによってト向さの力を受(Jるl
こめ、リポ−1〜プレー1−’+68,16bに対し−
C押圧支持される、′cした、各]」ツクーIレートi
3a、18bの上面に(、L1仮バネ20が取り(=J
tJeれ−でいる。そして、第5踵目こ承りように、こ
の板バネ20の下面(,1リポ〜1〜シレー1〜16 
;1 。
16F)の上面に対して直接押圧される。
ロックプレート18a、18k)の上端【よ、カバープ
レー1−22に固定され−CいるのC′、螺子24にJ
:って、カバープレート22をモジ−1−ル4の第1お
よび第2L−クション4a、4bに固定りるど、各]ネ
クタープレート14 a、 14 bc、L、1ナボー
トプレー]〜16a、i6bに対しでクランプされる。
カバープレー1〜22はエポギシ樹脂等の絶縁相で形成
され、その内部には低抗器おにび=1ンデン4ノ(図示
せず)が埋設されているので、電極12aと電)転12
bとの間は、ロックプレー1へ18aおよび18bを介
して連結される。なお、ロックプレー1〜18a、18
bは黄銅秀(′形成されている。
第1図に承りように、プラズマ室2の両端には2つの共
振ミラー26a、26bh<設置される。
なお、この共振ミラー26a、26bの1幾能は、当業
者であれば周知のところである。
モジュール4は、アルミニウム等で形成されたベースプ
レー1〜28に適宜固定され℃いる。このモジュール4
は、4個の位置決めピン32によって、ベースプレー1
−28に対し一℃水平に設定される。なお、この位置決
めピン32はモジュール4の底面にモールドされた孔内
に挿通されている。
モジュール4は、第4図に示すように、3個のj   
  高圧コンデンサ34.3(3,38と気体スイッチ
42を有する。これらの]ンデン4ノーおよび気体スイ
ッチは、通常の方法でブルームライン回路(Bluml
ein  circuit)に接続され、リボ−1−プ
レート16a、16bによって接続が行なわれるど、電
極12a、12b間に高圧パルス放電を起す。
これらの高圧部材は熱伝導性のエル4シ樹脂内に埋設さ
れ、剛性の高い七ジ]−ル4を形成している。孔はモー
ルドに形成されるので、モジュールを交換した場合、モ
ジ]−−ルはリポ−1−プレーl−16a、16bの水
平位置に対して正確に設定される。
モジュール4には、適当なリード線(図示Ll’)を介
して、従来の高圧電源46およびタイマ/1〜リガ回路
48が接続される。このJ、うに構成されたユニットは
ケース52内に収納される3、なお、このケース52は
制御パネル54おJ、び後部パネル56を右りる9、そ
して、後部パネル56にはレーザー光放射用の開口58
が形成されている。
2つの共振ミラー26a、26bは、連結棒6,2a、
62b等によって、位置決めピン32に対して正しい位
置に取りイ」りられているので、結果的に、サポートプ
レート16a、16t)の水平位置に対しても正しい位
「1をどる。しICがって、モジュール4を取りはずし
て、別のモジコーールと交換する場合においても、リボ
−1〜プレー1〜168゜16bに対重る2つの共振ミ
ラー26a、26bの横方向の位置は、正しい位置に保
持される。
ザル−1〜プレー1〜16a、1(3bの上面によつ(
、プラズマ雀2内の電極12a、12bの位置が決定さ
れるが、このサポートプレート bの上面のベースプレー1〜28からの^さは、七ジュ
ールをし一ルドする工程e設定される。ところで、−し
−ルド]1稈には変動があるため、各−しジュールの高
さに多少差異を生じるが、七−ジュールを成形した後に
、各リポートプレーh16a,IGbの上面を加工する
ことにJ、つ(この差異4取り除りば、各プラス゛マ室
のベースプレート28にり4づる高さを正しく設定する
ことができる。
前記のような配列にすれば、熟練者でなくてもモジュー
ル4およびプラズマ室2を迅速かつ容易に交換できる。
高圧部月のうち1つが故障した場合、螺イ24を緩めて
カバープレー1−22をはずし、4)−ボーl−プレー
1・16a,16bからプラズマ室2を取りはずしてか
らモジュール4を取り除く。その際、高圧電源;4Gへ
のリード線(図示せf)をモジュール4からはずし、ぞ
