JPS59178384A - Thermal material detector - Google Patents
Thermal material detectorInfo
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- JPS59178384A JPS59178384A JP58053081A JP5308183A JPS59178384A JP S59178384 A JPS59178384 A JP S59178384A JP 58053081 A JP58053081 A JP 58053081A JP 5308183 A JP5308183 A JP 5308183A JP S59178384 A JPS59178384 A JP S59178384A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01V—GEOPHYSICS; GRAVITATIONAL MEASUREMENTS; DETECTING MASSES OR OBJECTS; TAGS
- G01V9/00—Prospecting or detecting by methods not provided for in groups G01V1/00 - G01V8/00
- G01V9/005—Prospecting or detecting by methods not provided for in groups G01V1/00 - G01V8/00 by thermal methods, e.g. after generation of heat by chemical reactions
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
イ。産業上の利用分野
本発明は、熱材検出装置に関し、防犯、玩則、四報装置
、自ｒｐｊ）点滅装置、温度計画、その他あらゆる物体
の熱材検出装置に用いゐ事ができる。[Detailed Description of the Invention] A. INDUSTRIAL APPLICATION FIELD The present invention relates to a heat material detection device, and can be used for crime prevention, toy regulations, four-alarm devices, automatic RPJ/flashing devices, temperature planning devices, and other heat material detection devices for all kinds of objects.
口、従来の技術
従来の熱材検出装置は、第１凶ｖＬ示す６日く、被検出
熱材より放射さｉ’１−／）赤外光に、光電変換器１（
光電変換器１は感知部が２素子のデュアルタイプである
）、ソース抵抗２、バイパスコンデンサろで熱電変換葡
行なっている。第２図（ａ）に出力信号波形（ａ）７元
す。出力信号波形（ａ）は初段増幅器２０に入力されろ
。初段増幅器２０は帯域フィルタであり、その川辺の抵
抗４、コンデンサ５でローカットフィルタ、抵抗６、コ
ンデンサ７でノ・イカソトフイルタ？構旗していｏ ｖ
Ｊ ２図（ｂ）［出力信号波形（ｂ）を示す。この出
力信号波形（ｂ）は次段増幅器２１へ入力さルゐ、ここ
で前記初段増幅器２０と同じ様に見なせば、抵抗８、コ
ンデンサ９でローカットフィルタ、抵抗１０１コンデン
サ１１でハイカットフィルタの構成となめ。また、抵抗
１３，１４，１５．１６とコンデンサ１２に、ｒ、ジ、
次段増幅器２１の動作レベルヶ決定している。第２〔ス
（ｃｌに出力信号波形（Ｃ）ケ示す。出力信号波形（こ
）がウィンドコンパレータ入力となゐ。ウィンドコンパ
レータば、比較器２２．２３で構成されておジ、熱材検
出し′λ、・１−の設定慣行なっていう。BACKGROUND OF THE INVENTION A conventional thermal material detection device converts a photoelectric converter 1 (
The photoelectric converter 1 performs thermoelectric conversion using a sensing section (of a dual type with two elements), a source resistor 2, and a bypass capacitor. FIG. 2(a) shows the output signal waveform (a) of 7 elements. The output signal waveform (a) is input to the first stage amplifier 20. The first stage amplifier 20 is a bandpass filter, and the resistor 4 and capacitor 5 on its side are a low-cut filter, and the resistor 6 and capacitor 7 are a low-cut filter. Flag in formation o v
J2 Figure (b) [Output signal waveform (b) is shown. This output signal waveform (b) is input to the next-stage amplifier 21. Here, if viewed in the same way as the first-stage amplifier 20, the resistor 8 and capacitor 9 constitute a low-cut filter, and the resistor 101 and capacitor 11 constitute a high-cut filter. Toname. Also, resistors 13, 14, 15.16 and capacitor 12 are connected to
The operating level of the next stage amplifier 21 is determined. The output signal waveform (C) is shown in the second screen (cl). The output signal waveform (C) is the input to the window comparator. ′λ,・1− setting convention.
