JPS59133531A - Photometric circuit - Google Patents

Photometric circuit

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JPS59133531A
JPS59133531A JP802283A JP802283A JPS59133531A JP S59133531 A JPS59133531 A JP S59133531A JP 802283 A JP802283 A JP 802283A JP 802283 A JP802283 A JP 802283A JP S59133531 A JPS59133531 A JP S59133531A
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photoconductive element
current
circuit
capacitor
transistor
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JP802283A
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Japanese (ja)
Inventor
Takashi Kanbe
高志 神戸
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Canon Inc
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B7/00Control of exposure by setting shutters, diaphragms or filters, separately or conjointly
    • G03B7/08Control effected solely on the basis of the response, to the intensity of the light received by the camera, of a built-in light-sensitive device
    • G03B7/081Analogue circuits
    • G03B7/083Analogue circuits for control of exposure time

Abstract

PURPOSE:To execute exactly an exposure control by a simple constitution of a circuit by converting a resistance value of a photoconductive element to a current value, and bringing a capacitor to a constant-current charging by its current. CONSTITUTION:An inversion input terminal of an operational amplifier 13 to whose non-inversion input terminal the reference volage 1 is impressed is grounded through a resistance 28. The emitter of an NPN transistor 24 whose base is connected to an output terminal of the amplifier 13 is grounded through a photoconductive element 37. In this way, when a negative feedback is applied to the operational amplifier, and the photoconductive element 37 is connected as a load of its operational amplifier 13, it is possible to bring a time constant capacitor 40 of an exposure controlling circuit to a constant-current charging by an optical current corresponding to a resistance value of the photoconductive element 37, and an exact exposure control can be executed by a simple circuit.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、カメラの電子シャッターにおける露出制御回
路用の測光回路に関するものであり、特に例えばCdS
の様な照度に応じて抵抗値変化を生ずる光導電素子を用
いた測光回路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a photometry circuit for an exposure control circuit in an electronic shutter of a camera.
The present invention relates to a photometric circuit using a photoconductive element that changes its resistance value depending on the illuminance.

近年カメラ、特例いわゆるレンズ・シャッターカメラに
於ては、各種自動化による操作性の改良追求及び小型、
軽量化への追求が行かわれ、生 しかもこれらを工業的に低価格で製産可能とすることが
求められている。従って上記カメラに使用する自動露出
制御技術の分野に於ても、現在以上に簡単かつ安価な構
成で可能とすることが必要である。現在カメラの自動露
出制御用測光回路に用いられている測光素子として代表
的なものにシリコン光電ダイオード(以下にSPDと記
す)と光導電素子(一般的にはCdS、以下CdSと記
す)がある。SPDは応答が早く、照度−出力電流比例
性が広範囲に亘って良い等々の長所を有し、特に高級カ
メラに於ては殆んど必須のものであるが、その反面、次
の様な短所も有り、特に低価格レンズシャッター用とし
は必ずしも適するものではない。
In recent years, cameras, especially so-called lens/shutter cameras, have been pursuing improvements in operability through various automation, compactness,
As efforts are being made to reduce weight, there is a need for raw materials that can be produced industrially at low cost. Therefore, in the field of automatic exposure control technology used in the above-mentioned cameras, it is necessary to make it possible with a simpler and cheaper structure than the current one. Silicon photoelectric diodes (hereinafter referred to as SPD) and photoconductive elements (generally referred to as CdS, hereinafter referred to as CdS) are typical photometric elements currently used in photometric circuits for automatic exposure control in cameras. . SPD has advantages such as quick response and good illuminance-output current proportionality over a wide range, and is almost indispensable especially in high-end cameras.However, on the other hand, it has the following disadvantages. Therefore, it is not necessarily suitable especially for low-priced lens shutters.

すなわち 1)光量−出力特性が線型であり、レンズシャッターカ
メラで一般的なシャッター絞り兼用半開式シャッターで
、被写体輝度によりシャッター開時間のみを制御してシ
ャッター速度及び絞りを同時に変えるいわゆるプログラ
ム露出制御を行なうのには大規模な回路或いは副絞り等
の複雑な構成を必要とする。
Namely, 1) The light intensity-output characteristic is linear, and a half-open shutter that also serves as a shutter aperture, which is common in lens-shutter cameras, allows so-called program exposure control to control only the shutter open time depending on the subject brightness and simultaneously change the shutter speed and aperture. This requires a large-scale circuit or a complicated configuration such as a sub-diaphragm.

