JPS59112932U - 電子ビ−ム露光装置の電子銃 - Google Patents

電子ビ−ム露光装置の電子銃

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JPS59112932U
JPS59112932U JP19452383U JP19452383U JPS59112932U JP S59112932 U JPS59112932 U JP S59112932U JP 19452383 U JP19452383 U JP 19452383U JP 19452383 U JP19452383 U JP 19452383U JP S59112932 U JPS59112932 U JP S59112932U
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JP
Japan
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electron
beam exposure
electron gun
exposure equipment
electron beam
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Pending
Application number
JP19452383U
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English (en)
Inventor
古川　泰男
山部　正樹
洋 安田
Original Assignee
富士通株式会社
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Publication date
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  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は可変整形ビーム露光装置の概要を示す説明図、
第２図はその陰極部分の斜視図、第３図は電子銃部分の
説明図、第４図は従来の陰極形状を示す概略側面図、第
５図は本考案の陰極形状を示す概略側面図、第６図およ
び第７図は特性曲線図である。 図面で、１は電子銃、１０は電子ビーム、９は試料、１
１は陰極、１２．１３は加熱体である。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. はう化ランタンを陰極材として用いる電子ビーム露光装
    置の電子銃において、該陰極に、先端曲率半径が５０〜
    ２００μｍであるほう化ランタン単結晶を用いたことを
    特徴とする電子銃。
JP19452383U 1983-12-16 1983-12-16 電子ビ−ム露光装置の電子銃 Pending JPS59112932U (ja)

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