JPS5920495A - Improvement for electroplating to non-metal surface - Google Patents

Improvement for electroplating to non-metal surface

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JPS5920495A
JPS5920495A JP12092783A JP12092783A JPS5920495A JP S5920495 A JPS5920495 A JP S5920495A JP 12092783 A JP12092783 A JP 12092783A JP 12092783 A JP12092783 A JP 12092783A JP S5920495 A JPS5920495 A JP S5920495A
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metal
plating
component
electrolytic plating
copper
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デニス・エム・モ−リセイ
ピ−タ−・イ−・テイコウチ
ルドルフ・ジエイ・ゼブリスキイ
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Kollmorgen Technologies Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 非金属表面を金属化するには、まず個々の表面を無電解
金属析出に対して感受性を鋭敏にする触媒性にし、そし
て引き続き上記触媒化した表面を、外部電源を使用せず
かつ所要の厚さの金属、たとえばCuあるいはNi層を
形成するのに十分な時間、操作の容易なメッキ浴溶液に
露出させるのが普通である。上記第一層には、慣用の電
解メッキによって形成される付加的な金属析出物を提供
するのが普通である。プリント回路板にメッキした貫通
孔を作成する衆知の方法では、この金属化の概念および
その変化を使用して孔壁を金属化する。基材物質として
二面銅被覆ラミネートを用いて出発する見解では、最初
に必要な孔を有する適切な大きさのパネルを準備し、そ
して既知の触媒溶液中に浸漬して触媒として感受性を鋭
敏にする。その後、外部電源なしに金属析出物を生成す
る、無電解メッキ浴として一般に知られている浴溶液に
、そしてたとえば0.5ないし2.5μの厚さを達成す
るのに十分な時間露出することによって金属、普通は銅
、析出物を形成させる。上記第一の導電性金属層に、慣
用の電解メッキ手段によって、さ、らにメッキ仕上げを
行う。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION To metallize non-metallic surfaces, the individual surface is first made catalytic to sensitize it to electroless metal deposition, and then the catalyzed surface is subjected to an external power source. It is common to expose the plating bath solution to an easily manipulated plating bath solution for a time sufficient to form a layer of metal, such as Cu or Ni, of desired thickness without use. The first layer is typically provided with additional metal deposits formed by conventional electrolytic plating. Known methods of making plated through holes in printed circuit boards use this metallization concept and variations thereof to metallize the hole walls. In view of starting with a two-sided copper-coated laminate as the base material, first prepare an appropriately sized panel with the required pores and sensitize it as a catalyst by immersing it in a known catalyst solution. do. Thereafter, exposure to a bath solution, commonly known as an electroless plating bath, which produces a metal deposit without an external power source, and for a time sufficient to achieve a thickness of, for example, 0.5 to 2.5μ. causes the formation of metal, usually copper, precipitates. The first conductive metal layer is further plated using conventional electrolytic plating means.

高度の安定性にまで発展してきた。錯化した金属イオン
を金属に還元することによって、メッキ反応剤中に使用
しようとする内部電子源として作用す、る本機構を用い
て、無電解メッキ浴中に存在する適切な成分を酸化する
ことにより、上記溶液を用いて処理した表面は無電解金
属析出物の発生を触媒的に促進する。
It has developed to a high degree of stability. This mechanism is used to oxidize appropriate components present in the electroless plating bath by reducing the complexed metal ions to metals, which act as internal electron sources to be used in the plating reactants. Thereby, surfaces treated with the above solutions catalytically promote the generation of electroless metal deposits.

無電解メッキ溶液の操作は種々の成分を多少注意深く監
視し、そして制御した薬品添加によって消費された物質
を補給することが必要である。その上さらに、上記メッ
キ溶液は無差別に析出する傾向を有し、その結果上記メ
ッキ浴を操作するとき使用するタンクの壁および底に金
属、たとえば銅析出物を形成する。必然の結果としてメ
ッキ操作の妨1.害を伴うので、タンクからメッキ溶液
を除去し、そしてエツチング操作の手段でタンクの壁お
よび底を浄化する。
Operation of electroless plating solutions requires somewhat careful monitoring of the various components and replenishment of consumed material by controlled chemical additions. Furthermore, the plating solution has a tendency to precipitate indiscriminately, resulting in the formation of metal, eg copper, deposits on the walls and bottom of the tank used when operating the plating bath. As a result, interference with plating operations 1. Remove the plating solution from the tank and clean the walls and bottom of the tank by means of an etching operation.

それ故、無電解金属メッキはかなり費用がかかり、かつ
複雑で、また高度に訓練された操作が必要である。
Therefore, electroless metal plating is quite expensive and complex, and requires highly trained operations.

上記の本質的な欠点にもかかわらず、今日まで、無電解
析出の第一金属層は、プリント回路板の製作に使用され
る上記加工過程を含めて、非金属表面を金属化するのに
使用される全ての加工過程の必須の一部分であった。
Despite the above-mentioned essential drawbacks, to date, electrolessly deposited first metal layers have been used to metallize non-metallic surfaces, including the above-mentioned processing processes used in the fabrication of printed circuit boards. It was an essential part of all manufacturing processes.

米国特許3.099,608号はプリント回路の作成に
使用されるラミネート中に作った孔壁上にコロイド状あ
るいは半コロイド状粒子の殆んど非導電性のフィルムを
形成し、そして上記孔壁を銅化するだめ電解メッキを行
うパラジウム−錫−塩化物コロイドの使用を記述してい
る。
U.S. Pat. No. 3,099,608 forms a mostly non-conductive film of colloidal or semi-colloidal particles on the walls of holes made in laminates used in the fabrication of printed circuits, and describes the use of palladium-tin-chloride colloids for electrolytic plating of copper.

しかしながら、この加工過程は重大な欠点を有し、また
実際的な使用が不可能であることを発見した。パラジウ
ム−錫−塩化物コロイド状分散は容認し難め程非常に短
い寿命を有している。分散が凝固するためにたった9日
間位しか使用できず、またそのパラジウム含量が高いの
で相当高価である。その上さらに、この方法は貫通孔の
壁土よりも表面上に非常に多くの銅を析出し、またその
ために経済的な使用を容認し難くして因る。
However, this process has been found to have significant drawbacks and is impractical for practical use. Palladium-tin-chloride colloidal dispersions have unacceptably very short lifetimes. It can be used for only about 9 days as the dispersion solidifies and is quite expensive due to its high palladium content. Furthermore, this method deposits significantly more copper on the surface than on the wall of the through hole, making it untenable for economical use.

この特許では、メッキしようとする表面上に析出した「
半コロイド状のパラジウム」の「粒子の薄く、僅かに目
に見えるフィルム」の使用、上記フィルムが「相当な抵
抗」を有すること、まだ「本来触媒性金属と導電性金属
との両方の性質があるパラジウムが活性化機能と導電性
機能とを同時かつ組合さった潜在的能力を有する」(第
4段、53ないし56行)という教示、またさらに、「
電解メッキを導電体で開始した後パラジウムの触媒性に
よって明らかに活性化され、また電解析出加工過程が導
電化剤粒子のフィルム上に直接続行される」C第4段、
62ないし66行)という教示に基礎をおりている。第
5段、2ないし7行には「貫通孔中のコロイド状パラジ
ウム析出物は極度に弱い導電体であるから、析出した黒
鉛に比較して電解メッキ用の基材として役立つには電解
析出において何か他のものの助けを借りなければならな
い、すなわちメッキ反応中に触媒の助けを借りなければ
ならない」と述べられてbる。
This patent describes the appearance of deposits on the surface to be plated.
The use of a "thin, slightly visible film of particles" of "semi-colloidal palladium", the fact that said film has "considerable resistance", and the fact that it still "has the properties of both a catalytic metal and a conductive metal in nature". The teaching that "some palladium has the potential for simultaneous and combined activation and conductive functions" (paragraph 4, lines 53-56), and furthermore, "
After electrolytic plating has started with the conductor, which is clearly activated by the catalytic properties of palladium, the electrolytic deposition processing process continues directly on the film of conductive agent particles.
It is based on the teachings (lines 62 to 66). Column 5, lines 2 to 7 states, ``The colloidal palladium deposits in the through-holes are extremely weak conductors and cannot be useful as substrates for electrolytic plating compared to precipitated graphite. During the plating reaction, one has to take the help of something else, i.e., one has to take the help of a catalyst during the plating reaction.''

この観察は1959年から始められ、また引続き非導電
体1の金属化に対する黒鉛の使用、およびプラスチック
部品の金属化およびメッキした貫通孔(PTH)を有す
る板の作成に対する「シーディング剤−無電解メッキ法
」の最初の適用が同時代に行われたにもかかわらず、実
際に使用できる加工過程は何もできなかった。シーディ
ング剤−無電解技術およびその改良法に伴う極〈初期の
困難さ、まださらに、無電解メッキ浴の操作、制御およ
び維持の一連の複雑な特性を、割合に簡単な電解メッキ
加工工程と比較して考えると、最近20年間の技術改良
が関与する限り、これらの観察が衝撃を与えなかったこ
とほかなり大きな驚きであった。これらの観察が当業者
にその使用を可能にする教示を与えなかったことが理由
である。この教示が無いと、彼の「導電化剤溶液」とそ
のとき存在するピロ燐酸銅電解メッキ浴とを使用すると
きにのみ、この観察は再現できた。この発明者は銅電解
メッキ浴の組成物の重要性を認めなかったと考えられる
。たとえば、この提起と同じ頃に使用されたピロ燐酸塩
電解メッキ浴に対する既知の処方のうち、最も簡単なも
のはプリント回路板にとって十分な品質の銅を生成せず
、より複雑な種類の浴は十分な鋼品質を生成しだけれど
も、しかしこの特許の示唆した加工過程の操作を抑制す
る。それ故、当業界はこの観察が何ら実用されるもので
な−ことを見出した。後続の電解メッキの有無にかかわ
らず[シーディング剤−無電解銅Jは本技術に有効な非
金属表面を金属化する単に手がかシとしてのみ容認され
る結果となった。
This observation began in 1959 and continued with the use of graphite for the metallization of nonconductors 1, and the use of "seeding agents - electroless" for the metallization of plastic parts and the creation of plates with plated through holes (PTH). Although the first application of the "plating method" was made in the same period, no practical process was developed. Seeding Agents - The initial difficulties associated with electroless technology and its improved methods, and even more so, the complex characteristics of operating, controlling and maintaining electroless plating baths have been transformed into a relatively simple electrolytic plating process. In comparison, it was a great surprise that these observations were not shocking as far as the technological improvements of the last 20 years are concerned. This is because these observations did not provide the person skilled in the art with any teachings that would enable their use. Without this teaching, this observation could only be reproduced when using his "conductor solution" and the then present copper pyrophosphate electrolytic plating bath. It is believed that the inventor did not appreciate the importance of the composition of the copper electrolytic plating bath. For example, of the known formulations for pyrophosphate electrolytic plating baths used around the same time as this submission, the simplest did not produce copper of sufficient quality for printed circuit boards, and more complex types of baths Although producing sufficient steel quality, this patent suggests that the process manipulations are suppressed. Therefore, the industry has found that this observation has no practical application. With or without subsequent electrolytic plating, [seeding agent--electroless copper J] was found to be acceptable only as a means of metallizing non-metallic surfaces useful in this technique.

それ故、この特許における教示は本出願人の請求する本
発明とは程遠いものである。本発明の結論として、電解
メッキ浴の特徴に、は臨界がないという前記特許に提案
された誤認は克服され、そして完全に破棄されなければ
ならなかった。
Therefore, the teachings in this patent are far from the invention claimed by the applicant. As a result of the present invention, the misconception proposed in said patent that the characteristics of electrolytic plating baths are non-critical had to be overcome and completely discarded.

本発明では、基質の非金属表面上を直接電解メッキによ
り金属化する方法を公表するものであり、その方法は次
の工程を含む。
The present invention discloses a method for metallizing a non-metallic surface of a substrate by direct electrolytic plating, which method includes the following steps.

(a)上記表面上に多数の金属座席を形成する。(a) forming a number of metal seats on the surface;

この座席は金属(A)を含むか又は金属(A)からなり
、この金属が電解メッキによって上記表面上に析出させ
ようとする金属(B)とは異なるものである。
This seat comprises or consists of a metal (A) which is different from the metal (B) which is to be deposited on the surface by electrolytic plating.

(b)コネクタ一部分をもつ上記表面を提供する。この
コネクタ一部分(コネクター電極)は電解メッキしよう
とする非金属表面部分の外側に位置する。
(b) providing the surface with a portion of the connector; This connector portion (connector electrode) is located outside the non-metallic surface portion to be electrolytically plated.

