JPS59178743A - 半導体中のキヤリア濃度プロフアイルの測定法 - Google Patents
半導体中のキヤリア濃度プロフアイルの測定法Info
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- JPS59178743A JPS59178743A JP5273383A JP5273383A JPS59178743A JP S59178743 A JPS59178743 A JP S59178743A JP 5273383 A JP5273383 A JP 5273383A JP 5273383 A JP5273383 A JP 5273383A JP S59178743 A JPS59178743 A JP S59178743A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明はＣ−ｖ法による半導体中の導電層のキャリア摸
度プロファイル測定法に関するものである。
度プロファイル測定法に関するものである。
ＧａＡｓ ＦＥＴや集積回路の製造では、 ＦＥＴのし
きい値電圧Ｖｔｎの制御が重要なポイントとなるが、期
待するｖｔｈを実現させるためには導電層のキャリア濃
度グロファイルを正しく知らなければならない。そのた
めの方法としては非破壊法でめるＣ −Ｖ法が一般的で
ある。
きい値電圧Ｖｔｎの制御が重要なポイントとなるが、期
待するｖｔｈを実現させるためには導電層のキャリア濃
度グロファイルを正しく知らなければならない。そのた
めの方法としては非破壊法でめるＣ −Ｖ法が一般的で
ある。
従来、Ｃ−Ｖ法キャリア濃度グロファイル測定はアドミ
タンス又はインピーダンスの容量成分のバイアス依存性
を測定して、次のような式から深さＸでのキャリア濃度
Ｎ（ｘ）を求めてきた。
タンス又はインピーダンスの容量成分のバイアス依存性
を測定して、次のような式から深さＸでのキャリア濃度
Ｎ（ｘ）を求めてきた。
εＳ
・・・・・・・・・・（１）
３
Ｎ（ｘ）−７ｃ −・・・・・・・・・・・・・・・（
２１ｑε濱四−） Ｃ：アドミタンス又はインピーダンスの容量成分■：バ
イアス電圧 ε：誘電率 Ｓ：ショットキ接合の面積 ｑ：電荷量 第１図（ａ）〜（ロ））は半絶縁性ＧａＡｓ基板にＳｉ
＋をイオン注入（１５０ＫｅＶ、ドーズ量２．５Ｘ１０
６７１Ｌ ）して形成した導電層にＡ７ Ｋよる直
径１間の円形ショソトキ接合を設けた試料に対し、従来
のＣ−Ｖ法によりプロファイルを求めたものである。同
一の試料について１０ ＫＨ，ｚからＩ Ｍｌ（Ｚまで
の各周波数により測定したＣ−Ｖの−Ｊ”−夕から、（
１）、（２）式を用いてプロファイルを求めると、第１
図のように測定周波数により差異が生じる。このように
、従来法では正確なプロファイルが得られない。尚第１
図において、（ａ）が１０ ＫＨｚ ｓ （ｂ）が２０
ＫＨｚ ＊ （ｃ）が４０ＫＨｚ、 （ｄ）が１００
Ｋ）Ｉｚ ＊ （ｅ）が２００ ＩＧ（ｚ 、 （ｆ
）が４００ん（ｚ、（ｇ）が１■（２の場合である。
２１ｑε濱四−） Ｃ：アドミタンス又はインピーダンスの容量成分■：バ
イアス電圧 ε：誘電率 Ｓ：ショットキ接合の面積 ｑ：電荷量 第１図（ａ）〜（ロ））は半絶縁性ＧａＡｓ基板にＳｉ
＋をイオン注入（１５０ＫｅＶ、ドーズ量２．５Ｘ１０
６７１Ｌ ）して形成した導電層にＡ７ Ｋよる直
径１間の円形ショソトキ接合を設けた試料に対し、従来
