JPS59133712A - マイクロ波発振装置 - Google Patents
マイクロ波発振装置Info
- Publication number
- JPS59133712A JPS59133712A JP786783A JP786783A JPS59133712A JP S59133712 A JPS59133712 A JP S59133712A JP 786783 A JP786783 A JP 786783A JP 786783 A JP786783 A JP 786783A JP S59133712 A JPS59133712 A JP S59133712A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- ridge
- short
- diode
- circuited
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B9/00—Generation of oscillations using transit-time effects
- H03B9/12—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices
- H03B9/14—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance
- H03B9/145—Generation of oscillations using transit-time effects using solid state devices, e.g. Gunn-effect devices and elements comprising distributed inductance and capacitance the frequency being determined by a cavity resonator, e.g. a hollow waveguide cavity or a coaxial cavity
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
不発明はマイクロ波領域での半導体発振素子を有する発
振装置に関する。
振装置に関する。
従来のマイクロ波発振装置は一般に標準規格の導波管を
使用し、その一端子電気的に短絡し、発振させようとす
る周波数ｆＯの管内波長λノの２分の１の長さだけ短絡
面より伝送方向に位置する導波管壁に発振素子（ガンダ
イオードやインバットダイオード）を配置することによ
シ共振回路を構成していた。第１図に従来発振装置の構
成図の一例を示す。図に示すように従来の発振器は開口
面に７ランジ７を有する矩形導波管１の一端を短絡板２
で短絡し、短絡端から管内波長λｆの半分の位置（距離
ｌｌ）に直接もしくは整合円柱４を用いてガンダイオー
ド３を載置していた。なお、ダイオード３の載置位置は
開口面長辺（距離ａ）の中心＜”−＞Ｋなるように設定
される。さらにダイオード３にはバイアス電圧が端子５
から印加される。６はバイパスコンデンサである。発振
出力はＴＥモードで導波管内を伝送するが、導波管の特
性インピーダンスが発振素子に比べて高いため、発振素
子の動作イ゛ンビーダンスの許容範囲が狭く整合が困難
であるという欠点がある。さらに、共振系をみると基本
周波数の２倍の高調波がＴＥ２０モードで現われ、これ
が同じ共振回路で共振してしまうという２次高調波現象
が生じ、この周波数が所望の基本発振周波数の近傍で比
較的大きな出力となシスプリアスとして発生するという
欠点がある。 − 不発明の目的は、発振素子に対して広いインピ−ダンス
整合範囲が得られ、かつ２倍波周波数の抑圧が可能なマ
イクロ波発振装置全提供することである。
使用し、その一端子電気的に短絡し、発振させようとす
る周波数ｆＯの管内波長λノの２分の１の長さだけ短絡
面より伝送方向に位置する導波管壁に発振素子（ガンダ
イオードやインバットダイオード）を配置することによ
シ共振回路を構成していた。第１図に従来発振装置の構
成図の一例を示す。図に示すように従来の発振器は開口
面に７ランジ７を有する矩形導波管１の一端を短絡板２
で短絡し、短絡端から管内波長λｆの半分の位置（距離
ｌｌ）に直接もしくは整合円柱４を用いてガンダイオー
ド３を載置していた。なお、ダイオード３の載置位置は
開口面長辺（距離ａ）の中心＜”−＞Ｋなるように設定
される。さらにダイオード３にはバイアス電圧が端子５
から印加される。６はバイパスコンデンサである。発振
出力はＴＥモードで導波管内を伝送するが、導波管の特
性インピーダンスが発振素子に比べて高いため、発振素
子の動作イ゛ンビーダンスの許容範囲が狭く整合が困難
であるという欠点がある。さらに、共振系をみると基本
周波数の２倍の高調波がＴＥ２０モードで現われ、これ
が同じ共振回路で共振してしまうという２次高調波現象
が生じ、この周波数が所望の基本発振周波数の近傍で比
較的大きな出力となシスプリアスとして発生するという
欠点がある。 − 不発明の目的は、発振素子に対して広いインピ−ダンス
整合範囲が得られ、かつ２倍波周波数の抑圧が可能なマ
イクロ波発振装置全提供することである。
不発明では導波管立体回路で構成された伝送線路で、導
波管中心の電界最大点に電界と直角に導体の突出リッジ
全有するリッジ導波管と、その伝送線路の一端を電気的
に短絡し、この短絡端よシ所定−の周波数に共振する長
さだけ導波管の伝送方向に位置した所に設けた発振素子
とを有するマイクロ波発振装置が得られる。
波管中心の電界最大点に電界と直角に導体の突出リッジ
全有するリッジ導波管と、その伝送線路の一端を電気的
に短絡し、この短絡端よシ所定−の周波数に共振する長
さだけ導波管の伝送方向に位置した所に設けた発振素子
とを有するマイクロ波発振装置が得られる。
詳細について１０ＧＨｚ帯の発振装置を例にとシ、第２
