JPS59177097U - 磁気バブルメモリの消去回路 - Google Patents

磁気バブルメモリの消去回路

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JPS59177097U
JPS59177097U JP7260383U JP7260383U JPS59177097U JP S59177097 U JPS59177097 U JP S59177097U JP 7260383 U JP7260383 U JP 7260383U JP 7260383 U JP7260383 U JP 7260383U JP S59177097 U JPS59177097 U JP S59177097U
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JP
Japan
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bubble memory
magnetic bubble
circuit
transistor
erase
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JP7260383U
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JPS633039Y2 (ja
Inventor
福原　元彦
修 平川
入江　正志
Original Assignee
富士通株式会社
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来のバブルメモリ消去回路、第２図はトラン
ジスタＴｒｉのベース電位をＬレベルにロックする回路
、第３図は電圧変動とＰＦ倍信号よびＲ３Ｔ信号の時間
関係を示す図である。 図において１は消去信号回路、２は電源断予告信号（Ｐ
Ｆ　）回路、３はリセット信号（Ｒ５Ｔ）回路、イは第
１のレベル、川よ第２のレベル。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 磁気バブルメモリ装置に内蔵した消去コイルに一消去電
    源より通電して記録情報を消去するトランジスタ回路に
    おいて、該トランジスタのベースと接続する消去信号回
    路と並列に電源断予告信号回路およびリセット信号回路
    を設け、消去電源の電圧変化が規定レベルを越えると前
    記両回路の出力が切り替り、前記トランジスタをオフ状
    態に保ちＩＣの不安定動作を補償することを特徴とする
    磁気バブルメモリの消去回路。
JP7260383U 1983-05-16 1983-05-16 磁気バブルメモリの消去回路 Granted JPS59177097U (ja)

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JP7260383U JPS59177097U (ja) 1983-05-16 1983-05-16 磁気バブルメモリの消去回路

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JPS59177097U true JPS59177097U (ja) 1984-11-27
JPS633039Y2 JPS633039Y2 (ja) 1988-01-25

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