JPS59199519A - Manufacture of halosilane by treating waste silicon- containing reaction block - Google Patents

Manufacture of halosilane by treating waste silicon- containing reaction block

Info

Publication number
JPS59199519A
JPS59199519A JP7204283A JP7204283A JPS59199519A JP S59199519 A JPS59199519 A JP S59199519A JP 7204283 A JP7204283 A JP 7204283A JP 7204283 A JP7204283 A JP 7204283A JP S59199519 A JPS59199519 A JP S59199519A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon
hydrogen
gaseous
halide
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7204283A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS636483B2 (en
Inventor
アラン・リツツア−
バクレツシユ・ナヴアラングラル・シヤ−
ダニエル・エドワ−ド・スライヴア
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Priority to JP7204283A priority Critical patent/JPS59199519A/en
Publication of JPS59199519A publication Critical patent/JPS59199519A/en
Publication of JPS636483B2 publication Critical patent/JPS636483B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は残存ケイ素粉末を処理する方法に関する、特に
残存ケイ素粉末からハロシランを製造する方法に関する
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a method for treating residual silicon powder, and in particular to a method for producing halosilanes from residual silicon powder.

オルガノハロシランを製造する現在の工業的方法は良く
知られており、米国特許第2380995号に記載され
ている。この特許にはオルガノクロロシランを作るため
、ケイ素粒子とオルカッハライド例えば塩化メチルの直
接反応が記載されている。銅の粒子をケイ素の粒子と混
合し、これによって反応性環体または反応性接触環体を
形成させる。工業的に実施するに当っては、この反応は
一般に3種類の装置の中の−っ、例えばセラーズの米国
特許第2449821号に記載されている如き撹拌体型
の反応器、リード等の米国特許第2389931号に記
載されている如き流動床反応器:またはロータリーキル
ンで一般に行なわれる。
Current industrial methods for producing organohalosilanes are well known and described in US Pat. No. 2,380,995. This patent describes the direct reaction of silicon particles with an orc halide such as methyl chloride to produce organochlorosilanes. Copper particles are mixed with silicon particles, thereby forming reactive rings or reactive contact rings. When carried out industrially, this reaction is generally carried out in one of three types of equipment: a stirred reactor, such as that described in Sellers, U.S. Pat. No. 2,449,821; 2,389,931; or a rotary kiln.

オルガノトリクロロシランおよびジオルガノジクロロシ
ランが上述した直接法反応の二つの基本生成物である。
Organotrichlorosilane and diorganodichlorosilane are the two basic products of the direct process reaction described above.

かがる化合物は米国特許第22582’ 18号および
第2258222号に記載されている如きオルガノポリ
シロキサン樹脂の製造に利用される。他の生成物に米国
特許第2469888号および第2469890号ニ記
載すれている如きオルガノポリシロキサン流体のみなら
ず米国特許第2448756号に記載されているオルガ
ノポリシロキサンエラストマーを含む。通常工業的には
ジオルカッジクロロシランを作ることが好ましい。何故
ならばソレラハ一般に各種の室温硬化性シリコーンゴム
組成物および熱硬化ゴムエラストマーの製造に使用され
る線状ポリシロキサン流体および重合体を作るのに利用
されるからである。
Dark compounds are utilized in the preparation of organopolysiloxane resins such as those described in US Pat. No. 2,2582'18 and US Pat. No. 2,258,222. Other products include organopolysiloxane fluids such as those described in US Pat. Nos. 2,469,888 and 2,469,890 as well as organopolysiloxane elastomers as described in US Pat. No. 2,448,756. Generally, it is preferable to produce dioxidoxychlorosilane from an industrial standpoint. Solellah is commonly utilized to make linear polysiloxane fluids and polymers used in the production of various room temperature curable silicone rubber compositions and thermoset rubber elastomers.

直接法によってオルガノクロロシランを作るに当っであ
る段階で、ケイ素粒子を含有する反応性環体または反応
性接触環体は反応性が劣るようになり、反応性接触環体
を置換することが望ましい。例えば廃ケイ素粒子または
反応性の劣ったケイ素粒子を反応容器から除去し、その
中に新しいケイ素粒子を挿入し、その後反応を再開させ
る。反応性接触環体か反応性が劣るようになったか、弱
って来たとき、そしてそれを新しいケイ素バッチで置換
するとき、反応性の劣ったまたは弱った接触環体を一般
に残存ケイ素、残存ケイ素粉末、残存ケイ素含有接触塊
体または残存接触環体と称され、これらの語はここでは
相互に交換できるものとして使用する。
At some stage in making organochlorosilanes by direct methods, the reactive ring containing silicon particles or the reactive catalytic ring becomes less reactive and it is desirable to replace the reactive catalytic ring. For example, waste silicon particles or less reactive silicon particles are removed from the reaction vessel, new silicon particles are inserted therein, and the reaction is then restarted. When a reactive catalytic ring becomes less reactive or less reactive, and when it is replaced with a new batch of silicon, the less reactive or less reactive catalytic ring is generally replaced with the remaining silicon, the residual silicon. Also referred to as powder, residual silicon-containing contact mass or residual contact ring, these terms are used interchangeably herein.

この問題に対する昔の解決法は残存接触環体を捨てるこ
とであった、しかしながら、残存接触塊体中にはかなり
の反応性ケイ素が残っている、そして廃棄の問題を避け
、また経済的な理由のため、残存接触塊体中の残ってい
るケイ素有価物の少なくともいくらかを利用することが
望ましい。
The old solution to this problem was to discard the remaining contact annulus, however, there remains considerable reactive silicon in the remaining contact mass, and to avoid disposal problems and for economic reasons. Therefore, it is desirable to utilize at least some of the remaining silicon values in the remaining contact mass.

オルガノトリクロロシラン(Tとして知られている)対
ジオルガノジクロロシラン(Dとして知られている)の
重量比を長時間にわたって所望の程度に保つことかでき
、これによってジオルガノジクロロシランを生成させる
ためケイ素粒子の最大利用を生ぜしめるように、オルガ
ノクロロシランの直接法合成を実施するため使用される
反応器中の残存ケイ素粒子をより完全に利用する方法を
見比さんとして多くの研究がなされて来た。ロチヨウの
米国特許第2380995号の直接法によるオルガノク
ロロシランの製造において、トリオルガノクロロシラン
対ジオルガノクロロシラン(T/D )の重量比はオル
ガノクロロシランの製造巾約0.1が望ましく、約0.
35を越えないのが好ましい。しかしながら殆どの工業
的製造操作においては、この比は新しい材料を用いて反
応器を開始させるときには約0.15のレヘルであるが
、反応経過後は約02のレベル以上に上昇することか見
出されている。
The weight ratio of organotrichlorosilane (known as T) to diorganodichlorosilane (known as D) can be maintained at a desired degree for an extended period of time, thereby producing diorganodichlorosilane. Much work has been done to identify ways to more completely utilize the residual silicon particles in the reactors used to carry out the direct synthesis of organochlorosilanes so as to yield maximum utilization of the silicon particles. Ta. In the production of organochlorosilanes by the direct method of Rochiyo, US Pat.
Preferably it does not exceed 35. However, in most industrial manufacturing operations, this ratio is found to be around 0.15 lehers when starting the reactor with new material, but to rise to levels of about 0.02 lehers or more after the reaction has progressed. has been done.

この分野における現状打破の一つに、米国特許ff13
133109号にドットソンによって発表きれた方法か
ある。ドットソンは流動床反応器から外部流動エネルギ
ーミル中に使用した粒子を通ずことによってケイ素粒子
をより完全に利用でき、ジオルガノジクロロシランの量
を最大にすることができることを記載している。外部流
動エネルギーミルの代りとして、ドットソンはまた反応
器の基部に置いた複数の音叉ジェットを通して、反応器
から再循環させた使用ずみケイ素粒子を通過させて、粒
子を相互に衝突させまたは反応器の壁に衝突させてその
結果として粒子の破砕を生せしめることも記載している
One breakthrough in this field is the U.S. patent ff13.
There is a method published by Dotson in issue 133109. Dotson describes that by passing the particles used from a fluidized bed reactor into an external fluidized energy mill, silicon particles can be utilized more completely and the amount of diorganodichlorosilane can be maximized. As an alternative to an external flow energy mill, Dotson also passes spent silicon particles recycled from the reactor through multiple tuning fork jets placed at the base of the reactor, causing the particles to collide with each other or It is also described that particles can be caused to collide with the walls of a particle, resulting in fragmentation of the particles.

ドットラン法を利用することによって、比を所望の0.
15レベル伺近に保つことができ、長時間にわたって0
35レベルより小さく維持できるようにして、同し鯖の
ケイ素粒子からより大量のジオルガノジクロロシランを
得ることができることか判った。しかしながら、ドツト
ソン法は反応器中に尋人し、工程から廃ケイ素として除
去しなければならないケイ素の約12〜15%の利用不
足を生せしめることも判った。
By utilizing the dot run method, the ratio can be adjusted to the desired 0.
15 levels can be kept close and 0 for a long time.
It has been found that larger amounts of diorganodichlorosilane can be obtained from the same mackerel silicon particles by being able to maintain the level below 35. However, it has also been found that the Dotson process results in an underutilization of about 12-15% of the silicon that is trapped in the reactor and must be removed from the process as waste silicon.

かかるケイ素は枯渇または使いつくされたと一般に考え
られ、従ってもはや利用てきないと考えられていた。こ
の廃ケイ素を、経済的な理由および廃棄に当って通常遭
遇する問題を防ぐため利用することか望ましい。更にT
/D比か望ましからぬレベルに」−昇した後残存ケイ素
含有接触塊体中のケイ素有価物の実質的に全てを利用で
きる新しい方法を見出すことが更に望ましくさえある。
It was generally believed that such silicon had been depleted or used up and therefore could no longer be utilized. It is desirable to utilize this waste silicon for economic reasons and to avoid the problems normally encountered in disposal. Further T
It would even be desirable to find a new process that could utilize substantially all of the silicon values in the remaining silicon-containing contact mass after the /D ratio has increased to undesirable levels.

シエイドの米国特許第4281149 s=:には、か
かるケイ素反応器系内のケイ素粒子を処理し、これによ
ってケイ素金属粒子の有用性を改良する方法が記載され
ている。このシエイド法は40μより小さい平均直径の
大きさを有するケイ素粒子を処理する方法が記載され、
かかる粒子をωf磨してその上の表面被覆を除去し、研
磨した粒子は更に利用するため反応器に戻すことかでき
る。
US Pat. No. 4,281,149 s=: to Scheid describes a method for treating silicon particles in such silicon reactor systems, thereby improving the usefulness of silicon metal particles. The Shaed method describes a method for treating silicon particles having an average diameter size of less than 40μ,
Such particles can be ωf polished to remove the surface coating thereon, and the polished particles can be returned to the reactor for further use.

米国特許第4307242号(これはここに引用して組
入れる)には、サーおよびリツツアーかオルガノクロロ
シラン反応器系中でケイ素微粉を回収し、再循環する別
の方法を発表している。サーおよびリツツアーによって
発表された方法は粒度によって直接法接触塊体を紋別す
る方法を含み、これによって最も1烏度に被毒している
か不純(廃)ケイ素粒子を比較的被毒していない粒子か
ら分離し、かかる被毒していない粒子のみを再循環させ
、これによってケイ素の有用性を改良する。このように
して直接法からの廃ケイ素微粉の金塊体を捨てる代りに
、一定の時間で必要な廃ケイ素微粉の少部分のみを捨て
る。米国特許第4307242号では、微細流出粉末(
残存接触塊体または残存ケイ素)を回収するための一つ
以上の機械的サイクロンに向けている。この微細流出粉
末は、一般にオルカットリクロロシランおよびジオルガ
ノジクロロシラン生成物を生成する反応器からの廃反応
塊体である。粗製TおよびD生成物はサイクロンの頂部
から回収され、これらの生成物は少量の非常に微細な連
行粒子をその中に含有していることかある。反応塊体の
残余は機械的サイクロン中で空気的に処理され、交番配
置のためのホッパーに向けられる。サーおよびリッツア
ーによって記載された任怠の段階で、粕に米国特許第4
3072.42号の紋別法から得られる二次サイクロン
微粉の比較的被毒してない部分から有用な生成物を得る
ことか望ましい。また他の発生源から得られるケイ素お
よび残存ケイ素含有接触塊体から有用な生成物を得るこ
とも望ましい。
U.S. Pat. No. 4,307,242, which is incorporated herein by reference, describes another method for recovering and recycling silicon fines in an organochlorosilane reactor system. The method published by Sarr and Ritzer involves distinguishing the direct contact mass by particle size, thereby distinguishing between the most poisoned and relatively unpoisoned impure (waste) silicon particles. and recycling only such unpoisoned particles, thereby improving the availability of silicon. In this way, instead of discarding the gold nugget of waste silicon fines from the direct process, only a small portion of the waste silicon fines needed at a given time is discarded. No. 4,307,242 describes fine flow powder (
one or more mechanical cyclones to recover any residual contact mass or residual silicon). This fine effluent powder is generally waste reaction mass from reactors that produce orcattrichlorosilane and diorganodichlorosilane products. Crude T and D products are recovered from the top of the cyclone and these products may contain small amounts of very fine entrained particles therein. The remainder of the reaction mass is pneumatically treated in a mechanical cyclone and directed to a hopper for alternating arrangement. At the stage of negligence described by Sir and Ritzer, U.S. Pat.
It is desirable to obtain useful products from the relatively unpoisoned portion of the secondary cyclone fines obtained from the Mombetsu process of No. 3072.42. It is also desirable to obtain useful products from silicon and residual silicon-containing contact mass obtained from other sources.

