JPS59135641A - Optical recording medium - Google Patents

Optical recording medium

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Publication number
JPS59135641A
JPS59135641A JP58010159A JP1015983A JPS59135641A JP S59135641 A JPS59135641 A JP S59135641A JP 58010159 A JP58010159 A JP 58010159A JP 1015983 A JP1015983 A JP 1015983A JP S59135641 A JPS59135641 A JP S59135641A
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JP
Japan
Prior art keywords
recording layer
dye
recording
recording medium
optical recording
Prior art date
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Pending
Application number
JP58010159A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Noriyoshi Nanba
憲良 南波
Shigeru Asami
浅見 茂
Akihiko Kuroiwa
黒岩 顕彦
Shiro Nakagawa
士郎 中川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by TDK Corp filed Critical TDK Corp
Priority to JP58010159A priority Critical patent/JPS59135641A/en
Publication of JPS59135641A publication Critical patent/JPS59135641A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material

Abstract

PURPOSE:To obtain a construction in which writing sensitivity, C/N of reading out and control of tracking are optimum by setting the thickness in the recording track part of a recording layer consisting of a dye or dye compsn. coated film on a base body having grooves for tracking at a specific value or below and detecting the presence or absence of a pit by reflected light. CONSTITUTION:A recording layer 4 is provided on one or both surfaces of a base body having grooves 3 for tracking roughly over the entire region of the base body surface in such a way that the recording layer has substantially a flat surface by filling said grooves. The layer 4 consists of a dye or dye compsn. and the recording layer 4 positioned on the projecting part on the base body surface isolated by the groove 3 is used as a recording track part for forming pits. The thickness in the recording track part of the recording layer positioned on the step of the groove 3 is <=0.2mum. If the thickness exceeds 0.2mum, writing sensitivity decreases. A decrease in reflectivity and a decrease in C/N of reading out are also resulted. The difference in the reflectivity between the recording track part and the other region is eliminated and the tracking control is difficult.

Description

【発明の詳細な説明】 l 発明の背景 技術分野 本発明は、光記録媒体、特にヒートモードの光記録媒体
に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION l BACKGROUND OF THE INVENTION Technical Field The present invention relates to optical recording media, particularly heat mode optical recording media.

先行技術 光記録媒体は、媒体と書き込みないし読み出しヘッドが
非接触であるので、記録媒体が摩耗劣化しないという特
徴をもち、このため、種々の光記録媒体の開発研究が行
われている。
Prior art optical recording media have the characteristic that the recording medium does not deteriorate due to wear and tear because the medium and the writing or reading head are not in contact with each other, and for this reason, research and development of various optical recording media are being carried out.

このような光記録媒体のうち、暗室による画像処理が不
要である等の点で、ヒートモード光記録媒体の開発が活
発になっている。
Among such optical recording media, heat mode optical recording media are being actively developed because they do not require image processing in a darkroom.

このヒートモードの光記録媒体は、書き込み光を熱とし
て利用する光記録媒体であり、その1例として、レーザ
ー等の記録光で媒体の一部を融解、除去等して、ピット
と称される小穴を形成して書き込みを行い、このビット
により情報を記録し、このピットの有無を読み出し光の
反射光で検出して読み出しを行うものがある。
This heat mode optical recording medium is an optical recording medium that uses writing light as heat. For example, a part of the medium is melted or removed using a recording light such as a laser to form a pit. Some devices perform writing by forming small holes, record information using these bits, and read by detecting the presence or absence of the pits using reflected light from the readout light.

このようなピット形成型の媒体の1例としてハ、テルル
、テルルーセレンーヒ素等からなる記録層をスパッタリ
ング等の気相被着によって基体上に形成し、これらを融
解してピット’l形成するものが知られている。
As an example of such a pit-forming medium, a recording layer made of tellurium, tellurium selenium, arsenic, etc. is formed on a substrate by vapor phase deposition such as sputtering, and then melted to form pits. What it does is known.

そして、このような媒体では、基体にトラッキング用の
溝を形成し、溝の上と溝で隔てられる面上とにほぼ均一
の厚さで記録層を被着し、例えば溝で隔てられる面上に
位置する記録層をピット形成用の記録トラック部として
、この記録トラック部に、例えば記録層表面側から書き
込を行う。
In such a medium, a tracking groove is formed in the substrate, and a recording layer is deposited with a substantially uniform thickness on the groove and on the surface separated by the groove. The recording layer located at is used as a recording track section for forming pits, and writing is performed on this recording track section, for example, from the surface side of the recording layer.

このような場合、記録層の厚さは、記録感度と、読み出
しのC/N比が最大となるように、0.01〜0.05
μm程度とされる。
In such a case, the thickness of the recording layer should be 0.01 to 0.05 to maximize recording sensitivity and reading C/N ratio.
It is said to be on the order of μm.

また、溝は、書き込みないし読み出しのビームスポット
が記録トラック部をはずれかけたときに、溝の深さにも
とづく位相差による干渉効果によって、反射光の方向を
一方にかたよらせて検知を行うだめのものであって、λ
/4(λはビーム光の波長)程度とされている。
Additionally, when the writing or reading beam spot is about to deviate from the recording track, the grooves are used to bias the direction of the reflected light to one side for detection due to the interference effect caused by the phase difference based on the depth of the grooves. λ
/4 (λ is the wavelength of the beam light).

ところで、ぎット形成型の媒体の他の例としては、光吸
収色素からなる記録層を塗設して、記録光によって色素
を融解してビットを形成するものや、ニトロセルロース
等の自己酸化性化合物と光吸収色素とを含む記録層を塗
設して、ニトロセルロース等を分解してピラトラ形成す
るものや、熱可塑性樹脂と光吸収色素とからなる記録層
を塗設して、樹脂および色素を融解してピラトラ形成す
るものなどが知られている。
By the way, other examples of bit-forming media include those in which a recording layer made of a light-absorbing dye is coated and the dye is melted by the recording light to form bits, and self-oxidizing media such as nitrocellulose. A recording layer containing a thermoplastic resin and a light-absorbing dye is coated to form a pyratra by decomposing nitrocellulose, or a recording layer consisting of a thermoplastic resin and a light-absorbing dye is coated to form a resin and Some are known that melt pigments to form piratra.

このような記録層を塗設してなる媒体は、真空被着を用
いないので、その製造が要易である。
Since a medium coated with such a recording layer does not use vacuum deposition, it is easy to manufacture.

しかし、前記したように、トラッキング用の溝を有する
基体」二に設層する場合、塗膜の性状として、溝の有無
に拘らず表面が平坦な塗膜として形成されるだめ、溝の
凹部上と、溝段差上の面上とでは記録層の厚さおよび反
射率が異々る。 そして、位相差による干渉効果による
反射光のかたよりも小さい。 このため、書き込み感度
とC/N比を最大とする記録層の厚さや、トラッキング
の制御をもつとも良好にする溝寸法等については、まだ
その最適値がわかっていない。
However, as mentioned above, when a layer is applied to a substrate having tracking grooves, the coating film has a flat surface regardless of the presence or absence of grooves, and therefore The thickness and reflectance of the recording layer differ between the surface and the surface above the groove step. And it is smaller than the reflected light due to the interference effect due to the phase difference. For this reason, the optimum values for the thickness of the recording layer that maximizes the writing sensitivity and C/N ratio, and the groove dimensions that provide good tracking control have not yet been determined.

■ 発明の目的 本発明は、このような実状に鑑みなされたものであって
、その主たる目的は、トラッキング用の溝を有する基体
上に、色素まだは色素組成物塗膜からなる記録層を有す
る媒体において、書き込み感度と、読み出しのC/N比
と、トラッキングの制御とが最適となる構造を提供せん
とするものである。
■ Purpose of the Invention The present invention was made in view of the above-mentioned circumstances, and its main purpose is to provide a recording layer comprising a coating film of a pigment composition on a substrate having tracking grooves. The present invention aims to provide a structure in which writing sensitivity, reading C/N ratio, and tracking control are optimized in a medium.

このような目的は、以下の本発明によって達成される。Such objects are achieved by the present invention as described below.

すなわち、本発明は、基体の少なくとも一方の面にトラ
ッキング用の溝を形成し、この溝を有する面上のほぼ構
成に、表面が実質的に平坦となるように、色素または色
素組成物からなる記録層を設け、溝で隔てられる基体面
上に位置する記録層をピット形成用の記録]・ラック部
とし、この記録層の記録トラック部の厚さ全0.2μm
以下とし、記録層表面側から書き込みを行い、書き込み
後の2ツトの有無を、記録層表面側からの読み出し光の
反射光によって検知するように構成したことを特徴とす
る光記録媒体である。
That is, the present invention provides tracking grooves formed on at least one surface of a substrate, and a dye or a dye composition formed on the surface having the grooves so that the surface is substantially flat. A recording layer is provided, and the recording layer located on the substrate surface separated by a groove is used as a recording rack section for forming pits, and the total thickness of the recording track section of this recording layer is 0.2 μm.
This optical recording medium is characterized in that writing is performed from the surface side of the recording layer, and the presence or absence of two dots after writing is detected by the reflected light of readout light from the surface side of the recording layer.

■ 発明の具体的構成 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。■Specific structure of the invention Hereinafter, a specific configuration of the present invention will be explained in detail.

本発明の光記録媒体10基体2の一方の面または両方の
面にはl・ラッキング用の溝3が形成される(第1図参
照)。
A groove 3 for l-racking is formed on one or both surfaces of the substrate 2 of the optical recording medium 10 of the present invention (see FIG. 1).

