JPS5918619A - 軟磁性薄膜 - Google Patents

軟磁性薄膜

Info

Publication number
JPS5918619A
JPS5918619A JP12790182A JP12790182A JPS5918619A JP S5918619 A JPS5918619 A JP S5918619A JP 12790182 A JP12790182 A JP 12790182A JP 12790182 A JP12790182 A JP 12790182A JP S5918619 A JPS5918619 A JP S5918619A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
film
thin film
domain
soft magnetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP12790182A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0363204B2 (ja
Inventor
Mitsuhiro Inazumi
満広 稲積
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Suwa Seikosha KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, Suwa Seikosha KK filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP12790182A priority Critical patent/JPS5918619A/ja
Publication of JPS5918619A publication Critical patent/JPS5918619A/ja
Publication of JPH0363204B2 publication Critical patent/JPH0363204B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/007Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure ultrathin or granular films

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は軟磁性薄膜に関するものである。
一般に軟磁性材料の軟磁気特性に悪影響を与える要因と
しては、 ■ 磁歪、磁気異方性 ■ 材料の様々な不均一性、機械的な欠陥などがある。
変圧器等に用いられる大きな体積を持つ軟磁性体におい
ては、上記の■よりも■の方がその影響度が大きい事が
多い。
ところが薄膜においては、その傾向はむしろ逆になる。
なぜなら、薄膜においてはその体積に比して表面積が大
きくなるために、磁気特性に対する表面状態の影響が大
きくなり、また、基板や薄膜表面の凹凸、ピンホール等
の不均一性、乃至は欠陥を制御する事が困難だからであ
る。
トコろで今述べた不均一性や欠陥が、どのようにして薄
膜の軟磁気特性を劣化ζせるかと言う点について考えて
みる。
第1図、第2図は各々薄膜の厚み方向、面内方向を模式
的に示したものである。図中1.4は磁性薄膜を、2は
基板を3.6は磁壁をまた5は膜の凹凸、ピンホール等
の機械的な欠陥を示す。
第1図において、B、Dの位置は薄膜、基板の凹凸によ
り膜厚が仲の部分、A、Oよりも薄くなっている部分を
示す。勿論、膜厚が他の部分よりも厚くなっているとし
た場合においても議論の本質は変らない。ざて磁壁は、
その微視的な構造、膜の成分等のパラメータが同一であ
れば、単位面積当り同じエネルギーを持つ。従って、第
1図中のA、 B、 O,D位置において磁壁の持つ単
位面積肖シのエネルギーは同一であると者えて良い。そ
うすると磁壁の総エネルギーと言う点においてけ膜厚が
薄い分だけB、D位置の方が、A、O位置よねもエネル
ギーが低いと言う事になる。っまり磁壁はA、C位置よ
りもB、C位置の方が安定に存在し得る。換言すれば磁
壁は膜や・基板の凹凸に捕獲aれる、と言う事になる。
ζて、このように磁壁が存在する型の磁性材料特に軟磁
性材料においては、磁化が変化すると言う事と磁壁が移
動すると言う事は殆ど等価である。
従って軟磁気特性、っまり磁壁移動の容易さけ磁壁を捕
獲する膜の凹凸等の存在によって著しく劣化する事にな
る。
また第2図に示したように、局所的な欠陥5が存在した
場合、その影響はその部分のみに留まらず、5によって
捕獲された磁壁の広がりの稈度の大きさに及ぶ。この事
より、薄膜の軟磁性、とりわけ小面積の薄膜の軟磁性は
、磁気異方性等の物性的な特性と言うよりも、むしろ膜
の凹凸やピンホール等の機械的な特性に依存していると
言っても過言ではない。そして、このような依存性は磁
性膜が磁壁移動型の磁化をする限り避は難いものである
本発明は磁性膜を非磁性領域により相互に分離された複
数の単磁区強磁性領域で構成する事によって、上記の磁
壁移動型の磁化を示す磁性膜における問題を解消するも
のである。
今仮に、いわゆる軟磁性材料で薄膜をつくったとする。
この膜は今まで述べてきた理由から、良い軟磁性を示す
とは限らない。むしろ、かなシ悪い特性を示す事が多い
。ところが同じ材料を用いて、単磁区円形薄膜をつくっ
たとする。この単磁区円形薄膜は非常に濃い軟磁性を示
す。それはつまり、単磁区回転磁化においては、磁壁移
動型の磁化に比して膜の表面状態への依存性が弱いから
であり、また円形薄膜においては、その形状によって誘
導これる異方性が生じないからである。また、小面積の
領域内において膜厚の均一な膜をつくる事は、大面積の
ものをつくる場合よりもはるかに容易であると言う事実
が、より状況を改善する。
本発明け、この良い軟磁性を示す単磁区磁性薄膜を一つ
の岸、磁区強磁付領域とし、その複数の集合を非磁性領
域により分離して配置する事により実用的な面積の軟磁
性薄膜を実現するものである。
本発明の実施例を第3図、第4図に示す。第3図は面内
に等方的な軟磁性薄膜の例である。図中7は爪磁区強磁
性領域を、また8けその欠落を示す。7で示した単磁区
強磁性領域はエツチングにより、また二相分離型の反応
等を用いて形成する事ができる。この構造において、膜
厚の均−件は各々の強磁性領域内でのみ確保されれば良
く、また8で示した膜の局所的な欠陥が、膜全体の磁気
特性を劣化させる事はない。つまり、第1図、第2図に
おいて示したような事は、この構造においては起こらな
い。
第4図は面内に等方的ではなく、図中9に示した方向へ
磁束を誘導しやすいように異方性をつけたものである。
この異方性は図に示したように強磁性領塚の形を変化略
せる事により、形状異方性として誘導これる。その結果
、第4図に示したように、任意の方向へそしである稈・
度その大きさも制御でき、また図にあるようにその異方
性を分布させる事も可能である。
ν±述べたように、本発明により従前の軟磁性薄膜の欠
点を改善できるのみならず、従前では不可症であった異
方性の方向、大きさ等の分布の制御も可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従前の軟磁性薄膜の断面の模式図である。 1け磁性膜    2け基板 3け磁壁を示す。 第2図は、同じく面内の模式図である。 4Vi磁性膜    5け膜の凹凸等の欠陥6け磁壁を
示す。 第3図は、本発明による面内に等方的な軟磁性膜を示す
。 7Vi凰磁区強磁性頒斌 8はその欠落を示す。 第4図は、本発明による面内にy方向な軟磁性膜を示す
。 9はその磁化容易方向 1101dJ磁区強磁性仰域を示す。 以  上 出願人 松、を会社 諏訪精工令 代理人 弁理士 最上 務 λ  第1図 す 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 非磁性領域により相互に分離された複数の岸磁区強磁性
    領域によシ構成される事を特徴とする軟磁性薄膜。
JP12790182A 1982-07-22 1982-07-22 軟磁性薄膜 Granted JPS5918619A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12790182A JPS5918619A (ja) 1982-07-22 1982-07-22 軟磁性薄膜