ケイ素との種々な反応から得ることかできる一つのかか
る有用な生成物はモノ水素トリクロロシラン(H81C
13)としてここに命名したトリクロロシランである。
One such useful product that can be obtained from various reactions with silicon is monohydric trichlorosilane (H81C
13) is trichlorosilane named here.

メチルクロロシランノ合成時のHCIの効果の研究が、
1967年エルスピア−によって発行されたヴーアヘー
ブのオルカッハロシラン、プリカーサ−・ツー・シリコ
ーンズの第138頁に報告されている。6:1〜1:6
の範囲で塩化メチル対塩化水素の種々なモル比で銅触媒
の存在下に金属品質のケイ素を用いて行なった反応か報
告されている。しかしながらこれらの反応は全て300
℃で実施されており、ヴーアヘーブによる温度選択効果
の報告はない。
Research on the effect of HCI during methylchlorosilane synthesis
It is reported on page 138 of Voorhave's Orkach-halosilane, Precursor to Silicones, published by Elspear in 1967. 6:1~1:6
Reactions carried out using metallic grade silicon in the presence of copper catalysts at various molar ratios of methyl chloride to hydrogen chloride in the range of However, all these reactions are 300
℃, and there are no reports of temperature selection effects due to Voorhave.

米国特許第24884E37号において、バリー等は、
高温でケイ素と、またはケイ素と金属の合金または混合
物と接触させたときハロゲン化アルキルと共にハロゲン
化水素例えばHCIの同時導入によって1より価値のあ
るモノアルキルハロゲン化ケイ素」の収率増大を見出し
た。
In U.S. Patent No. 24884E37, Barry et al.
It has been found that the yield of "more valuable monoalkyl silicon halides" is increased by the simultaneous introduction of hydrogen halides, such as HCI, with alkyl halides when contacted with silicon or with alloys or mixtures of silicon and metals at elevated temperatures.

バリー等は200〜550℃の温度範囲を報告している
が、塩化水素と原料塩化メチルとの混合物がモノメチル
塩化ケイ素の増大した収率を生せしめたことを彼等は見
出し、任意の温度選択効果またはモノ水素トリハロシラ
ンの改良された尚収率の報告はない。
Although Barry et al. reported a temperature range of 200-550°C, they found that mixtures of hydrogen chloride and raw methyl chloride produced increased yields of monomethyl silicon chloride, and any temperature selection There are no reports of effectiveness or improved yields of monohydrogen trihalosilanes.

オルガノハロシランの直接法製造からの廃金属反応塊体
を処理する方法において、米国特許!2803521号
において、ニラチェ等は、200〜500℃で、通常銅
または塩化銅の存在下、そしてしばしば追加反応成分と
してのH,C1と共に塩化メチルおよびケイ素の反応か
最も良く知られており、広く使用されている直接法の工
業的応用であるを報告している。ニラチェ等によれば、
この反応は種々なメチルクロロシラン例えばCH3S 
iCla、(CHs )2 S iC12、(CH3)
3S iC1、およびCH3H81C1,を生ぜしめる
。しかしながらニラチェ等は、反応塊体を水または稀塩
酸中に分散させ、分散体を20〜100℃の温度で塩素
源と接触させることによって廃(残存)ケイ素含有反応
塊体を処理している。ケイ素粒子が沈降し、上澄液から
分離し、上澄液中の金属塩を沈澱させ、集め、そして新
しい触媒として再使用する。ニラチェ等は廃金属反応塊
体からモノ水素トリクロロシランを製造することは教示
しておらず、彼等は温度選択効果も報告していない。
U.S. Patent for a method for treating waste metal reaction mass from the direct production of organohalosilanes! No. 2,803,521, Nirache et al. describe the best known and widely used reaction of methyl chloride and silicon at 200-500° C., usually in the presence of copper or copper chloride, and often with H, C1 as additional reactants. An industrial application of the direct method has been reported. According to Nirache et al.
This reaction is performed using various methylchlorosilanes such as CH3S.
iCla, (CHs)2 S iC12, (CH3)
3S iC1, and CH3H81C1. However, Nirache et al. treat the waste (residual) silicon-containing reaction mass by dispersing the reaction mass in water or dilute hydrochloric acid and contacting the dispersion with a chlorine source at temperatures between 20 and 100°C. The silicon particles settle and separate from the supernatant, and the metal salts in the supernatant are precipitated, collected, and reused as new catalyst. Nirache et al. do not teach the production of monohydrogen trichlorosilane from waste metal reaction mass, nor do they report temperature selection effects.

トリクロロシランの良く知られている用途の中に、有機
官能性シランを作るためトリクロロシラン(モノ水素ト
リクロロシラン)のノλイドロシリル化、およびウニル
ナ−等によって1980年3月5日公告英国特許出願G
B第2028289号に論じられて°いる如き超純粋ケ
イ素の製造における原料としてのトリクロロシランの用
途かある。半導体工業における最近の発達は電子装置、
光電池、太陽電池等に対する低原価超純粋ケイ素に対す
る要求がますます増大している。
Among the well-known uses of trichlorosilane is the λ-hydrosilylation of trichlorosilane (monohydrogen trichlorosilane) to make organofunctional silanes, and the UK Patent Application G published March 5, 1980 by Unirna et al.
There are uses for trichlorosilane as a raw material in the production of ultrapure silicon, such as discussed in No. B2028289. Recent developments in the semiconductor industry include electronic equipment,
There is an increasing demand for low-cost ultra-pure silicon for photovoltaic cells, solar cells, etc.

ウニルナ−等は更にトリクロロシランおよび四塩化ケイ
素をケイ素と塩化水素の反応によって作ることを示して
いる。更に米国特許第2380995号でロチヨウはC
ompt、rend、第122巻、第531頁(189
6年)にコムによって記載されている如くケイ素と塩化
水素の反応を報告している、この中では、300〜44
0°Cに加熱したケイ素で充填した鉄管中に塩化水素を
通して約80%のトリクロロシランと20%の四塩化ケ
イ素の混合物を得ている。
Unirna et al. further show that trichlorosilane and silicon tetrachloride are made by the reaction of silicon and hydrogen chloride. Furthermore, in U.S. Patent No. 2,380,995, Rochiyo is C
ompt, rend, Volume 122, Page 531 (189
reported the reaction between silicon and hydrogen chloride as described by Kom in 1996), in which 300-44
A mixture of about 80% trichlorosilane and 20% silicon tetrachloride is obtained by passing hydrogen chloride through a silicon-filled iron tube heated to 0°C.

従ってトリクロロシランのための別の源を提供すること
、トリクロロシランを作る経済的な方法を提供すること
、およびトリクロロシランの収率を改良するようトリク
ロロシランを作るための合成を提供することが望まれて
いる。また直接法反応によってオルガノハロシランの製
造から得られる残存ケイ素含有接触塊体を支配する改良
された方法を提供することも望まれている。
It is therefore desirable to provide an alternative source for trichlorosilane, to provide an economical method of making trichlorosilane, and to provide a synthesis for making trichlorosilane that improves the yield of trichlorosilane. It is rare. It would also be desirable to provide an improved method for controlling residual silicon-containing contact mass obtained from the production of organohalosilanes by direct process reactions.

従って本発明の主目的はオルガノクロロシランの製造か
ら得られる残存ケイ素を利用する方法を提供することに
ある。
Therefore, the main object of the present invention is to provide a method for utilizing the residual silicon obtained from the production of organochlorosilanes.

本発明の別の目的はケイ素からトリクロロシランを得る
ための改良法を提供することにある。
Another object of the invention is to provide an improved process for obtaining trichlorosilane from silicon.

本発明の別の目的は残存接触環体からトリクロロシラン
を製造する方法を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a method for producing trichlorosilane from the remaining contact rings.

本発明の更に別の目的は、金属接触直接法でハロゲン化
アルキルとケイ素の反応から得られ7モノ水素トリハロ
シラン(トリハロシラン)の量を改良するための方法を
提供することにある。
Yet another object of the present invention is to provide a method for improving the amount of heptad-monohydrogen trihalosilanes (trihalosilanes) obtained from the reaction of alkyl halides with silicon in a direct metal catalytic process.

本発明の別の目的は金属接触直接法反応によってオルガ
ノクロロシランの製造から得られる残存ケイ素含有接触
塊体から得られるモノ水素トリクロロシラン(トリクロ
ロシラン)の収率を改良するための方法を提供すること
にある。
Another object of the present invention is to provide a process for improving the yield of monohydrogen trichlorosilane (trichlorosilane) obtained from residual silicon-containing catalytic mass obtained from the production of organochlorosilane by metal catalytic direct reaction. It is in.

本発明の他の目的および利点は以下−の詳細な説明から
明らかになるであろう。
Other objects and advantages of the invention will become apparent from the detailed description below.

本発明によれは金属接触直接法によるオルガノハロシラ
ンの製造から得られる残存ケイ素からモノ水素トリハロ
シランが製造される、この方法は残存ケイ素をガス状ハ
ロゲン化水素およびガス状ハロゲン化アルキルと同時に
接触させて残存ケイ素接触塊体を形成せしめ、残存ケイ
素接触塊体を、残存ケイ素接触塊体の実質的なアルキル
化が生ずる温度より低い温度で加熱し、これによって残
存ケイ素を上記温度で反応させてモノ水素トリハロシラ
ンを含有する反応生成物を生成させることからなる。本
発明によれば残存ケイ素接触塊体を加熱する温度の選択
に厳密な規制があり、それはケイ素接触塊体のアルキル
化を阻止または遅延させ、残存ケイ素接触塊体のハロゲ
ン化水素化か促進させる温度でなければならない。一般
に残存ケイ素接触塊体中のケイ素のハロゲン化水素化が
生ずる温度は約200〜約350℃である。温度選択性
は代りに、残存ケイ素接触塊体の実質的なアルキル化か
生ずる温度より低い温度として表わすことかできる。
According to the present invention, monohydrogen trihalosilanes are produced from residual silicon obtained from the production of organohalosilanes by a direct metal catalytic process, in which the residual silicon is simultaneously contacted with gaseous hydrogen halides and gaseous alkyl halides. heating the remaining silicon-contacted mass to a temperature below that at which substantial alkylation of the remaining silicon-contacted mass occurs, thereby causing the residual silicon to react at said temperature; It consists of producing a reaction product containing a monohydrogen trihalosilane. According to the present invention, there are strict restrictions on the selection of the temperature at which the remaining silicon contact mass is heated, which prevents or retards the alkylation of the remaining silicon contact mass and promotes the hydrohalogenation of the remaining silicon contact mass. Must be temperature. Generally, the temperature at which hydrohalogenation of silicon in the residual silicon contact mass occurs is from about 200 DEG C. to about 350 DEG C. Temperature selectivity can alternatively be expressed as the temperature below which substantial alkylation of the remaining silicon contact mass occurs.

本発明の目的の少なくとも幾かにょれば、また金属接触
直接法におけるハロゲン化γルキルとケイ素との反応か
ら得られるモノ水素トリハロシランの量を改良するため
の方法を提供し、これは、ケイ素をガス状ハロゲン化ア
ルキルおよびガス状ハロゲン化水素と同時に接触せしめ
てケイ素接触塊体を形成させ、ケイ素接触塊体のアルキ
ル化を阻止または遅延させ、ケイ素接触塊体のハロゲン
化水素化を生ぜしめるか促進させる約200〜約350
°Cの間の温度を選択し、選択した温度でケイ素接触塊
体を加熱し、かくしてケイ素を選択した温度でガス状ハ
ロゲン化アルキルおよびガス状ハロゲン化水素と反応さ
せてモノ水素トリハロシランの改良された収率を生せし
めることからなる。
According to at least some of the objects of the present invention, there is also provided a method for improving the amount of monohydrogen trihalosilanes obtained from the reaction of gamma alkyl halides with silicon in a direct metal catalytic process, which is simultaneously contacted with a gaseous alkyl halide and a gaseous hydrogen halide to form a silicon-contacted mass, preventing or retarding alkylation of the silicon-contacted mass and causing hydrohalogenation of the silicon-contacted mass. about 200 to about 350
°C and heating the silicon-contacted mass at the selected temperature, thus reacting the silicon with the gaseous alkyl halide and the gaseous hydrogen halide at the selected temperature to improve the monohydrogen trihalosilane. It consists of producing a certain yield.