(C)上記コネクタ一部分の少くとも一部分を含む上記
表面を、電解メッキ浴溶液に露出する。1との溶液は特
定の電気伝導率を有し、かつ電解メツキレようとする上
記金属(B)をイオンの状態で含み、更に電解析出され
る金属(B)の種からなる、あるいは上記種によって形
成される表面上の析出に比べて、金属(A)を含む又は
金属(A)からなる上記金属座席上に、上記金属(B)
の優先的な析出を生じる一種あるいはそれ以上の成分(
C)を含む。
(C) exposing the surface, including at least a portion of the connector portion, to an electrolytic plating bath solution; The solution with 1 has a specific electrical conductivity and contains the metal (B) to be electrolytically deposited in an ionic state, and further comprises the species of the metal (B) to be electrolytically deposited, or contains the metal (B) to be electrolytically deposited. On said metal sheet comprising or consisting of metal (A), compared to the deposit on the surface formed, said metal (B)
One or more components (
C).

(d)逆電極をもつ上記電解メッキ浴溶液を含有する容
器を準備する。
(d) providing a container containing the electrolytic plating bath solution with a reverse electrode;

(e)コネクタ一部分と逆電極とに十分な電位差を与え
、金属(A)を含むか又は金属(A)からなる上記座席
上に金属(B)の優先的析出を開始させ、十分な時間を
かけてほぼ均一な所要厚さの析出物を形成させる。
(e) applying a sufficient potential difference between a portion of the connector and the counter electrode to initiate preferential deposition of metal (B) on said seat containing or consisting of metal (A), and for a sufficient period of time; This process forms a precipitate with a substantially uniform required thickness.

本発明の一実施例では、金属座席上の析出速度はメッキ
仕終った金属上の析出速度よりも少くとも1次数以上、
また望ましくは2次数以上大きい。
In one embodiment of the present invention, the deposition rate on the metal sheet is at least one order of magnitude higher than the deposition rate on the plated metal.
Moreover, it is desirably larger by two or more orders of magnitude.

他の実施例では、金属座席およびメッキしようとする金
属が元素周期表のIb、Thるいは■■族から選択され
る金属からなっており、両者は同一種類でないものを提
供する。
In another embodiment, the metal seat and the metal to be plated are of metals selected from groups Ib, Th, or ■■ of the Periodic Table of the Elements, provided that they are not of the same type.

さらに他の実施例では、上に引用した成分が染料9表面
活性剤、ギレート剤、艶出し剤あるいは均染剤から選択
される。
In yet other embodiments, the components recited above are selected from Dye 9 surfactants, gylating agents, polishing agents or leveling agents.

なお他の実施例では、金属座席を準備した基質を以下の
処理の−あるいはそれ以上、すなわち熱処理;洗浄剤コ
ンディショニング剤を用いる処理;またあるいは還元剤
を用いる処理にさらす。
In still other embodiments, the substrate provided with the metal seat is subjected to one or more of the following treatments: heat treatment; treatment with a detergent conditioning agent; and/or treatment with a reducing agent.

本発明の方法は基質上の非金属表面をメッキする改良し
た方法であり、更に金属を被覆したラミネート中の貫通
孔をメッキするのに非常に効果的な方法である。
The method of the present invention is an improved method for plating non-metallic surfaces on substrates and is also a highly effective method for plating through holes in metal coated laminates.

メッキした貫通孔を有するプリント回路の製作で得られ
る特別の利点は網孔壁の保全である。
A particular advantage obtained in the fabrication of printed circuits with plated through holes is the preservation of the walls of the screen.

無電解金属層の介在なしに銅を非金属孔壁基質上に直接
電解メッキするので、銅−プラスチック界面の物理、的
性質および接着性が大きく改良される。多層式のような
高信頼度のプリント回路の製作に特に重要である。
Because the copper is electrolytically plated directly onto the non-metallic hole wall substrate without the intervening electroless metal layer, the physical, physical, and adhesion properties of the copper-plastic interface are greatly improved. This is particularly important in the production of highly reliable printed circuits, such as multilayer circuits.

実際には、基質上の非金属表面を電解メッキするだめの
本発明の方法は、メッキしようとする表面上にはっきり
区別された金属座席を形成させる工程を含む。この金属
座席はメッキしようとする金属種と異る金属種である。
In fact, the method of the present invention for electrolytically plating non-metallic surfaces on a substrate includes the step of forming distinct metal seats on the surface to be plated. This metal seat is of a different metal type from the metal type to be plated.

次に本発明では、電解メッキしようとする上記基質上で
非金属表面部分の外側にコネクタ一部分を準備し、メッ
キしようとする上記表面とコネクタ一部分の少くとも一
部を、電解メッキ浴溶液と接触させる。この溶液は電解
析出させようとするメッキ可能な金属と、上記金属座席
上に析出さるべき上記金属をプレートアウトした金属を
覆って、上記電解析出する金属から優先的に析出。
The present invention then provides a portion of the connector on the substrate to be electrolytically plated, outside of the non-metallic surface portion, and brings at least a portion of the surface to be plated and the connector portion into contact with an electrolytic plating bath solution. let This solution covers the plateable metal to be electrolytically deposited and the plated-out metal to be deposited on the metal sheet, preferentially depositing from the electrolytically deposited metal.

可能にする成分とを含有する。更に、逆電極をもつ電解
メッキ浴を含む容器を準備し、そして上記コネクターに
よって形成される電極と上記逆電極との間に十分な電位
差を与えて、上記座席を準備した表面上に選択的析出を
開始かつ生じさせ、十分な時間をかけて所要のほぼ均一
な厚さの析出物を形成させる。
Contains ingredients that make it possible. Further, providing a container containing an electrolytic plating bath with a counter electrode and applying a sufficient potential difference between the electrode formed by the connector and the counter electrode to selectively deposit on the seat prepared surface. is initiated and allowed to occur for sufficient time to form a precipitate of substantially uniform thickness as required.

あらゆる特定の理論によって拘束を受けようと意図する
ものではないが、本発明による直接電解メッキ加工過程
は以下の原理に基〈ものと思われる。
While not intending to be bound by any particular theory, it is believed that the direct electrolytic plating process of the present invention is based on the following principles.

1 、 (1)  非金属表面上に提供した金属座席を
、コネクタ一部分と隣接座席との間に「抵抗性電路」を
形成するメッキ浴電解質によって上記表面上に提供され
た「コネクタ一部分」(コネクター−電極)に接触させ
;同様の電路を座席間に形成させる。
1. (1) A metal seat provided on a non-metallic surface with a ``connector portion'' provided on said surface by a plating bath electrolyte that forms a ``resistive path'' between the connector portion and the adjacent seat. - electrodes); a similar electrical path is formed between the seats.

(2)無限の電気伝導率の理論的電解質では、電解質の
電気伝導率が高くなるほど、「抵抗性電路」の抵抗が低
くなり、全ての座席はコネクタ一部分と同一の電位差に
なると思われ、反対に、非常に低い電気伝導率の理論的
電解質に対しては、座席とコネクタ一部分との間の抵抗
は、あらゆる実際目的に対して、座席をメッキするだめ
の電位差が高くなりすぎると思われる。
(2) In a theoretical electrolyte with infinite electrical conductivity, the higher the electrical conductivity of the electrolyte, the lower the resistance of the "resistive circuit", and all seats would have the same potential difference as a part of the connector, and the opposite is true. In addition, for a theoretical electrolyte of very low electrical conductivity, the resistance between the seat and the connector portion would be such that the potential difference across which the seat was plated would be too high for any practical purpose.

(3)実際の電解質に対しては、電圧降下が抵抗性電路
に現れる。それ故、前文に基いて、ta)  逆電極と
コネクタ一部分とに電源によって供給される電位差は、
析出過電圧を含めて電極間の電圧降下に対してだけでは
なく、電解質によって形成される抵抗性電路での電圧節
Fに対しても補償して、適当なメッキ電位差が金属座席
に供給されるよう選択されなければならな−; (b)  電解質電気伝導率が高ければ、座席上のメッ
キ速度はより速くなる(そしてまだ厚さはより均一にな
る); (C)  電解質の電気伝導率はメッキ因子に関して受
は入れられる程度に高く選択されねばならない。
(3) For real electrolytes, a voltage drop appears across the resistive path. Therefore, based on the preamble, ta) the potential difference supplied by the power source between the counter electrode and the connector part is:
A suitable plating potential difference is supplied to the metal seat, compensating not only for the voltage drop between the electrodes, including the deposition overvoltage, but also for the voltage node F in the resistive circuit formed by the electrolyte. (b) The higher the electrical conductivity of the electrolyte, the faster the plating rate on the seat will be (and still the thickness will be more uniform); (C) The electrical conductivity of the electrolyte will be higher than the plating Acceptance for the factor must be chosen as high as possible.

本文に使用される電気伝導率という語は種を運ぶ電流の
濃度の関数として定義され、すなわち酸性浴では、水素
イオンが種を運ぶ主電流としで作用すると仮定する。
The term electrical conductivity, as used herein, is defined as a function of the concentration of the species-carrying current, ie, it is assumed that in acidic baths, hydrogen ions act as the main species-carrying current.

ml、(11全ての実際的目的に対して、電解メッキに
よって形成される析出物はほぼ均一で、またその厚さは
実質的にコネクタ一部分までの距離の関数ではない。金
属化しだ孔壁の孔を有するプリント回路板の場合には、
表面上および孔壁上の析出物は厚さに本質的な許容し難
い差異があってはならない。
ml, (11) For all practical purposes, the deposit formed by electrolytic plating is approximately uniform, and its thickness is not substantially a function of the distance to the connector portion. In the case of printed circuit boards with holes,
The deposits on the surface and on the pore walls should not have a substantial and unacceptable difference in thickness.

(2)不均一性の問題も一般に電解メッキに存在するが
、それを克服するだめに、たとえばレベリング剤として
知られているある種の添加剤をメッキ浴中に使用する。
(2) Non-uniformity problems also commonly exist in electrolytic plating; to overcome them, certain additives, known as, for example, leveling agents, are used in the plating bath.

(3)  もし標準的な「シーディング、無電解−電解
メッキ」加工過程に上記添加剤を含むピロ燐酸塩電解メ
ッキ浴を使用すれば申し分のない結果を生じる。
(3) If a pyrophosphate electrolytic plating bath containing the above additives is used in a standard "seeding, electroless-electrolytic plating" process, satisfactory results are produced.

(4)時には役立つ添加剤を含む種類のピロ燐酸銅浴は
前述の米国特許によって示唆された加工過程の効力をな
くする。一般に使用される添加剤が、メッキ仕終った金
属種(銅)および金属座席のパラジウム上に等しくそれ
自身付着するか、あるいは後者にそれ自身一層優先的に
付着し、その結果上記座席上のメッキ操作を妨害ないし
は抑制するだめであ−る。この特許では思いもよら杓こ
とであるが、メッキ仕終えようとする金属種にそれ自身
優先的に付着し、その結果異種の適切な金属、たとえば
パラジウムの金属座席上のメッキ作用に比べて、上記表
面上のメッキ作用を減じる一種あるいはそれ以上の成分
を含む浴処方を使用することによつぞ、あるいは金属座
席の金属にそれ自身を優先的に付着させ、またメツ、キ
仕終った金属種の表面に比べて上記座席上のメッキ作用
を増加することによって、析出物の均一な厚さと優良な
品質との両者に限って申し分のない結果が得られたこと
に出願人は関心をもっている。
(4) Copper pyrophosphate baths of the type that sometimes contain helpful additives render the processing process suggested by the aforementioned US patents ineffective. Commonly used additives deposit themselves equally on the finished metal species (copper) and the palladium of the metal seat, or deposit themselves more preferentially on the latter, resulting in the plating on said seat. It is not intended to obstruct or suppress operation. This patent unsurprisingly states that it preferentially adheres to the metal species to be plated, and as a result, compared to the plating action on a metal seat of a suitable dissimilar metal, such as palladium. By using a bath formulation that contains one or more ingredients that reduce the plating action on the surfaces mentioned above, or which preferentially adheres itself to the metal of the metal seat, and which also coats the finished metal. The applicant is interested in the fact that by increasing the plating action on the seat compared to the seed surface, satisfactory results have been obtained both in terms of uniform thickness and excellent quality of the deposit. .

前述の米国特許に記述された効力のない製法と同様、シ
ーディング、無電解−電解メッキ加工過程の使用に関し
て上に記述した問題は、本発明によって完全に克服され
る。
The problems described above with respect to the use of seeding, electroless-electroplating processes as well as the ineffective manufacturing methods described in the aforementioned US patents are completely overcome by the present invention.

