JPS59177928A - Device for projection exposure - Google Patents

Device for projection exposure

Info

Publication number
JPS59177928A
JPS59177928A JP58050334A JP5033483A JPS59177928A JP S59177928 A JPS59177928 A JP S59177928A JP 58050334 A JP58050334 A JP 58050334A JP 5033483 A JP5033483 A JP 5033483A JP S59177928 A JPS59177928 A JP S59177928A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
optical system
mask
focus
stage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58050334A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Minoru Yoshida
実 吉田
Minoru Ikeda
稔 池田
Naoto Nakajima
直人 中島
Ryuichi Funatsu
隆一 船津
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP58050334A priority Critical patent/JPS59177928A/en
Publication of JPS59177928A publication Critical patent/JPS59177928A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface

Abstract

PURPOSE:To adjust the focus of a projection exposure device accurately and moreover easily, and to enable to regulate in a short time by a method wherein a photoelectrically scanning microscope is fixed to an alignment optical system, a pattern signal is detected as an electric signal, and adjustment of the focus is performed by detecting electrically the focus position whereat intensity of the signal becomes to the maximum. CONSTITUTION:A wafer 1 is vacuum attracted to the stage of a wafer table 3, and transferred to the under part of an alignment optical system 8 according to a running table 6. A focus slip quantity is detected, and the wafer is transferred to adjust the focus. The running table 6 is transferred to the right direction holding the condition thereof as it is, and transferred under a wafer surface positioning part 9. At this time, detecting points on the wafer 1 are detected transferring the table, the output signal of a non-contacting displacement meter is processed according to an A/D converter, and the position is operated according to a computer. The result thereof is the focus coinciding face of the wafer 1 and a mask 2. At printing time, the positions existing the detecting points of nine pieces on the surface of the wafer are detected according to the non-contacting displacement meter, and the running table 6 stops at the right edge part. The wafer 1 is transferred as to make the surface of the detecting points at this time to coincide with the previously operated focus coinciding face.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、マスクツヤターンをウェハ表面に投影結像さ
せて/4’ターン転写を行う投影装置に係や、更に詳し
くは、マスクパターンをウニへ表面ニ投影結像させる投
影光学系と共に、ウェハテーブル上に載置されたウェハ
を、ウェハ表面位置決め部の下に位置させて、ウェハ表
面の位置決めを行う手段と、ウェハ表面よりの投影光学
系の焦点位置ずれを検出するアライメント光学系を有す
る投影露光装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a projection device that performs 4' turn transfer by projecting and imaging a mask gloss pattern onto a wafer surface, and more specifically, relates to a projection device that performs 4' turn transfer by projecting and imaging a mask pattern onto a wafer surface. A projection optical system for projecting an image onto the surface, a means for positioning the wafer surface by positioning the wafer placed on the wafer table under a wafer surface positioning unit, and a projection optical system for projecting from the wafer surface. The present invention relates to a projection exposure apparatus having an alignment optical system for detecting a focal position shift.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

半導体ウニへの表面に回路パターンを加工する為の投影
露光装置において、ウェハ表面上にマスクパターンを解
像度よく投影結像させるには、結像面の焦点深度以内に
ウェハ表面を正確に位置決めし、高精度に焦点合せを行
うことが最も重要な技術的要素となる。従来の投影露光
装置の一例を概略的な正面図の第1図で示す。ウェハ1
及びマスク2は、それぞれ両者のパターン合せを行なう
為にウェハテーブル3及びマスクテーブル4に搭載保持
され、更にこれらのテーブル3,4は、図示せざるエア
ベアリングガイドを介して、石定盤5上を図面上で左右
に移動可能な走行テーブル6に搭載されている(駆動部
は図示してない。)。投影光学系7.アライメント光学
系8.及びウェハ5   71 表面位置決め部9も石定盤5に搭載されている。
In a projection exposure apparatus for processing a circuit pattern on the surface of a semiconductor, in order to project and image a mask pattern on the wafer surface with high resolution, the wafer surface must be accurately positioned within the focal depth of the imaging plane. Highly accurate focusing is the most important technical element. An example of a conventional projection exposure apparatus is shown in FIG. 1, which is a schematic front view. Wafer 1
and mask 2 are mounted and held on a wafer table 3 and a mask table 4, respectively, in order to match the patterns of both, and these tables 3 and 4 are mounted on a stone surface plate 5 via an air bearing guide (not shown). is mounted on a traveling table 6 that is movable left and right in the drawing (the drive unit is not shown). Projection optical system7. Alignment optical system 8. and the wafer 5 71 surface positioning section 9 is also mounted on the stone surface plate 5.

石定盤5の下部に設けられた露光光源10より出射され
る紫外光で、マスク2を下部よシ照射し、投影光学系7
によシ、ウェハ1上にマスク2のパターンを結像させる
。アライメント光学系80対物レンズ11の先端には、
八−7ミラー12がiflられてあり、マスク2のノJ
?ターンを透過した光はハーフミラ−12を透過してウ
ェハ1上にマスク2のパターンを結像させる。アライメ
ント光学系8では、ウェハ1上のノリーン及びウェハ1
上に投影結像されたマスク2のノぐターンを、ハーフミ
ラ−12゜対物レンズ11等によシ同時に観察し、パタ
ーン合わせを行う。なお、このパターン合わせを行う際
は露光光源10からの光から紫外線成分をフィルタなど
で除去しておく。
The mask 2 is irradiated from the bottom side with ultraviolet light emitted from the exposure light source 10 provided at the bottom of the stone surface plate 5, and the projection optical system 7
Then, the pattern of the mask 2 is imaged onto the wafer 1. At the tip of the alignment optical system 80 objective lens 11,
8-7 mirror 12 is ifl, mask 2 no J
? The light that has passed through the turn passes through the half mirror 12 and forms an image of the pattern of the mask 2 on the wafer 1. In the alignment optical system 8, the Noreen on the wafer 1 and the wafer 1
The pattern of the mask 2 projected and imaged thereon is simultaneously observed through a half-mirror 12° objective lens 11, etc., and pattern alignment is performed. Note that when performing this pattern matching, ultraviolet components are removed from the light from the exposure light source 10 using a filter or the like.

この投影露光装置のウェハテーブル3及びウェハ表面位
置決め部9の構造を第2図に基づいて説明する。第2図
において、ウェハテーブル30ベース部材13は、第1
図の走行テーブル6に固定されていて、ペース部材13
の上に鋼球14を介してX。
The structure of the wafer table 3 and wafer surface positioning section 9 of this projection exposure apparatus will be explained based on FIG. 2. In FIG. 2, the wafer table 30 base member 13 is
The pace member 13 is fixed to the traveling table 6 shown in the figure.
X through the steel ball 14 on top of.

6頁 Yステージ15が載置されている。X、Yステージ15
はペース部材13の上面に沿った水平面内で自由に動く
ことが可能で、2自由度を有している。そして、このX
、Yステージ15は送シ機構(図示省略)により、±3
門の範囲でその位置を走行テーブル60走行方向(Y方
向)と、水平面内でこれと直交する方向(X方向)とに
制御されるようになっている。このX、Yステージ15
には玉軸受16を介してシータステージ17が回転可能
に取付けられ、このシータステージ17には更に上下軸
18が取付けられている。この上下軸18にはナツト1
9が嵌装固定されていて、シータステージ17に固定さ
れ7’CA’ルスモータ2】の軸に直結す)る送シねじ
かをナツト19に噛合させておるので、ノヤルスモータ
21を駆動することによシ上下軸18が上下に移動し、
2ステージとして作動する。この2ステージである上下
軸18はシータステージ17に対して回動しないように
係止され、上下摺動自在に支承されている。
A 6-page Y stage 15 is placed. X, Y stage 15
can move freely in a horizontal plane along the upper surface of the pace member 13 and has two degrees of freedom. And this X
, Y stage 15 is moved by ±3 by a feed mechanism (not shown).
The position within the range of the gate is controlled in the traveling direction of the traveling table 60 (Y direction) and in the direction perpendicular thereto (X direction) within the horizontal plane. This X, Y stage 15
A theta stage 17 is rotatably attached to the theta stage 17 via a ball bearing 16, and a vertical shaft 18 is further attached to the theta stage 17. This vertical shaft 18 has a nut 1
9 is fitted and fixed, and the nut 19 is engaged with the feed screw (fixed to the theta stage 17 and directly connected to the shaft of 7'CA' Luss motor 2), so that the Noyals motor 21 can be driven. The vertical shaft 18 moves up and down,
Operates as two stages. The vertical shaft 18, which is the two stages, is fixed to the theta stage 17 so as not to rotate, and is supported so as to be vertically slidable.

この上下軸18の上側には、ウェハ搭載台22が載置さ
れ、上下軸18上面の円錐状のくぼみnと、つエバ搭載
台22の下部球面座別とが嵌合し、ウェハ搭載台22を
自由に傾動することができるようになっている。
A wafer mounting table 22 is placed above the vertical shaft 18, and a conical recess n on the upper surface of the vertical shaft 18 fits into a lower spherical seat of the evaporator mounting table 22. can be tilted freely.