残存ケイ素接触塊体にガス状塩化水素およびガス状塩化
メチルを一所に供給することによって、反応を選択した
低くした温度で実施したときケイ素と塩化メチルとの間
のアルキル化反応が抑制されることが本発明方法によっ
て証明された。塩化メチルの不存在下におけるカス状塩
化水素と金属状品質のケイ素との間の反応のケイ素利用
度に比して本発明方法を用いることによるケイ素利用度
においては若干のきせいがあるが、本発明方法は塩化メ
チル源が容易に利用しつる場合に望ましさを残している
。しかしながら、塩化メチルを塩化水素の不存在下に使
用するときの現実のケイ素利用度よりも本発明方法での
ケイ素利用度が増大することが証明された。各種のメチ
ルトリクロロシランと共にモノ水素トリクロロシランの
みならず四塩化ケイ素も作られることが判った。しかし
ながら低下させた操作温度を選択することによって、ア
ルキル化の抑制によるメチルクロロシランの生成の抑制
が達成され、一方モノ水素トリクロロシランを生成する
塩化水素化反応を促進する。
By supplying gaseous hydrogen chloride and gaseous methyl chloride to the residual silicon contact mass, the alkylation reaction between silicon and methyl chloride is suppressed when the reaction is carried out at the selected low temperature. This was proved by the method of the present invention. Although there is a slight disadvantage in the silicon utilization by using the process of the present invention compared to the silicon utilization of the reaction between gaseous hydrogen chloride and metallic quality silicon in the absence of methyl chloride, The process of the present invention remains desirable where a source of methyl chloride is readily available. However, it has been demonstrated that silicon utilization is increased in the process of the present invention over the actual silicon utilization when methyl chloride is used in the absence of hydrogen chloride. It has been found that not only monohydrogen trichlorosilane but also silicon tetrachloride can be produced along with various methyltrichlorosilanes. However, by selecting a reduced operating temperature, suppression of the formation of methylchlorosilane by suppression of alkylation is achieved, while promoting the hydrochlorination reaction to form monohydrogentrichlorosilane.

本発明はケイ素特に金属接触直接法によるオルガノハロ
シランの製造から得られる残存ケイ素をガス状ハロゲン
化水素の存在下にガス状ハロゲン化アルキルと反応させ
たきき、モノ水素トリハロシラン(HS xXs ) 
(Xはハロゲンである)の収率を改良する方法に関する
。従来反応はハロゲン化水素化の少量のみを伴うアルキ
ルハロゲン化ケイ素の製造を生せしめる残存ケイ素の実
質的なアルキル化反応であった。本発明の少なくとも幾
つかの目的によれは、温度を制御することにより、即ち
低い選択温度で反応を実施することにより、モノ水素ト
リハロシランの収率が実質的に改良され、一定の実施態
様においては、生成物は主としてモノ水素トリハロシラ
ンである。モノ水素トリハロンランの改良された収率を
達成するため、温度選択には厳密な規制かあり、ケイ素
または残存ケイ素接触塊体は、ケイ素または残存ケイ素
接触塊体の実質的なアルキル化が生ずる温度より低い温
度で加熱する。
The present invention involves reacting silicon, particularly residual silicon obtained from the production of organohalosilanes by a direct metal contact method, with gaseous alkyl halides in the presence of gaseous hydrogen halide to produce monohydrogentrihalosilane (HSxXs).
(X is halogen). Conventional reactions have been substantial alkylation reactions of residual silicon resulting in the production of alkyl silicon halides with only small amounts of hydrohalogenation. In accordance with at least some objects of the present invention, by controlling the temperature, i.e., by conducting the reaction at a lower selected temperature, the yield of monohydrogen trihalosilanes is substantially improved; In this case, the product is primarily monohydrogen trihalosilane. In order to achieve improved yields of monohydrogentrihalonranes, there are strict regulations on temperature selection, such that the silicon or residual silicon-contacting mass is heated at a temperature below the temperature at which substantial alkylation of the silicon or residual silicon-contacting mass occurs. Heat at low temperature.

ケイ素のアルキル化から生ずる主たるアルキルハロゲン
化ケイ素生成物はバリー等の米国特許第2488487
号およびニラチェ等の米国特許第2803521号に明
らかに示されている。また一定温度で種々な比率で塩化
メチルおよび塩化水素と金属品質のケイ素とを接触させ
ることによるアルキル化およびハロゲン化水素化の結果
はヴールヘーブの前述した文献に示されている。バリー
等の実施例および説明を見ると、温度選択を用いないと
、高温で金属触媒の存在下において塩化メチルおよび塩
化水素をケイ素に接触させたときケイ素のアルキル化が
主たる反応であることを知ることができる。ニラチェ等
も添加反応成分としての塩化水素および銅の存在下20
0〜500℃で塩化メチルおよびケイ素の反応から得ら
れる各種のメチルクロロシランを記載している。本発明
の方法によれば、アルキル化反応が抑制、阻止もしくは
遅延され、一方反応温度を注意深(選択し制御すること
によってハロゲン化水素化反応が促進される。ヴールヘ
ーブは、この現象は300 ’Cで一定温度を保ちつつ
、塩化水素に対する塩化メチルのモル比を変えることに
よっても生じうろことを示した。例えば塩化水素の量を
増大させることによって、ヴールヘーブは各種メチルク
ロロシランの量は減少するが、生成物中のトリクロロシ
ランの量は増大することを示した。
The primary alkyl halide silicon product resulting from silicon alkylation is Barry et al., US Pat. No. 2,488,487.
and U.S. Pat. No. 2,803,521 to Nirache et al. The results of alkylation and hydrohalogenation by contacting metallic quality silicon with methyl chloride and hydrogen chloride in various ratios at constant temperature are also shown in the above-mentioned paper by Woerheve. The examples and explanations of Barry et al. show that without temperature selection, alkylation of silicon is the predominant reaction when methyl chloride and hydrogen chloride are brought into contact with silicon in the presence of a metal catalyst at elevated temperatures. be able to. Nirache et al. 20 in the presence of hydrogen chloride and copper as added reaction components
Various methylchlorosilanes obtained from the reaction of methyl chloride and silicon at temperatures between 0 and 500°C are described. According to the process of the present invention, the alkylation reaction is inhibited, prevented or delayed, while the hydrogenhalogenation reaction is accelerated by careful selection and control of the reaction temperature.Wurheve describes this phenomenon in 300' He showed that this could also be achieved by changing the molar ratio of methyl chloride to hydrogen chloride while maintaining a constant temperature at C. For example, by increasing the amount of hydrogen chloride, Wuhrhave showed that although the amount of various methylchlorosilanes decreased, , showed that the amount of trichlorosilane in the product increased.

塩化メチルをガス状ハロゲン化アルキルとして使用し、
塩化水素をガス状ハロゲン化水素として使用したとき、
そして反応を銅の如き適切な触媒を用いた直接法によっ
て行なうとき、生成物は一般に四塩化ケイ素(5iC1
4) 、モノ水素トリクロロシラン(さもなくばここで
はトリクロロシランとも称する) (HSiCl3) 
、  メチル水素ジクロロシラン(CHs HS x 
C12) 、メチルトリクロロシラン(CH3SiC1
3)、ジメチルジクロロシラン((CH3)2SiC1
□)、トリメチルクロロシラン((CH3)3SユC1
)および一般にヘキサクロロジシラン(C13S 1−
 S ICI3)および各種シロキサンを含む幾つかの
成分からなる残余を含む。残余は一般に高沸点性分とし
て表わされ、70℃より犬なる沸点を有する成分を含む
。前述した如く、本発明方法によればそしてガス状ノ1
0ゲン化アルキルが塩化メチルであり、ガス状ハロゲン
化水素が塩化水素である好ましい実施態様において、所
望の生成物はモノ水素トリクロロシランである。
Using methyl chloride as the gaseous alkyl halide,
When hydrogen chloride is used as gaseous hydrogen halide,
and when the reaction is carried out by a direct method using a suitable catalyst such as copper, the product is generally silicon tetrachloride (5iC1
4) , monohydrogen trichlorosilane (otherwise referred to herein as trichlorosilane) (HSiCl3)
, methylhydrogendichlorosilane (CHs HS x
C12), methyltrichlorosilane (CH3SiC1
3), dimethyldichlorosilane ((CH3)2SiC1
□), trimethylchlorosilane ((CH3)3SyuC1
) and generally hexachlorodisilane (C13S 1-
SICI3) and the remainder consisting of several components including various siloxanes. The remainder is generally referred to as the high-boiling fraction, containing components with boiling points above 70°C. As mentioned above, according to the method of the present invention, gaseous no.
In preferred embodiments where the alkyl oxygenide is methyl chloride and the gaseous hydrogen halide is hydrogen chloride, the desired product is monohydrogentrichlorosilane.

本発明の方法の好ましい実施態様において、ケイ素は残
存ケイ素例えば反応中金属触媒を使用するオルガノクロ
ロシランの直接法合成または製造から得られる残存ケイ
素含有接触塊体である。本発明方法において、残存ケイ
素は、金属触媒を利用する直接法からの廃接触塊体であ
ることにより金属触媒を含有するものである、あるいは
金属触媒は、ケイ素接触塊体中に金属触媒が存在しない
とき、または残存接触塊体中に不充分な金属触媒を補う
ことが望ましいときにはケイ素接触塊体中に金属触媒を
加えるとよい。一般に本発明によれは、残存ケイ素含有
接触塊体は、直接法反応中加えた他の助剤および添加剤
を含有していてもよく、あるいは本発明の方法を妨害し
ない添加剤および助剤はハロゲン化水素化反応を促進し
または他の適当な目的のために加えてもよい。
In a preferred embodiment of the process of the invention, the silicon is a residual silicon-containing contact mass obtained from the direct synthesis or production of organochlorosilanes using a metal catalyst during the reaction, for example. In the method of the present invention, the residual silicon is a waste contact mass from a direct method using a metal catalyst and thus contains a metal catalyst, or the metal catalyst is a metal catalyst present in the silicon contact mass. Metal catalyst may be added to the silicon contact mass when this is not possible or when it is desired to make up for insufficient metal catalyst in the remaining contact mass. Generally, according to the invention, the residual silicon-containing contact mass may contain other auxiliaries and additives added during the direct process reaction, or additives and auxiliaries that do not interfere with the process of the invention. It may be added to accelerate the hydrohalogenation reaction or for other suitable purposes.