の後部ジュール4を位置決めピン32からはずす゛。次
に、新しいモジ:I−ルを位置決めピン32上に設置し
、高圧電源4Gに接続りる。そし゛(、プラズマ室2を
サポートプレート16a,16b上に設冒し、カバープ
レー1〜22によってクラン1りる。その後は、複雑な
光軸設定をしなくても、電力を供18するだ(Jでレー
1F−を発生させうる。
また、欠陥のあるプラズマ室の交換も簡便である。その
場合、カバープレー1〜22を取りはずしで、新しいプ
ラズマ室をυボー1〜プレー1〜16a。
16b十−に設置し、再びカバープレー1〜22を取り
イ・」けるだレノでよい。この実施例においては、プラ
ズマ室は取りはずし可能な第2のモジュールとして構成
されているが、必要に応じて、プラズマ室は別の構成体
の中に合体させてもよいし,中実マトリックス内に埋設
してもよい。
プラズマ室とそれに接続される高電圧回路の両方を取り
変えるj場合には、カバープレー1〜をは1丁さなくて
も、モジュール4を新しいプラズマ室を備えたモジュー
ルと交換覆ればJ:い。
実際の使用にJ3い−(は、プラズマ室をモジコール4
内に常時取り[」りておいて、一体のユニツl−とじて
取り付りるようにすることが望ましい。
2つの石英g8a、8bには従来とおり]−フインクが
施しであるので、発ilするシー1アーの周波数帯域で
の反!J]が低く押えられる。2枚のコネクタープレー
ト14a、1/lbはモジュールの第1セクシヨン4a
および第2レクシヨ1ン4bの壁の間にぎち/υどフィ
ツトさせる必要はない。ぞ−の理由は、プラズマ室2の
水平位置(微振動が生じるが、二I−フイングを施した
無反用の石英窓Qa。
8bによって、レーザーが連続的に振動りるからである
?      この実施例にd3いては、プラズマ室は
、電極12a、12bに隣接する封入体に固定されIζ
コネクターブレーI〜1/la、14bによって、所定
の位置に保持されている。このような構成にすると、1
4人体の別の部分に取り伺G−Jたマウン1〜によ・〕
’C、プラズマ室の位置を決定した揚台に比へて適応性
が向上づる。振動を保つための重要41要素L;′L、
共振ミラー26a、26bど協傍I L Tプラズマ室
の光軸を形成づる電極の位置であつ(、封入体の管状部
の位置ではない。したがって、1ネクタープレー1−に
電極を−・体化させるか、適当なh法によって取りイ」
けることによって、その(17置を止しく保持さけねば
ならないが、プラズマ室を形成する11人体のその他の
寸法は正確に調節でる必要はない。
一般的には、共振ミラー【、1ブラズン室の外側に取り
付りて、プラズマ室の交換の際に、J(振ミラーを交換
しなくてもよいようにし−(おくことが望ましい。しか
し、場合によっCは、一方の共1辰ミラーを封入体内に
取り付け、他方の共振ミラーをその外側に取り付1ノる
ことか望ましい。
この実施例におけるプラスン室内には窒素ガスが封入さ
れている。このようなブラズ:/室【31、ジ丁イムズ
・シー・ジノ′によって同日出願された「レーリ゛−プ
ラズマ會」という名称の同時係属中の米田特へ′1出願
に開示されている。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明のシー11−装置の略平面図、第2図
は第1図の2−2線断面図、第3図は第1図の3−3線
断面図、第4図は高電圧部材の位置を示づためのモジコ
ールの略平面図、第5図は第2図の5−5線断面図であ
る。 2・・・プラズマ室    4・・・モジコール4a・
・・第ルクション  4b・・・第2L!−クション6
・・・管状部月     8a、8b・・・石英窓12
a、12t+  ・・・電極 14a、 1旧)・・・二]ネクタープレート16a、
16b・・・リボ−1〜プレート18a、181・・・
[1ツクプレー1・20・・・板バネ      26
a、26b・・・共振ミラー28・・・ベースプレート
  32・・・位置決めピン34.3(1,38・・・
コンデンリ 42・・・気体スイッヂ出願人  アリ 
・ ジャーパン 代理人  弁則士  岡 1)英 彦 F;′Iig i。 F=マ棒2゜ Fニアiq、3゜