のＣ−Ｖ法によりプロファイルを求めたものである。同
一の試料について１０ ＫＨ，ｚからＩ Ｍｌ（Ｚまで
の各周波数により測定したＣ−Ｖの−Ｊ”−夕から、（
１）、（２）式を用いてプロファイルを求めると、第１
図のように測定周波数により差異が生じる。このように
、従来法では正確なプロファイルが得られない。尚第１
図において、（ａ）が１０ ＫＨｚ ｓ （ｂ）が２０
ＫＨｚ ＊ （ｃ）が４０ＫＨｚ、 （ｄ）が１００
Ｋ）Ｉｚ ＊ （ｅ）が２００ ＩＧ（ｚ 、 （ｆ
）が４００ん（ｚ、（ｇ）が１■（２の場合である。
第１図のプロファイルからしきい値電圧を予測すると第
１表のようになる。
１表のようになる。
第１表
分布の広がりはキャリア濃度が（ピーク値）／（自然対
数値）となる深きの値とピーク位置の差である。
数値）となる深きの値とピーク位置の差である。
この第１表の測定周波数１． ＯＩＧＪ−ｚ、のプロフ
ァイルからは−３，７４０Ｖ 、 １００ ＫＨ’、ｚ
では一３７２８Ｖ。
ァイルからは−３，７４０Ｖ 、 １００ ＫＨ’、ｚ
では一３７２８Ｖ。
１１ｖＩＩ（ｚでは−３，２７４Ｖとなり予測１直は測
定周波数によって大きく異なり、その差異はＧａＡｓＩ
Ｃを実現するのに必要なりｔｈ許容変動幅を上回る。こ
のため従来のＣ−Ｖ法によるギヤリア濃度プロファイル
を用いてはそのプロファイルからＰＥＴのｖｔｈを予測
し、それに基づいて所望のｖｔｈを実現すべくＰ″ＥＴ
又はｉＣの製造工程におけるプロセス条件全決定するこ
とは極めて困難なのである。現在までのところ、特にＧ
ａＡｓ半絶縁性基板中にイオン圧入Ｖこよって形成した
４電層のギヤリア濃度プロファイルはウェーハ毎に異な
り、その挙動は予測困難である。そのため、こうした導
電層を用いたＦＥＴのｖｔｈを期待する値となるように
得るために、４電層を形成した後、その後のプロセス条
件を決定スる必要がある。従来のＣ−Ｖ法によるキャリ
ア良度グロファイル測定ではこれが困難であり、ＧａＡ
ｓ ＩＣの製造歩留りを極めて低くしてし゛まうという
不都合を生じさせていた。
定周波数によって大きく異なり、その差異はＧａＡｓＩ
Ｃを実現するのに必要なりｔｈ許容変動幅を上回る。こ
のため従来のＣ−Ｖ法によるギヤリア濃度プロファイル
を用いてはそのプロファイルからＰＥＴのｖｔｈを予測
し、それに基づいて所望のｖｔｈを実現すべくＰ″ＥＴ
又はｉＣの製造工程におけるプロセス条件全決定するこ
とは極めて困難なのである。現在までのところ、特にＧ
ａＡｓ半絶縁性基板中にイオン圧入Ｖこよって形成した
４電層のギヤリア濃度プロファイルはウェーハ毎に異な
り、その挙動は予測困難である。そのため、こうした導
電層を用いたＦＥＴのｖｔｈを期待する値となるように
得るために、４電層を形成した後、その後のプロセス条
件を決定スる必要がある。従来のＣ−Ｖ法によるキャリ
ア良度グロファイル測定ではこれが困難であり、ＧａＡ
ｓ ＩＣの製造歩留りを極めて低くしてし゛まうという
不都合を生じさせていた。
本発明は従来法の前述のような欠点に鑑み、正しくキャ
リアプロファイルを求める方法を提供することを目的と
する。これにより、導電層中につくられたＰ″ＥＴのｖ
ｔｈを正しく予測し、期待するｖｔｈを実現させるだめ
のプロセス条件を正確に決定することを可能にきせるも
のである。
リアプロファイルを求める方法を提供することを目的と
する。これにより、導電層中につくられたＰ″ＥＴのｖ