上に理論づけした機構から明らかになるように、適用さ
れる電位差はメッキ仕終った(プレートアウトした)金
属上よりも上記のはっきりと区別された座席上に速い速
度で上記メッキ可能な金属を電解析出させるのに十分で
なければならない。
As is clear from the mechanism theorized above, the applied potential difference drives the plateable metal onto the distinct seat at a faster rate than onto the plated-out metal. It must be sufficient for electrolytic deposition.

このような技術の−っは成分(C)の存在の有無につ込
て、種々の基質上の金属の電極位置に対する電流−電位
差関係の測定を含む。標準的な電解析出溶液に適用でき
る電位差範囲(たとえば、硫酸銅および硫酸メッキ溶液
に対して約Oないし一200mV 対飽和カルメル電極
、またピロ燐酸銅メッキ溶液に対して約−300ないし
−1,ooomv対飽和カルメル電極)では、種々の基
質上(たとえば、金属座席を含むもの)のメッキ速度は
、メッキ溶液が成分(C)を含有するとき、他の基質、
たとえばメッキ仕終えようとする金属上のメッキ速度に
比べてより速くなることを発見した。
Such techniques involve the measurement of current-potential relationships for metal electrode positions on various substrates, as well as the presence or absence of component (C). Potential ranges applicable to standard electrolytic deposition solutions (e.g., about O to -200 mV for copper sulfate and sulfuric acid plating solutions versus saturated carmel electrodes, and about -300 to -1 for copper pyrophosphate plating solutions) ooomv vs. saturated Carmel electrode), the plating rate on various substrates (e.g., those containing metal seats) is significantly lower when the plating solution contains component (C) than on other substrates,
For example, they discovered that the plating speed is faster than the plating speed on the metal that is being plated.

電解メッキ溶液の吸収性成分(成分(C))は、電解メ
ッキ金属(たとえば、銅)製電価と、金属座席を形成す
るだめに使用される金属(たとえば、パラジウム)製電
価とを用いて得られる電流−電位差曲線の基準で選択で
きる。電流−電位差曲線は試験物、計数器、および基準
電極からなる三電極系を使用して記録される。電極の分
極は直線的に変化する電位差を適用しそして電流を記録
する(電圧電流法)か、あるいは一定電流を適用しそし
て電位差を記録する(定電位法)かのいずれかによって
実行できる。三電極系、電圧電流法および定電位法はプ
レナム社19’70年発行の「モダン エレクトロケミ
ストリイ」891〜893及び1019〜1026頁に
挙げられている。
The absorbent component (component (C)) of the electrolytic plating solution has a power value made of the electrolytically plated metal (e.g. copper) and a power value made of the metal used to form the metal seat (e.g. palladium). The selection can be made based on the current-potential difference curve obtained. Current-potential curves are recorded using a three-electrode system consisting of a test article, a counter, and a reference electrode. Polarization of the electrodes can be carried out either by applying a linearly varying potential difference and recording the current (voltage current method) or by applying a constant current and recording the potential difference (potentiostatic method). The three-electrode system, voltage-current method and constant-potential method are listed in "Modern Electrochemistry" published by Plenum Publishing Co., Ltd., 19'70, pages 891-893 and 1019-1026.

本発明の加工過程に対する浴組成物を選択する迅速法は
電流−電位差曲線を使用して、次に定義する差分、デル
タ(B)、の数値を求める。
A rapid method of selecting bath compositions for the process of the present invention uses current-potential curves to determine the value of the difference, delta (B), defined below.

デルタ(E)、 = E’、 −E’。Delta (E), = E', -E'.

ここでE′1およびEllはそれぞれ電解メッキ金属製
電極および金属座席を形成するのに使用される金属の電
流密度1における電位差である(第1図)。電流密度!
はピーク電流I、の30〜50%の範囲内である(第1
図)。この方法で選択した電流密度を用いて、金属座席
を形成するのに使用される金属製電極は電位差E1では
メッキ金属によって殆んど被覆されない。定電位法にお
ける電流密度iはまだ、金属座席を形成するのに使用さ
れる金属製電極をメッキされる金属で殆んど被覆しない
ような方法で選択される。
where E'1 and Ell are the potential differences at a current density of 1 in the metals used to form the electrolytically plated metal electrode and metal seat, respectively (FIG. 1). Current density!
is within the range of 30 to 50% of the peak current I (first
figure). With the current density selected in this way, the metal electrodes used to form the metal seat are hardly covered by the plated metal at the potential difference E1. The current density i in the potentiostatic method is still selected in such a way that the metal electrode used to form the metal seat is hardly coated with the metal to be plated.

吸収性成分の選択法は以下の工程からなっている。The absorbent component selection method consists of the following steps.

(+)  二種類の試験電極、電解メッキ金属(たと・
えは、Cu)および金属座席を形成するのに使用される
金属(たとえば、Pd )に対する電流−電位差(i−
v)曲線を記録する。
(+) Two types of test electrodes, electroplated metal (and
(Cu) and the metal used to form the metal seat (e.g. Pd)
v) Record the curve.

(2)  ピーク電流の30〜50%の範囲内に電流密
度を選ぶ。
(2) Select a current density within the range of 30 to 50% of the peak current.

(3)電流−電位差曲線(l−■)から選択した電流に
対する電位差E′1およびE′1を読み取る。
(3) Read the potential differences E'1 and E'1 for the selected current from the current-potential difference curve (l-■).

(4)電位差の差分を計算する。(4) Calculate the difference in potential difference.

デルタ(E)i = E’、 −Ei (5)最高のデルタ(E)I値を生じる吸収性成分は適
当な成分であって、すなわち差分デルタ(E)通の最高
値をもつ浴は適当な浴である。
delta(E)i = E', -Ei (5) The absorbent component that yields the highest delta(E)I value is the proper component, i.e. the bath with the highest value of the difference delta(E) is the proper one. It's a nice bath.

同一の方法および基準は吸収性成分の適当な濃度を選択
するのに使用される。
The same methods and criteria are used to select the appropriate concentration of absorbent component.

本発明の加工過程に対する浴組成物の選択に他の迅速法
はまた電流−電位差曲線を使用するが、しかしこの場合
関数デルタ(E )depが決定され、また次のように
定義される。
Another rapid method for selecting bath compositions for the process of the present invention also uses current-potential curves, but in this case the function delta (E)dep is determined and defined as:

デルタ(E)dep = E’dep −E“depこ
こでE’depおよびB’depはそれぞれ、電解メッ
キ金属製基質上のメッキ可能な金属および金属座席を形
成するのに使用される金属に対する析。
Delta (E)dep = E'dep - E"dep where E'dep and B'dep are the analytical values for the plateable metal on the electrolytically plated metal substrate and the metal used to form the metal seat, respectively. .

比重位差(すなわち、電流−電位差曲線から零電流に外
挿しだ電位差)である(第2図)。
It is the specific gravity position difference (ie, the potential difference extrapolated from the current-potential difference curve to zero current) (FIG. 2).

実験的方法は先に記述した方法に関して同一の技法であ
る。しかしながら、E’depおよびE’depは零電
流に電流−電位差曲線を外挿することによって計算され
、そして次にE’depおよびE’depの値を読み取
る。本発明の加工過程に対する浴組成物を選択する本方
法では、最高のデルりEdep値をもつ浴は適当な浴で
ある。最高のデルりEdep値を生じる吸収性成分は吸
収成分の適当な濃度である。
The experimental method is the same technique as the method described above. However, E'dep and E'dep are calculated by extrapolating the current-potential curve to zero current and then reading the values of E'dep and E'dep. In the present method of selecting bath compositions for the process of the present invention, the bath with the highest delta Edep value is the suitable bath. The absorbent component that produces the highest delta Edep value is the appropriate concentration of absorbent component.

定電流でメッキするだめの浴組成物を選択する上記迅速
法の両者は、パルスメッキ、定電流あるいは定電位メッ
キのような金属メッキの他の技法に使用するために修正
することができる。
Both of the above rapid methods of selecting bath compositions for galvanostatic plating can be modified for use with other techniques of metal plating, such as pulse plating, galvanostatic or galvanostatic plating.

本発明の加工過程に対する浴組成物を選択゛する上に記
述した迅速法のほかに、電気化学的な学術研究に使用さ
れた他の方法(上に挙げた書籍の1017頁以下を参照
)が同一の方法で使用できる。
In addition to the rapid method described above for selecting bath compositions for the process of the present invention, other methods used in electrochemical academic research (see pages 1017 et seq. of the above-mentioned book) are available. Can be used in the same way.

従って、上に記述したようにメッキ可能な金属上よりも
金属座席上のメッキ速度をより速くしようとする全ての
成分は本発明の範囲内である。
Therefore, all components that seek to achieve faster plating rates on metal seats than on plateable metals as described above are within the scope of this invention.

本発明の一実施例では、成分(C)が、金属(A)の種
の表面に比べて金属(B)の種の表面にそれ自身優先的
に付着し、その結果座席金属(A)の種によって形成さ
れた表面上のメッキ反応を殆んど抑制することなく、金
属(B)によって形成された表面上のメッキ反応を殆ん
ど抑制あるいは減少させることによって、優先的な析出
を効果的にする。他の実施例では、成分(C)が座席金
属(A)の種にそれ自身優先的付着して、上記付着した
成分(C)が過電位差を減じ、そしてその結果金属(B
)の種の表面の上記反応に比べてメッキ反応を増加する
In one embodiment of the invention, component (C) preferentially attaches itself to the surface of the metal (B) seeds compared to the surface of the metal (A) seeds, so that the seat metal (A) Effectively suppresses preferential deposition by almost suppressing or reducing the plating reaction on the surface formed by the metal (B) while hardly suppressing the plating reaction on the surface formed by the metal (B). Make it. In another embodiment, component (C) preferentially attaches itself to the seeds of the seat metal (A) such that said deposited component (C) reduces the overpotential difference and as a result the metal (B
) increases the plating reaction compared to the above reaction on the surface of the seeds.

本発明の適当な実施例によれば、電解メッキ浴溶液の電
気伝導率およびコネクタ一部分と逆電極とに適用する電
位差を十分に高く選択し、金属(B)の種の表面上の析
出速度よりも、少く。
According to a suitable embodiment of the invention, the electrical conductivity of the electrolytic plating bath solution and the potential difference applied between the connector part and the counter electrode are selected to be sufficiently high to outpace the rate of deposition of metal (B) species on the surface. Also, less.

とも1次数、また望ましくは2次数高い大きさの析出速
度を、座席金属(A)の種の表面上に達成する。本発明
の加工過程に対して適切な最大電気伝導率は、全ての実
際的な目的のため他のメッキ因子に関して許容される程
度の高さであることを発見した。
Both achieve deposition rates of one order of magnitude, and preferably two orders of magnitude, on the seed surface of the seat metal (A). It has been found that the maximum electrical conductivity suitable for the process of the present invention is as high as is acceptable with respect to other plating factors for all practical purposes.

まだ電極に適用する電位差を選択して、コネクタ一部分
と金属(A)からなる金属座席との間、および上記隣接
座席間のメ・ツキ浴溶液によって形成される抵抗性電路
上の電位差降下を補償しなければならないことも発見し
た。
Select the potential difference still applied to the electrodes to compensate for the potential drop across the resistive conductor formed by the metal bath solution between the connector portion and the metal seat made of metal (A), and between said adjacent seats. I also discovered what I needed to do.

さらに、上記電位差を他のメ・ツキ因子に関して許容さ
れる最高値に選ぶことが望ましい。
Furthermore, it is desirable to choose the potential difference to be the highest value allowed with respect to other meshing factors.

金属(A)また同様に金属(B)は提供した元素周期表
のIbあるいは■族から選択すること力lでき、両者は
異種である。
The metal (A) and similarly the metal (B) can be selected from the groups Ib and II of the periodic table of elements provided, and both are different types.

適当な金属(A)および(B)は、金属(A)カニメツ
キ操作によって提供される条件下で金属(B) −より
も低いメッキ電位差を示すような方法で選択される。
Suitable metals (A) and (B) are selected in such a way that metal (A) exhibits a lower plating potential difference than metal (B) - under the conditions provided by the crab plating operation.

(A)に対して適当な金属はノくラジウム、白金。Suitable metals for (A) are radium and platinum.

銀および金から選択されるが、最も望ましいの゛はパラ
ジウムである。
It is selected from silver and gold, with palladium being the most preferred.

適当な金属CB)は銅および二・yケルシカ・ら選択さ
れる。
Suitable metals CB) are selected from copper and 2-ykelsica.

適当な電解メッキ浴溶液は酸性である。Suitable electrolytic plating bath solutions are acidic.