抵抗１３，１４，１５．Ｉ６で決めた基準電位に対して
出力信号波形（ｃ）が越え／）刀・どう刀１で動作しこ
の信Ｊｉ４ｉはＮ Ｐ Ｎ ）ランジスグ１９のベース
に入力されて出力信号波形ｆｄ）勿出力す４１ｎ第２図
ｔｄ）にこの出力信号波形１ａ） ｋ示す。Resistors 13, 14, 15. The output signal waveform (c) exceeds the reference potential determined by I6/) This signal operates with the sword 1, and this signal Ji4i is input to the base of the Ranjisug 19 and the output signal waveform fd) is output This output signal waveform 1a) is shown in Figure 2 (td).
２１１発明の目的
不発明は、従来の性能は維持するとともに、部品点数會
少なくし、コストダウンｒ計る事７目的とする。211 Purpose of the Invention The purpose of the invention is to maintain the conventional performance, reduce the number of parts, and reduce costs.
二１発明の構成
本発明ば、第５図に示す如く、被検出材より放射上れる
赤外光を、光電変換器３１で熱電変換を行なっている。21. Structure of the Invention According to the present invention, as shown in FIG. 5, infrared light emitted from the material to be detected is subjected to thermoelectric conversion by a photoelectric converter 31.
光電変換器３１の感知部に単一素子のシングルタイプで
ある。第４図（θ）［、この出力信号波形（θ）葡示す
。出力信号波形（θ）は、ＧＮＤ刀１ら数百ｍＶの点に
直流バイアス点を待ち、人が近づく事［より、前記直流
バイアス意力）らＭ ｍ Ｖ→−側に立ち上る。また人
が遠ざ刀５ゐ串ＶＣより数ｍＶ−側へ立ち下る。この出
力信号波形（θ）は、初段増幅器４５（ｃ入力へれ、抵
抗３２．３４で増幅ＩＷケ決定し、コンデンサ５５．３
５とで初段増幅器４２葡構成している。ここでに、前記
出力信号波形４４葡、数Ｖに増幅している。駆４図（ｆ
）に、この出力信号波形（ｆ） ｋ示す。この出力信号
波形（ｆ）がダイオード３８に入力されるとダイオード
の順方向電圧（約ｏ、 ６ ｖ ）以下のレベルが除去
された波形のみが出力される。すなわちここでは、ダイ
オード３Ｂの順方向電圧が熱材検出レベルになっている
、この為風による温朋変化、気温耽変化等によめノイズ
ケ除去することができる。第４図（ｇ）に、この出力信
号波形（ｇｌ ｋ示す。The sensing part of the photoelectric converter 31 is a single type with a single element. FIG. 4 shows the output signal waveform (θ). The output signal waveform (θ) waits for the DC bias point at a point several hundred mV from the GND sword 1, and rises to the M m V→- side as a person approaches (the above-mentioned DC bias willpower). Also, a person falls several mV- from the 5-meter VC. This output signal waveform (θ) is determined by the first stage amplifier 45 (c input, amplified IW by resistor 32.34, capacitor 55.3
5 constitutes 42 first-stage amplifiers. Here, the output signal waveform 44 is amplified to several volts. Kaku 4 diagram (f
) shows this output signal waveform (f)k. When this output signal waveform (f) is input to the diode 38, only the waveform in which the level below the diode's forward voltage (approximately 6 V) has been removed is output. That is, here, the forward voltage of the diode 3B is at the heating material detection level, so that noise caused by temperature changes due to wind, temperature changes, etc. can be removed. This output signal waveform (glk) is shown in FIG. 4(g).