このように、従来のウニ八テーブル3は、走行テーブル
6上に固定されたペース部材]3上に、XIYステージ
15を設け、このX、Yステージ15によってシータス
テージ17が支持され、シータステージ17によって上
下軸18及びウェハ搭載台22並びにウェハ1が支持さ
れた三重構造となっていた。また、このウェハテーブル
3上のウェハ1の表面に対向するように、ウニ八表面位
置決め部9の下面に、高さ基準板26と、3個のノヤツ
ド苔と、これらを基準面に平行に調整する機構(図示せ
ず。)を設けていた。
In this way, the conventional Unihachi table 3 is provided with an XIY stage 15 on the pace member fixed on the running table 6, and the theta stage 17 is supported by the X and Y stages 15. It had a triple structure in which the vertical shaft 18, the wafer mounting table 22, and the wafer 1 were supported. In addition, a height reference plate 26 and three pieces of moss are placed on the lower surface of the surface positioning unit 9 so as to face the surface of the wafer 1 on the wafer table 3, and these are adjusted parallel to the reference plane. A mechanism (not shown) was provided to do this.

この装置においては、以上の構成により、第2図の状態
でウェハ1をウェハ搭載台22に吸着孔5を用いて真空
吸着させる。走行テーブル6を移動させてウェハ1をウ
ニ八表面位置決め部9の下に移動させ、上下軸18を上
昇させ、高さ基準板あのiRラッド7にウェハ1の表面
を押し当てる。すると、修正されて水平姿勢になる。パ
ッド27はウェハ1の中心を重心とする正三角形の各頂
点に配置され、投影光学系7の焦点面に対して規定高さ
だけ正確に高い位置に設けておくと、ウェハ1の表面は
、投影光学系7の焦点面よシ上記規定高さだけ高い位置
に高さと傾きが位置決めされる。この状態でくぼみ器内
を真空にし、ウェハ搭載台22を上下軸18に吸着固定
し、更に上下軸18を上記の規定高さだけ正確に下降し
、ウェハ1表面を投影光学系7の焦点深度内に平行移動
させていた。
In this apparatus, with the above configuration, the wafer 1 is vacuum-suctioned to the wafer mounting table 22 using the suction hole 5 in the state shown in FIG. The traveling table 6 is moved to move the wafer 1 under the surface positioning section 9, the vertical shaft 18 is raised, and the surface of the wafer 1 is pressed against the iR rad 7, which is the height reference plate. Then, it will be corrected to a horizontal position. The pads 27 are placed at each vertex of an equilateral triangle whose center of gravity is the center of the wafer 1, and if they are placed at precisely a specified height above the focal plane of the projection optical system 7, the surface of the wafer 1 will be The height and inclination are positioned at a position higher than the focal plane of the projection optical system 7 by the above specified height. In this state, the inside of the hollow chamber is made into a vacuum, the wafer mounting table 22 is suctioned and fixed to the vertical shaft 18, and the vertical shaft 18 is further lowered accurately by the above specified height, so that the surface of the wafer 1 is placed at the focal depth of the projection optical system 7. It was moved in parallel.

上記の操作の後、走行テーブル6を移動させて、ウェハ
1を投影光学系7の下に位置させてX、Yステージ15
を移動させたり、シータステージ17を回動させタフし
て、ウェハ1上に設けた合せマークをマスク2のパター
ンの合せマークを一致させる。この状態で、走行テーブ
ルを一旦往き側に移動させ、その後帰路を一定の速度で
戻る間にウェハ1の表面全体にマスク2のパターンを露
光させて、焼付けていた。このとき、ウェハ1表面を投
9−C「 形光学系7の焦点面に一致させるために、アライメント
光学系8によりマスク2のパターンとウェハ1のパター
ンが同時に鮮明に見えるようになるまで、上記高さ基準
板26の高さと平行度とを合せ、その後マスク2のパタ
ーンをウェハ1に焼付けして現像し、得られた像が最も
鮮明になる様に上記高さ基準板26の規定高さを修正し
ていた。
After the above operation, move the traveling table 6, position the wafer 1 under the projection optical system 7, and place the wafer 1 on the X, Y stage 15.
The alignment mark provided on the wafer 1 is made to coincide with the alignment mark of the pattern of the mask 2 by moving the theta stage 17 and rotating the theta stage 17. In this state, the traveling table was once moved to the forward side, and then returned at a constant speed on the return path, while the pattern of the mask 2 was exposed and printed on the entire surface of the wafer 1. At this time, in order to align the surface of the wafer 1 with the focal plane of the optical system 7, the alignment optical system 8 moves the surface of the wafer 1 until the pattern of the mask 2 and the pattern of the wafer 1 can be clearly seen at the same time. The height and parallelism of the height reference plate 26 are matched, and then the pattern of the mask 2 is printed onto the wafer 1 and developed, and the specified height of the height reference plate 26 is set so that the obtained image is the clearest. was being corrected.

このような従来技術においては次のような欠点があった
。即ち、アライメント光学系8は、対物レンズ11をそ
の光軸方向に微動させて、ウェハ1のパターンが鮮明に
見えるようにしておき、次にウニ八テーブル3の上下軸
18を光軸方向に微動させて、ウェハ1に投影されたマ
スク2のパターンが鮮明に見えるようにすることを繰り
返してマスク2とウェハ1の焦点合せを行っているので
、最良ピント位置の判断精度が悪く、最良ピント位置0
前後にある一定領域(一定巾)で最良のピントであると
感じるため、その中央位置で合せるのが困難であり、ま
た、個人差もあった。更に、ウェハ1に焼付けられたマ
スク2のパターンの線幅は、10   頁 眼よりもピントに敏感で、線幅にばらつきを生じていた
。このため、マスク2の位置と線幅の関係を、試し焼き
し、試し現像とパターン幅の測定より求めて、最適位置
にマスク2を固定するようにしていたが、装置が熱変形
した場合、再度試し焼きをせねばならなく、装置単独で
は調整できず長い時間を要した。
Such conventional technology has the following drawbacks. That is, the alignment optical system 8 slightly moves the objective lens 11 in the direction of its optical axis so that the pattern on the wafer 1 can be seen clearly, and then moves the vertical axis 18 of the Unihachi table 3 slightly in the direction of the optical axis. Since the mask 2 and wafer 1 are focused by repeatedly making the pattern of the mask 2 projected on the wafer 1 clearly visible, the accuracy of determining the best focus position is poor, and the best focus position is 0
Since the best focus is felt to be in a certain area (a certain width) in the front and back, it is difficult to achieve focus in the center, and there are also individual differences. Furthermore, the line width of the pattern of the mask 2 printed on the wafer 1 was more sensitive to focus than the 10th page, causing variations in line width. For this reason, the relationship between the position of the mask 2 and the line width was determined through trial printing, trial development, and measurement of the pattern width, and the mask 2 was fixed at the optimal position. It took a long time to make the test firing, as it was not possible to make adjustments using the equipment alone.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、従来技術の欠点をなくシ、焦点合せが
正確、且つ容易で、短時間で調整可能で、調整後の変動
が少なく安定していて、ツヤターンの位置合せの制御も
容易に安定状態で行うことができ、更属ウェハ表面の被
膜に損傷を与えることがない投影露光装置を提供するこ
とにある。
The object of the present invention is to eliminate the drawbacks of the prior art, to enable accurate and easy focusing, to be adjustable in a short time, to be stable with little variation after adjustment, and to easily control gloss turn alignment. It is an object of the present invention to provide a projection exposure apparatus which can carry out exposure in a stable state and which does not damage the coating on the surface of a wafer.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明による投影露光装置は、アライメント光学系に光
電走査顕微鏡を取付けて、パターン信号を電気信号とし
て検出し、信号の大きさが最大となるピント位置を電気
的に検出し、これによ多焦点合せを行うようにしである
。更に、ウェハ表面位置決め部に非接触変位計が設けら
れ、該非接触変位計とウェハテーブルの高さ方向及び平
行度を調整する調整部とが、制御回路で連係され、非接
触変位計の下部を走行テーブルにより移動されるウェハ
の位置が、非接触変位計により算出されたウニへの基準
位置に、前記調整部により位置合せされる。
The projection exposure apparatus according to the present invention includes a photoelectric scanning microscope attached to an alignment optical system, detects a pattern signal as an electrical signal, electrically detects the focus position where the signal magnitude is maximum, and uses a multifocal It is recommended that you do the matching. Furthermore, a non-contact displacement meter is provided in the wafer surface positioning section, and the non-contact displacement meter and an adjustment section that adjusts the height direction and parallelism of the wafer table are linked by a control circuit, and the lower part of the non-contact displacement meter is The position of the wafer moved by the traveling table is aligned by the adjustment unit with the reference position relative to the sea urchin calculated by the non-contact displacement meter.