ｔｈを正しく予測し、期待するｖｔｈを実現させるだめ
のプロセス条件を正確に決定することを可能にきせるも
のである。
第１図（ａ）〜（ｇ）にみられるような測定周波数によ
るプロファイルのずれで明らかとなった従来法の不正確
さは導電層の抵抗成分によって正しく接合容量が求１ら
ない事が原因である。半絶縁性ＧａＡ、ｓ基板中につく
られた導電層上に形成したショットキダイオードの接合
容量測定に際しては、導電層側に電極取り出し位置をと
るという制約があり、なおかつ導電層が薄いだめ、抵抗
成分の影響が大きくなる。そこでこの抵抗成分を加味し
た接合のモデルを作り、被測定試料のアドミタンス又は
インピーダンスの抵抗成分、＠−量酸成分両側定値から
接合容量を計算により求め、この値を用いてより正しく
キャリアプロファイルを不めた。具体的には接合モデル
としてＲＣネットワークを考え、接合容量の計算はモデ
ルから計算されるアドミタンスと測定値として得られる
アドミタンスのそれぞれの実数成分、虚数成分の比の値
を比較することにより、接合容量の価を求めた。
るプロファイルのずれで明らかとなった従来法の不正確
さは導電層の抵抗成分によって正しく接合容量が求１ら
ない事が原因である。半絶縁性ＧａＡ、ｓ基板中につく
られた導電層上に形成したショットキダイオードの接合
容量測定に際しては、導電層側に電極取り出し位置をと
るという制約があり、なおかつ導電層が薄いだめ、抵抗
成分の影響が大きくなる。そこでこの抵抗成分を加味し
た接合のモデルを作り、被測定試料のアドミタンス又は
インピーダンスの抵抗成分、＠−量酸成分両側定値から
接合容量を計算により求め、この値を用いてより正しく
キャリアプロファイルを不めた。具体的には接合モデル
としてＲＣネットワークを考え、接合容量の計算はモデ
ルから計算されるアドミタンスと測定値として得られる
アドミタンスのそれぞれの実数成分、虚数成分の比の値
を比較することにより、接合容量の価を求めた。
本発明を用いると、従来法よりも正しくキャリアプロフ
ァイルが得られる。このことは次の点から明らかとなっ
た。
ァイルが得られる。このことは次の点から明らかとなっ
た。
（１）測定周波数を変化しても一定のプロファイルが得
られた。
られた。
（２）本発明を用いて得たプロファイルから、この導電
層上にＦＥＴをつくった場合のＶｔｎを予測すると、従
来法で求めた場合よりも、より正確ＶＣ実測値を予測し
た。
層上にＦＥＴをつくった場合のＶｔｎを予測すると、従
来法で求めた場合よりも、より正確ＶＣ実測値を予測し
た。
また本発明を用いて正しくプロファイルを求め、ｖｔｈ
を正確に予測した結果、その後のプロセスを正しく決定
できる効果が絶大であった。
を正確に予測した結果、その後のプロセスを正しく決定
できる効果が絶大であった。
以下に本発明を実施例を示しながら具体的に詳しく説明
する。
する。
半絶縁性ＧａＡｓ基板上につくられた導電層の上にショ
ットキ接合を設けたモデルとして第２図のようなＲＣネ
ットワークを考える。第２図の２１は半絶縁性ＧａＡｓ
基板、２２は活性層２３はオーミック電極、２４はショ
ットキ電極、１５は微小容量、２６はシリーズ抵抗であ
る。このモデルは文献例えばＷＩ ＬＥＹ 、 ＩＥＥ
Ｅ Ｔｒａｎｓ、 ＥＪ！ｅｃｔｒｏｎ Ｌ）ｅｖｉｃ
ｅ 、ｖｏａＥＤ−２５，ｐＬ３１７（１９７８）に示
される通りすでに提案されており、このモデルのアドミ