そして、このトラッキング川の溝3を有する基体の片面
または両面上には、溝をうめた状態で、記録層表面が実
質的に平坦となるように、基体面のほぼ全域に亘って、
記録層4が設層される。 これは、記録層が塗布によっ
て形成されることによるものであって、記録層を気相被
着によって形成する場合と異なるものである。
Then, on one or both sides of the substrate having the tracking grooves 3, with the grooves filled, the recording layer surface is substantially flat over almost the entire surface of the substrate.
A recording layer 4 is provided. This is because the recording layer is formed by coating, which is different from the case where the recording layer is formed by vapor deposition.

この場合、記録層の表面が実質的に平坦になるとは、溝
で隔てられる基体面(凸部)が記録層から露出せず、し
かも記録層表面が基体の面上のほぼ全域に亘って、連続
面を形成するものである。 そして、記録層表面は、±
002μm1特に±001μm程度以下の面精度にて平
坦面を形成するものであることが好ましい。
In this case, the surface of the recording layer is substantially flat, meaning that the substrate surface (convex portion) separated by the groove is not exposed from the recording layer, and that the recording layer surface covers almost the entire surface of the substrate. It forms a continuous surface. And the surface of the recording layer is ±
It is preferable to form a flat surface with a surface precision of about 0.002 μm or less, especially about ±001 μm.

記録層4は色素または色素組成物からなり、溝3で隔て
られる基体面凸部に位置する記録層4をピット形成用の
記録トラック部とする。
The recording layer 4 is made of a dye or a dye composition, and the recording layer 4 located on the convex portions of the substrate surface separated by the grooves 3 serves as a recording track portion for forming pits.

溝3段差上に位置する記録層の記録トラック部の厚さi
tとしたとき、tldo、2μm以下でなければならな
い。
Thickness i of the recording track portion of the recording layer located above the three-step groove difference
When t, tldo must be 2 μm or less.

0.2μmをこえる厚さとなると、書き込み感度が低下
してしまう。 また、反射率が低下し、読み出しのC/
N比が低下する。 さらに、記録トラック部と他の領域
(溝四部上)との反射率の差がなくなり、トラッキング
の制御が困難となる。
When the thickness exceeds 0.2 μm, writing sensitivity decreases. Also, the reflectance decreases and the readout C/
N ratio decreases. Furthermore, there is no difference in reflectance between the recording track portion and other areas (above the four groove portions), making tracking control difficult.

このような場合、tは多重反射による読み出し光の最大
反射率を与える厚さt。(1oは一般に0.2μm 以
下である)に対し、0.3 to〜1、 G to、 
 より好ましくは0.5to〜1.4toであることが
好ましい。
In such a case, t is the thickness t that provides the maximum reflectance of the readout light due to multiple reflections. (1o is generally 0.2 μm or less), whereas 0.3 to 1, G to,
More preferably, it is 0.5to to 1.4to.

この最大反射率を与える厚さt。は、実験的に求めるこ
とができる。 あるいは、石黒浩三「光学」(井守全書
56)などに記載された方法によって、容易に計算する
こともできる。
The thickness t that gives this maximum reflectance. can be determined experimentally. Alternatively, it can be easily calculated by the method described in Kozo Ishiguro's "Optics" (Imori Zensho 56).

すなわち、計算による場合、反射率Rは、下記式で与え
られる。
That is, when calculated, the reflectance R is given by the following formula.

であり、さらに、 ηl−01−Jk1 に、= 2.3 ECλ/4π、ηにN(+−C) +
 NdCであり、noは空気の屈折率、n2は基体の屈
折率、Nは色素組成物ヤの樹脂成分の実効屈折率、Eは
色素の実効吸光係数、λは用いる波長、Nd  は色素
の実効屈折率、Cは色素の実効重量濃度(これらの場合
、色素や樹脂が2種以上含有される場合は各定数は実効
値を用いる)である。
, and further, in ηl-01-Jk1, = 2.3 ECλ/4π, and in η, N(+-C) +
NdC, where no is the refractive index of air, n2 is the refractive index of the substrate, N is the effective refractive index of the resin component of the dye composition, E is the effective extinction coefficient of the dye, λ is the wavelength used, and Nd is the effective refractive index of the dye. The refractive index and C are the effective weight concentration of the dye (in these cases, when two or more kinds of dyes or resins are contained, the effective value is used for each constant).

従って、Rは、各定数から上式によってtの関数として
求めることができる。 そして、その値は実験値とほぼ
一致する。
Therefore, R can be determined as a function of t from each constant using the above equation. And the value almost agrees with the experimental value.

第2図には、色素組成物塗膜の830 nmにおける反
射率Rと塗膜の膜厚との計算結果および実測値(○印)
の1例が示される。
Figure 2 shows the calculated results and actual measured values (marked with ○) of the reflectance R at 830 nm of the dye composition coating film and the film thickness of the coating film.
An example is shown.

このようにして求められるtに対し、tが0、3 to
〜1.6t、となると、溝3の存在によって膜厚の差が
生じる記録トラック部以外の領域 (溝凹部上)との反
射率の差が十分大きくなり、トラッキングの制御がきわ
めて容易となる。
For t obtained in this way, t is 0, 3 to
˜1.6t, the difference in reflectance between the region other than the recording track portion (above the groove recessed portion) where the film thickness differs due to the presence of the groove 3 becomes sufficiently large, and tracking control becomes extremely easy.

このような場合、書き込み光および読み出し光としては
、装置全体を小型化する上で、波長830,780ない
し750 nm  の半導体レーザーを用いることが好
ましい。 このため、tは、0.04〜0.15μm1
より好ましくは0.05〜0.1μmであることが好ま
しい。
In such a case, it is preferable to use a semiconductor laser with a wavelength of 830, 780 to 750 nm as the writing light and reading light in order to miniaturize the entire device. Therefore, t is 0.04 to 0.15 μm1
More preferably, it is 0.05 to 0.1 μm.

一方、溝の最大深さdは、記録トラック部以外の他の領
域の厚さを決定するものであり、本発明でid、t+d
が他の領域の厚さとなる。
On the other hand, the maximum depth d of the groove determines the thickness of other areas other than the recording track portion, and in the present invention, id, t+d
is the thickness of other areas.

そして、上記したように、tffo、2μm以下で、し
かも0.3 to−1,6toの厚さに設定すれば、記
録トラック部と他の領域との反射率の差が十分大きくな
り、トラッキングの制御がきわめて容易となるものであ
る。
As mentioned above, if tffo is set to 2 μm or less and the thickness is set to 0.3 to 1,6 to, the difference in reflectance between the recording track portion and other areas becomes sufficiently large, and tracking becomes difficult. This makes control extremely easy.

このような場合、本発明では、書き込みと、反射光によ
る読み出しとを記録層表面側から行うので、トラッキン
グの制御のだめの検知も、記録層表面側から行うのが好
ましい。
In such a case, in the present invention, since writing and reading using reflected light are performed from the surface side of the recording layer, it is preferable to detect failure of tracking control from the surface side of the recording layer.

このようなとき、記録トラック部の読み出し光および書
き込み光の記録層表面側からの反射率と、その他の部分
(溝凹部上)の反射率との差は、6係、特に10チ以上
であることが好ましい。 そして、このときトラッキン
グ制御のだめのトラックエラー信号はきわめて大きくな
る。
In such a case, the difference between the reflectance of the readout light and the write light from the recording layer surface side of the recording track portion and the reflectance of other parts (above the groove recesses) is by a factor of 6, especially by a factor of 10 or more. It is preferable. At this time, the tracking error signal due to tracking control becomes extremely large.

なお、通常の場合は、記録トラック部の反射率を、その
他の部分の反射率よりも6チ、特に10チ以上大きくす
る。
Note that in a normal case, the reflectance of the recording track portion is set to be 6 or more, particularly 10 or more, higher than the reflectance of the other portions.

一方、記録トラック部の内外でこのよう々反射率の差を
生じさせるには、t’に先のように設定することから、
半導体レーザー等を用いるとき、溝の深さdは、通常0
.04μm以上とすればよい。
On the other hand, in order to create such a difference in reflectance between the outside and outside of the recording track section, t' must be set as described above.
When using a semiconductor laser etc., the depth d of the groove is usually 0.
.. The thickness may be set to 0.04 μm or more.

なお、読み出しのC/N比とトラックエラー信号とを大
きくするためには、記録トラック部の読みだし光および
書き込み光に対する記録層表面側からの反射率は、15
チ以上であることが好ましい。
Note that in order to increase the read C/N ratio and the track error signal, the reflectance from the recording layer surface side for the read light and write light of the recording track portion should be 15
It is preferable that it is at least H.

さらに、溝段差上に位置する記録トラック部の巾(凸部
中)aは、通常0.7〜1.0μm程度とする。 また
、記録トラック部の間隙(溝の巾)bは、通常、1.5
〜2.5μm程度とする。
Further, the width a of the recording track portion located on the groove step (inside the convex portion) is usually about 0.7 to 1.0 μm. In addition, the gap (width of the groove) b of the recording track portion is usually 1.5
The thickness should be approximately 2.5 μm.

なお、溝の形状については特に制限はない。Note that there are no particular restrictions on the shape of the groove.

このような特性を有する記録層は、色素または色素組成
物から形成される。
A recording layer having such characteristics is formed from a dye or a dye composition.

すなわち、記録層は色素のみから形成されてもよい。That is, the recording layer may be formed only from the dye.

用いる色素としては、種々のものを用いることができる
が、特に、750,780,830nm半導体レーザー
を書き込み光および読み出し光として用いるときには、
10%以上の反射率が得られる点で、カルボシアニン色
素を用いるのが有利である。
Various dyes can be used, but especially when using 750, 780, and 830 nm semiconductor lasers as writing light and reading light,
It is advantageous to use carbocyanine dyes in that a reflectance of 10% or more can be obtained.