本発明による投影露光装置の好ましい態様においては、
前記ウェハテーブルが、走行テーブルに固定されたペー
ス部材並びに、ペース部材にX方向に設けた1組の送p
機構と、Y方向に設けた2組の送り機構と、2方向に設
けた3組の送り機構とにより、X、Y方向に移動可能で
且つ前記の高さ方向及び平行度を調整可能とされて、ウ
ェハに載置するステージよりなシ、且つ、6組の送り機
構のそれぞれと、該ステージとの間には、各送り機構の
送り方向の力のみを伝えて、送り方向の動きを許容する
伝導部材が介装され、それぞれの送り機構が独立して該
ステージを直接的に駆動し得るようにしである。
In a preferred embodiment of the projection exposure apparatus according to the present invention,
The wafer table includes a pace member fixed to a traveling table and a set of feed points provided on the pace member in the X direction.
With the mechanism, two sets of feed mechanisms provided in the Y direction, and three sets of feed mechanisms provided in two directions, it is possible to move in the X and Y directions and adjust the height direction and parallelism. In addition, only the force in the feeding direction of each feeding mechanism is transmitted between each of the six sets of feeding mechanisms and the stage to allow movement in the feeding direction. A conductive member is interposed to allow each feeding mechanism to directly drive the stage independently.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の投影露光装置を実施例の図面に基づいて
説明する。先ず、実施例の装置の概要を概略正面図の第
3図に基づいて説明する。、第3図よp明らかなように
、この装置においても、第1図に示した従来の装置と同
様に、ウェハテーブル3、マスクテーブル42石定盤5
.走行テーブル6、投影光学系7.アライメント光学系
8.ウニへ表面位置決め部9.露光光源1oを有す(1
はウェハ、2はマスクである。)。マスクテーブル4゜
石定盤5.走行テーブル6、投影光学系7.露光光源1
0は第1図におけると同種のものであるので、これらに
ついての説明は省略し、従来と異な91本発明の装置の
特徴とする構成要素であるウェハテーブル3.アライメ
ント光学系8及びウニへ表面位置決め部9について、こ
の順序で区分して説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A projection exposure apparatus according to the present invention will be explained below based on drawings of embodiments. First, the outline of the apparatus of the embodiment will be explained based on FIG. 3, which is a schematic front view. As is clear from FIG. 3, this device also has a wafer table 3, a mask table 42, a stone surface plate 5, and the like in the conventional device shown in FIG.
.. Traveling table 6, projection optical system 7. Alignment optical system 8. Surface positioning part for sea urchin9. It has an exposure light source 1o (1
is a wafer, and 2 is a mask. ). Mask table 4° stone surface plate 5. Traveling table 6, projection optical system 7. Exposure light source 1
0 are of the same type as those shown in FIG. 1, so their explanation will be omitted, and 91 wafer table 3. The alignment optical system 8 and the sea urchin surface positioning section 9 will be explained in this order.

ウェハテーブルについて説明。Explain about wafer table.

第4図及び第5図は本発明の装置におけるウェハテーブ
ルの実施例のそれぞれ縦断面図及び平面13T〔 図である。図面において、路はウェハテーブルのペース
部材で、走行テーブル(第3図参照)に固定されている
。ペースあには、x、y及び2方向の送り機構を構成す
るために、それぞれ1個のノfルスモータ29.2個の
パルスモータ30.及び3個のA’ルスモータ31(第
4図ではパルスモータ31を2個しか図示していない。
FIGS. 4 and 5 are a longitudinal sectional view and a plane 13T view, respectively, of an embodiment of the wafer table in the apparatus of the present invention. In the drawing, the track is a pacing member of the wafer table, which is fixed to the travel table (see FIG. 3). In order to constitute the feeding mechanism in the x, y and two directions, the pace motor is equipped with one nolus motor 29. and two pulse motors 30. and three A' pulse motors 31 (only two pulse motors 31 are shown in FIG. 4).

)が固定されている。これらのノやルスモータ29 、
30 、31の軸にはそれぞれ送9ねじ32 、33 
、34が固着されである。送りねじ32 、33 、3
4にそれぞれ螺合するナツト部材35,36゜37がペ
ース路に対する回動を抑制し、軸方向の摺動を可能とし
てペース28忙嵌合させである。
) is fixed. These noyarus motors 29,
The shafts of 30 and 31 have feed screws 32 and 33, respectively.
, 34 are fixed. Feed screws 32, 33, 3
Nut members 35, 36 and 37 screwed into the pace 28, respectively, suppress rotation relative to the pace path and allow sliding in the axial direction, thereby allowing the pace 28 to be tightly fitted.

3個のナツト部材37は、浮遊パッド40及び鋼球41
を介してステージ38を支承している。ステージ38と
ペース路の間にはステージあの自重を付勢するばね42
が張設されている。また、ステージ38は、ステージ3
8とペース路の間にX方向に張設した別のばね43によ
り、X方向に付勢され、浮遊パッド44を介してナツト
部材35に押しつけられ、X方向の位置決めがされてい
る。同様に、ステージ38は、14頁 ステージ38とペースあの間にY方向に張設した別のば
ね45により、Y方向に付勢され、浮遊パッド46を介
してナツト部材36に押しつけられ、Y方向の位置決め
がされている。浮遊パッド46とナツト部材36は、空
気軸受として抵抗なく移動ができる(図示省略)。この
ようにして、ウェハテーブルはX方向に設けた1組の送
シ機構と、Y方向に設げた2組の送り機構と、2方向に
設けた3組の送り機構を有している。ステージ38の上
面に真空吸着用の空洞部39を設けてあり、ウェハ1を
真空吸着して搭載できるようにしである。
The three nut members 37 include a floating pad 40 and a steel ball 41.
The stage 38 is supported via. Between the stage 38 and the pace path is a spring 42 that biases the stage's own weight.
is installed. Also, stage 38 is stage 3
8 and the pace path in the X direction, it is biased in the X direction and pressed against the nut member 35 via the floating pad 44, thereby positioning it in the X direction. Similarly, the stage 38 is biased in the Y direction by another spring 45 stretched in the Y direction between the page 14 stage 38 and the pager, and is pressed against the nut member 36 via the floating pad 46, so that the stage 38 is pushed in the Y direction. has been positioned. The floating pad 46 and the nut member 36 can be moved without resistance as air bearings (not shown). In this way, the wafer table has one set of feeding mechanisms provided in the X direction, two sets of feeding mechanisms provided in the Y direction, and three sets of feeding mechanisms provided in two directions. A vacuum suction cavity 39 is provided on the upper surface of the stage 38 so that the wafer 1 can be vacuum suctioned and mounted.

第4図における9はウェハ表面位置決め部であるが、こ
れについては後述する。第5図において、ウェハ1の面
上に示した9個の×印47(ア〜ケ)は、ウェハ表面位
置決め部9の検出点を示しである。
Reference numeral 9 in FIG. 4 is a wafer surface positioning section, which will be described later. In FIG. 5, nine x marks 47 (A-Q) shown on the surface of the wafer 1 indicate detection points of the wafer surface positioning section 9.

次に、このウェハテーブルのX、Y方向の移動並びに高
さ方向及び平行度の調整について説明する。まず、ウェ
ハ1をステージ38上面に真空吸着させる。次に、3個
のパルスモータを回転させて、ナツト部材37を適宜上
下させ、ステージ関を上下動及び傾斜させる。このとき
、浮遊ノjツド44 、46はその両端の球面及び平面
を空気軸受面としているので、ステージあの上下動、傾
きの抵抗とならず、また鋼球41も径が十分率さいため
ステージ38の傾きの抵抗とはならない。つづいて、ウ
ェハ1のX、Y方向の移動は、パルスモータ29 、3
0によりナツト部材35 、36を適宜に送ることによ
って行なわれる。このとき、浮遊パッド40はその下面
を空気軸受としているのでステージ38移動の抵抗とは
ならず、浮遊パッド44 、4.6も両端の球面および
平面を空気軸受面としているため、ステージ38の移動
回転の抵抗とはならない。また、ステージ38を支えて
いる鋼球41は、浮遊パッド40又はステージ38の円
錐面と揺動又は回転することなく、固定の状態でステー
ジあと共に浮遊パッド40に支持されて、投影光学系7
の焦点面と精密に平行なナット部材37上面を移動する
。この場合、厳密に云えば、ナツト部材37の上面と焦
点面との平行度の狂いによって上下方向の狂いを生じる
が、この実施例のように、ナツト部材37の上面を高精
度で焦点面と平行に仕上げて赴くと、ザブクロミンオー
ダの位置決めにおいても、前記の上下方向の狂いは無視
することができる程度に微小である。
Next, the movement of this wafer table in the X and Y directions and the adjustment of the height direction and parallelism will be explained. First, the wafer 1 is vacuum-adsorbed onto the upper surface of the stage 38. Next, the three pulse motors are rotated to move the nut member 37 up and down as appropriate, thereby moving the stage assembly up and down and tilting it. At this time, since the floating nodes 44 and 46 have spherical and flat surfaces at both ends as air bearing surfaces, they do not provide resistance to the vertical movement or tilting of the stage, and the steel ball 41 has a sufficiently small diameter so that the stage 38 It is not the resistance of the slope. Next, the movement of the wafer 1 in the X and Y directions is carried out by pulse motors 29 and 3.
This is done by appropriately feeding the nut members 35 and 36 using the 0 button. At this time, since the floating pad 40 has an air bearing on its lower surface, it does not act as a resistance to the movement of the stage 38, and the floating pads 44 and 4.6 also have spherical and flat surfaces at both ends as air bearing surfaces, so the movement of the stage 38 It does not create rotational resistance. Further, the steel ball 41 supporting the stage 38 is supported by the floating pad 40 together with the stage back in a fixed state without swinging or rotating with the floating pad 40 or the conical surface of the stage 38, and is supported by the floating pad 40 along with the stage back.
The upper surface of the nut member 37 is precisely parallel to the focal plane of the lens. In this case, strictly speaking, a vertical deviation occurs due to a deviation in the parallelism between the top surface of the nut member 37 and the focal plane, but as in this embodiment, the top surface of the nut member 37 can be aligned with the focal plane with high precision. When finished in parallel, the above-mentioned deviation in the vertical direction is so small that it can be ignored even in the positioning of the Zabuchromin order.