成分(C)は、金属(B)からなる表面にそれ自身優先
的に付着し、そしてメッキ反応を減少あるいは抑制する
ことによって作用する染料、表面活性剤、キレート剤、
艶出し剤および均染剤から、またあるいは金属(A)か
らなる表面にそれ自身優先的に付着し、そして上記表面
上のメッキ反応を増加する複極剤から選択できる。
Component (C) is a dye, a surfactant, a chelating agent, which acts by preferentially adhering itself to the surface made of metal (B) and reducing or suppressing the plating reaction.
It can be selected from polishing agents and leveling agents, and alternatively from bipolar agents which preferentially adhere themselves to the surface made of metal (A) and increase the plating reaction on said surface.

適切な染料は、たとえばビクトリアピュアグルーF80
.メチレンブルー、メチルバイオレット、アシッドブル
ー161.アルシアンブルー8GX、および他のN−複
素環式化合物1、トリフェニルメタン型染料まだ縮合環
アミン類、イミン類およびジアゾ化合物を含めて、アミ
ン類、イミン類およびジアゾ化合物から選ばれたもので
ある。適切な表面活性剤はアルキルフェノキシポリエト
キシエタノール類、たとえばオクチルフェノキシポリエ
トキシエタノールのような非イオン表面活性剤およびイ
ー、アイ、デュポン社製のZonyl  FSN のよ
うな非イオン弗化炭素表面活性剤を含んでいる。
A suitable dye is for example Victoria Pure Glue F80
.. Methylene blue, methyl violet, acid blue 161. Alcian Blue 8GX, and other N-heterocyclic compounds 1, triphenylmethane type dyes selected from amines, imines and diazo compounds, including fused ring amines, imines and diazo compounds. be. Suitable surfactants include nonionic surfactants such as alkylphenoxypolyethoxyethanols, such as octylphenoxypolyethoxyethanol, and nonionic fluorocarbon surfactants such as Zonyl FSN from E.I. DuPont. Contains.

電解メッキ溶液への使用を提案きれる湿潤剤および水溶
性有機化合物を含む多数の表面活性剤の中には、ポリオ
キシエチレンを含む表面活性剤およびポリマーがある。
Among the many surfactants, including wetting agents and water-soluble organic compounds, that may be proposed for use in electrolytic plating solutions are surfactants and polymers, including polyoxyethylene.

ポリオキシエチレン基4個と少い化合物も100万個と
多い化合物も有効なことがわかっている。当該化合物の
好ましい群には、ポリオキシエチレン基が20個と少い
ポリマーや15.0個と多いポリマーが含まれる。オキ
シエチレン基10乃至400個を含むポリオキシエチレ
ンおよびポリオキシプロピレンブロック共重合物も好ま
しい。これらのうち好ましいブロック共重合物は、7乃
至250個のオキシエチレン基を含むものである。一般
に、これらのポリオキシエチレン化合物は電解メッキ浴
特に酸性電解メッキ浴に添加した場合、当該金属座席を
提供した非電導体表面への電解メッキ金属の生長を著し
く増進させるであろうことが判かつている。これらのポ
リオキシエチレン化合物は0.1乃至11//lの濃度
範囲で最もしばしば電解メッキ溶液に使用される。最適
濃度は電解メッキ溶液の組成および選んだポリオキシエ
チレン化合物により左右される。ある場合には、0.1
gより少−かまだは111/lより多−濃度および10
0!j、/lマでのものが好まれることもある。
It has been found that compounds with as few as 4 polyoxyethylene groups and as many as 1 million polyoxyethylene groups are effective. Preferred groups of such compounds include polymers with as few as 20 polyoxyethylene groups and as many as 15.0. Polyoxyethylene and polyoxypropylene block copolymers containing 10 to 400 oxyethylene groups are also preferred. Among these, preferred block copolymers are those containing 7 to 250 oxyethylene groups. In general, it has been found that these polyoxyethylene compounds, when added to electrolytic plating baths, particularly acidic electrolytic plating baths, will significantly enhance the growth of electrolytically plated metal onto the non-conductive surface that provided the metal seat. There is. These polyoxyethylene compounds are most often used in electrolytic plating solutions in a concentration range of 0.1 to 11//l. The optimum concentration depends on the composition of the electrolytic plating solution and the polyoxyethylene compound chosen. In some cases, 0.1
less than 111 g or more than 111/l and 10
0! j, /l ma is sometimes preferred.

代表的なキレート剤はリボフラビン、 2,4.6−(
2−ピリジル¥S−)リアジンおよび、−ピロ燐酸塩陰
イオンを含む。
Typical chelating agents are riboflavin, 2,4.6-(
Contains 2-pyridyl\S-) riazine and -pyrophosphate anions.

適切な艶出し剤および均染剤はN−複素環式化合物、ト
リフェニルメタン型染料、チオ尿素およびチオ尿素誘導
体を含む。使世に適したチオ尿素誘導体の中には、テト
ラメチルチウラムジサルファイドおよびアリルチオ尿素
がある。
Suitable polishing and leveling agents include N-heterocyclic compounds, triphenylmethane type dyes, thiourea and thiourea derivatives. Among the thiourea derivatives suitable for use are tetramethylthiuram disulfide and allylthiourea.

例えば市販の適切な例としてはエレクトロケミ。For example, a suitable commercially available example is Electrochem.

カル社のElectro−Brite  PC−667
およびリーロナール社のCopper  Gleam 
 PCがある。他の適切な添加物はサッカリン、および
Wa t t s  のニッケルメッキ浴に特に有効な
0−ベンゾアルデヒドスルホン酸誘導体を含む。
Cal's Electro-Brite PC-667
and Leeronard's Copper Gleam
I have a PC. Other suitable additives include saccharin and O-benzaldehyde sulfonic acid derivatives which are particularly useful in Watts' nickel plating baths.

本発明の適当な実施例では、たとえば二金属ハロゲン化
物、パラジウム−錫塩化物で例証されるような金属ハロ
ゲン化物塩化物のような化合物あるいは錯化物としての
金属(A)からなる溶液でそれぞれの表面を処理するこ
とによって金属座席が形成される。上記二金属ハロゲン
化物の参考例は米国特許3,011,920 i 3,
532゜518.3,672,923および3,672
,938に見出すことができる。
In a suitable embodiment of the invention, the respective metals (A) are treated in solution as compounds or complexes, such as dimetal halides, metal halide chlorides, as exemplified by palladium-tin chloride. A metal seat is formed by treating the surface. Reference examples of the above dimetal halides are U.S. Pat. No. 3,011,920 i 3,
532°518.3,672,923 and 3,672
, 938.

金属(A)の金属座席を形成するには、上記処理後、表
面を還元剤に露出すると有利であることを発見した。
It has been found that to form a metal seat of metal (A) it is advantageous to expose the surface to a reducing agent after the above treatment.

錫からなる座席形成化合物の場合には、座席を提供した
表面から錫化合物を除去するとさらに有利であることを
発見した。これは希薄なテトラフルオロ硼酸水溶液ある
いは強塩基性溶液のような可溶性アルカリ亜錫酸塩の形
成を許す錫除去溶媒によって達成される。
In the case of seat-forming compounds consisting of tin, it has been found that it is further advantageous to remove the tin compound from the surface on which the seat was provided. This is accomplished with tin-removal solvents that allow the formation of soluble alkali stannites, such as dilute aqueous tetrafluoroboric acid solutions or strongly basic solutions.

座席を提供した表面の在庫寿命を改良するために、座席
提供溶液で処理した表面を、加熱加工処理、たとえば6
5〜1200Cの温度で10分間あるいはそれよりも長
く露出すると有利であることを発見した。座席提供溶液
から取り出した直後に上記のような処理を行った表面は
、有害な影響なしに、長期間、たとえば9ケ月貯蔵でき
ることを発見した。長期間の貯蔵後、座席を酸性溶液、
たとえば1モル硫酸に15ないし20分間露出すること
が有利である。
In order to improve the shelf life of the seating provided surface, the surface treated with the seating providing solution may be subjected to a thermal processing treatment, e.g.
We have found that exposure to temperatures between 5 and 1200C for 10 minutes or longer is advantageous. It has been discovered that surfaces treated as described above immediately after removal from the seating solution can be stored for extended periods of time, for example 9 months, without deleterious effects. After long-term storage, the seat is treated with an acidic solution,
For example, exposure to 1 molar sulfuric acid for 15 to 20 minutes is advantageous.

上に挙げた適切な還元剤は、水素化硼素ナトリウム、ホ
ルムアルデヒド、ジメチルアミンポランあるいはヒドロ
キシルアミンから選択できる。
Suitable reducing agents mentioned above can be selected from sodium borohydride, formaldehyde, dimethylamineporane or hydroxylamine.

座席提供工程に先立ち、非金属表面を洗剤コンディショ
ニング剤、たとえば非イオンおよび陽イオン湿潤剤の混
合物を含有する水溶液に露出して前処理することもまた
有利であることを発見した。上記洗剤コンディショニン
グ剤はプリント回路およびプラスチック製品のメッキに
広く使用される。
It has also been found advantageous to pre-treat the non-metallic surface prior to the seating process by exposing it to an aqueous solution containing a detergent conditioning agent, such as a mixture of non-ionic and cationic wetting agents. The above detergent conditioning agents are widely used for plating printed circuits and plastic products.

次に図面について簡単に説明するが、第1図および第2
図はすでに詳細に説明している。
Next, I will briefly explain the drawings.
The figures have already been described in detail.

第3a図〜第3f図は電解メッキ浴中での電解析出の状
態を示すものであり、第3a図は電解析出1分後に捕捉
した写真図である。基質は貫通孔の壁土にパラジウム金
属座席を提供した銅被覆ラミネートであ名。析出されつ
つある金属は銅である。
Figures 3a to 3f show the state of electrolytic deposition in an electrolytic plating bath, and Figure 3a is a photograph taken one minute after electrolytic deposition. The substrate was a copper-clad laminate that provided a palladium metal seat to the wall of the through-hole. The metal being deposited is copper.

第3b図は電解析出2分後に捕捉した同一基質の写真図
である。
Figure 3b is a photographic representation of the same substrate captured 2 minutes after electrolytic deposition.

第3C図は電解析出3分後に捕捉した同一基質の写真図
である。
Figure 3C is a photographic representation of the same substrate captured 3 minutes after electrolytic deposition.

第3d図は電解析出4分後に捕捉した同一基質の写真図
である。
Figure 3d is a photographic representation of the same substrate captured 4 minutes after electrolytic deposition.

第3e図は電解析出5分後に捕捉した同一基質の写真図
である。
Figure 3e is a photographic representation of the same substrate captured 5 minutes after electrolytic deposition.

第3f図は電解析出20分後に捕捉した同一基質の写真
図である。
Figure 3f is a photographic representation of the same substrate captured 20 minutes after electrolytic deposition.

上記一連の図面は孔の表面上の金属析出が均一かつ連続
していることを示している。
The above series of drawings shows that the metal deposition on the surface of the pores is uniform and continuous.

実施例■ 本実施例ではプリン1−回路の製作に使用する種類の銅
被覆絶縁性シート中にドリル穿孔した孔の壁の金属化を
記述する。パネルは1.6ffm厚さの銅被覆FR−4
エポキシ−ガラスシートから切り出した。
EXAMPLE 1 This example describes the metallization of the walls of holes drilled into a copper-coated insulating sheet of the type used in the fabrication of Print 1 circuits. Panel is 1.6ffm thick copper coated FR-4
Cut from epoxy glass sheet.

孔を銅被覆エポキシ−ガラスPR−4パネル中にドリル
穿孔した。
Holes were drilled into the copper coated epoxy-glass PR-4 panel.

孔を提供したパネルを次に、陽イオン表面活性剤、非イ
オン表面活性剤およびプルカノールアミンを含有してp
H4以下に調節した溶液で処理して、後続の処理工程に
対して孔壁表面を洗浄力つコンディショニングシタ。
The apertured panel is then treated with a pepoxy resin containing a cationic surfactant, a nonionic surfactant and a plucanolamine.
Treatment with a solution adjusted to below H4 cleanses and conditions the pore wall surfaces for subsequent treatment steps.

引き続きパネルを1%硫酸水溶液中に5分間。Subsequently, the panel was placed in a 1% sulfuric acid aqueous solution for 5 minutes.

浸漬して、水洗し、過硫酸ナトリウム溶液(120gi
ll pH2以下)で45秒間4o0Cで処理して、銅
表面の脱酸素を行い、そして再び水洗する。
Soak, rinse with water, and soak in sodium persulfate solution (120 g
The copper surface is deoxidized by treatment at 4o0C for 45 seconds at pH 2 or below, and washed again with water.