カルボシアニン色素としては種々のものであってよ(、
カルボシアニンの連結鎖の両端の環は、ベンゼン環、ナ
フタレン環、フェナントレン環等が縮合してもよいチア
ゾール環、オキサゾール環、セレナゾール環、イミダゾ
ール環、インドール環、ピリジン環等いずれであっても
よい。
There are various carbocyanine pigments (,
The rings at both ends of the carbocyanine linking chain may be any thiazole ring, oxazole ring, selenazole ring, imidazole ring, indole ring, pyridine ring, etc. to which a benzene ring, naphthalene ring, phenanthrene ring, etc. may be fused. .

さらには、連結鎖は、モノ、ジ、トリまたはテトラカル
ボシアニン色素を形成するための公知の神々の連結基で
あってよいが、トリカルボシアニン色素を形成するため
の連結基であることが好ましい。
Furthermore, the linking chain may be any known linking group for forming mono-, di-, tri- or tetracarbocyanine dyes, but is preferably a linking group for forming tricarbocyanine dyes. .

このようなカルボシアニン色素の中では、下記式CDで
示されるインドール環またはベンゾインドール環を有す
るものであることが好ましい。
Among such carbocyanine dyes, those having an indole ring or benzoindole ring represented by the following formula CD are preferred.

式〔I〕 Φ−L、、、、W  (X−)m 上記式CI)において、ΦおよびFは、インドール環ま
たはベンゾインドール環の残基な表わすが、このうち、
Φがインドール核のN原子に十電荷を有し、1が中性N
原子を有するものである。
Formula [I] Φ-L, ..., W (X-)m In the above formula CI), Φ and F represent residues of an indole ring or a benzindole ring, among which,
Φ has ten charges on the N atom of the indole nucleus, and 1 is the neutral N
It has atoms.

そして、それぞれは同一でも、異なっていてもよく、種
々の置換基が結合することができる。
Each of them may be the same or different, and various substituents can be bonded to them.

これらのうち、ΦおよびTは同一であることが好ましく
、特に、下記式[1[)〜〔v〕で示されるものである
ことが好ましい。
Among these, Φ and T are preferably the same, and particularly preferably those represented by the following formulas [1[) to [v].

この場合、インドール環の2位に付した電荷記号(・)
は、Φでは十N>、Wでは N >=1 となることを表わす。
In this case, the charge symbol (・) attached to the 2-position of the indole ring
represents that 10N> for Φ and N>=1 for W.

式〔v〕 (a、 )。Expression [v] (a, ).

上記式〔■〕〜〔v〕において、Rよは、置換または非
置換のアルキル基を表わす。
In the above formulas [■] to [v], R represents a substituted or unsubstituted alkyl group.

アルキル基の炭素原子数は1〜5であることが好ましく
、また、好ましい置換、基としては、スルホン酸基、ア
ルキルカルボキシオキシ基等をあげることができる。 
この他、置換基としては、アルキルアミド基、アルキル
オキシ基、カルボン酸基、水酸基等も可能である。
The number of carbon atoms in the alkyl group is preferably 1 to 5, and preferable substitutions and groups include a sulfonic acid group and an alkylcarboxyoxy group.
In addition, examples of the substituent include an alkylamido group, an alkyloxy group, a carboxylic acid group, and a hydroxyl group.

なお、Rよは、置換または非置換の了り−ル基であって
もよい。
Note that R may be a substituted or unsubstituted oryl group.

このような場合、後述のmが0であるときには、ΦのR
工は一電荷をもつ。
In such a case, when m (described later) is 0, R of Φ
has one charge.

また、R3およびR15は、それぞれ、アルキル基また
はフェニル基等のアリール基、好ましくはアルキル基を
表わす。 この場合、アルキル基は非置換のものであり
、特に炭素原子数1または2、特に1であることが好ま
しい。
Furthermore, R3 and R15 each represent an alkyl group or an aryl group such as a phenyl group, preferably an alkyl group. In this case, the alkyl group is preferably unsubstituted and has 1 or 2, especially 1, carbon atom.

さらに、R4は、置換基を表わすが、アルキル基、アリ
ール基、複素環残基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ア
ルキルチオ基、アルキルヒドロキシカルボニル基、カル
ボ/酸基等が可能である。
Further, R4 represents a substituent, which may be an alkyl group, an aryl group, a heterocyclic residue, a halogen atom, an alkoxy group, an alkylthio group, an alkylhydroxycarbonyl group, a carbo/acid group, or the like.

そして、pは、通常、0〜4の整数であり、pが2以上
のとき複数のR4は互いに異なってもよい。
Further, p is usually an integer of 0 to 4, and when p is 2 or more, the plurality of R4s may be different from each other.

ただ、特に必要がない場合は、pは0であればよい。However, if there is no particular need, p may be 0.

他方、Lは、モノ、ジ、トリまたはテトラカルボシアニ
ンを形成するだめの連結基を表わすが、特に下記式〔■
〕〜〔■〕のいずれかであることが好ましい。
On the other hand, L represents a linking group that forms a mono-, di-, tri- or tetracarbocyanine, especially the following formula [■
] to [■] is preferable.

式(■:) CH=CI−1−CH=C−CH=CI−
1−CHl 式CX ml CH=CH−CH=CH−C=CH−C
l−1=CH−CH式[: M :] CH=CH−C
匡CH−CH式[刈] CH= C−CH ここに、Yは、水素原子または1価の基を表わす。 こ
の場合、1価の基としては、メチル基等の低級アルキル
基、メトキシ基等の低級アルコキシ基、ジメチルアミノ
基、ジメチルアミノ基、メチルフェニルアミノ基、モル
ホリノ基、イミダゾリジン基、エトキシカルボニルビベ
ラジン基などのジ置換アミノ基、アセトキシ基等のアル
キルカルボニルオキシ基、メチルチオ基等のアルキルチ
オ基、Br、C4等のハロゲン原子、シアノ基、ニトロ
基などであることが好ましい。
Formula (■:) CH=CI-1-CH=C-CH=CI-
1-CHl Formula CX ml CH=CH-CH=CH-C=CH-C
l-1=CH-CH formula [: M:] CH=CH-C
Tadashi CH-CH formula [Kari] CH= C-CH Here, Y represents a hydrogen atom or a monovalent group. In this case, the monovalent group includes a lower alkyl group such as a methyl group, a lower alkoxy group such as a methoxy group, a dimethylamino group, a dimethylamino group, a methylphenylamino group, a morpholino group, an imidazolidine group, and an ethoxycarbonylbiverazine group. Preferred examples include di-substituted amino groups such as acetoxy groups, alkylcarbonyloxy groups such as acetoxy groups, alkylthio groups such as methylthio groups, halogen atoms such as Br and C4, cyano groups, and nitro groups.

なお、これら式〔■〕〜〔刈〕の中では、トリまたはテ
トラカルボシアニンの式〔■〕〜〔X〕、特に式〔■〕
、〔■〕が好ましい。
In addition, among these formulas [■] to [Kari], formulas [■] to [X] of tri or tetracarbocyanine, especially formula [■]
, [■] are preferred.

さらに、X−は陰イオンであり、その好まシイ例トシテ
ハ、■−1Br−1CtO−1BF 、−1なお、mは
0または1であるが、mがOであるときには、通常、Φ
のR□が一電荷をもち、分子内塩となる。
Furthermore, X- is an anion, and its preferred examples are: -1Br-1CtO-1BF, -1 Note that m is 0 or 1, but when m is O, it is usually Φ
R□ has a single charge and becomes an inner salt.

これらカルボシアニン色素の具体例は、上記の記載から
自明であろう。 以下に、これらカルボシアニン色素の
うち、上記式CI)に包含されるものの具体例を示すが
、本発明はこれらのみに限定されるものではない。
Specific examples of these carbocyanine dyes will be obvious from the above description. Specific examples of these carbocyanine dyes included in the above formula CI) are shown below, but the present invention is not limited to these.

色素/f6Φ、F      RR2 DI      [Tl :]      −CH−C
I−13D2              [11) 
             −C8−Cト■D3   
    [: II 、:l       −CI−1
−CHD5      [ffr]−CH5−CI−(
D 8      [:+v 、:ll−C2H3−C
I4D      [■〕−(CH2)30COCH3
−CI−1r+lo      [IV〕−CH−CI
−(Dll      〔l       −CH−C
I−1−CH−H[w:]      HI I −CH−H[v]       HCtO−CH−H[
v:]       H−−CH−H[〕HCtO −CH−H[:]       H− −Cl−1−H[:w:]    ’   HBF−C
H−H[■]       HCzO−CH−H〔■)
       H1 このようなカルボシアニア色素は、レーザー研9℃8(
4)色素レーザー用有機化合物総覧、大有機化学(朝食
書店)含窒素複素環化合物I P432等に記載されて
おり、 公知の方法によって合成することができる。
Dye/f6Φ, F RR2 DI [Tl:] -CH-C
I-13D2 [11]
-C8-C■D3
[:II,:l-CI-1
-CHD5 [ffr] -CH5-CI-(
D 8 [:+v,:ll-C2H3-C
I4D [■]-(CH2)30COCH3
-CI-1r+lo [IV]-CH-CI
-(Dll [l -CH-C
I-1-CH-H[w:] HI I-CH-H[v] HCtO-CH-H[
v:] H--CH-H[]HCtO-CH-H[:] H--Cl-1-H[:w:]' HBF-C
H-H [■] HCzO-CH-H [■]
H1 Such carbocyania dyes are laser-polished at 9°C 8 (
4) They are described in the Comprehensive List of Organic Compounds for Dye Lasers, Dai-Organic Chemistry (Breakfast Shoten), Nitrogen-Containing Heterocyclic Compounds IP 432, and can be synthesized by known methods.

なお、このような色素は後述の各種樹脂中圧担持結合さ
れて色素を形成していてもよい。
Incidentally, such a dye may be supported and bonded to various resins described below under medium pressure to form a dye.