この出力信号７波形（ｇ）が、次段増幅器４６ＶＣ入力
される。抵抗３９．４０により増幅度を決定し、次段増
幅器４６ケ構成している。ここで出力信号波形（ｇｊ
’に数Ｖ［増幅している。抵抗４１は次段増幅器４６の
動作レベルヶ決めている。第４図（ｂ）にこの出力信号
波形ｆｈ） ’、１示す。出力信号波形（ｂ）ｉ従来の
回路図第１図の出力信号波形ｊｄ）の゛両所と同じとな
り、比較器２１．２２と抵抗１２，１３，１４゜１５．
１６コンデンサ１２が不安とな／）。この出力信号波形
（ｈ）が、ＮＰＮ）ランジスタ４６のペースに入力され
て出力信号波形１１）’ｚ比出力／）。第４図０）にこ
の出力信号波形（ｉ） ’ｚ示す。This output signal 7 waveform (g) is input to the next stage amplifier 46VC. The degree of amplification is determined by resistors 39 and 40, and 46 next-stage amplifiers are constructed. Here, the output signal waveform (gj
' is amplified by several V. The resistor 41 determines the operating level of the next stage amplifier 46. FIG. 4(b) shows this output signal waveform fh)',1. The output signal waveform (b) i is the same as the output signal waveform (jd) in the conventional circuit diagram of FIG.
I'm worried about 16 capacitor 12/). This output signal waveform (h) is input to the pace of the NPN transistor 46 to produce an output signal waveform 11)'z ratio output/). The output signal waveform (i)'z is shown in FIG. 4 (0).
ポ１発明の効果
本発明は、従来の熱材検出装置と比べ注能會変えること
なく、光電変換器の感知部が２素子であるデュアルクィ
ブから感知部が単一素子であるシングルタイプに交換し
、ソース抵抗が除去さ几た。Point 1 Effects of the Invention Compared to conventional thermal material detection devices, the present invention replaces the dual type photoelectric converter with a two-element sensing part to a single type with a single-element sensing part without changing the function. , the source resistance is removed.
才た熱材検出レベルの設定は、比較器２つに工ゐウィン
ドコンパレータ〃ニラ初段を胃幅器の後に接続したダイ
オードでできる様になり、従来の回路では、光電変換器
７）ｈら出力償才１．た微小１ａ碕も初段・次段増幅器
ＶｒＣより増幅されていたが、本発明に於いてに、初段
増巾器の後に接続した、光電変換器後１らの微小信号で
あっても除去できろ様になった。The effective setting of the hot material detection level can now be done by using two comparators and a window comparator.The first stage of the window comparator is connected after the gasket. Redemption 1. The minute signal 1a was also amplified by the first-stage and second-stage amplifiers VrC, but in the present invention, even the minute signal from the photoelectric converter connected after the first-stage amplifier can be removed. It became like that.
また、熱材検出レベルヶ虻に高くしたい場合は、ダイオ
ードケ順万回に直列に、接続する事により、使用者の要
望していゐ熱材検出レベルを設定できる。In addition, if the user wants to increase the heating material detection level to an extremely high level, by connecting the diodes in series, the user can set the heating material detection level desired by the user.
１ユ上の様に、部品点数が少なくななことに、Ｊ：リコ
ストダウンがホカられた。J: Re-cost reduction was overlooked because the number of parts was reduced as in the case of 1 unit above.
同、センサーを変えることに、ｒ、り温１Ｗセンサ等に
も使用可能であめ。Similarly, if you change the sensor, it can also be used as a 1W temperature sensor.