このようにして、1組の送り機構を構成しているパルス
モータ29によるステージ関のX方向の位置決めと、2
組の送9機構を構成している2個のパルスモータ30の
同期回転によるステージ38のY方向の位置決めが行わ
れる。そして、この操作と並行して、前記2個のA’ル
スモータ30の差動によシステージおの2軸回90回動
が行われる。即ち、第2図の従来の装置におけるシータ
ステージ17に相当する動作を行わせることができる。
In this way, the positioning of the stage in the X direction by the pulse motor 29 constituting one set of feed mechanisms, and the two
The stage 38 is positioned in the Y direction by the synchronous rotation of the two pulse motors 30 that constitute the set of feeding mechanisms 9. In parallel with this operation, each stage is rotated 90 times on two axes by the differential action of the two A'rus motors 30. That is, the operation corresponding to the theta stage 17 in the conventional apparatus shown in FIG. 2 can be performed.

以上説明したように、6組の送シ機構がそれぞれ独立に
、且つ直接的にステージあを押動して、6自由度の制御
を行うので位置決め剛性が高い。
As explained above, the six sets of feed mechanisms independently and directly push the stage to perform control in six degrees of freedom, resulting in high positioning rigidity.

また、ステージ関は、送り機構を担持していないので軽
量であり、従って制御性を妨げない。
Furthermore, the stage assembly is lightweight because it does not carry a feeding mechanism, and therefore does not impede controllability.

アライメント光学系についての説明。Explanation about alignment optical system.

次に、アライメント光学系について第6図〜第79 13図に基づいて説明する。先ず、本発明の装置の実施
例におけるアライメント光学系を他の構成部材と関連さ
せて示すブロック図の第6図に基づいて説明する。48
は高解像度の対物レンズを使用できる様に改良し、光電
走査顕微鏡が組込まれたアライメントスコープで、アラ
イメント光学系の主体をなすものである。挿脱可能な紫
外線カツトフィルタ49を通った光によりマスク2が照
射され、投影光学系7〜によシウエハ1に投影されるべ
きマスク2のノやターンは、途中でアライメント光学系
f48の平面ミラー関、51により、マスクパターン専
用対物レンズ52の焦点面53に投影され、更に対物レ
ンズ52.光束合成用ハーフミラ−54,及び第2対物
レンズ55によp走査器56に投影される。
Next, the alignment optical system will be explained based on FIGS. 6 to 79-13. First, a description will be given based on FIG. 6, which is a block diagram showing an alignment optical system in an embodiment of the apparatus of the present invention in relation to other constituent members. 48
This is an alignment scope that has been improved to use a high-resolution objective lens and has a built-in photoelectric scanning microscope, which forms the main part of the alignment optical system. The mask 2 is irradiated with light that has passed through the removable ultraviolet cut filter 49, and the edges and turns of the mask 2 to be projected onto the wafer 1 by the projection optical system 7 are interrupted by the plane mirror of the alignment optical system f48. 51, the mask pattern is projected onto the focal plane 53 of the objective lens 52 dedicated to the mask pattern, and is further projected onto the focal plane 53 of the objective lens 52 dedicated to the mask pattern. The beam is projected onto the p-scanner 56 by the beam combining half mirror 54 and the second objective lens 55.

また、ウェハ1のツヤターンを落差照明装置57により
照明し、ウェハパターン専用対物レンズ58並びにマス
クパターンの場合と同様に光束合成用ハーフミラ−54
及び第2対物レンズ55により走査器56に投影される
In addition, the glossy turn of the wafer 1 is illuminated by a drop illumination device 57, and an objective lens 58 dedicated to the wafer pattern and a half mirror 54 for beam synthesis as in the case of the mask pattern are used.
and is projected onto the scanner 56 by the second objective lens 55.

59ハアライメントスコープ48の焦点合せ用駆動18
頁 機構であり、アライメントスコープ48を投影光学系7
の光軸方向に移動すると共に、その移動位置信号(イ)
をピーク値位置検出回路61に送るものである。62は
ピーク値検出回路であシ、走査器56よりの電気信号6
3をマスクとウェハに分離して、各々の信号のピーク値
64 、65を検出するものである。
59 Alignment scope 48 focusing drive 18
It is a page mechanism, and the alignment scope 48 is connected to the projection optical system 7.
As well as moving in the optical axis direction, the movement position signal (a)
is sent to the peak value position detection circuit 61. 62 is a peak value detection circuit, which receives an electrical signal 6 from the scanner 56.
3 into a mask and a wafer, and detect the peak values 64 and 65 of each signal.

ピーク値位置検出回路61は、ピーク値検出回路62か
らのピーク値64 、65が対物レンズ移動位置信号6
0の変化に対応してどの様に変動したかの変化特性から
、マスクとウェハについてのピーク値64゜65が最大
となる対物レンズ移動位置をそれぞれ検出するものであ
る。
The peak value position detection circuit 61 uses the peak values 64 and 65 from the peak value detection circuit 62 as the objective lens movement position signal 6.
The objective lens movement position at which the peak value of 64°65 for the mask and wafer becomes the maximum is detected from the change characteristics of how it fluctuates in response to the change in 0.

66はピント合せ回路であり、ウニへビーク値位置信号
とマスクビーク値位置信号の差に相当する距離にアライ
メントスコープ48の2個の対物レンズ58 、52の
取付位置誤差量(一定値)を差し引いた距離だけ、ウェ
ハステージ3を光軸方向に移動させてピントを合わせる
66 is a focusing circuit, which subtracts the mounting position error amount (constant value) of the two objective lenses 58 and 52 of the alignment scope 48 from the distance corresponding to the difference between the sea urchin beak value position signal and the mask beak value position signal. The wafer stage 3 is moved in the optical axis direction by the distance to focus.

第7図、第8図、第10図及び第11図は、第6図にお
ける走査器56からピーク値検出回路62又はビ−ク値
位置検出回路61までの過程の詳細を説明したものであ
る。
7, 8, 10, and 11 explain the details of the process from the scanner 56 to the peak value detection circuit 62 or the peak value position detection circuit 61 in FIG. 6. .

第7図(Alは、走査器56に投影されたパターン図で
、マスクパターン67とウェハパターン68トカ重なら
ないで同一視野にある場所を選び、走査線69に対して
直角にパターンが直角に交わる様にしている。走査器5
6には、公知のスリット走査器、テレビカメラ、フォー
トダイオードセル等を用い、第7図(Blのような走査
信号が得られる。この走査信号波形よシ、マスクのエツ
ジ70のある場所と、ウェハのエツジ71のある場所の
範囲72 、73を作業者が指定する。これは、第8図
に示すように、マスク用とウェハ用のタイミング信号発
生器74 、75よりの信号76 、77を走査信号6
3と共にオシロスコープ(3現象)78に入力し、ここ
で観測して行う。
FIG. 7 (Al is a pattern diagram projected on the scanner 56, select a location where the mask pattern 67 and the wafer pattern 68 do not overlap but are in the same field of view, and the patterns intersect at right angles to the scanning line 69. Scanner 5
In step 6, a known slit scanner, television camera, fort diode cell, etc. are used to obtain a scanning signal as shown in FIG. The operator specifies ranges 72 and 73 of the location of the edge 71 of the wafer.As shown in FIG. Scanning signal 6
3 and inputted to the oscilloscope (3 phenomena) 78 and observed there.

走査信号63は、微分回路79により微分され、第7図
(C1の如くピントに対して敏感な波形となる。
The scanning signal 63 is differentiated by a differentiating circuit 79, resulting in a waveform sensitive to focus as shown in FIG. 7 (C1).

微分回路の出力信号を、ダート回路so 、 siに入
力し、タイミング信号発生回路74 、75の出カフ6
 、77と同期をとることにより、マスク信号82とウ
ェハ信号83に分け、各々の波形のピーク値84 、8
5を最大値ホールド回路と最小値ホールド回路を組合せ
たピーク高さ検出回路86 、87にて検出し、マスク
ビーク値信号64及びウェハビーク値信号65を得る。
The output signal of the differentiating circuit is inputted to the dart circuits so and si, and the output signal of the timing signal generation circuits 74 and 75 is
, 77, it is divided into a mask signal 82 and a wafer signal 83, and the peak values 84, 8 of each waveform are
5 is detected by peak height detection circuits 86 and 87 which are a combination of a maximum value hold circuit and a minimum value hold circuit, and a mask peak value signal 64 and a wafer peak value signal 65 are obtained.

第9図は、第7図及び第8図におけるマスクパターンの
信号とウェハ・やターンの信号との判別を自動化する方
式の場合の全体ブロック図である。
FIG. 9 is an overall block diagram of a method for automating the discrimination between mask pattern signals and wafer/turn signals in FIGS. 7 and 8.

露光光源10にシャッタ88とその挿脱機構89を加え
、また、ウェハパターンの落差照明装置57の点滅装置
90を加えである。
A shutter 88 and its insertion/removal mechanism 89 are added to the exposure light source 10, and a blinking device 90 of the vertical illumination device 57 for the wafer pattern is added.