このような色素は、単独で記録層を構成してもよい。 
あるいは、記録層中に、自己酸化性または熱可塑性樹脂
とともに含有される。
Such a dye may constitute the recording layer alone.
Alternatively, it is contained in the recording layer together with a self-oxidizing or thermoplastic resin.

後者では、色素単独で記録層を形成するときと比較して
、層中での結晶化がおさえられて膜物性が良好となる。
In the latter case, crystallization in the layer is suppressed and the physical properties of the film are better than when the recording layer is formed using only the dye.

記録層に含有される自己酸化性の樹脂は、昇温したとき
、酸化的な分解を生じるものである。
The self-oxidizing resin contained in the recording layer undergoes oxidative decomposition when the temperature rises.

このような自己酸化性の樹脂の例としては、特願昭55
−99202号に記載したようなものを挙げることがで
きるが、これらのうち、特にニトロセルロースが好適で
ある。
An example of such a self-oxidizing resin is the patent application published in 1983.
Among these, nitrocellulose is particularly preferred.

また、自己酸化性樹脂にかえて、あるいは、場合によっ
ては、これに加えて含有される熱可塑性樹脂は、記録光
を吸収した光吸収体の昇温により、軟化するものであり
、熱可塑性樹脂としては、公知の種々のものを用いるこ
とができる。
In addition, the thermoplastic resin contained instead of or in addition to the self-oxidizing resin softens when the temperature of the light absorber that absorbs the recording light increases. Various known materials can be used as the material.

これらのうち、特に好適に用いることができる熱可塑性
樹脂圧は、以下のようなものがある。
Among these, thermoplastic resin pressures that can be particularly suitably used include the following.

i)ポリオレフィン ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ4−メチルペンテ
ン−1など。
i) Polyolefin polyethylene, polypropylene, poly4-methylpentene-1, etc.

if)ポリオレフィン共重合体 例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ア
クリレート共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、
エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−ブテン−1
共重合体、エチレン−無水マレイン酸共重合体、エチレ
ンプロピレンターポリマー(EPT)など。
if) polyolefin copolymers, such as ethylene-vinyl acetate copolymers, ethylene-acrylate copolymers, ethylene-acrylic acid copolymers,
Ethylene-propylene copolymer, ethylene-butene-1
copolymers, ethylene-maleic anhydride copolymers, ethylene propylene terpolymers (EPT), etc.

この場合、コモノマーの重合比は任意のものとすること
ができる。
In this case, the polymerization ratio of the comonomers can be arbitrary.

り塩化ビニル共重合体 例えば、酢酸ビニル−塩化ビニル共重合体、塩化ビニル
−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−無水マレイノ
酸共重合体、アクリル酸エステルないしメタアクリル酸
エステルと塩化ビニルとの共重合体、アクリルニトリル
−塩化ビニル共重合体、塩化ビニルエーテル共重合体、
エチレンないしプロピレン−塩化ビニル共重合体、エチ
レン−酢酸ビニル共重合体に塩化ビニルをグラフト重合
したものなど。
Vinyl chloride copolymers such as vinyl acetate-vinyl chloride copolymers, vinyl chloride-vinylidene chloride copolymers, vinyl chloride-maleino acid anhydride copolymers, copolymers of acrylic esters or methacrylic esters and vinyl chloride. polymer, acrylonitrile-vinyl chloride copolymer, vinyl chloride ether copolymer,
Ethylene or propylene-vinyl chloride copolymer, ethylene-vinyl acetate copolymer with vinyl chloride graft polymerized, etc.

この場合、共重合比は任意のものとすることができる。In this case, the copolymerization ratio can be arbitrary.

iv)塩化ビニリデン共重合体 塩化ビニリチン−塩化ビニル共重合体、塩化ビニリゾ/
−塩化ビニル−アクリルニトリル共重合体、塩化ビニリ
デン−ブタジェン−ハロゲン化ビニル共重合体など。
iv) Vinylidene chloride copolymer Vinyritine chloride-vinyl chloride copolymer, Vinylizo chloride/
- Vinyl chloride-acrylonitrile copolymer, vinylidene chloride-butadiene-vinyl halide copolymer, etc.

この場合、共重合比は、任意のものとすすことかできる
In this case, the copolymerization ratio can be set arbitrarily.

V)ポリスチレン vi)スチレン共重合体 例えば、スチレン−アクリルニトリル共重合体(AS樹
脂)、ステレンーアクリルニトリルーブタジエy共重合
体(ASB樹脂)、スチレン−無水マレイン酸共重合体
(SMA樹脂)、スチレン−アクリルエステル−アクリ
ルアミド共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体(S
BR)、スチレン−塩化ビニリデン共重合体、スチレン
−メチルメタアクリレート共重合体など。
V) Polystyrene vi) Styrene copolymer For example, styrene-acrylonitrile copolymer (AS resin), styrene-acrylonitrile-butadiene copolymer (ASB resin), styrene-maleic anhydride copolymer (SMA resin) ), styrene-acrylic ester-acrylamide copolymer, styrene-butadiene copolymer (S
BR), styrene-vinylidene chloride copolymer, styrene-methyl methacrylate copolymer, etc.

この場合、共重合比は任意のものとすることができる。In this case, the copolymerization ratio can be arbitrary.

vi)スチレン型重合体 例えば、p−メチルスチレン、2,5−ジクロルスチレ
ン、α、β−ビニルナフタレン、α−ビニルピリジン、
アセナフテン、ビニルアントラセンなど、あるいはこれ
らの共重合体。
vi) Styrenic polymers such as p-methylstyrene, 2,5-dichlorostyrene, α,β-vinylnaphthalene, α-vinylpyridine,
Acenaphthene, vinylanthracene, etc., or copolymers thereof.

vii)クマロ/−インデン樹脂 クマロン−インチ/−スチレン(’) 共it 合体。vii) Kumalo/-indene resin Coumaron-inch/-styrene (') combination.

ix)テルペン樹脂ないしピコライト 例えば、α−ピネンから得られるリモネンの重合体であ
るテルペン樹脂やβ−ピネンから得られるピコライト。
ix) Terpene resin or picolite For example, terpene resin which is a polymer of limonene obtained from α-pinene or picolite obtained from β-pinene.

X)アクリル樹脂 特に下記式で示される原子団を含むものが好ましい。X) Acrylic resin Particularly preferred are those containing an atomic group represented by the following formula.

式      R工。Ceremony R-work.

CH−C− C−0RQ。CH-C- C-0RQ.

1 上記式において、Rloは、水素原子またはアルキル基
を表わし、R3゜は、置換または非置換のアルキル基を
表わす。 この場合、上記式において、Rloは、水素
原子または炭素原子数1〜4の低級アルキル基、特に水
素原子またはメチル基であることが好ましい。 また、
R2oは、置換、非置換いずれのアルキル基であっても
よいが、アルキル基の炭素原子数は1〜4であることが
好ましく、またR2oが置換アルキル基であるときには
、アルキル基を置換する置換基は、水酸基、ハロゲン原
子またはアミン基(特にジアルキルアミノ基)であるこ
とが好ましい。
1 In the above formula, Rlo represents a hydrogen atom or an alkyl group, and R3° represents a substituted or unsubstituted alkyl group. In this case, in the above formula, Rlo is preferably a hydrogen atom or a lower alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, particularly a hydrogen atom or a methyl group. Also,
R2o may be a substituted or unsubstituted alkyl group, but the alkyl group preferably has 1 to 4 carbon atoms, and when R2o is a substituted alkyl group, a substituted alkyl group The group is preferably a hydroxyl group, a halogen atom or an amine group (particularly a dialkylamino group).

このような上記式で示される原子団は、他のくりかえし
原子団とともに、共重合体を形成して各種アクリル樹脂
を構成してもよいが、通常は、上記式で示される原子団
の1種または2種以上をくりかえし単位とする単独重合
体または共重合体を形成してアクリル樹脂を構成するこ
とになる。
The atomic group represented by the above formula may form a copolymer with other repeating atomic groups to constitute various acrylic resins, but usually one type of atomic group represented by the above formula is used. Alternatively, an acrylic resin is formed by forming a homopolymer or copolymer having two or more repeating units.

xi)ポリアクリルニトリル 苅)アクリルニトリル共重合体 例えば、アクリルニトリル−酢酸ビニル共重合体、アク
リルニトリル−塩化ビニル共重合体、アクリルニトリル
−スチレン共重合体、アクリルニトリル−塩化ビニリデ
ン共重合体、アクリルニトリル−ビニルピリジン共重合
体、アクリルニトリル−メタクリル酸メチル共重合体、
アクリルニトリル−7’タジ工ン共重合体、アクリルニ
トリル−アクリル酸ブチル共重合体など。
xi) Polyacrylonitrile) Acrylic nitrile copolymer such as acrylonitrile-vinyl acetate copolymer, acrylnitrile-vinyl chloride copolymer, acrylonitrile-styrene copolymer, acrylonitrile-vinylidene chloride copolymer, acrylic Nitrile-vinylpyridine copolymer, acrylonitrile-methyl methacrylate copolymer,
Acrylonitrile-7'tadiene copolymer, acrylonitrile-butyl acrylate copolymer, etc.

この場合、共重合比は任意のものとすることができる。In this case, the copolymerization ratio can be arbitrary.

X1iI)ダイア七トンアクリルアミドポリマーアクリ
ルニトリルにアセトンを作用させたダイア七トンアクリ
ルアミドポリマー。
X1iI) Dianeptone acrylamide polymer Dianeptone acrylamide polymer made by reacting acrylonitrile with acetone.

xiv)ポリ酢酸ビニル Xv)酢酸ビニル共重合体 例えば、アクリル酸エステル、ビニルエーテル、エチレ
ン、塩化ビニル等との共重合体など。
xiv) Polyvinyl acetate Xv) Vinyl acetate copolymers, such as copolymers with acrylic esters, vinyl ethers, ethylene, vinyl chloride, etc.

