JPS5915915B2 - アルキル錫化合物の製造方法 - Google Patents
アルキル錫化合物の製造方法Info
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- JPS5915915B2 JPS5915915B2 JP48052254A JP5225473A JPS5915915B2 JP S5915915 B2 JPS5915915 B2 JP S5915915B2 JP 48052254 A JP48052254 A JP 48052254A JP 5225473 A JP5225473 A JP 5225473A JP S5915915 B2 JPS5915915 B2 JP S5915915B2
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
Landscapes
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はアルキル錫化合物の製造方法に関するものであ
る。
る。
更に詳細には配位子として有機イオウ化合物および／ま
たは有機リン化合物を用いることを特徴とするハロゲン
化銀とアルキルアルミニウム化合物とからのアルキル錫
化合物の製造方法に関するものである。
たは有機リン化合物を用いることを特徴とするハロゲン
化銀とアルキルアルミニウム化合物とからのアルキル錫
化合物の製造方法に関するものである。
ノ、ロゲン化銀とアルキルアルミニウム化合物とを次式
に示す反応式に従つて反応させ種々のアルキル錫化合物
を製造することは周知である。
に示す反応式に従つて反応させ種々のアルキル錫化合物
を製造することは周知である。
ａＳｎＸ２＋ＲａＡｌＸ３−ａ→ａＲＳｎＸ＋ＡｌＸ３
： ａＳｎＸ２＋２ＲａＡｌＸ３−ａ→ａＲ２Ｓｎ＋２
ＡｌＸ３ａＳｎＸ４＋ＲａＡｌＸ３−ａ→ａＲＳｎＸ３
＋ＡｌＸ３ａＳｎＸ４＋２ＲａＡｌＸ３−ａ→ａＲ２Ｓ
ｎＸ２＋２ＡｌＸ３ａＳｎＸ４＋３ＲａＡ１Ｘ３−ａ→
ａＲ３ＳｎＸ＋３ＡｌＸ３ａＳｎＸ４＋４ＲａＡｌＸ３
−ａ→ａＲ４Ｓｎ＋４ＡｌＸ３５（式中、Ｒはアルキル
基、Ｘはハロゲンまたは水素原子、ａは１〜３の整数を
表わす。
： ａＳｎＸ２＋２ＲａＡｌＸ３−ａ→ａＲ２Ｓｎ＋２
ＡｌＸ３ａＳｎＸ４＋ＲａＡｌＸ３−ａ→ａＲＳｎＸ３
＋ＡｌＸ３ａＳｎＸ４＋２ＲａＡｌＸ３−ａ→ａＲ２Ｓ
ｎＸ２＋２ＡｌＸ３ａＳｎＸ４＋３ＲａＡ１Ｘ３−ａ→
ａＲ３ＳｎＸ＋３ＡｌＸ３ａＳｎＸ４＋４ＲａＡｌＸ３
−ａ→ａＲ４Ｓｎ＋４ＡｌＸ３５（式中、Ｒはアルキル
基、Ｘはハロゲンまたは水素原子、ａは１〜３の整数を
表わす。
）しかし、上記反応は不均一に進行するとか、反応収率
が低い（約８０％）等種々の欠点を有している。
が低い（約８０％）等種々の欠点を有している。
ｊ０かかる欠点を除く目的で、上記反応をエーテルまた
は第三級アミン（特公昭３８−９２７３号公報）グリコ
ールエーテル（特公昭４３−１９９２９号公報）および
テトラヒドロフランまたはその誘導体（特公昭４４−４
３３６号公報）等の配位子■５ の存在下に行なうこと
により、反応を均一となし、しかも反応収率を向上させ
る方法が提案されている。
は第三級アミン（特公昭３８−９２７３号公報）グリコ
ールエーテル（特公昭４３−１９９２９号公報）および
テトラヒドロフランまたはその誘導体（特公昭４４−４
３３６号公報）等の配位子■５ の存在下に行なうこと
により、反応を均一となし、しかも反応収率を向上させ
る方法が提案されている。
ところで、上記方法においてエーテル、アミン等の配位
子は塩化アルミニウムと錯化合物を形成〃 するため、
反応終了後反応生成物からアルキル錫化合物を分離する
かまたはせずして、該錯化合物を水性媒体により加水分
解し、次いでエーテル、アミン等を加水分解生成物から
分液により回収し必要に応じて脱水乾燥し循環使用され
ている。
子は塩化アルミニウムと錯化合物を形成〃 するため、
反応終了後反応生成物からアルキル錫化合物を分離する
かまたはせずして、該錯化合物を水性媒体により加水分
解し、次いでエーテル、アミン等を加水分解生成物から
分液により回収し必要に応じて脱水乾燥し循環使用され
ている。
３５それ故に、従来提案されているエーテル、アミン、
グリコールエーテル、テトラヒドロフラン等を存在させ
る方法によれば、これらの水に対する溶解度が大きいた
めに分液による回収率が低い欠点があり、工業的に実施
する場合大きな不利益となる。
グリコールエーテル、テトラヒドロフラン等を存在させ
る方法によれば、これらの水に対する溶解度が大きいた
めに分液による回収率が低い欠点があり、工業的に実施
する場合大きな不利益となる。
本発明の目的は二価または四価のアルキル錫化合物を高
収率で経済的に製造せしめ得る新規配位子を提供するも
のである。
収率で経済的に製造せしめ得る新規配位子を提供するも
のである。
すなわち、本発明はハロゲン化錫とアルキルアルミニウ