第10図はこの場合のピーク値検出回路のブロック図で
ある。マスク・ウェハ照明切換回路91よりマスク照明
信号92とウェハ照明信号93とを交互に出力し、これ
により照明を切換えると同時に走査信号63の微分信号
のケ中−ト回路80 、81を切換える。
FIG. 10 is a block diagram of the peak value detection circuit in this case. A mask illumination signal 92 and a wafer illumination signal 93 are output alternately from a mask/wafer illumination switching circuit 91, thereby switching the illumination and at the same time switching the differential signal of the scanning signal 63 to the differential signal gate circuits 80 and 81.

この後にマスク、ウェハのピーク値信号64 、65を
得るところは、第8図における場合と同じである。
After that, the mask and wafer peak value signals 64 and 65 are obtained in the same manner as in FIG. 8.

この方式によると、マスクパターンとウェハノやターン
とは照明を切換えるのみで区別することができ、両パタ
ーンが重なっていても差支えなく、走21   −白 査範囲内であれば任意の位置で良いので自動化が容易で
あり、特に焼付機において、ウェハ1を位置決めする前
に滑初に焦点合せをしたい場合に好都合である。
According to this method, the mask pattern and the wafer pattern or turn can be distinguished by simply switching the illumination, and there is no problem even if the two patterns overlap, and they can be placed at any position within the scanning range. It is easy to automate, and is particularly advantageous when it is desired to focus at the beginning of the slide before positioning the wafer 1 in a printing machine.

第11図は、自動アライメント用のターゲットマークを
用いてマスクツやターンとウェハパターントの判別を自
動的に行う場合の回路ブロック図(A図)、パターン図
(B、C,D図)、信号波形図(E図)である。(A1
図はピーク値検出回路を示すもので、ツクターン判別タ
イミング発生回路94により自動的にタイミング信号7
6 、77を出力する。他は第8図におけると同様であ
る。C81図はマスクのターグツトパターン67を1軸
について示すもので、間隔Fの2本の棒状)9ターンで
ある。(0図はウェハのターグツトノやター768で、
1本の棒状パターンである。fD1図は合成されて走査
器に投影されたA’ターンである。69は走査線である
。fE1図の上側には■)図のパターンを走査した走査
信号の波形を示しである。波形の3個の山の相互間隔を
図示のようにG、H,Jとし、マスクパターンの間隔F
22了l に相当する間隔に最も近い間隔をG、H,Jの内カラ選
ヒ、この間隔を示j2つの山をマスクのパターンである
と判断し、残りをウニへのパターンとする。これに応じ
て、(E)図の下側に示すように、各々のパターンに同
期したタイミング信号76 、77を出力する。
Figure 11 shows a circuit block diagram (Figure A), pattern diagrams (Figures B, C, and D), and signal diagrams when automatically identifying masks, turns, and wafer patterns using target marks for automatic alignment. It is a waveform diagram (E figure). (A1
The figure shows a peak value detection circuit, in which the timing signal 7 is automatically
6, 77 are output. The rest is the same as in FIG. Figure C81 shows the target pattern 67 of the mask on one axis, which has nine turns (two bar shapes) with an interval F. (Figure 0 shows the wafer tag and tar 768,
It is a single bar pattern. The fD1 diagram is the A' turn combined and projected onto the scanner. 69 is a scanning line. The upper part of the fE1 diagram shows the waveform of the scanning signal obtained by scanning the pattern shown in the figure (■). The mutual spacing between the three peaks of the waveform is G, H, and J as shown in the figure, and the spacing of the mask pattern is F.
Select the interval closest to the interval corresponding to 22.1 among G, H, and J. Indicate this interval, judge the two peaks to be the mask pattern, and use the rest as the pattern for the sea urchin. In response to this, timing signals 76 and 77 synchronized with each pattern are output as shown in the lower part of the figure (E).

第8図、第10図、第11図に示す実施例では、走査信
号63を微分回路によp微分して、ピントに対して敏感
な波形とし、これの波高値をピーク値としているが、走
査信号波形を微分しないで直接その波高値をピーク値と
する方法もある。この回路を各図に破線95で示す。こ
の方法はノイズに強い。
In the embodiments shown in FIGS. 8, 10, and 11, the scanning signal 63 is p differentiated by a differentiating circuit to obtain a waveform that is sensitive to focus, and the peak value is taken as the peak value. There is also a method of directly using the wave height value as the peak value without differentiating the scanning signal waveform. This circuit is shown in each figure by a dashed line 95. This method is resistant to noise.

また、更にノイズに強い方法としては、信号波形を所定
区間で区間を細分し、細分された小区間における信号の
値を小区間の数だけ集めた集合と見做して、その分散の
値をピーク値と見做す方法もある。
In addition, as a method that is even more resistant to noise, the signal waveform is subdivided into predetermined intervals, the signal values in the subdivided subintervals are regarded as a set of the number of subintervals, and the value of the dispersion is calculated. There is also a method of regarding it as a peak value.

第12図及び第13図は、第6図におけるピーク値検出
回路61の具体的の構成及び動作を説明する為の回路ブ
ロック図及び信号模型図である。
12 and 13 are a circuit block diagram and a signal model diagram for explaining the specific configuration and operation of the peak value detection circuit 61 in FIG. 6.

焦点合せ用駆動機構59によりアライメントスコープ4
8を所要ストローク移動させ(第6図参照)、マスクビ
ーク値64及びウェハビーク値の最大値96゜97を最
大値ホールド回路98 、99にて検出し、各々より一
定値だけ低い電圧100 、101 ′ftそれぞれス
レッショルド電圧設定回路102 、103に設定する
The alignment scope 4 is controlled by the focusing drive mechanism 59.
8 by a required stroke (see Fig. 6), the maximum value of the mask peak value 64 and the wafer peak value 96°97 is detected by the maximum value hold circuits 98 and 99, and the voltages 100 and 101'ft are lower by a certain value than each of them. The threshold voltages are set in threshold voltage setting circuits 102 and 103, respectively.

次に、再びアライメントスコープ48を所要ストローク
移動させ、先に設定したスレッショルド電圧と、マスク
及びウェハのピーク値をそれぞれ比較し1一致したとき
のアライメントスコープ移動位置を記憶する。
Next, the alignment scope 48 is moved again by the required stroke, and the previously set threshold voltage is compared with the peak values of the mask and wafer, respectively, and the alignment scope movement position when they match is stored.

これには、−数棟出回路104 、105を用いて、一
致信号106 、107をつくり、これにより最初のマ
スクの一致でメモリ108に、マスクの2番目の一致で
メモリ109に、ウェハの最初の一致でメモリ110ニ
、ウェハの2番目の一致でメモリ111に、それぞれア
ライメントスコープ移動位置を記憶する。
This is done by using output circuits 104, 105 to create match signals 106, 107 which are sent to memory 108 on the first mask match and to memory 109 on the second mask match at the beginning of the wafer. When the second wafer matches, the alignment scope movement position is stored in the memory 110, and when the second wafer matches, the alignment scope movement position is stored in the memory 111.

メモリ108とメモリ109の記憶内容を平均して、マ
スクビーク値位置信号112を得、同様に、メモリ11
0とメモリ111の記憶内容を平均してウェハピーク値
位置信号113を得る。ピント合せは、前述の如く、ウ
ェハピーク値位置信号とマスクビーク値位置信号の差に
相当する距離に、アライメントスコープの2個の対物レ
ンズ58 、52 (第6図参照)の取付位置誤差(一
定値)を差引いた距離だけウェハステージIz方向に移
動させることにより完了する。
The masked peak value position signal 112 is obtained by averaging the stored contents of the memory 108 and the memory 109, and the masked peak value position signal 112 is similarly obtained.
0 and the contents stored in the memory 111 to obtain a wafer peak value position signal 113. As mentioned above, focusing is performed by adjusting the mounting position error (constant value) of the two objective lenses 58 and 52 (see FIG. 6) of the alignment scope to a distance corresponding to the difference between the wafer peak value position signal and the mask peak value position signal. The process is completed by moving the wafer stage Iz direction by the distance obtained by subtracting .

ウェハ表面位置決め部についての説明。Explanation about the wafer surface positioning section.

第14図はウェハ表面位置決め部のウェハ伸から見た平
面図、第15図は第14図におけるa −a線矢視断面
図、第16図は球面座を嵌装する溝の第15図における
b矢視面図である。ウェハ表面位置決め部は、非接触変
位計114を固定したホルダ115゜ホルダ1150両
側に当接している2個の調整スライダ122 、2本の
調整シャフト126.調整レバー130、マイクロメー
タヘッド133及び駆動機構。
Fig. 14 is a plan view of the wafer surface positioning unit as seen from the wafer extension, Fig. 15 is a sectional view taken along the line a-a in Fig. 14, and Fig. 16 is a diagram of the groove in Fig. 15 in which the spherical seat is fitted. FIG. The wafer surface positioning section includes a holder 115° to which a non-contact displacement meter 114 is fixed, two adjustment sliders 122 that are in contact with both sides of a holder 1150, and two adjustment shafts 126. Adjustment lever 130, micrometer head 133, and drive mechanism.

信号処理機構、制御機構等よシなる。This includes signal processing mechanisms, control mechanisms, etc.