次にパネルを塩化錫+1159/l i塩化ナトリウム
22511/eおよびpH0,5以下を得るのに十分な
塩酸を含有する予備浸漬溶液中で5分間処理した。予備
浸漬工程の後、パネルを5分間パラジウム−錫−塩化物
溶液に55°Cで露出させた。
The panels were then treated for 5 minutes in a presoak solution containing tin chloride + 1159/l i sodium chloride 22511/e and sufficient hydrochloric acid to obtain a pH below 0.5. After the pre-soaking step, the panels were exposed to a palladium-tin-chloride solution for 5 minutes at 55°C.

パネルをパラジウム−錫−塩化物溶液中で連続的に攪拌
した。パラジウム−錫−塩化物溶液は次のように処方さ
れた。すなわち、米国特許3.682,671の実施例
3の溶液を、3.5モルの塩化ナトリウムと0.08モ
ルの塩化錫の溶液と混合することによって2 ’L O
mg/71のパラジウム濃度まで希釈する。パラジウム
−錫−塩化物溶液中に浸j後、パネルを水洗し、loo
’cで60分間炉内で加熱処理し、そして次にブラッシ
ングした。
The panels were continuously stirred in the palladium-tin-chloride solution. The palladium-tin-chloride solution was formulated as follows. That is, by mixing the solution of Example 3 of U.S. Pat.
Dilute to a palladium concentration of mg/71. After immersion in the palladium-tin-chloride solution, the panels were washed with water and
Heat treated in an oven for 60 minutes at 'c and then brushed.

パネルの数点を、硫酸銅0.3モル;硫酸1.8モル;
および塩酸1.3ミリモルからなる電解メッキ溶液中で
電解メッキした。電流密度は3.8V(、。平方)であ
った。電解メッキ前、銅表面を5秒間過硫酸ナトリウム
溶液中に浸漬することによって脱酸した。5分間の電解
メッキ後、孔壁の10%だけが被覆された。1時間の電
解メッキ後にパネルを除去し、そして孔を検査した。銅
は孔壁を部分的に電解メッキ仕終るが、しかしまん中で
はメッキは行われずに孔の中心にすき間を残しだ。
Several points on the panel: 0.3 mol of copper sulfate; 1.8 mol of sulfuric acid;
and electrolytic plating in an electrolytic plating solution consisting of 1.3 mmol of hydrochloric acid. The current density was 3.8V (.squared). Prior to electrolytic plating, the copper surface was deoxidized by immersion in a sodium persulfate solution for 5 seconds. After 5 minutes of electrolytic plating, only 10% of the hole walls were coated. After 1 hour of electrolytic plating, the panels were removed and the holes were inspected. Copper is electrolytically plated partially on the hole wall, but no plating is done in the middle, leaving a gap in the center of the hole.

5 Vlの非イオン表面活性剤、オクチルフェノキシポ
リエトキシエタノールを銅メツキ溶液に添加した後付加
的なパネルの電解メッキを行った。5分間以下で孔壁は
銅金属の連続フィルムで完全に被覆され、すき間はなか
った。
Additional panels were electrolytically plated after adding 5 Vl of a nonionic surfactant, octylphenoxypolyethoxyethanol, to the copper plating solution. In less than 5 minutes, the hole walls were completely covered with a continuous film of copper metal, with no gaps.

実施例■ 実施例Iの方法によって調製された付加的なパネルを、
非イオン表面活性剤の代りに5 Fl/1のメチルバイ
オレットを含有することを除いて、実施例1と同一の銅
電解メッキ溶液中で電解メ。
Example ■ An additional panel prepared by the method of Example I was
Electrolyte in the same copper electroplating solution as in Example 1, except containing 5 Fl/1 methyl violet in place of the nonionic surfactant.

ツキした。5分間の電解メッキ後、孔壁は銅金属の完全
な連続フィルムで被覆された。
I was lucky. After 5 minutes of electrolytic plating, the hole walls were covered with a completely continuous film of copper metal.

実施例■ メチルバイオレットをメチレンブルーに置き換えだこと
を除いて、実施例■の製法を繰り返した。ここでも、5
分間の電解メッキ後、孔壁は銅の完全な連続フィルムで
被覆された。
Example ■ The procedure of Example ■ was repeated except that methyl violet was replaced with methylene blue. Here too, 5
After a minute of electrolytic plating, the hole walls were covered with a completely continuous film of copper.

実施例■ 銅電解メッキ浴をWattsのニッケル電解メッキ浴に
置き換えたことを除いて、実施例■の製法を繰り返した
。Wattsのニッケル浴は、硫酸ニッケル300f;
l/71!r塩化ニツケ/l/ sag/l ;および
硼酸30I/Aからなる。孔壁上に不完全なメツキラ行
っただけであった。サッカリン艶出剤をWattsのニ
ッケル浴に加えて、そして他のパネルをメッキした。電
解メッキしたニッケルの完全な連続フィルムが孔壁を迅
速に被覆した。
Example ■ The process of Example ■ was repeated, except that the copper electroplating bath was replaced with a Watts nickel electroplating bath. Watts nickel bath is nickel sulfate 300f;
l/71! 30 I/A of boric acid. There was only incomplete penetration on the hole wall. A saccharin polish was added to the Watts nickel bath and the other panels were plated. A completely continuous film of electrolytically plated nickel quickly covered the pore walls.

実施例■ Waftsのニッケルメッキ浴が20m1/lのLec
tro−Nic 1O−03(セル−レックス、フッカ
−ケミカル、アンド、プラスチック社から市販される○
−ベンゾアルデヒドスルホン酸ヲ含む艶出し剤)を含有
することを除いて、実施例■の製法を繰り返した。電解
メッキしたニッケルの完全な連続フィルムを孔壁上に得
た。
Example■ Wafts nickel plating bath is 20ml/l Lec
tro-Nic 1O-03 (commercially available from Cellex, Hooker Chemical, & Plastic Co., Ltd.)
The preparation of Example 2 was repeated, except that a polishing agent containing benzaldehyde sulfonic acid was included. A completely continuous film of electrolytically plated nickel was obtained on the hole walls.

実施例■ Copper  Gleam  PC(硫酸銅/硫酸電
解メッキ浴ニ使用されるトリフェニルメタン染料力らな
る艶出し剤)をWattsのニッケル浴に加えることを
除いて、実施例■の製法を繰り返した。電解メッキした
ニッケルの完全な連続フィルムを孔壁上に得だ。
Example ■ The procedure of Example ■ was repeated, except that Copper Gleam PC (a polish consisting of a triphenylmethane dye used in a copper sulfate/sulfuric acid electrolytic plating bath) was added to the Watts nickel bath. A completely continuous film of electrolytically plated nickel is obtained on the hole walls.

実施例■ 本実施例は本発明の金属化技法を使用するプリント回路
の製作を記述する。
EXAMPLE ■ This example describes the fabrication of a printed circuit using the metallization techniques of the present invention.

PR−4あるいはCEM−3品位の銅被覆絶縁性シート
を製作加工過程に都合のよい大きさのパネルに切断する
。メッキした貫通孔短絡路に必要な孔をドリル穿孔し、
そしてパネルの銅表面。
PR-4 or CEM-3 grade copper-clad insulating sheets are cut into panels of a size convenient for the fabrication process. Drill the holes necessary for the plated through-hole short circuit,
and the copper surface of the panel.

のバリを取る。次にパネルを、実施例Iの場合のように
、洗浄およびコンディショニング溶液。
Remove burrs. The panel is then treated with a cleaning and conditioning solution as in Example I.

硫酸溶液、洗浄、過硫酸ナトリウム溶液、洗浄。Sulfuric acid solution, wash, sodium persulfate solution, wash.

予備浸漬溶液、およびパラジウム−錫−塩化物溶液中で
処理する。次に、パネルを洗浄し、炉内で20分間12
0’Cで加熱処理し、そしてブラッシングする。パネル
はこのR階で貯蔵するか、あるいは加工過程を中断する
ことなく直ちに加工処理してもよい。
Presoak solution, and process in palladium-tin-chloride solution. The panels are then cleaned and placed in the oven for 20 minutes.
Heat treatment at 0'C and brush. The panels may be stored on this R floor or processed immediately without interrupting the processing process.

この段階で、衆知のフォトプリント、スクリーンプリン
トあるいは他の適切な加工過程によって作成されるメツ
キレシストマスクをパネルに提供する。
At this stage, the panel is provided with a mesh resist mask created by well-known photo printing, screen printing or other suitable processing processes.

次にパネルはアルカリ性洗剤中で45秒間3A/(10
cm平方)で逆電流電解メッキ製法を施され、洗浄と5
秒間の過硫酸ヂトリウム処理(上のように)および再洗
を行う。
The panel is then placed in an alkaline detergent for 45 seconds at 3A/(10
cm square) is subjected to reverse current electrolytic plating method, washed and 5
Do dtrium persulfate treatment for seconds (as above) and rewash.

次に以下からなる浴を使用してパネルを5分間3A/(
10CIn平方)で電解メッキを行う。
The panel was then heated for 5 minutes at 3A/(
Electrolytic plating is performed with 10CIn square).

硫酸銅           75 g/l硫酸   
         1909/1塩化物イオン    
     70ppmElectro−Brite(P
C−667)  5ml/1できだパネルを次に洗浄し
、そして以下を含有する浴中で40分間3A/(Loa
m平方)で銅電解メッキする。
Copper sulfate 75 g/l sulfuric acid
1909/1 Chloride ion
70ppm Electro-Brite (P
C-667) The finished panels were then washed with 5ml/1 and 3A/(Loa) for 40 minutes in a bath containing:
Copper electrolytic plating is applied (m square).

硫酸銅            75 El/1硫酸 
           1909/1塩化物イオン  
       50 ppmCopper  Glea
m  PC5ml/1代りに、上に記述した二段電解メ
ッキ工程を経ずに、パネルを約45分間3A/(10儂
平方)で上に記述した最初の電解メッキ浴中一工程でメ
ッキする。
Copper sulfate 75 El/1 sulfuric acid
1909/1 Chloride ion
50 ppmCopper Glea
m PC 5 ml/1 Alternatively, without going through the two-step electrolytic plating step described above, the panels are plated in one step in the first electrolytic plating bath described above at 3 A/(10° square) for about 45 minutes.

次にパネルを洗浄し、そして次に2A/(10cm平方
)で18分間衆知のハンダメッキ工程によってプリント
回路板に転換・し、洗浄、レジスト剥離、アンモニアを
含む塩化銅溶液でエツチングを行い、ハンダを融解し、
ハンダyスクを適用し、そして回路板の寸法に削る。
The panel is then cleaned and then converted into a printed circuit board by a well known solder plating process at 2A/(10cm square) for 18 minutes, cleaned, resist stripped, etched in a copper chloride solution containing ammonia and soldered. melt and
Apply solder paste and cut to the dimensions of the circuit board.

実施例v■ 銅を被覆したパネルをパラジウム−錫−塩化物溶液に露
出する工程に至るまで、まだ上記工程を含めて実施例■
に従ってパネルに加工処理を行う。本工程の後、洗浄し
そして次に孔壁上に析出したパラジウム−錫−塩化物座
席の錫成分に対する溶媒である5%テトラフルオロ硼酸
溶液中に浸漬する。次にパネルを、本発明に従って処方
し、そして以下のような組成を有する銅電解メッキ浴中
、3A/(10譚平方)でメッキする。
Example v■ Example ■ still includes the above steps up to the step of exposing the copper coated panel to a palladium-tin-chloride solution.
Process the panel according to the following. After this step, it is washed and then immersed in a 5% tetrafluoroboric acid solution, which is a solvent for the tin component of the palladium-tin-chloride seat deposited on the pore walls. The panels are then plated at 3 A/(10 Tan square) in a copper electrolytic plating bath formulated according to the invention and having the following composition:

硫酸銅           75g/l硫酸    
        100g/l塩化物イオン     
    50ppmCopper  Gleam  P
C5ml/7!35μ厚さの銅層を析出させた後、パネ
ルを洗浄、乾燥、そして衆知の技法で陽画フォトレジス
トエツチングマスクを適用して、メッキする貫通孔を含
めて所要の回路図形を被覆する。銅をエツチングし、そ
して次に標準的な加工過程でレジストを除去し、その結
果仕上ったプリント回路板が形成されス。
Copper sulfate 75g/l sulfuric acid
100g/l chloride ion
50ppmCopper Gleam P
After depositing the C5ml/7!35μ thick copper layer, the panel is cleaned, dried, and a positive photoresist etching mask is applied using known techniques to cover the desired circuit features, including the through-holes to be plated. do. The copper is etched and the resist is then removed using standard processing steps, resulting in a finished printed circuit board.

実施例■ 本実施例は多層型のプリント回路板の調製を記述する。Example■ This example describes the preparation of a multilayer printed circuit board.

