JPS59184412A - Bidirectional energization type semiconductor breaker - Google Patents

Bidirectional energization type semiconductor breaker

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Publication number
JPS59184412A
JPS59184412A JP5825383A JP5825383A JPS59184412A JP S59184412 A JPS59184412 A JP S59184412A JP 5825383 A JP5825383 A JP 5825383A JP 5825383 A JP5825383 A JP 5825383A JP S59184412 A JPS59184412 A JP S59184412A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current
gto
type semiconductor
diode
circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP5825383A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
米畑 譲
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP5825383A priority Critical patent/JPS59184412A/en
Publication of JPS59184412A publication Critical patent/JPS59184412A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 この発8Aは、回路の開閉及び電流のしゃ断に用いる両
方向通電形半導体しゃ断器に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION This invention 8A relates to a bidirectional conduction type semiconductor breaker used for opening/closing a circuit and interrupting current.

従来この種の回路として第1図に示すものがあった。図
において(IL  (11)は図に示していないゲート
ドライブ回路のゲート電流の方向にょシタと及び(3)
、(13)けGTう(1)あるいは(11)がターンオ
フ動作した時にその7ノード、カソード間電圧の上昇を
抑制するだめのスナバ−コンデンサ及びスナバ−ダイオ
ード、(4)、(14)はGTO(υあるいは(11)
がターンオフした時にコンデンサ(2)するいは(12
)の充電電荷を放電電流ピーク値を抑制しながら放電し
てやるためのスナバ−抵抗、(5)% (15)はG 
T 0(1) 、(11)の逆方向に印加される電圧を
グロックするだめのブロッキングダイオード、(20)
は直流電源、(30)は逆起電力(31)及び負荷イン
ピーダンス(32)からなる負荷である。なお(1)〜
(5)の要素は順方向のしゃ断器、(11)〜(15)
の要素は逆方向のしゃ断器を構成している。
A conventional circuit of this type is shown in FIG. In the figure, (IL (11) is in the direction of the gate current of the gate drive circuit not shown in the figure, and (3)
, (13) A snubber capacitor and a snubber diode are used to suppress the rise in voltage between the 7 nodes and the cathode when GT (1) or (11) turns off. (4) and (14) are GTO (υ or (11)
When the capacitor (2) or (12
) is the snubber resistor for discharging the charge while suppressing the peak discharge current value, (5)% (15) is G
T 0 (1), a blocking diode (20) for glocking the voltage applied in the opposite direction of (11);
is a DC power supply, and (30) is a load consisting of a back electromotive force (31) and a load impedance (32). Note (1)~
Element (5) is a forward breaker, (11) to (15)
The elements constitute a reverse direction breaker.

次に動作について説明する。G T O(1) 、(1
1)にと直流電源(20)の大小関係に応じていずれか
のGTOがターンオフし負荷インピーダンス(32)に
けG T O(1)を通しての順方向電流あるいはGT
(J(11)を通しての逆方向電流が流れる。ここで逆
起電力(31)が零である場合を考えG T O(1)
に負荷電流が流れているとすればGTO(1)、(11
)に図に示していないゲートドライブ回路からゲートオ
フ電流が給電されるとG T O(1)、(11)共に
ターンオフの状態に至り、いままでG T O(1)に
流れていた電流は回路にあるリアクタンス分のエネルギ
ーに応じてスナバ−ダイオード(3)を経由してスナ/
く−コンデンサ(2)を充電する。またスナバ−コンデ
ンサ(12)もスナバ−抵抗(14)を経由してG T
 O(11)のカソード側が正極性となる方向に充電さ
れようとする。しかしブロッキングダイオード(15)
でグロックされ、GTO(1)及びブロッキングダイオ
ード(15)の逆方向洩れ抵抗の比率で分圧され、G 
T 0(11)の逆方向にその比率に応じた逆電圧が印
加される。
Next, the operation will be explained. G T O (1) , (1
1) Depending on the magnitude of the DC power source (20), one of the GTOs turns off, and the forward current through the GTO (1) or the GT
(A reverse current flows through J(11). Now consider the case where the back electromotive force (31) is zero.G T O(1)
If the load current is flowing in GTO (1), (11
) is supplied with a gate-off current from a gate drive circuit (not shown), both GTO(1) and (11) reach a turn-off state, and the current that had been flowing through GTO(1) is turned off from the circuit. Depending on the energy of the reactance in the snubber diode (3),
- Charge the capacitor (2). In addition, the snubber capacitor (12) also connects G T via the snubber resistor (14).
The cathode side of O(11) attempts to be charged in the direction of positive polarity. But blocking diode (15)
The voltage is divided by the ratio of the reverse leakage resistance of the GTO (1) and the blocking diode (15), and the G
A reverse voltage corresponding to the ratio is applied in the opposite direction of T 0 (11).