11)出力電流値が極微少である為、入力インピーダン
スの高い増幅器を必要とし、処理回路を集積回路化する
のに自由度が少ない。
11) Since the output current value is extremely small, an amplifier with high input impedance is required, and there is little freedom in integrating the processing circuit.

111)出力電流値が極微少である為、リーク防止等実
装にあたっての種々の配慮が必要である。
111) Since the output current value is extremely small, various considerations must be taken during mounting, such as leak prevention.

その一方、CdSは、 1)光照度−抵抗値特性が、各々の変化量の対数比が個
有の値(γ)、持つという特性(以下γ特性と記す)を
有し、いわゆるプログラム露出制御を行なう際、上記γ
特性に適した対時間シャッター開口特性を有するシャッ
ター機構を設け、該機構のシャッター速度設定にCdS
のγ特性を関連させるのみで副絞り等の複雑な構成を設
けずに露光制御を実行し得る。したがって測光素子の配
置の自由度が増すと共にシャッター構成が容易になる。
On the other hand, CdS has a characteristic (hereinafter referred to as γ characteristic) in which the light illuminance-resistance value characteristic has a unique value (γ) of the logarithmic ratio of each amount of change, and is capable of so-called program exposure control. When carrying out the above γ
A shutter mechanism with shutter opening characteristics over time suitable for the characteristics is provided, and CdS is used to set the shutter speed of the mechanism.
Exposure control can be performed without providing a complicated configuration such as a sub-diaphragm by simply associating the γ characteristics of . Therefore, the degree of freedom in arranging the photometric elements increases and the shutter configuration becomes easier.

■)光導電素子である為、そのバイアス電圧条件により
、光照度に対する電流値が比較的自由に設定でき、リー
ク電流に対する実装や、処理回路が容易になる。
(2) Since it is a photoconductive element, the current value relative to the light illuminance can be set relatively freely depending on its bias voltage conditions, making the implementation and processing circuit for leakage current easier.

という長所を有し、とりわけ半開式シャッターにおける
プログラム露出制御回路を低価格で実現できる。反面、
光応答速度が比較的遅い点や低照度での再現性が劣る等
の光覆歴現象を持つが、普及機の自動露出制御において
はストロボ組込が一般的であり、広範囲の測光を必要と
せず、再現性が劣る領域を避けてCdSを測光素子とし
て用いることは十分可能であるし、応答速度も十分に許
容できる。
This has the advantage that, in particular, a program exposure control circuit for a half-open shutter can be realized at a low cost. On the other hand,
Although it has a light history phenomenon such as a relatively slow light response speed and poor reproducibility at low illuminance, it is common to incorporate a strobe in the automatic exposure control of popular cameras, and it does not require a wide range of light metering. First, it is fully possible to use CdS as a photometric element while avoiding areas where reproducibility is poor, and the response speed is also sufficiently acceptable.

上述の如く光導電素子としてのCdSを用いた測光回路
にてプログラム露光制御を実行させると極めて容易にプ
ログラム露光制御が実行される一方、従来のCdSを用
い先側光回路の如(CdSに直列に時定コンデンサーを
接続し、該コンデンサーをCdSの出力にて充電して、
該充電電位が所定レベルに達した際にシャッターを閉じ
る様構成するとコンデンサーの充電が定電流にて実行し
得す正確な露光制御を実行するにあたっては、補正回路
や機構を設ける必要がある。
As mentioned above, programmed exposure control can be executed very easily by using a photometry circuit that uses CdS as a photoconductive element. Connect a time constant capacitor to , charge the capacitor with the output of CdS,
If the shutter is configured to close when the charging potential reaches a predetermined level, the capacitor can be charged with a constant current.In order to perform accurate exposure control, it is necessary to provide a correction circuit or mechanism.

本発明は上述の事項に鑑みなされたもので、演算増巾器
の出力端にトランジスターを接続すると共に、上記増巾
器に負帰還路を設け、該増巾器の負荷として光導電素子
を接続することにより、上記トランジスターの出力電流
を光導電素子の抵抗値に応じたものとなし、該トランジ
スターの出力電流にて露光制御用コンデンサーを定電流
充電することにより上述の問題を解決した測光回路を提
供するものである。
The present invention has been made in view of the above-mentioned matters, and includes connecting a transistor to the output terminal of an operational amplifier, providing a negative feedback path to the amplifier, and connecting a photoconductive element as a load of the amplifier. By doing this, the output current of the transistor is made to correspond to the resistance value of the photoconductive element, and the exposure control capacitor is charged at a constant current with the output current of the transistor, thereby creating a photometry circuit that solves the above problem. This is what we provide.