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12790182A JPS5918619A (ja) 1982-07-22 1982-07-22 軟磁性薄膜

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5918619A true JPS5918619A (ja) 1984-01-31
JPH0363204B2 JPH0363204B2 (ja) 1991-09-30

Family

ID=14971462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12790182A Granted JPS5918619A (ja) 1982-07-22 1982-07-22 軟磁性薄膜

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS5918619A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6193802B1 (en) 1995-09-25 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Parallel plate apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6193802B1 (en) 1995-09-25 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Parallel plate apparatus for in-situ vacuum line cleaning for substrate processing equipment

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0363204B2 (ja) 1991-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Vaz et al. Intrinsic interfacial phenomena in manganite heterostructures
Tahmasebi et al. Magnetoelectric effect in Pb (Zr0. 95Ti0. 05) O3 and CoFe2O4 heteroepitaxial thin film composite
Yang et al. Multistep magnetic switching in single-crystal (001) Co 2 MnGe films
CN111554807A (zh) 具有用于形成合成反铁磁体的非磁性间隔件层的Heusler化合物
Xue et al. Electric field induced reversible 180 magnetization switching through tuning of interfacial exchange bias along magnetic easy-axis in multiferroic laminates
Suzuki et al. Controllable exchange bias in Fe/metamagnetic FeRh bilayers
Hase et al. Current-perpendicular-to-plane spin valves with a Co2Mn (Ga0. 5Sn0. 5) Heusler alloy
Vishnoi et al. Exchange bias behaviour in magnetron sputtered Ni49. 8Mn36. 1Sn13. 9 ferromagnetic shape memory alloy thin film
Bekele et al. Enhanced field-free current-induced magnetization switching by interlayer exchange coupling with insulating spacer layer
Shimon et al. Reversal mechanisms of coupled bi-component magnetic nanostructures
Park et al. Observation of magnetic skyrmion crystals in a van der Waals ferromagnet Fe3GeTe2
Feng et al. The effect of disorder on the electronic and magnetic properties of Mn2CoAl/GaAs heterostructures
JPS5918619A (ja) 軟磁性薄膜
Meng et al. Self-modulated nanostructures in super-large-period Bi11 (Fe5CoTi3) 10/9O33 epitaxial thin films
Lin et al. Modification of the ferromagnetic anisotropy and exchange bias field of NiFe/CoO/Co trilayers through the CoO spacer thicknesses
Vijayakumar et al. Electric field control of magnetism in Si3N4 gated Pt/Co/Pt heterostructures
TW202025528A (zh) 電場控制奈米磁鐵及包含其的自旋軌道耦合力矩磁阻式隨機存取記憶體
Liu et al. Anisotropic nanocomposite soft/hard multilayer magnets
Gayen et al. Interlayer coupling in symmetric and asymmetric CoFeB based trilayer films with different domain structures: Role of spacer layer and temperature
Zhang et al. Electric-regulated enhanced in-plane uniaxial anisotropy in FeGa/PMN–PT composite using oblique pulsed laser deposition
Pan et al. Asymmetry in magnetic behavior caused by superposition of unidirectional and four-fold magnetic anisotropies in CoPt/FeMn bilayers
Ren et al. Effects of Interlayer Coupling in Elongated $\hbox {Ni} _ {80}\hbox {Fe} _ {20}/\hbox {Au/Co} $ Nanorings
Chen et al. Interfacial effects on magnetic interlayer coupling between perpendicular Co/Ni multilayers across Ru spacer
Piamonteze et al. Ferromagnetic order of ultra-thin La0. 7Ba0. 3MnO3 sandwiched between SrRuO3 layers
Dai et al. Magnetization reversal and magnetic interactions in anisotropic Nd–Dy–Fe–Co–B/MgO/α-Fe disks and multilayers