従来の両方向通電形半導体しゃ断器は以上のように構成
されているので、ブロッキングダイオード(5)、(1
5)を用いているにも拘らずG T O(1)、(11
)に逆電圧が印加されることになる。一般に01’ 0
の逆耐圧は順耐圧に比べて小さいか、はとんど無いかな
のでこの値を許容値以内に抑えるためKGTO(1)、
(11)に並列にブロッキングダイオード(5)、(1
5)の逆方向洩れ抵抗の値より十分小さな抵抗をそう人
してやる必要が生ずる。
Since the conventional bidirectional conduction type semiconductor breaker is constructed as described above, the blocking diodes (5) and (1)
5), G T O (1), (11
) will be applied with a reverse voltage. Generally 01' 0
Since the reverse breakdown voltage of is either smaller than the forward breakdown voltage or almost non-existent, in order to keep this value within the allowable value, KGTO (1),
Blocking diodes (5) and (1) are connected in parallel to (11).
It becomes necessary to create a resistance that is sufficiently smaller than the value of the reverse leakage resistance in 5).

この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、GTOに逆並列にダイオードを接
続してGTOに逆電圧が印加されないようにしてやると
共に両方向の通電、電流しゃ断ができる両方向通電形半
導体しゃ断器を提供することを目的としている。
This invention was made in order to eliminate the drawbacks of the conventional ones as described above, and it connects a diode anti-parallel to the GTO to prevent reverse voltage from being applied to the GTO, and also allows current to flow in both directions and current to be cut off. The purpose is to provide a bidirectional conduction type semiconductor breaker.

以下、この発明の一実施例を図について説明する。第2
図において(6)、(16)はG T O(1)あるい
は(11)に逆並列に接続された逆並列ダイオードで、
その他第1図と同一符号は同一部分を示す。なお、GT
’0(1)、スナバ−コンデンサ(2)、スナノ(−ダ
イオード(3)、スナバ−抵抗(4)から成る順方向回
路及びG T O(11)、スナバ−コンデンサ(12
)、スナバ−ダイオード(13) 、スナバ−抵抗(1
4)から成る逆方向回路について考えると第1図では順
逆両回路は電源(20) 、負荷(30)からみて並列
されるのに対して、第2図では直列に接続されることに
なる。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. Second
In the figure, (6) and (16) are anti-parallel diodes connected in anti-parallel to G T O (1) or (11),
Otherwise, the same reference numerals as in FIG. 1 indicate the same parts. In addition, GT
'0 (1), a snubber capacitor (2), a forward circuit consisting of a snubber capacitor (2), a snubber capacitor (12) and a forward circuit consisting of a diode (3), a snubber resistor (4), and a
), snubber diode (13), snubber resistor (1
Considering the reverse direction circuit consisting of 4), in FIG. 1 the forward and reverse circuits are connected in parallel when viewed from the power source (20) and load (30), whereas in FIG. 2 they are connected in series.

次に動作について説明する。図においてGTO(1)、
(11)に図に示していないゲートドライブ回路からゲ
ートオン電流が供給され、逆起電力(31〕が電源(2
0)より小さい場合に、電流は電源(20)、GTo(
1)、逆並列ダイオード(16)、負荷インピーダンス
(32) 、逆起電力(31)の経路で流れよう七する
Next, the operation will be explained. In the figure, GTO (1),
A gate-on current is supplied to (11) from a gate drive circuit not shown in the figure, and a back electromotive force (31) is supplied to the power supply (2).
0), the current is smaller than the power source (20), GTo(
1), the anti-parallel diode (16), the load impedance (32), and the back electromotive force (31).

この時G T O(11)にもゲートオン電流は供給さ
れているがGTす(11)は逆並列ダイオード(16)
の順方向電圧降下に逆バイアスされる。
At this time, gate-on current is also supplied to GT O (11), but GT O (11) is connected to anti-parallel diode (16).
reverse biased to a forward voltage drop of .