オルガノシランの直接法合成または製造は上述しまた米
国特許第238.0995号にも記載されている。本発
明は例えは米国特許第2380995号の直接法合成後
残った残存ケイ素含有接触塊体のそれ以上の処理をぜず
に実施できる。しかしながら好ましい実施態様において
は、残存ケイ素含有接触塊体は、例えは微粉砕、分離、
非反応性物質等を溶解または抽出するための薬剤での処
理によって、ハロゲン化水素化反応を毒するから妨害す
る残存接触塊体の部分を除くため更に処理する。一つの
好ましい実施態様において、直接法合成で得られる残存
ケイ素含有接触塊体はサーおよびリツツアーの米国特許
第4307242号に記載された処理をするとよい。こ
の方法によると(この米国特許の記載はここに引用して
組入れる)、「流出接触腕体粉末」または「ケイ素微粉
末」と称しているケイ素含有接触塊体を空気動力学遠心
力紋別機に送る。かかる紋別機は、粒度によってばらば
らの画分にサイクロン微粉を紋別することのできる装置
である。最も一般的な場合、比較的粗い微粉はオルガノ
クロロシラン反応器に再循環させ、最も微細な両分は捨
てる。しかしながら米国特許第4307242号によれ
ば、いわゆる最微細画分は主として最高率の非ケイ素不
純物を含有する、そしてサイズ画分を捨てるか、再循環
させるかについて決定しなければならない。米国特許第
4307242号による直接法オルガノハロシラン反応
器系からのケイ素金属接触塊体を精製するための方法に
おいては、反応器接触腕体の一部を粒度分布について分
析し、分析した接触環体を比較的純粋な第一両分と比較
的不純な第二両分に紋別し、第一および第二両分を分け
る。ケイ素微粉末または流出接触腕体粉末を二次サイク
ロンに集め、受器ポツパーに通し、その後トランスファ
ーホッパーに通し、それからケイ素微粉末を好ましくは
空気力学的または遠心力紋別機であるのが好ましい機械
的紋別機に通す。これらの微粉末はここではオルガノク
ロロシランの直接法製造から得られた廃ケイ素微粉末を
分離するため使用する二次サイクロンから集めたケイ素
微粉末として定義する。本発明の好ましい実施態様にお
いて比較的純粋な紋別した二次サイクロン微粉末を、塩
化水素の如きガス状ハロゲン化水素および塩化メチルの
如きガス状ハロゲン化アルキルと同時に接触させる、温
度は残存ケイ素含有接触塊体のアルキル化を阻止または
遅延させ、残存ケイ素含有接触塊体のハロゲン化水素化
を促進する約200〜約350℃の温度を選択する、そ
して残存ケイ素含有接触塊体を選択した温度で加熱し、
これによってケイ素を選択した温度でカス状ハロゲン化
アルキルおよびガス状ハロゲン化水素と反応させてモノ
水素トリハロシランの改良された収率を生せしめる。
Direct synthesis or production of organosilanes is described above and also in US Pat. No. 238.0995. The present invention can be carried out without further treatment of the residual silicon-containing contact mass left after the direct synthesis of, for example, US Pat. No. 2,380,995. However, in a preferred embodiment, the residual silicon-containing contact mass is, for example, milled, separated,
It is further processed to remove portions of the remaining contact mass that would poison and otherwise interfere with the hydrohalogenation reaction by treatment with agents to dissolve or extract non-reactive substances and the like. In one preferred embodiment, the residual silicon-containing contact mass obtained from the direct synthesis may be treated as described in Sur and Ritzer, US Pat. No. 4,307,242. According to this method (this U.S. patent is incorporated herein by reference), a silicon-containing contact mass, referred to as a "flow contact arm powder" or "silicon fine powder", is subjected to an aerodynamic centrifugal separation machine. send. This sorting machine is a device that can separate cyclone fine powder into different fractions depending on particle size. Most commonly, the coarser fines are recycled to the organochlorosilane reactor and the finest fraction is discarded. However, according to US Pat. No. 4,307,242, the so-called finest fraction primarily contains the highest percentage of non-silicon impurities, and a decision must be made as to whether to discard or recycle the size fraction. In a method for purifying silicon metal contact mass from a direct organohalosilane reactor system according to U.S. Pat. No. 4,307,242, a portion of the reactor contact arm is analyzed for particle size distribution and the analyzed contact rings are It is divided into relatively pure 1st ryobun and relatively impure 2nd ryobun, and the 1st and 2nd ryobun are separated. The fine silicon powder or effluent contact arm powder is collected in a secondary cyclone, passed through a receiver popper and then through a transfer hopper, and then the fine silicon powder is separated by a mechanical, preferably aerodynamic or centrifugal separator. Pass it through the Monbetsu machine. These fine powders are defined herein as silicon fine powders collected from secondary cyclones used to separate waste silicon fine powders obtained from direct process production of organochlorosilanes. In a preferred embodiment of the invention, a relatively pure separated secondary cyclone fine powder is contacted simultaneously with a gaseous hydrogen halide, such as hydrogen chloride, and a gaseous alkyl halide, such as methyl chloride, at a temperature that is equal to or less than the residual silicon-containing contact temperature. selecting a temperature from about 200 to about 350° C. that prevents or retards alkylation of the mass and promotes hydrohalogenation of the remaining silicon-containing contact mass, and heating the remaining silicon-containing contact mass at the selected temperature; death,
This allows silicon to react with the casseous alkyl halide and gaseous hydrogen halide at selected temperatures to produce improved yields of monohydrogen trihalosilanes.

別の実施態様において、残存ケイ素源は、ドットソンの
米国特許第31331゛09号に記載されている方法お
よび装置からとったケインの微粉砕粒子である(この特
許はここに引用して組入れる)。この特許では、流動床
反応器からのケイ素を含有する粒子を外部流体エネルギ
ーミルに通すか、それらを反応器の底部に置いた多数の
超首波ジェット中に通し、粒子の相互衝突または反応器
の避への衝突の結果としてケイ素粒子を粉砕させる。例
えば圧縮、衝撃、研摩、摩砕等からケイ素含有混合物の
個々の粒子の破砕によって粉末化した任意の残存ケイ素
含有接触塊体を本発明方法で使用できる。
In another embodiment, the residual silicon source is Cain's finely ground particles taken from the method and apparatus described in Dotson, U.S. Pat. No. 31,331'09, which patent is incorporated herein by reference. . In this patent, silicon-containing particles from a fluidized bed reactor are passed through an external fluid energy mill, or they are passed through a number of superneck jets placed at the bottom of the reactor, and the particles collide with each other or the reactor The silicon particles are shattered as a result of the collision. Any residual silicon-containing contact mass that has been pulverized by crushing individual particles of the silicon-containing mixture, eg, from compaction, impact, abrasion, grinding, etc., can be used in the process of the invention.

ある場合には、ケイ素源として、上述した如き方法で決
して使用されなかった新しいケイ素粉末を使用すること
ができる。例えば最終的な生成物の汚染を生ぜしめうる
汚染物を好ましくは含有しない微粉砕ケイ素を、当業者
に良(知られている触媒の如き適当な触媒と組合せて本
発明の方法において使用できる。
In some cases, new silicon powder, which has never been used in the method described above, can be used as the silicon source. For example, finely divided silicon, which preferably does not contain contaminants that could cause contamination of the final product, can be used in the process of the invention in combination with a suitable catalyst, such as those well known to those skilled in the art.

本発明方法で使用しうるケイ素または残存ケイ素粒子の
大きさには厳密な規制はなく、ケイ素または残存ケイ素
は任意の微粉化した形であればよく、最良の結果のため
には一般に反応器中のケイ素は約20μ〜約200μの
範囲の平均粒子直径を有する。ケイ素粒子の少なくとも
25重量%は約20μ〜約200μの範囲に実際の直径
を有するのが好ましい。前述した如く、本発明方法にお
いて、種々な種類のケイ素合金、残存ケイ素合金、また
は相当するケイ素または残存ケイ素と金属の混合物を使
用してもよい。
There are no strict restrictions on the size of the silicon or residual silicon particles that may be used in the process of the invention; the silicon or residual silicon may be in any finely divided form, and for best results it is generally The silicon has an average particle diameter ranging from about 20μ to about 200μ. Preferably, at least 25% by weight of the silicon particles have an actual diameter in the range of about 20 microns to about 200 microns. As previously mentioned, various types of silicon alloys, residual silicon alloys, or corresponding mixtures of silicon or residual silicon and metals may be used in the process of the present invention.

使用しうるケイ素合金または混合物の例には、カルシウ
ム−ケイ素合金、カルシウム−マンガン−ケイ素合金、
マンガン−ジルコニウム−ケイ素合金、鉄−ケイ素合金
、チタン−ケイ素合金、ジルコニウム−ケイ素合金、銅
−ケイ素合金、ケイ素と銅、ニッケル、錫、または銀等
との均質混合物を含む。
Examples of silicon alloys or mixtures that can be used include calcium-silicon alloys, calcium-manganese-silicon alloys,
Includes manganese-zirconium-silicon alloy, iron-silicon alloy, titanium-silicon alloy, zirconium-silicon alloy, copper-silicon alloy, homogeneous mixture of silicon and copper, nickel, tin, or silver, etc.

本発明の方法を実施しうる装置についての制限はないが
、装置はケイ素または残存ケイ素を適切にハロゲン化ア
ルキルおよびハロゲン化水素と接触させることができ、
ハロゲン化水素化反応のため選択した温度で保ちかつ制
御できる装置としなければならない。反応器または反応
室は任意の適当な大きさまたは形のものでよく、反応成
分および生成物および/または副生成物との反応に介入
しないか、腐蝕されない材料から作るのが好ましい。装
置は前述した臨界的な温度または臨界温度範囲内でケイ
素またはケイ素含有接触腕体を加熱できるものでなけれ
ばならない。本発明方法は連続的に、間欠的にまたは回
分式に実施できる。この方法を実施するため適当な先行
技術を利用できる。
There are no limitations as to the equipment that may carry out the process of the invention, but the equipment can suitably contact silicon or residual silicon with alkyl halides and hydrogen halides;
The equipment must be able to maintain and control the selected temperature for the hydrohalogenation reaction. The reactor or reaction chamber may be of any suitable size or shape and is preferably constructed from materials that do not interfere with or corrode the reaction components and products and/or by-products. The apparatus must be capable of heating the silicon or silicon-containing contact arm to the critical temperature or temperature range described above. The process according to the invention can be carried out continuously, intermittently or batchwise. Any suitable prior art is available to implement this method.

本発明方法を実施するための一つの方法は、アルキル化
を遅延させるか阻止し、ハロゲン化水素化を促進する選
択温度で保った残存ケイ素の固定床」二またはその中に
ハロゲン化水素と混合したハロゲン化アルキルを導通す
ることからなる。別のフレでは、選択温度で加熱したタ
ンブラ−を保ちながら、残存ケイ素を含有する回転し、
外部加熱したタンブラ−中にハロゲン化アルキルおよび
ハロゲン化水素の蒸気を同時に通ずことによって実施で
きる。本発明方法を実施する更に別の方法は、残存ケイ
素と接覆る前に、ハロゲン化水素化を促進し、アルキル
化を阻止する選択温度に蒸気混合物を予備加熱すること
からなる。
One method for carrying out the process of the present invention is a fixed bed of residual silicon kept at a selected temperature that retards or prevents alkylation and promotes hydrohalogenation, or mixed with hydrogen halide therein. The process consists of conducting the alkyl halide. In another experiment, while keeping the tumbler heated at a selected temperature, the tumbler containing residual silicon is rotated,
This can be carried out by simultaneously passing alkyl halide and hydrogen halide vapors through an externally heated tumbler. Yet another method of carrying out the process of the invention consists in preheating the vapor mixture, prior to contact with the residual silicon, to a selected temperature that promotes hydrohalogenation and inhibits alkylation.

反応室中へのガスおよび/または蒸気の導入に厳密な規
制はなく、ハロゲン化水素ガスおよびハロゲン化アルキ
ルガスまたは蒸気を反応室または容器に導入する前に混
合してもよく、あるいはそれらは別々に反応室または容
器に導入してもよい。反応室または容器中のガスの好適
嘱 な比を与えるため通常の計量および/または計測装置を
使用するとよい。反応器中にカスの多爪流を供給するこ
とも本発明の範囲内に入る。
There are no strict restrictions on the introduction of gases and/or vapors into the reaction chamber; the hydrogen halide gas and the alkyl halide gas or vapor may be mixed before being introduced into the reaction chamber or vessel, or they may be separated. may be introduced into the reaction chamber or container at any time. Conventional metering and/or metering equipment may be used to provide suitable ratios of gases in the reaction chamber or vessel. It is also within the scope of this invention to feed multiple streams of waste into the reactor.

−の好ましい実施態様において、この方法41残存ケイ
素またはケイ素の流動床を形成させることによって行な
い、残存ケイ素またはケイ素を流動床の形で保ちながら
それらを適切なガスまたは蒸気によって接触させる。残
存ケイ素の流動床を保つための種々な実施態様を使用で
き、反応器内で流動状態で残存ケイ素を保つに充分なガ
スまたは蒸気速度の使用を含む。これは粒状物質を流動
化するのに好適な速度で粒状残存ケイ素中にハロゲン化
アルキルおよび/またはハロゲン化水素を注入すること
によって達成できる。ガスおよび/または蒸気の最適速
度は当業者によって決定できることであり、種々な操作
条件によって決る。撹拌法反応器を使用するとき、また
はロータリーキルンを使用するとき、ガス速度または流
速は反応器中のケイ素の流動化に要する最低速度以下で
あることができ、ケイ素との反応に要するノ10ゲン化
水素およびノ10ゲン化アルキルの理論量をより正確に
反映させることかできる。本来lXロゲン化アルキルよ
びハロケン化水素と接触させながら流動化状態で残存ケ
イ素の床を保つために他の通常の流動化手段を使用して
もよく、流動化状態で残存ケイ素の床を保つための手段
の組合せを利用することも本発明の範囲内に入る。強力
な通気手段を必要とするため一般には望ましくないので
あるが、残存ケイ素含有接触腕体を流動化するためまた
は流動化の他の手段を補うため不活性ガス例えば窒素を
使用することかできる。通常の流動床反応器はリード等
の米国特許第2389931号に記載されている。カス
状材料と残存ケイ素を接触させるための他の手段に  
−は、セラーの米国特許第2449821号に記載され
ている如き撹拌原型の反応器または通常のロータリーキ
ルンによる手段を含む。反応器中の残存ケイ素の床を加
熱し、残存ケイ素床を、ハロゲン化水素化反応を促進し
、γルキル化反応を阻止する選択温度で保つための手段
は任意の従来からの手段によってもよく、ガスおよび/
または蒸気の加熱を含む冷却および/または加熱の内部
および外部源の両方を本発明方法で使用できる。前述し
た文献はその中に含まれる床を加熱するための通常の手
段の例を提供する。
- In a preferred embodiment, this method 41 is carried out by forming a fluidized bed of residual silicon or silicon, contacting them with a suitable gas or steam while keeping the residual silicon or silicon in the form of a fluidized bed. Various embodiments for maintaining a fluidized bed of residual silicon can be used, including the use of gas or vapor velocities sufficient to maintain the residual silicon in a fluidized state within the reactor. This can be accomplished by injecting the alkyl halide and/or hydrogen halide into the particulate residual silicon at a rate suitable to fluidize the particulate material. The optimum rate of gas and/or steam can be determined by one skilled in the art and will depend on various operating conditions. When using a stirred reactor or when using a rotary kiln, the gas velocity or flow rate can be less than or equal to the minimum velocity required to fluidize the silicon in the reactor and reduce the oxidation required for reaction with the silicon. The theoretical amounts of hydrogen and alkyl 10genide can be more accurately reflected. Other conventional fluidization means may be used to maintain the bed of residual silicon in a fluidized state while in contact with the alkyl halide and the hydrogen halide, and to maintain the bed of residual silicon in a fluidized state. It is also within the scope of the invention to utilize a combination of the following measures. Inert gases such as nitrogen may be used to fluidize the remaining silicon-containing contact arms or to supplement other means of fluidization, although this is generally undesirable due to the need for strong venting means. A conventional fluidized bed reactor is described in Reed et al. US Pat. No. 2,389,931. Other means for contacting the residual silicon with the scrap material
- includes means by a stirred prototype reactor or conventional rotary kiln as described in Seller US Pat. No. 2,449,821. The means for heating the residual silicon bed in the reactor and maintaining the residual silicon bed at a selected temperature that promotes the hydrohalogenation reaction and inhibits the gamma alkylation reaction may be any conventional means. , gas and/or
Both internal and external sources of cooling and/or heating, including or steam heating, can be used in the method of the invention. The aforementioned documents provide examples of conventional means for heating beds contained therein.