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)密封式プラズマ室と、交換可能なモジュールと、
    前記モジ1−ル用のベースとから成り、前記プラズマ室
    は11人体と、前記封入体内部に配設された第1および
    第2の高圧電極ど、前記封入体に設番プられた少くども
    1つの光学的通し窓どを有し、前記モジュールは前記プ
    ラズマ室と、前記プラズマ室用の高電圧パルス回路ど、
    前記7[2極ど前記通し窓に対して所定の位置関係と方
    位を右する固定装置と、機械的固定装置とをイiし、前
    記ベースはこのベースに取りつGelられると共に反則
    面を有する少なくとも1つの反射鏡と、前記機械的固定
    装置をa脱自在に受容しで固定しろるように配設された
    前記ベースに支持されるとともに、前記反射鏡面に対し
    て所定の位置関係と方位を有−4る機械的′取り何り装
    置とを有し、前記機械的数りイ」け装置および前記機械
    的固定装置が係合して固定されると、前記反射鏡面と前
    記プラズマ室とがレ−1,1’−振動を発生しうる位置
    に設定されるため、前記モジコールは前記ベースに対し
    −(光学的に芯合わせをすることなく取外し交換が可能
    であることを特徴とり”るレーザー装置。
  2. (2)前記封入体に前記光学的通し窓を2つ設りると共
    に前記ベースに前記反射鏡を2つ取り1]りることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項記載のレーザー装置。
  3. (3)前記封入体が、前記電極および前記通し窓に対し
    て所定の位置関係と方位を右りる第1J′3よび第2の
    コネクター装置を備え、がっ、前記モジュールが、前記
    コネクター装置に着脱可能に配設されるとともに、前記
    機械的固定装置に対して所定の位置関係と方位を右りる
    」ンタクi−装置を備えていることを特徴とする特許請
    求の範囲第1項記載のレーザー装置。
  4. (4)密封式プラズマ室と、前記プラズマ室に対して高
    電圧パルスを供給づ°るための高電圧回路を有づる交換
    可能なモジュールと、前記高電圧回路に対して電気的に
    接続された第1および第2の支持装置と、スプリング装
    置とから成り、前記プラズマ室は封入体と、第1おにび
    第2の電極と、前記第1および第2の電極に接続される
    とともに前記封入体から外側に延出づる第1および第2
    の電極コネクター装置とを右し、かつ前記スプリング装
    置によって、前記第1および第2の電極コネクター装置
    と前記第1および第2の支持装置とが、それぞれ加圧接
    触された状態で着脱可能に保持されることを特徴と一’
    J−るレーザー装置。
  5. (5)密1り式のプラズマ室と、第1および第2のプラ
    ズマ室支持装置と、スプリング装置とから成り、前記プ
    ラズマ室は封入体と、前記封入体内に取り付けられた第
    1おにび第2の高電圧電極と、前記第1おにび第2の電
    極にそれぞれ接続されるとともに前記封入1本の対向側
    から外側に延出リ−る第1および第2のコネクター装置
    とを有し、前記j     第1おにび第2のプラズマ
    室支持装置は、それぞれ前記第1および第2のコネクタ
    ー装置と電気的に接触するとともにこれを着11(2可
    能に支持し、かつ、前記スプリング装置によって、前記
    」ネクター装置と前記支持装置とが加圧係合された状態
    で保持されることを特徴とするシー11−装置。
  6. (6)離間して対向Jる壁面を有する第1 J3 J:
    び第2のセクションを備えるとともに二Fネルギー貯蔵
    コンデン1ノおよび高電圧スイッチを備え/j着脱可能
    なモジュールと、前記両しクシ]ン間に設置されるとと
    もに前記対向覆る壁面に隣接覆る密封式のプラズマ室と
    、前記第1および第2の壁面がら延出するとどもに前記
    プラズマ室に対して低いインダクタンスで接触するコネ
    クター装置とから成ることを特徴とするレーザー装置。
JP59081022A 1983-05-19 1984-04-20 レ−ザ−装置 Pending JPS59217383A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US49606983A 1983-05-19 1983-05-19
US496069 1983-05-19