タンスをＹｋとすると、 ＹｋはＫｅｌｖｉｎ関数を用
いて次のように表わされる。
ットキ接合を設けたモデルとして第２図のようなＲＣネ
ットワークを考える。第２図の２１は半絶縁性ＧａＡｓ
基板、２２は活性層２３はオーミック電極、２４はショ
ットキ電極、１５は微小容量、２６はシリーズ抵抗であ
る。このモデルは文献例えばＷＩ ＬＥＹ 、 ＩＥＥ
Ｅ Ｔｒａｎｓ、 ＥＪ！ｅｃｔｒｏｎ Ｌ）ｅｖｉｃ
ｅ 、ｖｏａＥＤ−２５，ｐＬ３１７（１９７８）に示
される通りすでに提案されており、このモデルのアドミ
タンスをＹｋとすると、 ＹｋはＫｅｌｖｉｎ関数を用
いて次のように表わされる。
Ｙｋ ＝ （Ａｔ ＋ ｊＡｚ ）
・ ・・・・・・（３）４１心ｅ Ａ・−５°゛３゛°）ｂ°゛″゛曹曽史川９・・用・・
・（４）ｂｅｒ２（ｘａ）＋ｂｅｉ２（ｘａ） ここで ｘａ−石−７震「 ・・・・・・・・（６）Ｒ
ｅ 二 □ ・・ ・
・（力８πδ Ｗ：角周波数 Ｃ：真の空乏層の容量 ρ：チャど・ルの平均抵抗率 ρ：チャネルの厚さ 上式からはＣ、Ｒｅが既知の場合にアドミタンスＹｋを
求めることはできるが、逆にＹｋが既知の場合にＣを解
析的に求めることはできかい。そのため上記文献におい
ては、測定グロファイルの定性的議論をするにとどけっ
ており、丁”ＥＴのｖｔｈ予測ができるような正確なグ
ロファイルを求める手段を提供していなかった。
・ ・・・・・・（３）４１心ｅ Ａ・−５°゛３゛°）ｂ°゛″゛曹曽史川９・・用・・
・（４）ｂｅｒ２（ｘａ）＋ｂｅｉ２（ｘａ） ここで ｘａ−石−７震「 ・・・・・・・・（６）Ｒ
ｅ 二 □ ・・ ・
・（力８πδ Ｗ：角周波数 Ｃ：真の空乏層の容量 ρ：チャど・ルの平均抵抗率 ρ：チャネルの厚さ 上式からはＣ、Ｒｅが既知の場合にアドミタンスＹｋを
求めることはできるが、逆にＹｋが既知の場合にＣを解
析的に求めることはできかい。そのため上記文献におい
ては、測定グロファイルの定性的議論をするにとどけっ
ており、丁”ＥＴのｖｔｈ予測ができるような正確なグ
ロファイルを求める手段を提供していなかった。
発明者らはアドミタンスを知ってＣの値を求める割算手
法を新たに確立した。
法を新たに確立した。
すなわち被測定系を第３図のような等価回路としてアド
ミタンスを測定し、以下に述べるようにＣの値を求める
。第３図において、３１は容量−１３２は抵抗でその伝
導度をＳｍとする。この等価回路のアドミタンスＹｍは
角周波数Ｗを用いてＹｍ ＝ Ｓｍ 十ｊｗＣｍ
・・・・・・・・・・・（８）で表わされる。
ミタンスを測定し、以下に述べるようにＣの値を求める
。第３図において、３１は容量−１３２は抵抗でその伝
導度をＳｍとする。この等価回路のアドミタンスＹｍは
角周波数Ｗを用いてＹｍ ＝ Ｓｍ 十ｊｗＣｍ
・・・・・・・・・・・（８）で表わされる。
第２図のＲＣネットワークのモデルを第３図の等価回路
で測定した場合、 Ｙｋ ＝ Ｙｍ ・・・・・・・（
９）であるから、 Ｙｋの実数部をＲｋ 、虚数部分を
Ｉｋとすると Ｒｋ ＝ ＡＩ ＝ Ｓｍ −−−・・（
＋Ｏ）Ｒｅ である。Ｒｋ、Ｉｋは上式に示されるように未知数Ｒｅ
を含むため、直接測定値と比較することはできない。し
かしＩ ｋ ／ Ｒｋをとるととなり、ｗＣｍ／Ｓｍと
の比較が可能となる。そこで本発明の実施例ではＩ ｋ
／Ｒｋを用いて次のように接合容量Ｃを求めた。
で測定した場合、 Ｙｋ ＝ Ｙｍ ・・・・・・・（