ム化合物との反応によるアルキル錫化合物の製造方法に
おいて、該反応を有機イオウ化合物、有機リン化合物ま
たはこれらの混合物の存在下に実施することによるアル
キル錫化合物の製造方法を提供するにある。
ム化合物との反応によるアルキル錫化合物の製造方法に
おいて、該反応を有機イオウ化合物、有機リン化合物ま
たはこれらの混合物の存在下に実施することによるアル
キル錫化合物の製造方法を提供するにある。
本発明の実施に使用される有機イオウ化合物としてはジ
メチルスルフイド、ジエチルスルフイド、ジプロピルス
ルフイド、ジブチルスルフイド、ジアミルスルフイド、
ジヘキシルスルフイド、ジヘブチルスルフイド、ジオク
チルスルフイド、ジデシルスルフイド、ジドデシルスル
フイド等の炭素数１〜１２のアルキルスルフイド、ジフ
エニルスルフイド、ジ（パラトリル）スルフイド、ジ（
パラエチルフエニル）スルフイド、シンクロヘキシルス
ルフィド、フエニルブチルスルフイド等の芳香族または
脂環族スルフイド、テトラヒドロチオフエン、２−メチ
ルテトラヒドロチオフエン、２一エチルテトラヒドロチ
オフエン、テトラヒドロチアピラン、２−メチルテトラ
ヒドロチアピラン、４−メチルテトラヒドロチアピラン
等の環状スルフイドがあげられる。
メチルスルフイド、ジエチルスルフイド、ジプロピルス
ルフイド、ジブチルスルフイド、ジアミルスルフイド、
ジヘキシルスルフイド、ジヘブチルスルフイド、ジオク
チルスルフイド、ジデシルスルフイド、ジドデシルスル
フイド等の炭素数１〜１２のアルキルスルフイド、ジフ
エニルスルフイド、ジ（パラトリル）スルフイド、ジ（
パラエチルフエニル）スルフイド、シンクロヘキシルス
ルフィド、フエニルブチルスルフイド等の芳香族または
脂環族スルフイド、テトラヒドロチオフエン、２−メチ
ルテトラヒドロチオフエン、２一エチルテトラヒドロチ
オフエン、テトラヒドロチアピラン、２−メチルテトラ
ヒドロチアピラン、４−メチルテトラヒドロチアピラン
等の環状スルフイドがあげられる。
また、有機リン化合物としてはトリエチルホスフイン、
トリプロピルホスフイン、トリブチルホスフイン、トリ
アミルホスフイン、トリヘキシルホスフイン、トリヘブ
チルホスフイン、トリオクチルホスフイン、トリデシル
ホスフイン、トリドデシルホスフイン、エチルジブチル
ホスフイン等の炭素数２〜１２のトリアルキルホスフイ
ン、トリフエニルホスフイン、トリベンジルホスフイン
等の芳香族ホスフイン、トリシクロヘキシルホスフイン
、トリシクロオクチルホスフイン等の脂環族ホスフイン
、トリエチルボスフィナート、トリプロピルボスフィナ
ート、トリブチルボスフィナート、トリシクロヘキシル
ボスフィナート、トリフェニルボスフィナート、ブチル
ジフェニルボスフィナート等のボスフィナート、トリエ
チルホスホナイト、トリプロピルホスホナイト、トリブ
チルホスホナイト、トリシクロヘキシルホスホナイト、
トリフエニルホスホナイト、ジブチルフエニルホスホナ
イト等のホスホナイトがあげられるが、トリアルキルホ
スフインが好適である。
トリプロピルホスフイン、トリブチルホスフイン、トリ
アミルホスフイン、トリヘキシルホスフイン、トリヘブ
チルホスフイン、トリオクチルホスフイン、トリデシル
ホスフイン、トリドデシルホスフイン、エチルジブチル
ホスフイン等の炭素数２〜１２のトリアルキルホスフイ
ン、トリフエニルホスフイン、トリベンジルホスフイン
等の芳香族ホスフイン、トリシクロヘキシルホスフイン
、トリシクロオクチルホスフイン等の脂環族ホスフイン
、トリエチルボスフィナート、トリプロピルボスフィナ
ート、トリブチルボスフィナート、トリシクロヘキシル
ボスフィナート、トリフェニルボスフィナート、ブチル
ジフェニルボスフィナート等のボスフィナート、トリエ
チルホスホナイト、トリプロピルホスホナイト、トリブ
チルホスホナイト、トリシクロヘキシルホスホナイト、
トリフエニルホスホナイト、ジブチルフエニルホスホナ
イト等のホスホナイトがあげられるが、トリアルキルホ
スフインが好適である。
このような新規配位子を使用することによりアルキル錫
化合物を高収率で製造することができ、しかも本配位子
は水に対する溶解度が公知の配位子に比して小さいので
配位子の使用量が少なくてすみ、極めて経済的であると
いう効果が発揮される。
化合物を高収率で製造することができ、しかも本配位子
は水に対する溶解度が公知の配位子に比して小さいので
配位子の使用量が少なくてすみ、極めて経済的であると
いう効果が発揮される。
本発明の実施に当り使用されるハロゲン化錫はハロゲン
化第一錫または第二錫であり、より具体的には二価また
は四価の錫のフツ化物、塩化物、臭化物または沃化物で
あるが、特に塩化物が好ましい。
化第一錫または第二錫であり、より具体的には二価また
は四価の錫のフツ化物、塩化物、臭化物または沃化物で
あるが、特に塩化物が好ましい。
本発明の実施に当り、アルキルアルミニウム化合物とし