本発明の好ましい実施態様においてはハロゲン化アルキ
ルは塩化メチル(CH3C1)である。一般に本発明方
法で使用しうるハロゲン化アルキルには、一般式 %式% (式中Xはハロゲンであり、nは1〜4の整数である)
を有するものを含む。炭素原子数1〜4を有するアルキ
ル基は直鎖または有枝鎖であることができる。ハロゲン
は塩素、臭素、沃素または弗素であることができる。本
発明方法にオイて、反応中車−ハロゲン化アルキルを使
用してもよ(、あるいはハロゲン化アルキルの混合物を
使用してもよい。
In a preferred embodiment of the invention the alkyl halide is methyl chloride (CH3C1). In general, the alkyl halides that can be used in the process of the invention include the general formula %, where X is a halogen and n is an integer from 1 to 4.
Including those with. Alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms can be straight-chain or branched. Halogen can be chlorine, bromine, iodine or fluorine. In the process of the invention, alkyl halides (or mixtures of alkyl halides) may be used during the reaction.

本発明方法で使用しつる好ましいハロゲン化水素は塩化
水素である。しかしながら種々な実施態様において、ハ
ロゲン化水素として臭化水素、沃化水素または弗化水素
を使用できる。本発明方法においてはハロゲン化水素の
混合物を使用することもできる。
The preferred hydrogen halide used in the process of the invention is hydrogen chloride. However, in various embodiments, hydrogen bromide, hydrogen iodide or hydrogen fluoride can be used as the hydrogen halide. It is also possible to use mixtures of hydrogen halides in the process of the invention.

本発明の方法で使用するハロゲン化水素およびハロゲン
化アルキルの量または割合には厳密な規制はない。通常
蒸気化したハロゲン化アルキル1容會部について、ハロ
ゲン化水素05〜20容量部を使用する、しかし所望に
よってはハロゲン化水素はより大きなまたはより小さな
割合で使用することができる。一定の実施態様において
ハロゲン化アルキル対ハロゲン化水素のモル比は約6=
1〜約に〇の範囲である。
There are no strict restrictions on the amounts or proportions of hydrogen halides and alkyl halides used in the process of the invention. Usually from 05 to 20 parts by volume of hydrogen halide are used for 1 part by volume of vaporized alkyl halide, but if desired hydrogen halide can be used in larger or smaller proportions. In certain embodiments, the molar ratio of alkyl halide to hydrogen halide is about 6=
It is in the range of 1 to about 0.

しかしながらある好ましい実施態様においては、ハロゲ
ン化アルキル対ハロゲン化水素のモル比は約3二1〜約
1=3の範囲である。本発明の好マシイ一実施態様にお
いて、ハロゲン化アルキルが塩化メチルであり、ハロゲ
ン化水素が塩化水素であるとき、塩化メチル対塩化水素
のモル比は約3:1である。前述した如(、塩化水素の
量が増大するに従って、銅触媒の存在下300℃の温度
でケイ素と塩化メチルおよび塩化水素の反応においてト
リクロロシランの量が増大することをヴールヘーブによ
って報告されている。
However, in certain preferred embodiments, the molar ratio of alkyl halide to hydrogen halide ranges from about 321 to about 1=3. In one preferred embodiment of the invention, when the alkyl halide is methyl chloride and the hydrogen halide is hydrogen chloride, the molar ratio of methyl chloride to hydrogen chloride is about 3:1. As mentioned above, it has been reported by Woerheve that as the amount of hydrogen chloride increases, the amount of trichlorosilane increases in the reaction of silicon with methyl chloride and hydrogen chloride at a temperature of 300° C. in the presence of a copper catalyst.

本発明方法におけるガスまたは蒸気流の速度に厳密な規
制はないが、しかし好ましい実施態様においては、残存
ケイ素の床中の一回通過でハロゲン化アルキルの約0.
5以上消費を生げしめるように制御する。−回通過で高
変換率を達成することは時には困難であるから、その場
合かなりの部分、例えば床から流れ出る蒸気の約05〜
約08をハロゲン化アルキルのそれ以上の消費を生せし
めるよう床中に再循環させることかできる。かかる蒸気
の再循環は、反応帯域全体の温度をより均−近くにする
別の利点を有し、また床の局所ではな(て、残存ケイ素
含有床の大きな部分全般で反応を生ぜしめる傾向を有す
る。この形で操作する間、残存ケイ素床から流出する、
即ち反応器から流出する蒸気の一部を反応系から取り出
し、冷却してその中の生成物を凝縮させてもよい。操作
は残存ケイ素中のケイ素が所望点まで消費されるまで続
けるとよい。前述した如く、回分式も可能である、ある
場合には反応器をハロゲン化アルキルおよびハロゲン化
水素で始めから仕込みをし、反応が完了するまで所望選
択温度で保つことができる。
There are no strict limitations on the rate of gas or vapor flow in the process of the present invention, but in a preferred embodiment, about 0.05% of the alkyl halide in one pass through the bed of residual silicon.
Control to increase consumption of 5 or more. - Since it is sometimes difficult to achieve high conversion rates in multiple passes, a significant proportion of the vapor flowing out of the bed, e.g.
Approximately 0.08 can be recycled into the bed to effect further consumption of alkyl halide. Such vapor recirculation has the additional advantage of making the temperature throughout the reaction zone more uniform, and tends to cause reactions not locally in the bed, but throughout large portions of the residual silicon-containing bed. During operation in this manner, effluent from the residual silicon bed,
That is, a portion of the vapor exiting the reactor may be removed from the reaction system and cooled to condense the products therein. The operation may be continued until the silicon in the remaining silicon is consumed to a desired point. As previously mentioned, a batch process is also possible; in some cases the reactor can be initially charged with the alkyl halide and hydrogen halide and maintained at the desired selected temperature until the reaction is complete.

反応の完了または実質的な完了は以下に詳述する生成物
分析によって容易に決定できる。
Completion or substantial completion of the reaction can be readily determined by product analysis as detailed below.

前述した如り、残存ケイ素とハロゲン化アルキルおよび
ハロゲン化水素との反応温度には厳密な規制があり、ケ
イ素の所望のハロゲン化水素化を達成させるため選択的
にしなけれはならない。残存ケイ素接触腕体、即ちハロ
ゲン化水素およびハロゲン化アルキルの存在下における
残存ケイ素はこの方法の可変要因によって決る約200
〜約350℃の範囲での温度で選択的に加熱する。従っ
て本発明方法によるモノ水素トリハロシランの改良され
た収率を達成するため、残存ケイ素接触腕体を、ケイ素
の実質的なアルキル化が生ずるか促進される温度より低
い温度でガス状ハロゲン化水素およびガス状ノ)ロゲン
化アルキルの存在下に加熱する。一般にモノ水素トリク
ロロシランの製造に当って、残存ケイ素は、残存ケイ素
の実質的なアルキル生じる温度より低い温度で、ケイ素
の実質的なハロゲン化水素化か生ずる温度である約20
0〜約350℃の温度で、塩化メチルおよび塩化水素の
存在下に加熱する。一般に実質的なノ10ゲン化水素化
は、ガスクロマトグラフィで測定したとき、生成物の約
15重量%かモノ水素トリハロシランとなったとき到達
したと考えられる。一般にガスクロマトグラフィで測定
したとき生成物中のオルガノハロシランの分布が約70
重量%以上に合計でなったときアルキル化か実質的に生
じたと考えられる。例えば残存ケイ素接触塊体中のケイ
素とノ10ゲン化アルキルおよびハロゲン化水素との間
の反応生成物中のモノ水素トリハロシランの量を改良す
るニ当ッテハ、温度は約200〜約350°Cの1mで
選択し、この間の温度でケイ素接触腕体のアルキル化を
咀止し、ケイ素接触腕体のノ10ゲン化水素化を生ぜし
め、ケイ素接触腕体を選択温度で加熱しケイ素をガス状
ノ10ゲン化アルキルおよびノ10ゲン化水素と反応さ
せてモノ水素トリノ\ロシランの改良された収率を生せ
しめる。
As mentioned above, the reaction temperature of the residual silicon with the alkyl halide and hydrogen halide is subject to strict regulations and must be selective in order to achieve the desired hydrohalogenation of the silicon. The residual silicon contact arm, i.e., the residual silicon in the presence of hydrogen halides and alkyl halides, is about 200 ml, depending on process variables.
Selectively heated at a temperature in the range of ~350<0>C. Therefore, in order to achieve improved yields of monohydrogen trihalosilanes by the process of the invention, the remaining silicon contact arms are treated with gaseous hydrogen halide at a temperature below that at which substantial alkylation of the silicon occurs or is promoted. and heating in the presence of a gaseous alkyl chloride. Generally, in the production of monohydrogen trichlorosilane, residual silicon is used at a temperature lower than the temperature at which substantial alkyl formation of the residual silicon occurs, and at a temperature at which substantial hydrogenation of the silicon occurs, which is about 20°C.
Heat in the presence of methyl chloride and hydrogen chloride at a temperature of 0 to about 350°C. Generally, substantial hydrogenation is considered to be reached when about 15% by weight of the product is monohydrogen trihalosilane as determined by gas chromatography. Generally, the distribution of organohalosilanes in the product is about 70% when measured by gas chromatography.
Alkylation is considered to have substantially occurred when the total amount is greater than or equal to % by weight. For example, in order to improve the amount of monohydrogen trihalosilane in the reaction product between silicon and alkyl halogenide and hydrogen halide in the residual silicon contact mass, the temperature is about 200 to about 350°C. 1 m of the silicon contact arm, at a temperature between this temperature, the alkylation of the silicon contact arm is stopped, and the silicon contact arm is hydrogenated by hydrogenation, and the silicon contact arm is heated at a selected temperature to convert the silicon into a gas. The reaction with alkyl decagenide and hydrogen decagenide results in an improved yield of monohydrogen trino\rosilane.

温度選択性は、ガスクロマトグラフィまたはガスの組成
を測定するための同様の手段によって生成物流、ガス循
環流、反応室中のガス等を監視することによる生成物分
析で容易に決定できる。この固有の流れまたは室の監視
は間欠的でも連続的でもよく、当業者に良(知られてい
る普通の装置および方法で実施できる。アルキル化反応
が生じ、オルガノl)ロシランか望ましからぬ量、即ち
監視した流れまたは室中に実質的な量で出現したとき、
残存ケイ素塊体中のケイ素のアルキル化を抑制し、ノ1
0ゲン化水素化を促進するため温度を低下させる。更に
ある場合には、アルキル化を抑制し、ノ\ロゲン化水素
化を促進する範囲内で温度を抑制する必要があることか
ある。例えば反応がその開始後発熱性になったとき、ケ
イ素のアルキル化を抑制し、ケイ素のハロゲン化水素化
を促進する範囲内で温度を制御することが望ましい。こ
れは上述した如く流れおよび/または室中のガスを監視
することによって決定することもでき、選択温度を保つ
ため通常の冷却を提供するためおよび/または加熱を停
止するため適当な処置をとることかできる。上述したこ
とから選択温度はアルキル化反応が抑制され、ハロゲン
化水素化反応が促進される範囲内の温度範囲を包含する
こともできる。
Temperature selectivity can be readily determined by product analysis by monitoring the product stream, gas recycle flow, gas in the reaction chamber, etc. by gas chromatography or similar means for determining the composition of the gas. This specific flow or chamber monitoring may be intermittent or continuous and can be carried out using conventional equipment and methods well known to those skilled in the art. amount, i.e., when it appears in a substantial amount in the stream or room being monitored;
Suppressing the alkylation of silicon in the residual silicon mass, No.1
The temperature is lowered to promote hydrogenation. Furthermore, in some cases it may be necessary to suppress the temperature within a range that suppresses alkylation and promotes chlorohydrogenation. For example, when the reaction becomes exothermic after its initiation, it is desirable to control the temperature within a range that inhibits silicon alkylation and promotes silicon hydrohalogenation. This can also be determined by monitoring the flow and/or gas in the room as described above, and taking appropriate action to provide normal cooling and/or to stop heating to maintain the selected temperature. I can do it. In view of the foregoing, the selected temperature may also include a temperature range within which the alkylation reaction is suppressed and the hydrohalogenation reaction is promoted.