ホルダ115は、投影光学系7の下側の部材に設けられ
た2つの溝116に、ホルダ115に固着され25  
 ’Lr た2つの球面座117を嵌着し、且つ、後述のホルダ1
150両端(図面で左右の端部をいう。)に設けた軸1
20の両端と投影光学系7との間に、4個のばね123
が張設されていることにより、球面座117を中心とし
て傾動が許容された状態で、投影光学系7に吊下げられ
ている。ホルダ1150両端には溝119が設けられ、
溝119に前述の軸120が挿通され、各軸120には
回転可能なローラ121が2個と1個設けられている(
マイクロメータヘッド側が2個である。)。ホルダ11
50両端には、ローラ121にその傾斜部を接せしめて
、くさび状の調整スライダ122が当接している。また
、調整スライダ122は、両側(第14図で上下の両側
)で、投影光学系7に固定された直線ベアリング124
により、図面上の左右方向の移動を許容されて投影光学
系7に支承されている。
The holder 115 is fixed to the holder 115 in two grooves 116 provided in the lower member of the projection optical system 7.
'Lr Two spherical seats 117 are fitted, and the holder 1 described later is
150 shaft 1 provided at both ends (referring to the left and right ends in the drawing)
20 and the projection optical system 7, four springs 123 are provided.
is suspended from the projection optical system 7 while being allowed to tilt around the spherical seat 117. Grooves 119 are provided at both ends of the holder 1150,
The aforementioned shafts 120 are inserted into the grooves 119, and each shaft 120 is provided with two and one rotatable rollers 121 (
There are two on the micrometer head side. ). Holder 11
Wedge-shaped adjustment sliders 122 are in contact with the rollers 121 at both ends of the slider 50, with their inclined portions in contact with the rollers 121. Further, the adjustment slider 122 has linear bearings 124 fixed to the projection optical system 7 on both sides (both upper and lower sides in FIG. 14).
Therefore, it is supported by the projection optical system 7 while being allowed to move in the left and right directions in the drawing.

−4の調整スライダ122(ホルダ115と2Nのロー
ラ121で接している調整スライダ)の他端は調整シャ
フト126に当接している。調整シャフト126は、投
影光学系7に固定され、スライドスリ26  頁 一ブ127が挿入されたペース128のスライドスリー
ブ127内に、図面上の左右方向の移動が許容されて挿
通されている。
The other end of the -4 adjustment slider 122 (the adjustment slider that is in contact with the holder 115 through the 2N roller 121) is in contact with the adjustment shaft 126. The adjustment shaft 126 is fixed to the projection optical system 7, and is inserted into the slide sleeve 127 of the pace 128 into which the slide sleeve 26 and page 127 are inserted, while being allowed to move in the left and right directions in the drawing.

他方の調整スライダ122(ホルダ115と1個のロー
ラ121で接している調整スライダ〕の側には、投影光
学系7に固定された軸129に枢着されたレバー130
が設けられである。レバー130の両端には回動可能な
ローラ132が取付けられていて、一方のローラ132
に前記の他方の調整スライダ122が当接するようにし
である。他方のローラ132には、前記の(調整スライ
ダ122 ) −(す=AI−115)−(調整スライ
ダ122 )−m整シャフ)126)の列と平行に設け
られたもう1本の調整シャフト126に当接するように
しである。2本の調整シャフト126の先端にはそれぞ
れマイクロメータヘッド133が取付けである。
On the side of the other adjustment slider 122 (the adjustment slider that is in contact with the holder 115 through one roller 121), there is a lever 130 pivotally connected to a shaft 129 fixed to the projection optical system 7.
is provided. Rotatable rollers 132 are attached to both ends of the lever 130, and one roller 132
The other adjustment slider 122 is arranged so that it comes into contact with the other adjustment slider 122. The other roller 132 has another adjustment shaft 126 provided in parallel with the above-mentioned row (adjustment slider 122 ) - (S=AI-115) - (adjustment slider 122 ) - m adjustment shaft) 126). It should be in contact with the Micrometer heads 133 are attached to the tips of the two adjustment shafts 126, respectively.

ホルダー115は、ホルダ115と投影光学系7との間
に、ホルダ115の長手方向(図面上の左右方向)に張
設したばね118により、マイクロメータヘッド133
に向けて付勢されている。また、調整27   Iτ スライダ122も投影光学系7どの間に張設したばね1
25により調整シャフト126又はローラ132に向け
て付勢されている。
The holder 115 supports the micrometer head 133 by a spring 118 stretched between the holder 115 and the projection optical system 7 in the longitudinal direction of the holder 115 (left-right direction in the drawing).
is being energized towards. Further, the adjustment 27 Iτ slider 122 is also connected to the spring 1 stretched between the projection optical system 7.
25 toward the adjustment shaft 126 or roller 132.

ウェハ表面位置決め部は以上の如く構成され、第3図に
示すように、投影光学系7の下部に配置され、非接触変
位計114を走行テーブル6上のウェハテーブル3に搭
載されたウェハと平行に位置させるために、2個のマイ
クロメータヘッド133を回転し、調整シャフト126
及び7114スライダ122を移動し、ホルダ115全
球面座117を中心として傾動させて調整する。134
はA/D変換器で、非接触変位計114の出力信号を処
理し、コンピュータ135にて取込み、第4図に示j3
組のパルスモータ31の位置制御を行う。
The wafer surface positioning section is configured as described above, and as shown in FIG. Rotate the two micrometer heads 133 to position the adjusting shaft 126.
and 7114 by moving the slider 122 and tilting the holder 115 around the spherical seat 117 for adjustment. 134
is an A/D converter that processes the output signal of the non-contact displacement meter 114, imports it into the computer 135, and converts it to j3 as shown in FIG.
The position of the set of pulse motors 31 is controlled.

次に全体の動作を説明する。ウェハ1はウェハテーブル
3のステージ38に真空吸着され、走行テーブル6によ
りアライメント光学系8の下部に移行される(第4.6
.9図参照)。アライメント光学系について説明した方
法で焦点ずれ量を検出し、ウェハテーブルについて説明
した方法でウェハを移動してピントを合わす。この状態
を保ちながら走行テーブル6を第3図の右方向に移動し
、ウェハ表面位置決め部9の下方を移動させる。この時
、第5図のウェハ1上のX印の検出点47を移行しなが
ら測定し、第14図で示したA/D変換器134で非接
触変位計114の出力信号を処理し、コンピュータ13
5で位置を算出しておく。この結果が、ウェハ1とマス
ク2の焦点−数面である。
Next, the overall operation will be explained. The wafer 1 is vacuum-adsorbed onto the stage 38 of the wafer table 3, and transferred to the lower part of the alignment optical system 8 by the traveling table 6 (No. 4.6).
.. (See Figure 9). The amount of defocus is detected using the method described for the alignment optical system, and the wafer is moved and brought into focus using the method described for the wafer table. While maintaining this state, the traveling table 6 is moved to the right in FIG. 3 to move below the wafer surface positioning section 9. At this time, the detection point 47 marked with an X on the wafer 1 in FIG. 13
Calculate the position in step 5. The result is the focal plane of wafer 1 and mask 2.

別のウェハ1の焼付時において、ウェハ1は、ある位置
でウェハテーブル3に図示しない方法で移送され真空吸
着され、走行テーブル6によシ第3図の右方向に移動し
、前記ウェハ表面位置決め部の非接触変位計114によ
シ、ウニへ表面の9個のX印の検出点47のある位置が
検出され、走行テーブル6は右端部で停止する。この時
の検出点47の面が、先に算出した焦点−数面に一致す
るように第4図に示す/4’ルスモータ31を駆動して
ウェハ1を移動させる。この時の駆動量の算出方法とし
て、焦点−数面を基準として、第5図のウェハ1の検出
点47の(つ)、(力)、(列の平均値を計算し、浮遊
29   Ti パッド40(c)、 40(blを移動させ、次に検出
点47の(イ)。
When another wafer 1 is to be baked, the wafer 1 is transferred to the wafer table 3 at a certain position by a method not shown, is vacuum-adsorbed, and is moved to the right in FIG. The position of the nine X-marked detection points 47 on the surface of the sea urchin is detected by the non-contact displacement meter 114 in the section, and the traveling table 6 stops at the right end. The wafer 1 is moved by driving the /4' pulse motor 31 shown in FIG. 4 so that the plane of the detection point 47 at this time coincides with the previously calculated focus-number plane. As a method of calculating the driving amount at this time, the average value of the rows of detection points 47 on the wafer 1 in FIG. 40(c), 40(move bl, then detect point 47(a).

(ロ)、(久の平均値を計算し、浮遊パッド4]al 
、 40(b)。
(b), (Calculate the average value of the floating pad 4]al
, 40(b).

40[elを移動させ、次に、検出点47の(7)、 
f−0,(キ)の平均値を計算し、浮遊パッド40 f
atを移動させ、最後に、全検出点47の平均値を計算
し、全浮遊パッド40を移動させ、焦点−数面に平均高
さ出しを行う。なお、装置が稼動して時間が経過して、
測定器のドリフト等があっても、定期的にアライメント
光学系8によりピント合せを行い、較正することができ
る。
40[el, then (7) of the detection point 47,
Calculate the average value of f-0, (ki) and set the floating pad 40 f
at is moved, and finally, the average value of all detection points 47 is calculated, all floating pads 40 are moved, and the average height is determined on the focal point - several plane. In addition, after the device has been in operation for some time,
Even if there is a drift of the measuring instrument, it is possible to periodically perform focusing and calibration using the alignment optical system 8.