ては一般式Ｒ″′ＮｌＡｌＸ３−ｎ１ （式中、Ｒ５′
５はアルキル基、Ｘはハロゲンまたは水素、ｍは１、２
または３の整数を示す。
ては一般式Ｒ″′ＮｌＡｌＸ３−ｎ１ （式中、Ｒ５′
５はアルキル基、Ｘはハロゲンまたは水素、ｍは１、２
または３の整数を示す。
）で示されるアルキルアルミニウム化合物が使用される
。アルキルアルミニウム化合物の代表的なものとしては
トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、ト
リプロピルアルミニウム、トリブチルアルミニウム、ト
リァミルァルミニウム、トリヘキシルアルミニウム、ト
リヘプチルアルミニウム、トリオクチルアルミニウム、
トリデシルアルミニウム、トリドデシルアルミニウム、
ジエチルアルミニウムハイドライド、ジプロピルアルミ
ニウムハイドライド、ジブチルアルミニウムハイドライ
ド、ジヘキシルアルミニウムハイドライド、ジオクチル
アルミニウムハイドライド等の炭素数１〜４０のアルキ
ル基、好ましくは炭素数１０以下のアルキル基を有する
トリアルキルアルミニウムまたはジアルキルアルミニウ
ムハイドライド、ジエチルアルミニウムクロライド、エ
チルアルミニウムジクロライド、ジプロピルアルミニウ
ムクロライド、プロピルアルミニウムジクロライド、ジ
ブチルアルミニウムクロライド、ブチルアルミニウムジ
クロライド、ジアミルアルミニウムクロライド、アミル
アルミニウムジクロライド、ジヘキシルアルミニウムク
ロライド、ヘキシルアルミニウムジクロライド、ジヘプ
チルアルミニウムクロライド、ヘプチルアルミニウムジ
クロライド、ジオクチルアルミニウムクロライド、オク
チルアルミニウムジクロライド、ジデシルアルミニウム
クロライド、デシルアルミニウムジクロライド、ジドデ
シルアルミニウムクロライド、ドデシルアルミニウムジ
クロライドまたはこれらに相当するブロマイド、イオダ
イド等のハロゲン化アルキルアルミニウムがあげられる
。ハロゲン化錫とアルキルアルミニウム化合物との反応
における使用モル比は目的とするアルキル錫化合物によ
り決められ、これは原料ハロゲン化錫、アルキルアルミ
ニウム化合物および目的生成物の次式に示す関係から容
易に求められ、通常ほぼ化学量論的割合で使用される。
。アルキルアルミニウム化合物の代表的なものとしては
トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、ト
リプロピルアルミニウム、トリブチルアルミニウム、ト
リァミルァルミニウム、トリヘキシルアルミニウム、ト
リヘプチルアルミニウム、トリオクチルアルミニウム、
トリデシルアルミニウム、トリドデシルアルミニウム、
ジエチルアルミニウムハイドライド、ジプロピルアルミ
ニウムハイドライド、ジブチルアルミニウムハイドライ
ド、ジヘキシルアルミニウムハイドライド、ジオクチル
アルミニウムハイドライド等の炭素数１〜４０のアルキ
ル基、好ましくは炭素数１０以下のアルキル基を有する
トリアルキルアルミニウムまたはジアルキルアルミニウ
ムハイドライド、ジエチルアルミニウムクロライド、エ
チルアルミニウムジクロライド、ジプロピルアルミニウ
ムクロライド、プロピルアルミニウムジクロライド、ジ
ブチルアルミニウムクロライド、ブチルアルミニウムジ
クロライド、ジアミルアルミニウムクロライド、アミル
アルミニウムジクロライド、ジヘキシルアルミニウムク
ロライド、ヘキシルアルミニウムジクロライド、ジヘプ
チルアルミニウムクロライド、ヘプチルアルミニウムジ
クロライド、ジオクチルアルミニウムクロライド、オク
チルアルミニウムジクロライド、ジデシルアルミニウム
クロライド、デシルアルミニウムジクロライド、ジドデ
シルアルミニウムクロライド、ドデシルアルミニウムジ
クロライドまたはこれらに相当するブロマイド、イオダ
イド等のハロゲン化アルキルアルミニウムがあげられる
。ハロゲン化錫とアルキルアルミニウム化合物との反応
における使用モル比は目的とするアルキル錫化合物によ
り決められ、これは原料ハロゲン化錫、アルキルアルミ
ニウム化合物および目的生成物の次式に示す関係から容
易に求められ、通常ほぼ化学量論的割合で使用される。
（式中、Ａ．ＸおよびＲは前記と同じ）
本発明の実施に当り、有機イオウ化合物、有機リン化合
物またはこれらの混合物の使用量は反応によつて生成し
たハロゲン化アルミニウムと有機イオウ化合物または有
機リン化合物との錯化合物を含む液相と生成したアルキ
ル錫化合物を含む液相が形成するに充分な量以上、通常
生成塩化アルミニウム１モル当り約１モル以上の有機イ
オウ化合物、有機リン化合物またはこれらの混合物が使
用される。
物またはこれらの混合物の使用量は反応によつて生成し
たハロゲン化アルミニウムと有機イオウ化合物または有
機リン化合物との錯化合物を含む液相と生成したアルキ
ル錫化合物を含む液相が形成するに充分な量以上、通常
生成塩化アルミニウム１モル当り約１モル以上の有機イ