次いで、本発明に係る測光回路について説明する。Next, a photometric circuit according to the present invention will be explained.

1コ 第1図袴本発明の一実施例を示す回路図で、37は光導
電素子、13は非反転入力端に基準電圧1が印加される
演算増巾器で、該増巾器の反転入力端は抵抗28を介【
7てアースされている。24は増巾器13の出力端にベ
ースが接続されるNPN)ランシスターで、該トランジ
スター24のエミッターは前記光導電素子37を介して
アースされている。29は増巾器13の帰還路中に接続
される可変抵抗である。20及び21はカレントミラー
を構成するPNP)ランシスター、40は時定コンデン
サ−,9はカウントスイッチ、16はコンパレーターで
、該コンハレーター16の出力により不図示のシャッタ
ーマグネットが作動し露光を終了させる。
Figure 1: A circuit diagram showing one embodiment of the present invention, 37 is a photoconductive element, 13 is an operational amplifier to which a reference voltage 1 is applied to the non-inverting input terminal, and the amplifier is inverted. The input terminal is connected via the resistor 28 [
7 and is grounded. 24 is an NPN transistor whose base is connected to the output terminal of the amplifier 13, and the emitter of the transistor 24 is grounded via the photoconductive element 37. 29 is a variable resistor connected in the feedback path of the amplifier 13. 20 and 21 are PNP run sisters constituting a current mirror, 40 is a time constant capacitor, 9 is a count switch, 16 is a comparator, and the output of the conhalator 16 activates a shutter magnet (not shown) to end the exposure. .

尚6は基準電圧を示している。Note that 6 indicates a reference voltage.

今、光導電素子370両端電圧をVsy 、抵抗28゜
29の抵抗値をそれぞれR?δH&e を基準電圧1の
電圧をVlとすると、Vvr= an ” ”” x 
V+  となる。
Now, the voltage across the photoconductive element 370 is Vsy, and the resistance value of the resistor 28°29 is R? If δH&e is the voltage of reference voltage 1 as Vl, then Vvr= an ” ”” x
It becomes V+.

u NPN)ランシスター24の電流増幅率)1f@が十分
に大きく、かつ抵抗28.29に流れる電流を無視出来
る程度の値となる様に抵抗値R2@ tR29を設定す
るとNPN )ランシスター24のコレクタ電流■c!
4は光導電素子37の抵抗値をR3γとすると■。、4
== ’h11+ 堕×Vl、  となる。
u NPN) If the resistance value R2 @ tR29 is set so that the current amplification factor) 1f@ of the Run Sister 24 is sufficiently large and the current flowing through the resistor 28.29 can be ignored, then the current amplification factor of the Run Sister 24 Collector current ■c!
4 is ■, assuming that the resistance value of the photoconductive element 37 is R3γ. , 4
=='h11+fall×Vl,

R28R17 上述の如くトランジスター20.21Fiカレントミラ
ーを構成しているので、トランジスタ−20,21のコ
レクター電流はそれぞれ等しい値を示す。従ってトラン
ジスター21のコレクター電流は上記トランジスター2
4のコレクター電流1e24と一致し、レリーズ操作に
よって1コ スイッチ9がオフとなるとコンデンサー40に。
R28R17 Since the transistors 20 and 21Fi constitute a current mirror as described above, the collector currents of transistors 20 and 21 have the same value. Therefore, the collector current of transistor 21 is
4 collector current 1e24, and when the 1st switch 9 is turned off by the release operation, it becomes the capacitor 40.

電流I(44が流れ充電される。該Ic24は上述の如
<yt、、+ )its ×v、  であるため、抵抗
R3TによつR211R37 て決められる所定の定電流を示すため、コンデンサ−4
0は定電流充電される。
A current I(44 flows and is charged. Since the current Ic24 is <yt,,+)its×v, as described above, it shows a predetermined constant current determined by R211R37 by the resistor R3T, so the capacitor -4
0 is charged with constant current.