残存ケイ素接触塊体中のケイ素とハロゲン化アルキルお
よびハロゲン化水素との間の反応を行なう一定の可変要
因には、出発材料として使用する個々のハロゲン化アル
キルおよびハロゲン化水素、および反応を行なう条件例
えば反応成分の接触時間、ケイ素の量および粒度等を含
む。史に速度定数には各反応および条件の変化の下で異
なる、これは温度選択に効果を自する、しかし、実際問
題として、温度選択は、前述した如く生成物ガスを監視
することによって任意の反応条件、反応成分、反応装置
に対して最も容易に決定される。
Certain variables that effect the reaction between silicon and alkyl halides and hydrogen halides in the residual silicon contact mass include the particular alkyl and hydrogen halides used as starting materials and the conditions under which the reactions are conducted. Examples include contact time of reaction components, amount of silicon, particle size, etc. Historically, the rate constant is different for each reaction and under changing conditions, and this has an effect on temperature selection; however, as a practical matter, temperature selection can be determined at any given time by monitoring the product gases as described above. Most easily determined for reaction conditions, reaction components, and reactor equipment.

反応は通常大気圧で行なう、しかしより低い圧力または
非常に高い圧力例えば2 0 0 0 1bs/ in
.”という高い圧力を使用できる。所望によっては稀釈
剤例えは二酸化炭素、−酸化炭素、四塩化ケイ素、窒素
、および他の種々な不活性ガスを加えてもよい。
The reaction is usually carried out at atmospheric pressure, but at lower or very high pressures, e.g. 20001 bs/in.
.. Optionally, diluents such as carbon dioxide, carbon oxide, silicon tetrachloride, nitrogen, and various other inert gases may be added.

本発明方法によって形成される生成物は、通常の装置お
よび方法で集収し、分離することができる。例えば本発
明の反応からの生成物は任意の適当な方法で適当に集め
それらからモノ水素トリクロロシランを分離することが
できる。
The products formed by the process of the invention can be collected and separated using conventional equipment and methods. For example, the products from the reactions of the present invention can be suitably collected and the monohydric trichlorosilane separated therefrom by any suitable method.

集収する一つの方法は適切な冷却剤例えばメタノール基
冷却剤で約−20℃に冷却した通常のコンデンサー中で
凝縮させる。これはモノ水素トリクロロシラン、四ハロ
ゲン化ケイ素、オルガノハロシランおよび他の副生成物
および残渣を凝縮させる。それらを適当に集収し、その
後分別蒸溜を含む任意適当な分離法で分離することがで
きる。
One method of collection is condensation in a conventional condenser cooled to about -20°C with a suitable coolant, such as a methanol-based coolant. This condenses monohydrogen trichlorosilane, silicon tetrahalides, organohalosilanes and other by-products and residues. They can be suitably collected and then separated by any suitable separation method, including fractional distillation.

一般ニモノ水素トリハロシランの収率を減少さぜる加水
分解副生成物およびその他の望ましからぬ副生成物の形
成を阻止するため無水条件下に本発明方法を実施するの
が望ましい。従って好ましい実施態様においては、装置
および反応成分から水分を排除するための工程をとると
よい。
It is desirable to carry out the process under anhydrous conditions to prevent the formation of hydrolysis by-products and other undesirable by-products that reduce the yield of general dimonohydrogen trihalosilanes. Therefore, in preferred embodiments, steps may be taken to exclude moisture from the apparatus and reaction components.

下記実施例は本発明の例示であり、本発明の範囲を限定
するためのものではない。
The following examples are illustrative of the invention and are not intended to limit the scope of the invention.

反応器として、床撹拌のための電動機駆動不連続らせA
i撹拌機および特別のフランジ端プラグを備えた長さ4
5.7 Cm (18in、 ) 、直径2.54ct
n(1irL)からなる不銹鋼の2.54crn(1m
)電気加熱撹拌法反応器を使用した。管区分を上方反応
帯域と下方反応帯域に分け、各反応帯域にそれぞれ所望
温度セットで保つためのそれぞれ独立した加熱器を備え
た。反応器の胴または筈は熱損失および熱変動を防ぐた
め充分に絶縁した。ガスおよび/または蒸気源を供給す
るため、即ちハロゲン化アルキルおよび/’%ロゲン化
水素を供給するため入口を管の底に設けた。1の頂部に
出口を設け、液体トリクロロシラン生成物および副生成
物の果状およびガスの排出のため適当なコンデンサーを
備えた。反応ガスの腐蝕効果を最少′にするため適当な
ガラスおよびプラスチック接続子および管を使用した。
As a reactor, a motor-driven discontinuous chain A for bed stirring
i Length 4 with agitator and special flange end plug
5.7cm (18in, ), diameter 2.54ct
2.54 crn (1 m
) An electrically heated and stirred reactor was used. The tube section was divided into an upper reaction zone and a lower reaction zone, and each reaction zone was equipped with an independent heater to maintain the desired temperature set. The reactor shell or shell was well insulated to prevent heat loss and fluctuations. Inlets were provided at the bottom of the tube for supplying gas and/or vapor sources, ie alkyl halides and/'% hydrogen halide. 1 was provided with an outlet at the top and equipped with a suitable condenser for the discharge of liquid trichlorosilane product and by-products and gases. Appropriate glass and plastic fittings and tubing were used to minimize the corrosive effects of the reactant gases.

これらの実施例のため反応はバッチ式で行なった。For these examples the reactions were carried out batchwise.

下記実施例で使用した残存ケイ素含有接触腕体は米国特
許第4307242号に記載された方法で前述した二次
サイクロン微粉末からなっていた。残存ケイ素二次サイ
クロン微粉末を分析し、これは約2.1重量%の炭素、
3.8重量%の銅、27重量%の鉄、1.7重量%のア
ルミニウム、■。0重量%の亜鉛、69.0重量%のケ
イ素、および残余塩素水素および痕跡iの他の元素を含
有していた。上述した撹拌床反応器中に表示量の二次サ
イクロン微粉末を入れた。反応帯域温度は実験中選択し
た温度で保った。塩化メチルおよび/または無水塩化水
素を、線状質量流量計によって各実施例に示した速度で
反応帯域中に計量して入れた。反応は三つの温度、即ち
300°C1250℃および200℃で実施した。反応
研究目IJ、熱電対探針を用い反応器内部温度プロフィ
ルを窒素流で確立した。この方法で温度制御セツティン
グを測定した。反応条件士、反応器外部温度(反応およ
び上方帯域の両方)を連続的に監視した。
The residual silicon-containing contact arms used in the following examples were comprised of secondary cyclone fine powder previously described in the manner described in U.S. Pat. No. 4,307,242. The residual silicon secondary cyclone fine powder was analyzed and found to contain about 2.1% by weight of carbon,
3.8% by weight copper, 27% by weight iron, 1.7% by weight aluminum, ■. It contained 0% by weight zinc, 69.0% by weight silicon, and residual chlorine hydrogen and traces of other elements. The indicated amount of secondary cyclone powder was placed in the stirred bed reactor described above. The reaction zone temperature was maintained at the selected temperature throughout the experiment. Methyl chloride and/or anhydrous hydrogen chloride were metered into the reaction zone by a linear mass flow meter at the rates indicated in each example. The reaction was carried out at three temperatures: 300°C, 1250°C and 200°C. For reaction studies, a thermocouple probe was used to establish the reactor internal temperature profile with nitrogen flow. Temperature control settings were measured in this manner. The reaction conditioner continuously monitored the reactor external temperature (both reaction and upper zone).

塩化メチル反応成分流は、シリーズ中口りメーター線状
質料流量計を用いて標準化した。塩化水素共原制は適当
な修正要因を用いて線状質料流量計を用いて達成した。
The methyl chloride reaction component flow was standardized using a series hollow meter linear mass flow meter. Hydrogen chloride co-priming was achieved using a linear mass flowmeter with appropriate correction factors.

反応速度は単位時間についての粗製生成物の回収によっ
て測定した。メチルクロロシラン粗製物(粗製画分)は
、ガスクロマトグラフィ分析を基にして未反応塩化メチ
ルに対して修正した即ち規格化した。ケ不素利用度は、
接触環体試料のアルカリ溶融法で測定したとき、初めの
ケイ素a度から、生成物を形成するため消費されたケイ
素を減じて計算した。このため適切なケイ素分析を利用
するとよい。
The reaction rate was determined by the recovery of crude product per unit time. The methylchlorosilane crude (crude fraction) was corrected or normalized for unreacted methyl chloride based on gas chromatography analysis. The degree of utilization of dispensing elements is
Calculated by subtracting the silicon consumed to form the product from the initial silicon a degree as determined by the alkaline fusion method of contact ring samples. For this reason, it is advisable to use appropriate silicon analysis.

粗製生成物分布はガスクロマトグラフィで測定した。残
渣または高沸点性分含有量もガスクロマトグラフィで測
定した。塩化メチル、塩化水素または混合塩化メチル/
塩化水素を用い種々な温度で比較総材料収率のため、接
触環体は消費されるまで、即ち追加粗製生成物形成かな
くなるまで反応させた。
Crude product distribution was determined by gas chromatography. The residue or high boiling content was also determined by gas chromatography. Methyl chloride, hydrogen chloride or mixed methyl chloride/
For comparative total material yields at various temperatures using hydrogen chloride, the contact ring was reacted until consumed, ie, no additional crude product was formed.

実施例 1 502の上述した二次サイクロン微粉末の試料を上記反
応器中に入れ、無水塩化水素を11008CCで反応器
中に供給した。反応器は常圧で保ち、300°Cで加熱
した。生成物を上述した如く分析し、二次サイクロン微
粉末中のケイ素の約76%が、生成物に変換され、この
生成物の94−4%がトリクロロシランと四塩化ケイ素
からなっていた。流出物の約46重量%がi% Nb点
残渣と考えられた、即ちそれは70°C以上の沸点を有
しており、その約半分がへキサクロロジシランであった
。結果を比較のため後掲の表1および2に示す。
Example 1 A sample of 502 of the above secondary cyclone fine powders was placed in the reactor and anhydrous hydrogen chloride was fed into the reactor at 11008 CC. The reactor was maintained at normal pressure and heated at 300°C. The product was analyzed as described above and approximately 76% of the silicon in the secondary cyclone powder was converted to product, 94-4% of which consisted of trichlorosilane and silicon tetrachloride. Approximately 46% by weight of the effluent was considered i% Nb point residue, ie, it had a boiling point above 70°C, and about half of it was hexachlorodisilane. The results are shown in Tables 1 and 2 below for comparison.

実施例 2 撹拌床反応器を常圧で250℃で保ったことを除いて、
全ての反応条件および量を本実施例において実施例1と
同じにした。本実施例の分析データを表1および2に示
す。
Example 2 A stirred bed reactor was maintained at 250° C. at atmospheric pressure.
All reaction conditions and quantities were the same in this example as in Example 1. The analytical data of this example are shown in Tables 1 and 2.

実施例 3 撹拌床反応器を常圧で200℃で保ったことを除いて、
反応条件および量を本実施例において実施例1と同じに
した。本実施例のデータを表1および2に示す。
Example 3 A stirred bed reactor was maintained at 200° C. at atmospheric pressure.
The reaction conditions and amounts were the same in this example as in Example 1. Data for this example are shown in Tables 1 and 2.

実施例 4 上記各実施例と同じバッチからとった残存ケイ素二次サ
イクロン微粉末を、前記実施例1における如く常圧およ
び300℃で塩化メチルガス供給物を用い、上記実施例
1〜3に記載したのと同じ撹拌床反応器で反応させた。
EXAMPLE 4 Residual silicon secondary cyclone powder taken from the same batch as each of the above Examples was prepared as described in Examples 1-3 above using a methyl chloride gas feed at normal pressure and 300° C. as in Example 1 above. The reaction was carried out in the same stirred bed reactor.