オウ化合物、有機リン化合物またはこれらの混合物が使
用される。
反応剤に対する配位子の添加方法は重要でなく、配位子
の存在する系へ両反応剤を添加して反応させてもよいし
、一方または両方の反応剤へ配位子を混合し反応させて
もよいし、反応系内へ配位子を一括または分割して添加
しつつ反応させることもできる。
の存在する系へ両反応剤を添加して反応させてもよいし
、一方または両方の反応剤へ配位子を混合し反応させて
もよいし、反応系内へ配位子を一括または分割して添加
しつつ反応させることもできる。
また反応剤の添加順序も任意に行なうことができ、アル
キルアルミニウム化合物をハロゲン化錫に加えることも
できるし、あるいは逆も可能である。
キルアルミニウム化合物をハロゲン化錫に加えることも
できるし、あるいは逆も可能である。
反応は一般に室温〜１２０℃の温度において実施される
。
。
また反応圧力は特に制限されるものではなく、一般に大
気圧〜１０気圧が使用される。
気圧〜１０気圧が使用される。
反応系の雰囲気は反応剤および生成物に対して不活性に
維持すべきであり、一般にガス状の飽和脂肪族炭化水素
、窒素、一酸化炭素、水素、ヘリウム、アルゴンまたは
これらの混合物の雰囲気とされる。
維持すべきであり、一般にガス状の飽和脂肪族炭化水素
、窒素、一酸化炭素、水素、ヘリウム、アルゴンまたは
これらの混合物の雰囲気とされる。
本反応の実施に当り、溶剤は必ずしも必要ではないが、
本発明の配位子自身が溶剤として働くので錯体を形成す
るに必要な量以上の配位子を存在させ溶剤としての役割
を課すこともできるし、また他の適当な溶剤、例えばヘ
キサン、オクタン、デカン、ベンゼン、トルエン、キユ
メン等の炭化水素の存在下に反応を行なうこともできる
。
本発明の配位子自身が溶剤として働くので錯体を形成す
るに必要な量以上の配位子を存在させ溶剤としての役割
を課すこともできるし、また他の適当な溶剤、例えばヘ
キサン、オクタン、デカン、ベンゼン、トルエン、キユ
メン等の炭化水素の存在下に反応を行なうこともできる
。
反応時間は反応温度、反応剤の種類、配位子の種類によ
つて変わるが、一般に５分〜５時間反応させればよい。
反応生成物はアルキル錫化合物を含む液相と錯化合物を
含む液相との二相よりなる。
つて変わるが、一般に５分〜５時間反応させればよい。
反応生成物はアルキル錫化合物を含む液相と錯化合物を
含む液相との二相よりなる。
反応生成物からアルキル錫化合物の分離は分液により分
離するかあるいは蒸留可能なものについては蒸留分離す
ることにより行なうことができる。
離するかあるいは蒸留可能なものについては蒸留分離す
ることにより行なうことができる。
アルキル錫化合物を分離した塩化アルミニウム錯化合物
は水性媒体、好ましくは酸またはアルカリによつて該錯
化合物を加水分解した後、加水分解生成物から有機イオ
ウ化合物または有機リン化合物を回収する。反応生成物
からのアルキル錫化合物の回収方法としては、予め塩化
アルミニウム錯化合物を加水分解した後にアルキル錫化
合物の分離を行なうこともできる。
は水性媒体、好ましくは酸またはアルカリによつて該錯
化合物を加水分解した後、加水分解生成物から有機イオ
ウ化合物または有機リン化合物を回収する。反応生成物
からのアルキル錫化合物の回収方法としては、予め塩化
アルミニウム錯化合物を加水分解した後にアルキル錫化
合物の分離を行なうこともできる。
本発明で用いる有機イオウ化合物または有機リン化合物
は水に対する溶解度が極めて低いために有機イオウ化合
物または有機リン化合物の回収率が高く、従来法に比較
して経済的である。
は水に対する溶解度が極めて低いために有機イオウ化合
物または有機リン化合物の回収率が高く、従来法に比較
して経済的である。
本発明の方法によつてジアルキル錫、トリ・・ロゲノア
ルキル錫、ジハロゲノジアルキル錫、ハロゲノトリアル
キル錫、テトラアルキル錫等のアルキル錫化合物はその
ままでも各種の用途に使用し得るが、ジハロゲノジアル
キル錫の場合には加水分解して、またジアルキル錫の場
合には酸化してジアルキル錫酸化物としても使用できる
し、また前記アルキル錫化合物はその他種々の錫化合物
製造用の中間原料として使用できる。
ルキル錫、ジハロゲノジアルキル錫、ハロゲノトリアル
キル錫、テトラアルキル錫等のアルキル錫化合物はその
ままでも各種の用途に使用し得るが、ジハロゲノジアル
キル錫の場合には加水分解して、またジアルキル錫の場
合には酸化してジアルキル錫酸化物としても使用できる
し、また前記アルキル錫化合物はその他種々の錫化合物
製造用の中間原料として使用できる。
本発明の生成物であるアルキル錫化合物は多方面、例え
ば殺虫剤、一・ロゲン含有樹脂用の安定剤の中間体、不
飽和ポリエステル、ラクトン、ビニル系化合物、オＶフ
イン、軟質ウレタン泡などの重合触媒、エポキシ樹脂の
硬化剤、潤滑油の安定剤、殺菌剤、船底塗料、電導性皮
膜の形成材料、木材保存剤、除草剤、製紙におけるスラ