９）であるから、 Ｙｋの実数部をＲｋ 、虚数部分を
Ｉｋとすると Ｒｋ ＝ ＡＩ ＝ Ｓｍ −−−・・（
＋Ｏ）Ｒｅ である。Ｒｋ、Ｉｋは上式に示されるように未知数Ｒｅ
を含むため、直接測定値と比較することはできない。し
かしＩ ｋ ／ Ｒｋをとるととなり、ｗＣｍ／Ｓｍと
の比較が可能となる。そこで本発明の実施例ではＩ ｋ
／Ｒｋを用いて次のように接合容量Ｃを求めた。
Ｉ ｋ／Ｒｋは２つの未知数ＲｅとＣを含むＲｅｗＣと
いう量と第４図のように１対１対応をする。そこでまず
、 ｗＣｒｎ／ Ｓ ｍ ＝ Ｉ ｋ／Ｒｋ ・・・−
＝（１３）となるＲｅｗＣの値、ぎい変えればＸａＯ値
を、ｘａを変化させ鬼から数値計算のくり返しによシ求
める。職を満たすｘａの値をＸａＳとすｔしばこのＸａ
＋ 。
いう量と第４図のように１対１対応をする。そこでまず
、 ｗＣｒｎ／ Ｓ ｍ ＝ Ｉ ｋ／Ｒｋ ・・・−
＝（１３）となるＲｅｗＣの値、ぎい変えればＸａＯ値
を、ｘａを変化させ鬼から数値計算のくり返しによシ求
める。職を満たすｘａの値をＸａＳとすｔしばこのＸａ
＋ 。
に対するＩｋが
となることがらＲｅは
と求めることができる。よって接合容量Ｃの値は（６）
式から で求められる。以上の手続きを測定した全てのデ−タに
ついて行ない、その結果として得られたＣの値を用いて
（１１、（２＋式から、プロファイルを求めるというの
が本発明の実施例におけるプロファイル測定法である。
式から で求められる。以上の手続きを測定した全てのデ−タに
ついて行ない、その結果として得られたＣの値を用いて
（１１、（２＋式から、プロファイルを求めるというの
が本発明の実施例におけるプロファイル測定法である。
つまり本発明においては、ショットキダイオードの測定
を容量成分のみ行なうのではなく、複素数アドミタンス
又はインピーダンスとしてその実数成分、虚数成分の両
者を測定し、計算により接合容量を求めるという点が従
来法になかった新たな特徴である。
を容量成分のみ行なうのではなく、複素数アドミタンス
又はインピーダンスとしてその実数成分、虚数成分の両
者を測定し、計算により接合容量を求めるという点が従
来法になかった新たな特徴である。
上述のような数値計算には多くのデータと計算が必要と
なるが、自動測定システムを用いれば簡単に天性できる
。本実施例においてはイじ正を実行するだめのデータを
第５図のような自動測定システムから得た。５１はデス
クトップコンピュータは５２．５３．５４はそれぞれＤ
／Ａコンバータ、デジタルボルトメータ、 ＬＣＲメ
ータ、５５はブロックである。Ｄ／Ａコンバータはテス
クドッグコンピュータの命令をＩＥＥＥ−４８８バス５
６を介して受けて、被測定試料のバイアス電圧を発生し
、被測定試料５７であるショットキダイオードに印加さ
れるとともにデジタルボルトメータにょシ当篭圧が正確
に測定され、そのデータがＩＥＥＥ−４８８バスを介し
てコンピュータに送られる。一方ＬＣＲメークによって
試料のアドミタンス測定が行なわれ、そのデータはＩＥ
ＥＥ−４８８バスを介してコンビコータに送られる。こ
れらバイアス電圧、アドミタンスの測定データをもとに
デスクトップコンビコータがプロファイル計算を行ない
ブロックに出力する。
なるが、自動測定システムを用いれば簡単に天性できる
。本実施例においてはイじ正を実行するだめのデータを
第５図のような自動測定システムから得た。５１はデス
クトップコンピュータは５２．５３．５４はそれぞれＤ