今、コンデンサー40の容量をCu とすると、コンデ
ンサー40の充電電圧が上記基準電圧■1=C46X 
R3,X  Rts−となる。C40、Ru 、 &o
は定R211+R2G 数である念め、露光時間Tけ光導電素子37の抵抗値R
syにて決定される。光導電素子の抵抗値は直線性の良
好な範囲でけR8Lrと表わせる( Reは定数、Lは
照度)。従って、コンデンサー40の充電電圧が■、に
達するまでの露光時間TはβL−′(βは定数)で表わ
せ、照度に応じて決定されることとなる。
Now, if the capacitance of the capacitor 40 is Cu, the charging voltage of the capacitor 40 is the above reference voltage ■1=C46X
R3,X Rts-. C40, Ru, &o
is a constant R211+R2G, so the resistance value R of the photoconductive element 37 is equal to the exposure time T.
Determined by sy. The resistance value of the photoconductive element can be expressed as R8Lr within a range of good linearity (Re is a constant and L is illuminance). Therefore, the exposure time T until the charging voltage of the capacitor 40 reaches 1 is expressed by βL-' (β is a constant) and is determined depending on the illuminance.

一方、半開式絞り兼用シャッターの露光時間に対する開
口面積の特性は一般にS (t) =αt(S(t):
開口面積、α定数)で表わせるので、上記時αtdt=
、−I、T2  となる。又、上記の如く露光時なり光
導電素子のγ特性として1のものを使用すれげEが一定
となる。この事は第1図の回路にあって、コンデンサー
40の充電電圧がVlに達した際の露光量は照度にかか
わらず常に一定となることを表わしており、該第1図示
の回路にてレリーズにて上記開口特性の半開式シャッタ
ーを起動し、コンデンサー40の充電電位がVlに達し
た際にシャッターマグネットを作動させシャッターを閉
じさせることにより半開式シャッターによるプログラム
露光制御を実行し得ることとなる。
On the other hand, the characteristic of the aperture area with respect to the exposure time of a half-open aperture shutter is generally S (t) = αt (S (t):
(opening area, α constant), so in the above case αtdt=
, -I, T2. Furthermore, as mentioned above, during exposure, when the γ characteristic of the photoconductive element is 1, the deviation E becomes constant. This means that in the circuit shown in Fig. 1, the amount of exposure when the charging voltage of the capacitor 40 reaches Vl is always constant regardless of the illuminance, and the circuit shown in Fig. 1 releases the light. By activating the half-open shutter with the above-mentioned aperture characteristics and activating the shutter magnet to close the shutter when the charging potential of the capacitor 40 reaches Vl, programmed exposure control using the half-open shutter can be executed. .

この様に、第1図実施例にあっては演算増巾器に負帰還
をかけ、該演算増巾器の負荷として光導電素子を接続し
たものであるため、常に光導電素子の抵抗値に応じた光
電流にて露光制御回路の時定用コンデンサーを定電流充
電することが出来正確な露光量制御を実行し得るもので
ある。
In this way, in the embodiment shown in FIG. 1, negative feedback is applied to the operational amplifier and the photoconductive element is connected as a load to the operational amplifier, so that the resistance value of the photoconductive element is always adjusted. The time-fixing capacitor of the exposure control circuit can be charged at a constant current with the corresponding photocurrent, and accurate exposure amount control can be executed.

第2同社本発明の測光回路の他の一実施例を示す回路図
である。
2 is a circuit diagram showing another embodiment of the photometric circuit of the present invention; FIG.

図において、30.31は回路電源電圧7を分圧するブ
リーダー抵抗で、該抵抗の出力は演算増巾器14の非反
転入力端に印加されている。
In the figure, 30 and 31 are bleeder resistors that divide the circuit power supply voltage 7, and the output of this resistor is applied to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 14.

増巾器14の出力には同一特性を有するNPNトランジ
スター25及び26のペースが接続されている。該トラ
ンジスター25.26のエミッターは光導電素子38に
接続されている。又増巾器14の反転入力端と前記トラ
ンジスター25.26のエミッターとの間には帰還路が
設けられている。トランジスター26のコレクターには
秒時制御用の時定コンデンサ−41が接続され、該コン
デンサーの出力はコンパレーター17の一入力端に印加
されている。又、該コンパレーター17の十入力端には
抵抗32.33からの基準電圧が印加されコンパ1ノー
ター17の出力にはシャッターマグネットが接続されて
いる。34け前記トランジスター25のコレクターに接
続される可変抵抗で該抵抗出力はコンパレーター18の
一入力端に接続されている。
Connected to the output of the amplifier 14 are NPN transistors 25 and 26 having the same characteristics. The emitters of the transistors 25, 26 are connected to a photoconductive element 38. A feedback path is also provided between the inverting input of the amplifier 14 and the emitters of the transistors 25, 26. A time constant capacitor 41 for controlling the seconds is connected to the collector of the transistor 26, and the output of this capacitor is applied to one input terminal of the comparator 17. Further, a reference voltage from resistors 32 and 33 is applied to the input terminal of the comparator 17, and a shutter magnet is connected to the output of the comparator 1 noter 17. The 34 variable resistors are connected to the collectors of the transistors 25, and the resistor output is connected to one input terminal of the comparator 18.