共重合比は任意のものであってよい。The copolymerization ratio may be arbitrary.

xvi)ポリビニルエーテル 例えば、ポリビニルメチルエーテル、ポリビニルエチル
エーテル、ポリビニルブチルエーテルなど。
xvi) Polyvinyl ethers such as polyvinyl methyl ether, polyvinyl ethyl ether, polyvinyl butyl ether, etc.

xvi)ポリアミド この場合、ポリアミドとしては、ナイロン6、ナイロン
66、ナイロン610、ナイロン612、ナイロン9、
ナイロン11、ナイロン12、ナイロン13、等の通常
のホモナイロンの他、ナイロン6/66/610.ナイ
ロン6/66/12、ナイロン6/66/11等の共重
合体や、場合によっては変性ナイロンであってもよい。
xvi) Polyamide In this case, the polyamide includes nylon 6, nylon 66, nylon 610, nylon 612, nylon 9,
In addition to normal homonylons such as nylon 11, nylon 12, nylon 13, etc., nylon 6/66/610. Copolymers such as nylon 6/66/12 and nylon 6/66/11, or modified nylon in some cases may be used.

i)ポリエステル 例えば、シュウ酸、コハク酸、マレイ/酸、アジピン酸
、セバステン酸等の脂肪族二塩基酸、あるいはイソフタ
ル酸、テレフタル酸などの芳香族二塩基酸などの各種二
塩基酸と、エチレングリコール、テトラメチレングリコ
ール、ヘキサメチレングリコール等のグリコール類との
縮合物や、共縮合物が好適である。 そして、これらの
うちでは、特に脂肪族二塩基酸とグリコール類との縮合
物や、グリコール類と脂肪族二塩基酸との共縮合物は、
特に好適である。
i) Polyesters with various dibasic acids such as aliphatic dibasic acids such as oxalic acid, succinic acid, maleic acid, adipic acid, sebastenic acid, or aromatic dibasic acids such as isophthalic acid, terephthalic acid, etc., and ethylene. Condensates and co-condensates with glycols such as glycol, tetramethylene glycol and hexamethylene glycol are suitable. Among these, condensates of aliphatic dibasic acids and glycols and co-condensates of glycols and aliphatic dibasic acids are particularly
Particularly suitable.

さらに、例えば無水フタル酸とグリセリンとの縮合物で
あるグリプタル樹脂を、脂肪酸、天然樹脂等でエステル
化変性した変性グリプタル樹脂等も好適に使用される。
Furthermore, for example, a modified gliptal resin, which is a condensation product of phthalic anhydride and glycerin, is esterified and modified with a fatty acid, a natural resin, etc., and the like can also be suitably used.

xix)ポリビニルアセタール系樹脂 ポリビニルアルコールを、アセタール化して得られるポ
リビニルホルマール、ポリビニルアセクール系樹脂はい
ずれも好適に使用される。
xix) Polyvinyl acetal resin Both polyvinyl formal and polyvinyl acetic resin obtained by acetalizing polyvinyl alcohol are preferably used.

この場合、ポリビニルアセタール系樹脂のアセタール化
度は任意のものとすることができる。
In this case, the degree of acetalization of the polyvinyl acetal resin can be arbitrary.

xx)ポリウレタン樹脂 ウレタン結合をもつ熱可塑性ポリウレタン樹月旨 特に、グリコール類と、ジイソシアネート類との縮合に
よって得られるポリウレタン樹脂、就中アルキレングリ
コールとアルキレンジイソシアネートとの縮合によって
得られるポリウレタン樹脂が好適である。
xx) Polyurethane resin Thermoplastic polyurethane resin having urethane bonds Particularly suitable are polyurethane resins obtained by condensation of glycols and diisocyanates, especially polyurethane resins obtained by condensation of alkylene glycol and alkylene diisocyanate. .

畑)ポリエーテル スチレンホルマリン樹脂、環状アセタールの開環重合物
、ポリエチレンオキサイドおよびグリコール、ポリプロ
ピレンオキサイドおよびグリコール、プロピレンオキサ
イド−エチレンオキサイド共重合体、ポリフェニレンオ
キサイドなど。
Field) Polyether styrene formalin resin, ring-opening polymer of cyclic acetal, polyethylene oxide and glycol, polypropylene oxide and glycol, propylene oxide-ethylene oxide copolymer, polyphenylene oxide, etc.

−)セルロース誘導体 有機酸エステル、エーテルないしこれらの混合体。−) Cellulose derivative Organic acid esters, ethers or mixtures thereof.

紬)ポリカーボネート 例えば、ポリジオキシジフェニルメタンカーボネート、
ポリジオキシジフェニルエタンカーボネート、ジオキシ
ジフェニルプロパンカーボネート等の各種ポリカーボネ
ート。
Tsumugi) Polycarbonate such as polydioxydiphenylmethane carbonate,
Various polycarbonates such as polydioxydiphenylethane carbonate and dioxydiphenylpropane carbonate.

xxiv )上記i)〜)OaiI)の2種以上のブレ
ンド体、またはその他の熱可塑性樹脂とのブレンド体。
xxiv) A blend of two or more of the above i) to) OaiI), or a blend with other thermoplastic resins.

なお、自己酸化性化合物および熱可塑性樹脂の分子量等
は種々のものであってよい。
Note that the self-oxidizing compound and the thermoplastic resin may have various molecular weights.

このような自己酸化性化合物または熱可塑性樹脂と、前
記の色素とは、通常、重量比で1対0.1〜100の広
範な量比にて設層される。
Such an autooxidizing compound or thermoplastic resin and the above-mentioned dye are usually formed in a wide range of weight ratio of 1:0.1 to 100.

さらに、記録層には、−重環酸素クエンチャーが含有さ
れることが好ましい。
Furthermore, it is preferable that the recording layer contains a -heavycyclic oxygen quencher.

−重環酸素クエンチャーとしては、種々のものを用いる
ことができるが、特に、安定性や耐光性の向上が大きい
こと、長波長の書き込みレーザー光の吸収が増大するこ
と、さらには再生劣化が減少すること、そして、色素と
の相溶性が良好であることなどから、遷移金属キレート
化合物であることが好ましい。
- Various types of heavy ring oxygen quenchers can be used, but in particular, those that greatly improve stability and light resistance, increase absorption of long-wavelength writing laser light, and further reduce reproduction deterioration. Transition metal chelate compounds are preferred because they reduce the amount of carbon dioxide and have good compatibility with dyes.

この場合、中心金属としては、Ni、Co、Cu、鳩等
が好ましく、特に、下記の化合物が好適である。
In this case, as the central metal, Ni, Co, Cu, Pigeon, etc. are preferable, and the following compounds are particularly preferable.

なお、遷移金属キレート化合物としては、700〜85
 Q nmに吸収をもつもの、特にそのうち、700〜
85 Q nmに極大吸収波長をもつものであることが
好ましい。
In addition, as a transition metal chelate compound, 700 to 85
Those with absorption in Q nm, especially 700~
It is preferable to have a maximum absorption wavelength at 85 Q nm.

1)アセチルアセトナートキレート系 QI N1(I[)アセチルアセトナートQ2 Cu(
1)アセチルアセトナートQ3 Mn(III)アセチ
ルアセトナートQ4 Co(II)アセチルアセトナー
ト2)ビスジチオ−α−ジケトン系 ここに、d11〜偵)は、アルキル基または了り−ル基
を表わし、Mは2価の遷移金属原子を表わす。
1) Acetylacetonate chelate QI N1(I[)acetylacetonate Q2 Cu(
1) Acetylacetonate Q3 Mn(III) Acetylacetonate Q4 Co(II) Acetylacetonate 2) Bisdithio-α-diketone system Here, d11~di) represents an alkyl group or an alkyl group, and M represents a divalent transition metal atom.

Q5 N1(II)ジチ7べ/ジル Q6 N1(II)ジ子不ビアセテル 、)。Q5 N1 (II) Jichi 7 Be/Jill Q6 N1(II) Zikoobiacetel ,).

3)ビスフェニルジチオール系 とユ7、N5)およびN63は、メチル基などのアルキ
ル基、あるいはCtなとのハロゲン原子等を表わし、k
およびtは0〜4であり、M&!Ni等の2価の遷移金
属原子を表わす。
3) Bisphenyldithiol system and U7, N5) and N63 represent an alkyl group such as a methyl group, or a halogen atom such as Ct,
and t is 0 to 4, and M&! Represents a divalent transition metal atom such as Ni.

また、上記構造のMの上下には、さらに配位がされてい
てもよい。
Moreover, further coordination may be performed above and below M in the above structure.

このようなものとしては、下記のものが2 市販されて
いる。
As such, the following two are commercially available.

Q9PA−1001(商品名 三井東圧ファイン株式会
社製) QIOPA−1o O2(同 上) Qll PA−1003(同 上) Q12 PA−1005(同 上) Q13 PA−1006(同 上) 4)サリチルアルデヒドオキシム系 ここに d71および可8)は、アルキル基を表わし、
Mは2価の遷移金属原子を表わす。
Q9PA-1001 (product name manufactured by Mitsui Toatsu Fine Co., Ltd.) QIOPA-1o O2 (same as above) Qll PA-1003 (same as above) Q12 PA-1005 (same as above) Q13 PA-1006 (same as above) 4) Salicylaldehyde In the oxime system, d71 and 8) represent an alkyl group,
M represents a divalent transition metal atom.