／Ａコンバータ、デジタルボルトメータ、 ＬＣＲメ
ータ、５５はブロックである。Ｄ／Ａコンバータはテス
クドッグコンピュータの命令をＩＥＥＥ−４８８バス５
６を介して受けて、被測定試料のバイアス電圧を発生し
、被測定試料５７であるショットキダイオードに印加さ
れるとともにデジタルボルトメータにょシ当篭圧が正確
に測定され、そのデータがＩＥＥＥ−４８８バスを介し
てコンピュータに送られる。一方ＬＣＲメークによって
試料のアドミタンス測定が行なわれ、そのデータはＩＥ
ＥＥ−４８８バスを介してコンビコータに送られる。こ
れらバイアス電圧、アドミタンスの測定データをもとに
デスクトップコンビコータがプロファイル計算を行ない
ブロックに出力する。
第６図（ａ）〜（ｇ）は第１図の（ａ）〜（ｇ）と全く
同じ試料に対して、本発明による修正法を使って得られ
たプロファイルである。異なる測定周波数で得たデータ
からのプロファイルが第１図の（ａ）〜（ｇ）に比べて
よく一致しており、このことは抵抗成分の影響が除かれ
て、より正しくプロファイルが得られたことを示してい
る。第６図において、（ａ）は１０１ＧＩｚ（ｂ）は２
０ ＫＨｚ 、 （ｃ）は４０１’Ｇ（ｚ 、 （ｄ）
は１００ ＫＨｚ 、 （ｅ）は２００１Ｇｉｚ 、
（ｆ）は４００ Ｋ）ｌｚ 、 （ｇ）はＩ ＭＨｚの
賜金である。
同じ試料に対して、本発明による修正法を使って得られ
たプロファイルである。異なる測定周波数で得たデータ
からのプロファイルが第１図の（ａ）〜（ｇ）に比べて
よく一致しており、このことは抵抗成分の影響が除かれ
て、より正しくプロファイルが得られたことを示してい
る。第６図において、（ａ）は１０１ＧＩｚ（ｂ）は２
０ ＫＨｚ 、 （ｃ）は４０１’Ｇ（ｚ 、 （ｄ）
は１００ ＫＨｚ 、 （ｅ）は２００１Ｇｉｚ 、
（ｆ）は４００ Ｋ）ｌｚ 、 （ｇ）はＩ ＭＨｚの
賜金である。
従来法と本修正法で測定周波数４００ ）ＧＨｚでのプ
ロファイルを求め、それぞれからｖｔｈを予測すると第
２衣のようになる。
ロファイルを求め、それぞれからｖｔｈを予測すると第
２衣のようになる。
第２表
！を未洗では−３，４２０Ｖであるのに対し、本発明に
ン ″よる方法を用いると−３，７７９Ｖである。一方尚シ
ョソトキダイオードの近傍に、ショットキダイオードと
同様のキャリア濃度プロファイルとなる導電層上につく
られたＦ’ＥＴについてｖｔｈを測定したところ、−３
，７８Ｖであり、本発明によるギヤリア濃度プロファイ
ル測定から予測される値に極めて近いことが示された。
ン ″よる方法を用いると−３，７７９Ｖである。一方尚シ
ョソトキダイオードの近傍に、ショットキダイオードと
同様のキャリア濃度プロファイルとなる導電層上につく
られたＦ’ＥＴについてｖｔｈを測定したところ、−３
，７８Ｖであり、本発明によるギヤリア濃度プロファイ
ル測定から予測される値に極めて近いことが示された。
以上のように本発明によればより正しくプロファイルを
求めることができ、これによってｖｔｈを正しく予測で
＠、ｖｔｈを正確に制御することかできる。
求めることができ、これによってｖｔｈを正しく予測で
＠、ｖｔｈを正確に制御することかできる。
本発明はモデル回路のシリーズ抵抗とオーミック電極の
間に抵抗を付加したモデルについても同様にその効果を
発揮することかできる。又ＧａＡｓ以外の絶縁性基板中
につくられた導電層の評価にも応用できる。本発明の実