該コンパレーター18の十入力端にけ抵抗35゜36か
らの基準電圧が印加されコンパレーター18の出力には
低輝度警告用の発光ダイオードが接続されている。
A reference voltage from a resistor 35.degree. 36 is applied to the input terminal of the comparator 18, and a light emitting diode for low brightness warning is connected to the output of the comparator 18.

上述の構成において、光導電素子38の両端電圧をv3
γ、抵抗30.31の抵抗値をそれぞれR8゜HR31
+回路電源電圧7の電位をV?とするならば、V3γ=
」雇−X V、である。NPN)ランR3I、→RMI シスター25.26のhfeが十分に大きければエミッ
タ電流とコレクタ電流は等しいと見なせると共にトラン
ジスター25と26のベース及びエミッタ電圧は同一電
位に接続されているためNPNトランジスター25.2
6の各コレクタ電流Icn * IctaはI e 2
s = T c 26 = ” X −り一蝉−2R3
o十R3,R,a (ただし、RSSけ光導電素子38の抵抗値)レリ−ズ
操作に連動してスイッチング部材10が閉から開へと移
行すると、コンデンサ41への充電が開始され、その瞬
間からの時間経過をTとすれば、コンデンサ41のNP
N)ランジスタ26のコレクタに接続されている側の電
位V41は、コンデンサ41がIc、、6にて定電流充
電されるため、コンデンサ41の容量値をC41として
V4+ = V?一旦一二=y、−x−x−!几−×]
Lと  T C412C41R別+R31R38 なる。コンパレータ17の十入力端子(非反転入力端子
)の電位は、抵抗32.33の抵抗値をそれぞれR32
+ &sとすれば−1−−x v、rであ132 +R
33 るから、スイッチング部材10が閉から開へと移行した
瞬間からコンパレータ17の出力信号44が’LOW″
から”HiGI(”へと転するまでの電源電圧7の値に
は依存せず、即ち、電源の変動にかかわらずC411R
3o t R3重、R羽及びR33が一定であれば、光
導電素子38の抵抗値R38にのみ比例することになる
In the above configuration, the voltage across the photoconductive element 38 is set to v3.
γ, the resistance value of resistor 30.31 is R8゜HR31, respectively.
+The potential of circuit power supply voltage 7 is V? If so, V3γ=
"Employment-XV," NPN) run R3I, →RMI If the hfe of the sister 25.26 is sufficiently large, the emitter current and collector current can be considered equal, and the base and emitter voltages of the transistors 25 and 26 are connected to the same potential, so the NPN transistor 25. 2
Each collector current Icn * Icta of 6 is I e 2
s = T c 26 = ”X - Riichisemi - 2R3
oR3,R,a (However, the resistance value of the RSS photoconductive element 38) When the switching member 10 changes from closed to open in conjunction with the release operation, charging of the capacitor 41 starts, and its If the time elapsed from the instant is T, then the NP of the capacitor 41 is
N) The potential V41 on the side connected to the collector of the transistor 26 is V4+ = V?, assuming that the capacitance value of the capacitor 41 is C41, since the capacitor 41 is charged with a constant current at Ic, 6. Once one two = y, -x-x-!几-×】
L and T C412C41R are different +R31R38. The potential of the 10 input terminal (non-inverting input terminal) of the comparator 17 is the resistance value of the resistor 32 and 33, respectively.
+ &s = -1--x v, r = 132 +R
33, the output signal 44 of the comparator 17 becomes 'LOW' from the moment the switching member 10 transitions from closed to open.
C411R does not depend on the value of power supply voltage 7 until it changes from "HiGI("), that is, regardless of power supply fluctuations.
If 3o t R3, R3, and R33 are constant, it will be proportional only to the resistance value R38 of the photoconductive element 38.

よって、第1図実施例と同様に光導電素子のγ値を−の
ものを使用すれば、上記時間後コンパレータ17の出力
にてシャッターマグネットを作動してシャッター閉じを
行なわせることにより、正確なプログラム露光制御が実
行し得る。
Therefore, if a photoconductive element having a negative γ value is used as in the embodiment shown in FIG. Programmed exposure control may be implemented.