図に示す不発明の一実施例による発振装置の回路構成図
を用いて以下に説明する。導波管１１の内部に電力伝送
方向に沿ってリッジ１８を設ける。リッジ１８は幅Ｗと
高さｈの導体からなり、短絡板１２で短絡さろている。
図に示す不発明の一実施例による発振装置の回路構成図
を用いて以下に説明する。導波管１１の内部に電力伝送
方向に沿ってリッジ１８を設ける。リッジ１８は幅Ｗと
高さｈの導体からなり、短絡板１２で短絡さろている。
周波数を決めるための寸法１２はこのリッジ１８のある
導波管の管内波長の２分の１の整数倍になっていて、短
絡板２から１２の距離にガンダイオード１３を配置する
。ガンダイオード１３にはバイアス電圧が端子１５から
供給される。この端子にはマイクロ波が漏れないように
バイパス容量１６が付加されている。そしてこの発振装
置で発振したマイクロ波電力は出力７ランジ１７の開口
から取り出されるような構造になっている。
導波管の管内波長の２分の１の整数倍になっていて、短
絡板２から１２の距離にガンダイオード１３を配置する
。ガンダイオード１３にはバイアス電圧が端子１５から
供給される。この端子にはマイクロ波が漏れないように
バイパス容量１６が付加されている。そしてこの発振装
置で発振したマイクロ波電力は出力７ランジ１７の開口
から取り出されるような構造になっている。
かかる構造の発振装置において、導波管内の中心に設け
られた導体リッジ１８の高さｈと幅Ｗとを最適に定めて
その特性インピーダンスと管内波長とを決京する。特性
インピーダンスはリッジ１８の高さｈが導波管の短辺す
に近づくと下が９、管内波長は自由空間波長に近づく。
られた導体リッジ１８の高さｈと幅Ｗとを最適に定めて
その特性インピーダンスと管内波長とを決京する。特性
インピーダンスはリッジ１８の高さｈが導波管の短辺す
に近づくと下が９、管内波長は自由空間波長に近づく。
リッジ１８の幅Ｗの変化は管内波長とインピーダンスに
多少の影響をおよぼすが、リッジ８の高さｈはどの影響
はない。むしろ幅Ｗは２倍周波数（高調波）の共振を防
ぐため、導波管長辺の約２分の１の値に定める。たとえ
ば周波数１０．５ ＧＨｚのマイクロ波発振装置で共振
器となる導波管の短辺の寸法をｂ＝７、ＦｈｎｍＳ長辺
ａ ＝ １５．８ ｍｍの時ｔリッジ幅ｗ＝７．８ ｍ
ｍ １高さｈ ＝ ５ ｍｔｎとすると、特性インピー
ダンスＺ。
多少の影響をおよぼすが、リッジ８の高さｈはどの影響
はない。むしろ幅Ｗは２倍周波数（高調波）の共振を防
ぐため、導波管長辺の約２分の１の値に定める。たとえ
ば周波数１０．５ ＧＨｚのマイクロ波発振装置で共振
器となる導波管の短辺の寸法をｂ＝７、ＦｈｎｍＳ長辺
ａ ＝ １５．８ ｍｍの時ｔリッジ幅ｗ＝７．８ ｍ
ｍ １高さｈ ＝ ５ ｍｔｎとすると、特性インピー
ダンスＺ。
＃２５αΩ管内波長３４ｍｍになった。
不発明の構造による発振装置の利点の第１は従来構造の
発振装置に比べて、導波管特性インピーダンスが約２分
の１に減ったために、ガンダイオード自身のインピーダ
ンスに近づき極めて整合がとシやすい。この結果従来に
比ベガンダイオードの利用率が２倍に向上した。第２に
、Ｔ Ｅ ２０の２倍高調波の共振が基本周波数から約
３ＧＨｚ離れて現われるようになったため、２倍高調波
の抑圧が２５ｄＢから３０ｄＢＫ向上した。
発振装置に比べて、導波管特性インピーダンスが約２分
の１に減ったために、ガンダイオード自身のインピーダ
ンスに近づき極めて整合がとシやすい。この結果従来に
比ベガンダイオードの利用率が２倍に向上した。第２に
、Ｔ Ｅ ２０の２倍高調波の共振が基本周波数から約
３ＧＨｚ離れて現われるようになったため、２倍高調波
の抑圧が２５ｄＢから３０ｄＢＫ向上した。
この様にリッジ導波管を共振器として使用することによ
って、導波管の特性インピーダンスを発振素子のそれに
近づけることができ、整合性が大きく改善することがで
き、かつ従来不必要に覗われていた高周波成分を著しく
減少することができる。
って、導波管の特性インピーダンスを発振素子のそれに
近づけることができ、整合性が大きく改善することがで
き、かつ従来不必要に覗われていた高周波成分を著しく
減少することができる。
第１図は従来の発振装置の構成図で、（ａ）は導波管の
伝送モードでの断面図、（ｂ）は出力７ランジよシ見た
正面図である。第２図は、不発明の一実施例による発振
装置の構成図で、（ａ）は導波管の伝送モードでの断面
図で、（ｂ）は出力７ランジよシ見た正面図である。 １．１１・・・・導波管、２，１２・・・・・・短絡板
、３，１３・・・・・・ガンダイオード、４・・・・・
整合円柱、５，１５・・・・・・ガンダイオードバイア
ス端子、６．１６・・・・バイパス用コンデンサー、７
．１７・・・・出力フランジ、１８・・・・リッジ、ａ
・・・・・導波管長辺長さ、ｂ・・・・・・導波管短辺
長さ、Ｗ・・・・・・リッジ幅、ｈ・・・・・・リッジ
高さ、ｌｌ・・・・・標準導波管での短絡板からガンダ
イオードまでの距離、１２・・・・・・リッジ導波管テ
ノ短絡板からガンダイオードまでの距離
伝送モードでの断面図、（ｂ）は出力７ランジよシ見た
正面図である。第２図は、不発明の一実施例による発振
装置の構成図で、（ａ）は導波管の伝送モードでの断面
図で、（ｂ）は出力７ランジよシ見た正面図である。 １．１１・・・・導波管、２，１２・・・・・・短絡板
、３，１３・・・・・・ガンダイオード、４・・・・・
整合円柱、５，１５・・・・・・ガンダイオードバイア
ス端子、６．１６・・・・バイパス用コンデンサー、７
．１７・・・・出力フランジ、１８・・・・リッジ、ａ
・・・・・導波管長辺長さ、ｂ・・・・・・導波管短辺
長さ、Ｗ・・・・・・リッジ幅、ｈ・・・・・・リッジ
高さ、ｌｌ・・・・・標準導波管での短絡板からガンダ
イオードまでの距離、１２・・・・・・リッジ導波管テ
ノ短絡板からガンダイオードまでの距離
Claims (1)