施においては測定データを容量と抵抗の並列回路で得た
が、直列回路のデータとしても同様であることは言うま
でもない。
間に抵抗を付加したモデルについても同様にその効果を
発揮することかできる。又ＧａＡｓ以外の絶縁性基板中
につくられた導電層の評価にも応用できる。本発明の実
施においては測定データを容量と抵抗の並列回路で得た
が、直列回路のデータとしても同様であることは言うま
でもない。
又、本発明の実施例以外の計算手法により被測定ショッ
トキダイオードのアドミタンス測定値から接合容量を求
めても同様の効果が期待できる。
トキダイオードのアドミタンス測定値から接合容量を求
めても同様の効果が期待できる。
本発明はアドミタンスの実数部分、虚数部分の・両測定
データから被測定試料の抵抗成分の効果金除去して接合
容量を求めることができるという点が基本だからである
。
データから被測定試料の抵抗成分の効果金除去して接合
容量を求めることができるという点が基本だからである
。
、ｈ３１図は半絶縁性ＧａＡｓ基板中につくられた導電
層の上にショットキ接合を設けた試料に対し、従来のｃ
−ｖ′を子濃度プロファイル測定を１０ ＫＨｚから１
ＮｌＩｌ（ｚの測定周波数で行なっだ場合の曲線図、第
２図は本発明の一実施例における接合容量計算に用いら
れた半絶縁性ＧａＡｓ基板中につくられた導電層にショ
ットキ接合を設けた場合のＲＣネットワークモデルを示
す図、第３図は試料のアドミタンスを測定する際の等価
回路図、第４図はＲＣネットワークモデルから算出され
るアドミタンスのＲｅｖｔＣに対する実数部分Ｒｋと辺
数部分Ｉｋの比Ｉｋ／ＲｋとＩｋ−Ｒｅ 、 Ｒｋ・Ｒ
ｅの関係と示した図、第５図は本発明によるキャリア偵
度プロファイル測定を実行するだめの自動測定システム
を示す図、第６図は第１図と同じ試料に対し本発明の方
法によシプロファイルを得た結果を示す図である。 ２１：半絶縁性ＧａＡｓ基板、２２：活性層、２３ニオ
−ミックは極、２４：ンヨソトキ電極、２５：微小容量
、２６：シリーズ抵抗。 第 １ 図 〆αＴ （仄） １ ’Σ第１図 ？Ｔ ・ｂノ第１図 ｃｌｅｐｔ←ｙ（７ＴＩ嘲ｃｐ−ｏｎ、）□第 １
図 （５ｔｄ） ρ、ρ θ、ｆ ｐ−２’ ムミ
ρ、ｑ θさ ρ、６ ρ７ｄｅＰ＋ｈ
ｃ笹ＩＣトｏｒｙ） −ｍ−−−−４さ−ａｅＰｔｈ
＜ｍｒｃｒｍ＞ −一 第１図 第２図 第４図 第５図 １ 第６図 ｄｅＰｔｈ （ｍ＋ Ｃ％ｂｒｙ） −一一＼ｄｅｐｔ
に（ｚ＋ｃ＋−ｏｙｃ） −一一一卆＼ｃｉｅｐｔｈ
（ｙ口Ｃｈｏｘ） −一−−→シー第６図 ａｅｐｔに（ｍｉｃｒｏｎ） −外 筒６図 ｃｌｅｐｔｈ（ｍｉｃｒｏｎ） −子 弟 ６
層の上にショットキ接合を設けた試料に対し、従来のｃ
−ｖ′を子濃度プロファイル測定を１０ ＫＨｚから１
ＮｌＩｌ（ｚの測定周波数で行なっだ場合の曲線図、第
２図は本発明の一実施例における接合容量計算に用いら
れた半絶縁性ＧａＡｓ基板中につくられた導電層にショ
ットキ接合を設けた場合のＲＣネットワークモデルを示
す図、第３図は試料のアドミタンスを測定する際の等価
回路図、第４図はＲＣネットワークモデルから算出され
るアドミタンスのＲｅｖｔＣに対する実数部分Ｒｋと辺
数部分Ｉｋの比Ｉｋ／ＲｋとＩｋ−Ｒｅ 、 Ｒｋ・Ｒ
ｅの関係と示した図、第５図は本発明によるキャリア偵
度プロファイル測定を実行するだめの自動測定システム
を示す図、第６図は第１図と同じ試料に対し本発明の方