第１図は、従来の回路図である。
１・・・光電変換器
２・・・ソース抵抗
３・・・バイハスコンデンサ
４．６，８，１０，１３，１４，１５，１６゜１７．１
８・・・抵抗
５．７，９，１１．１２・・・コンデンサ１９・・・Ｎ
ＰＮ トランジスタ
２０・・・初段増幅器
２１・・・次段増幅器
２２・・・比較器
２３・・・比較器
第２図は、従来の各部用力信号波形図である。
（ａ）・・光電変換器後の出力１ｇ号波形（ｂｌ・・・
初段増幅器後の出力信号波形（ｃｌ・・次段増幅器後の
出力信号波形（ｔｉ）・・・（ｖ Ｐ Ｎ ）ランジス
タ後の出力信号波形第３図は、不発明の回路図である。
３１・・・光電変換器
３２．３４，３６，４０，４１，４２．４４・・・・・
・・・・・・・抵抗
３ろ、３５．３７・・・コンデンサ
３８・・・ダイオード
３９・・・次段増幅器動作レベル設定用抵抗４３・・・
ＮＰ役トランジスタ
第４図は、本発明の各部用力信号波形図である。
（８）・・光電変換器後の出力信号波形（ｆ）・・・初
段増幅器後の出力信号波形（ｇ）・・・ｉ−イオード後
の出力信号波形（ｈ）・・・次段増幅器後の出力信号波
形（１）・・・ＮＰＮトランジスタの出力信号波形以
上
出願人 塩尻工業株式会社
代理人 弁理士最上 務
第 ／ 辺
第 ２１叉
第３図
党４図FIG. 1 is a conventional circuit diagram. 1...Photoelectric converter 2...Source resistor 3...Bihas capacitor 4.6, 8, 10, 13, 14, 15, 16° 17.1
8...Resistor 5.7, 9, 11.12...Capacitor 19...N
PN transistor 20...First stage amplifier 21...Next stage amplifier 22...Comparator 23...Comparator FIG. 2 is a conventional force signal waveform diagram for each part. (a)... Output 1g waveform after photoelectric converter (bl...
Output signal waveform after the first stage amplifier (cl... Output signal waveform after the next stage amplifier (ti)...(v P N ) Output signal waveform after the transistor Figure 3 is an uninvented circuit diagram. 31 ...Photoelectric converter 32.34, 36, 40, 41, 42.44...
...... Resistor 3, 35.37... Capacitor 38... Diode 39... Resistor 43 for setting the next stage amplifier operating level...
NP role transistor FIG. 4 is a power signal waveform diagram of each part of the present invention. (8)...Output signal waveform after photoelectric converter (f)...Output signal waveform after first stage amplifier (g)...Output signal waveform after i-ion (h)...After next stage amplifier Output signal waveform (1)...Output signal waveform of NPN transistor
Applicant: Shiojiri Kogyo Co., Ltd. Agent: Patent Attorney Mogami Tsutomu No. 21, No. 3, Part No. 4
Claims (1)
この光電変換手段の出力に応じて熱材検出信号？発生す
る出力手段よｆ） ｆｙＷる熱材検出装置に於て、該熱
材検出イ百号部の熱材検出レベル設定手段として、ダイ
オードケ用いた＄７特徴とする熱材検出装置。a photoelectric conversion means for receiving infrared light from the thermal material to be detected;
A heating material detection signal according to the output of this photoelectric conversion means? A heating material detection device characterized in that a diode is used as a heating material detection level setting means of the heating material detection part 100 in the heating material detection device f) fyW.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58053081A JPS59178384A (en) | 1983-03-29 | 1983-03-29 | Thermal material detector |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58053081A JPS59178384A (en) | 1983-03-29 | 1983-03-29 | Thermal material detector |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59178384A true JPS59178384A (en) | 1984-10-09 |
| JPH0314148B2 JPH0314148B2 (en) | 1991-02-26 |
Family
ID=12932843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58053081A Granted JPS59178384A (en) | 1983-03-29 | 1983-03-29 | Thermal material detector |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59178384A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010197093A (en) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Hitachi Automotive Systems Ltd | State determination device |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8338162B2 (en) | 2009-04-17 | 2012-12-25 | Anaeropharma Science, Inc. | Obligately anaerobic mutant lactic acid bacterium and preparation method therefor, and expression vector functioning in obligately anaerobic lactic acid bacterium |
| US8778332B2 (en) | 2009-10-22 | 2014-07-15 | Kabushiki Kaisha Yakult Honsha | Agent for reducing risk of developing cancer |
-
1983
- 1983-03-29 JP JP58053081A patent/JPS59178384A/en active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010197093A (en) * | 2009-02-23 | 2010-09-09 | Hitachi Automotive Systems Ltd | State determination device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0314148B2 (en) | 1991-02-26 |
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