本実施例では無水塩化水素は使用しなかった。約36%
のケイ素利用率が達成され、流出物の約92%かメチル
トリクロロシランおよびジメチルジクロロシランからな
り、生成物の2.6Wft%が尚沸点残置であり、その
約85重量%が1,1゜2−トリクロロトリメチルジシ
ランおよび1゜1’、2.2−テトラクロロジメチルジ
シランであった。本実施例のデータを表1および2に示
す。
Anhydrous hydrogen chloride was not used in this example. Approximately 36%
A silicon utilization rate of 1.5% was achieved, with approximately 92% of the effluent consisting of methyltrichlorosilane and dimethyldichlorosilane, 2.6 Wft% of the product still boiling, and approximately 85% of the product remaining at the boiling point of 1.1°2. -trichlorotrimethyldisilane and 1°1',2,2-tetrachlorodimethyldisilane. Data for this example are shown in Tables 1 and 2.

実施例 5 反応を常圧250℃で実施したことを除いては、実施例
4の方法によって二次サイクロン微粉末の別の同じ試料
を処理した。本実施例からのデータを表1および2に示
す。
Example 5 Another identical sample of secondary cyclone powder was treated by the method of Example 4, except that the reaction was carried out at normal pressure of 250°C. Data from this example is shown in Tables 1 and 2.

実施例 6 上記各実施例と同じバッチからとった50.02の残存
ケイ素二次サイクロン微粉末を、単位時間当りのガスの
全モル処理量を上記各実施例のそれと同じになるように
して塩化メチルガスおよび無水塩化水素ガスの両者を用
いて常圧、300℃で同じ反応容器中で反応させた。カ
スは塩化メチル対塩化水素分布の3:1モル比を達成す
るように計量した。全体で約64%ケイ素利用度が達成
された。流出物の約22重量%か四塩化ケイ素およびト
リクロロシランの合計であった、流出物の約59重量%
かメチルl−IJフクロンランおよびジメチルジクロロ
シランの合計であった、残余か主として約12重量%の
メチルモノ水素ジクロロシラン、約25重量%のトリメ
チルクロロシランおよび約3.1重量%の残/11tお
よびジメチルモノ水素クロロシランからなっていた。本
実施例のデータを表1および2に示す。
Example 6 50.02% of residual silicon secondary cyclone fine powder taken from the same batch as each of the above examples was chlorinated with a total molar throughput of gas per unit time being the same as that of each of the above examples. The reaction was carried out using both methyl gas and anhydrous hydrogen chloride gas at normal pressure and 300° C. in the same reaction vessel. The residue was weighed to achieve a 3:1 molar ratio of methyl chloride to hydrogen chloride distribution. A total silicon utilization of approximately 64% was achieved. About 59% by weight of the effluent was about 22% by weight of the effluent or the sum of silicon tetrachloride and trichlorosilane.
or methyl l-IJ fucuronrane and dimethyldichlorosilane, the balance was primarily about 12% by weight methylmonohydrogendichlorosilane, about 25% by weight trimethylchlorosilane and about 3.1% by weight balance/11t and dimethylmonohydrogen. It consisted of hydrogen chlorosilane. Data for this example are shown in Tables 1 and 2.

実施例 7 反応温度を常圧で250℃としたことを除いて反応条件
および量を上記実施例6と同じにした。全般的なケイ素
利用度は50%であった。
Example 7 The reaction conditions and amounts were the same as in Example 6 above, except that the reaction temperature was 250°C at normal pressure. Overall silicon utilization was 50%.

本実施例のデータを表1および2に示す、これは所望の
生成物トリクロロシランおよび四塩化ケイ素へのケイ素
の利用度は反応温度の低下によって約2倍となったこと
、即ち300℃で132%が250′Cで25.5%で
あったことを示している。
The data for this example are shown in Tables 1 and 2, which show that silicon utilization to the desired products trichlorosilane and silicon tetrachloride was approximately doubled by lowering the reaction temperature, i.e., 132 % was 25.5% at 250'C.

実施例 8 本実施例においては200°C′の反応温度を使用した
以外は反応条件および僧を実施例6および7のそれと同
じにした。全般的なケイ素利用度は31%であった。本
実施例のデータを表1および2に示す。
Example 8 In this example, the reaction conditions and temperature were the same as in Examples 6 and 7, except that a reaction temperature of 200° C. was used. Overall silicon utilization was 31%. Data for this example are shown in Tables 1 and 2.

上記データから残存ケイ素二次サイクロン微粉末および
塩化水素が300 ’c、250℃および200′Cで
容易に反応して主としてトリクロロシランおよび四塩化
ケイ素を発生することを知ることかできる。匹敵する温
度で、塩化水素との反応は(200″Cでさえも)塩化
メチルとの反応とは反対にかなり商いケイ素利用度を生
せしめる。300 ’Cから250 ’Cへ温度を低下
させることは、専ら塩化メチルまたは塩化水素のみを用
いた反応による全゛般的なケイ素利用度に効果をもたら
さないか、低温塩化メチル反応に著しい選択率の差があ
った、即ち急激に低十した全般的なハツチE/F、減少
したメチルモノ水素ジクロロシラン形成および増大した
残渣形成があった。3:1の塩化メチル対塩化水素(モ
ル比)で代表される如き一緒に供給した反応成分は次の
如く結果を変えた。
From the above data, it can be seen that the residual silicon secondary cyclone fine powder and hydrogen chloride react easily at 300'C, 250C and 200'C to mainly generate trichlorosilane and silicon tetrachloride. At comparable temperatures, the reaction with hydrogen chloride (even at 200'C) yields significantly higher silicon utilization as opposed to the reaction with methyl chloride. Decreasing the temperature from 300'C to 250'C either had no effect on the overall silicon utilization by reactions using exclusively methyl chloride or hydrogen chloride, or there was a significant selectivity difference in the low-temperature methyl chloride reaction, i.e. a sharply reduced overall silicon utilization. There was a typical hatch E/F, decreased methylmonohydrogendichlorosilane formation and increased residue formation.The reactant components fed together, as represented by a 3:1 molar ratio of methyl chloride to hydrogen chloride, were: It changed the result.

(81250°Cで、全般的なケイ素利用率は100%
塩化水素の方法よりも低かったが、100%塩化メチル
の方法より大であった。
(At 81,250°C, the overall silicon utilization rate is 100%.
It was lower than the hydrogen chloride method, but greater than the 100% methyl chloride method.

(bl 300℃で、全般的なケイ素利用率は100%
塩化水素供給反応に匹敵した。
(bl At 300℃, the overall silicon utilization rate is 100%.
It was comparable to the hydrogen chloride supply reaction.

(C1300’Cで、混合供給塩化メチル対塩化水素は
、同じ温度で100%塩化メチル反応よりモノチルクロ
ロシランを形成するのに尚いケイ素利用率をもたらした
(At C1300'C, mixed feed methyl chloride to hydrogen chloride resulted in even more silicon utilization to form monotylchlorosilane than a 100% methyl chloride reaction at the same temperature.

(d1200℃での反応、アルキル化反応即ち塩化メチ
ルとケイ素の反応を急激に抑制した、しかし全般的なケ
イ素利用率のぎせいをもたらした。
(d) The reaction at 1200°C sharply inhibited the alkylation reaction, i.e. the reaction of methyl chloride with silicon, but resulted in a reduction in overall silicon utilization.

(e)塩化水素の含有−はメチルクロロシラン生成物の
E/Fにおける著しい増大を生ぜしめる。
(e) The inclusion of hydrogen chloride causes a significant increase in the E/F of the methylchlorosilane product.

+f+反応温度が低下するに従って残渣形成か増大する
+f+Residue formation increases as reaction temperature decreases.

上記データから、選択した低ゐ1で、塩化水素と塩化メ
チルはケイ素−銅混合物と反応してトリクロロシランお
よび四塩化ケイ素を形成することは明らかである。
From the above data it is clear that at the selected low 1, hydrogen chloride and methyl chloride react with the silicon-copper mixture to form trichlorosilane and silicon tetrachloride.

本発明の少なくとも幾つかの目的によれば、塩化メチル
とケイ素の間のアルキル化反応を抑制する選択した温間
条件下で行なった塩化水素化反応により実質的な量でト
リクロロシランをこの方法が製造することを証明した。
In accordance with at least some objects of the present invention, the method provides trichlorosilane in substantial amounts by a hydrochlorination reaction conducted under selected warm conditions to suppress the alkylation reaction between methyl chloride and silicon. Proved that it can be manufactured.

反応温度の変更および温度の注意深い制御によって、ト
リクロロシランおよび四塩化ケイ素の増大した収率か達
成された。更に原料を一緒に供給する方法での反応、即
ち約200〜約300°Cの範囲の低温でケイ素の存在
下塩化水素および塩化メチルの両者を供給する方法での
反応は、ケイ素の塩化水素化を一方で続けながら、メチ
ルクロロシラン反応即ちアルキル化反応を選択的に抑制
する能力を明確に示した。
By varying the reaction temperature and careful control of temperature, increased yields of trichlorosilane and silicon tetrachloride were achieved. Furthermore, the reaction in which the raw materials are fed together, i.e., in the presence of silicon at a low temperature in the range of about 200 to about 300°C, is a reaction in which both hydrogen chloride and methyl chloride are fed. The ability to selectively inhibit the methylchlorosilane reaction, that is, the alkylation reaction, was clearly demonstrated.

この方法は新しいケイ素を用いて行なわなかったが、本
発明方法はこのようなものの利用にも汎用でき、新鮮な
ケイ素を、ケイ素のアルキル化を抑制し、ケイ素のハロ
ゲン化水素化を生せしめる約200〜約350℃の間の
選択した温度でカス状ハロゲン化アルキルおよびガス状
ハロゲン化水素と反応させることができ、これによって
モノ水素トリハロシランの改良された収率を生せしめつ
る。
Although this method was not carried out using fresh silicon, the method of the present invention is applicable to such applications, and is capable of converting fresh silicon into a material that suppresses alkylation of silicon and causes hydrohalogenation of silicon. The reaction with the gaseous alkyl halide and gaseous hydrogen halide can be carried out at selected temperatures between 200 and about 350 DEG C., resulting in improved yields of monohydrogen trihalosilanes.