イム抑制剤、繊維製品の各種加工剤、皮革加工剤、消毒
剤、その他多岐にわたつており、極めて有用な化合物と
いえる。
ば殺虫剤、一・ロゲン含有樹脂用の安定剤の中間体、不
飽和ポリエステル、ラクトン、ビニル系化合物、オＶフ
イン、軟質ウレタン泡などの重合触媒、エポキシ樹脂の
硬化剤、潤滑油の安定剤、殺菌剤、船底塗料、電導性皮
膜の形成材料、木材保存剤、除草剤、製紙におけるスラ
イム抑制剤、繊維製品の各種加工剤、皮革加工剤、消毒
剤、その他多岐にわたつており、極めて有用な化合物と
いえる。
以下に本発明方法を実施例により説明するが、本発明は
これらにより制限されるものではない。
これらにより制限されるものではない。
なお実施例および比較例中のＷ％」は『重量％』を示す
。実施例 １ トリ−ｎ−ブチルアルミニウム３９．６７と四塩化錫３
９，２７を２０〜３０℃において徐々に反応させ、次に
トリ−ｎ−ブチルホスフイン６０．６ｙを前記反応混合
物中に滴下し１５分間攪拌する。
。実施例 １ トリ−ｎ−ブチルアルミニウム３９．６７と四塩化錫３
９，２７を２０〜３０℃において徐々に反応させ、次に
トリ−ｎ−ブチルホスフイン６０．６ｙを前記反応混合
物中に滴下し１５分間攪拌する。
次いで反応を完結するため５５〜６０℃に加熱し２．５
時間撹拌する。反応生成物は主としてテトラ−ｎ−ブチ
ル錫よりなる上層とＡｌＣｌ３（ＮＣ４Ｈ９）３Ｐより
なる下層の二層となる。
時間撹拌する。反応生成物は主としてテトラ−ｎ−ブチ
ル錫よりなる上層とＡｌＣｌ３（ＮＣ４Ｈ９）３Ｐより
なる下層の二層となる。
反応生成物を２０℃に冷却した後、層分離したところテ
トラ−ｎ−ブチル錫４８．４ｙが得られた。これは理論
収率の９３％である。下層を１０〜３０℃に保ちながら
５％ＨＣｌ水溶液３４０ＣＣと分液ｆ斗中で１５分間振
盪した後、層分離したところトリ−ｎ−ブチルホスフイ
ンが９８．１％で回収できた。得られたテトラ−ｎ−ブ
チル錫３４．７Ｖに四塩化錫２６．１ｆ７を加え、２０
０〜２２０℃において６時間攪拌し不均化反応を行なつ
たところ、ジ一ｎ−ブチル錫シクロラードに変えること
ができた。
トラ−ｎ−ブチル錫４８．４ｙが得られた。これは理論
収率の９３％である。下層を１０〜３０℃に保ちながら
５％ＨＣｌ水溶液３４０ＣＣと分液ｆ斗中で１５分間振
盪した後、層分離したところトリ−ｎ−ブチルホスフイ
ンが９８．１％で回収できた。得られたテトラ−ｎ−ブ
チル錫３４．７Ｖに四塩化錫２６．１ｆ７を加え、２０
０〜２２０℃において６時間攪拌し不均化反応を行なつ
たところ、ジ一ｎ−ブチル錫シクロラードに変えること
ができた。
このジ一ｎ−ブチル錫シクロラード２５％ＮａＯＨ水溶
液で加水分解したところジ一ｎ−ブチル錫酸化物に変え
ることができた。上記方法において四塩化錫に代えて四
臭化錫、四沃化錫を用いた場合、前者はテトラ−ｎ−ブ
チル錫の収率が理論収率の８７％、トリ−ｎ−ブチルホ
スフインの回収率が９８％、後者はテトラｎ−ブチル錫
の収率が理論収率の８５％、トリ一ｎ−ブチルホスフイ
ンの回収率が９６．５％であつた。
液で加水分解したところジ一ｎ−ブチル錫酸化物に変え
ることができた。上記方法において四塩化錫に代えて四
臭化錫、四沃化錫を用いた場合、前者はテトラ−ｎ−ブ
チル錫の収率が理論収率の８７％、トリ−ｎ−ブチルホ
スフインの回収率が９８％、後者はテトラｎ−ブチル錫
の収率が理論収率の８５％、トリ一ｎ−ブチルホスフイ
ンの回収率が９６．５％であつた。
実施例 ２
トリ−ｎ−ブチルアルミニウム７９．２ｙと四塩化錫７
８．３７を２０〜３０℃において徐々に反応させ、次に
ジエチルスルフイド５４．０ｙを前記反応混合物に滴下
し１０分間攪拌する。
８．３７を２０〜３０℃において徐々に反応させ、次に
ジエチルスルフイド５４．０ｙを前記反応混合物に滴下
し１０分間攪拌する。
次いで反応を完結させるため６０℃に加熱し２時間攪拌
する。反応生成物を１０〜３０℃に冷却し５％ＨＣｌ６
８ＯＣＣと分液▲斗中で１５分間振盪した後、層分離し
、有機層を１２ｍｍＨｇの減圧下で蒸留した。ジエチル
スルフイドを溜去した後に１４７〜１５０℃で溜去した
後に１４７〜１５０℃で溜出する無色透明のテトラ−ｎ
−ブチル錫を溜取した。得られたテトラ−ｎ−ブチル錫
は９８．８ｙであり理論収率の９５％であつた。溜去し
たジエチルスルフイドの損失は、実質的にほとんどなく
９９％が回収できた。
する。反応生成物を１０〜３０℃に冷却し５％ＨＣｌ６
８ＯＣＣと分液▲斗中で１５分間振盪した後、層分離し
、有機層を１２ｍｍＨｇの減圧下で蒸留した。ジエチル
スルフイドを溜去した後に１４７〜１５０℃で溜去した
後に１４７〜１５０℃で溜出する無色透明のテトラ−ｎ
−ブチル錫を溜取した。得られたテトラ−ｎ−ブチル錫
は９８．８ｙであり理論収率の９５％であつた。溜去し
たジエチルスルフイドの損失は、実質的にほとんどなく
９９％が回収できた。
実施例 ３