逆に逆起電力(31)が電源(20)より大きい場合に
は電流は電源(20)、逆並列ダイオード(6)、GT
O(11)、負荷インピーダンス(32)、逆起電力(
31)の経路で流れようとする。
Conversely, if the back electromotive force (31) is larger than the power supply (20), the current flows through the power supply (20), the anti-parallel diode (6), and the GT
O(11), load impedance (32), back electromotive force (
31).

さて、逆起電力(31)が零で順方向電流がGTO(1
)に流れている状態で、図に示していないゲート回路か
らゲートオフ電流をG T O(1)のゲート、カッ−
1間に流してやるとGT’0(1)//iターンオフし
、回路中のりアクタンス分に蓄えられていたエネルギー
はスナバ−ダイオード(3)を経由してスナパーコンデ
ンf(2)を充電し電流しゃ断が完rするが源 、この特電!!! (20)の電圧けG T O(1)
の順方向並びに逆並列ダイオード(6)の逆方向に印加
されるだけでG T O(11)の逆方向には、逆並列
ダイオード(16)が順方向に接続されているためほと
んど電圧が印加されない。逆方向に電流が流れている場
合についても同様の動作が行なわれる。
Now, when the back electromotive force (31) is zero and the forward current is GTO (1
), the gate-off current is applied from a gate circuit (not shown) to the gate of GTO(1),
1, GT'0(1)//i turns off, and the energy stored in the actance in the circuit charges the snubber capacitor f(2) via the snubber diode (3). The current cutoff is complete, but the source is this special electricity! ! ! (20) voltage G T O (1)
Since the anti-parallel diode (16) is connected in the forward direction, almost no voltage is applied to the reverse direction of the G T O (11). Not done. A similar operation is performed when current flows in the opposite direction.

なお上記実施例では基本的な回路のみを示したが、GT
O(1)、(11)のアノード、カソード間あるいはG
TO(1)アノード、G T O(11)カソード間に
サージ電圧抑制用のコンデンサ、抵抗回路および非直線
抵抗器などを備えても本発明の効果が期待されるのは勿
論である。
In addition, although only the basic circuit was shown in the above embodiment, GT
Between the anode and cathode of O(1), (11) or G
Of course, the effects of the present invention can be expected even if a surge voltage suppressing capacitor, a resistance circuit, a non-linear resistor, etc. are provided between the TO (1) anode and the G TO (11) cathode.

以上のように、この発明によればGTOとGTOに逆並
列接続されたダイオードからなる回路を極性を反転させ
て直列に接続して両方向通電形半導体しゃ断器を構成し
たのでGTOに逆電圧が印加されない上に、回路構成が
簡単になる効果がある。
As described above, according to the present invention, a circuit consisting of a GTO and a diode connected in antiparallel to the GTO is connected in series with the polarity reversed to constitute a bidirectional conductive type semiconductor breaker, so that a reverse voltage is applied to the GTO. In addition, it has the effect of simplifying the circuit configuration.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の両方向通電形GTOLや断器の回路図、
第2図はこの発明の一実施例による両方向通電形GTO
Lや断器の回路図を示す。 (1ン、(11)・・・GTOl(6)、(16)・・
・逆並列ダイオード 図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Figure 1 is a circuit diagram of a conventional bidirectional current type GTOL and disconnector.
FIG. 2 shows a bidirectional current-carrying type GTO according to an embodiment of the present invention.
The circuit diagram of L and disconnector is shown. (1n, (11)...GTOl(6), (16)...
・In anti-parallel diode diagrams, the same symbols indicate the same or equivalent parts.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] グ〜トターンオフサイリスクとこのゲートターンオフサ
イリスタに逆並列に接続されたダイオードからなる回路
を、極性を反転させて直列に接続して構成したことを特
徴とする両方向通電形半導体しゃ断器。
A bidirectional conduction type semiconductor breaker characterized in that a circuit consisting of a gate turn-off thyristor and a diode connected in antiparallel to the gate turn-off thyristor is connected in series with reversed polarity.
JP5825383A 1983-03-31 1983-03-31 Bidirectional energization type semiconductor breaker Pending JPS59184412A (en)

Priority Applications (1)

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Publications (1)

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JPS59184412A true JPS59184412A (en) 1984-10-19

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ID=13078969

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54137266A (en) * 1978-04-17 1979-10-24 Daiwa Dengyo Rated capacity increasing system for ac switch

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54137266A (en) * 1978-04-17 1979-10-24 Daiwa Dengyo Rated capacity increasing system for ac switch

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