ウェハテーブルの2方向の駆動に実施例ではパルスモー
タを使用しているがこれに限られるものでない。例えば
、柱状ピエゾ素子を用いることもできる。更に、浮遊パ
ッドは空気軸受を使用しているが、ボールブツシュとフ
ォロアーの組み合せでも実現できる。また、アライメン
ト光学系はミラー反射光学系又はレンズ投影光学系を用
いても実現可能であり、アライメントスコープ移動機構
は、アライメントスコープ全体を移動する様に図示して
いるが、2個の対物レンズから光束合成7130頁 一フミラー54に到る部分のみを移動してアライメント
スコープ全体は固定することもできる。
In the embodiment, a pulse motor is used to drive the wafer table in two directions, but the invention is not limited to this. For example, a columnar piezo element can also be used. Furthermore, although the floating pad uses an air bearing, it can also be realized by a combination of a ball bush and a follower. The alignment optical system can also be realized using a mirror reflection optical system or a lens projection optical system, and although the alignment scope moving mechanism is shown as moving the entire alignment scope, it can also be realized by using a mirror reflection optical system or a lens projection optical system. It is also possible to move only the portion that reaches the light beam synthesis page 11 mirror 54 and fix the entire alignment scope.

また、非接触変位計の較正をアライメント光学系のピン
ト合せで行なっているが、第17図に示す如く、ウェハ
テーブル3とマスクテーブル40間にウェハ1のピント
焦点面と同様の高さ基準面136を固定しておき、ウェ
ハ表面位置決め部9を走行テーブル6が通過した時、非
接触変位計114で基準面136を測定し、測定値を焦
点合せの基準値とする様に非接触変位計114を較正し
、さらに基準面136の高さが変動する恐れの生じた時
に、これをアライメント光学系8で算出したピント焦点
面と比較し、較正することも可能である。
In addition, the non-contact displacement meter is calibrated by focusing the alignment optical system, and as shown in FIG. 136 is fixed, and when the traveling table 6 passes the wafer surface positioning section 9, the reference surface 136 is measured by the non-contact displacement meter 114, and the non-contact displacement meter is used so that the measured value is used as the reference value for focusing. 114, and when there is a possibility that the height of the reference plane 136 may fluctuate, it is also possible to compare this with the focal plane calculated by the alignment optical system 8 and calibrate it.

アライメント光学系による較正も、従来の焼付現像パタ
ーンによる方法に較べてはるかに短時間で実施すること
ができるが、基準面136による較正を組入れることに
よシ、比較的長時間を要するアライメント光学系による
較正の頻度を減らすことができ、綜合した較正時間の短
縮を計ることができる。
Calibration using the alignment optical system can also be performed in a much shorter time than the conventional method using a printed and developed pattern; The frequency of calibration can be reduced, and the overall calibration time can be shortened.

3】了〔 〔発明の効果〕 本発明による装置は以上の如く構成され、且つ作動する
ので次のような効果を挙げることができる。
3] End [[Effects of the Invention] Since the apparatus according to the present invention is constructed and operates as described above, it can bring about the following effects.

(1)本発明のアライメント光学系にて高精度のピント
合せが10〜20秒程度の短時間で装置内部で行なえる
ため、大幅なスピードアップとなり、歩留向上となる。
(1) With the alignment optical system of the present invention, highly accurate focusing can be performed inside the device in a short time of about 10 to 20 seconds, resulting in a significant speed-up and yield improvement.

(2)本発明のアライメント光学系によれば、頻繁にピ
ント合せを行うことができるため、ウェハの平行出しに
よる較正が簡単かつ短時間にでき、装置の利用効率が高
まる。
(2) According to the alignment optical system of the present invention, since focusing can be performed frequently, calibration by parallelizing the wafer can be performed easily and in a short time, and the utilization efficiency of the apparatus is increased.

(3)本発明のウェハテーブルの実施例においては、X
方向の1組の送り機構と、Y方向の2組の送り機構と、
2方向の3組の送9機構が設けられ、かつ上記6組の送
り機構のそれぞれとウェハを搭載するステージとの間に
、当該送p機構のそれぞれとウェハを搭載するステージ
との間に、当該送9機構の送り方向の力のみを伝達して
送り方向以外の動きを許容する伝動部材を介装し、前記
6組の送り機構がそれぞれ独立してステージを直接的に
駆動し得るように構成されていることにより、ステージ
の6自由度をそれぞれ高精度で制御することができ、位
置決め剛性が高く、しかも制御性が良い。
(3) In the embodiment of the wafer table of the present invention,
one set of feeding mechanisms in the direction, two sets of feeding mechanisms in the Y direction,
Three sets of transport mechanisms in two directions are provided, and between each of the six sets of transport mechanisms and the stage on which the wafer is mounted, and between each of the transport mechanisms and the stage on which the wafer is mounted, A transmission member is interposed that transmits only the force in the feeding direction of the feeding mechanism 9 and allows movement in directions other than the feeding direction, so that each of the six sets of feeding mechanisms can directly drive the stage independently. Due to this configuration, each of the six degrees of freedom of the stage can be controlled with high precision, and the positioning rigidity is high and the controllability is also good.

(4)本発明のウェハ表面位置決め部を投影光学系の下
部に配置し、ウェハ表面位置決め部に非接触変位計が設
けられ、非接触変位計の位置を外部から調整することが
でき位置調整が容易である。
(4) The wafer surface positioning section of the present invention is arranged below the projection optical system, and the wafer surface positioning section is provided with a non-contact displacement meter, and the position of the non-contact displacement meter can be adjusted from the outside. It's easy.

(5)本発明のウェハ表面位置決め部に非接触変位計を
用いたことにより、ウェハ表面に他の物体が機械的に接
触することがなく、ウェハ表面の感光剤被膜が破壊され
て塵埃を発生する恐れがない。
(5) By using a non-contact displacement meter in the wafer surface positioning section of the present invention, other objects do not come into mechanical contact with the wafer surface, and the photosensitive agent coating on the wafer surface is destroyed and dust is generated. There is no fear of it happening.

総括的に本発明の装置によシ、解像度が高い転写が可能
となり、製品の歩留υを向上させることができた。また
、頻繁にピント合せが可能になり、ウニへの平行高さ出
しの誤差修正動作を短時間で行なうことができ、高速で
解像度の高い転写を処理することができる。更に、パタ
ーンの位置合せの制御も容易に安定状態で行うことがで
き、ウニ33C〔 凸表面の被膜に損傷を与えることがないので、ウェハ表
面にマスクパターンを転写する投影露光装置として実用
価値が極めて犬である。
Overall, the apparatus of the present invention enabled high-resolution transfer and improved product yield υ. Furthermore, frequent focusing is possible, error correction operations for parallel height adjustment to sea urchins can be performed in a short time, and high-speed, high-resolution transfer processing is possible. Furthermore, pattern alignment can be easily controlled in a stable state, and the U-33C [Uni 33C] does not damage the coating on the convex surface, making it of practical value as a projection exposure system for transferring mask patterns onto the wafer surface. Very dog-like.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の投影露光装置の一例の概略的な正面図、
第2図は第1図の装置のウェハテーブル及びウェハ表面
位置決め部の縦断面図、第3図〜第17図は本発明の投
影露光装置の実施例に関するものであり、第3図及び第
17図はそれぞれ異なる実施例の概略的な正面図、第4
図及び第5図はそれぞれウェハテーブルの縦断面図及び
平面図、第6図及び第9図はアライメント光学系のそれ
ぞれ異なる実施例のブロック図、第7図(Alは走査器
に投影されるパターン図、第7図[Bl及び(C1は走
査信号波形図、第8図、第10図及び第11図(Nはピ
ーク値検出回路のそれぞれ異なる実施例の回路ブロック
図、第11図[Bl 、 (C1及び■)は走査器に投
影されるパターン図、第11図(E)は走査信号波形図
、第12図はピーク値検出回路の回路ブロック図、第1
3図はピーク値検出回路における信号模型図、第14図
は34   灯 ウェハ表面位置決め部のウェハ側から見た平面図、第1
5図は第14図におけるa −a線矢視断面図、第16
図は球面座を嵌装する溝の第15図におけるb矢視面図
である。 1・・・ウェハ、2・・・マスク、3・・・ウェハテー
ブル、4・・・マスクテーブル、5・・・石定盤、6・
・・走行テーブル、7・・・投影光学系、8・・・アラ
イメント光学系、9・・・ウェハ表面位置決め部、10
・・・露光光源、あ・・・ヘース部材、29,30,3
1・・・パルスモータ、羽・・・ステージ、40 、4
4 、46・・・浮遊パッド、47・・・検出点、48
・・・アライメントスコープ、52.58・・・対物レ
ンズ、56・・・走査器、59・・・駆動機構、114
・・・非接触変位計、115・・・ホルダ、122・・
・調整スライダ、126・・・調整シャフト、130・
・・調整レバー、133・・・マイクロメータヘッド、
136・・・基準面。 代理人弁理士  秋  本  正  実第4図 9 第5図 第1o図 第 11 図(A)
FIG. 1 is a schematic front view of an example of a conventional projection exposure apparatus;
2 is a longitudinal sectional view of the wafer table and wafer surface positioning section of the apparatus shown in FIG. 1, and FIGS. 3 to 17 relate to an embodiment of the projection exposure apparatus of the present invention. The figures are schematic front views of different embodiments;
6 and 9 are block diagrams of different embodiments of the alignment optical system, and FIG. 7 (Al represents the pattern projected onto the scanner). 7 [Bl and (C1 is a scanning signal waveform diagram, FIG. 8, FIG. 10, and FIG. 11 (N is a circuit block diagram of each different embodiment of the peak value detection circuit, and FIG. 11 [Bl, (C1 and ■) are pattern diagrams projected on the scanner, Figure 11 (E) is a scanning signal waveform diagram, Figure 12 is a circuit block diagram of the peak value detection circuit,
Figure 3 is a signal model diagram in the peak value detection circuit, Figure 14 is a plan view of the 34-lamp wafer surface positioning section as seen from the wafer side, and Figure 1
Figure 5 is a sectional view taken along the line a-a in Figure 14, and Figure 16.
The figure is a sectional view taken from arrow b in FIG. 15 of the groove into which the spherical seat is fitted. 1... Wafer, 2... Mask, 3... Wafer table, 4... Mask table, 5... Stone surface plate, 6...
... Traveling table, 7... Projection optical system, 8... Alignment optical system, 9... Wafer surface positioning unit, 10
...Exposure light source, ah...Heas member, 29, 30, 3
1...Pulse motor, blade...stage, 40, 4
4, 46... Floating pad, 47... Detection point, 48
... Alignment scope, 52.58 ... Objective lens, 56 ... Scanner, 59 ... Drive mechanism, 114
...Non-contact displacement meter, 115...Holder, 122...
・Adjustment slider, 126...Adjustment shaft, 130・
...Adjustment lever, 133...Micrometer head,
136...Reference surface. Representative Patent Attorney Tadashi Akimoto Figure 4 Figure 9 Figure 5 Figure 1o Figure 11 (A)