尚、該実施例では上記の如く、電源電圧の変動によらず
常に適正露光を得られるので、ストロボ内蔵カメラ等電
源電圧の変動するおそれがあるカメラの露光制御に好適
である。
As described above, in this embodiment, proper exposure can always be obtained regardless of fluctuations in the power supply voltage, so it is suitable for controlling exposure of cameras such as cameras with built-in strobes where the power supply voltage may fluctuate.

又、Tの時間幅は可変抵抗31の抵抗値を変化すれば容
易に調節できるが、光導電素子38の個有の抵抗値や、
コンデンサ41、抵抗30.32.33の値を変化する
ことや、NPN)ランジスタ25.26のコレクタ電流
比を、特に集積回路化する際の接合面積比を変えること
により、%えてやることによっても可能である。
Further, the time width of T can be easily adjusted by changing the resistance value of the variable resistor 31, but it may vary depending on the specific resistance value of the photoconductive element 38,
By changing the values of the capacitor 41 and resistors 30, 32, and 33, or by increasing the collector current ratio of the NPN transistor 25, 26, especially by changing the junction area ratio when integrating the circuit, It is possible.

一方、NPN)ランジスタ25のコレクタ電位V2!1
は、可変抵抗34の抵抗値をR114とすれI    
Rs+     v7 げ、   V21=VW −I(!211X R34=
V? −T× R1R81×7.−  × Ruとなる
。コンパレータ18の十入力端(非反転入力端子)の電
位は、抵抗35.36の抵抗値R31+ をそれぞれRss 、 Ru8として、R,、+R,。
On the other hand, the collector potential V2!1 of the NPN) transistor 25
If the resistance value of the variable resistor 34 is R114, then I
Rs+ v7, V21=VW -I(!211X R34=
V? -Tx R1R81x7. −×Ru. The potential at the input terminal (non-inverting input terminal) of the comparator 18 is R, +R, where the resistance values R31+ of the resistors 35 and 36 are Rss and Ru8, respectively.

×vフ であるカラ、コンパレータ18の出力信号45
が’LOW”から”HiGI(”に転する時の光導電素
子38の抵抗値Rsa THは上記V、、 =−す−X
 V?とR3う+R31S おいてRsaにRA87Hを代入することにより&87
H=−xRuxll」ユズ−シーとなる。R*sTuを
低輝2     RNA−R111R115度警告を行
なう時の光導電素子38の光抵抗値になるよう各抵抗値
をあらかじめ設定しておけば、信号45を用いて発光ダ
イオードを点灯させることKより低輝度警告を行なうこ
とができる。R55T?(の調節は可変抵抗34の値を
変化してできるが、R(資)* Rst + R51l
* Rssの抵抗値変化や前述と同様にIetsとIe
taの電流比を変えてやることによっても可能である。
The output signal 45 of the comparator 18 is
The resistance value Rsa TH of the photoconductive element 38 when changes from 'LOW' to 'HIGI(' is the above V,, =-su-X
V? By substituting RA87H for Rsa and R3+R31S, &87
H=-xRuxll" If each resistance value is set in advance so that R*sTu is the photoresistance value of the photoconductive element 38 when issuing a low brightness 2 RNA-R111R115 degree warning, the light emitting diode can be turned on using the signal 45. It is possible to provide a lower luminance warning. R55T? (can be adjusted by changing the value of the variable resistor 34, but R (capital) * Rst + R51l
* As with the resistance value change of Rss and the above, Iets and Ie
This can also be done by changing the current ratio of ta.

第2図の方法によ詐ば、露出時間及び低輝度警告の設定
が抵抗値選択等によるだけで容易に可能であり、また、
基準電圧を必要としない利点を有する。また、従来多く
見られる様に低輝度判定モードと露出時間制御モードで
、光導電素子の接続を切換える様なスイッチング部材も
不要である。ま念、CdSの光抵抗値が高照度にて低抵
抗、低照度にて高抵抗になることから測光情報補償のた
めに、CdSに直列に低抵抗、並列に高抵抗を接続し、
光抵抗値の補償を行なうことは従来の回路と同様に可能
である。
According to the method shown in FIG. 2, it is possible to easily set the exposure time and low brightness warning simply by selecting resistance values, etc.
It has the advantage of not requiring a reference voltage. Furthermore, there is no need for a switching member that switches the connection of the photoconductive element between the low brightness determination mode and the exposure time control mode, as is often seen in the past. Since the photoresistance value of CdS is low at high illuminance and high at low illuminance, in order to compensate for photometric information, connect a low resistance in series and a high resistance in parallel to the CdS.
It is possible to compensate for the photoresistance value in the same way as in conventional circuits.