Q14 N1(II) 0−(N−イソプロピルホルム
イミドイル)フェノール Q15 N1(1) O−(N−ドデシルホルムイミド
イル)フェノール Q16 Co(I[) 0−(N−ドデシルホルムイミ
ドイル)フェノール Q17 Cu(II) 0−(N−ドデシルホルムイミ
ドイル)フェノール QIB N1(II) 2 、2’ −〔エチレンビス
にトリロメテリジン)〕−ジフェノール Q19 Co(II) 2 、2’ −Cエチレンビス
にトリロメチリジン)〕−ジフェノール Q20 N1(U) 2−2’  C1,8−ナフチレ
ンビス(= l−IJロメテリジン)〕−ジフェノール
Q21 N1(I[) −[N−フェニルホルムイミド
イルシフエノール Q22 Co(TI) −[N−フェニルホルムイミド
イルシフエノール Q23 Cu(If) −[N−フェニルホルムイミド
イルシフエノール Q24 N1(II)サリチルアルデヒドフェニルヒド
ラゾン Q25 N1(1)サリチルアルデヒドオキシム5)チ
オビスフェルレートキレート系 R(91RQI 芹υ ここに、Mは前記と同じであり、R(9)および敞0は
、アルキル基を表わし、またR(4)はアミノ基を表わ
す。
Q14 N1(II) 0-(N-isopropylformimidoyl)phenol Q15 N1(1) O-(N-dodecylformimidoyl)phenol Q16 Co(I[) 0-(N-dodecylformimidoyl)phenol Q17 Cu(II) 0-(N-dodecylformimidoyl)phenol QIB N1(II) 2,2'-[trilomethylidine on ethylene bis]-diphenol Q19 Co(II)2,2'-C trilomethylidine on ethylene bis )]-diphenol Q20 N1(U) 2-2' C1,8-naphthylenebis(= l-IJ lometeridine)]-diphenol Q21 N1(I[) -[N-phenylformimidoylsiphenol Q22 Co(TI) -[N-phenylformimidoylsiphenol Q23 Cu(If) -[N-phenylformimidoylsiphenol Q24 N1(II) Salicylaldehyde phenylhydrazone Q25 N1(1) Salicylaldehyde oxime 5) Thiobisferrate chelate system R( 91RQI 芹υ Here, M is the same as above, R(9) and 敞0 represent an alkyl group, and R(4) represents an amino group.

Q26 N1(II) n−ブチルアミノ〔2,2′−
チオビス(4−tert−オクチル)−フェノレー ト
 〕 Q27 N1(II) n−ブチルアミノ(2、2’ 
−チオビス(4−tert−オクチル)−フェルレート
〕 このような−重項酸累クエンチャーは、公知の方法に従
い合成される。
Q26 N1(II) n-butylamino[2,2'-
Thiobis(4-tert-octyl)-phenolate] Q27 N1(II) n-butylamino(2,2'
-Thiobis(4-tert-octyl)-ferulate] Such a doublet acid cumulative quencher is synthesized according to a known method.

そして、−1項酸素クエンチャーは、前記色素1モルあ
たり、一般に0.05〜12モル、特に0.1〜1.2
モル程度含有される。
The -1 term oxygen quencher is generally 0.05 to 12 mol, particularly 0.1 to 1.2 mol, per 1 mol of the dye.
It is contained in about molar amount.

このような記録層を設層するには、一般に常法に従い塗
設すればよく、その厚さは、一般に、0.03〜2μ常
程度とされる。  あるいは、色素単独で記録層を形成
するときには、蒸着、スパッタリング等によってもよい
To form such a recording layer, it is generally necessary to apply it by coating according to a conventional method, and the thickness thereof is generally about 0.03 to 2 μm. Alternatively, when forming the recording layer using only the dye, vapor deposition, sputtering, etc. may be used.

なお、このような記録j〜には、この他、他のポリマー
ないしオリゴマー、各種可塑剤、界面活性剤、帯電防止
剤、滑剤、難燃剤、安定剤、分散剤等が含有されていて
もよい。
In addition, such records j~ may also contain other polymers or oligomers, various plasticizers, surfactants, antistatic agents, lubricants, flame retardants, stabilizers, dispersants, etc. .

なお、塗布に用いる溶媒としては、例えばメチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等
のケトン系、酢酸ブチル、酢酸エチル、カルピト−ルア
セテート、ブチルカルピトールアセテート等のエステル
系、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ等のエーテル
系、ないしトルエン、キシレン等の芳香族系、ジクロロ
エタン等のハロゲン化アルキル系などを用いればよい。
Examples of solvents used for coating include ketones such as methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, and cyclohexanone, esters such as butyl acetate, ethyl acetate, carpitol acetate, and butyl carpitol acetate, and ethers such as methyl cellosolve and ethyl cellosolve. or aromatic systems such as toluene and xylene, and halogenated alkyl systems such as dichloroethane.

このような記録層を設層する基体の材質には特に制限は
な(、各種樹脂、ガラス、セラミックス、金属等いずれ
であってもよい。
There is no particular restriction on the material of the substrate on which such a recording layer is provided (it may be any of various resins, glass, ceramics, metals, etc.).

また、その形状は使用用途に応じ、テープ、ディスク、
ドラム、ベルト等いずれであってもよい。 さらに、そ
の厚さについても特に制限はない。
In addition, the shape varies depending on the purpose of use, such as tape, disk,
It may be a drum, a belt, etc. Furthermore, there is no particular restriction on the thickness.

なお、基体1では、必要に応じ、蓄熱層などの下地層を
設けてもよい。
Note that the base body 1 may be provided with a base layer such as a heat storage layer, if necessary.

また、記録層北には、必要に応じ、最上層保護層などを
設けることもできる。
Furthermore, a top protective layer or the like may be provided on the north side of the recording layer, if necessary.

本発明の媒体は、このような基体の一面上に記録層を有
するものであってもよく、その両面に記録層を有するも
のであってもよい。
The medium of the present invention may have a recording layer on one surface of such a substrate, or may have recording layers on both surfaces thereof.

また、基体の一面上に記録層を塗設したものを2つ用い
、それらを記録層が向かいあうようにして、所定の間隙
をもって対向させ6それを密閉1−たりして、ホコリや
ギズがつがないようにすることもできる。
In addition, two substrates with recording layers coated on one surface are used, and the recording layers are placed facing each other with a predetermined gap between them. You can also choose not to connect.

■ 発明の具体的作用 本発明の媒体は、走行ないし回転下において、書き込み
光を記録層表面側からパルス状に照射−1ろ。 このと
き、記録層中の色素の発熱により、自己酸化性の樹脂が
分解するか、あるいは熱可塑性樹脂や、色素が融解し、
ピットが形成される。
(2) Specific Effects of the Invention The medium of the present invention is irradiated with writing light in pulses from the surface side of the recording layer while the medium is running or rotating. At this time, due to the heat generated by the dye in the recording layer, the self-oxidizing resin decomposes or the thermoplastic resin or dye melts.
A pit is formed.

こ)場合、特に、トリないしテトラカルボシアニン色素
を用いるときには、750.780.830 nmの波
長の記録半導体レーザーを用いたとき、きわめて良好な
書き込みを行うことができる。
In this case, especially when a tri- or tetracarbocyanine dye is used, very good writing can be achieved when a recording semiconductor laser with a wavelength of 750.780.830 nm is used.

このように形成されたピットは、やはり媒体の走行ない
し回転下、記録層表面側から、」二記の波長の読み出し
光をパルス状に照射して、その反射光を検出することに
より読み出される。
The pits formed in this way are read out by irradiating readout light of the wavelengths listed in the above in a pulsed manner from the surface side of the recording layer while the medium is running or rotating, and detecting the reflected light.

また、トラッキングの制御を行うには、通常、書き込み
または読み出しを行いながら、反射光を分割して、2分
割した一対のセンサーに導入する。 この場合、ビーム
スポットが記録トラック部をはずれかけると、溝の存在
により、溝の段差の」二下で反射率が異なるので、両セ
ンサーの信号の差を検出子れば、トラックエラー信号が
検出されることになる。
Further, to control tracking, normally, while writing or reading is being performed, the reflected light is divided and introduced into a pair of divided sensors. In this case, when the beam spot begins to deviate from the recording track section, the reflectance differs at the bottom of the groove step due to the presence of the groove, so if the difference between the signals of both sensors is detected, a track error signal can be detected. will be done.

なお、トラッキング制御用には別途の他の専用の光源を
用いてもよい。
Note that another dedicated light source may be used for tracking control.

また、光学系としては開口比(NA)0.5程度のレン
ズで集光することが好ましい。
Further, as for the optical system, it is preferable to condense light using a lens having an aperture ratio (NA) of about 0.5.

なお、記録層に熱可塑性樹脂を用いるときには、一旦記
録層に形成したピットを光ないし熱で消去し、再書き込
みを行へこともできる。
Note that when a thermoplastic resin is used for the recording layer, the pits once formed in the recording layer can be erased with light or heat, and rewriting can be performed on the rows.

また、記録ないし読み出し光としては、He−Neレー
ザー等を用いることもできる。
Furthermore, a He--Ne laser or the like can also be used as the recording or reading light.

■ 発明の具体的効果 本発明によれば、書き込み感度と読み出しのC/N比が
きわめて高いものとなる。
(2) Specific Effects of the Invention According to the present invention, the writing sensitivity and reading C/N ratio are extremely high.

そして、トラックエラー信号が大きいので、トラッキン
グ制御がきわめて容易となる。
Since the tracking error signal is large, tracking control becomes extremely easy.

本発明者らは、本発明の効果を確認するため種々実験を
行った。
The present inventors conducted various experiments to confirm the effects of the present invention.

以下にその1例を示す。An example is shown below.