四臭化錫６５．９ｙにトリイソブチルアルミニウム３９
．６７を２０〜３０℃において徐々に添加し反応させ、
次にテトラハイドロチオフエン２６．４７を前記反応混
合物に滴下し３０分間攪拌する。
．６７を２０〜３０℃において徐々に添加し反応させ、
次にテトラハイドロチオフエン２６．４７を前記反応混
合物に滴下し３０分間攪拌する。
次いで反応を完結させるため６０℃に加熱し２時間攪拌
する。反応生成物は主としてテトラ−１−ブチル錫より
なる上層とＡｌＢｒ３Ｃ４Ｈ８Ｓよりなる下層の二層と
なる。反応生成物を２０℃に冷却した後層分離したとこ
ろテトライソブチル錫４９．８Ｖが得られた。これは理
論収率の９６％である。下層は別途２０〜３０℃に保ち
ながら５％ＨＣｌ水溶液３４０ＣＣと分液沢斗中で１５
分間振盪した後、層分離したところテトラハイドロチオ
フエンが９６．５％回収できた。
する。反応生成物は主としてテトラ−１−ブチル錫より
なる上層とＡｌＢｒ３Ｃ４Ｈ８Ｓよりなる下層の二層と
なる。反応生成物を２０℃に冷却した後層分離したとこ
ろテトライソブチル錫４９．８Ｖが得られた。これは理
論収率の９６％である。下層は別途２０〜３０℃に保ち
ながら５％ＨＣｌ水溶液３４０ＣＣと分液沢斗中で１５
分間振盪した後、層分離したところテトラハイドロチオ
フエンが９６．５％回収できた。
実施例 ４
トリ−ｎ−オクチルアルミニウム７３．２ｆ７と四塩化
錫３９．２ｙを２０〜３０℃において徐々に反応させ、
次いでトリフエニルホスフイン７８．６７を加えた。
錫３９．２ｙを２０〜３０℃において徐々に反応させ、
次いでトリフエニルホスフイン７８．６７を加えた。
しかる後反応を完結させるため６０℃に加熱し２時間攪
拌反応させ引続き１００℃に加熱し２時間攪拌する。反
応生成物を８５℃まで冷却して二層を呈している主とし
てテトラ−ｎ−オクチル錫よりなる上層を熱時採取し、
次いでこの上層を１０〜３０℃に冷却し５％ＨＣｌ水溶
液と分液▲斗中で１５分間振盪した後、層分離し有機層
を無水芒硝で乾燥したところテトラ−ｎ−オクチル錫７
８．７７（収率９２％）が得られた。一方前記熱時分離
した主としてＡｌＣｌ３（Ｃ６Ｈ５）３Ｐよりなる下層
を５％ＨＣｌ水溶液で加水分解し分液したところトリフ
エニルホスフインが９５．３％回収できた。
拌反応させ引続き１００℃に加熱し２時間攪拌する。反
応生成物を８５℃まで冷却して二層を呈している主とし
てテトラ−ｎ−オクチル錫よりなる上層を熱時採取し、
次いでこの上層を１０〜３０℃に冷却し５％ＨＣｌ水溶
液と分液▲斗中で１５分間振盪した後、層分離し有機層
を無水芒硝で乾燥したところテトラ−ｎ−オクチル錫７
８．７７（収率９２％）が得られた。一方前記熱時分離
した主としてＡｌＣｌ３（Ｃ６Ｈ５）３Ｐよりなる下層
を５％ＨＣｌ水溶液で加水分解し分液したところトリフ
エニルホスフインが９５．３％回収できた。
実施例 ５微粉化した二塩化錫５７．０ｙとテトラハイ
ドロチオフエン２６．４ｙの混合物にトリエチルアルミ
ニウム２２．８７を１０〜３０℃の条件下で徐々に反応
させる。
ドロチオフエン２６．４ｙの混合物にトリエチルアルミ
ニウム２２．８７を１０〜３０℃の条件下で徐々に反応
させる。
しかる後反応を完結させるため６０〜６５℃に加熱し２
時間攪拌する。反応生成物は黄色を帯びた液状の二層を
呈する。反応生成物を２０℃に冷却し層分離により、ジ
エチル錫よりなる層とＡｌＣｌ３・Ｃ４Ｈ８Ｓ層に分離
する。次いでジエチル錫層を１０〜３０℃に冷却し５％
ＨＣｌ水溶液と分液▲斗中で１５分間振盪した後、ジエ
チル錫を理論収率の８５重量％で得た。錯体層を実施例
１と同様に加水分解し分液したところテトラ・・イドロ
チオフエンが９６．８％回収できた。得られたジエチル
錫を空気で酸化すると容易にジｎ−オクチル錫酸化物が
得られた。二塩化錫の代りに二臭化錫、二沃化錫を用い
た場合、前者はジエチル錫の収率が理論収率の８０％、
テトラ・・イドロチオフエンの回収率が９５．４％後者
はジエチル錫の収率が理論収率の７６％、テトラハイド
ロチオフエンの回収率が９６％であつた。実施例 ６ トリ−ｎ−オクチルアルミニウム７３，２７と四塩化錫
７８．３７を２０〜３０℃において徐々に反応させ、次
にジ一ｎ−ブチルスルフイド４３．８７を加える。
時間攪拌する。反応生成物は黄色を帯びた液状の二層を
呈する。反応生成物を２０℃に冷却し層分離により、ジ
エチル錫よりなる層とＡｌＣｌ３・Ｃ４Ｈ８Ｓ層に分離
する。次いでジエチル錫層を１０〜３０℃に冷却し５％
ＨＣｌ水溶液と分液▲斗中で１５分間振盪した後、ジエ
チル錫を理論収率の８５重量％で得た。錯体層を実施例
１と同様に加水分解し分液したところテトラ・・イドロ
チオフエンが９６．８％回収できた。得られたジエチル
錫を空気で酸化すると容易にジｎ−オクチル錫酸化物が
得られた。二塩化錫の代りに二臭化錫、二沃化錫を用い
た場合、前者はジエチル錫の収率が理論収率の８０％、
テトラ・・イドロチオフエンの回収率が９５．４％後者