また、低輝度警告と同様に高輝度警告を行なうこともま
た適正輝度表示を行なうことも、上記の方法にてコンパ
レータでの電圧判定部を変えてやれば容易に可能である
Also, it is possible to easily issue a high-intensity warning in the same way as a low-intensity warning, or to display an appropriate brightness display by changing the voltage determining section of the comparator using the method described above.

第3図は本発明に係る測光回路の他の一実施例を示す回
路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing another embodiment of the photometric circuit according to the present invention.

図において、15は演算増巾器で、該増巾器の非反転入
力端にはフィルム感度切換スイッチング部材12にて選
択的にフィルム感度に応じて異なる基準電圧3〜5が印
加される。該増巾器15の出力にはトランジスタ270
ペースが接続され、該トランジスタ27のエミッタには
光導電素子42が接続されている。又、増巾器には帰還
路が設けられているため、トランジスタ27のコレクタ
電流1c2丁けTc27 =R,,(R3gは光導電素
子の抵抗値、Vx け増巾器の非反転入力端に印加さn
る電圧)で表わされる。22.23は@1図と同様にカ
レントミラー構成のトランジスタで、該トランジスタ2
3のコレクタには時定用コンデンサ42が接続されてお
り、レリーズ操作に連動してスイッチ11が開となるこ
とによりトランジスタ42けトランジスタ23のコレク
タ電流にて定電流充電される。トランジスタ23のコレ
クタ電流はトランジスタ27のコレクタ電流と等しいた
め、コンデンサ42の容量をCoとすると、露光時間T
におけるコンとなる。19は基準電圧2とコンデンサ4
2の出力を比較するコンパレータで上記電圧2をV!と
するとレリーズ操作からコンパレータ19の出力が反転
しコンパレータ19の出力に接続されるシャッターマグ
ネットを作動させ露光を終了させるまでの時間TはT 
= C42Rso X−□となる。
In the figure, reference numeral 15 denotes an operational amplifier, and a film sensitivity switching member 12 selectively applies different reference voltages 3 to 5 to the non-inverting input terminal of the amplifier depending on the film sensitivity. A transistor 270 is connected to the output of the amplifier 15.
A photoconductive element 42 is connected to the emitter of the transistor 27. Also, since the amplifier is provided with a feedback path, the collector current of the transistor 27 is 1c2 Tc27 = R, , (R3g is the resistance value of the photoconductive element, and Vx is connected to the non-inverting input terminal of the amplifier. applied n
voltage). 22.23 is a transistor with a current mirror configuration similar to the diagram @1, and the transistor 2
A time-fixing capacitor 42 is connected to the collector of the transistor 3, and when the switch 11 is opened in conjunction with the release operation, the transistor 42 is charged at a constant current with the collector current of the transistor 23. Since the collector current of the transistor 23 is equal to the collector current of the transistor 27, if the capacitance of the capacitor 42 is Co, the exposure time T
It becomes a con in. 19 is reference voltage 2 and capacitor 4
A comparator that compares the outputs of 2 is used to convert the above voltage 2 to V! Then, the time T from the release operation until the output of the comparator 19 is reversed, the shutter magnet connected to the output of the comparator 19 is activated, and the exposure is completed is T.
= C42Rso X-□.

Vx 上述の如りvxはスイッチ12にて選択されたフィルム
感度に応じた値を示すため、フィルム感度に応じて露光
時間が調定されることとなるO 尚、基準電圧の切換えをコンパレータ19の反転入力端
子にて行なっても同様な効果が得られることは言うまで
もない。また、基準電圧の切換えをフィルム感度に対応
i〜で連続的に行なうことも有益な手段である。
Vx As mentioned above, since vx indicates a value according to the film sensitivity selected by the switch 12, the exposure time is adjusted according to the film sensitivity. It goes without saying that similar effects can be obtained even if the inverting input terminal is used. It is also an advantageous means to continuously switch the reference voltage at i~ corresponding to the film sensitivity.