実施例 一ヒ記色素/16D1と、窒素含量11.5〜12.2
%、JIS K6703にもとづく粘度20秒のニトロ
セルロースと、 上記−4,l[クエンチャ−Q13と
を、重量比で、それぞれ、3゜wt%、55wt%、1
5wt%となるよ)に溶媒(ジクロロエタン2ニジクロ
ヘキサノン1:メチルイソブチルケトン1)中に溶解し
、直径15crn1厚さ2間のアクリルディスク基体上
に塗布設層した。
Example 1 Dye/16D1 and nitrogen content 11.5-12.2
%, nitrocellulose with a viscosity of 20 seconds based on JIS K6703, and the above-mentioned -4,l [Quencher-Q13, in weight ratios of 3゜wt%, 55wt%, and 1, respectively.
The solution was dissolved in a solvent (dichloroethane, 2 dichlorohexanone: 1: methyl isobutyl ketone) and coated onto an acrylic disk substrate having a diameter of 15 crn and a thickness of 2.

この場合、基体としては、塗布面に、2μ常の巾(a)
および0,07μmρ深さくd)の矩形溝を間隔(b)
0.1?μmにて形成したものを用いた。
In this case, the substrate has a width (a) of 2 μm on the coating surface.
and rectangular grooves with a depth d) of 0.07μmρ at intervals (b)
0.1? The one formed in μm was used.

AtGaAs −GaAs半導体レーザー(830nm
 )を記録層表面側から照射したときの反射率と膜厚と
の計算値プロット図を第2図に示す。
AtGaAs-GaAs semiconductor laser (830 nm
) is shown in FIG. 2, which is a plot of calculated values of reflectance and film thickness when irradiated from the surface side of the recording layer.

第2図((は、膜厚をかえたときの反射率の実測値/)
瓢 0印にて併記されている。 なお、10は007 
ltmであった。
Figure 2 ((actual value of reflectance when changing film thickness/)
Gourd It is also written with a 0 mark. In addition, 10 is 007
It was ltm.

次いで、基体の溝形成面に、溝−1−の凸部を記録トラ
ック部として、それぞれ下記表1に示されるよへな記録
(・ラック厚(1)となるように、記録層を塗布設層し
た。
Next, a recording layer is coated on the groove-formed surface of the substrate so that the protrusions of the grooves -1- are used as recording track parts, and the recording layer is formed so that the recording (-rack thickness (1)) is as shown in Table 1 below. Layered.

このようにして作成した各媒体につき、これを180O
rpmで回転させながら、A tGaA 5−GaAs
半導体1/−ザー記録光(8301m ’)を、NA二
〇、5のレンズで1μ富φに集光しく集光部出力]Qm
V)、所定周波数で、パルス列状に照q寸した。
For each medium created in this way, add 1800
While rotating at rpm, A tGaA 5-GaAs
Semiconductor 1/- laser recording light (8301m') is focused to 1μ rich φ with a lens of NA 20.5, condensing section output]Qm
V), the pulse train was irradiated at a predetermined frequency.

各媒体(でつき、書ぎ込み光のパルス巾を変更して照射
し、消光比:2.5が得られるパルスrlJを測定し、
その逆数をとって、書き込み感度とした。 結果を表1
に示す。
Each medium (detsuki) was irradiated by changing the pulse width of the writing light, and the pulse rlJ that gave an extinction ratio of 2.5 was measured.
The reciprocal of the value was taken as the writing sensitivity. Table 1 shows the results.
Shown below.

この場合、消光比は、後述の読み出し光の媒体表面の反
射率のピット部における減衰度である。
In this case, the extinction ratio is the degree of attenuation of the reflectance of the readout light on the medium surface, which will be described later, at the pit portion.

これとは別に、パルス巾を1QQnsecとして書き込
みを行−っだ。
Separately, writing was performed with a pulse width of 1QQnsec.

コ(ir)後、1 mW ノ半導体1ノ−ザー(830
nm)読み出し光を1μSeC巾、2Ml4zのパルス
として照射して(レンズNA=0.5)、ディスク表面
におけるピーク−ピーク間の当初のC/N比を測定した
After IR, 1 mW semiconductor 1 noser (830
nm) readout light was irradiated as a pulse of 2 Ml4z with a width of 1 μSeC (lens NA=0.5), and the initial peak-to-peak C/N ratio on the disk surface was measured.

なお、書き込み時および読み出し時には、ビームスプリ
ッタ−にて反射光を2分割センサーに導き、両センサー
の検知信号の差をとりトラックエラー信号として、トラ
ッキングの制御を行った。
Note that during writing and reading, reflected light was guided to a two-split sensor by a beam splitter, and the difference between the detection signals of both sensors was taken and used as a tracking error signal to control tracking.

トラックエラー信号の大きさを相対値にて下記表1に併
記する。
The magnitude of the track error signal is also listed in relative values in Table 1 below.