はジエチル錫の収率が理論収率の７６％、テトラハイド
ロチオフエンの回収率が９６％であつた。実施例 ６ トリ−ｎ−オクチルアルミニウム７３，２７と四塩化錫
７８．３７を２０〜３０℃において徐々に反応させ、次
にジ一ｎ−ブチルスルフイド４３．８７を加える。
しかる後反応を完結させるため６０〜６５℃に加熱し２
時間撹拌する。反応生成物は主としてジ一ｎ−オクチル
錫シクロラードよりなる上層とＡｌＣｌ３・（Ｃ４Ｈ，
）２Ｓよりなる下層の二層になる。２０℃に冷却した後
層分離し上層を２０％ＮａＯＨ水溶液で加水分解しジ一
ｎ−オクチル錫酸化物に変えた。
時間撹拌する。反応生成物は主としてジ一ｎ−オクチル
錫シクロラードよりなる上層とＡｌＣｌ３・（Ｃ４Ｈ，
）２Ｓよりなる下層の二層になる。２０℃に冷却した後
層分離し上層を２０％ＮａＯＨ水溶液で加水分解しジ一
ｎ−オクチル錫酸化物に変えた。
ジ一ｎ−オクチル錫酸化物の収率は供した四塩化錫基準
で理論収率の９３％であつた。下層を５％ＨＣｌ水溶液
３４０ＣＣ加水分解した後、層分離したところ９７．５
％のジｎ−ブチルスルフイドが回収できた。実施例 ７ トリ一ｎ−オクチルアルミニウム７３．２７とジーｎ−
ブチルスルフイド５８．４ｔの混合物に四塩化錫７８．
７７を徐々に加えて１０〜３０℃において反応させた。
で理論収率の９３％であつた。下層を５％ＨＣｌ水溶液
３４０ＣＣ加水分解した後、層分離したところ９７．５
％のジｎ−ブチルスルフイドが回収できた。実施例 ７ トリ一ｎ−オクチルアルミニウム７３．２７とジーｎ−
ブチルスルフイド５８．４ｔの混合物に四塩化錫７８．
７７を徐々に加えて１０〜３０℃において反応させた。
四塩化錫の添加終了後２時間６０〜６５℃に加温し反応
を完結させた。以下実施例６と同様に処理することによ
つてジ一ｎ−オクチル錫酸化物９８，５７を得た。
を完結させた。以下実施例６と同様に処理することによ
つてジ一ｎ−オクチル錫酸化物９８，５７を得た。
ジ一ｎ−ブチルスルフイドは９８．５％回収できた。実
施例 ８四塩化錫３９．２ｙとジ一ｎ−ブチルスルフイ
ド２１．９ｆ７の混合物起３６．６７のトリ−ｎ−オク
チルアルミニウムを徐々に加えて２０〜３０℃において
反応させた。
施例 ８四塩化錫３９．２ｙとジ一ｎ−ブチルスルフイ
ド２１．９ｆ７の混合物起３６．６７のトリ−ｎ−オク
チルアルミニウムを徐々に加えて２０〜３０℃において
反応させた。
トリ−ｎ−オクチルアルミニウムの添加終了後２時間６
０〜６５℃に加温し反応を完結させた。以下実施例６と
同様の処理によりジ一ｎ−オクチル錫酸化物４９．８７
を得た。
０〜６５℃に加温し反応を完結させた。以下実施例６と
同様の処理によりジ一ｎ−オクチル錫酸化物４９．８７
を得た。
ジ一ｎ−ブチルスルフイドは９７．３％回収できた。実
施例 ９ トリ−ｎ−オクチルアルミニウム７３２７とジフエニル
スルフイド４４．７（ｉ／の混合物に四塩化錫３９．２
７を徐々に加えた。
施例 ９ トリ−ｎ−オクチルアルミニウム７３２７とジフエニル
スルフイド４４．７（ｉ／の混合物に四塩化錫３９．２
７を徐々に加えた。
しかる後反応を完結させるため６０℃に加熱し３時間攪
拌した。実施例４と同様の後処理によりテトラ−ｎ−オ
クチル錫７６．２７を得た。ジフエニルスルフイドは９
８．８％回収できた。実施例 １０ ジ一１−ブチルアルミニウムモノクロライド７０．６７
と四塩化錫１０４．４ｙを徐々に１０〜３０℃において
反応させ、次にジ一ｎ−ブチルスルフイド８７．６ｙを
加えた。
拌した。実施例４と同様の後処理によりテトラ−ｎ−オ
クチル錫７６．２７を得た。ジフエニルスルフイドは９
８．８％回収できた。実施例 １０ ジ一１−ブチルアルミニウムモノクロライド７０．６７
と四塩化錫１０４．４ｙを徐々に１０〜３０℃において
反応させ、次にジ一ｎ−ブチルスルフイド８７．６ｙを
加えた。
しかる後反応を完結させるため６０〜６５℃に加熱し２
時間攪拌した。反応生成物は主としてジ一１−ブチル錫
シクロラードよりなる上層と、ＡｌＣｌ３・（ＮＣ４Ｈ
，）２Ｓよりなる下層の二層となつた。層分離し上層を
１０％ＮａＯＨ水溶液で加水分解したどころジ一１−ブ
チル錫酸化物９２．５７が得られた。下層を５％ＨＣｌ
水溶液で加水分解した後層分離したところ９７．０％の
ジ一ｎ−ブチルスルフイドが回収できた。実施例 １１ １−ブチルアルミニウムジクロラ・ｆド６２．０７と四
塩化錫５２．２ｙを徐々に１０〜３０℃において反応さ
せ、次にジ一ｎ−ブチルスルフイド８７．６ｆ７を加え
た。
時間攪拌した。反応生成物は主としてジ一１−ブチル錫
シクロラードよりなる上層と、ＡｌＣｌ３・（ＮＣ４Ｈ
，）２Ｓよりなる下層の二層となつた。層分離し上層を
１０％ＮａＯＨ水溶液で加水分解したどころジ一１−ブ
チル錫酸化物９２．５７が得られた。下層を５％ＨＣｌ
水溶液で加水分解した後層分離したところ９７．０％の
ジ一ｎ−ブチルスルフイドが回収できた。実施例 １１ １−ブチルアルミニウムジクロラ・ｆド６２．０７と四