法によシプロファイルを得た結果を示す図である。 ２１：半絶縁性ＧａＡｓ基板、２２：活性層、２３ニオ
−ミックは極、２４：ンヨソトキ電極、２５：微小容量
、２６：シリーズ抵抗。 第 １ 図 〆αＴ （仄） １ ’Σ第１図 ？Ｔ ・ｂノ第１図 ｃｌｅｐｔ←ｙ（７ＴＩ嘲ｃｐ−ｏｎ、）□第 １
図 （５ｔｄ） ρ、ρ θ、ｆ ｐ−２’ ムミ
ρ、ｑ θさ ρ、６ ρ７ｄｅＰ＋ｈ
ｃ笹ＩＣトｏｒｙ） −ｍ−−−−４さ−ａｅＰｔｈ
＜ｍｒｃｒｍ＞ −一 第１図 第２図 第４図 第５図 １ 第６図 ｄｅＰｔｈ （ｍ＋ Ｃ％ｂｒｙ） −一一＼ｄｅｐｔ
に（ｚ＋ｃ＋−ｏｙｃ） −一一一卆＼ｃｉｅｐｔｈ
（ｙ口Ｃｈｏｘ） −一−−→シー第６図 ａｅｐｔに（ｍｉｃｒｏｎ） −外 筒６図 ｃｌｅｐｔｈ（ｍｉｃｒｏｎ） −子 弟 ６
Claims (1)
- 半導体中のキャリア濃度プロファイル測定に際し、当導
電層上に形成されたショットキダイオード又はｐ−ｎ接
合ダイオードのアドミタンス又はインピーダンスのバイ
アス電圧依存性を測定し、その測定値の実数成分及び虚
数成分の数値を用いキャリア酸度プロファイルの測定法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5273383A JPS59178743A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 半導体中のキヤリア濃度プロフアイルの測定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5273383A JPS59178743A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 半導体中のキヤリア濃度プロフアイルの測定法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59178743A true JPS59178743A (ja) | 1984-10-11 |
Family
ID=12923126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5273383A Pending JPS59178743A (ja) | 1983-03-30 | 1983-03-30 | 半導体中のキヤリア濃度プロフアイルの測定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59178743A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102809699A (zh) * | 2012-08-24 | 2012-12-05 | 福建师范大学 | 溶液电导率测量涉及的电极分布电容动态测定方法 |
-
1983
- 1983-03-30 JP JP5273383A patent/JPS59178743A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102809699A (zh) * | 2012-08-24 | 2012-12-05 | 福建师范大学 | 溶液电导率测量涉及的电极分布电容动态测定方法 |
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