表1に示される結果から、本発明の効果があきらかであ
る。
From the results shown in Table 1, the effects of the present invention are clear.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、本発明の実施例を示す断面図であり、第2図
は、反射率と記録層厚との関係の1例を示すグラフであ
る。 1・・・・・・・・・・・・光記録媒体2・・・・・・
・・・・・・基  体 3・・・・・・・・・・・・溝 4・・・・・・・・・・・記録層 出1願人 東京電気化学工業株式会社 代理人 弁理士 石 井 陽 − 手続補正書印釦     6 昭和58年 6月23日 特許庁長官   若 杉 和 夫殿 昭和58年特許願第 10159号 ■ 2、発明の名称                  
       、光記録媒体 3、補正をする者 本件との関係        特許出願人柱  所  
  東京都中央区日本橋−丁目13番1号     1
1名  称   (306)  ティーディーケイ株式
会社     記代表者  大 歳  寛 4、代理人  〒171「 住  所    東京都豊島区西池袋五丁目17番11
号矢部ビル1階 電話 988−1680、補正の内容 明細書の1m3、発明の詳細な説明1の欄の記載を、下
記のとおり補正する。 njとあるを、1rNi 、Co、Cu、Mn。 d、Ptjと補正する。 )第3+ページ第1’1行〜第3?ページ第を行までの
載を、下記のとおり補正する。 1) アセチルアセトナートキレート系QINi(TI
)アセチルアセトナートQ2  Cu(II)アセチル
アセトナートQ3 Mn(■)アセチルアセトナートQ
4GO(II)アセチルアセトナート2) ビスジチオ
−α−ジケトン系 ここに、R(1)、 R(4)は、置換ないし非置換の
アルキル基ま、たはアリール基を表わし、Mは、Ni 
、Co、Cu、Pd、Pt等の遷移金属原子を表わす。 この場合、Mは一電荷をもち、4級アンモニウムイオン
等のカチオンと塩を形成してもよい。 Q5  N1(T’l)ジチオベンジルQ6Ni(II
)ジチオビアセチル N”(C4H9)4 3) ビスフェニルジチオール系 (5)     (fi) ここに、RおよびRは、メチル基 などのアルキル基、あるいは(11などのハロゲン原子
等を表わし、Mは、Ni、Co。 Cu、Pd、Pt等の遷移金属原子を表わす。 さらに
、kおよび父は、それぞれ、0または4以下の整数であ
る。 また、上記構造のMは一電荷をもって、カチオンと塩を
形成してもよく、さらにはMの上下には、さらに他の配
位子が結合していてもよい。 このようなものとしては、下記のものがある。 QIOPA−1001(商品名 三井東圧ファイン株式
会社製) Qll  PA−1002(同 −1−Ni−ビス(ト
ルエンジチオール)テトラ(t −ブチル)アンモニウム〕 Q12  PA−1003(同 上) Q13  PA−1005C同 JlNi−ビス(ジク
ロロベンゼン)テトラ(t− ブチル)アンモニウム〕 Q14  FA−1006C同 J−NI−ビス(トリ
クロロベンゼンジチオール) テトラ(t−ブチル)アンモニウム〕 Q15  Co−ビス(ベンゼン−1,2−ジチオール
)テトラブチルアンモニウム Q16  Co−ビス(O−キシレン−4,5−ジチオ
ール)テトラ(t−ブチル) アンモニウム Q17  NI−ビス(ベンゼン−1,2−ジチオール
)テトラブチルアンモニウム Q18  NI−ビス(0−キシレン−4,5−ジチオ
ール)テトラブチルアンモニ ウム Q19  NI−ビス(5−クロロベンゼン−1,2−
ジチオール)テトラブチルア ンモニウム Q20  Nt−ビス(3,4,5,6−テトラメチル
ベンゼン−1,2ジチオー ル)テトラブチルアンモニウム (lJ21Ni−ビス(3,4,5,6−テトラクロロ
ベンゼン−1,2ジチオー ル)テトラブチルアンモニウム 4) サリチルアルデヒドオキシム系 (?)         (8) ここに、RおよびRは、アルキル 基を表わし1Mは、  Ni、Co、Cu。 Pd、Pt等の遷移金属原子を表わす。 Q22  Ni  (TI)o −(N−イソプロピル
ホルムイミドイル)フェノール Q23  Ni  (II)o −(N−ドデシルホル
ムイミドイル)フェノール Q24  Co (II)o −(N−ドデシルホルム
イミドイル)フェノール Q25  Cu (II)o −(N−ドデシルホルム
イミドイル)フェノール Q26  Ni (TI)2.2′ (エチレンビスに
トリロメチリジン)〕−ジフェ ノール Q27  Co(II)2.2′−(エチレンビスにト
リロメチリジン)〕−ジフェ ノール Q28   N1(II)2.2  ′ −(1,8−
ナフチレンビスにトリロメチリジ ン)〕−ジフェノール Q29  N1(II)−(N−フェニルホルムイミド
イル)フェノール Q30  Co (II)−(N−フェニルホルムイミ
ドイル)フェノール Q31  Cu(II)−(N−フェニルホルムイミド
イル)フェノール Q32  N1(II)サリチルアルデヒドフェニルヒ
ドラゾン Q33  Nt(II)サリチルアルデヒドオキシム 5) チオビスフェルレートキレート系(9) ここに、Mは前記と同じであり、Rお (lO) よびRは、アルキル基を表わす。 またMは一電荷をも
ち、カチオンと塩とを形成していてもよい。 Q34  N1(II)n−ブチルアミノ〔2゜2′−
チオビス(4−tert−オクチJL/ )  y x
ル−ト)  (Cyasorb  −UV−1084(
7メ!J力y  シフす ミ  ド    Co、、L
td、)   )Q35  Co(II)n−ブチルア
ミノ〔2゜2′−チオビス(4−tert−オクチル〕
−フェル−ト〕 Q36  N1(TI)−2,2′−チオビス(4−t
ert−オクチル)−フェルレート」 ■)第44ページ第9行に、l1Q13Jとあるを、l
rQ 14j と補正する。 241− 0
FIG. 1 is a sectional view showing an example of the present invention, and FIG. 2 is a graph showing an example of the relationship between reflectance and recording layer thickness. 1...... Optical recording medium 2...
・・・・・・Substrate 3・・・・・・・・・・・・Groove 4・・・・・・・・・Recording layer 1 Applicant Tokyo Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd. Agent Patent attorney Akira Ishii - Procedural amendment stamp button 6 June 23, 1980 Director-General of the Patent Office Kazuo Wakasugi Patent Application No. 10159 of 1981 ■ 2. Name of the invention
, Optical recording medium 3, Person making the amendment Relationship to this case Patent applicant Location
Nihonbashi-chome 13-1 1, Chuo-ku, Tokyo
1 Name (306) TDC Co., Ltd. Representative: Kan Otoshi 4, Agent Address: 5-17-11 Nishiikebukuro, Toshima-ku, Tokyo 171
Goyabe Building 1st Floor Telephone: 988-1680 The description in column 1 of the Detailed Description of the Invention in 1m3 of the Statement of Contents of the Amendment is amended as follows. nj, 1rNi, Co, Cu, Mn. d and Ptj. ) 3rd + page 1' 1st line ~ 3rd? The information from page number to line is corrected as follows. 1) Acetylacetonate chelate QINi (TI
) Acetylacetonate Q2 Cu(II) Acetylacetonate Q3 Mn(■) Acetylacetonate Q
4GO (II) Acetylacetonate 2) Bisdithio-α-diketone system Here, R (1) and R (4) represent a substituted or unsubstituted alkyl group or aryl group, and M is Ni
, represents a transition metal atom such as Co, Cu, Pd, Pt, etc. In this case, M has a single charge and may form a salt with a cation such as a quaternary ammonium ion. Q5 N1(T'l) dithiobenzyl Q6Ni(II
) Dithiobiacetyl N"(C4H9)4 3) Bisphenyldithiol system (5) (fi) Here, R and R represent an alkyl group such as a methyl group, or a halogen atom such as (11), and M is , Ni, Co. Represents a transition metal atom such as Cu, Pd, or Pt. Furthermore, k and parent are each an integer of 0 or 4 or less. In addition, M in the above structure has a single charge, and represents a cation and a salt. Furthermore, other ligands may be bonded above and below M. Examples of such ligands include the following: QIOPA-1001 (product name: Mitsui Higashi) Qll PA-1002 (same as above) Q12 PA-1003 (same as above) Q13 PA-1005C as above JlNi-bis(dichlorobenzene) Tetra(t-butyl)ammonium] Q14 Same as FA-1006C J-NI-bis(trichlorobenzenedithiol) Tetra(t-butyl)ammonium] Q15 Co-Bis(benzene-1,2-dithiol)tetrabutylammonium Q16 Co- Bis(O-xylene-4,5-dithiol)tetra(t-butyl) ammonium Q17 NI-bis(benzene-1,2-dithiol)tetrabutylammonium Q18 NI-bis(0-xylene-4,5-dithiol) Tetrabutylammonium Q19 NI-bis(5-chlorobenzene-1,2-
dithiol) tetrabutylammonium Q20 Nt-bis(3,4,5,6-tetramethylbenzene-1,2dithiol)tetrabutylammonium(lJ21Ni-bis(3,4,5,6-tetrachlorobenzene-1,2dithiol) ) Tetrabutylammonium 4) Salicylaldehyde oxime system (?) (8) Here, R and R represent an alkyl group, and 1M is Ni, Co, Cu. Represents a transition metal atom such as Pd or Pt. Q22 Ni (TI)o -(N-isopropylformimidoyl)phenol Q23 Ni (II)o -(N-dodecylformimidoyl)phenol Q24 Co(II)o -(N-dodecylformimidoyl)phenol Q25 Cu (II) o -(N-dodecylformimidoyl)phenol Q26 Ni (TI)2.2' (trilomethylidine on ethylene bis)]-diphenol Q27 Co(II)2.2'-(trilomethylidine on ethylene bis)] -Diphenol Q28 N1(II)2.2' -(1,8-
Naphthylenebis trilomethylidine)]-diphenol Q29 N1(II)-(N-phenylformimidoyl)phenol Q30 Co(II)-(N-phenylformimidoyl)phenol Q31 Cu(II)-(N-phenylformimide yl) Phenol Q32 N1(II) Salicylaldehyde Phenylhydrazone Q33 Nt(II) Salicylaldehyde oxime 5) Thiobisferrate chelate system (9) Here, M is the same as above, R(lO) and R are , represents an alkyl group. Further, M has a single charge and may form a salt with a cation. Q34 N1(II) n-butylamino [2゜2'-
Thiobis (4-tert-octi JL/ ) y x
root) (Cyasorb-UV-1084(
7me! J force y shift mid co,,L
td, ) ) Q35 Co(II) n-butylamino [2゜2'-thiobis(4-tert-octyl)
-Felt] Q36 N1(TI)-2,2'-thiobis(4-t
ert-octyl)-ferrate" ■) In the 9th line of page 44, replace l1Q13J with l1Q13J.
Correct as rQ 14j. 241-0

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 基体の少なくとも一方の面にトラッキング用の溝を
形成し、この溝を有する面上のほぼ全域に、表面が実質
的に平坦となるように、色素または色素組成物からなる
記録層を設け、溝で隔てられる基体面上に位置する記録
層をピット形成用の記録トラック部とし、この記録層の
記録トラック部の厚さ全0.2μm以下とし、記録層表
面側から書き込みを行い、書き込み後のピットの有無を
、記録層表面側からの読み出し光の反射光によって検知
するように構成したことを特徴とする光記録媒体。 2 記録層の記録トラック部の厚さtが、読み出し光の
最大反射率を与える厚さft。とじたとき、 0.3to≦t≦1.6t。 である特許請求の範囲第1項に記載の光記録媒体。 3、  tが0.04〜0.15μmである特許請求の
範囲第2項に記載の光記録媒体。 4、記録層の記録トラック部の反射率と記録層の他の領
域の反射率との差が6%以上である特許請求の範囲第1
項ないし第3項のいずれかに記載の光記録媒体。 5、溝の最大深さが0.04μm以上である特許請求の
範囲第1項ないし第4項のいずれかに記載の光記録媒体
。 6、記録層の記録トラック部の反射率が15チ以上であ
る特許請求の範囲第1項ないし第5項のいずれかに記載
の光記録媒体。 7 記録層が色素のみからなる特許請求の範囲第1項な
いし第6項のいずれかに記載の光記録媒体。 8 記録層が色素組成物からなり、色素組成物が色素と
ともに、自己酸化性または熱可塑性の樹脂を含む特許請
求の範囲第1項ないし第6項のいずれかに記載の光記録
媒体。 9 記録層が色素組成物からなり、色素組成物が色素と
ともに一重項酸素クエンチャーを含む特許請求の範囲第
1項ないし第6項のいずれかまたは第8項に記載の光記
録媒体。 10  色素がカルボシアニン色素である特許請求の範
囲第1項ないし第9項のいずれかに記載の光記録媒体。 11  記録層が塗布によって設層された特許請求の範
囲第1項ないし第10項のいずれかに記載の光記録媒体
[Claims] 1. Tracking grooves are formed on at least one surface of the substrate, and a dye or a dye composition is applied to almost the entire surface of the surface having the grooves so that the surface is substantially flat. The recording layer located on the substrate surface separated by the groove is used as a recording track section for forming pits, and the total thickness of the recording track section of this recording layer is 0.2 μm or less, and from the recording layer surface side. An optical recording medium characterized in that writing is performed and the presence or absence of pits after writing is detected by the reflected light of readout light from the surface side of the recording layer. 2. The thickness t of the recording track portion of the recording layer is the thickness ft that provides the maximum reflectance of the read light. When closed, 0.3to≦t≦1.6t. An optical recording medium according to claim 1. 3. The optical recording medium according to claim 2, wherein t is 0.04 to 0.15 μm. 4. Claim 1, wherein the difference between the reflectance of the recording track portion of the recording layer and the reflectance of other areas of the recording layer is 6% or more.
The optical recording medium according to any one of Items 1 to 3. 5. The optical recording medium according to any one of claims 1 to 4, wherein the maximum depth of the groove is 0.04 μm or more. 6. The optical recording medium according to any one of claims 1 to 5, wherein the recording track portion of the recording layer has a reflectance of 15 or more. 7. The optical recording medium according to any one of claims 1 to 6, wherein the recording layer comprises only a dye. 8. The optical recording medium according to any one of claims 1 to 6, wherein the recording layer is made of a dye composition, and the dye composition contains a self-oxidizing or thermoplastic resin together with the dye. 9. The optical recording medium according to any one of claims 1 to 6 or 8, wherein the recording layer is made of a dye composition, and the dye composition contains a singlet oxygen quencher together with the dye. 10. The optical recording medium according to any one of claims 1 to 9, wherein the dye is a carbocyanine dye. 11. The optical recording medium according to any one of claims 1 to 10, wherein the recording layer is formed by coating.
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