本発明を一定の好ましい実施態様について特に詳細に説
明したが、本発明の範囲内での改変をなしうろことは判
るであろう。
Although this invention has been described in particular detail with respect to certain preferred embodiments, it will be appreciated that modifications may be made within the scope of the invention.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 金属接触直接法によるオルガノハロシランの製造か
ら得られる残存ケイ素からモノ水素トリハロシランを製
造する方法において、残存ケイ素をガス状ハロゲン化水
素およびガス状ハロゲン化アルキルと同時に接触せしめ
て残存ケイ素接触塊体を形成せしめ、残存ケイ素接触塊
体を、残存ケイ素接触塊体の実質的なアルキル化が生ず
る温度より低い温度で加熱し、かくして残存ケイ素を上
記温度で反応させてモノ水素トリハロシランを含有する
反応生成物を生ぜしめることを特徴とする方法。 2、 ガス状ハロゲン化水素およびガス状ハロゲン化ア
ルキルを残存ケイ素の流動床と接触する特許請求の範囲
第1項記載の方法。 3 ガス状ハロゲン化アルキルを炭素原子数1〜4を有
するアルキル基の塩化物、臭化物、沃化物、または弗化
物からなる群から選択する特許請求の範囲第1項記載の
方法。 4、 ガス状ハロゲン化水素を塩化水素、臭化水素、沃
化水素および弗化水素からなる群から選択する特許請求
の範囲第1項記載の方法。 5 ガス状ハロゲン化水素が塩化水素であり、ガス状ハ
ロゲン化アルキルが塩化メチルであり、モノ水素)IJ
ハロシランがモノ水素トリクロロシランである特許請求
の範囲第1項または第2項記載の方法。 6、 ハロゲン化アルキル対ハロゲン化水素のモル比が
約6:1〜約1−〇の範囲にある特許請求の範囲第1項
記載の方法。 7 残存ケイ素接触塊体を約り00℃〜約350℃の温
度で選択的に加熱する特許請求の範囲第1項または第2
項記載の方法。 8、反応生成物を集め、それからモノ水素トリハロシラ
ンを分離することを含む特許請求の範囲第1項記載の方
法。 9、約6;1〜約に〇の範囲の塩化メチル対塩化水素の
モル比で残存ケイ素の流動床にガス状塩化メチルおよび
ガス状塩化水素を供給し、残存ケイ素の流動床を約20
0〜300℃の温度であるが、残存ケイ素の実質的なア
ルキル化か生ずる温度より低い温度で加熱して実質的な
量のモノ水素トリハロシランおよび四塩化ケイ素を含有
する生成物を生成させることを特徴とする直接法によっ
てオルガノクロロシランの製造から得られる残存ケイ素
からモノ水素トリクロロシランを製造する方法。 10  塩化メチル対塩化水素のモル比が約3:1〜約
1:3である特許請求の範囲第9項記載の方法。 11、  残存ケイ素が、オルガノクロロシランの直接
法製造から得られる廃ケイ素微粉を分離するため使用し
た二次サイクロンから集めたケイ素微粉からなる特許請
求の範囲第9項記載の方法。 12  生成物を集め、それからモノ水素トリハロシラ
ンを分離することを含む特許請求の範囲第9項記載の方
法。 13  塩化メチル対塩化水素のモル比が約3:1であ
り、温度が約200〜約250 ’Cであり、主生成物
がモノ水素トリクロロシランである特許請求の範囲第9
項記載の方法。 14  ケイ素をガス状ハロゲン化アルキルおよびガス
状ハロゲン化水素と同時に接触せしめてケイ素接触塊体
を形成せしめ、温度をケ°イ素接触塊体のアルキル化を
阻止し、ケイ素接触塊体のハロゲン化水素化を生せしめ
る約200〜約350℃の間で選択し、この選択した湿
度でケイ素接触塊体を加熱し、かくして選択した温度で
ケイ素をガス状ハロゲン化アルキルおよびガス状ハロゲ
ン化水素と反応させてモノ水素トリハロシランの改良さ
れた収率を生せしめることを特徴とする金属接触直接法
でケイ素とハロゲン化アルキルとの反応から得られるモ
ノ水素トリハロシランの量を改良する方法。 15、残存ケイ素をガス状ハロゲン化アルキルおヨヒカ
ス状ハロゲン化水素と同時に接触せしめて残存ケイ素接
触塊体を形成せしめ、温度を残存ケイ素接触塊体のアル
キル化を阻止し、残存ケイ素接触塊体のハロゲン化水素
化を生せしめる約200〜約350℃の間で選択し、選
択した温度で残存ケイ素接触塊体を加熱し、か(して残
存ケイ素接触塊体中のケイ素を選択した温度でガス状ハ
ロゲン化アルキルおよびガス状ハロゲン化水素と反応さ
せてモノ水素トリハロシランの改良された収率を生せし
めることを特徴とする金属接触直接法によるオルガノハ
ロシランの製造から得られる残存ケイ素の反応から得ら
れるモノ水素トリハロシランの量を改良する方法。 16、ガス状ハロゲン化アルキルおよびガス状ハロゲン
化水素がケイ素または残存ケイ素の流動床に接触する特
許請求の範囲第14項または第15項記載の方法。 17、ガス状ハロゲン化アルキルを、炭素原子数1〜4
を有するアルキル基の塩化物、臭化物、沃化物または弗
化物からなる群から選択する特許請求の範囲第14項ま
たは第15項記載の方法。 18  ガス状ハロゲン化水素を塩化水素、臭化水素、
沃化水素および弗化水素からなる群から選択、する特許
請求の範囲′@14項または第15項記載の方法。 19、ガス状ハロゲン化水素が塩化水素であり、ガス状
ハロゲン化アルキルが塩化メチルであり、モノ水素トリ
ハロシランがモノ水素トリクロロシランである特許請求
の範囲第14項または第15項記載の方法。 20、ハロゲン化アルキル対ハロゲン化水素のモル比が
約6:1〜約1:6の範囲である特許請求の範囲第14
項または第15項記載の方法。 21、  ハロゲン化アルキル対ハロゲン化水素のモル
比が約3:1〜約1:3の範囲である特許請求の範囲第
14項または第15項記載の方法。 22  ガス状ハロゲン化水素が塩化水素であり、ガス
状ハロゲン化アルキルが塩化メチルであり、ハロゲン化
アルキル対ハロゲン化水素のモル比が約3:1の範囲で
あり、選択した温度が約200〜約250′cであり、
かくしてケイ素を塩化メチルおよび塩化水素と反応させ
て実質的にモノ水素トリクロロシランを含む生成物を生
成させる特許請求の範屏第14項または第15項記載の
方法。 23、反応生成物を集め、それからモノ水素トリハロシ
ランを分離する特許請求の範囲第14項まハは第15項
記載の方法。
[Claims] 1. In a method for producing monohydrogentrihalosilane from residual silicon obtained from the production of organohalosilane by a direct metal contact method, residual silicon is simultaneously contacted with gaseous hydrogen halide and gaseous alkyl halide. at least forming a residual silicon-contacted mass, heating the residual silicon-contacted mass at a temperature below that at which substantial alkylation of the residual silicon-contacted mass occurs, and thus reacting the residual silicon at said temperature to form a monomer. A method characterized in that a reaction product containing a hydrogen trihalosilane is produced. 2. The method of claim 1, wherein gaseous hydrogen halide and gaseous alkyl halide are contacted with a fluidized bed of residual silicon. 3. The method according to claim 1, wherein the gaseous alkyl halide is selected from the group consisting of chlorides, bromides, iodides, or fluorides of alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms. 4. The method according to claim 1, wherein the gaseous hydrogen halide is selected from the group consisting of hydrogen chloride, hydrogen bromide, hydrogen iodide and hydrogen fluoride. 5 The gaseous hydrogen halide is hydrogen chloride, the gaseous alkyl halide is methyl chloride, and monohydrogen) IJ
3. The method according to claim 1 or 2, wherein the halosilane is monohydrogen trichlorosilane. 6. The method of claim 1, wherein the molar ratio of alkyl halide to hydrogen halide ranges from about 6:1 to about 1-0. 7. Selective heating of the residual silicon contact mass at a temperature of about 00°C to about 350°C.
The method described in section. 8. The method of claim 1 comprising collecting the reaction product and separating the monohydrogen trihalosilane therefrom. 9, about 6; feeding gaseous methyl chloride and gaseous hydrogen chloride to the fluidized bed of residual silicon at a molar ratio of methyl chloride to hydrogen chloride ranging from 1 to about 0;
Heating at a temperature of 0 to 300°C, but below the temperature at which substantial alkylation of the residual silicon occurs, to produce a product containing a substantial amount of monohydrogen trihalosilane and silicon tetrachloride. A method for producing monohydrogentrichlorosilane from residual silicon obtained from the production of organochlorosilane by a direct method, characterized by: 10. The method of claim 9, wherein the molar ratio of methyl chloride to hydrogen chloride is from about 3:1 to about 1:3. 11. The method of claim 9, wherein the residual silicon comprises silicon fines collected from a secondary cyclone used to separate waste silicon fines obtained from the direct production of organochlorosilanes. 12. The method of claim 9, comprising collecting the product and separating the monohydrogen trihalosilane therefrom. 13. Claim 9, wherein the molar ratio of methyl chloride to hydrogen chloride is about 3:1, the temperature is from about 200 to about 250'C, and the major product is monohydrogen trichlorosilane.
The method described in section. 14 Contacting silicon simultaneously with a gaseous alkyl halide and a gaseous hydrogen halide to form a silicon-contacted mass, reducing the temperature to prevent alkylation of the silicon-contacted mass, and halogenating the silicon-contacted mass. Selecting a temperature between about 200 and about 350° C. to effect hydrogenation, heating the silicon contact mass at the selected humidity and thus reacting the silicon with the gaseous alkyl halide and the gaseous hydrogen halide at the selected temperature. A method for improving the amount of monohydrogen trihalosilanes obtained from the reaction of silicon with an alkyl halide by a direct metal catalytic method, characterized in that the amount of monohydrogen trihalosilanes obtained is improved by a direct metal catalytic method. 15. Simultaneously contacting the remaining silicon with gaseous alkyl halide and hydrogen halide to form a residual silicon contact mass, controlling the temperature to prevent alkylation of the remaining silicon contact mass, and reducing the temperature to prevent alkylation of the remaining silicon contact mass. The remaining silicon-contacted mass is heated at a selected temperature between about 200 and about 350°C to cause hydrohalogenation, and the silicon in the remaining silicon-contacted mass is removed from the gas at the selected temperature. from the reaction of residual silicon obtained from the production of organohalosilanes by a direct metal catalytic process, characterized in that they are reacted with alkyl halides and gaseous hydrogen halides to produce improved yields of monohydrogen trihalosilanes. A method for improving the amount of monohydrogen trihalosilane obtained. 16. The method according to claim 14 or 15, wherein the gaseous alkyl halide and the gaseous hydrogen halide are brought into contact with a fluidized bed of silicon or residual silicon. Method. 17. Gaseous alkyl halide having 1 to 4 carbon atoms
16. The method according to claim 14 or 15, wherein the alkyl group is selected from the group consisting of chloride, bromide, iodide or fluoride of an alkyl group having the following. 18 Gaseous hydrogen halide, hydrogen chloride, hydrogen bromide,
The method according to claim 14 or 15, wherein the hydrogen iodide and hydrogen fluoride are selected from the group consisting of hydrogen iodide and hydrogen fluoride. 19. The method according to claim 14 or 15, wherein the gaseous hydrogen halide is hydrogen chloride, the gaseous alkyl halide is methyl chloride, and the monohydrogen trihalosilane is monohydrogen trichlorosilane. 20. Claim 14, wherein the molar ratio of alkyl halide to hydrogen halide ranges from about 6:1 to about 1:6.
or the method described in paragraph 15. 21. The method of claim 14 or claim 15, wherein the molar ratio of alkyl halide to hydrogen halide ranges from about 3:1 to about 1:3. 22 the gaseous hydrogen halide is hydrogen chloride, the gaseous alkyl halide is methyl chloride, the molar ratio of alkyl halide to hydrogen halide is in the range of about 3:1, and the selected temperature is in the range of about 200 to It is about 250'c,
16. A process according to claim 14 or claim 15, wherein silicon is thus reacted with methyl chloride and hydrogen chloride to produce a product comprising substantially monohydrogen trichlorosilane. 23. The method of claim 14 or 15, wherein the reaction product is collected and the monohydrogen trihalosilane is separated therefrom.
JP7204283A 1983-04-22 1983-04-22 Manufacture of halosilane by treating waste silicon- containing reaction block Granted JPS59199519A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7204283A JPS59199519A (en) 1983-04-22 1983-04-22 Manufacture of halosilane by treating waste silicon- containing reaction block

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7204283A JPS59199519A (en) 1983-04-22 1983-04-22 Manufacture of halosilane by treating waste silicon- containing reaction block

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS59199519A true JPS59199519A (en) 1984-11-12
JPS636483B2 JPS636483B2 (en) 1988-02-10

Family

ID=13477939

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7204283A Granted JPS59199519A (en) 1983-04-22 1983-04-22 Manufacture of halosilane by treating waste silicon- containing reaction block

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59199519A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6177759A (en) * 1984-09-26 1986-04-21 Daicel Chem Ind Ltd Separating agent
JP2012111686A (en) * 2010-11-23 2012-06-14 Wacker Chemie Ag Post-treatment method for liquid residue in direct synthesis of organochlorosilane

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6177759A (en) * 1984-09-26 1986-04-21 Daicel Chem Ind Ltd Separating agent
JP2012111686A (en) * 2010-11-23 2012-06-14 Wacker Chemie Ag Post-treatment method for liquid residue in direct synthesis of organochlorosilane

Also Published As

Publication number Publication date
JPS636483B2 (en) 1988-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4500724A (en) Method for making alkylhalosilanes
US4390510A (en) Process for treating spent silicon-containing reaction masses to produce halosilanes
KR20140004103A (en) Production of polycrystalline silicon in substantially closed-loop processes that involve disproportionation operations
USRE33452E (en) Method for making alkylhalosilanes
EP0256876B1 (en) A process for preparing halosilanes
KR101948332B1 (en) Production of polycrystalline silicon in substantially closed-loop processes and systems
JPH02202892A (en) Manufacture of organochlorosilane
GB2153697A (en) Catalysts for the production of organohalosilanes
EP0647646A1 (en) Particle size distribution for fluidized-bed process for making alkylhalosilanes
EP1055675B1 (en) Method for making alkylhalosilanes
US6288258B1 (en) Preparation of organohalosilanes
US5530151A (en) Method of passivating organochlorosilane reactor fines and salvaging chlorosilane values therefrom
US4487950A (en) Method for making methylchlorosilanes
JPS59199519A (en) Manufacture of halosilane by treating waste silicon- containing reaction block
US6423860B1 (en) Method for promoting dialkyldihalosilane formation during direct method alkylhalosilane production
JPH0448725B2 (en)
JP4788866B2 (en) Method for producing phenylchlorosilane
NO831302L (en) PROCEDURE FOR THE PREPARATION OF METHYL CHLORIC SILANANES
GB2137604A (en) Process for treating spent silicon-containing reaction masses to produce halosilanes
JP7381605B2 (en) Method for producing trichlorosilane with silicon particles with optimized structure
CN111971253B (en) Process for preparing chlorosilanes
CN111278771A (en) Process for the manufacture of chlorosilanes using a catalyst selected from the group consisting of CO, MO, W
JP2024028751A (en) Method for producing trichlorosilane with structure-optimized silicon particles
EP0471370A2 (en) Silane products from reaction of silicon monoxide with hydrogen halides
JPH0578374A (en) Process for preparing alkylated silane