- 一端が短絡されたりッジ導波管と、該リッジ導波管内に
装着された固体発振素子とを有することを特徴とするマ
イクロ波発振装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP786783A JPS59133712A (ja) | 1983-01-20 | 1983-01-20 | マイクロ波発振装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP786783A JPS59133712A (ja) | 1983-01-20 | 1983-01-20 | マイクロ波発振装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59133712A true JPS59133712A (ja) | 1984-08-01 |
Family
ID=11677585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP786783A Pending JPS59133712A (ja) | 1983-01-20 | 1983-01-20 | マイクロ波発振装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59133712A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100443440B1 (ko) * | 1996-06-29 | 2004-10-08 | 로베르트 보쉬 게엠베하 | 마이크로파발진기 |
-
1983
- 1983-01-20 JP JP786783A patent/JPS59133712A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100443440B1 (ko) * | 1996-06-29 | 2004-10-08 | 로베르트 보쉬 게엠베하 | 마이크로파발진기 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3778717A (en) | Solid-state oscillator having such a structure that an oscillating element, a resonator and a radiator of electromagnetic waves are unified in one body | |
| US3913035A (en) | Negative resistance high-q-microwave oscillator | |
| US3510800A (en) | Negative resistance oscillator stabilized with fundamental and harmonic frequency cavity resonators | |
| US3858123A (en) | Negative resistance oscillator | |
| US3919666A (en) | Solid state microwave cavity oscillator operating below cavity cutoff frequency | |
| US3631331A (en) | Waveguide frequency multiplier wherein waveguide cutoff frequency is greater than input frequency | |
| US3659222A (en) | High efficiency mode avalanche diode oscillator | |
| JPS59133712A (ja) | マイクロ波発振装置 | |
| US3307099A (en) | Microwave frequency multiplier comprising side by side resonators with varactors contained in one resonator | |
| EP1093217B1 (en) | Oscillator and radio equipment | |
| US4560952A (en) | Cavity-stabilized microwave oscillator | |
| JP3528702B2 (ja) | 発振器および無線装置 | |
| US4462007A (en) | Output coupling circuit for a cavity oscillator | |
| US4567450A (en) | Fin-line oscillator | |
| US6512421B1 (en) | Gunn diode oscillator with NRD guide | |
| EP0205771A1 (en) | Integrated microwave oscillator | |
| RU2007842C1 (ru) | Свч-генератор | |
| SU1755357A1 (ru) | Генератор | |
| RU2007840C1 (ru) | Свч-генератор | |
| RU1841304C (ru) | Сверхвысокочастотный умножитель | |
| JPS6024001Y2 (ja) | マイクロ波集積回路 | |
| SU1403962A1 (ru) | Генератор | |
| SU710083A1 (ru) | Электродинамическа система свч прибора | |
| JPH0754670B2 (ja) | マグネトロンの出力回路 | |
| RU2007841C1 (ru) | Свч-делитель |