衆知の製法を使用して、絶縁性キャリア上に回路図形の
各層を組合せそしてラミネート中にそれを形成させるこ
とによって多層合成物を形成する。貫通孔を作りそして
孔壁の一部を形成する銅層からよごれを除去した後、次
にラミネートを実施例■あるいは■に記述したように加
工処理を行う。
A multilayer composite is formed by assembling each layer of circuitry on an insulating carrier and forming it into a laminate using well-known manufacturing techniques. After making the through holes and removing dirt from the copper layer forming part of the hole walls, the laminate is then processed as described in Examples 1 or 2.

実施例X 本実施例は表面上に銅箔を提供しないそのまま、あるい
は無被覆のラミネート上のプリント回路板の調製を記述
する。
Example X This example describes the preparation of a printed circuit board on a neat or uncoated laminate without providing copper foil on the surface.

パネルの表面に米国特許3,625,75 Bの方法に
よって接着剤層を提供し、そして孔を形成する。パネル
を電解メッキ設備に取り付けて、適切なコネクタ一部分
を形成する適切な導電性のヘリを提供する。前記米国特
許の製法によってパネルの接着性を増進させる。次にパ
ネルを実施例■に記述したように加工処理する。
The surface of the panel is provided with an adhesive layer and holes are formed by the method of US Pat. No. 3,625,75 B. The panel is mounted on electrolytic plating equipment to provide suitable conductive edges to form part of a suitable connector. The process of the US patent enhances the adhesion of the panel. The panel is then processed as described in Example 3.

実施例M 銅被覆した、PR−4エポキシガラスパネルをドリル穿
孔して貫通孔を形成し、洗浄し、そしてコンディショニ
ング溶液、予備浸漬溶液お上びパラジウム−錫−塩化物
溶液を用いて実施例Iのように処理した。パラジウム−
錫−塩化物溶液および洗浄の後、銅被覆パネルを乾燥し
、そして次の還元剤(1,5モル水酸化ナトリウム水溶
液に溶解した)の各々に浸漬した。
Example M Copper-coated PR-4 epoxy glass panels were drilled through holes, cleaned, and treated with conditioning solution, presoak solution, and palladium-tin-chloride solution Example I It was processed as follows. palladium
After the tin-chloride solution and washing, the copper coated panels were dried and immersed in each of the following reducing agents (dissolved in 1.5 molar aqueous sodium hydroxide solution):

水素化硼素ナトリウム ヒドロキシルアミン 実施例■の銅電解メッキ浴中で2分間、両方のパネルを
電解メッキした。銅の完全な連続フィルムが孔壁上に得
られた。
Both panels were electroplated for 2 minutes in the copper electroplating bath of sodium borohydride hydroxylamine Example 1. A completely continuous film of copper was obtained on the pore walls.

実施例■ パラジウム−錫−塩化物溶液をカリウムへキザクロロプ
ラチネート(IV)と塩化錫(II)の水溶液に置き換
えることを除いて、実施例Mの製法を繰り返しだ。使用
した還元剤は水素化硼素ナトリウムのl g/lであっ
た。孔は5分以下の電解メッキで銅の連続フィルムで被
覆された。
Example 2 The procedure of Example M is repeated, except that the palladium-tin-chloride solution is replaced by an aqueous solution of potassium hexachloroplatinate (IV) and tin (II) chloride. The reducing agent used was 1 g/l of sodium borohydride. The holes were covered with a continuous film of copper by electrolytic plating in less than 5 minutes.

実施例■ 硫酸銅/硫酸浴をピロ燐酸銅電解メッキ浴に置き換える
ことを除いて、実施例■の製法を繰返した。ピロ燐酸銅
浴は以下の処方を有していた。
Example ■ The process of Example ■ was repeated except that the copper sulfate/sulfuric acid bath was replaced with a copper pyrophosphate electrolytic plating bath. The copper pyrophosphate bath had the following formulation.

銅                    321/
Aピロ燐酸塩イオン      2459/Aアンモニ
ア         225g/l温度       
      52°Cピロ燐酸塩陰イオンは成分Cの機
能を果す。
Copper 321/
A pyrophosphate ion 2459/A ammonia 225g/l temperature
The 52°C pyrophosphate anion serves the function of component C.

4.5A/(10crn平方)でメッキして5分後、銅
で孔壁を完全に被覆した。ピロ燐酸銅メッキ浴に対する
慣用の艶出し剤、ジメルカプトチアジアゾール化合物(
エム、アンド、ティ、ケミカル社からRY61Hとして
商業的に人定可能)の1mt/1を添加した同一メッキ
浴中で他のパネルをメッキした。慣用のRY61H艶出
し剤を用いたピロ燐酸銅洛中で5分後、孔壁はメッキさ
れなかった。ジメルカプトチアジアゾールはパラジウム
金属座席上に強力に吸収され、そしてパラジウム金属座
席上の優先的析出を妨げる。
After 5 minutes of plating at 4.5 A/(10 crn square), copper completely covered the hole walls. A conventional polishing agent for copper pyrophosphate plating baths, dimercaptothiadiazole compounds (
Other panels were plated in the same plating bath with the addition of 1 mt/1 of RY61H (commercially available as RY61H from M.T. Chemical Co.). After 5 minutes in copper pyrophosphate using conventional RY61H polish, the hole walls were not plated. Dimercaptothiadiazole is strongly adsorbed onto palladium metal seats and prevents preferential deposition on palladium metal seats.

実施例 パラジウム−錫−塩化物溶液および洗浄工程ののち、銅
を被覆したパネルは、乾燥することなしに、弗化硼素酸
(100mt/l )およびヒドロキシエチレンジアミ
ン1−り酢酸(4ill )を含む溶液に0.5分間浸
し、洗浄し、ついで、非イオン活性剤がプロピ1/ンお
よびエチレン酸化物ノブロック共重合物であるプルロニ
ックF−127(BASF−ワイアンドットコーポレー
ションカラ市販)であり、溶液中に成分Cとして0,2
g/βの濃度で存在する以外は例Iと同じ銅電解メッキ
溶液中で本発明に従って電解メッキされる他は例■の方
法をくりかえしだ。3 、8 A/d m’の電流密度
を与える電位差で5分間電解メッキしたのち孔壁は銅の
完全な連続フィルムで覆われた。
EXAMPLE After the palladium-tin-chloride solution and cleaning step, the copper-coated panels were treated without drying with a solution containing fluoroboric acid (100 mt/l) and hydroxyethylenediamine-1-lyacetic acid (4ill). The nonionic activator is Pluronic F-127 (commercially available from BASF-Wyandotte Corporation Kara), a monoblock copolymer of propylene oxide and ethylene oxide. 0,2 as component C in
The procedure of Example 2 was repeated, but electroplated according to the invention in the same copper electroplating solution as Example I except present at a concentration of g/β. After electrolytic plating for 5 minutes at a potential difference giving a current density of 3.8 A/d m', the pore walls were covered with a completely continuous film of copper.

実施例XV 下記の例において、Aは実施例部と同一の方法を、そし
て例BからOまでは成分Cとして種々の表面活性剤を使
用し、濃度、電流密度およびメッキ時間は下記の通りと
して実施例XIVの方法をくりかえした。すべての場合
に、電解メッキ後の結果、孔壁をおおう、完全に欠陥個
所のなり銅の連続皮膜が得られた。
EXAMPLE The method of Example XIV was repeated. In all cases, the result after electrolytic plating was a continuous coating of copper covering the hole walls, completely free of defects.

例   化合物     濃度 CD   メッキ(9
/β)(A/ dm)時間(9) A  プルロニックF−1270,23,85B  プ
ルロニックF−127025,9230カーボワックス
1540  、 0.3  3.8    5D  カ
ーボワックス1540   0.3  5.92   
3E  プルロニック F−681,0385F   
チルo−ツクF  68   1.0  5.92  
 3G  プルロニック L−421,03,s   
   5HポリオプレスWSRso    1.0  
3.8   15■  カーポワックス4000   
0.5  3.8   15J  オーリン  10(
)     0.5  3.8   15K  オーリ
ン   6G     O,53,8’15L  カー
ボワックス 20M   O,53,815M  プル
ロニック L−640,53,8’15Np−ジ)−ル
MinFoamIX0.5  3.8   150  
カーボワツクス 600   1.0  3.8   
15プルロニツクはポリオキシエチレンおよびポリオキ
シプロピレンブロック共重合物のBAS F−ワイアン
ドツF社の商標名であり、プルロニックF−1ztは、
合計約300個のオキシエチレン基を含む2個のポリオ
キシエチレン鎖を接続した約70個のオキシプロピレン
単位のポリオキシプロピレンベースである。プルロニッ
クF−68ではポリオキシプロピレン部分は約160単
位を含む。プルロニックL−42は約20個のポリオキ
シプロピレン単位と15個のポリオキシエチレン単位を
有する。
Example Compound Concentration CD Plating (9
/β)(A/dm) Time (9) A Pluronic F-1270, 23, 85B Pluronic F-127025, 9230 Carbowax 1540, 0.3 3.8 5D Carbowax 1540 0.3 5.92
3E Pluronic F-681,0385F
Chill o-tsuk F 68 1.0 5.92
3G Pluronic L-421,03,s
5H poliopress WSRso 1.0
3.8 15■ Carpowax 4000
0.5 3.8 15J Olin 10(
) 0.5 3.8 15K Olin 6G O,53,8'15L Carbowax 20M O,53,815M Pluronic L-640,53,8'15Np-di)-L MinFoamIX0.5 3.8 150
Carbo Wax 600 1.0 3.8
15 Pluronic is a trade name of BAS F-Wyandts F Co., Ltd. for polyoxyethylene and polyoxypropylene block copolymer, and Pluronic F-1zt is
It is a polyoxypropylene base of about 70 oxypropylene units connected to two polyoxyethylene chains containing a total of about 300 oxyethylene groups. In Pluronic F-68, the polyoxypropylene portion contains about 160 units. Pluronic L-42 has approximately 20 polyoxypropylene units and 15 polyoxyethylene units.

ポリオプレスWSR80はユニオン力−ノくイド社から
市販される平均分子量200,000のポリオキシエチ
レン化合物である。
Polyopres WSR80 is a polyoxyethylene compound with an average molecular weight of 200,000 commercially available from Union Force-Noxoid.

オーリン6GおよびLOGは、それぞれ6個および10
個のオキシエチレン基をもったアルキルフェニルポリオ
キシエチレン化合物でアル。
Orlin 6G and LOG are 6 and 10, respectively.
An alkylphenylpolyoxyethylene compound with oxyethylene groups.

これらはオーリン社から市販されている。These are commercially available from Orlin.

タージトール・ミン・フオーム=■Xハユニオンカーバ
イド社から市販されている直鎖アルコールのポリオキシ
プロピレン−ポリオキシエチレン化合物である。
Tergitol Min Foam is a linear alcohol polyoxypropylene-polyoxyethylene compound commercially available from X Honey Union Carbide Company.

実施例■ 電解メッキ溶液が下記から成るニッケル浴であることを
除いては、実施例部の方法をくりかえした。
Example ■ The method of the Examples section was repeated, except that the electrolytic plating solution was a nickel bath consisting of:

N i S O6H201951/7!N 1C1l 
 6 H201759/IIH3BO34(1/7 PH1・5 温度            46°C成分Cとしてこ
の溶液に添加した非イオン活性剤は濃度0.1f//l
のカーボワックス1540であった。3.8A/drr
i’の電位差で15分間電解メ・ツキしたのち、孔壁は
ニッケルの完全な連続皮膜でおおわれた。
N i S O6H201951/7! N 1C1l
6 H201759/IIH3BO34 (1/7 PH1・5 Temperature 46°C The nonionic activator added to this solution as component C had a concentration of 0.1 f//l
It was Carbowax 1540. 3.8A/drr
After electroplating for 15 minutes at a potential difference of i', the pore walls were covered with a completely continuous coating of nickel.

実施例部 本発明を実施する場合のポリオキシエチレン基の有効性
をさらに充分に説明するために、電解メッキ業界で広く
使用され、酸性硫酸銅電解メッキ浴への使用を推賞され
ているアニオン活性剤であるラウリル硫酸ナトリウムを
下記の通り試験した。
EXAMPLE PART In order to more fully illustrate the effectiveness of polyoxyethylene groups in practicing the present invention, anionic activity widely used in the electrolytic plating industry and recommended for use in acidic copper sulfate electrolytic plating baths is presented. The agent sodium lauryl sulfate was tested as follows.