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、 マスク/fターンをウェハ表面に投影結像させる
投影光学系と共に、ウェハテーブル上に載置されたウェ
ハを、ウェハ表面位置決め部の下に位置させて、ウェハ
表面の位置決めを行う手段と、ウェハ表面よりの投影光
学系の焦点位置ずれを検出するアライメント光学系を有
する投影露光装置において、前記ウェハテーブルを高さ
方向及び平行度を調整可能とし、ウェハ表面位置決め部
に非接触変位計を設け、該非接触変位計を該ウェハテー
ブルの高さ方向及び平行度を調整する調整部とを、制御
回路で連係すると共に、前記アライメント光学系にてマ
スク及びウェハの各パターンよりの光を電気信号に変え
、得られる光電検出像のコントラストより、前記投影光
学系の焦点位置のずれを検出し、これにより前記非接触
変位計による焦点−数面を較正して前記ウェハテーブル
の位置を補正することにより、ウェハ表面をマスクパタ
2  百 一ン結像面と一致させるようにしであることを特徴とす
る投影露光装置。 2、前記ウェハテーブルが、ペース部材並びに、ペース
部材にX方向に設けた1組の送り機構と、これに直角な
Y方向に設けた2組の送り機構と、X及びY方向に直角
な2方向に設けた3組の送シ機構とにより、X、Y方向
に移動可能で前述の高さ方向及び平行度を調整可能とさ
れて、ウェハを載置するステージよりな9、且つ、6組
の送り機構のそれぞれと、該ステージとの間には、各送
シ機構の送り方向の力のみを伝えて、送り方向の動きを
許容する伝動部材が介装され、それぞれの送り機構が独
立して該ステージを直接的に駆動し得るようにしである
特許請求の範凹第1項の投影露光装置。 3、前記アライメント光学系が、マスク及びウェハのi
+ターン信号を検出する光電走査顕微鏡と、該光電走査
顕微鏡をウェハに対して投影光学系の光軸方向に移動す
る手段と、該光電走査顕微鏡の移動位置に対してマスク
及びウニへの各パターン3(t のピーク値の位置を検出する手段とを有し、各々のピー
ク値を示す位置の差の距離に応じて、投影光学系の焦点
ずれを検出するようにしである特許請求の範囲第1項の
投影露光装置。 4、前記ウェハ表面位置決め部が、投影光学系によシ支
えられている特許請求の範囲第1項の投影露光装置。 5、前記ウェハ表面位置決め部に備えられた非接触変位
計が、複数個該ウェハ表面位置決め部に一列に配置され
、前記ウェハテーブルを搭載する走行テーブルの移動と
組み合せて、該非接触変位計により、ウェハ上に2次元
に分布させて設けた点の高さを測定するようにしである
特許請求の範囲第1項の投影露光装置。
[Claims] 1. The wafer placed on the wafer table is positioned under the wafer surface positioning section, together with the projection optical system that projects and images the mask/f-turn onto the wafer surface. In a projection exposure apparatus having means for positioning and an alignment optical system for detecting focal position deviation of the projection optical system from the wafer surface, the wafer table is adjustable in height direction and parallelism, and a wafer surface positioning section is provided. A non-contact displacement meter is provided, and the non-contact displacement meter is linked with an adjustment unit that adjusts the height direction and parallelism of the wafer table through a control circuit, and the alignment optical system is used to adjust the height and parallelism of the wafer table. Converts the light of A projection exposure apparatus characterized in that the wafer surface is made to coincide with the image forming plane of the mask pattern by correcting the position. 2. The wafer table has a pace member, one set of feeding mechanisms provided on the pace member in the X direction, two sets of feeding mechanisms provided in the Y direction perpendicular to this, and two sets perpendicular to the X and Y directions. 9 and 6 sets of stages on which the wafer is placed, movable in the X and Y directions, and adjustable in the height direction and parallelism as described above, by means of three sets of feeding mechanisms provided in the directions. A transmission member is interposed between each of the feeding mechanisms and the stage to transmit only the force in the feeding direction of each feeding mechanism and to allow movement in the feeding direction, and each feeding mechanism is independent. 2. A projection exposure apparatus according to claim 1, wherein said stage can be directly driven by said stage. 3. The alignment optical system aligns the i of the mask and wafer.
+A photoelectric scanning microscope for detecting a turn signal, means for moving the photoelectric scanning microscope in the optical axis direction of the projection optical system with respect to the wafer, and each pattern on the mask and the sea urchin with respect to the moving position of the photoelectric scanning microscope. 3 (means for detecting the position of the peak value of t), and the defocus of the projection optical system is detected according to the distance of the difference between the positions indicating the respective peak values. 4. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein the wafer surface positioning section is supported by a projection optical system. 5. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein the wafer surface positioning section is supported by a projection optical system. A plurality of contact displacement meters are arranged in a line on the wafer surface positioning section, and in combination with the movement of the traveling table on which the wafer table is mounted, the non-contact displacement meters are provided two-dimensionally distributed over the wafer. 2. The projection exposure apparatus according to claim 1, wherein the projection exposure apparatus is configured to measure the height of the projection exposure apparatus.
JP58050334A 1983-03-28 1983-03-28 Device for projection exposure Pending JPS59177928A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58050334A JPS59177928A (en) 1983-03-28 1983-03-28 Device for projection exposure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58050334A JPS59177928A (en) 1983-03-28 1983-03-28 Device for projection exposure

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59177928A true JPS59177928A (en) 1984-10-08

Family

ID=12856013

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58050334A Pending JPS59177928A (en) 1983-03-28 1983-03-28 Device for projection exposure

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS59177928A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60168112A (en) * 1984-02-13 1985-08-31 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Focusing device of projecting device
US6305657B1 (en) 1998-12-10 2001-10-23 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Mechanism for tilting a microscope

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60168112A (en) * 1984-02-13 1985-08-31 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Focusing device of projecting device
US6305657B1 (en) 1998-12-10 2001-10-23 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Mechanism for tilting a microscope

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6195154B1 (en) Projection exposure apparatus for transferring mask pattern onto photosensitive substrate
JP4130531B2 (en) Apparatus and method for measuring structure on transparent substrate
JP3181050B2 (en) Projection exposure method and apparatus
KR100471524B1 (en) Exposure method
KR100266729B1 (en) Surface position detecting method and scanning exposure method using the same
TWI654706B (en) Imprint apparatus, imprint method, and device manufacturing method
CN108010875B (en) Substrate calibration device and detection system
JPH04317316A (en) Projection aligner
JPS59129636A (en) Controller of stage with freedom of six
CA1162776A (en) Step-and-repeat projection alignment and exposure system
JPH06310400A (en) Arranging system for aligning mask and wafer on axis
JP2004071851A (en) Semiconductor exposure method and aligner
TW200818386A (en) Substrate moving apparatus
JPH0743245B2 (en) Alignment device
JPH0812127B2 (en) Curvature radius measuring device and method
US20020003626A1 (en) Apparatus for detecting optical positional deviation
JPS59177928A (en) Device for projection exposure
US7522323B2 (en) Method and apparatus for printing a pattern with improved focus correction and higher throughput
US7130020B2 (en) Roll printer with decomposed raster scan and X-Y distortion correction
JPS5918950A (en) Apparatus for projection transfer of mask on work piece and adjusting method thereof
JPH09312248A (en) Exposure device
CN108008607B (en) Measurement system giving consideration to alignment, focusing and leveling, measurement method thereof and photoetching machine
CN105807571A (en) Focusing and leveling system used for photo-etching machine and focusing and leveling method thereof
CA1193030A (en) Alignment device for integrated circuit manufacturing machines
JPH0311540B2 (en)