以上の如く、本発明(でよれば、極めて簡単な構成にて
光導電素子の抵抗値を電流値に変換出来、該電流にてコ
ンデンサを定電流充電することが可能となり、露光制御
を簡単な回路構成にて正確に実行し得るものである。
As described above, according to the present invention, it is possible to convert the resistance value of a photoconductive element into a current value with an extremely simple configuration, and it is possible to charge a capacitor with a constant current using the current, thereby simplifying exposure control. This can be implemented accurately using the circuit configuration.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明に係る測光回路を用いた露光制御回路の
一実施例を示す回路図、第2図は本発明に係る測光回路
を用い之露光制御回路の他の実施例を示す回路図、第3
図は本発明に係る測光回路を用いた露光制御回路の更な
る他の実施例を示す回路図である。 13.14,15・・・演算増巾器、 24.25,26,27・・・トランジスタ、37.3
8,39・・・光導電素子。 特許出願人  キャノン株式会社 手続補正書(自発) 特許庁長官 若杉和夫  殿 ■。事件の表示 昭和58年 特許願  第 8022  号2、発明の
名称 測光回路 3、補正をする者 事件との関係       特許出願人任 所 東京都
太田区下丸子3−30−24(XL−” −)□声 居所 閏146東京都大田区下丸子3−30−25、補
正の対象 明細書 6、補正の内容 (1)明細書第12頁第16行目の語句「可能である0
」と同第12頁第17行目の語句「一方」との間K 「また、NPN)ランジスタ26の接合面積に比べ、N
PN )ランジスタ25の接合面積をn倍にすれば、前
記の時間Tは、 となり、Gas及び各抵抗の値を変えずに041の容量
値を削減しても同等のTが得られる。NPNトランジス
タ25のコレクタを電源7に直接接続すれば、露光回路
としてのみ、コンデンサ容量削減の効果を使用できる。 」なる記載を加入する。 (2)明細書第14頁第2行目の語句「不要である。」
と同第14頁第2行目の語句「また」との間K「まなト
ランジスタ接合面積比を変えるだけで、回路各部電位や
CaS特性を変えず釦、時定コンデンサの容量値を減少
することができ、回路の自由度をなくさずにスペース及
びコスト効率を向上できる。」ガる記載を加入する。 179−
FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of an exposure control circuit using a photometric circuit according to the present invention, and FIG. 2 is a circuit diagram showing another embodiment of an exposure control circuit using a photometric circuit according to the present invention. , 3rd
The figure is a circuit diagram showing still another embodiment of an exposure control circuit using a photometric circuit according to the present invention. 13.14,15... operational amplifier, 24.25,26,27... transistor, 37.3
8,39...Photoconductive element. Patent applicant: Canon Co., Ltd. Procedural amendment (voluntary) Mr. Kazuo Wakasugi, Commissioner of the Patent Office■. Indication of the case 1980 Patent Application No. 8022 2, Name of the invention Photometric circuit 3, Person making the amendment Relationship to the case Patent applicant Office 3-30-24 Shimomaruko, Ota-ku, Tokyo (XL-”-)□ Voice residence 146 Shimomaruko 3-30-25, Ota-ku, Tokyo, Specification subject to amendment 6, Contents of amendment (1) The phrase “It is possible 0” on page 12, line 16 of the specification
” and the word “on the other hand” on page 12, line 17 of the same page.
(PN) If the junction area of the transistor 25 is multiplied by n, the above-mentioned time T becomes as follows.Even if the capacitance value of 041 is reduced without changing the values of Gas and each resistance, the same T can be obtained. If the collector of the NPN transistor 25 is directly connected to the power supply 7, the effect of reducing the capacitor capacity can be used only as an exposure circuit. ” is added. (2) The phrase “Unnecessary” in the second line of page 14 of the specification.
and the word ``also'' in the second line of page 14, K ``By simply changing the transistor junction area ratio, the capacitance value of the button and time constant capacitor can be reduced without changing the potential of each part of the circuit or the CaS characteristics. , and space and cost efficiency can be improved without losing circuit flexibility.'' 179-

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 一方の入力端に電圧が印加さする演算増巾器の出力にト
ランジスターを接続すると共に、上記演算増巾器て負帰
還路を設け、該増巾器の負荷として光導電素子を接続し
、上記トランジスターの出力電流として光導電素子の抵
抗値に応じた信号電流を形成し、該信号電流を露光制御
用コンデンサーの充電電流として供給することを特徴と
するカメラのための測光回路。
A transistor is connected to the output of an operational amplifier to which a voltage is applied to one input terminal, a negative feedback path is provided for the operational amplifier, a photoconductive element is connected as a load of the amplifier, and the 1. A photometry circuit for a camera, characterized in that a signal current corresponding to the resistance value of a photoconductive element is formed as an output current of a transistor, and the signal current is supplied as a charging current of an exposure control capacitor.
JP802283A 1983-01-19 1983-01-19 Photometric circuit Pending JPS59133531A (en)

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