第一の銅電解メッキ浴にはプルロニックF−127の代
りに1.、Og/lのラウリル硫酸ナトリウム(イー・
アイ・デュポン社からデュポノールCとして市販されて
いる)を表面活性剤として添加され、第二および第三の
電解メッキ浴には、プルロニックF−12’7の代りに
それぞれ1.09/lのポリエーテル硫酸アンモニウム
および1.0g/lのラウリルポリエーテル硫酸アンモ
ニウム(アルコラック社からサイボ/EAとして市販さ
れている)が使用された以外は実施例■の方法がくりか
えされた。5分のメッキ時間ののち、ホリエーテル硫酸
塩およびラウリルポリエーテル硫酸塩を含む電解メッキ
浴は、孔壁をおおう銅の完全連続皮膜を形成したが、ラ
ウリル硫酸塩を含む電解メッキ浴中での電解メッキは1
5分のメッキ時間の後でも孔壁をおおわなかった。
1. instead of Pluronic F-127 in the first copper electrolytic plating bath. , Og/l of sodium lauryl sulfate (E.
(commercially available as Duponol C from I DuPont) was added as a surfactant, and the second and third electrolytic plating baths each contained 1.09/l of polypropylene in place of Pluronic F-12'7. The procedure of Example 2 was repeated, except that ammonium ether sulfate and 1.0 g/l of ammonium lauryl polyether sulfate (commercially available as Cybo/EA from Alcolac) were used. After a plating time of 5 minutes, the electrolytic plating bath containing polyether sulfate and lauryl polyether sulfate formed a completely continuous film of copper covering the pore walls, whereas the electrolytic plating bath containing lauryl sulfate formed a completely continuous film of copper covering the pore walls. Electrolytic plating is 1
It did not cover the hole walls even after 5 minutes of plating time.

この実験は、簡単な線状アニオン活性剤であるラウリル
硫酸塩は本発明の目的には無効であることを示す。ラウ
リル硫酸塩の構造をポリエーテル基で変性するように、
本発明の教えるところに従って表面活性剤が選定された
場合には、それは成分Cとして有効になる。
This experiment shows that lauryl sulfate, a simple linear anionic activator, is ineffective for purposes of the present invention. In order to modify the structure of lauryl sulfate with polyether groups,
If the surfactant is selected according to the teachings of the present invention, it becomes effective as component C.

実施例 Copper  ()leam  PCの代りに置換チ
オ尿素を使う以外は、実施例■の方法をくりかえした。
EXAMPLE Copper()leam The procedure of Example 2 was repeated except that substituted thiourea was used in place of PC.

第一の電解メッキ溶液には、テトラメチルチウラムジサ
ルファイド5〜/lを、第二の溶iKは、アリルチオ尿
素0.8 &/lをそれぞれ成分Cとして使用した。3
.8 amp/sqdmの電位差で15分間電解メッキ
したのち、両方の溶液中でメ゛ツキされたプリント回路
板の孔壁は銅の連続皮膜でおおわれた。
The first electrolytic plating solution used 5~/l of tetramethylthiuram disulfide, and the second solution iK used 0.8 &/l of allylthiourea as component C. 3
.. After electroplating for 15 minutes at a potential difference of 8 amp/sqdm, the hole walls of printed circuit boards plated in both solutions were covered with a continuous coating of copper.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は差分デルタ(E) 、 、、、E’、 −E’
、で定義する電流−電位差関係を示すグラフ、第2図は
差分デルタ(E)dep = E′dep  ””de
pで定義する電流−電位差関係を示すグラフ、第3a図
〜第3f図は本発明の方法による電解析出の経時変化を
示す一連の説明図である。 A:金属l(例えばPd )で作成した電極に対するi
−v曲線 B:金属2(例えばCu )で作成した電極に対するi
 −v曲線 特許出願人   コルモーゲン テクノロジイズコーポ
レイション 代 理 人  新 実 健 部 外1名FIG、1 FIG、2゛ 手続補正書(2) 昭和5[’、年8 月4日 1、事件の表示 昭和58年特許願第120927号2
、発明の名称   非金属表面に電解メーツキをするた
めの改良法3、補正をする者 事イ′1との関係  特許出願人 氏 名(名 称)    コルモーゲン テクノロジI
ズ コーボレIジョン4、代理人    〒604 6、補正により増加する発明の数 7補正の対象 明細書全文 8、補正の内容 11)明細書の浄書。(内容に変更なし)9添附書類の
目録
Figure 1 shows the difference delta (E) , , , E', -E'
, a graph showing the current-potential difference relationship defined by , Figure 2 is the difference delta (E)dep = E'dep ""de
Graphs showing the current-potential difference relationship defined by p, FIGS. 3a to 3f are a series of explanatory diagrams showing changes over time in electrolytic deposition according to the method of the present invention. A: i for an electrode made of metal (e.g. Pd)
-v curve B: i for an electrode made of metal 2 (e.g. Cu)
-v curve patent applicant Kollmorgen Technologies Corporation Agent Kenbu Niimi and 1 other person FIG, 1 FIG, 2゛ Procedural amendment (2) 1937 [', August 4, 1982, Case description 1982 Patent Application No. 120927 2
, Title of the invention Improving method for electrolytically plating non-metallic surfaces 3, Relationship with amendment A'1 Name of patent applicant Kollmorgen Technology I
John Corbore I John 4, Agent 604 6. Number of inventions increased by amendment 7 Subject of amendment Full text of the specification 8. Contents of the amendment 11) Engraving of the specification. (No change in content) List of 9 attached documents

Claims (1)