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59217383A true JPS59217383A (ja) 1984-12-07

Family

ID=23971109

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59081022A Pending JPS59217383A (ja) 1983-05-19 1984-04-20 レ−ザ−装置

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP0126316B1 (ja)
JP (1) JPS59217383A (ja)
AT (1) ATE76541T1 (ja)
CA (1) CA1224557A (ja)
DE (1) DE3485730D1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS639170A (ja) * 1986-06-30 1988-01-14 Komatsu Ltd エキシマレーザ装置
JPH09102639A (ja) * 1996-07-22 1997-04-15 Komatsu Ltd ガスレーザ装置

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2194671B (en) * 1983-12-29 1988-09-21 Amada Eng & Service High-speed axial flow type gas laser oscillator
DE8610693U1 (de) * 1986-04-18 1987-08-13 Rofin-Sinar Laser GmbH, 2000 Hamburg Gaslaser mit einem in Axialrichtung vom Gas durchströmten Entladungsrohr
DE3875671D1 (de) * 1987-08-20 1992-12-10 Siemens Ag Gaslaser, insbesondere co2-laser.
US4969153A (en) * 1989-07-24 1990-11-06 Ncr Corporation Laser tube and power supply
US5594753A (en) * 1994-04-25 1997-01-14 Autonomous Technology Corporation Cartridge excimer laser system
IL118174A0 (en) * 1996-05-07 1996-09-12 Optomedic Medical Technologies Gas laser
WO2002043197A2 (en) * 2000-11-21 2002-05-30 Zhang Yong F Portable low-power gas discharge laser

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3484718A (en) * 1966-05-26 1969-12-16 Kearney & Trecker Corp Stabilized laser structure
FR1591183A (ja) * 1968-10-30 1970-04-27
GB2102193B (en) * 1981-07-03 1984-08-15 Barr & Stroud Ltd Lasers resistant to thermal expansion

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS639170A (ja) * 1986-06-30 1988-01-14 Komatsu Ltd エキシマレーザ装置
JPH0754857B2 (ja) * 1986-06-30 1995-06-07 株式会社小松製作所 ガスレ−ザ装置
JPH09102639A (ja) * 1996-07-22 1997-04-15 Komatsu Ltd ガスレーザ装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0126316A3 (en) 1986-12-30
DE3485730D1 (de) 1992-06-25
EP0126316A2 (en) 1984-11-28
EP0126316B1 (en) 1992-05-20
ATE76541T1 (de) 1992-06-15
CA1224557A (en) 1987-07-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4774714A (en) Laser system with interchangeable modules and method for interchanging such modules
Berlien Applied laser medicine
JPS59217383A (ja) レ−ザ−装置
US4393505A (en) Gas discharge laser having a buffer gas of neon
EP0096899A2 (en) Pulsed gas laser in a sealed structure
Wang et al. Fast‐discharge‐initiated XeF laser
US4507789A (en) YAG Laser system
WO2002043197A2 (en) Portable low-power gas discharge laser
US3810042A (en) Tunable infrared molecular lasers optically pumped by a hydrogen-bromide laser
Fahlen High‐pulse‐rate 10‐W KrF laser
Basting et al. The development of excimer laser technology–history and future prospects
EP0094477B1 (en) Laser system with interchangeable plasma chambers
GB2098791A (en) Sealed-off CO2 laser
KR102075625B1 (ko) 플라즈마를 안정화하기 위한 방법 및 개선된 이온화 챔버
White Blue-green lasers for ocean optics
Furuhashi et al. Longitudinal discharge XeCl excimer laser with automatic UV preionization
Knyazev et al. High-power rhodamine 6G laser with an extended service life
Wu Light source and accelerator physics research program at Duke University
RU2244367C1 (ru) Волноводный co2 лазер с вч-возбуждением
Fletcher et al. Design and performance of a simple 2 joule KrF laser
Verkhovskiĭ et al. Stimulated emission from ArF*, KrCl*, KrF*, XeCl*, and XeF* molecules excited by a fast discharge
JPS6231186A (ja) パルスレ−ザ発振器
RU2507653C1 (ru) Газоразрядный лазер
Dougal et al. Simple powerful tunable single‐mode and mode‐locked TEA CO2 laser
SU1725778A3 (ru) Электроразр дный лазер с конвективным охлаждением