塩化錫５２．２ｙを徐々に１０〜３０℃において反応さ
せ、次にジ一ｎ−ブチルスルフイド８７．６ｆ７を加え
た。
しかる後反応を完結させるため６０〜６５℃に加熱し２
時間攪拌した。反応生成物は主としてジ一１−ブチル錫
シクロラードよりなる上層と、ＡＩＣｌ３・（ＮＣ４Ｈ
，）２Ｓよりなる下層の二層となつた。層分離し上層を
１０％ＮａＯＨ水溶液で加水分解したところジ一１−ブ
チル錫酸化物４６．２ｆが得られた。下層を５％ＮａＯ
Ｈ水溶液で加水分解した後層分離したところ９６．５％
のジ一ｎ−ブチルスルフイドを回収できた。比較例 １ トリ−ｎ−オクチルアルミニウム７３，２７と四塩化錫
７８．３７を２０〜３０℃において徐々に反応させ、次
にジエチルエーテル２９．６７を加える。
時間攪拌した。反応生成物は主としてジ一１−ブチル錫
シクロラードよりなる上層と、ＡＩＣｌ３・（ＮＣ４Ｈ
，）２Ｓよりなる下層の二層となつた。層分離し上層を
１０％ＮａＯＨ水溶液で加水分解したところジ一１−ブ
チル錫酸化物４６．２ｆが得られた。下層を５％ＮａＯ
Ｈ水溶液で加水分解した後層分離したところ９６．５％
のジ一ｎ−ブチルスルフイドを回収できた。比較例 １ トリ−ｎ−オクチルアルミニウム７３，２７と四塩化錫
７８．３７を２０〜３０℃において徐々に反応させ、次
にジエチルエーテル２９．６７を加える。
しかる後反応を完結させるため加熱し６０〜６５℃にお
いて５時間撹拌する。反応生成物は主としてジ一ｎ−オ
クチル錫シクロラードよりなる上層とＡｌＣｌ３・（Ｃ
２Ｈ５）２０よりなる下層になる。層分離した上層を２
０％ＮａＯＨ水溶液で加水分解しジ一ｎ−オクチル錫酸
化物に変えた。ジ一ｎ−オクチル錫酸化物の収率は供し
た四塩化錫基準で理論収率の９１％であつた。下層を２
０〜３０℃において５％ＨＣｌ水溶液３４０ＣＣで加水
分解しジエチルエーテルを回収したところ、ジエチルエ
ーテルの回収率は８５．６％であつた。
いて５時間撹拌する。反応生成物は主としてジ一ｎ−オ
クチル錫シクロラードよりなる上層とＡｌＣｌ３・（Ｃ
２Ｈ５）２０よりなる下層になる。層分離した上層を２
０％ＮａＯＨ水溶液で加水分解しジ一ｎ−オクチル錫酸
化物に変えた。ジ一ｎ−オクチル錫酸化物の収率は供し
た四塩化錫基準で理論収率の９１％であつた。下層を２
０〜３０℃において５％ＨＣｌ水溶液３４０ＣＣで加水
分解しジエチルエーテルを回収したところ、ジエチルエ
ーテルの回収率は８５．６％であつた。
Claims (1)
- １ ハロゲン化錫とアルキルアルミニウム化合物との反
応によるアルキル錫化合物の製造方法において、該反応
をアルキルスルフィド、芳香族スルフィドおよび環状ス
ルフィド、トリアルキルホスフィンおよび芳香族ホスフ
ィンから選ばれた少なくとも一種の化合物の存在下に実
施することを特徴とするアルキル錫化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP48052254A JPS5915915B2 (ja) | 1973-05-10 | 1973-05-10 | アルキル錫化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP48052254A JPS5915915B2 (ja) | 1973-05-10 | 1973-05-10 | アルキル錫化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS49134630A JPS49134630A (ja) | 1974-12-25 |
| JPS5915915B2 true JPS5915915B2 (ja) | 1984-04-12 |
Family
ID=12909594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP48052254A Expired JPS5915915B2 (ja) | 1973-05-10 | 1973-05-10 | アルキル錫化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5915915B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2843489T3 (es) | 2013-09-26 | 2021-07-19 | Asahi Chemical Ind | Compuesto de alquil estaño |
-
1973
- 1973-05-10 JP JP48052254A patent/JPS5915915B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS49134630A (ja) | 1974-12-25 |
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