【特許請求の範囲】 (1)  逆電極を有し、電解メッキされようとする金
属(B)をイオン状で含有する電解メッキ浴溶液を含む
容器中で電解メッキすることによって非金属表面を金属
化する方法であって、上記表面がコネクタ一部分を有し
、上記コネクタ一部分が電解メッキされようとする非金
属表面の外側に位置するもので、 (a)非金属表面に多数の金属座席を形成する工程、こ
の座席は金属(A)から成り、上記金属(A)が電解メ
ッキによって上記表面上に析出させようとする金属(B
)とは異なる; (b)コネクタ一部分の少くとも一部分を含む上記表面
を電解メッキ浴溶液に露出する工程、上記溶液が定めら
れた電導度を有し、さらに電解付着した金属(B)の種
から成るかまたはそれによって生成した表面上への付着
に比べて、金属(A)から成るかまたはそれを含む上記
金属座席上への上記金属(B)の優先的付着を起こす一
つまたはそれ以上の成分(C)を含む蓚 (C)コネクタ一部分と逆電極に、上記座席上に金属(
B)の優先的付着を開始させ起こさせるに充分な電位差
を、所要厚さの本質的に均一な析出物を形成するに充分
な時間だけ与える工程;を含むことを特徴とする非金属
表面の金属化方法。 (2)上記酸・分(C)が金属(A)の種の表面に比べ
て金属(B)の種の表面にそれ自身優先的に付着し、そ
の結果座席金属(A)の種によって形成された表面上の
メッキ反応を殆んど抑制することなく、金属(B)によ
って形成された表面上のメッキ反応を殆んど抑制あるい
は減少させることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
載の方法。 (3)上記成分(C)が金属(B)によって形成された
表面上の過電位差を増加させることを特徴とする特許請
求の範囲第2項記載の方法。 (4)上記成分(C)が座席金属(A)の種にそれ自身
優先的に付πし、上記付着した成分(C)が金属(B)
の種の表面上のメッキ反応に比べて、座席金属(A)に
よって形成された表面上のメッキ反応をかなり増加させ
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の方法。 (5)上記付着した成分(C)が過電位差を減少させ、
その結果、金属(B)の種の表面上のメッキ反応に比べ
てメッキ反応を増加させることを特徴とする特許請求の
範囲第4項記載の方法。 (6)成分(C)が染料9表面活性剤、キレート剤。 増白剤および均染剤から選択されることを特徴とする特
許請求の範囲第1項記載の方法。 (7)成分(C)がメチレンブルーおよびメチルバイオ
レットから選択された染料であることを特徴とする特許
請求の範囲第6項記載の方法。 (8)成分(C)が、アルキルフェノキシ−ポリエトキ
シエタノール類、非イオン性弗化炭素表面活性剤、ポリ
オキシエチレン化合物、ポリオキシエチレンおよびポリ
オキシプロピレンのブロック共重合物から選択された表
面活性剤であることを特徴とする特許請求の範囲第6項
記載の方法。 (9)成分(C)が4個乃至1,000,000個のオ
キシエチレン基を含む化合物から選択されることを特徴
とする特許請求の範囲第8項記載の方法。 00)成分(C)が20個乃至150個のオキシエチレ
ン基を含む化合物から選択されることを特徴とする特許
請求の範囲第9項記載の方法。 Uυ 成分(C)が10個乃至400個のオキシエチレ
ン基を含む酸化エチレン−酸化プロピレン共重合物から
選択されることを特徴とする特許請求の範囲第8項記載
の方法。 H成分(C) カ2.4.6−(2−ピ!J シル)−
8−1−リ。 アジンおよびピロ燐酸塩陰イオンから選択されたキレー
ト剤であることを特徴とする特許請求の範囲第6項記載
の方法。 (13)  成分(C)がN−複素環式化合物、トリフ
ェニルメタ、ン染料、チオ尿素、アリルチオ尿素、テト
ラメチルチウラムジサルファイド、チオ尿素誘導体、サ
ッカリンおよ1.び0−ベンゾアルデヒドスルホン酸誘
導体から選択される増白剤および/または均染剤である
ことを特徴とする特許請求の範囲第6項記載の方法。 (14)  電解メッキ浴溶液の電導度およびコネクタ
一部分と逆電極にかけられた電位差が、金属(B)の種
の表面上の析出速度よりも少くとも一桁好ましくは二指
大きい値の、速度に、座席金属(A)の種の表面上の析
出速度を達成するに充分な高さであるように選択される
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の方法。 α5)電導度が他のメッキ因子に関連して許容される最
高値に調整されることを特徴とする特許請求の範囲第1
4項記載の方法。 θ6)電位差が、金属(A)から成る金属座席とコネク
タ一部分の問およびそのような隣接座席の間にメッキ浴
溶液によって生ずる抵抗性電路上の電位差障Fを補償す
るように調整されることを特徴とする特許請求の範囲第
14項記載の方法。 07)電位差が、他のメッキ因子に関して許容される最
高値に調整されることを特徴とする特許請求の範囲第1
6項記載の方法。 0団 金属(A)および金属(B)が元素周期表のlb
およびV■族から選択され、かつ金属(A)は金属(B
)と異なることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の方法。 α0 成分(C)が染料9表面活性剤、キレート剤。 増白剤、および均染剤から選択されることを特徴とする
特許請求の範囲第18項記載の方法。 (20)  メッキ操作によって与えられる条件下にお
いて、金属(Δ)上への金属(B)の付着のだめの電位
差が、金属(B)の自体への付着のだめの電位差より負
の値が小さいように金属(A)と金属(B)が選択され
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の方法。 Cυ 成分(C)が染料9表面活性剤、キレート剤。 増白剤、および均染剤から選択されることを特徴とする
特許請求の範囲第2o項記載の方法。  −(221金
属(A)がパラジウム、白金、銀まだは金から選択され
ることを特徴とする特許請求の範囲第18項記載の方法
。 (23)金属(B)が銅およびニッケルから選択される
ことを特徴とする特許請求の範囲第18項記載の方法。 (24)座席形成段階が、溶液中の金属(A)を化合物
または錯化合物として使用することから成ることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載の方法。 (25)化合物が金属ハロゲン化物または金属ハロゲン
化物複塩であることを特徴とする特許請求の範囲第24
項記載の方法。 (26)金属ハロゲン化物複塩がパラジウム−錫−塩化
物であることを特徴とする特許請求の範囲第25項記載
の方法。 (271溶液が金属(A)および錫ハロゲン化物から成
ることおよび処理された表面が、ついで錫化合物用溶剤
に露出されることを特徴とする特許請求の範囲第24項
記載の方法。 (28)非金属表面を金属(A)から成る溶液で処理し
、ついで上記表面を熱または還元剤に露出するととによ
って、金属(A)の多数の金属座席を形成させることを
特徴とする特許請求の範囲第25項記載の方法。 (29)上記熱処理が65乃至120’Cの範囲の温度
で少くとも10分間行なわれることを特徴とする特許請
求の範囲第28項記載の方法。 (30)上記還元剤が水素化硼素ナトリウム、ホルムア
ルデヒド、ジメチルアミンポランおよびヒドロキシルア
ミンから選択されることを特徴とする特許請求の範囲第
28項記載の方法。 (31)さらに、非金属表面上に必要厚さの金属(B)
の連続フィルムを完成したのち、金属(B)の付着を終
了する工程を含み、上記フィルムまたはその一部の上に
一つまだはそれ以上の金属層を電解的に付着させること
を特徴とする特許請求の範囲第1項記載の方法。 (32異った組成の少くとも二種の電解メッキ浴溶液が
使用されること、および、最初に使用される溶液が、金
属(A)上への付着速度を最大にする成分から成ること
、および、これにつづいて使用される電解メッキ浴溶液
が、生成する夫々の金属付着物の性質を最適化するよう
に処方されていることを特徴とする特許請求の範囲第3
1項記載の方法。 (33)銅被覆絶縁性シートに、またはそのようなシー
トの多数によって形成した積層物に孔を形成することお
よび、上記孔の壁に金属層を与えることを含むプリント
回路板の製造法において(a)上記孔の壁の上に多数の
金属座席を形成し、上記座席は金属(A)から成り、上
記金属(A)は電解メッキにより上記壁の表面に付着さ
せようとする金属(B)と異ること;および (b)それにつづく工程において、上記シートまたは積
層物を、上記電解付着させようとする金属(B)を溶解
した形で含有踵さらに、電解付着された金属(B)の種
から成るかまたはそれによって生成した表面上の付着に
比べて、上記層、、丑−−上記金属(B)の優先的付着
を起こす成分(C)の一種まだはそれ以上をも含む、予
め電導度を測定された電解メ・ツキ浴溶液に露出するこ
と;および (C)上記メッキ浴溶液中においた銅被覆シートまたは
積層物および逆電極に、上記座席への金属(B)の優先
的付着を開始し、行わせるに充分な電位差を、本質的に
均、−な厚さの所望の付着物を形成するに充分な時間、
与えること;全特徴とするプリント回路板製造法。 (34)さらに、上記銅被覆シートまたは積層物の表面
に陰画レジスト層を与える工程を含み、上記層は、上記
孔を含む所望の導電体図形に相当する部分を露出しだま
まに残し、壁が金属(A)の上記座席によって与えられ
る上記孔を定義し、かつ、電解メッキ工程ののち、上記
レジスl一層を除去して、上記レジスト層におおわれて
いた部分の金属をエツチングで取り去ることを特徴とす
る特許請求の範囲第33項記載の方法。 (351さらに電解メッキ工程に引きつづいて、上記銅
被覆シートまだは積層物の表面に陽画レジスト層を与え
る工程を含み、上記レジスト層は孔を含む所望の回路図
形に相当する部分をおおい、陽画レジスト層でおおわれ
ていない金属をエツチングで取り去って、プリント回路
板図形を形成することを特徴とする特許請求の範囲第3
3項記載の方法。 (36)絶縁性シートに孔を形成し、この孔壁と所望の
プリント回路導電体図形に相当する部分に所望の厚さの
金属層をもったプリント回路板を提供する方法におりて
、 (a)上記孔の壁の上および上記導電体図形に相当する
上記部分に多数の金属座席を形成すること;および (b)それにつづく工程において、上記シートを、上記
電解付着させようとする金属(B)を溶解した形で含有
し、さらに、電解付着された金属(B)の種によって生
成した表面上の付着に比べて金属(A)から茂る上記金
属座席上に上記金属(B)の優先的付着を起こす成分(
d)の一種またはそれ以上をも含む、所定の電導度の電
解メッキ浴溶液に露出すること;および (C)上記メッキ浴溶液中に置かれた、上記シートの上
に与えられかつメッキしようとする部分の外側に位置し
たコネクタ一部分および逆電極に、上記座席上に金属(
B)の優先的付着を開始し、行わせるに充分な電位差を
、本質的に均一な厚さの所望の付着を生成するに充分な
時間与えること、 を特徴とするプリント回路板の製造法。 (37)上記コネクタ一部分が上記絶縁性シートの表面
を、その縁に沿った小さい部分にお−て、おおい、窓枠
のような形状とすることを特徴とする特許請求の範囲第
36項記載の方法。
[Scope of Claims] (1) A non-metallic surface is coated with a metal by electrolytic plating in a container having a reverse electrode and containing an electrolytic plating bath solution containing the metal (B) to be electrolytically plated in ionic form. said surface has a connector portion, said connector portion is located outside the non-metallic surface to be electrolytically plated, the method comprising: (a) forming a plurality of metal seats on the non-metallic surface; step, the seat is made of metal (A), said metal (A) is deposited on said surface by electrolytic plating, said metal (B)
); (b) exposing said surface, including at least a portion of a connector portion, to an electrolytic plating bath solution, said solution having a defined electrical conductivity, and further comprising a species of electrolytically deposited metal (B); one or more causing preferential deposition of said metal (B) on said metal sheet consisting of or comprising metal (A) compared to deposition on a surface consisting of or produced thereby; A part of the connector (C) containing component (C) and a metal (C) on the seat are placed on the opposite electrode.
B) applying a potential difference sufficient to initiate and cause preferential deposition of the non-metallic surface for a time sufficient to form an essentially uniform deposit of the required thickness. Metallization method. (2) The above acid/min (C) attaches itself preferentially to the surface of the metal (B) seeds compared to the surface of the metal (A) seeds, resulting in formation by the seat metal (A) seeds. Claim 1, characterized in that the plating reaction on the surface formed by the metal (B) is almost suppressed or reduced while hardly suppressing the plating reaction on the surface formed by the metal (B). the method of. (3) A method according to claim 2, characterized in that the component (C) increases the overpotential difference on the surface formed by the metal (B). (4) The component (C) preferentially attaches itself to the seed of the seat metal (A), and the attached component (C) becomes the metal (B).
2. A method according to claim 1, characterized in that the plating reaction on the surface formed by the sheet metal (A) is increased considerably compared to the plating reaction on the surface of the species. (5) The attached component (C) reduces the overpotential difference,
5. A method according to claim 4, characterized in that as a result, the plating reaction is increased compared to the plating reaction on the surface of the metal (B) seed. (6) Component (C) is Dye 9 surfactant and chelating agent. 2. A method according to claim 1, characterized in that the brightener is selected from brighteners and leveling agents. (7) A method according to claim 6, characterized in that component (C) is a dye selected from methylene blue and methyl violet. (8) Component (C) is a surface active material selected from alkylphenoxy-polyethoxyethanols, nonionic fluorocarbon surfactants, polyoxyethylene compounds, and block copolymers of polyoxyethylene and polyoxypropylene. 7. The method according to claim 6, wherein the method is a drug. (9) A method according to claim 8, characterized in that component (C) is selected from compounds containing 4 to 1,000,000 oxyethylene groups. 10. Process according to claim 9, characterized in that component (C) is selected from compounds containing 20 to 150 oxyethylene groups. 9. A process according to claim 8, characterized in that the Uυ component (C) is selected from ethylene oxide-propylene oxide copolymers containing from 10 to 400 oxyethylene groups. H component (C) Ka2.4.6-(2-P!J Sill)-
8-1-li. 7. A method according to claim 6, characterized in that the chelating agent is selected from azine and pyrophosphate anions. (13) Component (C) is an N-heterocyclic compound, a triphenylmethane dye, thiourea, allylthiourea, tetramethylthiuram disulfide, a thiourea derivative, saccharin, and 1. 7. The method according to claim 6, characterized in that the brightener and/or leveling agent is selected from O-benzaldehyde sulfonic acid derivatives. (14) The electrical conductivity of the electrolytic plating bath solution and the potential difference applied to the connector portion and the opposite electrode result in a rate at least one order of magnitude greater, preferably two orders of magnitude greater than the rate of deposition of the metal (B) species on the surface. , selected to be of sufficient height to achieve a rate of deposition of the seeds on the surface of the sheet metal (A). α5) The conductivity is adjusted to the highest value allowed in relation to other plating factors.
The method described in Section 4. θ6) that the potential difference is adjusted to compensate for the potential difference F on the resistive conductor caused by the plating bath solution between the metal seat of metal (A) and the connector portion and between such adjacent seats; 15. The method of claim 14, characterized in: 07) Claim 1, characterized in that the potential difference is adjusted to the highest value allowed with respect to other plating factors.
The method described in Section 6. Group 0 Metal (A) and metal (B) are lb of the periodic table of elements
and group V, and the metal (A) is a metal (B
) The method according to claim 1, characterized in that the method is different from: α0 Component (C) is Dye 9 surfactant and chelating agent. 19. A method according to claim 18, characterized in that it is selected from brighteners and leveling agents. (20) Under the conditions provided by the plating operation, the potential difference between the pools of adhesion of metal (B) onto metal (Δ) is less negative than the potential difference between the pools of adhesion of metal (B) to itself. 2. Process according to claim 1, characterized in that metal (A) and metal (B) are selected. Cυ Component (C) is dye 9, a surfactant, and a chelating agent. 2o. Process according to claim 2o, characterized in that it is selected from brighteners and leveling agents. - (221) A method according to claim 18, characterized in that the metal (A) is selected from palladium, platinum, silver or gold. (23) The metal (B) is selected from copper and nickel. (24) A method according to claim 18, characterized in that the seat forming step consists of using the metal (A) in solution as a compound or a complex compound. (25) Claim 24, wherein the compound is a metal halide or a metal halide double salt.
The method described in section. (26) The method according to claim 25, wherein the metal halide double salt is palladium-tin-chloride. (271) A method according to claim 24, characterized in that the solution consists of metal (A) and a tin halide and that the treated surface is then exposed to a solvent for the tin compound. (28) Claims characterized in that a plurality of metal seats of metal (A) are formed by treating a non-metallic surface with a solution consisting of metal (A) and then exposing said surface to heat or a reducing agent. The method of claim 25. (29) The method of claim 28, wherein the heat treatment is carried out at a temperature in the range of 65 to 120'C for at least 10 minutes. (30) The reduction 29. A method according to claim 28, characterized in that the agent is selected from sodium borohydride, formaldehyde, dimethylamineporane and hydroxylamine. (B)
terminating the deposition of the metal (B) after completing the continuous film, characterized in that one or more metal layers are electrolytically deposited on said film or part thereof. A method according to claim 1. (32) at least two electrolytic plating bath solutions of different compositions are used, and the first solution used consists of components that maximize the rate of deposition on the metal (A); and the subsequently used electrolytic plating bath solution is formulated to optimize the properties of each metal deposit produced.
The method described in Section 1. (33) In a method of manufacturing a printed circuit board comprising forming a hole in a copper-coated insulating sheet, or in a laminate formed by a plurality of such sheets, and providing the walls of the hole with a metal layer ( a) forming a number of metal seats on the wall of said hole, said seats consisting of metal (A), said metal (A) being a metal (B) which is to be deposited on the surface of said wall by electrolytic plating; and (b) in a subsequent step, the sheet or laminate contains the metal (B) to be electrolytically deposited in a dissolved form; The layer also contains one or more of the components (C) which cause preferential adhesion of the metal (B) compared to the adhesion on the surface consisting of or produced by the species. (C) exposing a copper coated sheet or laminate and a counter electrode placed in said plating bath solution to a preferential transfer of metal (B) to said seat; a sufficient potential difference to initiate and cause deposition for a sufficient time to form a desired deposit of essentially uniform thickness;
Giving; a printed circuit board manufacturing method with full features. (34) further comprising the step of providing a negative resist layer on the surface of the copper-coated sheet or laminate, the layer leaving exposed portions corresponding to the desired conductor shapes including the holes; defines the hole provided by the seat of metal (A), and after the electrolytic plating process, removes the first layer of resist and etches away the metal covered by the resist layer. 34. The method of claim 33, characterized in: (351 Further, following the electrolytic plating step, the copper-coated sheet still includes a step of applying a positive resist layer to the surface of the laminate, the resist layer covering the portion corresponding to the desired circuit figure including the hole, and applying a positive resist layer to the surface of the laminate. Claim 3, characterized in that metal not covered by the resist layer is etched away to form a printed circuit board figure.
The method described in Section 3. (36) A method of forming a hole in an insulating sheet and providing a printed circuit board having a metal layer of a desired thickness on the hole wall and a portion corresponding to a desired printed circuit conductor shape, a) forming a number of metal seats on the walls of said hole and in said portions corresponding to said conductor shapes; and (b) in a subsequent step, said sheets are attached to the metal to be electrolytically deposited ( B) in dissolved form, and furthermore, the preference of said metal (B) on said metal seat growing from metal (A) compared to the deposit on the surface produced by the electrolytically deposited species of metal (B). Ingredients that cause target adhesion (
d) exposure to an electrolytic plating bath solution of a predetermined conductivity, also comprising one or more of Place a metal (
B) applying a sufficient potential difference to initiate and effect the preferential deposition of B) for a sufficient time to produce the desired deposition of essentially uniform thickness. (37) Claim 36, wherein a portion of the connector is characterized in that a small portion of the surface of the insulating sheet along its edge is shaped like a window frame. the method of.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4919961B2 (en) * 2005-09-02 2012-04-18 荏原ユージライト株式会社 Catalyst application enhancer

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP4919961B2 (en) * 2005-09-02 2012-04-18 荏原ユージライト株式会社 Catalyst application enhancer

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